JPH1012711A - ウェハ支持装置 - Google Patents
ウェハ支持装置Info
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- JPH1012711A JPH1012711A JP16445696A JP16445696A JPH1012711A JP H1012711 A JPH1012711 A JP H1012711A JP 16445696 A JP16445696 A JP 16445696A JP 16445696 A JP16445696 A JP 16445696A JP H1012711 A JPH1012711 A JP H1012711A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハへのアーキング等のダメージを防ぎつ
つ、プロセスチャンバ外への高周波の発振を防ぎ、装置
の誤作動や破壊を防止する。 【解決手段】 ウェハ支持装置２８は、プロセスチャン
バ２２外へ気密に導出される第１の支持部４０と、第１
の支持部４０上に設けられた絶縁部材４１と、この絶縁
部材４１上に設けられ、ウェハ２７を支持する第２の支
持部４２とからなる。第１の支持部４０はアース電位で
あり、第２の支持部４２は、絶縁部材４１上で電気的に
フローティングされている。したがって、第２の支持部
４２に支持されるウェハ２７も電気的にフローティング
状態となる。これにより、高周波がプロセスチャンバ２
２外へ発振されることはない。
つ、プロセスチャンバ外への高周波の発振を防ぎ、装置
の誤作動や破壊を防止する。 【解決手段】 ウェハ支持装置２８は、プロセスチャン
バ２２外へ気密に導出される第１の支持部４０と、第１
の支持部４０上に設けられた絶縁部材４１と、この絶縁
部材４１上に設けられ、ウェハ２７を支持する第２の支
持部４２とからなる。第１の支持部４０はアース電位で
あり、第２の支持部４２は、絶縁部材４１上で電気的に
フローティングされている。したがって、第２の支持部
４２に支持されるウェハ２７も電気的にフローティング
状態となる。これにより、高周波がプロセスチャンバ２
２外へ発振されることはない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波を利用して
ウェハの表面処理を行う半導体製造装置のプロセスチャ
ンバ内においてウェハを支持するウェハ支持装置に関す
る。
ウェハの表面処理を行う半導体製造装置のプロセスチャ
ンバ内においてウェハを支持するウェハ支持装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、スパッタリング装置等の半導体
製造装置においては、絶縁性の薄膜を形成したり、高密
度な薄膜を形成するために、高周波放電を利用してウェ
ハの表面処理を行うものがある。
製造装置においては、絶縁性の薄膜を形成したり、高密
度な薄膜を形成するために、高周波放電を利用してウェ
ハの表面処理を行うものがある。
【０００３】図４に、高周波を利用したスパッタリング
装置１を示す。プロセスチャンバ２において、チャンバ
を構成する有底円筒状のハウジング３は、金属により形
成されており、アース電位とされている。ハウジング３
の上端開口部は、絶縁リング４を介して配置される円板
状のターゲット５により気密に閉塞されている。ターゲ
ット５には、高周波電源６が接続されている。また、プ
ロセスチャンバ２内には、ウェハ７を支持するウェハ支
持装置８が、ハウジング３の底面中央部からベローズ９
を介して気密に導入されている。ウェハ支持装置８は、
ウェハ７を加熱する加熱手段（図示省略）を備えている
のが通常であり、全体的に金属で形成されている。ベロ
ーズ９の下端は、ハウジング３に絶縁リング１０を介し
て設けられた金属製の基台１１に固着されている。これ
により、ウェハ支持装置８は、全体が電気的にフローテ
ィングされている。ウェハ支持装置８におけるプロセス
チャンバ２外へ導出された下端（外端）は、ウェハ支持
装置８を上下動させるための駆動源（図示省略）に接続
されている。
装置１を示す。プロセスチャンバ２において、チャンバ
を構成する有底円筒状のハウジング３は、金属により形
成されており、アース電位とされている。ハウジング３
の上端開口部は、絶縁リング４を介して配置される円板
状のターゲット５により気密に閉塞されている。ターゲ
ット５には、高周波電源６が接続されている。また、プ
ロセスチャンバ２内には、ウェハ７を支持するウェハ支
持装置８が、ハウジング３の底面中央部からベローズ９
を介して気密に導入されている。ウェハ支持装置８は、
ウェハ７を加熱する加熱手段（図示省略）を備えている
のが通常であり、全体的に金属で形成されている。ベロ
ーズ９の下端は、ハウジング３に絶縁リング１０を介し
て設けられた金属製の基台１１に固着されている。これ
により、ウェハ支持装置８は、全体が電気的にフローテ
ィングされている。ウェハ支持装置８におけるプロセス
チャンバ２外へ導出された下端（外端）は、ウェハ支持
装置８を上下動させるための駆動源（図示省略）に接続
されている。
【０００４】このような構成のスパッタリング装置１で
は、プロセスチャンバ２内に放電用のガスを導入すると
ともに、高周波電源６により高周波電圧を印加し、図４
において一点鎖線で示すように、ターゲット５とウェハ
７との間に高周波プラズマ１２を発生させることによ
り、ウェハ７上に絶縁膜を成膜したり、高密度な薄膜を
形成する。
は、プロセスチャンバ２内に放電用のガスを導入すると
ともに、高周波電源６により高周波電圧を印加し、図４
において一点鎖線で示すように、ターゲット５とウェハ
７との間に高周波プラズマ１２を発生させることによ
り、ウェハ７上に絶縁膜を成膜したり、高密度な薄膜を
形成する。
【０００５】ここに、上記のようなスパッタリング装置
１では、ウェハ７を支持するウェハ支持装置８は、プロ
セスチャンバ２に絶縁リング１０を介して設けられてい
るので、電気的にフローティング状態にある。これは、
ウェハ７をフローティングしておくことで、プロセス中
のアーキング等によるダメージを防ぐためである。
１では、ウェハ７を支持するウェハ支持装置８は、プロ
セスチャンバ２に絶縁リング１０を介して設けられてい
るので、電気的にフローティング状態にある。これは、
ウェハ７をフローティングしておくことで、プロセス中
のアーキング等によるダメージを防ぐためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のスパッタリ
ング装置１においては、高周波（ＲＦ）スパッタを行う
ので、例えばＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁物
や、ＰＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛）、ＢＳＴ（バリウ
ム・ストロンチウム・チタン酸化合物）等の強誘電体材
料などを成膜するスパッタや、高密度プラズマ（ＨＤ
Ｐ）スパッタを実現することができる。しかし、ウェハ
支持装置８は、ウェハ７への悪影響を防ぐために、支持
装置全体が電気的にフローティングされている。したが
って、高周波スパッタでは、高周波成分の影響によって
ウェハ支持装置８がアンテナとなり、ウェハ支持装置８
の下端からプロセスチャンバ２の外部に高周波を発振し
てしまう。その結果、装置を誤作動したり、破壊するお
それがあった。
ング装置１においては、高周波（ＲＦ）スパッタを行う
ので、例えばＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁物
や、ＰＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛）、ＢＳＴ（バリウ
ム・ストロンチウム・チタン酸化合物）等の強誘電体材
料などを成膜するスパッタや、高密度プラズマ（ＨＤ
Ｐ）スパッタを実現することができる。しかし、ウェハ
支持装置８は、ウェハ７への悪影響を防ぐために、支持
装置全体が電気的にフローティングされている。したが
って、高周波スパッタでは、高周波成分の影響によって
ウェハ支持装置８がアンテナとなり、ウェハ支持装置８
の下端からプロセスチャンバ２の外部に高周波を発振し
てしまう。その結果、装置を誤作動したり、破壊するお
それがあった。
【０００７】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、ウェハへのアーキング等のダメージを防
ぎつつ、プロセスチャンバ外へ高周波を発振することな
く、装置の誤作動や破壊を防止することができるウェハ
支持装置を提供することを目的とする。
されたもので、ウェハへのアーキング等のダメージを防
ぎつつ、プロセスチャンバ外へ高周波を発振することな
く、装置の誤作動や破壊を防止することができるウェハ
支持装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、高周波を利用してウェハの表面処理を行
う半導体製造装置のプロセスチャンバ内においてウェハ
を支持するウェハ支持装置であって、プロセスチャンバ
外へ気密に導出され、アース電位とされた第１の支持部
と、電気的にフローティングされて第１の支持部に支持
され、ウェハを支持する第２の支持部とからウェハ支持
装置を構成した。
に、本発明は、高周波を利用してウェハの表面処理を行
う半導体製造装置のプロセスチャンバ内においてウェハ
を支持するウェハ支持装置であって、プロセスチャンバ
外へ気密に導出され、アース電位とされた第１の支持部
と、電気的にフローティングされて第１の支持部に支持
され、ウェハを支持する第２の支持部とからウェハ支持
装置を構成した。
【０００９】このウェハ支持装置において、第１の支持
部と第２の支持部との間に絶縁部材を介在させることに
より、第１の支持部と第２の支持部との絶縁を確保する
ことができる。
部と第２の支持部との間に絶縁部材を介在させることに
より、第１の支持部と第２の支持部との絶縁を確保する
ことができる。
【００１０】また、上記ウェハ支持装置において、第２
の支持部に、ウェハを加熱する加熱手段や、ウェハを冷
却する冷却手段を備えてもよい。
の支持部に、ウェハを加熱する加熱手段や、ウェハを冷
却する冷却手段を備えてもよい。
【００１１】上記ウェハ支持装置において、第１の支持
部の上部に絶縁部材を介して第２の支持部を配置し、第
１の支持部と第２の支持部との絶縁状態を維持しつつ、
両者を分離可能に固定するとよい。
部の上部に絶縁部材を介して第２の支持部を配置し、第
１の支持部と第２の支持部との絶縁状態を維持しつつ、
両者を分離可能に固定するとよい。
【００１２】第１の支持部や第２の支持部の材料は、ス
テンレス鋼が適している。
テンレス鋼が適している。
【００１３】また、絶縁部材は、アルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）等のセラミック、ポリイ
ミド系樹脂またはテフロン（デュポン（株）製）により
形成するとよい。
2Ｏ3）、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）等のセラミック、ポリイ
ミド系樹脂またはテフロン（デュポン（株）製）により
形成するとよい。
【００１４】このような構成のウェハ支持装置によれ
ば、ウェハへのアーキング等のダメージを防ぎつつ、プ
ロセスチャンバチャンバ外への高周波の発振を防ぐこと
ができ、装置の誤作動や破壊を防止することができる。
ば、ウェハへのアーキング等のダメージを防ぎつつ、プ
ロセスチャンバチャンバ外への高周波の発振を防ぐこと
ができ、装置の誤作動や破壊を防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本実施形態のウェハ支持
装置を備えたスパッタリング装置２１を示す概略構成図
である。
装置を備えたスパッタリング装置２１を示す概略構成図
である。
【００１６】プロセスチャンバ２２において、チャンバ
を構成する有底円筒状のハウジング２３はステンレス鋼
などの金属により形成されており、アース電位とされて
いる。ハウジング２３の上端開口部は、Ａｌ2Ｏ3製の絶
縁リング２４を介して配置される円板状のターゲット２
５により気密に閉塞されている。ターゲット２５には、
高周波電源２６が接続されている。また、プロセスチャ
ンバ２２内には、ウェハ２７を支持するウェハ支持装置
２８が、ハウジング２３の底面中央部からステンレス鋼
製のベローズ２９を介して気密に導入されている。ベロ
ーズ２９の下端は、ハウジング２３にＡｌ2Ｏ3製の絶縁
リング３０を介して設けられたステンレス鋼製の基台３
１の上面に固着されている。
を構成する有底円筒状のハウジング２３はステンレス鋼
などの金属により形成されており、アース電位とされて
いる。ハウジング２３の上端開口部は、Ａｌ2Ｏ3製の絶
縁リング２４を介して配置される円板状のターゲット２
５により気密に閉塞されている。ターゲット２５には、
高周波電源２６が接続されている。また、プロセスチャ
ンバ２２内には、ウェハ２７を支持するウェハ支持装置
２８が、ハウジング２３の底面中央部からステンレス鋼
製のベローズ２９を介して気密に導入されている。ベロ
ーズ２９の下端は、ハウジング２３にＡｌ2Ｏ3製の絶縁
リング３０を介して設けられたステンレス鋼製の基台３
１の上面に固着されている。
【００１７】ウェハ支持装置２８は、図２および図３に
示すようなもので、プロセスチャンバ２２外へ気密に導
出される第１の支持部４０と、この第１の支持部４０上
に設けられた絶縁部材４１と、この絶縁部材４１上に設
けられ、ウェハ２７を支持する第２の支持部４２とから
概略構成されている。
示すようなもので、プロセスチャンバ２２外へ気密に導
出される第１の支持部４０と、この第１の支持部４０上
に設けられた絶縁部材４１と、この絶縁部材４１上に設
けられ、ウェハ２７を支持する第２の支持部４２とから
概略構成されている。
【００１８】第１の支持部４０は、全体がステンレス鋼
により形成されており、円筒状に形成された下部部材４
３と、この下部部材４３の上端外周に固着されたリング
状の中間部材４４と、この中間部材４４上に固設された
略円板状の上部部材４５とから構成されている。プロセ
スチャンバ２２外へ導出された下部部材４３の下端は、
ウェハ支持装置２８を上下動させるための駆動源（図示
省略）に接続されている。また、第１の支持部４０の内
部には、ウェハ２７の加熱を促すためのガス（Ａｒガ
ス）を供給するガス供給管４６と、ウェハ２７を冷却す
るための冷却水を供給する冷却水供給管４７とが、それ
ぞれ挿通されている。下部部材４３を囲繞するベローズ
２９の上端は、中間部材４４の下面に固着されている。
により形成されており、円筒状に形成された下部部材４
３と、この下部部材４３の上端外周に固着されたリング
状の中間部材４４と、この中間部材４４上に固設された
略円板状の上部部材４５とから構成されている。プロセ
スチャンバ２２外へ導出された下部部材４３の下端は、
ウェハ支持装置２８を上下動させるための駆動源（図示
省略）に接続されている。また、第１の支持部４０の内
部には、ウェハ２７の加熱を促すためのガス（Ａｒガ
ス）を供給するガス供給管４６と、ウェハ２７を冷却す
るための冷却水を供給する冷却水供給管４７とが、それ
ぞれ挿通されている。下部部材４３を囲繞するベローズ
２９の上端は、中間部材４４の下面に固着されている。
【００１９】第１の支持部４０の上部部材４５は、円筒
状の脚部４５ａを有する略円板状に形成され、脚部４５
ａの内周縁が中間部材４４の外周縁に係合して中間部材
４４上に固設されている。これにより、中間部材４４と
上部部材４５との間には、空間部４８が形成されてい
る。また、上部部材４５の中心部には、上部部材４５を
貫通しガス供給管４６に連通するガスの通路４５ｂが形
成されるとともに、この通路４５ｂから僅かに離れた位
置に、上部部材４５を貫通し冷却水供給管４７に連通す
る冷却水の通路４５ｃが形成されている。
状の脚部４５ａを有する略円板状に形成され、脚部４５
ａの内周縁が中間部材４４の外周縁に係合して中間部材
４４上に固設されている。これにより、中間部材４４と
上部部材４５との間には、空間部４８が形成されてい
る。また、上部部材４５の中心部には、上部部材４５を
貫通しガス供給管４６に連通するガスの通路４５ｂが形
成されるとともに、この通路４５ｂから僅かに離れた位
置に、上部部材４５を貫通し冷却水供給管４７に連通す
る冷却水の通路４５ｃが形成されている。
【００２０】上部部材４５の上面には、絶縁部材４１が
固設されている。この絶縁部材４１は、上部部材４５よ
りも小径の円板状に形成され、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ポ
リイミド系樹脂（例えば、商品名；ベスペル、デュポン
（株）製）またはテフロン（デュポン（株）製）により
形成されている。また、絶縁部材４１の中心部には、絶
縁部材４１を貫通し第１の支持部４０の上部部材４５に
設けた通路４５ｂと連通するガスの通路４１ｂが形成さ
れるとともに、この通路４１ｂから僅かに離れた位置
に、絶縁部材４１を貫通し第１の支持部４０の上部部材
４５に設けた通路４５ｃと連通する冷却水の通路４１ｃ
が形成されている。
固設されている。この絶縁部材４１は、上部部材４５よ
りも小径の円板状に形成され、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ポ
リイミド系樹脂（例えば、商品名；ベスペル、デュポン
（株）製）またはテフロン（デュポン（株）製）により
形成されている。また、絶縁部材４１の中心部には、絶
縁部材４１を貫通し第１の支持部４０の上部部材４５に
設けた通路４５ｂと連通するガスの通路４１ｂが形成さ
れるとともに、この通路４１ｂから僅かに離れた位置
に、絶縁部材４１を貫通し第１の支持部４０の上部部材
４５に設けた通路４５ｃと連通する冷却水の通路４１ｃ
が形成されている。
【００２１】絶縁部材４１の上面には、第２の支持部４
２が固設されている。この第２の支持部４２は、全体が
ステンレス鋼により形成されており、絶縁部材４１の上
面と接する円板状の下部部材４９と、この下部部材４９
上に固設された円板状の上部部材５０とから構成されて
いる。上部部材５０の上面外周部には、全周にわたって
隆起した段部５０ａが形成されており、この段部５０ａ
上にウェハ２７が載置され、水平に支持される。すなわ
ち、ウェハ２７は、外周部分のみが上部部材５０に接
し、他の部分が上部部材５０との間に間隙を形成して支
持される。
２が固設されている。この第２の支持部４２は、全体が
ステンレス鋼により形成されており、絶縁部材４１の上
面と接する円板状の下部部材４９と、この下部部材４９
上に固設された円板状の上部部材５０とから構成されて
いる。上部部材５０の上面外周部には、全周にわたって
隆起した段部５０ａが形成されており、この段部５０ａ
上にウェハ２７が載置され、水平に支持される。すなわ
ち、ウェハ２７は、外周部分のみが上部部材５０に接
し、他の部分が上部部材５０との間に間隙を形成して支
持される。
【００２２】上部部材５０の中心部は、下部部材４９の
中心部に形成された貫通孔に嵌合され、中心部下面は絶
縁部材４１の上面に接している。そして、上部部材５０
の中心部には、絶縁部材４１のガスの通路４１ｂと連通
し、ウェハ２７の下面に向けて加熱促進用のガスを供給
するための通路５０ｂが形成されている。この通路５０
ｂは、上部部材５０の上面に開口する箇所が３箇所とな
るように分岐して形成されている。なお、上部部材５０
の上面中心には、ウェハ２７を搬送するブレードを位置
決めするための位置決め用穴５０ｄが形成されている。
中心部に形成された貫通孔に嵌合され、中心部下面は絶
縁部材４１の上面に接している。そして、上部部材５０
の中心部には、絶縁部材４１のガスの通路４１ｂと連通
し、ウェハ２７の下面に向けて加熱促進用のガスを供給
するための通路５０ｂが形成されている。この通路５０
ｂは、上部部材５０の上面に開口する箇所が３箇所とな
るように分岐して形成されている。なお、上部部材５０
の上面中心には、ウェハ２７を搬送するブレードを位置
決めするための位置決め用穴５０ｄが形成されている。
【００２３】第２の支持部４２の下部部材４９には、絶
縁部材４１の冷却水の通路４１ｃと連通する通路４９ｃ
が形成されている。また、下部部材４９の上面には、そ
の通路４９ｃを介して供給される冷却水を流すための溝
４９ｄがスパイラル状に形成されている。また、下部部
材４９の上面には、ウェハ２７を加熱するためのヒータ
５１が埋設されている。
縁部材４１の冷却水の通路４１ｃと連通する通路４９ｃ
が形成されている。また、下部部材４９の上面には、そ
の通路４９ｃを介して供給される冷却水を流すための溝
４９ｄがスパイラル状に形成されている。また、下部部
材４９の上面には、ウェハ２７を加熱するためのヒータ
５１が埋設されている。
【００２４】第１の支持部４０と第２の支持部４２と
は、第１の支持部４０の上部部材４５を貫通し、第２の
支持部４２の下部部材４９に螺入されるボルト５２によ
り締め付け固定されている。ただし、ボルト５２の周り
には絶縁体５３が設けられており、第１の支持部４０と
第２の支持部４２との絶縁状態は維持されている。
は、第１の支持部４０の上部部材４５を貫通し、第２の
支持部４２の下部部材４９に螺入されるボルト５２によ
り締め付け固定されている。ただし、ボルト５２の周り
には絶縁体５３が設けられており、第１の支持部４０と
第２の支持部４２との絶縁状態は維持されている。
【００２５】なお、各部材の接合部はＯリングによりシ
ールされており、冷却水や大気がプロセスチャンバ２２
内へ侵入しないようになっている。
ールされており、冷却水や大気がプロセスチャンバ２２
内へ侵入しないようになっている。
【００２６】このような構成のウェハ支持装置２８を備
えたスパッタリング装置２１においては、ヒータ５１で
加熱することにより、第１の支持部４２を加熱し、第１
の支持部４２上に間隙をもって支持されたウェハ２７の
下面に向けてＡｒガスを供給することで、ウェハ２７を
加熱する。さらに、図示を省略したガス導入管から真空
状態にあるプロセスチャンバ２２内に放電用のガスを導
入し、図１において一点鎖線で示すように、高周波電源
２６によりターゲット２５とウェハ２７との間に高周波
プラズマ６０を発生させる。このとき、プラズマ中のイ
オンがターゲット２５表面に衝突して、ターゲット原子
をはじき出し、このターゲット原子がウェハ２７上に堆
積して薄膜が形成される。本実施形態のウェハ支持装置
２８を用いたスパッタリング２１では、高周波を利用し
ているので、形成される薄膜を絶縁物とすることがで
き、また高密度な薄膜を形成することができる。
えたスパッタリング装置２１においては、ヒータ５１で
加熱することにより、第１の支持部４２を加熱し、第１
の支持部４２上に間隙をもって支持されたウェハ２７の
下面に向けてＡｒガスを供給することで、ウェハ２７を
加熱する。さらに、図示を省略したガス導入管から真空
状態にあるプロセスチャンバ２２内に放電用のガスを導
入し、図１において一点鎖線で示すように、高周波電源
２６によりターゲット２５とウェハ２７との間に高周波
プラズマ６０を発生させる。このとき、プラズマ中のイ
オンがターゲット２５表面に衝突して、ターゲット原子
をはじき出し、このターゲット原子がウェハ２７上に堆
積して薄膜が形成される。本実施形態のウェハ支持装置
２８を用いたスパッタリング２１では、高周波を利用し
ているので、形成される薄膜を絶縁物とすることがで
き、また高密度な薄膜を形成することができる。
【００２７】なお、ウェハ２７の冷却は、冷却水供給管
４７を介して溝４９ｄに冷却水を供給することにより行
われる。
４７を介して溝４９ｄに冷却水を供給することにより行
われる。
【００２８】ここで、本実施形態のウェハ支持装置２８
では、第１の支持部４０はアース電位であり、第２の支
持部４２は、そのアース電位である第１の支持部４０上
に絶縁部材４１を介して設けられ、電気的にフローティ
ングされているので、第２の支持部４２に支持されるウ
ェハ２７も電気的にフローティング状態となる。したが
って、ウェハ２７に対するアーキング等によるダメージ
はなく、良好に薄膜を形成することができ、また高周波
がウェハ支持装置２８を介してプロセスチャンバ２２外
部に発振されることはないので、装置の誤作動や破壊が
防止される。
では、第１の支持部４０はアース電位であり、第２の支
持部４２は、そのアース電位である第１の支持部４０上
に絶縁部材４１を介して設けられ、電気的にフローティ
ングされているので、第２の支持部４２に支持されるウ
ェハ２７も電気的にフローティング状態となる。したが
って、ウェハ２７に対するアーキング等によるダメージ
はなく、良好に薄膜を形成することができ、また高周波
がウェハ支持装置２８を介してプロセスチャンバ２２外
部に発振されることはないので、装置の誤作動や破壊が
防止される。
【００２９】また、本実施形態のウェハ支持装置２８で
は、ボルト５２を用いて第１の支持部４０と第２の支持
部４２とを固定しているので、第１の支持部４０と第２
の支持部４２とは、分離可能であり、各部品を個別に交
換することができる。例えば、第１の支持部４０および
絶縁部材４１はそのままとし、第２の支持部４２のみを
交換することで、異なるウェハサイズにも容易に対応で
き、またウェハ２７の全表面成膜への対応も可能とな
る。つまり、全表面成膜については、第２の支持部４２
を大きさ等の異なるものに交換し、プロセス中にウェハ
２７をその周縁から表面の一部を覆ってクランプしてい
たのを、ウェハ２７をその外周のみからクランプするよ
うにすれば、クランプで覆われる部分がなくなり、ウェ
ハ２７の表面全体が現れて、全表面への成膜が可能とな
る。全表面成膜が可能になると、例えば、異なる構成の
数種の半導体装置を用いて複数層の薄膜を形成する場合
でも、その後に一律な処理を行うことができるなどの利
点がある。
は、ボルト５２を用いて第１の支持部４０と第２の支持
部４２とを固定しているので、第１の支持部４０と第２
の支持部４２とは、分離可能であり、各部品を個別に交
換することができる。例えば、第１の支持部４０および
絶縁部材４１はそのままとし、第２の支持部４２のみを
交換することで、異なるウェハサイズにも容易に対応で
き、またウェハ２７の全表面成膜への対応も可能とな
る。つまり、全表面成膜については、第２の支持部４２
を大きさ等の異なるものに交換し、プロセス中にウェハ
２７をその周縁から表面の一部を覆ってクランプしてい
たのを、ウェハ２７をその外周のみからクランプするよ
うにすれば、クランプで覆われる部分がなくなり、ウェ
ハ２７の表面全体が現れて、全表面への成膜が可能とな
る。全表面成膜が可能になると、例えば、異なる構成の
数種の半導体装置を用いて複数層の薄膜を形成する場合
でも、その後に一律な処理を行うことができるなどの利
点がある。
【００３０】また、Ｏリングを用いて各部材の接合部を
シールしているので、冷却水や大気がプロセスチャンバ
へ侵入することを防ぐことができる。
シールしているので、冷却水や大気がプロセスチャンバ
へ侵入することを防ぐことができる。
【００３１】なお、本発明で使用する絶縁材料は、Ａｌ
2Ｏ3に限られず、Ｓｉ3Ｎ4等のセラミックや、ポリイミ
ド系の樹脂、テフロンなどを用いてもよい。また、金属
部分は、ステンレス鋼に限らず、薄膜形成に悪影響を与
えなければ、他の金属材料を用いることができる。
2Ｏ3に限られず、Ｓｉ3Ｎ4等のセラミックや、ポリイミ
ド系の樹脂、テフロンなどを用いてもよい。また、金属
部分は、ステンレス鋼に限らず、薄膜形成に悪影響を与
えなければ、他の金属材料を用いることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明のウェハ支持装置
によれば、プロセスチャンバ外へ導出される第１の支持
部をアース電位とし、ウェハを支持する第２の支持部を
電気的にフローティングしたので、ウェハへのアーキン
グ等によるダメージを防ぎつつ、プロセスチャンバ外へ
の高周波の発振を防止でき、その結果、装置の誤作動や
破壊を防ぐことができる。
によれば、プロセスチャンバ外へ導出される第１の支持
部をアース電位とし、ウェハを支持する第２の支持部を
電気的にフローティングしたので、ウェハへのアーキン
グ等によるダメージを防ぎつつ、プロセスチャンバ外へ
の高周波の発振を防止でき、その結果、装置の誤作動や
破壊を防ぐことができる。
【図１】本発明の一実施形態のウェハ支持装置を備えた
スパッタリング装置を示す概略構成図である。
スパッタリング装置を示す概略構成図である。
【図２】同実施形態のウェハ支持装置を示す平面図であ
る。
る。
【図３】同実施形態のウェハ支持装置を示す縦断面図で
ある。
ある。
【図４】従来のウェハ支持装置を備えたスパッタリング
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
１，２１…スパッタリング装置、２，２２…プロセスチ
ャンバ、３，２３…ハウジング、５，２５…ターゲッ
ト、６，２６…高周波電源、７，２７…ウェハ、８，２
８…ウェハ支持装置、４０…第１の支持部、４１…絶縁
部材、４２…第２の支持部、４３…下部部材、４４…中
間部材、４５…上部部材、４６…ガス供給管、４７…冷
却水供給管、４９…上部部材、５０…下部部材、５１…
ヒータ、５２…ボルト
ャンバ、３，２３…ハウジング、５，２５…ターゲッ
ト、６，２６…高周波電源、７，２７…ウェハ、８，２
８…ウェハ支持装置、４０…第１の支持部、４１…絶縁
部材、４２…第２の支持部、４３…下部部材、４４…中
間部材、４５…上部部材、４６…ガス供給管、４７…冷
却水供給管、４９…上部部材、５０…下部部材、５１…
ヒータ、５２…ボルト
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/40 Ｃ２３Ｃ 14/40 (72)発明者 神保 毅 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 高周波を利用してウェハの表面処理を行
う半導体製造装置のプロセスチャンバ内においてウェハ
を支持するウェハ支持装置であって、 前記プロセスチャンバ外へ気密に導出され、アース電位
とされた第１の支持部と、 電気的にフローティングされて前記第１の支持部に支持
され、前記ウェハを支持する第２の支持部とからなるこ
とを特徴とするウェハ支持装置。 - 【請求項２】 前記第１の支持部と前記第２の支持部と
の間に絶縁部材が介在することを特徴とする請求項１記
載のウェハ支持装置。 - 【請求項３】 前記第２の支持部は、前記ウェハを加熱
する加熱手段を備えることを特徴とする請求項１または
２記載のウェハ支持装置。 - 【請求項４】 前記第２の支持部は、前記ウェハを冷却
する冷却手段を備えることを特徴とする請求項３項記載
のウェハ支持装置。 - 【請求項５】 前記第１の支持部の上部に前記絶縁部材
を介して前記第２の支持部を配置し、 前記第１の支持部と前記第２の支持部との絶縁状態を維
持しつつ、前記第１の支持部と前記第２の支持部とを分
離可能に固定したことを特徴とする請求項１から４まで
にいずれか１項記載のウェハ支持装置。 - 【請求項６】 前記第１の支持部は、ステンレス鋼から
なることを特徴とする請求項１から５までにいずれか１
項記載のウェハ支持装置。 - 【請求項７】 前記第２の支持部は、ステンレス鋼から
なることを特徴とする請求項１から６までにいずれか１
項記載のウェハ支持装置。 - 【請求項８】 前記絶縁部材は、セラミックからなるこ
とを特徴とする請求項２から７までにいずれか１項記載
の記載のウェハ支持装置。 - 【請求項９】 前記絶縁部材は、アルミナからなること
を特徴とする請求項２から７までにいずれか１項記載の
ウェハ支持装置。 - 【請求項１０】 前記絶縁部材は、窒化珪素からなるこ
とを特徴とする請求項２から７までにいずれか１項記載
のウェハ支持装置。 - 【請求項１１】 前記絶縁部材は、ポリイミド系樹脂か
らなることを特徴とする請求項２から７までにいずれか
１項記載ののウェハ支持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16445696A JPH1012711A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ウェハ支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16445696A JPH1012711A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ウェハ支持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012711A true JPH1012711A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15793529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16445696A Withdrawn JPH1012711A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ウェハ支持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012711A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100805731B1 (ko) | 2006-08-30 | 2008-02-21 | 주식회사 포스코 | 플라즈마 이온주입에 의한 표면개질장치 및 그 방법 |
| JP2010156018A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Masahiko Naoe | スパッタ装置 |
| JPWO2016117424A1 (ja) * | 2015-01-20 | 2017-04-27 | 日本碍子株式会社 | シャフト端部取付構造 |
| CN111485217A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-04 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种升降基座 |
| JP2020204068A (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | 株式会社アルバック | スパッタ用基板支持装置、および、スパッタシステム |
-
1996
- 1996-06-25 JP JP16445696A patent/JPH1012711A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100805731B1 (ko) | 2006-08-30 | 2008-02-21 | 주식회사 포스코 | 플라즈마 이온주입에 의한 표면개질장치 및 그 방법 |
| JP2010156018A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Masahiko Naoe | スパッタ装置 |
| JPWO2016117424A1 (ja) * | 2015-01-20 | 2017-04-27 | 日本碍子株式会社 | シャフト端部取付構造 |
| JP2020204068A (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | 株式会社アルバック | スパッタ用基板支持装置、および、スパッタシステム |
| CN111485217A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-04 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种升降基座 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |