JPH10130470A - 流れ止め枠用液状樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
流れ止め枠用液状樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置Info
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- JPH10130470A JPH10130470A JP8284926A JP28492696A JPH10130470A JP H10130470 A JPH10130470 A JP H10130470A JP 8284926 A JP8284926 A JP 8284926A JP 28492696 A JP28492696 A JP 28492696A JP H10130470 A JPH10130470 A JP H10130470A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗布作業性、形状維持性が良く、且つこれら
の経時安定性に優れた液状封止樹脂組成物の流れ止め枠
用液状樹脂組成物を得ること。 【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化
剤、（Ｃ）表面にシラノール基を有する一次粒子の平均
粒子径が２〜５０ｎｍであるシリカで、該シリカのシラ
ノール基の５０％以上と式［１］の有機化合物とを反応
させてなる疎水性のシリカ、及び（Ｄ）無機フィラーか
らなる液状樹脂組成物において、全樹脂組成物中に
（Ｃ）成分を１〜５重量％含むことを特徴とする流れ止
め枠用液状樹脂組成物。 Ｓｉ（Ｒ）m（Ｘ）n、 ｍ＋ｎ＝４ ［１］ （Ｒ：ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ4Ｈ9、Ｃ8Ｈ17、Ｘ：Ｃｌ、Ｂ
ｒ、ＯＣＨ3、ＯＨ）
の経時安定性に優れた液状封止樹脂組成物の流れ止め枠
用液状樹脂組成物を得ること。 【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化
剤、（Ｃ）表面にシラノール基を有する一次粒子の平均
粒子径が２〜５０ｎｍであるシリカで、該シリカのシラ
ノール基の５０％以上と式［１］の有機化合物とを反応
させてなる疎水性のシリカ、及び（Ｄ）無機フィラーか
らなる液状樹脂組成物において、全樹脂組成物中に
（Ｃ）成分を１〜５重量％含むことを特徴とする流れ止
め枠用液状樹脂組成物。 Ｓｉ（Ｒ）m（Ｘ）n、 ｍ＋ｎ＝４ ［１］ （Ｒ：ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ4Ｈ9、Ｃ8Ｈ17、Ｘ：Ｃｌ、Ｂ
ｒ、ＯＣＨ3、ＯＨ）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子を、外部からの化学的及び物理的な作用から
保護する封止用液状樹脂の、流れ止め枠用樹脂組成物に
関するものである。
半導体素子を、外部からの化学的及び物理的な作用から
保護する封止用液状樹脂の、流れ止め枠用樹脂組成物に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年のエレクトロニクス産業の発展に伴
い、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体
製品の性能も著しく向上し、パッケージの形態もＤＩ
Ｐ、ＳＯＩＣといった低ピンのものから、ＱＦＰ等の多
ピンのものに推移してきている。特に多ピンの製品にお
いては、ピン数が３００ピンを越えてくると、ピン間隔
が必然的に狭くなり、基板へのマウントが困難になって
きている。これに対し、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）
或いはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）といったパッケ
ージは、ピンの配列が２次元なので、同じピン数、同じ
パッケージサイズでもピン間隔を広くとることが可能な
ため、マウントが容易である。更に、グリッドアレイタ
イプのパッケージは、従来からセラミック基板を使用し
て生産されていたが、近年では、コスト削減、高周波数
の製品の場合は電気的な損失が少ない等の理由で、プラ
スチック化が進んできている。このプラスチックピング
リッドアレイ（ＰＰＧＡ）或いはプラスチックボールグ
リッドアレイ（ＰＢＧＡ）においては、成形材料を用い
トランスファーモールドにより封止するタイプのパッケ
ージと、封止用液状樹脂組成物をポッティングし封止す
るタイプのパッケージとに二分されるが、金型が不必要
で、設計変更及び製品化が容易である点で、液状封止タ
イプが有利であるため、近年急速に開発が進んでいる。
い、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体
製品の性能も著しく向上し、パッケージの形態もＤＩ
Ｐ、ＳＯＩＣといった低ピンのものから、ＱＦＰ等の多
ピンのものに推移してきている。特に多ピンの製品にお
いては、ピン数が３００ピンを越えてくると、ピン間隔
が必然的に狭くなり、基板へのマウントが困難になって
きている。これに対し、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）
或いはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）といったパッケ
ージは、ピンの配列が２次元なので、同じピン数、同じ
パッケージサイズでもピン間隔を広くとることが可能な
ため、マウントが容易である。更に、グリッドアレイタ
イプのパッケージは、従来からセラミック基板を使用し
て生産されていたが、近年では、コスト削減、高周波数
の製品の場合は電気的な損失が少ない等の理由で、プラ
スチック化が進んできている。このプラスチックピング
リッドアレイ（ＰＰＧＡ）或いはプラスチックボールグ
リッドアレイ（ＰＢＧＡ）においては、成形材料を用い
トランスファーモールドにより封止するタイプのパッケ
ージと、封止用液状樹脂組成物をポッティングし封止す
るタイプのパッケージとに二分されるが、金型が不必要
で、設計変更及び製品化が容易である点で、液状封止タ
イプが有利であるため、近年急速に開発が進んでいる。
【０００３】液状封止タイプのＰＰＧＡ或いはＰＢＧＡ
では、封止用液状樹脂組成物の硬化後の平滑性がパッケ
ージ自体の厚み、信頼性に影響を及ぼすため、流れ性の
良好な液状樹脂が好ましいが、逆に良好な流れ性のため
基板にキャビティを作製するか、或いは流れ止め枠を作
製する必要がある。キャビティの作製は基板コストの上
昇につながるので、高付加価値の製品では有用である
が、汎用の製品には不向きである。一方、流れ止め枠と
して、金属製或いは樹脂製の枠をプラスチック基板に接
着剤等で固定する方法も考えられるが、工程が増えるこ
と、異種界面が増えるため信頼性の低下につながること
等の理由により、流れ止め枠用の液状樹脂組成物の開発
が望まれている。ここで、封止樹脂枠を用いたＰＰＧＡ
タイプの半導体装置について、図面を用いて説明する。
図１は半導体搭載用プラスチック基板の上面図で、図２
は半導体搭載用プラスチック基板に半導体チップを搭載
し封止用液状樹脂で樹脂封止した半導体装置の断面図で
ある。図１及び図２に示すように、半導体搭載用凹部
（２）に半導体チップ（８）を搭載し、ボンディングワ
イヤ（９）で回路パターンのボンディングパッド（４）
と接続した後、予め作製した封止樹脂枠（５）を貼り付
け、封止用液状樹脂（７）で半導体チップ（８）を封止
したものである。しかし、従来の樹脂製枠に代替できる
形状維持性及び塗布安定性に優れた流れ止め枠用液状樹
脂組成物はなかった。
では、封止用液状樹脂組成物の硬化後の平滑性がパッケ
ージ自体の厚み、信頼性に影響を及ぼすため、流れ性の
良好な液状樹脂が好ましいが、逆に良好な流れ性のため
基板にキャビティを作製するか、或いは流れ止め枠を作
製する必要がある。キャビティの作製は基板コストの上
昇につながるので、高付加価値の製品では有用である
が、汎用の製品には不向きである。一方、流れ止め枠と
して、金属製或いは樹脂製の枠をプラスチック基板に接
着剤等で固定する方法も考えられるが、工程が増えるこ
と、異種界面が増えるため信頼性の低下につながること
等の理由により、流れ止め枠用の液状樹脂組成物の開発
が望まれている。ここで、封止樹脂枠を用いたＰＰＧＡ
タイプの半導体装置について、図面を用いて説明する。
図１は半導体搭載用プラスチック基板の上面図で、図２
は半導体搭載用プラスチック基板に半導体チップを搭載
し封止用液状樹脂で樹脂封止した半導体装置の断面図で
ある。図１及び図２に示すように、半導体搭載用凹部
（２）に半導体チップ（８）を搭載し、ボンディングワ
イヤ（９）で回路パターンのボンディングパッド（４）
と接続した後、予め作製した封止樹脂枠（５）を貼り付
け、封止用液状樹脂（７）で半導体チップ（８）を封止
したものである。しかし、従来の樹脂製枠に代替できる
形状維持性及び塗布安定性に優れた流れ止め枠用液状樹
脂組成物はなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、塗布作業
性、形状維持性及びその安定性に優れた半導体封止用液
状樹脂の、流れ止め枠用液状樹脂組成物を提供するもの
である。
性、形状維持性及びその安定性に優れた半導体封止用液
状樹脂の、流れ止め枠用液状樹脂組成物を提供するもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）液状エ
ポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）表面にシラノール基
を有する一次粒子の平均粒子径が２〜５０ｎｍであるシ
リカで、該シリカのシラノール基の５０％以上と式
［１］の有機化合物とを反応させてなる疎水性のシリ
カ、及び（Ｄ）無機フィラーからなる液状樹脂組成物に
おいて、全樹脂組成物中に（Ｃ）成分の疎水性のシリカ
を１〜５重量％含む流れ止め枠用液状樹脂組成物で、特
に無機フィラーがアスペクト比１．２以下の球状シリカ
で、全液状樹脂組成物中に該球状シリカを４〜７５重量
％含むものであり、更に、半導体搭載用プラスチック基
板上に、前記液状樹脂組成物で流れ止め枠を形成し、該
流れ止め枠の内側に封止用液状樹脂を注入し、流れ止め
枠と封止用液状樹脂を同時に硬化してなるものである。 Ｓｉ（Ｒ）m（Ｘ）n、 ｍ＋ｎ＝４ ［１］ （Ｒ：ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ4Ｈ9、Ｃ8Ｈ17、Ｘ：Ｃｌ、Ｂ
ｒ、ＯＣＨ3、ＯＨ）
ポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）表面にシラノール基
を有する一次粒子の平均粒子径が２〜５０ｎｍであるシ
リカで、該シリカのシラノール基の５０％以上と式
［１］の有機化合物とを反応させてなる疎水性のシリ
カ、及び（Ｄ）無機フィラーからなる液状樹脂組成物に
おいて、全樹脂組成物中に（Ｃ）成分の疎水性のシリカ
を１〜５重量％含む流れ止め枠用液状樹脂組成物で、特
に無機フィラーがアスペクト比１．２以下の球状シリカ
で、全液状樹脂組成物中に該球状シリカを４〜７５重量
％含むものであり、更に、半導体搭載用プラスチック基
板上に、前記液状樹脂組成物で流れ止め枠を形成し、該
流れ止め枠の内側に封止用液状樹脂を注入し、流れ止め
枠と封止用液状樹脂を同時に硬化してなるものである。 Ｓｉ（Ｒ）m（Ｘ）n、 ｍ＋ｎ＝４ ［１］ （Ｒ：ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ4Ｈ9、Ｃ8Ｈ17、Ｘ：Ｃｌ、Ｂ
ｒ、ＯＣＨ3、ＯＨ）
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の流れ止め枠用液状樹脂組
成物は、図１及び図２に示した封止樹脂枠（５）の代わ
りに用いるものであり、図１及び図２に示した封止樹脂
枠を除去した部分に、液状樹脂組成物をニードルを用い
たラインドロー、或いはスクリーン印刷することにより
流れ止め枠を作製するものである。流れ止め枠用液状樹
脂組成物に要求される項目としては、プラスチック基板
の所定の位置に塗布した後の液状樹脂組成物の途切れ、
太さの変化等の塗布性、塗布した後の硬化物の（断面の
幅）／（断面の高さ）等の形状維持性が挙げられる。本
発明の液状樹脂組成物に用いる液状エポキシ樹脂として
は、例えば、フェノール樹脂をグリシジルエーテル化し
たもの、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エ
ポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げ
られるが、構造については特に限定しない。又、ナトリ
ウム、カリウム、塩素等のイオン性不純物は極力少ない
ことが望ましい。本発明に用いる硬化剤としては、例え
ば、フェノール系化合物、有機酸無水物、アミン化合物
等が挙げられるが、構造については特に限定しない。
又、エポキシ樹脂と同様に、イオン性不純物は極力少な
いことが望ましい。
成物は、図１及び図２に示した封止樹脂枠（５）の代わ
りに用いるものであり、図１及び図２に示した封止樹脂
枠を除去した部分に、液状樹脂組成物をニードルを用い
たラインドロー、或いはスクリーン印刷することにより
流れ止め枠を作製するものである。流れ止め枠用液状樹
脂組成物に要求される項目としては、プラスチック基板
の所定の位置に塗布した後の液状樹脂組成物の途切れ、
太さの変化等の塗布性、塗布した後の硬化物の（断面の
幅）／（断面の高さ）等の形状維持性が挙げられる。本
発明の液状樹脂組成物に用いる液状エポキシ樹脂として
は、例えば、フェノール樹脂をグリシジルエーテル化し
たもの、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エ
ポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げ
られるが、構造については特に限定しない。又、ナトリ
ウム、カリウム、塩素等のイオン性不純物は極力少ない
ことが望ましい。本発明に用いる硬化剤としては、例え
ば、フェノール系化合物、有機酸無水物、アミン化合物
等が挙げられるが、構造については特に限定しない。
又、エポキシ樹脂と同様に、イオン性不純物は極力少な
いことが望ましい。
【０００７】本発明に用いる疎水性シリカは、表面にシ
ラノール基を有する一次粒子の平均粒子径が２〜５０ｎ
ｍであるシリカで、該シリカのシラノール基の５０％以
上と式［１］の有機化合物とを反応させたものである。
一次粒子の平均粒子径が２ｎｍ未満だと、かさ密度が小
さくなり過ぎ、空気中に舞い易く秤量等の仕込が困難で
あり、又、液状樹脂組成物の作製時に均一に混練しにく
く塊のまま残存し易いため、好ましくない。一方、一次
粒子の平均粒子径が５０ｎｍを越えると、期待する形状
維持性を発現しない。更に、シリカの表面を疎水処理し
ていない場合は、液状樹脂組成物の作製後、保存中に徐
々に粘度、チキソ性が低下し、塗布安定性、形状維持性
が悪化するため好ましくない。このものは、日本アエロ
ジル（株）等から容易に入手できる。疎水性シリカの添
加量としては、全液状樹脂組成物中に、１〜５重量％が
好ましい。１重量％未満だと、期待する形状維持性が望
めず、５重量％を越えると、液状樹脂組成物の粘度が高
くなり過ぎ、作業性、塗布安定性が悪化し好ましくな
い。
ラノール基を有する一次粒子の平均粒子径が２〜５０ｎ
ｍであるシリカで、該シリカのシラノール基の５０％以
上と式［１］の有機化合物とを反応させたものである。
一次粒子の平均粒子径が２ｎｍ未満だと、かさ密度が小
さくなり過ぎ、空気中に舞い易く秤量等の仕込が困難で
あり、又、液状樹脂組成物の作製時に均一に混練しにく
く塊のまま残存し易いため、好ましくない。一方、一次
粒子の平均粒子径が５０ｎｍを越えると、期待する形状
維持性を発現しない。更に、シリカの表面を疎水処理し
ていない場合は、液状樹脂組成物の作製後、保存中に徐
々に粘度、チキソ性が低下し、塗布安定性、形状維持性
が悪化するため好ましくない。このものは、日本アエロ
ジル（株）等から容易に入手できる。疎水性シリカの添
加量としては、全液状樹脂組成物中に、１〜５重量％が
好ましい。１重量％未満だと、期待する形状維持性が望
めず、５重量％を越えると、液状樹脂組成物の粘度が高
くなり過ぎ、作業性、塗布安定性が悪化し好ましくな
い。
【０００８】又、疎水性シリカと併用する無機フィラー
としては、特に限定しないが、入手の安定性などの点
で、アスペクト比１．２以下の球状シリカ粉末が好まし
い。又、イオン性不純物、並びに放射線源となるウラ
ン、トリウム等の不純物が極力少ないことが望ましい。
無機フィラーの合計含有率としては、全液状樹脂組成物
中に、４〜７５重量％が好ましい。４重量％未満だと、
硬化物の熱膨張係数が大きくなり、基板等との熱膨張係
数の差が大きくなり過ぎるため、好ましくない。一方、
７５重量％を越えると、粘度が高くなり過ぎ、塗布性が
著しく悪化するので好ましくない。本発明の半導体装置
は、半導体搭載用プラスチック基板上に、前記の液状樹
脂組成物で流れ止め枠を形成し、該流れ止め枠の内側に
封止用液状樹脂を注入し、流れ止め枠と封止用液状樹脂
を同時に硬化させて作製する。流れ止め枠は、プラスチ
ック基板上に形成後放置して用いてもよい。プラスチッ
ク基板上に、液状樹脂組成物で流れ止め枠を形成する方
法としては、例えば、図１及び図２に示した封止樹脂枠
を除去した部分に、液状樹脂組成物をニードルを用いた
ラインドロー、或いはスクリーン印刷等が挙げられる。
封止用液状樹脂としては、特に限定はしないが、前記流
れ止め枠用の液状樹脂組成物から疎水性シリカ成分を除
いた樹脂組成物が、流れ止め枠との密着性の点から好ま
しい。更に、硬化後平滑な面が得られるように適正な流
動性を有するものが好ましい。
としては、特に限定しないが、入手の安定性などの点
で、アスペクト比１．２以下の球状シリカ粉末が好まし
い。又、イオン性不純物、並びに放射線源となるウラ
ン、トリウム等の不純物が極力少ないことが望ましい。
無機フィラーの合計含有率としては、全液状樹脂組成物
中に、４〜７５重量％が好ましい。４重量％未満だと、
硬化物の熱膨張係数が大きくなり、基板等との熱膨張係
数の差が大きくなり過ぎるため、好ましくない。一方、
７５重量％を越えると、粘度が高くなり過ぎ、塗布性が
著しく悪化するので好ましくない。本発明の半導体装置
は、半導体搭載用プラスチック基板上に、前記の液状樹
脂組成物で流れ止め枠を形成し、該流れ止め枠の内側に
封止用液状樹脂を注入し、流れ止め枠と封止用液状樹脂
を同時に硬化させて作製する。流れ止め枠は、プラスチ
ック基板上に形成後放置して用いてもよい。プラスチッ
ク基板上に、液状樹脂組成物で流れ止め枠を形成する方
法としては、例えば、図１及び図２に示した封止樹脂枠
を除去した部分に、液状樹脂組成物をニードルを用いた
ラインドロー、或いはスクリーン印刷等が挙げられる。
封止用液状樹脂としては、特に限定はしないが、前記流
れ止め枠用の液状樹脂組成物から疎水性シリカ成分を除
いた樹脂組成物が、流れ止め枠との密着性の点から好ま
しい。更に、硬化後平滑な面が得られるように適正な流
動性を有するものが好ましい。
【０００９】本発明の液状樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分の他、必要に応じて、アミン系、リン系等の
硬化促進剤、カップリング剤、レベリング剤、消泡剤、
低応力剤等の添加剤を加え、万能混合機で混合し、真空
チャンバー内で脱泡して製造することができる。
（Ｄ）成分の他、必要に応じて、アミン系、リン系等の
硬化促進剤、カップリング剤、レベリング剤、消泡剤、
低応力剤等の添加剤を加え、万能混合機で混合し、真空
チャンバー内で脱泡して製造することができる。
【００１０】
実施例１ 市販のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量
＝１８５、加水分解性塩素量＝２０ｐｐｍ以下、２５℃
での粘度１．３ＰＳ、以下、エポキシＡという）、メチ
ルテトラヒドロ無水フタル酸（水酸基当量＝１６６、２
５℃での粘度０．４ＰＳ、以下、ＭＴＨＰＡという）、
一次粒子の平均粒子径が約１２ｎｍで、且つ表面のシラ
ノール基の約７０％をジメチルジクロロシランで処理し
た疎水性シリカ（以下、微粒シリカＡという）、球状シ
リカフィラー（アスペクト比＝１．１、平均粒径＝１１
μｍ、以下、シリカという）、及びエチレングリコール
を表１に示す割合で配合し、万能混合機を用いて混練
後、真空チャンバー内で脱泡し液状樹脂組成物を得、以
下の様に評価した。
＝１８５、加水分解性塩素量＝２０ｐｐｍ以下、２５℃
での粘度１．３ＰＳ、以下、エポキシＡという）、メチ
ルテトラヒドロ無水フタル酸（水酸基当量＝１６６、２
５℃での粘度０．４ＰＳ、以下、ＭＴＨＰＡという）、
一次粒子の平均粒子径が約１２ｎｍで、且つ表面のシラ
ノール基の約７０％をジメチルジクロロシランで処理し
た疎水性シリカ（以下、微粒シリカＡという）、球状シ
リカフィラー（アスペクト比＝１．１、平均粒径＝１１
μｍ、以下、シリカという）、及びエチレングリコール
を表１に示す割合で配合し、万能混合機を用いて混練
後、真空チャンバー内で脱泡し液状樹脂組成物を得、以
下の様に評価した。
【００１１】評価方法 １．粘度：Ｅ型粘度計（３度コーン）を用いて２５℃、
２．５ｒｐｍでの値を測定した。 ２．チキソ性：Ｅ型粘度計（３度コーン）を用いて２５
℃、０．５ｒｐｍで粘度を測定し、次式によりチキソ性
を計算した。 チキソ性＝（０．５ｒｐｍでの粘度）／（２．５ｒｐｍ
での粘度） ３．保存性：２５℃で２４時間放置した後、上記１及び
２の測定法に準じて粘度及びチキソ性を測定し、初期値
と比較して、粘度及びチキソ性の変化率が±２０％以内
のものを合格とした。 ４．塗布性及び形状維持性：１９Ｇ１点ニードル（内径
＝０．７８ｍｍ）を用い、吐出圧力１．０〜２．０ｋｇ
／ｃｍ2で初期の液状樹脂組成物をプラスチック基板上
に１０ｍｍ／秒の速度で５０ｍｍ塗布し１５０℃で２時
間硬化した。 塗布性（Ａ）：塗布後の外観を目視で観察し、途切れ、
太さの変化が観察されない場合を合格とした。 形状維持性（Ｂ）：硬化後のサンプルを断面カットし、
（Ｗ＝断面の幅）／（Ｈ＝断面の高さ）の値が、３以下
の場合を合格とした。 ５．塗布性及び形状維持性の経時安定性：プラスチック
基板に塗布後、２５℃で２４時間放置した液状樹脂組成
物を上記４の（Ａ）、（Ｂ）に準じて評価した。
２．５ｒｐｍでの値を測定した。 ２．チキソ性：Ｅ型粘度計（３度コーン）を用いて２５
℃、０．５ｒｐｍで粘度を測定し、次式によりチキソ性
を計算した。 チキソ性＝（０．５ｒｐｍでの粘度）／（２．５ｒｐｍ
での粘度） ３．保存性：２５℃で２４時間放置した後、上記１及び
２の測定法に準じて粘度及びチキソ性を測定し、初期値
と比較して、粘度及びチキソ性の変化率が±２０％以内
のものを合格とした。 ４．塗布性及び形状維持性：１９Ｇ１点ニードル（内径
＝０．７８ｍｍ）を用い、吐出圧力１．０〜２．０ｋｇ
／ｃｍ2で初期の液状樹脂組成物をプラスチック基板上
に１０ｍｍ／秒の速度で５０ｍｍ塗布し１５０℃で２時
間硬化した。 塗布性（Ａ）：塗布後の外観を目視で観察し、途切れ、
太さの変化が観察されない場合を合格とした。 形状維持性（Ｂ）：硬化後のサンプルを断面カットし、
（Ｗ＝断面の幅）／（Ｈ＝断面の高さ）の値が、３以下
の場合を合格とした。 ５．塗布性及び形状維持性の経時安定性：プラスチック
基板に塗布後、２５℃で２４時間放置した液状樹脂組成
物を上記４の（Ａ）、（Ｂ）に準じて評価した。
【００１２】実施例２〜４ 表１の配合に従い、実施例１と同様にして液状樹脂組成
物を作製し、実施例１と同様に評価した。なお、実施例
３のＴＰＰ−Ｋは、テトラフェニルホスホニウム・テト
ラフェニルボレートである。 実施例５ 実施例１の疎水性シリカに代えて、一次粒子の平均粒子
径が約１２ｎｍで、且つ表面のシラノール基の約７０％
をオクチルトリメトキシシランで処理した疎水性シリカ
（以下、微粒シリカＢという）を使用した他は、実施例
１と同様に液状樹脂組成物を作製し、評価した。
物を作製し、実施例１と同様に評価した。なお、実施例
３のＴＰＰ−Ｋは、テトラフェニルホスホニウム・テト
ラフェニルボレートである。 実施例５ 実施例１の疎水性シリカに代えて、一次粒子の平均粒子
径が約１２ｎｍで、且つ表面のシラノール基の約７０％
をオクチルトリメトキシシランで処理した疎水性シリカ
（以下、微粒シリカＢという）を使用した他は、実施例
１と同様に液状樹脂組成物を作製し、評価した。
【００１３】比較例１〜４ 表２に示す配合で実施例１と同様に液状樹脂組成物を作
製し、評価した。 比較例５ 実施例１の疎水性シリカに代えて、一次粒子の平均粒子
径が約１２ｎｍで、且つ表面のシラノール基の約７０％
を疎水化処理していないシリカ（以下、微粒シリカＣと
いう）を使用した他は、実施例１と同様に液状樹脂組成
物を作製し、評価した。結果を表１、表２に示す。
製し、評価した。 比較例５ 実施例１の疎水性シリカに代えて、一次粒子の平均粒子
径が約１２ｎｍで、且つ表面のシラノール基の約７０％
を疎水化処理していないシリカ（以下、微粒シリカＣと
いう）を使用した他は、実施例１と同様に液状樹脂組成
物を作製し、評価した。結果を表１、表２に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】
【発明の効果】本発明の流れ止め枠用液状樹脂組成物
は、塗布安定性及び形状維持性、経時安定性に優れてい
る。
は、塗布安定性及び形状維持性、経時安定性に優れてい
る。
【図１】 半導体搭載用プラスチック基板の上面図。
【図２】 図１の半導体搭載用凹部に半導体チップを搭
載し、封止用液状樹脂組成物で樹脂封止した後のＡ−
Ａ’のライン断面の拡大図。
載し、封止用液状樹脂組成物で樹脂封止した後のＡ−
Ａ’のライン断面の拡大図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｅ 23/28 23/28 Ｃ 23/29 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 竹田 敏郎 東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友 ベークライト株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化
剤、（Ｃ）表面にシラノール基を有する一次粒子の平均
粒子径が２〜５０ｎｍであるシリカで、該シリカのシラ
ノール基の５０％以上と式［１］の有機化合物とを反応
させてなる疎水性のシリカ、及び（Ｄ）無機フィラーか
らなる液状樹脂組成物において、全樹脂組成物中に
（Ｃ）成分を１〜５重量％含むことを特徴とする流れ止
め枠用液状樹脂組成物。 Ｓｉ（Ｒ）m（Ｘ）n、 ｍ＋ｎ＝４ ［１］ （Ｒ：ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ4Ｈ9、Ｃ8Ｈ17、Ｘ：Ｃｌ、Ｂ
ｒ、ＯＣＨ3、ＯＨ） - 【請求項２】 無機フィラーがアスペクト比１．２以下
の球状シリカで、全液状樹脂組成物中に該球状シリカを
４〜７５重量％含む請求項１記載の流れ止め枠用液状樹
脂組成物。 - 【請求項３】 半導体搭載用プラスチック基板上に、請
求項１、又は２記載の液状樹脂組成物で流れ止め枠を形
成し、該流れ止め枠の内側に封止用液状樹脂を注入し、
流れ止め枠と封止用液状樹脂を同時に硬化してなること
を特徴とする半導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP28492696A JP3310557B2 (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 流れ止め枠用液状樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
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| JP28492696A JP3310557B2 (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 流れ止め枠用液状樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
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|---|---|
| JPH10130470A true JPH10130470A (ja) | 1998-05-19 |
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| JP28492696A Expired - Fee Related JP3310557B2 (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 流れ止め枠用液状樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
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1996
- 1996-10-28 JP JP28492696A patent/JP3310557B2/ja not_active Expired - Fee Related
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