JPH11354554A - Ｉｃチップの封止方法およびｉｃカードの製造方法 - Google Patents
Ｉｃチップの封止方法およびｉｃカードの製造方法Info
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- JPH11354554A JPH11354554A JP16066598A JP16066598A JPH11354554A JP H11354554 A JPH11354554 A JP H11354554A JP 16066598 A JP16066598 A JP 16066598A JP 16066598 A JP16066598 A JP 16066598A JP H11354554 A JPH11354554 A JP H11354554A
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- Japan
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- sealing
- chip
- resin
- weir
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 安価で、且つ、寸法精度の向上が図られたＩ
Ｃカードの滴下法による封止方法を提供する。 【解決手段】 基板１に搭載されるＩＣチップ２を封止
するために、基板上に搭載されたＩＣチップを取り囲む
ようにして、樹脂を材料とした堰４を形成する。堰は、
熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、又は光硬化型樹脂等
の樹脂からなり、ディスペンス塗布等により形成される
ものであり、その高さは、ＩＣチップの高さよりも高
い。このようにして堰が形成された後、その堰で囲まれ
た領域に対して、封止用樹脂を滴下法により充填する。
更にその後、樹脂の上部からのエアー吹付け、平板によ
る押圧又は遠心力の利用のいずれかにより上面を平坦化
して封止用樹脂の高さ調節を行う。
Ｃカードの滴下法による封止方法を提供する。 【解決手段】 基板１に搭載されるＩＣチップ２を封止
するために、基板上に搭載されたＩＣチップを取り囲む
ようにして、樹脂を材料とした堰４を形成する。堰は、
熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、又は光硬化型樹脂等
の樹脂からなり、ディスペンス塗布等により形成される
ものであり、その高さは、ＩＣチップの高さよりも高
い。このようにして堰が形成された後、その堰で囲まれ
た領域に対して、封止用樹脂を滴下法により充填する。
更にその後、樹脂の上部からのエアー吹付け、平板によ
る押圧又は遠心力の利用のいずれかにより上面を平坦化
して封止用樹脂の高さ調節を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＤカード、定期
券、プリペイドカード、及びマネーカード等のＩＣカー
ドに用いられ、外部とのデータ通信によって、内臓メモ
リからデータの読み出しおよび書き換えを行うことので
きるＩＣカードの製造方法に関する。
券、プリペイドカード、及びマネーカード等のＩＣカー
ドに用いられ、外部とのデータ通信によって、内臓メモ
リからデータの読み出しおよび書き換えを行うことので
きるＩＣカードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】封止方法として、一般的なものに、滴下
法およびトランスファー成形法がある。
法およびトランスファー成形法がある。
【０００３】前者は、封止の前工程として基板と同材質
の枠を接着し、その後風しよう封止用樹脂を流し込む
か、枠を用いずに樹脂を流し込む方法であり、設備費が
安価であるという利点を有する。
の枠を接着し、その後風しよう封止用樹脂を流し込む
か、枠を用いずに樹脂を流し込む方法であり、設備費が
安価であるという利点を有する。
【０００４】後者は、基板を金型に挟み、モールドする
方法であり、前者と比較して、寸法精度が良く、上記し
たＩＣカードの封止に用いられている。
方法であり、前者と比較して、寸法精度が良く、上記し
たＩＣカードの封止に用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現在、
このＩＣカードの封止に適用されているトランスファー
成形法は、設備費が高価であるという問題があった。
このＩＣカードの封止に適用されているトランスファー
成形法は、設備費が高価であるという問題があった。
【０００６】また、前者の枠を用いた滴下法は、上述し
たとおり、設備費が安価であるものの、その一方で、寸
法精度が良くないという欠点を有し、そのまま、ＩＣカ
ードの封止に適用するには問題があった。
たとおり、設備費が安価であるものの、その一方で、寸
法精度が良くないという欠点を有し、そのまま、ＩＣカ
ードの封止に適用するには問題があった。
【０００７】そこで、本発明は、これら従来の封止法に
おける問題点を解決し、従来の滴下法と同程度に安価
で、且つ、従来の滴下法よりも寸法精度の向上が図られ
たＩＣカードの封止方法およびそれを利用したＩＣカー
ドの製造方法を提供することを目的とする。
おける問題点を解決し、従来の滴下法と同程度に安価
で、且つ、従来の滴下法よりも寸法精度の向上が図られ
たＩＣカードの封止方法およびそれを利用したＩＣカー
ドの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するために、次のようなＩＣチップの封止方法お
よびそれを利用したＩＣカードの製造方法を提供する。
を解決するために、次のようなＩＣチップの封止方法お
よびそれを利用したＩＣカードの製造方法を提供する。
【０００９】本発明によれば、基板に搭載されるＩＣチ
ップを封止するための方法であって、前記基板上に前記
搭載されたＩＣチップを取り囲むようにして、樹脂を材
料とした堰を形成し、当該樹脂で形成された堰で囲まれ
た領域に対して、封止用樹脂を滴下法により充填するこ
とを特徴とするＩＣチップの封止方法が得られる。
ップを封止するための方法であって、前記基板上に前記
搭載されたＩＣチップを取り囲むようにして、樹脂を材
料とした堰を形成し、当該樹脂で形成された堰で囲まれ
た領域に対して、封止用樹脂を滴下法により充填するこ
とを特徴とするＩＣチップの封止方法が得られる。
【００１０】また、本発明によれば、ＩＣカードにおけ
るＩＣチップを搭載するための基板に対して、ＩＣチッ
プを搭載するために、前記ＩＣチップの封止方法を利用
して、封止することを特徴とするＩＣカードの製造方法
が得られる。
るＩＣチップを搭載するための基板に対して、ＩＣチッ
プを搭載するために、前記ＩＣチップの封止方法を利用
して、封止することを特徴とするＩＣカードの製造方法
が得られる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
ＩＣチップの封止方法およびそれを利用したＩＣカード
の製造方法について、図面を用いて、説明する。
ＩＣチップの封止方法およびそれを利用したＩＣカード
の製造方法について、図面を用いて、説明する。
【００１２】本発明の実施の形態によるＩＣチップの封
止方法は、次の点を第１の特徴とする。
止方法は、次の点を第１の特徴とする。
【００１３】即ち、本実施の形態によるＩＣチップの封
止方法においては、図１及び図２に示されるように、基
板１に搭載されるＩＣチップ２を封止するために、基板
１上に搭載されたＩＣチップ２を取り囲むようにして、
樹脂を材料とした堰４を形成する。
止方法においては、図１及び図２に示されるように、基
板１に搭載されるＩＣチップ２を封止するために、基板
１上に搭載されたＩＣチップ２を取り囲むようにして、
樹脂を材料とした堰４を形成する。
【００１４】ここで、基板１は、当該基板１内部に対し
て、凹状に設けられたキャビティ５を有しており、ＩＣ
チップ２は、そのキャビティ５内部に搭載される。ま
た、ＩＣチップ２は、ワイヤボンディングにより、ワイ
ヤ３で、基板１に対して接続されている。
て、凹状に設けられたキャビティ５を有しており、ＩＣ
チップ２は、そのキャビティ５内部に搭載される。ま
た、ＩＣチップ２は、ワイヤボンディングにより、ワイ
ヤ３で、基板１に対して接続されている。
【００１５】また、堰４は、熱硬化型樹脂、紫外線硬化
型樹脂、又は光硬化型樹脂等の樹脂からなり、ディスペ
ンス塗布等により形成されるものであり、その高さは、
基板１に搭載されたＩＣチップ２の高さよりも高い。堰
４の断面は、略三角形上をしており、簡易な製造工程に
より、製造することが可能である。また、上面図である
図１において、堰４は、円形形状をしているが、矩形形
状でも良く、任意にその形状を選択することが可能であ
る。
型樹脂、又は光硬化型樹脂等の樹脂からなり、ディスペ
ンス塗布等により形成されるものであり、その高さは、
基板１に搭載されたＩＣチップ２の高さよりも高い。堰
４の断面は、略三角形上をしており、簡易な製造工程に
より、製造することが可能である。また、上面図である
図１において、堰４は、円形形状をしているが、矩形形
状でも良く、任意にその形状を選択することが可能であ
る。
【００１６】本実施の形態によるＩＣチップの封止方法
においては、このようにして堰４が形成された後、その
堰４で囲まれた領域に対して、封止用樹脂を滴下法によ
り充填する。これによって、滴下される封止用樹脂の平
面形状を規制しつつ、ＩＣチップの封止を行う。
においては、このようにして堰４が形成された後、その
堰４で囲まれた領域に対して、封止用樹脂を滴下法によ
り充填する。これによって、滴下される封止用樹脂の平
面形状を規制しつつ、ＩＣチップの封止を行う。
【００１７】更に、本実施の形態においては、その後の
封止用樹脂の高さ調節処理として、以下の３つの処理か
ら選択される一の処理を行う。
封止用樹脂の高さ調節処理として、以下の３つの処理か
ら選択される一の処理を行う。
【００１８】即ち、第１の処理は、図３に示されるよう
に、封止用樹脂６を堰４で囲まれた領域に対して充填し
た後、封止用樹脂６の上部から、エアーの吹き付けを行
うものである。そのエアー吹き付けの際に、エアーの吹
き付け位置、吹き付け量、および吹き付け速度を可変と
することにより、封止用樹脂６の高さを、所望とする高
さに調節することができる。
に、封止用樹脂６を堰４で囲まれた領域に対して充填し
た後、封止用樹脂６の上部から、エアーの吹き付けを行
うものである。そのエアー吹き付けの際に、エアーの吹
き付け位置、吹き付け量、および吹き付け速度を可変と
することにより、封止用樹脂６の高さを、所望とする高
さに調節することができる。
【００１９】第２の処理は、封止用樹脂６を堰４で囲ま
れた領域に対して充填した後、図４に示されるように、
当該堰の中心を中心軸として回転させて、その回転によ
る遠心力を利用して、堰４に充填された封止用樹脂６の
平坦化を図るものである。このような処理を行うと、封
止樹脂は、充填当初においては、中心部が盛り上がった
形状であるのに対して、兵站かされることとなる。尚、
この平坦化は、基板を回転させる際の回転速度および回
転時間により調整することができる。
れた領域に対して充填した後、図４に示されるように、
当該堰の中心を中心軸として回転させて、その回転によ
る遠心力を利用して、堰４に充填された封止用樹脂６の
平坦化を図るものである。このような処理を行うと、封
止樹脂は、充填当初においては、中心部が盛り上がった
形状であるのに対して、兵站かされることとなる。尚、
この平坦化は、基板を回転させる際の回転速度および回
転時間により調整することができる。
【００２０】第３の処理は、封止用樹脂６を堰４で囲ま
れた領域に対して充填した後、封止用樹脂６の表面を選
択的にある程度硬化させ、その後、当該封止用樹脂６の
上部から圧力を加えて、封止用樹脂６の平坦化を図るも
のである。封止用樹脂６に対して圧力を加える手段とし
ては、平板等を封止用樹脂６上に対して押し付けること
などが挙げられる。
れた領域に対して充填した後、封止用樹脂６の表面を選
択的にある程度硬化させ、その後、当該封止用樹脂６の
上部から圧力を加えて、封止用樹脂６の平坦化を図るも
のである。封止用樹脂６に対して圧力を加える手段とし
ては、平板等を封止用樹脂６上に対して押し付けること
などが挙げられる。
【００２１】以上説明したように、本実施の形態による
ＩＣチップの封止方法においては、堰４により封止用樹
脂の平面形状を規制することができ、且つ、上記した第
１乃至第３の処理のいずれかを選択することにより、封
止用樹脂の高さ方向の調節を行うことができる。従っ
て、従来の滴下法と比較して、寸法精度の高い封止を行
うことができる。更に、基本的には、滴下法であること
から、安価な設備により、実施することができ、トラン
スファー成形法と比較して、コストの面で有利な点を有
する。
ＩＣチップの封止方法においては、堰４により封止用樹
脂の平面形状を規制することができ、且つ、上記した第
１乃至第３の処理のいずれかを選択することにより、封
止用樹脂の高さ方向の調節を行うことができる。従っ
て、従来の滴下法と比較して、寸法精度の高い封止を行
うことができる。更に、基本的には、滴下法であること
から、安価な設備により、実施することができ、トラン
スファー成形法と比較して、コストの面で有利な点を有
する。
【００２２】尚、上述したＩＣチップの封止方法は、Ｉ
Ｃカードの製造方法における一工程として利用すること
が可能である。即ち、ＩＣカードにおけるＩＣチップを
搭載するための基板に対して、ＩＣチップを搭載するた
めに、上述したいずれかのＩＣチップの封止方法を利用
することが可能である。
Ｃカードの製造方法における一工程として利用すること
が可能である。即ち、ＩＣカードにおけるＩＣチップを
搭載するための基板に対して、ＩＣチップを搭載するた
めに、上述したいずれかのＩＣチップの封止方法を利用
することが可能である。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＣチップを滴下法に
より樹脂封止する前に、予めＩＣチップを取り囲むよう
にして堰を形成しておき、その堰内部に対して樹脂を滴
下して充填することにより、封止用樹脂の平面形状を規
制することができる。
より樹脂封止する前に、予めＩＣチップを取り囲むよう
にして堰を形成しておき、その堰内部に対して樹脂を滴
下して充填することにより、封止用樹脂の平面形状を規
制することができる。
【００２４】また、上記した第１乃至第３の処理のいず
れかを選択することにより、封止用樹脂の高さ方向の調
節を行うことができる。
れかを選択することにより、封止用樹脂の高さ方向の調
節を行うことができる。
【００２５】その結果、本発明によるＩＣチップの封止
方法は、従来の滴下法と比較して、寸法精度の高い封止
を行うことができるものであると言える。
方法は、従来の滴下法と比較して、寸法精度の高い封止
を行うことができるものであると言える。
【００２６】更に、本発明によるＩＣチップの封止方法
は、基本的には、滴下法であることから、安価な設備に
より、実施することができ、トランスファー成形法と比
較して、コストの面で有利な点を有する。
は、基本的には、滴下法であることから、安価な設備に
より、実施することができ、トランスファー成形法と比
較して、コストの面で有利な点を有する。
【図１】本発明の実施の形態によるＩＣチップの封止方
法の特徴を示す上面図である。
法の特徴を示す上面図である。
【図２】本発明の実施の形態によるＩＣチップの封止方
法の特徴を示す断面図である。
法の特徴を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における第１の処理を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における第２の処理を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
１ 基板 ２ ＩＣチップ ３ ワイヤ ４ 堰 ５ キャビティ ６ 封止用樹脂
Claims (12)
- 【請求項１】 基板に搭載されるＩＣチップを封止する
ための方法であって、前記基板上に前記搭載されたＩＣ
チップを取り囲むようにして、樹脂を材料とした堰を形
成し、当該樹脂で形成された堰で囲まれた領域に対し
て、封止用樹脂を滴下法により充填することを特徴とす
るＩＣチップの封止方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＩＣチップの封止方法
において、前記堰は、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹
脂、又は光硬化型樹脂の中から選択された一の樹脂で形
成されることを特徴とするＩＣチップの封止方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載のＩＣチップの封止方法
において、前記堰は、前記選択された一の樹脂を、ディ
スペンス塗布することにより、形成されることを特徴と
するＩＣチップの封止方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載のＩＣチップの封止方法
であって、前記堰の高さは、前記搭載されたＩＣチップ
の高さよりも高いことを特徴とするＩＣチップの封止方
法。 - 【請求項５】 請求項１に記載のＩＣチップの封止方法
であって、前記基板は、凹状に設けられたキャビティを
有し、前記ＩＣチップは、当該キャビティ内部に搭載さ
れることを特徴とするＩＣチップの封止方法。 - 【請求項６】 請求項１に記載のＩＣチップの封止方法
であって、前記封止用樹脂を前記堰で囲まれた領域に対
して充填した後、前記封止用樹脂上部から、エアーの吹
き付けを行い、その際に、エアーの吹き付け位置、吹き
付け量、および吹き付け速度を可変とすることにより、
当該封止用樹脂の高さを、所望とする高さに調節するこ
とを特徴とするＩＣチップの封止方法。 - 【請求項７】 請求項１に記載のＩＣチップの封止方法
であって、前記封止用樹脂を前記堰で囲まれた領域に対
して充填した後、当該堰の中心を中心軸として回転させ
て、当該回転における遠心力を利用して、前記堰に充填
された封止用樹脂の平坦化を図ることを特徴とするＩＣ
チップの封止方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載のＩＣチップの封止方法
であって、前記平坦化は、前記回転における回転速度お
よび回転時間により調整されることを特徴とするＩＣチ
ップの封止方法。 - 【請求項９】 請求項１に記載のＩＣチップの封止方法
であって、前記封止用樹脂を前記堰で囲まれた領域に対
して充填した後、当該封止用樹脂の表面を選択的に所定
の硬度に硬化させ、その後、当該封止用樹脂上部に対し
て圧力を加え、当該封止用樹脂の平坦化を図ることを特
徴とするＩＣチップの封止方法。 - 【請求項１０】 請求項９に記載のＩＣチップの封止方
法において、前記圧力を加える手段として、平板を前記
封止用樹脂の上部に対して押し付けることを特徴とする
ＩＣチップの封止方法。 - 【請求項１１】 請求項１に記載のＩＣチップの封止方
法において、前記堰の形状は、円形又は矩形のいずれか
であることを特徴とするＩＣチップの封止方法。 - 【請求項１２】 ＩＣカードにおけるＩＣチップを搭載
するための基板に対して、ＩＣチップを搭載するため
に、請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載のＩＣチ
ップの封止方法を利用して、封止することを特徴とする
ＩＣカードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16066598A JPH11354554A (ja) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | Ｉｃチップの封止方法およびｉｃカードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16066598A JPH11354554A (ja) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | Ｉｃチップの封止方法およびｉｃカードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354554A true JPH11354554A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15719850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16066598A Pending JPH11354554A (ja) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | Ｉｃチップの封止方法およびｉｃカードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354554A (ja) |
Cited By (5)
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-
1998
- 1998-06-09 JP JP16066598A patent/JPH11354554A/ja active Pending
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