JPH10130839A - 薄膜形成装置及びこの装置に用いるシャッタの駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板面上に良好な薄膜を形成するための薄膜
形成装置を提供する。 【解決手段】 シャッタは、開口部１２ｂを有する柱状
体１２ａからなる回転式シャッタ１２とし、当該開口部
１２ｂは、柱状体１２ａの回転軸（シャッタ回転軸）１
４と直交する方向に柱状体１２ａを貫通させて設けてあ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】この発明は、薄膜形成装置及びこ
の装置に用いるシャッタの駆動方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜形成装置として、分子線エピ
タキシ（ＭＢＥ）装置が用いられている。この分子線エ
ピタキシ（ＭＢＥ）装置に使用されるシャッタを開閉す
る駆動方法としては、代表的なものとして次の３つの開
閉方法がある。

【０００３】第１の開閉方法は、分子線源と回転式の基
板支持体との間に設置した円盤形のシャッタを用いてこ
のシャッタのシャッタ面に対し垂直に設けられた開閉軸
を中心に所定の回転角で水平方向に回転運動させてシャ
ッタを開閉する方法である。第２の開閉方法は、円盤形
のシャッタを用いてこのシャッタのシャッタ面内に設け
られた開閉軸を直線方向に往復運動させてシャッタを開
閉する方法である。第３の開閉方法は、円盤形のシャッ
タを用いてシャッタを煽ぐように動かして上下方向に開
閉する方法である。

【０００４】上述した第３の開閉方法により基板面上に
薄膜を形成する場合、まず、基板を搭載している基板支
持体を回転させ、然る後、シャッタが基板支持体の所定
の位置にきたとき、シャッタを上下方向へ開閉してから
分子線を発生させて基板支持体上に搭載した基板面上に
成膜を行う。

【０００５】上述した第１、第２及び第３のシャッタ開
閉方法での、シャッタ開閉動作による分子線の変動分布
を見ると、上記第１から第３までの開閉方法では、シャ
ッタが遮蔽（閉）位置から開放（開）位置まで移動する
期間において、分子線は、最初に分子線源の周辺部から
分子線が発生し、続いて、シャッタが分子線源の中心部
まで移動した時点で基板面の約半分の領域に分子線が分
布する。

【０００６】更に、シャッタが開放された時点では、分
子線が基板面の全領域に一様に分布するようになる。一
方、シャッタを閉じる場合は、分子線は上述した閉位置
から開位置まで移動の丁度逆の変動分布になる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＭＢＥ装置のシャッタ開閉方法は、以下に述べるような
問題点がある。

【０００８】基板面上に形成される成膜層が数原子層
から単原子層になった場合、シャッタの開閉移動による
往復運動時間が短くなる。このため、シャッタの開状態
から閉状態まで移動する間の成膜期間も短くなる。この
ように成膜期間が短くなると、従来のシャッタ開閉方法
では、シャッタが分子線源の中心部まで移動しないと基
板面上に成膜を開始しないため、シャッタ開閉時間の短
縮による分子線の変動が増大して膜特性を悪化させる。

【０００９】また、シャッタを開放したときには、分
子線が拡散するため、基板以外の周辺部分、例えば基板
支持体の回転機構部やチャンバの上部壁面等に成膜物質
が付着して蓄積される。このように、成膜物質が基板周
辺に付着すると、不要ガスが成膜物質に付着してチャン
バ中の圧力を上昇させたり、成膜付着物が剥離して中に
不純物（コンタミネーション）となって混入したりし
て、成膜環境を悪化させると共に、チャンバ内の清掃作
業に時間と手間がかかるし、シャッタのクリーニング保
守期間が短い。

【００１０】また、成膜時に基板支持体を回転させる
場合、従来は基板支持体の所定位置とシャッタの開放開
始位置とを同期させていたが、シャッタの遮蔽位置はシ
ャッタの駆動部の動作時間によって決まるため、基板支
持体の最初の位置とは必ずしも一致しない。このよう
に、シャッタの遮蔽位置と基板支持体の所定位置が一致
してないと、シャッタの開放時と遮蔽時の分子線強度分
布が異なるため基板面に対する分子線の強度分布が不均
一となるので、優れた成膜層が得られなくなる。

【００１１】そこで、上記の問題を解決するために優れ
た薄膜を形成できる薄膜形成装置及びこの装置に用いる
シャッタの駆動方法の出現が望まれていた。

【００１２】

【課題を解決するための手段】このため、第一発明の薄
膜形成装置によれば、分子線源あるいはスパッタソース
源と回転式の基板支持体との間に、シャッタを具え、こ
のシャッタを開閉して基板支持体上に搭載した基板面上
に薄膜を形成する薄膜形成装置において、シャッタを、
開口部を有する柱状体からなる回転式シャッタとし、開
口部は当該柱状体の回転軸と直交する方向に柱状体を貫
通させて設けてあることを特徴とする。

【００１３】この第一発明では、柱状体の回転式シャッ
タに柱状体の貫通する開口部を具えているので、この回
転式シャッタを所定の回転角度だけ回転させることによ
り、閉（遮蔽）状態から開（開放）状態又は開状態から
閉状態へと順次に移行させることができる。すなわち、
回転シャッタの回転角度が０度では、遮蔽状態になって
おり、回転式シャッタの回転角度が９０度になると開放
状態となり、更に回転式シャッタの回転角が１８０度に
なると遮蔽状態になる。このように、回転式シャッタ
を、閉状態から開状態へ回転させることにより、例えは
分子線源を用いた場合、シャッタ開口部内に分子線が通
過する開口（空隙穴）が生じるので、分子線はこの開口
の中心部、すなわち分子線源の中心部から発生するよう
になる。このため、分子線は、回転式シャッタの開口の
大きさが小さい場合でも、基板面上の全体にわたって分
子線が分布することになるので、従来に比べ、基板面上
に均一な薄膜を形成することができる。

【００１４】また、回転式シャッタが開状態のときは、
分子線は回転式シャッタの開口部内を通過することにな
るので、分子線拡散によって飛散する成膜物質が回転シ
ャッタの開口部以外のシャッタ遮蔽面によって遮ぎられ
るため、基板の領域以外に飛散する分子線は制限され
る。したがって、薄膜形成装置のチャンバ内壁や基板支
持体の回転機構部等に付着する成膜物質の付着量を低減
できる。このため、チャンバ内の清掃作業が極めて容易
となる。

【００１５】また、回転式シャッタを時計回りの方向へ
１８０度回転させることにより、回転式シャッタの遮蔽
面は丁度反転した面となる。このため、回転式シャッタ
の一方又は双方の遮蔽面に付着される付着物質は、同一
面に付着される従来の単板シャッタに比べて実質的に約
１／２になる。したがって、この発明では、シャッタク
リニーングの保守期間を従来に比べ、約２倍に延長する
ことができる。

【００１６】また、この発明では、好ましくは基板支持
体と回転式シャッタとを同期させて回転させるための回
転駆動制御装置を具えているのが好適である。

【００１７】このように、基板支持体及び回転式シャッ
タを同期させて回転させるための回転駆動制御装置を具
えているので、基板支持体の所定の位置と回転式シャッ
タの開閉動作とを同期させて当該回転式シャッタを開閉
動作させることができる。すなわち、基板支持体の所定
の位置と回転式シャッタが閉から開へ移動するときの開
始位置、及び基板支持体の所定の位置と回転式シャッタ
が開から閉へ移動するときの終了位置を常に同じ位置に
することができる。このため、成膜開始時及び成膜終了
時の分子線の強度分布が従来に比べ、均一となり、した
がって、基板面上に均一な成膜層を形成することができ
る。

【００１８】また、第二発明では、分子線源あるいはス
パッタソース源と回転式の基板支持体との間に設けられ
たシャッタを駆動するに当たり、シャッタを、開口部を
有する柱状体からなる回転式シャッタとし、開口部は該
柱状体の回転軸と直交する方向に該柱状体を貫通させて
設け、この回転式シャッタを開閉するときは、基板支持
体を回転させ、この基板支持体が所定の位置にきたと
き、この位置を検出して基板支持体の回転角と同期させ
て回転式シャッタを、閉状態から開状態又は開状態から
閉状態へ回転させることを特徴とする。

【００１９】このように、基板支持体の所定位置と回転
式シャッタの開閉動作位置とを同期させて基板支持体及
び回転式シャッタを回転させるため、成膜開始時と成膜
終了時の基板支持体の所定位置と回転式シャッタの開閉
動作位置とを同一の位置にすることができる。基板支持
体の所定位置及び回転式シャッタの開閉動作位置を、成
膜開始時及び成膜終了時に同一の位置にすることによ
り、例えば分子線源を用いた場合、分子線の強度変動が
成膜開始時と成膜終了時とでは丁度逆変動となるので、
互いに分子線強度の変動が相殺されて基板面上に均一な
薄膜を形成することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して、第一発明の
薄膜形成装置及び第二発明の装置の駆動方法の実施の形
態につき説明する。なお、ここでは、薄膜形成装置とし
て、特に、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）装置及び低圧力
放電カソードを有する薄膜形成装置を用いた例につき説
明する。図１、図２及び図３は、この発明が理解できる
程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係を概略的
に示してあるにすぎない。

【００２１】［第１の実施の形態のＭＢＥ装置の主要構
成］図１を参照して、第１の実施の形態のＭＢＥ装置の
主要構成につき説明する。なお、図１は、ＭＢＥ装置の
主要構成部を示す斜視図である。

【００２２】第１の実施の形態のＭＢＥ装置は、従来と
同じように分子線源１０、基板支持体１６及びこの基板
支持体１６に連結された基板回転軸１８を具えている。
この基板回転軸１８は、回転駆動手段（図示せず）と接
続され基板支持体１６を任意の回転速度で回転できるよ
うに構成されている。

【００２３】また、分子線源（Ｋセルともいう）１０に
は、その周囲にヒーター（図示せず）が巻き付けられて
おり、このヒーターを加熱してＫセル１０中に充填され
ている成膜材料を、溶融又は昇華して蒸発させ分子線２
０を発生させる。なお、図中、ＯはＫセルの中心線を示
す。

【００２４】この発明の第１の実施の形態では、Ｋセル
１０と基板支持体１６との間に設けたシャッタを開口部
１２ｂを有する柱状体１２ａからなる回転式シャッタ１
２とする。開口部１２ｂは柱状体１２ａの回転軸１４と
直交する方向に柱状体１２ａを貫通して設けられている
（図１）。また、回転式シャッタ１２には、シャッタ回
転軸１４が連結されており、このシャッタ回転軸１４を
回転駆動手段（図示せず）に接続して所定の回転速度で
回転式シャッタ１２を回転させることができる。ここで
は、この回転式シャッタ１２を円柱状の金属部材によっ
て構成し、分子線２０の通過する部分には円筒状の開口
部１２ｂが設けてある。

【００２５】また、回転式シャッタ１２の開口部１２ｂ
の中心部１１は、分子線源１０の中心線Ｏ上に配置され
ている。

【００２６】また、この回転式シャッタ１２は、シャッ
タ回転軸１４を９０度回転させることによって、開口部
１２ｂが開（開放）状態から閉（遮蔽）状態に移行する
（詳細は後述する）。

【００２７】成膜時には、更に、シャッタ回転軸１４を
９０度回転させる。このシャッタ１２の回転動作によっ
て開口部１２ｂをＫセル１０に対面していない位置（遮
蔽状態）からＫセル１０に対面する位置（開放状態）に
移動させるので、Ｋセル１０からの分子線２０は、開口
部１２ｂを通過して基板支持体１６上に搭載した基板
（図示せず）面上に達してこの分子線２０により成膜層
を形成することができる。

【００２８】次に、図２の（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、
この発明の回転式シャッタを遮蔽状態から開放状態に回
転させたとき当該シャッタがどのように開口するかの様
子を説明する。図３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び
（Ｄ）は、回転式シャッタを遮蔽状態から開放状態へ回
転させたときの開口部の開口状態の移り変わりする様子
を模式的に描いた図である。なお、図２の（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は、分子線源の中心部１１
（Ｋセル１０の中心線Ｏに対応する）の延長上の上部方
向から見た様子を示す。また、図中に描いた斜線は、断
面を表わすものではなく、構成成分を明確にするために
付した線である。

【００２９】まず、回転式シャッタ１２は、分子線の中
心部１１の方向に対して遮蔽された状態でセットされる
（図２の（Ａ））。今、仮に、図２の（Ａ）の図で開口
部の右側の開口端をＲ及び左側の開口端をＬで示すとす
る。

【００３０】次に、シャッタ回転軸１４を０度の閉状態
から時計方向（又は反時計方向）へ順次回転させていく
と、開口部１２ｂの開口領域（図２の（Ｂ）の開口領域
Ｉ及び図２の（Ｃ）の開口領域ＩＩ）が次第に大きくな
る。これら開口領域Ｉ及びＩＩは、それぞれ右側開口端
Ｒと左側開口端ＬとがＫセル１０の中心線Ｏを中心とし
た周辺領域で重なり合って形成されている。シャッタ回
転軸１４の回転角が９０度になると、開口端ＲとＬとが
完全に重なって開口部１２ｂは開状態になる（図２の
（Ｄ）の開口領域ＩＩＩ）。

【００３１】図２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）
から理解できるように、この発明では回転式シャッタ１
２は、分子線源１０の中心部１１から開口していくの
で、回転式シャッタ１２の開口部１２ｂの開口領域が小
さくとも（図２の（Ｂ）の開口領域Ｉ）、分子線２０は
この開口領域Ｉを通過して基板（図示せず）面の全体に
分布する。このため、従来のように単板シャッタが分子
線源１０の中心部以上に開口しないと成膜を開始しない
のに対し、この発明では開口領域が現れた時点で分子線
が基板の全体に分布して成膜を開始するので、シャッタ
回転の初期の段階で基板面上に均一な薄膜を形成するこ
とができる。

【００３２】また、回転式シャッタ１２が開口している
状態では、分子線２０が回転式シャッタ１２の開口部１
２ｂを通過するので、開口部１２ｂ以外に拡散する分子
線（図示せず）は、回転式シャッタ１２の遮蔽面１３に
よって遮蔽される。このため、この実施の形態では、基
板以外に飛散する分子線の拡散を制限することができ
る。このため、チャンバ（図示せず）内壁に成膜物質が
堆積して不要ガスとこの成膜物質とが反応して不純物を
形成したり、成膜物質が剥離したりして成膜環境を悪化
させることもなくなるため、チャンバの内壁を清浄にす
る作業が極めて容易となり、また、成膜特性を向上させ
ることが可能となる。

【００３３】また、この発明では、回転シャッタ１２が
９０度回転する毎に分子線２０が開放状態又は遮蔽状態
になるので、回転式シャッタ１２の遮蔽面は１８０度の
回転により入れ替わり、新たな遮蔽面（図示ぜず）を呈
する。したがって、この発明では、従来の単板シャッタ
に比べて分子線の付着面積（遮蔽面積）が両面合わせて
約２倍となり、すなわち、単位面積当たりの遮蔽面に付
着する付着物質は、従来に比べ、約１／２となる。この
ため、回転式シャッタ１２のクリーニング等の保守期間
を従来に比べ、約２倍に延長できる。

【００３４】次に、図３を参照して、分子線源の代わり
にスパッタソース源を用いた実施の形態例につき説明す
る。図３は、スパッタソース源として低圧力放電カソー
ドを用いた構成例を示す斜視図である。

【００３５】この実施の形態では、スパッタソース源と
して低圧力放電カソード２２を用いる。この低圧力放電
カソード２２は、カソード部、当該カソード部上に搭載
されたターゲット及びカソード部の上部に配置されたア
ノード部（いずれも図示せず）によって構成されてい
る。この低圧力放電カソード２２のカソード部に高周波
電圧を印加して、任意好適なガス雰囲気中でスパッタリ
ングを行うことにより低圧力放電カソード２２から原子
あるいは分子が発生する。この原子あるいは分子を、上
記の回転式シャッタ１２の開口部１２ｂを通過させて基
板支持体１６の上面に搭載された基板（図示せず）の上
面に成膜を行う。なお、スパッタソース源を用いた場合
も回転式シャッタ１２を開閉する方法は上記の分子線源
のときと全く同様なので、ここではその説明を省略す
る。

【００３６】［第２の実施の形態のＭＢＥ装置の主要構
成］次に、図４を参照して、第２の実施の形態のＭＢＥ
装置の主要構成につき説明する。第２の実施の形態は、
上記第１の実施の形態のＭＢＥ装置に回転駆動制御装置
を付加した例である。

【００３７】この発明の回転駆動制御装置１００は、回
転角検出手段１０２、回転制御手段１０６及び回転駆動
手段１０８によって構成されている。また、回転角検出
手段１０２は、位置検出器１０３及び位置検出回路１０
４により構成されている。

【００３８】基板回転軸１８には、従来と同様な回転駆
動手段２００が接続されており、基板支持体１６を任意
の回転速度で回転させることができる。

【００３９】基板支持体１６を回転させるための回転駆
動手段２００は、大気中での回転を真空中の回転に伝達
するための回転伝達機構（図示せず）とモーター（図示
せず）とによって構成されている。

【００４０】この発明の回転角検出手段１０２は、回転
角に応じて電圧変化を検出する位置検出器（例えばポテ
ンショメータ）１０３と位置検出回路１０４とによって
構成されている。なお、このポテンショメータの代わり
に回転角に応じてパルス信号を出力するエンコーダー等
の位置検出器を用いても良い。

【００４１】また、回転制御手段１０６は、演算処理部
（図示せず）を具えており、回転角検出手段１０２の位
置信号及び回転角出力信号を制御信号に変換してこの制
御信号を回転駆動手段１０８に出力させるものである。

【００４２】また、回転駆動手段１０８は、大気中での
回転を真空中の回転に伝達するための回転伝達機構（図
示せず）とモーター（図示せず）とによって構成されて
いる。

【００４３】［第２の実施の形態のシャッタの駆動方
法］次に、図４及び図５を参照して、第２の実施の形態
のシャッタの駆動方法につき説明する。なお、図４は、
第２の実施の形態のＭＢＥ装置の構成を示す斜視図及び
回転シャッタを駆動させるための回転駆動制御装置のブ
ロック図を示す。また、図５は、基板支持体回転角とシ
ャッタ開閉の動作の関係を説明するための図であり、横
軸に基板支持体回転角（度）を取り、縦軸に回転式シャ
ッタの開閉状態を取って示す。以下、この第二発明のＭ
ＢＥ装置のシャッタ駆動方法につき、図４及び図５を参
照して詳細に説明する。

【００４４】まず、回転式シャッタ１２の開口部１２ｂ
を遮蔽状態にセットする。その後、回転駆動手段２００
のモーター（図示せず）を駆動させて基板回転軸１８を
回転させる。このとき、基板回転軸１８に連結されてい
る基板支持体１６も同時に回転する。

【００４５】次に、回転角検出手段１０２、例えばポテ
ンショメータ１０３を用いて回転角に応じた電圧を出力
させ基板支持体１６の所定位置Ｓを検出する。

【００４６】回転制御手段１０６では、回転角検出手段
１０２の位置信号及び回転角出力信号を制御信号、例え
ばオン・オフ信号に変換して回転駆動手段１０８に出力
する。このようにして、回転駆動手段１０８をオン・オ
フ制御することにより、回転式シャッタ１２を回転させ
たり、停止させたりすることができる。

【００４７】図５からも理解できるように、基板支持体
１６の所定位置Ｓを、例えば一回転（３６０度）回転さ
せて元の位置にきたときの所定位置Ｓを回転検出手段１
０２によって検出し、この所定位置Ｓに同期させて回転
式シャッタ１２を回転させる。このとき、回転式シャッ
タ１２を９０度回転させれば開放状態になるので、基板
支持体１６の所定位置Ｓも時計回りの方向に９０度、す
なわち駆動を開始する前の基板支持体１６の所定位置か
らの回転角度でいうと４５０度（（３６０＋９０）度）
だけ回転移動する（図４の符号Ｓの位置）。

【００４８】その後、回転式シャッタ１２を停止させ、
基板支持体１６を回転させながら基板面上に分子線を発
生させて成膜を行う。

【００４９】次に、成膜を終了するときは、基板支持体
１６の所定位置Ｓを３６０Ｎ＋Ｓ（但し、Ｎは回転数と
する）（度）、すなわち、ここでは、３６０Ｎ＋９０
（度）の位置で回転式シャッタ１２の開口部１２ｂを遮
蔽状態となるように回転式シャッタ１２を回転移動させ
る。

【００５０】このように、この発明では、回転式シャッ
タ１２の開閉動作において、開状態での基板支持体１６
の所定位置と閉状態での基板支持体１６の所定位置とを
常に同じ位置になるように駆動させているため、シャッ
タ開閉に伴う分子線強度の変動は開状態時と閉状態時と
が丁度逆の変動となり、回転式シャッタ１２の開閉によ
る分子線強度の変動を相殺させることができる。したが
って、この発明では、従来のシャッタ開閉動作に比べ、
分子線の変動が均一となり、したがって、基板面上に優
れた成膜層を形成することができる。

【００５１】

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の薄膜形成装置及びこの装置に用いるシャッタの駆
動方法によれば、回転式シャッタの開口に伴い分子線は
開口領域の中心部、すなわち分子線源の中心部から発生
するので、回転式シャッタをわずかに回転するだけで基
板面への分子線の強度分布が均一となる。したがって、
単原子層を形成する場合、シャッタの開状態から閉状態
までの成膜時間が短くても、回転式シャッタの開閉によ
る分子線強度の変動が軽減されるので、基板面上に優れ
た成膜層を形成することができる。

【００５２】また、成膜時には、分子線は回転式シャッ
タの開口部を通過して成膜が行われるため、分子線の拡
散による成膜物質の飛散が抑制され基板以外の領域に付
着する成膜物質を低減することができる。このため、保
守作業が簡単になり、生産性も向上する。

【００５３】また、回転式シャッタを回転させて遮蔽状
態にすることにより、遮蔽面が従来に比べ、約２倍にな
るので、一方または双方の遮蔽面に付着する成膜物質を
実質的に約１／２に低減することができる。このため、
回転式シャッタの保守期間を従来より延長することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態の分子線エピタキシ（ＭＢ
Ｅ）装置の主要構成を説明するための供する斜視図であ
る。

【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、第１の実施の形態のＭＢＥ
装置のシャッタ動作を説明するための図である。

【図３】第１の実施の形態の低圧力放電カソードを用い
た装置の主要構成を説明するために供する斜視図であ
る。

【図４】第２の実施の形態の分子線エピタキシ（ＭＢ
Ｅ）装置の主要構成を説明するための供する斜視図であ
る。

【図５】基板支持体回転角とシャッタ開閉動作の関係を
説明するための図である。

【符号の説明】

１０：分子線源 １１：分子線源の中心部 １２：回転式シャッタ １３：遮蔽面 １４：シャッタ回転軸 １６：基板支持体 １８：基板回転軸 ２０：分子線 ２２：スパッタソース源 ２４：原子あるいは分子 １００：回転駆動制御装置 １０２：回転角検出手段 １０３：位置検出器 １０４：位置検出回路 １０６：回転制御手段 １０８：回転駆動手段

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 分子線源あるいはスパッタソース源と回
   転式の基板支持体との間に、シャッタを具え、該シャッ
   タを開閉して前記基板支持体上に搭載した基板面上に薄
   膜を形成する薄膜形成装置において、 前記シャッタを、開口部を有する柱状体からなる回転式
   シャッタとし、前記開口部は、該柱状体の回転軸と直交
   する方向に該柱状体を貫通させて設けてあることを特徴
   とする薄膜形成装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜形成装置におい
   て、前記基板支持体と前記回転式シャッタとを同期させ
   て回転させるための回転駆動制御装置を具えていること
   を特徴とする薄膜形成装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の薄膜形成装置におい
   て、前記回転駆動制御装置は、回転する前記基板支持体
   の所定位置を検出するための回転角検出手段と、該回転
   角検出手段の位置信号を制御信号に変換して回転式シャ
   ッタを制御するための回転制御手段と、該回転制御手段
   からの制御信号を入力して前記回転式シャッタを回転制
   御するための回転駆動手段とを具えていることを特徴と
   する薄膜形成装置。
4. 【請求項４】 分子線源あるいはスパッタソース源と回
   転式の基板支持体との間に設けられたシャッタを駆動す
   るに当たり、 前記シャッタを、開口部を有する柱状体からなる回転式
   シャッタとし、前記開口部は該柱状体の回転軸と直交す
   る方向に該柱状体を貫通させて設け、 該回転式シャッタを開閉するときは、前記基板支持体を
   回転させ、該基板支持体が所定の位置にきたとき、該位
   置を検出して前記基板支持体の回転角と同期させて前記
   回転式シャッタを、閉状態から開状態又は開状態から閉
   状態へ回転させることを特徴とする薄膜形成装置に用い
   るシャッタの駆動方法。
5. 【請求項５】 請求項４に記載のシャッタの駆動方法に
   おいて、成膜開始時には、前記基板支持体の所定位置を
   前記回転式シャッタの遮蔽位置に同期させて前記回転式
   シャッタを回転させ、成膜終了時には、前記基板支持体
   の所定位置を前記回転式シャッタの開放位置に同期させ
   て前記回転式シャッタを回転させることを特徴とする薄
   膜形成装置に用いるシャッタの駆動方法。