JPH10134410A

JPH10134410A - 光ガイド部材の製造方法

Info

Publication number: JPH10134410A
Application number: JP8286361A
Authority: JP
Inventors: Jirou Mitsumasa; 治郎三政; Shigeo Maeda; 成夫前田; Makoto Murai; 誠村井; Fumiaki Beppu; 史章別府
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-10-29
Filing date: 1996-10-29
Publication date: 1998-05-22

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程数を削減することができる効率の良
い光ガイド部材の製造方法を提供することを目的として
いる。【解決手段】基板等で複数の光学素子を挟み込むよう
に接合して基板ブロック等を形成し、その基板ブロック
を切断して、光ガイド部材５を複数包含した光ガイド部
材バー２２８形成し、光ガイド部材バー２２８をラッピ
ングした後、光ガイド部材バー２２８から光ガイド部材
５を切り出す

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術の分野】本発明は、光素子、光ディ
スク等への情報の記録又は再生を行う光ピックアップ及
び相変化型光ディスク用の光ピックアップに用いられる
光ガイド部材の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ピックアップの小型化を目標と
した集積型の光ピックアップ素子が開発されており、実
用化に供しようとしている。

【０００３】集積型の光ピックアップは、光を媒体に導
いたり、媒体から反射してきた光を受光素子などに導く
光ガイド部材を積層一体化することが重要なポイントと
なる。

【０００４】公知例としては特開平５−６６３０３号公
報に記載されているような偏光分離プリズムの製造方法
がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の構成では、張り合わせた基板からのプリズムの切り
出し工程と切り出し面のラッピングの工程とを交互に行
っていたので、工程数が増大し、完成までに時間がかか
ってしまうという問題点を有していた。

【０００６】本発明は上記課題を解決するもので、製造
工程数を削減することができる効率の良い光ガイド部材
の製造方法を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、前記複数の基板のうち少なくとも一枚の基板に複数
の光学素子を形成し、前記複数の基板で前記複数の光学
素子を挟み込むように接合して基板ブロックを形成し、
前記基板ブロックを切断して前記光ガイド部材を形成し
た後、前記光ガイド部材をラッピングするという製造方
法を用いる。

【０００８】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、光源か
ら照射された光の入射方向に対して傾斜した複数の基板
を有し、光源からの光を媒体に導くとともに媒体から反
射してきた光を所定の位置に導く光ガイド部材の製造方
法であって、前記複数の基板のうち少なくとも一枚の基
板に複数の光学素子を形成し、前記複数の基板で前記複
数の光学素子を挟み込むように接合して基板ブロックを
形成し、前記基板ブロックを切断して前記光ガイド部材
を形成した後、前記光ガイド部材をラッピングすること
により、光学素子に損傷を与えることなく光ガイド部材
の必要な部位のラッピングを行うことができる。

【０００９】請求項２に記載の発明は、光源から照射さ
れた光の入射方向に対して傾斜した複数の基板を有し、
光源からの光を媒体に導くとともに媒体から反射してき
た光を所定の位置に導く光ガイド部材の製造方法であっ
て、前記複数の基板のうち少なくとも一枚の基板に複数
の光学素子を形成し、前記複数の基板で前記複数の光学
素子を挟み込むように接合して基板ブロックを形成し、
前記基板ブロックを切断して、前記光ガイド部材を複数
包含した光ガイド部材バー形成し、前記光ガイド部材バ
ーをラッピングした後、前記光ガイド部材バーから前記
光ガイド部材を切り出すことにより、光学素子に損傷を
与えることなく同時に複数の光ガイド部材の必要な部位
のラッピングを行うことができる。

【００１０】請求項３に記載の発明は、ラッピング時に
用いる砥粒として、ダイアモンドまたは酸化セリウムの
少なくとも一方を用いることにより、ラッピング工程の
効率を向上させることができる。

【００１１】請求項４に記載の発明は、ラッピング工程
において、粒径の大きな砥粒を用いる工程の少なくとも
ひとつを粒径の小さな砥粒を用いる工程よりも前工程に
おくことにより、効率良くラッピングを行うことができ
る。

【００１２】以下本発明の一実施の形態における光ピッ
クアップのパッケージングについて図を参照しながら説
明する。

【００１３】図１及び図２はともに本発明の一実施の形
態における光ピックアップのパッケージングの構成を示
す断面図である。

【００１４】１は光源で、光源１としては半導体レー
ザ，Ｈｅ−Ｎｅ等のガスレーザ等の各種レーザが考えら
れる。ここではこれらの中で最も小型で装置全体を小型
化でき、しかも単価の安い数ｍＷ〜数十ｍＷ程度の出力
を有する半導体レーザを用いる事が好ましい。半導体レ
ーザの材質としてはＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，Ｉ
ｎＧａＡｌＰ，ＺｎＳｅ，ＧａＮ等が考えられ、ここで
は最も一般的に用いられており、安価なＡｌＧａＡｓを
用いた。さらに高密度記録を行う場合には記録媒体上で
のスポット径をより小さくすることができ、ＡｌＧａＡ
ｓよりもさらに波長の短いＩｎＧａＡｌＰやＺｎＳｅ等
の半導体レーザを用いることが好ましい。

【００１５】２はサブマウントで、サブマウント２はそ
の形状が直方体状若しくは板形状で、その上面には光源
１が取り付けられている。このサブマウント２は光源１
を載置するとともに、光源１で発生した熱を逃がす働き
を有している。サブマウント２と光源１との接合には熱
伝導率等を考慮するとＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｎ−
Ｓｂ等の半田箔（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温で圧着
する方法を用いることが好ましい。また光源１とサブマ
ウント２は略水平に取り付けなければ光学系の収差や結
合効率の低下等の原因になる。従って接合の際には光源
１はサブマウント２に所定の位置に所定の高さで略水平
にマウントされることが好ましい。さらにサブマウント
２の上面には光源１の下面と電気的に接触するように電
極面２ａが設けられている。この電極面２ａは光源１の
電源供給用のもので、電極面２ａを構成する金属膜とし
ては導電性や耐食性を考慮してＡｕの薄膜を用いること
が好ましい。更にサブマウント２は、光源１で発生する
熱や光源１との取付等の問題から、熱伝導性が高く、か
つ、線膨張係数が光源１のそれ（約６．５×１０^-6／
℃）に近い材質が好ましい。具体的には線膨張係数が３
〜１０×１０^-6／℃で、熱伝導率が１００ｗ／ｍＫ以上
である物質、例えばＡｌＮ，ＳｉＣ，Ｔ−ｃＢＮ，Ｃｕ
／Ｗ，Ｃｕ／Ｍｏ，Ｓｉ等を、特に高出力のレーザを用
いる場合で熱伝導率を非常に大きくしなければならない
ときにはダイアモンド等を用いることが好ましい。光源
１とサブマウント２の線膨張係数が同じか近い数値とな
るようにした場合、光源１とサブマウント２の間の歪み
の発生を抑制することができるので、光源１とサブマウ
ント２との取付部分が外れたり、光源１にクラックが入
る等の不都合を防止することができる。しかしながら本
範囲を外れた場合には、光源１とサブマウント２の間に
大きな歪みが生じてしまい、光源１とサブマウント２と
の取付部分が外れたり、光源１にクラック等を生じる可
能性が高くなる。またサブマウント２の熱伝導率をでき
るだけ大きく取ることにより、光源１で発生する熱を効
率よく外部に逃がすことができる。しかしながら熱伝導
率が本限定以下の場合には、光源１で発生した熱が外部
に逃げ難くなるため、光源１の温度が上昇し、光源１の
出力が低下したり、光源１の寿命が短くなったり、最悪
の場合には光源１が破壊されてしまう等の不都合が発生
しやすくなる。本実施の形態では比較的安価で、これら
の２つの特性のどちらにも非常に優れたＡｌＮを用い
た。更にサブマウント２の上面には光源１との接合性を
良くするために、サブマウント２から光源１に向かって
Ｔｉ，Ｐｔ，Ａｕの順に薄膜を形成することが好まし
い。なおサブマウント２としてＳｉを用いた場合にはＴ
ｉの前にＡｌ₂Ｏ₃等の酸化膜若しくは表面酸化による絶
縁膜が形成されることが好ましい。

【００１６】３はブロックで、ブロック３は基本的には
直方体形状でその側面に大きな突起部３ａを有してお
り、上面にはサブマウント２が取り付けられている。こ
のブロック３もまたサブマウント２と同様に、光源１で
発生する熱やサブマウント２との取付等の問題から、熱
伝導性が高く、かつ、線膨張係数がサブマウント２に近
い材質、例えばサブマウント２の材質例で示したもの以
外にＭｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，コバール，４２アロイ等を用い
ることが好ましい。しかしながらこれらの特性値の要求
はサブマウント２に比べるとそれほど厳しくはないの
で、コストを重視して選択する方が好ましい。ここでは
ＡｌＮに比べて非常に安価で、これらの特性に比較的優
れたＣｕ，Ｍｏ等の材料でブロック３を形成した。また
ブロック３とサブマウント２との接合には熱伝導率等を
考慮すると、やはりサブマウント２と光源１の場合と同
様に、多少高価ではあるがＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｓ
ｎ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ等の半田箔
（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温で圧着することが好ま
しい。

【００１７】４は放熱板で、放熱板４は、光源１で発生
し、伝導によりサブマウント２，ブロック３を通って伝
わってきた熱を外部に放出する働きを有するとともに、
光ピックアップを形成する種々の部材が載置され、パッ
ケージングの基板となるものである。また放熱板４には
調整用の孔４ａが設けてある。ブロック３はロウ付け，
半田箔等により放熱板４の上面に固定される。放熱板４
の材質としては、熱伝導性が高いＣｕ，Ａｌ，Ｆｅ等が
考えられる。

【００１８】なおここではサブマウント２とブロック３
とを別体で形成していたが、光源１の出力が高く、これ
らの部材により高い熱伝導性が要求される場合には、熱
伝導性を良くするためにこれらの部材を一体で形成する
ことが好ましい。この場合それらの材質は、ＡｌＮ等の
熱伝導性が非常に高いものを用いることが好ましい。

【００１９】またブロック３はサブマウント２よりも大
きくして、放熱板４との接触面積を大きく取ることが望
ましい。

【００２０】また光源１には光軸に関して高い精度が要
求されるので、サブマウント２の上面は高い精度で水平
であることが好ましい。従ってサブマウント２，ブロッ
ク３及び放熱板４の取り付けについても細心の注意を払
うことが好ましい。

【００２１】５は光ガイド部材で、光ガイド部材５は直
方体形状をしており、その内部には複数の斜面及びそれ
らの斜面上に形成された各種膜を有しており、光源から
射出された光を出射するとともに、戻ってきた光を所定
の位置に導く働きを有している。また光ガイド部材５は
その側面でブロック３の突起部３ａの端面部３ｂに接着
されている。これに用いられる接合材には大きな接着強
度，任意の瞬間に固定できる作業性，硬化前と硬化後の
体積の変化や温度・湿度の変化による体積の変化が小さ
い即ち低収縮率等の条件が要求され、これらを満たすこ
とにより作業性及び接合面の安定性等を向上させること
ができる。この様な接合材としてここでは紫外線を照射
することにより瞬時に硬化するＵＶ接着剤を用いた。ま
た吸湿硬化型の瞬間接着剤を用いても良い。更に十分な
取り付け強度を持つようにするためにブロック３と光ガ
イド部材５の間の接触面積（Ｓ）はＳ＞１ｍｍ²とする
ことが好ましい。

【００２２】１３は受光素子で、受光素子１３は板形状
の半導体ウェハーに形成された各種の電気回路で構成さ
れており、光ガイド部材５の底面に取り付けられてい
る。取付の際には放熱板４に設けられた孔４ａを用いて
位置の調整を行う。受光素子１３と光ガイド部材５との
取り付けについては、大きな接着強度，任意の瞬間に固
定できる作業性，硬化前と硬化後の体積の変化や温度・
湿度による体積の変化が小さい即ち低収縮率等の条件が
要求され、これらを満たすことにより、作業性、接合面
の安定性が向上する。この様な接合材としてここでは紫
外線を照射することにより瞬時に硬化するため特に作業
性が良好なＵＶ接着剤を用いた。なお吸湿硬化型の瞬間
接着剤を用いても良い。また受光素子１３は光源１から
出射され、光ガイド部材５や記録媒体等で反射されて戻
ってきた光信号を受光する受光部を複数有している。こ
の受光部で検知された光信号は、その光量に応じて電気
信号に変換される。この電気信号は変換当初は電流値の
大きさである。しかしながらこの電流は非常に微弱であ
り、かつノイズを拾いやすいというデメリットがある。
このためここでは受光素子１３として、電流値を相関す
る電圧値に変換して増幅する働きを持つＩ−Ｖアンプが
形成されているものを用いることが好ましい。ただし光
の入射周波数に対して出力電圧の応答が良好であること
が要求される。更に受光素子１３の表面には受光した情
報を信号として取り出すためのＡｌ等の薄膜で構成され
た複数の電極１３ａが設けてある。

【００２３】１４はパッケージで、パッケージ１４は、
放熱板４の上面に前述のブロック３や光ガイド部材５，
受光素子１３等を囲むように設けられており、その内部
には受光素子１３からの電気信号取り出しや光源１の電
源供給等に用いられるリードフレーム１４ａがモールド
されている。このパッケージ１４の形状は中央部がくり
貫かれた直方体形状をしており、更にリードフレーム１
４ａがモールドされている側のパッケージ１４の内面に
はリードフレームの足１４ｂを露出するように段差１４
ｃが設けてある。なおパッケージ１４の形状については
円筒形等であっても構わない。そして受光素子１３から
の電気信号を取り出すためにパッケージ１４に設けられ
た段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂ
と受光素子１３の表面に設けられている複数の電極１３
ａとをＡｕやＡｌ等で形成されたワイヤ１４ｄでワイヤ
ボンディングにより接続している。また光源１の電源供
給のため、光源１の上面とパッケージ１４に設けられた
段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂと
をワイヤ１４ｄでボンディングし、更にサブマウント２
の上面に光源１の下面と電気的に接触するように設けら
れている電極面２ａとパッケージ１４に設けられた段差
１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂとを同
じくワイヤ１４ｄでワイヤボンディングすることにより
接続している。パッケージ１４の材質としては、低吸水
性や低アウトガス性などに優れていることが求められる
が、ここではＩＣモールドとしては最も一般的なエポキ
シ樹脂等の熱硬化性の樹脂を用いている。またリードフ
レーム１４ａの材質としてはＣｕ，４２アロイ，Ｆｅ等
の金属にＡｇやＡｕ等をメッキしたものを用いることが
多い。ここではＣｕにＮｉメッキをし、その上にＡｕメ
ッキを施したものを用いた。更にパッケージ１４と放熱
板４との間の取り付けには、大きな接着強度，低い吸水
性，高い気密性（低いリーク特性）等の性質を有する接
合材を用いる。これにより接合面，接合位置の安定性を
向上させ、光ピックアップのパッケージング内部への不
純物の混入を防止することができる。ここではこれらの
特性に優れ、安価なエポキシ系接着剤を用いた。

【００２４】１５はシェルで、シェル１５もまたパッケ
ージ１４と同様に直方体の中心部をくり貫いたような外
形をしており、その水平方向の断面はパッケージ１４の
それとほぼ同一形状をしている。またその材質にはパッ
ケージング内部への不純物混入を防止する意味で、低吸
水性や低アウトガス性等の特性が求められる。ここでは
それらの特性に優れたポリプチレンテレフタレート（以
下ＰＢＴとする）を用いた。ただし、特に強度や寸法精
度等に優れた特性が要求される場合には、ＰＢＴよりも
高価ではあるがこれらの特性に優れたＬＣＰを用いても
良い。そしてシェル１５とパッケージ１４との接着は、
前述のパッケージ１４と放熱板４との取り付けと同様の
理由で、エポキシ系接着剤を用いた。なおこのシェル１
５を用いる代わりにパッケージ１４の側壁部分の高さ
を、光ガイド部材５よりも高くなるようにして代替して
も良い。

【００２５】１６はカバー部材で、カバー部材１６は光
ガイド部材５や受光素子１３等にごみ，ほこり等が付着
するのを防止するもので、シェル１５の上面にエポキシ
系の接着剤により取り付けられている。またカバー部材
１６の材質としては、ＢＫ−７，ＦＫ−１，Ｋ−３等の
ガラスや、ウレタン，ポリカーボネート，アクリル等の
光透過率の高い樹脂等を用いることがことが好ましい。
更にカバー部材１６の上下両面には反射防止のために反
射防止膜１６ａを形成することが好ましい。この反射防
止膜１６ａはＭｇＦ₂等の材質で形成することが好まし
い。

【００２６】このカバー部材１６と光ガイド部材５との
位置関係は、両者を接触させる場合と両者の間に空間を
設ける場合とが考えられる。両者を接触させる場合、光
ガイド部材５はカバー部材１６の底部にエポキシ系の接
着剤やＵＶ接着剤等で取り付けられる。この時のカバー
部材１６の厚さ（ｔ１）を０．３≦ｔ１≦３．０（ｍ
ｍ）とすることが好ましい。この理由は、下限について
はこれ以上薄くすると取り付けられている光ガイド部材
５等の重さや、接着剤が固まる際の張力等にカバー部材
１６が耐えられず破損する恐れがあるためである。また
上限については、カバー部材１６は空気に比べて屈折率
が大きいため光に収束作用が生まれ、光が広がらないの
で、結果としてカバー部材１６とコリメータレンズ（無
限系光学系の場合）或いは対物レンズ（有限系光学系の
場合）との距離を長くせざるをえなくなってしまい、ピ
ックアップユニットの小型化に不利になるからである。
この様な構成を用いることにより光ピックアップの高さ
をより低くでき、十分な取付強度を保ちながらもピック
アップユニットを小型化することができる。

【００２７】これに対して両者の間に空間を設ける場合
は、カバー部材１６の厚さ（ｔ２）を０．１≦ｔ２≦
３．０（ｍｍ），カバー部材１６と光ガイド部材５との
間の距離（ｄ）を同じく０．１≦ｄ≦３．０（ｍｍ）と
することが好ましい。この理由はｔ２の下限については
前例とは違って光ガイド部材５が取り付けられておら
ず、ただ振動等の外部要因にさえ耐えられればよいから
である。またｄについては、小さければ小さい程良いの
だが、組立時の精度の誤差を０．１ｍｍ以下にできない
可能性があり、この場合組立時にカバー部材１６が光ガ
イド部材５に接触し、破損してしまう恐れがある。この
様な構成を用いることにより光ガイド部材５と、光源
１，サブマウント２，ブロック３の間の取り付け相対位
置精度を向上させつつブロック３若しくはサブマウント
２を他の部材に熱的に接触させることが可能であり、こ
れにより光源１で発生する熱を外部に容易に放出するこ
とができる。

【００２８】なお光ピックアップの内部は光源１及び受
光素子１３の酸化防止や光ガイド部材５，カバー部材１
６での結露防止等の観点から、Ｎ₂等のガスやＡｒ，Ｎ
ｅ，Ｈｅ等の不活性ガスを充填することが好ましい。そ
の場合、放熱板４と受光素子１３との間に存在する隙間
１７を小さな収縮率，低い吸水性，高い気密性（優れた
リーク特性）等の特性を有する接合材、例えばエポキシ
系のポッティング剤や半田等で埋める必要がある。これ
により内部の気密性を高めることができる。

【００２９】以上示してきた構成を用いることにより、
光源１で発生する熱を容易に外部に放出することがで
き、更にパッケージングの両端面に計２個所の開口部を
設けることにより、酸化防止ガスの封入を容易に行うこ
とができる。また光学系においては光源１，光ガイド部
材５及び受光素子１３の相対的な位置関係を正しくかつ
強固に保持することができるので、それらの位置のずれ
による誤動作や余分な光学的収差等が発生しない。

【００３０】またこの光ピックアップのパッケージング
全体での熱抵抗は３５℃／ｗ以下とすることがより効率
よく熱をパッケージ外に逃がすことができるので好まし
い。次に本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の動作について、図面を参照しながら説明する。図３は
本発明の一実施の形態における光ピックアップの動作の
概念図、図４は本発明の一実施の形態における光ガイド
部材の組立を示す斜視図である。

【００３１】図３及び図４において放熱板４上にサブマ
ウント２及びブロック３を介して水平にマウントされた
光源１から水平に放出されたレーザ光は、平行な複数の
斜面を有する光ガイド部材５の面５ｆから光ガイド部材
５に入射し、光ガイド部材５の第二の斜面５ｂに形成さ
れかつ入射する光の拡散角に対して射出する光の拡散角
を変換する（以下ＮＡを変換すると呼ぶ）機能を有する
反射型の拡散角変換ホログラム７に到達する。拡散角変
換ホログラム７によってＮＡを変換されかつ反射した光
は第一の斜面５ａに形成された反射型の回折格子６によ
って０次回折光（以下メインビームと呼ぶ）と±１次回
折光（以下サイドビームと呼ぶ）とに分けられる。回折
格子６によって発生するメインビーム及びサイドビーム
は第１の偏光選択性のあるビームスプリッター膜９（以
下単に第一のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射す
る。第一のビームスプリッター膜９は入射面に対して平
行な振動成分を有する光（以下単にＰ偏光成分と呼ぶ）
に対してほぼ１００％の透過率を有し、垂直な振動成分
（以下単にＳ偏光成分と呼ぶ）に対しては一定の反射率
を有する。第一のビームスプリッター膜９に入射する光
のうち第一のビームスプリッター膜９を透過する光は光
源１からの射出光のモニター光として利用される。ま
た、第一のビームスプリッター膜９で反射されたＳ偏光
成分に直線偏光したメインビーム及びサイドビームは、
光ガイド部材５の面５ｅ及びカバー部材１６を透過、対
物レンズ２６に入射し、対物レンズ２６の集光作用によ
って記録媒体２７の記録媒体面２７ａに結像される。こ
の時、記録媒体面２７ａ上において２つのサイドビーム
のビームスポット２９ａ及び２９ｃはメインビームのビ
ームスポット２９ｂを中心としてほぼ対称な位置に結像
される。記録媒体面２７ａに対してメインビーム及びサ
イドビームのビームスポット２９ｂ及び２９ａ、２９ｃ
により情報の記録または再生信号及びトラッキング、フ
ォーカシングいわゆるサーボ信号の読みだしを行う。

【００３２】拡散角変換ホログラム７は、光源１からの
射出光のうち拡散角変換ホログラム７へ入射することの
できる光束の拡散角に対して、拡散角変換ホログラム７
からの反射光の拡散角を変換する。また、拡散角変換ホ
ログラム７によって拡散角をまったく持たない平行光に
も変換可能である。また、同じ拡散角変換ホログラム７
によって図３に示されるように光ガイド部材５射出後の
光束が途中経路で積算された波面収差が取り除かれた理
想球面波３０となる。したがって、対物レンズ２６への
入射光は理想球面波３０となり、対物レンズ２６による
記録媒体２７でのビームスポットはほぼ回折限界まで絞
り込まれ理想的な大きさとなり、情報の記録または再生
を容易に行うとができる。

【００３３】記録媒体２７の記録媒体面２７ａによって
反射されたメインビーム及びサイドビームの戻り光は対
物レンズ２６、光ガイド部材５の面５ｅを再び通過し、
光ガイド部材の第二の斜面５ｂに形成された第一のビー
ムスプリッター膜９に入射する。

【００３４】記録媒体２７からの戻り光のうち第一のビ
ームスプリッター膜９から透過する光は光ガイド部材５
の第一の斜面５ａに平行な第三の斜面５ｃ上に形成され
た第２の偏光選択性のあるビームスプリッター膜１１
（以下単に第二のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射
する。第二のビームスプリッター膜１１は第一のビーム
スプリッター膜９と同様にＰ偏光成分に対してほぼ１０
０％の透過率を有し、Ｓ偏光成分に対しては一定の反射
率を有する。

【００３５】ここで第二のビームスプリッター膜１１に
入射した光束の内、透過光１１７に関して説明する。透
過光１１７は第三の斜面５ｃ上に積層された偏光面変換
基板３１に入射する。

【００３６】図５は本発明の一実施の形態における光ピ
ックアップの偏光面変換基板の斜視図、図６は本発明の
一実施の形態における光ピックアップの受光部配置及び
信号処理を示す図である。偏光面変換基板３１は第１の
その他の斜面３１ａ（以下単に第１他斜面と呼ぶ）とそ
の第１他斜面３１ａに略平行な第２のその他の斜面３１
ｂ（以下単に第２他斜面と呼ぶ）を有し、第１他斜面３
１ａには反射膜１２６が、第２他斜面３１ｂには偏光分
離膜１２が夫々形成されている。透過光１１７は第２他
斜面３１ｂ上に形成された偏光分離膜１２に入射する。
第２他斜面３１ｂは透過光１１７の偏光面１１７ａと入
射面１２８とのなす角が略４５×（２ｎ＋１）゜：（ｎ
は整数）になるように形成されている。その結果透過光
１１７のＰ偏光成分１１７ＰとＳ偏光成分１１７Ｓは略
１：１の強度比を有するようになる。入射面１２８と平
行な偏光成分を有するＰ偏光成分１１７Ｐは偏光分離膜
１２によってほぼ１００％透過し、一方、入射面１２８
に垂直な偏光成分を有するＳ偏光成分１１７Ｓは第２他
斜面３１ｂ上の偏光分離膜１２によって略１００％反射
し第１他斜面３１ａ面上に入射し、反射膜１２６によっ
て反射され受光素子１３へ導かれる。受光素子１３に導
かれたＰ偏光成分１１７Ｐは受光部１７０へ、同じくＳ
偏光成分は受光部１７１へ到達してＲＦ信号を作成す
る。

【００３７】次に図３中に示す第二のビームスプリッタ
ー膜１１に入射した光束のうち反射光１２３に関して説
明する。反射光１２３は第二の斜面５ｂ上の反射型のホ
ログラムで形成された非点収差発生ホログラム１０に入
射する。反射光１２３は非点収差発生ホログラム１０に
よって非点収差を発生しつつ、さらに反射膜１２４，反
射膜１２５で反射されて、メインビームの戻り光は受光
素子１３上の受光部１７２に、サイドビームの戻り光は
受光素子１３上の受光部１７６及び１７７に到達する。

【００３８】次に本発明の一実施の形態について図を参
照しながら説明する。本実施の形態は、特に相変化型光
ディスクに対応した光ピックアップの構成について説明
するものである。相変化型光ディスクは光を照射するこ
とで記録媒体中の結晶構造を変化させて情報を記録する
もので、結晶構造を変化させるために従来の光記録再生
装置に比べてより多くの光量を必要とするので、より効
率の良い光学系を必要とする。図７は本発明の一実施の
形態における相変化型光ディスク対応光ピックアップの
構成図である。なお図１，図２及び図３に示したものと
番号が同一の部材については、その働き及び構成が同様
であるので説明を省略する。

【００３９】光源１から放出されたレーザ光は、平行な
複数の斜面を有する光ガイド部材４１の面４１ｆから光
ガイド部材４１に入射し、拡散角変換ホログラム７、回
折格子６及び偏光選択性のあるビームスプリッター膜３
５（以下ビームスプリッター膜と呼ぶ）を通って光ガイ
ド部材４１の面４１ｅから出射される。ここでビームス
プリッター膜３５は一実施の形態の場合とは異なりＳ偏
光成分の反射率は９５％以上でＰ偏光成分の反射率はお
よそ１％程度である。ビームスプリッター膜３５に入射
する光のうちビームスプリッター膜３５を透過する光
（Ｐ偏光成分で全光量のの数パーセント程度）は光源１
からの射出光のモニター光として利用される。光ガイド
部材４１の面４１ｅから出射された光はカバー部材１６
に設けられたλ／４板３３を透過する。図８はλ／４板
３３の概観図である。λ／４板３３は光ガイド部材４１
からの入射光偏光面に対して、その異常光軸がπ／４・
（２ｍ−１）；（ただしｍは自然数：以下同じ）の方向
に設置されており、入射光の異常光成分と常光成分の位
相差をπ／２・（２ｍ−１）だけ発生させる機能を有し
ている。λ／４板３３を構成する材料としては一般に一
軸性結晶材料を用いる。その中でも低コストで、光透過
性に優れた水晶を用いることが好ましい。一軸性結晶で
は異常光軸６１６と常光軸６１７があり、それぞれの光
軸に対して異常光屈折率ｎ_e及び常光屈折率ｎ_oと呼ばれ
る異なる屈折率を有している。異常光と常光では光学的
距離が異なるので、λ／４板３３の基板厚をＱＤ，入射
光波長をλとして次の関係式で決まる位相差Δが発生す
る。λ／４板３３の厚さＱＤはこの位相差Δがπ／２・
（２ｍ−１）となるように決定されている。

【００４０】Δ＝２π・（ｎ_e−ｎ_o）・ＱＤ／λ 本実施の形態では、波長λ＝７９０ｎｍ、異常光屈折率
ｎ_e＝１．５４７７、常光屈折率ｎ_o＝１．５３８８（た
だし屈折率は基板の切り出し角で異なる。ここでは異常
光軸及び常光軸の双方の軸を含む平面に平行に切り出し
た。）という条件に対してλ／４板３３の基板厚は２
１．９・（２ｍ−１）μｍとなる。この様な条件にする
ことにより、直線偏光で入射角０度で入射してきた光を
円偏光の光に変換することができる。即ち光源１から出
射されたＳ偏光成分のみを含む直線偏光を円偏光に変換
することができる。なおここではλ／４板３３としてカ
バー部材１６上に２１．９μｍの水晶を設けていたが、
光ガイド部材の面４１ｅや対物レンズ２６に設けること
もある。

【００４１】λ／４板３３を透過して円偏光となった光
は対物レンズ２６に入射し、対物レンズ２６の集光作用
によって記録媒体２７の記録媒体面２７ａに結像され、
反射される。記録媒体面で反射された円偏光化した光は
その回転方向が逆転するので、戻り光は対物レンズ２６
を透過し、再びλ／４板３３を透過する際に、Ｐ偏光成
分のみを含む直線偏光に変換される。この様に変換され
た戻り光は光ガイド部材４１の面４１ｅを再び通過し、
再び光ガイド部材の第二の斜面４１ｂに形成されたビー
ムスプリッター膜３５に入射する。前述のようにビーム
スプリッター膜３５はＰ偏光成分に対してほぼ１００％
の透過率を有し、Ｓ偏光成分に対してはほぼ１００％の
反射率を有する。従ってＰ偏光成分しか有さない戻り光
はビームスプリター膜３５をほぼ透過する。

【００４２】そして戻り光は光ガイド部材４１の第一の
斜面４１ａに平行な第３面４１ｃ上に形成されたハーフ
ミラー３４に入射する。ハーフミラー３４は入射した光
のうち所定の量を反射して、残りを透過する働きを有し
ている。

【００４３】ここでハーフミラー３４に入射した光束の
内、透過光１１７は受光素子３６上に設けられている受
光部３７へ導かれる。

【００４４】次に図３中に示すハーフミラー３４に入射
した光束のうち反射光１２３に関して説明する。図９は
本発明の一実施の形態における相変化型光ディスク用の
光ピックアップの受光素子に設けられた受光部の配置図
である。反射光１２３は第二の斜面４１ｂ上の反射型の
ホログラムで形成された非点収差発生ホログラム１０に
入射する。反射光１２３は非点収差発生ホログラム１０
によって非点収差を発生しつつ、さらに反射膜１２４，
反射膜１２５で反射されて、メインビームの戻り光は受
光素子３６上の受光部３８に、サイドビームの戻り光は
受光素子３６上の受光部３９及び４０に到達する。

【００４５】以上のような構成を有する光ピックアップ
ではλ／４板をビームスプリッター膜３５と記録媒体２
７との間に設け、Ｓ偏光成分の直線偏光である出射光を
円偏光化した光に変換し、その後記録媒体２７で反射さ
れ回転方向が逆転した円偏光化した光をＰ偏光成分のみ
を有する直線偏光に変換してビームスプリッター膜３５
に入射させることにより記録媒体２７で反射された光を
ほぼ１００％受光素子３６上に導くことができるので、
ビームスプリッター膜３５のＳ偏光成分の反射率を大幅
に高くすることができ、従って記録媒体２７に照射され
る光量を大きくすることができる。即ち限られた光源１
の出力を効率よく記録媒体２７に照射でき、かつ、記録
媒体２７からの反射光を効率よく受光素子３７に導くこ
とができる。

【００４６】次に光ガイド部材５，４１の製造工程につ
いて説明する。光ガイド部材５，４１は基本的に複数の
基板から構成されている。

【００４７】まず最初に複数の基板のうちの第１基板に
ついて図を参照しながら説明する。図１０〜１７は本発
明の一実施の形態における第１基板の製造工程を示した
図である。

【００４８】まず最初に図１０に示すように、ＢＫ−７
等の光学ガラス等で形成された第１基板２００の第１面
２００ａに張り合わせの際の位置決めに用いられる第１
マーカ２０１を形成する。第１マーカ２０１の材質とし
ては、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｔａ，Ａｌ等の
金属材料若しくはそれらを含有する合金が利用可能であ
り、これらの中でもウェットエッチングが可能な材料を
用いることがコストや工数の面から好ましい。ここでは
このような条件に最も良く適合するＴｉ膜を用いてい
る。

【００４９】ここで第１マーカ２０１の形成手順を簡単
に説明する。まず最初に第１面２００ａにマーカ材料で
あるＴｉ膜を真空蒸着等の方法により所定の厚さに成膜
する。そしてその上のマーカ形成位置にマーカパターン
をフォトリソグラフィ技術により形成した後、スプレー
エッチングによるウェットエッチングによってマーカパ
ターンが形成されていない部分のＴｉ膜を除去し、最後
にマーカパターンを取り除いて第１マーカ２０１の形成
が完了する。

【００５０】次に図１１に示すように第１基板２００の
第２面２００ｂに第２マーカ２０２を形成する。第２マ
ーカ２０２もまた第１マーカ２０１と同様の方法で形成
される。なお、第２マーカ２０２を形成する際には、第
１マーカ２０１には保護膜を設けることが、エッチング
液等からの第１マーカの損傷やはがれ等を防止すること
ができるので好ましい。

【００５１】なおマーカー形成の工法についてはウェッ
トエッチングを主に説明してきたが、サイドエッチング
がより少ないイオンミリングエッチング、反応性エッチ
ング等のドライエッチング技術を用いたプロセス工法を
用いても良い。またパターン形成についてもリフトオフ
工法を用いても良い。

【００５２】次に図１２に示すように第１基板２００の
第１面２００ａの所定の位置に回折格子６を形成する。
形成に際しては第１マーカ２０１を基準とし、所定の位
置にフォトリソグラフィー技術を用いて回折格子６のパ
ターンを形成する。そしてパターン上から反応性イオン
エッチング或いはイオンミリングを用いてパターンの形
成されていない部分を所定の深さまでエッチングを行
う。エッチング完了後、パターンを酸素プラズマアッシ
ャー或いは有機溶剤を用いて除去する。

【００５３】次に図１３に示すように拡散角変換ホログ
ラム７を第１基板２００の第２面２００ｂに形成する。
拡散角変換ホログラム７の断面形状は鋸の波状をしてい
ることが最も好ましい形状であるが、その形状に加工す
ることは難しいので、ここでは４段ステップ型ホログラ
ムを形成した。このような階段状のホログラムを拡散角
変換ホログラム７に用い、そのピッチとデプスを適当に
制御することにより、拡散角変換ホログラム７を容易に
形成することができるとともに拡散角変換ホログラム７
の回折効率も高くすることができるので好ましい。

【００５４】ここで拡散角変換ホログラム７に用いられ
る４段ステップ型ホログラムの形成方法を説明する。図
１８は４段ステップ型ホログラムの正面図、図１９は図
１８中のＸ−Ｘ’の断面図である。４段のステップ形状
を形成するために２回のホログラムパターン形成、２回
のホログラムパターンエッチングを第２マーカ２０２を
基準として行い、拡散角変換ホログラム７を形成する。
図２０は４段ステップホログラム形成のプロセス図を示
したものである。第１回のパターン形成とし、４段ステ
ップホログラムピッチＰに対してデューティー比５０／
５０の第１ステップホログラムパターン２６１を形成す
る。第１回のエッチングは最終エッチング量ｄに対して
略２／３ｄ分をエッチングする。エッチング方法に関し
ては反射型の回折格子６と同様の手段を用いて行う。エ
ッチング終了後、第１ステップホログラムパターン２６
１を酸素プラズマアッシャー或いは有機溶剤により除去
し第１ステップホログラム２６２を形成する。続いて、
第２回のパターン形成として形成された第１ステップホ
ログラム２６２上に第２ステップホログラムパターン２
６３を形成する。第２ステップホログラムパターン２６
３は第１ステップホログラム２６２の第１ステップホロ
グラムライン部分２６４及び第１ステップホログラムス
ペース部分２６５を夫々デューティー比５０／５０とす
るパターンである。第２回のエッチングは最終エッチン
グ量ｄに対して略１／３ｄ分をエッチングする。エッチ
ング方法に関しては反射型の回折格子６と同様の手段を
用いて行う。エッチング終了後、第２ステップホログラ
ムパターン２６３を酸素プラズマアッシャー或いは有機
溶剤により除去し第２ステップホログラム２６６を形成
する。

【００５５】第２ステップホログラム２６６の形成が終
了した後に、図１４に示すようにその上に反射膜２６７
を形成する。反射膜２６７の形成方法はリフトオフ工法
等を用いることが好ましい。また反射膜２６７のパター
ンはリフトオフがやり易い用に逆テーパー形状のパター
ンとなるようにネガ型のホトレジストを用いるか或いは
ヘキスト社のＡＺ−５２１８Ｅに代表されるようなネガ
ポジ反転型のフォトレジストを用いてパターン形成を実
施することが好ましい。ここではヘキスト社のＡＺ−５
２１８Ｅを用いて反射膜２６７のパターンを形成した。
パターン形成後、真空成膜装置によって反射膜２６７を
成膜する。ここでは真空蒸着法によって形成した。反射
膜の形成材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ等の高
反射率を有する金属材料をもちいることが、反射膜の高
効率化を図ることができるので好ましい。特にＡｇはコ
スト面にも優れ、高反射率材料で、しかも設計中心波長
λ ₀（７９０ｎｍ）に対して５．１程の吸収係数を有す
るために極めて薄い膜厚で高反射率を実現することがで
き、またリフトオフ工程に於ては容易にリフトオフが可
能となり、所定の性能を低コストで実現できるので好ま
しい。反射膜成膜後、有機溶剤、或いはリムーバー溶剤
によってリフトオフを実施し、４段ステップで反射型の
拡散角変換ホログラム７を形成する。

【００５６】なお反射膜２６７の形成はリフトオフ工程
によってパターン形成がなされたが、第１マーカ２０１
と同様にパターン形成とスプレーエッチングによるウエ
ットエッチングによる形成方法でもよい。エッチング方
法に関してはドライエッチングを用いた形成法であって
もよい。

【００５７】また本実施の形態ではホログラムのステッ
プ数を４段としていたが、４段よりも多ければ通常回折
効率は向上するので、４段以上であれば何段であっても
良い。ただし製造工程数を考慮に入れると２ⁿ段（ただ
しｎは自然数）とすることが好ましい。

【００５８】次に図１５に示すように、第１基板２００
の第２面２００ｂに第一のビームスプリッター膜９を形
成する。本実施の形態における第一のビームスプリッタ
ー膜９はＳ偏光入射タイプで、Ｐ偏光に対して略１００
％の透過率を有し、Ｓ偏光に対して一定の透過率を有
し、かつ、透過光のＳ偏光とＰ偏光の相対位相差が略０
でなければならない。このような性質を実現するため
に、一般的に偏光選択性のあるビームスプリッター膜は
誘電体多層膜で形成されることが多い。誘電体多層膜の
構成材料としては各材料の成膜時に発生する内部応力が
引っ張り応力と圧縮応力を示す材料で多層成膜時にお互
いの内部応力を打ち消しあう組み合わせで構成し、さら
に形成基板の膨張係数が組み合わせ材料の膨張係数の中
間にあることが望ましい。このような構成とすることに
より、多層成膜時の剥離、基板面精度低下、クラックの
発生を防止することができるので、光ピックアップの信
頼性の向上につながるとともに生産中の歩留まりも非常
に高くすることができる。このような特性を満足する材
料の組合せとしては、ＴｉＯ₂／ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅／Ｓ
ｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃／ＳｉＯ₂，ＺｎＳ／ＭｇＦ₂といった
ものがある。いずれもビームスプリッター膜設計におい
て設計屈折率値で夫々の組合わせを決定する。特に本実
施の形態の場合入射角が４５°であって、基板を形成す
る材料がＢＫ−７である場合、入射光束側の屈折率ｎｇ
がＡｌ₂Ｏ₃／ＳｉＯ₂の組み合わせによってブリュース
ター条件を満足することができるので、Ｐ偏光に対する
反射を略０にすることができ、略１００％の透過率を得
ることができるので好ましい。

【００５９】以下にブリュースター条件式を示す。（ｎ_g）²＝２×（ｎ_h）²×（ｎ_l）²／（（ｎ_h）²＋（ｎ_l）²）・・（４）ｎ_g＝１．５１１、Ａｌ₂Ｏ₃の屈折率ｎ_h＝１．５８０、
ＳｉＯ₂の屈折率、ｎ_l＝１．４５０で式（４）が満足で
きる。一方光学的膜厚は設計中心波長λ₀に対して以下
の式になるように決定する。

【００６０】ｎ_H、L×ｄ＝λ₀／（４×ｃｏｓθ_t） θ_tは各薄膜への屈折角を示す。屈折角はＳｎｅｌｌの
法則によって以下の式で決定できる。

【００６１】ｎ_g×ｓｉｎθ₀＝ｎ_H、L×ｓｉｎθ_t θ₀は入射角を示す。ただしこれらの膜厚の決定はＳ偏
光の反射率仕様に応じて変化し、更にＳ偏光とＰ偏光の
相対位相差を略０にするために調整される。これらの組
合せによれば成膜段階での膜厚精度によるＰ偏光の反射
を発生させることなくビームスプリッター膜を形成でき
る。ただしこれらの構成材料として、すでに示した組み
合わせでも設計可能である。特にそれらの設計を可能に
する設計手法としてＴｈｅｌｅｎ法などがある。更に本
実施の形態の構成によれば入射光速は反射型拡散角変換
ホログラム７で変換された有限光速で第一のビームスプ
リッター膜９に入射するためその有限光速に対してＳ偏
光、Ｐ偏光夫々の分光特性になり、かつ、発生位相差が
最も小さくなるように設計を行った。第一のビームスプ
リッター膜９の形成方法はリフトオフ工程を用い、Ａｌ
₂Ｏ₃とＳｉＯ₂を交互に所定の厚さずつ積層して行われ
る。

【００６２】なお本実施の形態では第一のビームスプリ
ッター膜９を第１基板２００の所定の位置にのみ形成し
ていたが、第１基板２００の第２面２００ｂの全面に形
成しても良い。この場合リフトオフパターンを形成しな
くて良いので、工数の削減ができ、製造コストの低減が
可能になる。

【００６３】次に図１６に示すように第２面のほぼ全面
にレジスト２０４を形成する。このレジスト２０４は、
すでに形成が終了している第２面２００ｂの各種光学素
子をその後の工程で発生することが考えられるダメージ
から保護する働きを有している。

【００６４】そして最後に図１７に示すように回折格子
６上に反射膜２０３をリフトオフ工法等で形成する。反
射膜のパターンはリフトオフが行い易い用に逆テーパー
形状のパターンとなるようにネガ型のホトレジストを用
いるか或いはヘキスト社のＡＺ−５２１８Ｅに代表され
るようなネガポジ反転型のフォトレジストを用いてパタ
ーン形成を実施することが好ましい。ここではヘキスト
社のＡＺ−５２１８Ｅを用いて反射膜のパターンを形成
した。パターン形成後、真空成膜装置によって反射型の
回折格子６の反射膜を成膜する。ここでは真空蒸着法に
よって形成した。反射膜の形成材料としては、Ａｇ，Ａ
ｌ，Ｃｕ，Ａｕ等の高反射率を有する金属材料をもちい
ることが、反射型の回折格子６の高効率化を図ることが
できるので好ましい。特にＡｇはコスト面にも優れ、高
反射率材料で、しかも設計中心波長λ₀（７９０ｎｍ）
に対して５．１程の吸収係数を有するために極めて薄い
膜厚で高反射率を実現することができ、またリフトオフ
工程に於ては容易にリフトオフが可能となり、所定の性
能を低コストで実現することができるので好ましい。反
射膜成膜後、有機溶剤、或いはリムーバー溶剤によって
リフトオフを実施し、反射型の回折格子６の形成が完了
する。

【００６５】なお反射膜の形成はリフトオフ工程によっ
てパターン形成がなされたが、第１マーカ２０１と同様
にパターン形成とスプレーエッチングによるウエットエ
ッチングによる形成方法でもよい。またエッチング方法
に関してはドライエッチングを用いた形成法であっても
よい。

【００６６】次に複数の基板のうち第２基板２０５につ
いて図を参照しながら説明する。まず最初に図２１、２
２に示すように第１基板２００の場合と同様に、第２基
板２０５の第１面２０５ａの端部に第３マーカ２０６を
形成し、第３マーカ２０６を基準として第２基板２０５
の第２面２０５ｂに第４マーカ２０７を形成する。これ
らのマーカの形成方法としては第１基板２００における
第１マーカ２０１及び第２マーカ２０２の形成方法と同
一である。

【００６７】次に図２３に示すように第１面２０５ａの
所定の位置に第３マーカ２０６を基準として非点収差発
生ホログラム１０を形成する。この非点収差発生ホログ
ラム１０は、その外観形状は拡散角変換ホログラム７と
は異なり曲線形状を有しているが、その断面形状は、拡
散角変換ホログラム７と同様に４段のステップ形状を有
した反射型のホログラムとなっている。またその製造方
法は拡散角変換ホログラム７と同様である。

【００６８】次に図２４に示すように第２面２０５ｂの
所定の位置に第４マーカ２０７を基準としてハーフミラ
ー２０８を形成する。ハーフミラー２０８は、第一のビ
ームスプリッター膜９と同様に誘電体多層膜で形成され
ることが多い。ここではＡｌ ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂を組み合わ
せて形成している。ただし一般にハーフミラーの誘電体
層の積層数はビームスプリッター膜のそれに比べて少な
い。本実施の形態においても第一のビームスプリッター
膜９が１１層を重ね合わせて形成されるのに比べて、ハ
ーフミラー２０８は７層しか積層していない。

【００６９】このハーフミラー２０８は図３には図示し
ていないが、光源１から放出された光の光量をモニター
するモニタ光を生成して所定の位置に導くものである。

【００７０】次に図２５に示すように反射膜１２４を第
２面２０５ｂの所定の位置に形成する。反射膜１２４の
形成方法については拡散角変換ホログラム７の反射膜２
６７等と同様の方法で形成することができる。

【００７１】次に図２６に示すように第２面２０５ｂの
所定の位置に第二のビームスプリッター膜１１を形成す
る。第二のビームスプリッター膜１１の形成材料及び形
成方法は前述した第一のビームスプリッター膜９の形成
材料及び形成方法と同様である。このとき前述した反射
膜１２４を第二のビームスプリッター１１が覆うように
形成されることが好ましい。なぜならば基板に対して接
合力が比較的弱い金属材料で形成されている反射膜１２
４を覆うことにより、反射膜１２４の基板からのはがれ
を防止することができ、これが原因で発生する光学特性
の劣化を防止することができるからである。

【００７２】次に図２７に示すように第２面２０５ｂの
ほぼ全面にレジスト２０９を形成する。このレジスト２
０９は、すでに形成が終了している第２面２０５ｂの各
種光学素子を保護する働きを有している。

【００７３】そして最後に図２８に示すように非点収差
発生ホログラム１０上に反射膜を回折格子６の反射膜や
拡散角変換ホログラム７の反射膜と同様の方法で形成す
る。その後レジスト２０９を第２面２０５ｂから除去し
て第２基板２０５の形成を終了する。

【００７４】以上示してきたように第１基板２００及び
第２基板２０５上の所定の位置に所定の形状の各種の光
学素子を形成したことにより、光ガイド部材５，４１の
所定の位置に各種光学素子を位置させることができるの
で、光ガイド部材５，４１の内部を通過する光の光路を
各種光学部材が遮ることがない。従って光ガイド部材
５，４１を透過する光の特性を劣化させたり、変質させ
たりすることなく、所定の位置に所定の光を導くことが
できる。従ってこのような光ガイド部材５，４１の製造
方法は非常に好ましいものである。

【００７５】なお本実施の形態では、１枚の基板上に一
組の光学素子群を形成していたが、実際の工程では一枚
の基板上に複数組の光学素子群を形成して、一枚の基板
から複数の光ガイド部材用基板を形成可能な構成にして
いることが、製造コストの削減や製造時間の短縮等の観
点から好ましい。

【００７６】以下上記第１基板２００及び第２基板２０
５を含む第１基板ブロック２１０の組立について説明す
る。図２９は本発明の一実施の形態における第１基板ブ
ロックの組立工程を示した図である。

【００７７】図２９に示すように、まず第１ステップで
上述のプロセス工程で所定の光学素子を所定の位置に形
成された第１基板２００と第０基板２１１とを接合す
る。接合に際しては、第１基板２００と第０基板２１１
の少なくとも一方に接合材を塗布し、大まかに位置合わ
せを行って両者を接合させて第１基板群２１２を形成す
る。このとき用いる接合材としてはエポキシ樹脂，ガラ
ス接合材，光硬化型の接合材等を用いることが好まし
い。

【００７８】なお本実施の形態では第０基板２１１には
光学素子は設けられてはいないが、必要に応じて所定の
光学素子を設けても良い。

【００７９】そして図２９に示す第２ステップにおい
て、第１ステップにおいて形成された第１基板群２１２
と第２基板２０５とを接合して第２基板群２１３を形成
する。第２基板群２１３の形成に際しては、第１基板群
２１２の場合とは異なり、第１基板２００と第２基板２
０５に設けられている複数の光学素子の相互の位置関係
を非常に正確に調整して配置しなければならないので、
第２基板群２１３の形成に際しては非常に厳密な位置合
わせが必要となる。

【００８０】次に張り合わせの手順について図を参照し
ながら説明する。図３２は本発明の一実施の形態におけ
るアラインメント装置を示す断面図である。図３２にお
いて、固定テーブル３００に第２基板２０５を固定し、
可動ステージ３０１に載置された第１基板群２１２とを
所定の位置関係に配置する。そして基板群２１２の上面
に所定の量の接合材を塗布して、可動ステージ３０１を
ｚ方向に動かして第２基板２０５と第１基板群２１２と
を接触させ、接合材が基板間全体に広がるように加圧す
る。このように加圧することにより接合材がまんべんな
く基板間に広がるので、切断時に接合材不足で接合面が
はがれたり、また厚さのむらが生じて透過光に位相差が
生じたりすることがない。従って歩留まりの高く、か
つ、高性能な光ピックアップを提供することができる。
そして接合材が硬化する前に、観測手段３０２で第１基
板２００に設けられている第１マーカ２０１若しくは第
２のマーカ２０２と第２基板２０５に設けられた第３マ
ーカ２０６若しくは第４マーカ２０７との間の位置をモ
ニタリングしながら可動ステージ３０１をｘ、ｙ方向に
動かして、それらのマーカの位置関係が正確に所定の関
係になるように位置調整を行う。

【００８１】以上のようにして形成された第２基板群２
１３を図２９のステップ３に示すように所定の位置で切
断する。切断に際してはワイヤソー等の切断面が比較的
平滑で、かつ、切断に要する時間が短い工作機械を用い
ることが、その後の切断面のラッピング作業等に要する
時間を削減することができ、さらに製造時間の短縮によ
るコストの削減が可能になる。

【００８２】このようにして基板群２１３から複数の第
１基板ブロック２１０を得ることができる。このときに
一つの第２基板群２１３から得られる第１基板ブロック
２１０の数は第１基板２００及び第２基板２０５に設け
られる光学素子のセット数により調整することができ
る。そしてこの光学素子のセット数が多ければ多いほど
一枚の基板からの取れ数が多くなり、従って製造コスト
を低減することができるので好ましい。

【００８３】また各種の光学素子を第１基板ブロック２
１０の表面に露出しないように基板２００，２０５及び
２１１の間に挟持されるように設けたことにより、第１
基板ブロック２１０の切断持に発生していた光学素子の
損傷やはがれを抑制することができる。従って光ガイド
部材５，４１における不良品の発生率を大幅に減少させ
ることができ、信頼性の非常に高い光ガイド部材５，４
１の製造方法とすることができる。

【００８４】次に偏光面変換基板３１を含む第２基板ブ
ロック２１４の製造工程について図を参照しながら説明
する。図３０は本発明の一実施の形態における第２基板
ブロックの製造工程を示す図，図３１は積層ブロックの
製造工程を示す断面図である。

【００８５】まず最初に第３基板２１５の端面２１５ａ
に偏光分離膜１２を形成する。形成する位置は所定の位
置のみであっても良いし、基板２１５の端面２１５ａ全
面に形成しても良い。本実施の形態で形成されている偏
光分離膜１２は設計中心波長λ₀のＳ偏光に対して略１
００％の反射率を有し、Ｐ偏光に対しては略１００％の
透過率を有する。このため一般に誘電体多層膜で形成さ
れる。第一のビームスプリッター膜９形成の際と同様の
理由から構成材料を決定した。本実施の形態における偏
光分離膜１２への入射角はほぼ５３°であり、膜の構成
材料としてはＴｉＯ₂／ＳｉＯ₂の組み合わせを用いてい
る。Ｐ偏光を略１００％透過させるために偏光分離膜１
２の光学アドミタンスＹｅｐは入射光束媒質の光学アド
ミタンスＹ０と同じでなければならない。このため設計
にはＴｈｅｌｅｎ法を用いた。ここでＴｈｅｌｅｎ法に
関し簡単に説明する。Ｔｈｅｌｅｎ法は長波長透過フィ
ルター設計の基本膜構成となる以下の式の多層膜の光学
的アドミタンスＹｍを別の基本構成多層膜の光学的アド
ミタンスＹｎによって全体多層膜の光学的アドミタンス
（ここでは偏光分離膜１２の光学的アドミタンスＹｅ
ｐ）を入射光束媒質の光学的アドミタンスＹ０と同じに
成るように構成する。

【００８６】（０．５Ｈ×Ｌ×０．５Ｈ）^m ・・・・（５）Ｈ、Ｌは高、低屈折率材料の光学的膜厚を示し、ｍは繰
り返し数を示す。式（５）が示す多層膜形の光学的アド
ミタンスＹｍがＹ０と設計中心波長λ₀で等しくなるよ
うに以下の式（６）に示す調整層を設ける。基本膜構成
（Ｈ’，Ｌ’） ⁿの調整層を有する多層膜を入射光速媒
質側と出射光速媒質側に設け、Ｐ偏光の透過率を略１０
０％となるようにＨ，Ｌ，Ｈ’，Ｌ’の膜厚を決定す
る。

【００８７】（０．５Ｈ’×Ｌ’×０．５Ｈ’）ⁿ×（０．５Ｈ×Ｌ×０．５Ｈ）^m×（０．５Ｈ’×Ｌ’×０．５Ｈ’）ⁿ ・・・（６）偏光分離膜１２の形成方法に関しては第一のビームスプ
リッター膜９の形成方法と同様の形成方法を実施する。

【００８８】そして次に第４基板２１６の端面２１６ａ
に反射膜１２６を形成する。反射膜１２６の構成材料及
び形成方法は第１基板２００上に設けられている回折格
子６の反射膜のそれと同様である。

【００８９】次に図３０に示すように偏光分離膜１２が
形成された第３基板２１５と反射膜１２６が形成されて
いる第４基板２１６とをエポキシ樹脂や光硬化性の樹脂
等を用いて接合して基板群２１７を形成する。そして基
板群２１７を略階段状に積層して接合し、積層ブロック
２１８を形成する。その際にもまた接合材としてはエポ
キシ樹脂や光硬化性の樹脂等を用いることが、十分な接
合強度を得ることができ、従って後の切断工程で基板の
はがれ等の発生を抑制できるので好ましい。さらにここ
で用いる接合材は、その屈折率が第３基板２１５及び第
４基板２１６の屈折率とほとんど同じものを用いること
が、透過光に位相差が発生しにくいので好ましい。

【００９０】次に図３１に示すように積層ブロック２１
８を切断面２１８ａで切断して所定の形状を有する偏光
面ブロック２１９を形成する。その際切断面２１８ａと
端面２１５ａ，２１６ａとのなす角が所定の角度となる
ようにワイヤソーや内周刃・外周刃切断機等の工作機械
を用いて行う。

【００９１】また、図３１に示した張り合わせ厚みｄと
ステップｌとの関係は、ほぼ１≦ｌ／ｄ≦３となってい
ることが、偏光面ブロック２１９の一枚の積層ブロック
２１８からの取れ数を多くできるので好ましい構成であ
る。

【００９２】さらに、図３１に示したθがほぼ２０〜５
０°となっていることが、後に光ガイド部材５，４１の
偏光面変換基板３１となったときの入射光の入射角を略
４５度とすることができるので好ましい。

【００９３】このような方法で偏光面ブロック２１９を
作製することにより、一工程で大量の偏光面ブロック２
１９を切断することができるので、工程数を大幅に削減
でき、コストを低減することができる。

【００９４】以上のようにして作製された偏光面ブロッ
ク２１９の両面を研磨して所定の厚さにした後、第５基
板２２０と接合して第２基板ブロック２１４の形成が完
了する。尚ここで用いられる接合材は前述の第３基板２
１５と第４基板２１６との接合に用いるものと同様であ
る。

【００９５】次に上述した第１基板ブロック２１０と第
２基板ブロック２１４とを所定の位置関係で接合して第
３基板ブロック２３０を作製する。ここで用いられる接
合材についてもやはりその際にもまた接合材としてはエ
ポキシ樹脂や光硬化性の樹脂等を用いることが、十分な
接合強度を得ることができ、従って後の切断工程で基板
のはがれ等の発生を抑制できるので好ましい。さらにこ
こで用いる接合材は、その屈折率が各基板の屈折率とほ
とんど同じものを用いることが、透過光に位相差が発生
しないので好ましい。

【００９６】なお本実施の形態では張り合わせに際して
は第１基板ブロック２１０に設けられている第４マーカ
２０７と偏光面ウェハーの端部とを正確に張り合わせる
ことによって行ったが、正確に位置あわせを行うことが
できさえすれば、どのような方法を用いても良い。

【００９７】ここで以上示したきた第３基板ブロック２
３０について、図３３にその上面図及び側面図、図３４
にその断面図を示している。図３３中で点線で示されて
いるのは第３基板ブロック２３０において光ガイド部材
５，４１の外周面を示す光ガイド面２３０ａである。こ
の光ガイド面２３０ａに沿った光ガイド部材５，４１の
第３基板ブロック２３０からの切り出し方について説明
する。

【００９８】まず最初に第３基板ブロック２３０の切断
位置を図３６に示すようにマルチワイヤソーで切断す
る。その切り出しの際にワイヤがスムースに入り、方向
ズレを起こさないようにワイヤ進入面２３０ｂをスライ
サで切断して平坦化しておくことが、光ガイド部材５，
４１の切り出し精度を向上させるので好ましい。さらに
本実施の形態においては第３基板ブロック２３０のワイ
ヤ進入面２３０ｂに垂直な側面部２３０ｃ，２３０ｄに
ついては切断時の突き当て基準面となるので、突き当て
位置を正確に定められるように、ワイヤ進入面２３０ｂ
と同様の手段を講じておくことが好ましい。

【００９９】そして図３４に示すアラインメントマーカ
２２１を基準として、第３基板ブロック２３０の上面２
３０ｅにカッティング位置２２２を確定する。カッティ
ング位置２２２の確定方法については、まず第３基板ブ
ロック２３０の上面２３０ｅからアラインメントマーカ
２２１が形成されている第１基板２００の第２面２００
ｂまでの厚み（ｔ）を測定する。そしてアラインメント
マーカ２２１を通り上面２３０ｅと垂直に交わる直線と
上面２３０ｅとの交点２３０ｆを確定し、その後図３４
に示すａの方向に交点２３０ｆから上面２３０ｅ上をｔ
だけ進んだ点をカッティング位置２２２としてマーキン
グを施す。マーキング方法としては、レーザによるもの
や砥石による溝入れ等が考えられる。

【０１００】次に第３基板ブロック２３０を切断手段
（ここではマルチワイヤソーをや外周刃切断機等を用い
た）上に所定の方向で固定する。固定に際しては、複数
の位置決めピンや壁面等に第３基板ブロック２３０を押
しつけてワックスで固定した。また切断手段上にはでき
るだけ多くの第３基板ブロック２３０を所定の位置関係
に並べておくことが、生産効率を高くすることができる
ので好ましい。

【０１０１】そしてカッティング位置２２２を基準とし
て切断手段で切断位置を調整しながら、第３基板ブロッ
ク２３０の上面部２３０ｅに対してθ３の角度をもって
切断する。なお本実施の形態ではθ３を４５°としてい
る。

【０１０２】なお一度に多数の基板を切断する場合で
も、カッティング位置２２２を１カ所決めておけば、後
はワイヤソーの間隔を所定の値とすることにより、切断
開始位置は特定することができる。

【０１０３】前述した第３基板ブロック２３０の切断方
法について図３５を参照しながら説明する。

【０１０４】まず第１ステップとして、基準面２２３に
対して４５°の角度を有する平面２２４ａ備えたジグ２
２４を準備する。このジグ２２４の平面２２４ａ上に前
述の方法で第３基板ブロック２３０を固定する。そして
切断手段として用いられる外周刃切断機２２５の複数の
刃２２５ａのうちの一つの刃先を第３基板ブロック２３
０上に設けられているカッティング位置２２２に合わせ
てから、図３５の紙面の手前から奥に向かって（若しく
はその逆）外周刃切断機２２５を移動させて、図３５の
第２ステップに示すように切断面２２６を形成する。

【０１０５】次にジグ２２４を９０°図面上左方向に回
転させて、図３５の第３ステップに示すような状態とす
る。そして第１ステップと同様に外周刃切断機２２５を
動かして切断して、切断面２２７を形成して、図３５の
第４ステップに示すガイドバー２２８を切り出す。

【０１０６】その後切り出されたガイドバー２２８の周
囲を図３５の第５ステップに示すように所定の量だけラ
ッピングする。

【０１０７】以下ラッピング工程について説明する。ま
ず最初に切り出してきたガイドバー２２８をアルコール
等の洗浄液で洗浄して表面に付着したゴミ等を除去す
る。そして図３５に示すＯＬ面２２８ａが上面となるよ
うにガイドバー２２８をラッピング手段に設置してＯＬ
面のラッピングを開始する。設置に際してはガイドバー
２２８に傷等が入らないようにワックス等を用いて張り
付けることが好ましい。ラッピングは、複数の砥石や砥
粒等を用いて行うことが仕上げの調整を容易に行うこと
ができるので好ましい。本実施の形態においては、最初
に粗度の荒い（８００番程度）砥粒等を用いて荒いラッ
ピングを行い、次に粒径３ミクロン程度のダイヤモンド
の砥粒を錫定盤上で使用してＯＬ面２２８ａの表面の粗
度を整えて、最後に粒径１ミクロン程度の酸化セリウム
を樹脂プレートあるいはポリウレタンパッドを用いて最
終のラッピングを行う（ポリッシュ）。この時、入出射
光に発生する収差量を極力おさえるために面粗さを２ｎ
ｍ以下にすることが望ましい。

【０１０８】上記のラッピング工程とすることで上記面
粗さを充分に達成することができる。収差を考慮する面
はＯＬ面と入射面である。なお本実施の形態においては
このような構成の砥粒，砥石及び定盤を用いたが、これ
らに限定するものではない。またラッピング工程におい
ては、粒径の大きな工程から小さな工程へとラッピング
工程を設けることが、ラッピング工程の製造効率を向上
させることができ、従って製造時間の短縮、コストの削
減等が可能になるので好ましい。

【０１０９】引き続いてＯＬ面２２８ａの対面であるセ
ンサ面２２８ｂ，入射面２２８ｃ，入射面２２８ｃの対
面である入射裏面２２８ｄをＯＬ面２２８ａと同様の手
法でラッピングする。

【０１１０】以上のようにガイドバー２２８のＯＬ面２
２８ａ，センサ面２２８ｂ，入射面２２８ｃ及び入射裏
面２２８ｄをラッピングすることにより、従来よりも効
率よく必要な面の研磨を行うことができるので、生産効
率を向上させることができる。従ってより低コストで精
度の高い光ガイド部材を提供することができる。

【０１１１】またこれらの面をラッピングすることによ
り、それらの面のうちＯＬ面２２８ａ，センサ面２２８
ｂ及び入射面２２８ｃを介して入射若しくは出射される
光の特性を良好に保つことができるとともに入射裏面２
２８ｄに入射してきた光の透過性を非常に良好にするこ
とができる。従って収差の発生がほとんどなく、かつ、
不必要な迷光の抜けの良い、非常に性能の高い光ガイド
部材５，４１を提供することができる。

【０１１２】そして最後に図３５の第６ステップに示す
ようにガイドバー２２８から光ガイド部材５，４１を切
り出す。切り出しに際してはマルチワイヤソー等の切断
機械を用いて、ガイドバー２２８から一工程で複数の光
ガイド部材５，４１を切り出すことが、工程数及び製造
コストの削減の点から好ましい。更に光ガイド部材５，
４１の必要な面に反射防止膜を形成することが迷光の抜
けを更に向上させることができるので好ましい。

【０１１３】

【発明の効果】本発明によれば、光源から照射された光
の入射方向に対して傾斜した複数の基板を有し、光源か
らの光を媒体に導くとともに媒体から反射してきた光を
所定の位置に導く光ガイド部材の製造方法であって、前
記複数の基板のうち少なくとも一枚の基板に複数の光学
素子を形成し、前記複数の基板で前記複数の光学素子を
挟み込むように接合して基板ブロックを形成し、前記基
板ブロックを切断して前記光ガイド部材を形成した後、
前記光ガイド部材をラッピングすることにより、従来よ
りも効率よく必要な面の研磨を行うことができるので、
生産効率を向上させることができる。従ってより低コス
トで精度の高い光ガイド部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
のパッケージングの構成を示す断面図

【図２】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
のパッケージングの構成を示す断面図

【図３】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の動作の概念図

【図４】本発明の一実施の形態における光ガイド部材の
組立を示す斜視図

【図５】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の偏光面変換基板の斜視図

【図６】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の受光部配置及び信号処理を示す図

【図７】本発明の一実施の形態における相変化型光ディ
スク対応光ピックアップの構成図

【図８】本発明の一実施の形態におけるλ／４板の概観
図

【図９】本発明の一実施の形態における相変化型光ディ
スク用の光ピックアップの受光素子に設けられた受光部
の配置図

【図１０】本発明の一実施の形態における第１基板の製
造工程を示した図

【図１１】本発明の一実施の形態における第１基板の製
造工程を示した図

【図１２】本発明の一実施の形態における第１基板の製
造工程を示した図

【図１３】本発明の一実施の形態における第１基板の製
造工程を示した図

【図１４】本発明の一実施の形態における第１基板の製
造工程を示した図

【図１５】本発明の一実施の形態における第１基板の製
造工程を示した図

【図１６】本発明の一実施の形態における第１基板の製
造工程を示した図

【図１７】本発明の一実施の形態における第１基板の製
造工程を示した図

【図１８】本発明の一実施の形態における４段ステップ
型ホログラムの正面図

【図１９】本発明の一実施の形態におけるＸ−Ｘ’の断
面図

【図２０】本発明の一実施の形態における４段ステップ
ホログラム形成のプロセス図

【図２１】本発明の一実施の形態における第２基板の製
造工程を示した図

【図２２】本発明の一実施の形態における第２基板の製
造工程を示した図

【図２３】本発明の一実施の形態における第２基板の製
造工程を示した図

【図２４】本発明の一実施の形態における第２基板の製
造工程を示した図

【図２５】本発明の一実施の形態における第２基板の製
造工程を示した図

【図２６】本発明の一実施の形態における第２基板の製
造工程を示した図

【図２７】本発明の一実施の形態における第２基板の製
造工程を示した図

【図２８】本発明の一実施の形態における第２基板の製
造工程を示した図

【図２９】本発明の一実施の形態における第１基板ブロ
ックの組立工程を示した図

【図３０】本発明の一実施の形態における第２基板ブロ
ックの製造工程を示す図

【図３１】本発明の一実施の形態における積層ブロック
の製造工程を示す断面図

【図３２】本発明の一実施の形態におけるアラインメン
ト装置を示す断面図

【図３３】本発明の一実施の形態における第３基板ブロ
ックの上面図及び側面図

【図３４】本発明の一実施の形態における第３基板ブロ
ックの断面図

【図３５】本発明の一実施の形態における第３基板ブロ
ックの切断工程を示した図

【図３６】本発明の一実施の形態における第３基板ブロ
ックの基準面切断を示した図

【符号の説明】

１光源２サブマウント２ａ電極面３ブロック３ａ突起部３ｂ端面部４放熱板４ａ孔５光ガイド部材５ａ第一の斜面５ｂ第二の斜面５ｃ第三の斜面５ｅ面５ｆ面６回折格子７拡散角変換ホログラム９第一のビームスプリッター膜９ａ保護膜１０非点収差発生ホログラム１１第二のビームスプリッター膜１２偏光分離膜１３受光素子１３ａ電極１４パッケージ１４ａリードフレーム１４ｂリードフレームの足１４ｃ段差１４ｄワイヤ１５シェル１６カバー部材１６ａ反射防止膜１７隙間２６対物レンズ２７記録媒体２７ａ記録媒体面２８第二のビームスプリッター膜２９ａ，２９ｂ，２９ｃビームスポット３０理想球面波３１偏光面変換基板３１ａ第１他斜面３１ｂ第２他斜面３１ｃ第一面３１ｄ第二面３３ λ／４板３４ハーフミラー３５ビームスプリッター膜３６受光素子３７，３８，３９，４０受光部４１光ガイド部材４１ａ第一の斜面４１ｂ第二の斜面４１ｃ第三の斜面４１ｅ面４１ｆ面１１７透過光１１７ａ偏光面１１７ＳＳ偏光成分１１７ＰＰ偏光成分１２３反射光１２４反射膜１２５反射膜１２６反射膜１２８入射面１７０，１７１，１７２，１７２ａ，１７２ｂ，１７２
ｃ，１７２ｄ，１７６，１７７受光部２００第１基板２００ａ第１面２００ｂ第２面２０１第１マーカ２０２第２マーカ２０３反射膜２０４レジスト２０５第２基板２０５ａ第１面２０５ｂ第２面２０６第３マーカ２０７第４マーカ２０８ハーフミラー２０９レジスト２１０第１基板ブロック２１１第０基板２１２第１基板群２１３第２基板群２１４第２基板ブロック２１５第３基板２１５ａ端面２１６第４基板２１６ａ端面２１７基板群２１８積層ブロック２１８ａ切断面２１９偏光面ブロック２２０第５基板２２１アラインメントマーカ２２２カッティング位置２２３基準面２２４ジグ２２４ａ平面２２５外周刃切断機２２５ａ刃２２６切断面２２７切断面２２８ガイドバー２２８ａＯＬ面２２８ｂセンサ面２２８ｃ入射面２２８ｄ入射裏面２３０第３基板ブロック２３０ａ光ガイド面２３０ｂワイヤ進入面２３０ｃ，２３０ｄ側面部２３０ｅ上面２３０ｆ交点２６１第１ステップホログラムパターン２６２第１ステップホログラム２６３第２ステップホログラムパターン２６４第１ステップホログラムライン部分２６５第１ステップホログラムスペース部分２６６第２ステップホログラム２６７反射膜３００固定テーブル３０１可動ステージ３０２観測手段６１６異常光軸６１７常光軸

フロントページの続き (72)発明者別府史章大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源から照射された光の入射方向に対して
傾斜した複数の基板を有し、光源からの光を媒体に導く
とともに媒体から反射してきた光を所定の位置に導く光
ガイド部材の製造方法であって、前記複数の基板のうち
少なくとも一枚の基板に複数の光学素子を形成し、前記
複数の基板で前記複数の光学素子を挟み込むように接合
して基板ブロックを形成し、前記基板ブロックを切断し
て前記光ガイド部材を形成した後、前記光ガイド部材を
ラッピングすることを特徴とする光ガイド部材の製造方
法。
【請求項２】光源から照射された光の入射方向に対して
傾斜した複数の基板を有し、光源からの光を媒体に導く
とともに媒体から反射してきた光を所定の位置に導く光
ガイド部材の製造方法であって、前記複数の基板のうち
少なくとも一枚の基板に複数の光学素子を形成し、前記
複数の基板で前記複数の光学素子を挟み込むように接合
して基板ブロックを形成し、前記基板ブロックを切断し
て、前記光ガイド部材を複数包含した光ガイド部材バー
形成し、前記光ガイド部材バーをラッピングした後、前
記光ガイド部材バーから前記光ガイド部材を切り出すこ
とを特徴とする光ガイド部材の製造方法。
【請求項３】ラッピング時に用いる砥粒として、ダイア
モンドまたは酸化セリウムの少なくとも一方を用いるこ
とを特徴とする請求項１，２いずれか１記載の光ガイド
部材の製造方法。
【請求項４】ラッピング工程において、粒径の大きな砥
粒を用いる工程の少なくともひとつを粒径の小さな砥粒
を用いる工程よりも前工程におくことを特徴とする請求
項１〜３いずれか１記載の光ガイド部材の製造方法。