JPH10134519A - 変調装置および復調装置とそれらの方法 - Google Patents

変調装置および復調装置とそれらの方法

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JPH10134519A
JPH10134519A JP8290805A JP29080596A JPH10134519A JP H10134519 A JPH10134519 A JP H10134519A JP 8290805 A JP8290805 A JP 8290805A JP 29080596 A JP29080596 A JP 29080596A JP H10134519 A JPH10134519 A JP H10134519A
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JP
Japan
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dsv
modulation
control data
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JP8290805A
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Chiaki Nonaka
千明 野中
Masahiro Shigenobu
正大 重信
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Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 装置の小規模化および低価格化を図り、DS
Vコントロールを適切に行う変調装置および復調装置を
提供する。 【解決手段】 記録データS22は変調器51において
変調される。DSV計算器55において、変調データS
51のDSV値が1DSVフレーム単位で算出される。
比較器56は、記録開始から累積したDSV値S57お
よびDSV値S55の極性の比較結果S56をDSVコ
ントロールビット挿入器53に出力する。DSVコント
ロールビット挿入器53は、1DSVフレームだけ遅延
された変調データS52の所定の挿入位置に、比較結果
S56に応じた3ビットのDSVコントロールデータを
挿入する。その後、変調データS53はNRZ変調され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクにデー
タを記録する際に用いられる変調装置およびその方法
と、光ディスクからデータを再生する際に用いられる復
調装置およびその方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスクに信号を記録する際に、光デ
ィスクに記録するのに適した信号に元の信号が変調され
る。このような変調方式として、例えば、CD(Compact
Disc)やMD(Mini Disc)などに用いられるEMF(Eigh
t to Fourteen Modulation)方式やDVD(DigitalVideo
Disc)などに用いられる8−16変調方式がある。しか
しながら、これらの変調方式は、変換効率(変調前のデ
ータ長に対する変調後のデータ長の比)があまり良くな
い(大きい)。すなわち、変換後のデータの冗長性が高
い。
【0003】ところで、変換効率の観点では、ランレン
グス変調方式であるRLL(1,7)変調方式が優れて
いる。RLL(1,7)方式は、元データを、最小ラン
が「1」で、最大ランが「7」のデータに変調する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このR
LL(1,7)変調方式では、変調信号の低域成分の制
御を行なっていないことから、EFM方式や8−16変
調方式などの低域成分の制御を行なう変調方式に比べ
て、変調信号に含まれる低域成分が大きい。なお、変調
信号の低域成分の制御は、一般的に、DSV(Digital S
um Value)を制御して行なわれる。ここで、DSVは、
記録波形列において、シンボル「1」,「0」を、それ
ぞれ「+1」および「−1」とし、波形列の開始時点か
らシンボルの和を次々に求めた値である。このように低
域成分が変調信号に含まれると、ディスク上のピットで
データ記録が行なわれるROMディスクにおいては、再
生時に、この低域成分が光ピックアップのサーボ信号に
漏れ込み、当該サーボに悪影響を及ぼすという問題があ
る。
【0005】また、このような低域成分があると、復調
回路に、かかる低域成分の影響を除去するための機能を
備える必要があり、復調回路が複雑化および高価格化す
るという問題がある。なお、MO(Maguneto Optical)デ
ィスクなどのRAMディスクでは、ディスクに形成され
たサーボ用のマークによってヘッドのサーボを行うこと
から、再生信号に含まれる低域成分によって当該サーボ
は影響を受けない。
【0006】ところで、ピット列によってデータを記録
するROM領域の外側に、MOディスクなどからなるR
AM領域を備えたディスクがある。このようなディスク
では、MOなどのRAM領域では磁気信号からサーボ信
号を生成しないためDSVコントロールを行う必要はな
いが、ROM領域では、前述した理由からある程度DS
Vコントロール行う必要がある。ここで、RAM領域に
アクセスするときはDSVコントロールを行わず、RO
M領域にアクセスするときのみDSVコントロールを行
う方式が考えられるが、この方式では、RAM領域およ
びROM領域にアクセスするのに用いる変調回路および
復調回路をそれぞれ個別に設ける必要があり、装置が大
規模化および高価格化してしまう。一方、RAM領域お
よびROM領域の双方にDSVコントロールを行うと、
RAM領域に記録されるデータの冗長性が高くなり、R
AM領域に記録可能なデータ量が減少してしまう。
【0007】本発明は、上述した従来技術に鑑みてなさ
れ、ROM領域およびRAM領域の双方を備えたディス
クの記録再生する際に、装置の小規模化および低価格化
と記録可能なデータ量の向上とを図りつつ、DSVコン
トロールを適切に行う変調装置および復調装置と、それ
らの方法とを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上述した従来技術の問題
点を解決し、上述した目的を達成するために、本発明の
変調装置は、光ディスクに記録する記録データの変調を
行う変調装置であって、前記記録データをランレングス
変調する変調手段と、前記変調データの同期データ以外
の所定の挿入位置に、2ビット以上のビット数で構成さ
れ、前記挿入位置の前後のデータパターンとの関係で前
記ランレングス変調によって規定される制限を守りなが
らDSV値を調整するDSV制御データを挿入するDS
V制御データ挿入手段とを有する。
【0009】本発明の変調装置では、ランレングス変調
方式を採用することから高い変換効率を得ることがで
き、DSV制御を行うことから変調信号に含まれる低域
成分を効果的に抑制できる。そのため、例えば、ROM
領域およびRAM領域の双方を備えたディスクに対して
記録を行う記録装置に用いれば、一つの変調装置を用い
て、RAM領域では記録データの冗長度を低減して大き
な記録量を得ることができ、ROM領域に記録を行う際
には、光ピックアップのサーボ制御に悪影響を及ぼす変
調信号の低域成分を抑制できる。
【0010】また、本発明の復調装置は、ランレングス
方式で変調され、同期データ以外の所定の挿入位置に、
2ビット以上のビット数で構成され前記挿入位置の前後
のデータパターンとの関係で前記ランレングス変調によ
って規定される制限を守りながらDSV値を調整するD
SV制御データが挿入された記録データを復調する復調
装置であって、前記記録データに含まれる同期データを
検出する同期データ検出手段と、前記検出された同期デ
ータに基づいて、前記記録データ中の前記DSV制御デ
ータの位置を検出するDSV制御データ位置検出手段
と、前記DSV制御データの検出位置に基づいて、前記
記録データに含まれるDSV制御データを除去するDS
V制御データ除去手段と、前記DSV制御データが除去
された記録データをランレングス復調する復調手段とを
有する。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係わる
光ディスク装置について説明する。第1実施形態 図1は、本実施形態に係わる光ディスク装置1の構成図
である。図1に示すように、光ディスク装置1は、エン
コードモジュール2、磁界変調ドライバ3、磁界ヘッド
4、光学系5、スピンドルモータ6、サーボ回路7、デ
コードモジュール8およびコントローラ9を有し、光デ
ィスク10の記録・再生を行う。
【0012】光ディスク10は、図2に示すように、光
磁気記録方式で書換え可能なRAM領域40の内側に、
ROM領域41を有している。RAM領域40は、レー
ザービームによって局所点に温度をキューリー温度より
上げ、そこに加わった外部磁界により垂直磁化すること
で記録が行われ、光をあてたときに偏光面がごくわずか
に回転するカー効果を利用して読み出しが行われるMO
ディスクなどからなる領域である。また、ROM領域4
1は、ピット列によってデータを記録した再生専用領域
である。
【0013】磁界変調ドライバ3は、変調部21から入
力した変調データS21から磁界変調信号を生成し、こ
の磁界変調信号S3を磁界ヘッド4を介して光ディスク
10に記録する。
【0014】光学系5は、サーボ回路7からの制御信号
S7bに基づいて、トラッキング制御およびフォーカス
制御を行なう。スピンドルモータ6は、サーボ回路7か
らの駆動信号S7aに基づいて、光ディスク10を回転
する。
【0015】エンコードモジュール エンコードモジュール2は、データ入力部25、ID・
EDCエンコード部24、ECCエンコード部23、メ
モリ22および変調部21を有する。エンコードモジュ
ール2では、コントローラ9による制御に基づいて、デ
ータ入力部25から記録データを入力し、この記録デー
タに、ID・EDCエンコード部24においてIDおよ
びEDC(Error Detection Code)を付加し、ECCエン
コード部23においてECC(Error CorrectionCode)を
付加した後にメモリ22に記憶する。ここで、IDはブ
ロック化したデータの先頭に付されるアドレスデータを
示している。そして、メモリ22から記録データを読み
出し、変調部21において後述するRLL(1,7)変
調を行い、変調データS21を磁界変調ドライバ3に出
力する。
【0016】変調部21について詳細に説明する。図3
は、変調部21の構成図である。図3に示すように、変
調部21は、変調器51、1DSVフレーム遅延器5
2、DSVコントロールビット挿入器53,NRZ器5
4、DSV計算器55,57および比較器56を有す
る。
【0017】変調器51は、図1に示すメモリ22から
記録データS22を入力し、この記録データS22をR
LL(1,7)変調し、変調データS51を1DSVフ
レーム遅延器52およびDSV計算器55に出力する。
【0018】1DSVフレーム遅延器52は、変調デー
タS51を1DSVフレーム分だけ遅延し、変調データ
S52としてDSVコントロールビット挿入器53に出
力する。この遅延は、DSV計算器55におけるDSV
計算時間との間でタイミングをとるために行なわれる。
DSV計算器55は、1DSVフレーム分の変調データ
S51についてのDSVを計算し、そのDSV値S55
を比較器56に出力する。DSV計算器57は、DSV
コントロール終了後の変調データS21のDSVを、記
録開始から累積し、その累積結果であるDSV値S57
を比較器56に出力する。
【0019】比較器56は、DSV値S55とDSV値
S57の極性を比較し、その極性が同一であるか否かを
判断し、極性比較結果S56をDSVコントロールビッ
ト挿入器53に出力する。
【0020】DSVコントロールビット挿入器53は、
極性比較結果S56に基づいて、所定の規則に従って、
図4(A)に示す変調データS52の所定の挿入位置に
DSVコントロールデータ62を挿入し、図4(B)に
示すような変調データS53を生成し、これをNRZ器
54に出力する。DSVコントロールデータ62は、変
調データS52の同期信号60から所定のビット数だけ
離れた位置に挿入される。本実施形態では、変調データ
S52におけるDSVコントロールデータ62の挿入位
置は等間隔であるが、この挿入位置は等間隔でなくても
よい。なお、一対の変調データ61およびDSVコント
ロールデータ62によって1DSVフレームが構成され
る。
【0021】以下、DSVコントロールビット挿入器5
3における処理について詳細に説明する。DSVコント
ロールビット挿入器53では、RLL(1,7)による
制限を守りながら変調データS52にDSVコントロー
ルデータ62を例えば所定間隔で挿入する。図5および
図6は、変調データS52に、3ビットのDSVコント
ロールデータ62を挿入する場合におけるDSVコント
ロールデータ62の内容と挿入位置との関係を説明する
ための図である。
【0022】図5および図6において、(A)〜(G)
は変調データS52中で隣接する「1」相互間に存在す
る「0」の数で分類しており、(A)は「0」が7個連
続する場合、(B)は「0」が6個連続する場合、
(C)は「0」が5個連続する場合、(D)は「0」が
4個連続する場合、(E)は「0」が3個連続する場
合、(F)は「0」が2個連続する場合、(G)は
「0」が1個連続する場合を示している。また、DSV
コントロールビット挿入器53は、極性比較結果S56
に基づいて、DSV値S55とDSV値S57とが同一
極性であれば、図5および図6に示す「反転」に対応す
るDSVコントロールデータ62を挿入し、そうでなけ
れば「非反転」に対応するDSVコントロールデータ6
2を挿入する。ここで、「反転」に示されるDSVコン
トロールデータ62は「1」を奇数個、本実施形態では
1個だけ含み、DSVコントロールデータ62に挿入に
よってDSV計算器57からのDSV値S57を減少
(マイナス方向に増加)させる。一方、「非反転」に示
されるDSVコントロールデータ62は「1」をゼロを
含む偶数個、本実施形態では2個含み、DSVコントロ
ールデータ62に挿入によってDSV計算器57からの
DSV値S57を増加(プラス方向に増加)させる。こ
のように、極性比較結果S56に基づいて、DSVコン
トロールデータ62を選択的に使用することで、DSV
計算器57からのDSV値S57の絶対値を低減させる
ことができる。
【0023】例えば、図5(A)に示す場合において、
変調データS52の矢印70に示す位置にDSVコント
ロールデータ62を挿入するとき、DSVコントロール
データ62の挿入によって変調データのDSV値を低減
させるために、DSV値S55とDSV値S57とが同
一極性であれば、「反転」に示される「001」をDS
Vコントロールデータ62として挿入する。これによっ
て、「01000000010」の変調データS52
は、「001」のDSVコントロールデータ62を挿入
し、「01001000000010」の変調データS
53となる。
【0024】ところで、DSVコントロールビット挿入
器53では、RLL(1,7)の制限を守りながら、D
SVコントロールデータ62を挿入しなければならない
ため、3ビット以下のDSVコントロールデータ62で
は、変調データのDSV値を低減できない場合が生じ
る。例えば、図5(A)に示す場合において、変調デー
タの矢印70で示す位置に、偶数個の「1」を含む3ビ
ットのDSVコントロールデータ62を挿入すると、必
ず「1」が連続する部分が生じ、最小反転間隔を「1」
にするというRLL(1,7)の制限を守ることができ
なくなる。このような場合について、図5では「できな
い」と記載してある。
【0025】DSVコントロールビット挿入器53で
は、このように「非反転」を選択すべきときで、RLL
(1,7)の制限を守ることができなくなる場合に、
「反転」のDSVコントロールデータ62を用いる。こ
のとき、DSV値S57の絶対値が増大してしまうが、
このような事態の発生頻度は低いため、全体としてDS
V値を効果的に抑制できる。
【0026】ところで、図5および図6に示す「反転」
のDSVコントロールデータ62は、RLL(1,7)
の制限を守ることのみならず、符号間干渉の影響を低減
させるという観点も含めて決定してある。すなわち、一
般的に、符号間干渉は、隣接するT(マーク)の長さの
差が大きいほど、大きな影響がでることが知られている
が、図5および図6に示すDSVコントロールデータ6
2は、隣接するT(マーク)の長さの差を極力小さくす
るように決定してある。例えば、図5(A)に示す矢印
71の位置に挿入する3ビットのDSVコントロールデ
ータ62は、「001」、「010」および「100」
のいずれでも良いが、符号間干渉を低減するという観点
から、左右のT(マーク)の大きさの差が最も小さくな
る「100」を選択している。
【0027】デコードモジュール デコードモジュール8は、データ出力部35、EDCデ
コード部34、ECCデコード部33、メモリ32、復
調部31およびIDデコード部36を有する。デコード
モジュール8では、光学系5からの再生信号S5を復調
部31にて復調し、復調信号S31をメモリ32に記憶
する。このとき、IDデコード部36は、コントローラ
9から入力したIDデータと、復調部31による復調信
号から検出したIDデータとに基づいて、メモリ32の
所定の記録領域に復調データを記録させる。次に、メモ
リ32から読み出された復調データS32が、ECCデ
コード部33においてECCデコード処理され、EDC
デコード部34においてEDCデコード処理された後
に、EDCデコード部34を介して再生データとして出
力される。
【0028】以下、復調部31について詳細に説明す
る。図7は、復調部31の構成図である。図7に示すよ
うに、復調部31は、DSVコントロールビット削除器
71、コントロールビット位置検出器72、同期信号検
出器73および復調器74を有する。復調部31では、
同期信号検出器73において、再生信号S5に含まれる
同期信号を検出し、その検出タイミング示す検出信号S
73をコントロールビット位置検出器72に出力する。
【0029】コントロールビット位置検出器72は、検
出信号S73から図4(B)に示すDSVコントロール
データ(ビット)62の位置を特定し、その特定信号S
72をDSVコントロールビット削除器71に出力す
る。そして、DSVコントロールビット削除器71は、
特定信号S72に基づいて、再生信号S5からDSVコ
ントロールデータ62を削除し、その前後を接続したデ
ータS71を復調器74に出力する。復調器74は、デ
ータS71についてRLL(1,7)復調を行い、復調
データS31を図1に示すメモリ32に出力する。
【0030】以上説明したように、光ディスク装置1に
よれば、変換効率の良いRLL(1,7)変調方式で記
録データを変調することで、光ディスク10のRAM領
域に、記録データを低い冗長性で効率的に記録できる。
また、光ディスク装置1によれば、変調データにDSV
コントロールを行うことから、光ディスク10のROM
領域に記録する記録データの低域成分を効果的に抑制で
き、光ピックアップなどのサーボに悪影響が生じること
を効果的に回避できる。また、光ディスク装置1によれ
ば、ROM領域とRAM領域において、変調回路および
復調回路を共用することができ、回路の縮小化および低
価格化を図れる。
【0031】第2実施形態 本実施形態に係わる光ディスク装置は、基本的には、図
1に示す第1実施形態の光ディスク装置と同じである
が、図3に示す変調部21のDSVコントロールビット
挿入器53において、変調データS52に2ビットのD
SVコントロールデータを挿入する点が異なる。図8お
よび図9は、変調データS52に、2ビットのDSVコ
ントロールデータ62を挿入する場合におけるDSVコ
ントロールデータ62の内容と挿入位置との関係を説明
するための図である。
【0032】図8および図9において、(A)〜(G)
は変調データS52中で隣接する「1」相互間に存在す
る「0」の数で分類しており、(A)は「0」が7個連
続する場合、(B)は「0」が6個連続する場合、
(C)は「0」が5個連続する場合、(D)は「0」が
4個連続する場合、(E)は「0」が3個連続する場
合、(F)は「0」が2個連続する場合、(G)は
「0」が1個連続する場合を示している。
【0033】また、DSVコントロールビット挿入器5
3は、極性比較結果S56に基づいて、DSV値S55
とDSV値S57とが同一極性であれば、図8および図
9に示す「反転」に対応するDSVコントロールデータ
62を挿入し、そうでなければ「非反転」に対応するD
SVコントロールデータ62を挿入する。ここで、「反
転」に示されるDSVコントロールデータ62は「1」
を奇数個、本実施形態では1個だけ含み、DSVコント
ロールデータ62に挿入によってDSV計算器57から
のDSV値S57を変化させない。一方、「非反転」に
示されるDSVコントロールデータ62は「1」をゼロ
を含む偶数個、本実施形態では0個含み、DSVコント
ロールデータ62に挿入によってDSV計算器57から
のDSV値S57を減少(マイナス方向に増加)させ
る。このように、極性比較結果S56に基づいて、DS
Vコントロールデータ62を選択的に使用することで、
DSV計算器57からのDSV値S57の絶対値を低減
させることができる。
【0034】例えば、図8(D)に示す場合において、
変調データS52の矢印80に示す位置にDSVコント
ロールデータ62を挿入するとき、DSVコントロール
データ62の挿入によって変調データのDSV値を低減
させるために、DSV値S55とDSV値S57とが同
一極性であれば、「反転」に示される「01」をDSV
コントロールデータ62として挿入する。これによっ
て、「010000010」の変調データS52は、
「01」のDSVコントロールデータ62を挿入し、
「01010000010」の変調データS53とな
る。本実施形態においても、図8および図9に示すDS
Vコントロールデータ62は、RLL(1,7)の制限
を守ることのみならず、符号間干渉の影響を低減させる
という観点も含めて決定してある。本実施形態の光ディ
スク装置によっても、前述した第1実施形態の光ディス
ク装置1と同様の効果を得ることができる。
【0035】第3実施形態 本実施形態の光ディスク装置は、基本的には、図1に示
す第1実施形態の光ディスク装置と同じであるが、図1
0に示すように、変調部121が、図3に示す変調部2
1と異なる。なお、図10において、図3と同じ構成要
素には同じ符号を付してある。図10に示すように、変
調部121は、変調器51,82、1DSVフレーム遅
延器81、DSVコントロールビット挿入器53,NR
Z器54、DSV計算器51,57および比較器56を
有する。
【0036】変調部121の一方のデータ処理系列は、
記録データS22を、変調器51によって変調し、変調
データS51に基づいてDSV計算器55において1D
SVフレーム分のDSV値を算出し、このDSV値S5
5を比較器56に出力する点は、変調部21と同じであ
る。但し、変調部121の他方のデータ処理系列では、
記録データS22を、1DSVフレーム遅延器81にお
いて1DSVフレーム分だけ遅延させた後に、変調器8
2においてRLL(1,7)変調を行い、この変調デー
タS82をDSVコントロールビット挿入器53に出力
する点が変調部21と異なる。
【0037】なお、本実施形態の光ディスク装置によっ
ても、前述した第1実施形態の光ディスク装置1と同様
の効果を得ることができる。
【0038】本発明は上述した実施形態には限定されな
い。例えば、前述した実施形態では、RLL(1,7)
変調を用いたが、本発明は、その他のランレングス変調
にも適用できる。また、上述した実施形態では、DSV
コントロールデータ62として3ビットおよび2ビット
のものを例示したが、DSVコントロールデータ62と
して4ビット以上のものを用いてもよい。
【0039】また、本発明では、変調部21において、
DSV計算器57からのDSV値S57の絶対値を低減
させるDSVコントロールデータ62を変調データS5
2に挿入するとランレングス変調によって規定される制
限が守れなくなる場合に、DSVの調整は行わずに、挿
入位置の前後のデータパターンとの関係で符号間干渉を
最も小さくするデータをDSVコントロールデータの代
わりに挿入位置に挿入するようにしてもよい。
【0040】さらに、上述した実施形態では、光ディス
ク10のRAM領域としてMO領域を例示したが、この
RAM領域として磁気記録再生領域を用いてもよい。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の変調装置
および復調装置と、それらの方法によれな、例えば、R
OM領域およびRAM領域の双方を備えたディスクの記
録再生する際に、装置の小規模化および低価格化と記録
可能なデータ量の向上とを図りつつ、DSVコントロー
ルを適切に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の第1実施形態に係わる光ディ
スク装置の構成図である。
【図2】図2は、図1に示す光ディスクの構造を説明す
るための図である。
【図3】図3は、図1に示す変調部の構成図である。
【図4】図4において、(A)はDSVコントロールデ
ータを挿入前の変調データを示し、(B)はDSVコン
トロールデータを挿入後の変調データを示す。
【図5】図5は、変調データに、3ビットのDSVコン
トロールデータを挿入する場合におけるDSVコントロ
ールデータの内容と挿入位置との関係を説明するための
図である。
【図6】図6は、変調データに、3ビットのDSVコン
トロールデータを挿入する場合におけるDSVコントロ
ールデータの内容と挿入位置との関係を説明するための
図である。
【図7】図7は、図1に示す復調部の構成図である。
【図8】図8は、変調データに、2ビットのDSVコン
トロールデータを挿入する場合におけるDSVコントロ
ールデータの内容と挿入位置との関係を説明するための
図である。
【図9】図9は、変調データに、2ビットのDSVコン
トロールデータを挿入する場合におけるDSVコントロ
ールデータの内容と挿入位置との関係を説明するための
図である。
【図10】図10は、本発明の第3実施形態に係わる光
ディスク装置の変調部の構成図である。
【符号の説明】
1…光ディスク装置、2…エンコードモジュール、3…
磁界変調ドライバ、4…磁界ヘッド、5…光学系、6…
スピンドルモータ、7…サーボ回路、8…デコードモジ
ュール、9…コントローラ、10…光ディスク、21…
変調部、22…メモリ、23…ECCエンコード部、2
4…ID・EDCエンコード部、25…データ入力部、
31…復調部、32…メモリ、33…ECCデコード
部、34…EDCデコード部、35…データ出力部、3
6…IDデコード部、60…同期データ、61…変調デ
ータ、62…DSVコントロールデータ、71…DSV
コントロールビット削除器、72…コントロールビット
位置検出器、73…同期信号検出器、74…復調器

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光ディスクに記録する記録データの変調を
    行う変調装置において、 前記記録データをランレングス変調する変調手段と、 前記変調データの同期データ以外の所定の挿入位置に、
    2ビット以上のビット数で構成され、前記挿入位置の前
    後のデータパターンとの関係で前記ランレングス変調に
    よって規定される制限を守りながらDSV値を調整する
    DSV制御データを挿入するDSV制御データ挿入手段
    とを有する変調装置。
  2. 【請求項2】前記DSV制御データを挿入する前の前記
    変調データのDSV値を所定のブロック単位で算出する
    第1のDSV値算出手段と、 前記DSV制御データが挿入された後の変調データのD
    SV値を記録開始時から累積する第2のDSV値算出手
    段とをさらに有し、 前記DSV制御データ挿入手段は、前記第1のDSV値
    算出手段および前記第2のDSV値算出手段のDSV値
    に基づいて、所定のDSV制御データを、前記変調デー
    タに挿入する請求項1に記載の変調装置。
  3. 【請求項3】前記DSV制御データ挿入手段は、前記第
    2のDSV値算出手段が算出するDSV値の絶対値を低
    減させるDSV制御データを、前記変調データに挿入す
    る請求項2に記載の変調装置。
  4. 【請求項4】前記DSV制御データ挿入手段は、前記第
    2のDSV値算出手段のDSV値の絶対値を低減させる
    DSV制御データを前記変調データに挿入するとランレ
    ングス変調によって規定される制限が守れなくなる場合
    に、前記第2のDSV値算出手段のDSV値の絶対値を
    増加させるがランレングス変調で規定される制限を守る
    ことができるDSV制御データを、前記変調データに挿
    入する請求項2に記載の変調装置。
  5. 【請求項5】前記DSV制御データ挿入手段は、前記第
    2のDSV値算出手段のDSV値の絶対値を低減させる
    DSV制御データを前記変調データに挿入するとランレ
    ングス変調によって規定される制限が守れなくなる場合
    に、挿入位置の前後のデータパターンとの関係で符号間
    干渉を最も小さくするデータをDSV制御データの代わ
    りに挿入位置に挿入する請求項1に記載の変調装置。
  6. 【請求項6】前記DSV制御データ挿入手段は、前記ラ
    ンレングス変調によって規定される制限を守りながらD
    SV値を調整することができるDSV制御データの候補
    が複数個ある場合に、当該挿入位置において符号間干渉
    を最も小さくするものをDSV制御データとして用いる
    請求項1に記載の変調装置。
  7. 【請求項7】前記光ディスクは、再生専用領域と記録再
    生可能領域とを備える請求項1に記載の変調装置。
  8. 【請求項8】ランレングス方式で変調され、同期データ
    以外の所定の挿入位置に、2ビット以上のビット数で構
    成され前記挿入位置の前後のデータパターンとの関係で
    前記ランレングス変調によって規定される制限を守りな
    がらDSV値を調整するDSV制御データが挿入された
    記録データを復調する復調装置において、 前記記録データに含まれる同期データを検出する同期デ
    ータ検出手段と、 前記検出された同期データに基づいて、前記記録データ
    中の前記DSV制御データの位置を検出するDSV制御
    データ位置検出手段と、 前記DSV制御データの検出位置に基づいて、前記記録
    データに含まれるDSV制御データを除去するDSV制
    御データ除去手段と、 前記DSV制御データが除去された記録データをランレ
    ングス復調する復調手段とを有する復調装置。
  9. 【請求項9】光ディスクに記録する記録データの変調を
    行う変調方法において、 前記記録データをランレングス変調し、 前記変調データの同期データ以外の所定の挿入位置に、
    2ビット以上のビット数で構成され、前記挿入位置の前
    後のデータパターンとの関係で前記ランレングス変調に
    よって規定される制限を守りながらDSV値を調整する
    DSV制御データを挿入する変調方法。
  10. 【請求項10】前記DSV制御データを挿入する前の前
    記変調データのDSV値を所定のブロック単位で算出し
    た第1のDSV値を求め、 前記DSV制御データが挿入された後の変調データのD
    SV値を記録開始時から累積した第2のDSV値を求
    め、 前記第1のDSV値および前記第2のDSV値に基づい
    て、所定のDSV制御データを、前記変調データに挿入
    する請求項9に記載の変調方法。
  11. 【請求項11】前記前記第2のDSV値の絶対値を低減
    させるDSV制御データを、前記変調データに挿入する
    請求項10に記載の変調方法。
  12. 【請求項12】前記第2のDSV値の絶対値を低減させ
    るDSV制御データを前記変調データに挿入するとラン
    レングス変調によって規定される制限が守れなくなる場
    合に、前記第2のDSV値の絶対値を増加させるがラン
    レングス変調で規定される制限を守ることができるDS
    V制御データを、前記変調データに挿入する請求項10
    に記載の変調方法。
  13. 【請求項13】前記第2のDSV値の絶対値を低減させ
    るDSV制御データを前記変調データに挿入するとラン
    レングス変調によって規定される制限が守れなくなる場
    合に、挿入位置の前後のデータパターンとの関係で符号
    間干渉を最も小さくするデータをDSV制御データの代
    わりに挿入位置に挿入する請求項9に記載の変調方法。
  14. 【請求項14】前記ランレングス変調によって規定され
    る制限を守りながらDSV値を調整することができるD
    SV制御データの候補が複数個ある場合に、当該挿入位
    置において符号間干渉を最も小さくするものをDSV制
    御データとして用いる請求項9に記載の変調方法。
  15. 【請求項15】前記光ディスクは、再生専用領域と記録
    再生可能領域とを備える請求項9に記載の変調方法。
  16. 【請求項16】ランレングス方式で変調され、同期デー
    タ以外の所定の挿入位置に、2ビット以上のビット数で
    構成され前記挿入位置の前後のデータパターンとの関係
    で前記ランレングス変調によって規定される制限を守り
    ながらDSV値を調整するDSV制御データが挿入され
    た記録データを復調する復調方法において、 前記記録データに含まれる同期データを検出し、 前記検出された同期データに基づいて、前記記録データ
    中の前記DSV制御データの位置を検出し、 前記DSV制御データの検出位置に基づいて、前記記録
    データに含まれるDSV制御データを除去し、 前記DSV制御データが除去された記録データをランレ
    ングス復調する復調方法。
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