JPH10134933A - サージアブソーバ - Google Patents
サージアブソーバInfo
- Publication number
- JPH10134933A JPH10134933A JP28699596A JP28699596A JPH10134933A JP H10134933 A JPH10134933 A JP H10134933A JP 28699596 A JP28699596 A JP 28699596A JP 28699596 A JP28699596 A JP 28699596A JP H10134933 A JPH10134933 A JP H10134933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- electrode
- insulating substrate
- electrically connected
- surge absorber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、電子機器に印加されるサージ電圧を
吸収するサージアブソーバに関し、過電圧過電流防止用
ヒューズが組み込まれ、かつコストの低減化を図る。 【解決手段】絶縁性基板１の裏面に薄膜ヒューズ１９を
形成する。
吸収するサージアブソーバに関し、過電圧過電流防止用
ヒューズが組み込まれ、かつコストの低減化を図る。 【解決手段】絶縁性基板１の裏面に薄膜ヒューズ１９を
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、過電圧過電流保護
機能を有するサージアブソーバに関する。
機能を有するサージアブソーバに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子機器の保護のために用い
られる、電子機器に印加されるサージ電圧を吸収するサ
ージアブソーバが知られている。例えば、特公昭６３−
５７９１８号公報には、円柱形の絶縁材の表面に導電性
セラミックス薄膜が形成され、その導電性セラミックス
薄膜を分断するように円周方向にマイクロギャップが形
成され、その全体を、内部にガスが充填された状態に円
筒ガラスに密封した構造のサージアブソーバが開示され
ている。また、実開昭４９−８０３５１号公報には、平
板の絶縁性基板上にマイクロギャップを挟んで先の尖っ
た尖塔形の電極が形成されたサージアブソーバが提案さ
れている。
られる、電子機器に印加されるサージ電圧を吸収するサ
ージアブソーバが知られている。例えば、特公昭６３−
５７９１８号公報には、円柱形の絶縁材の表面に導電性
セラミックス薄膜が形成され、その導電性セラミックス
薄膜を分断するように円周方向にマイクロギャップが形
成され、その全体を、内部にガスが充填された状態に円
筒ガラスに密封した構造のサージアブソーバが開示され
ている。また、実開昭４９−８０３５１号公報には、平
板の絶縁性基板上にマイクロギャップを挟んで先の尖っ
た尖塔形の電極が形成されたサージアブソーバが提案さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなサージ吸
収用のサージアブソーバに、過電圧過電流防止のための
ヒューズを組み合わせて使用することがある。その場
合、サージアブソーバとは別にヒューズを取り付けなけ
ればならず、実装面積の増大、実装コストの増大などの
問題が生じていた。特開平３−２３０４８５号公報に
は、線状のヒューズを円柱型のサージ吸収素子に接する
ように架け渡しそのサージ吸収素子をヒューズごと密封
する構造が提案されている。この場合、１つのサージア
ブソーバ内にヒューズが組み込まれているため実装面積
の増大は避けられるが、別部品として製造されたヒュー
ズを組み込むためサージアブソーバ自体のコストの増大
の問題が生じる。
収用のサージアブソーバに、過電圧過電流防止のための
ヒューズを組み合わせて使用することがある。その場
合、サージアブソーバとは別にヒューズを取り付けなけ
ればならず、実装面積の増大、実装コストの増大などの
問題が生じていた。特開平３−２３０４８５号公報に
は、線状のヒューズを円柱型のサージ吸収素子に接する
ように架け渡しそのサージ吸収素子をヒューズごと密封
する構造が提案されている。この場合、１つのサージア
ブソーバ内にヒューズが組み込まれているため実装面積
の増大は避けられるが、別部品として製造されたヒュー
ズを組み込むためサージアブソーバ自体のコストの増大
の問題が生じる。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑み、過電圧過電流
防止用のヒューズが組み込まれ、かつコストの低減化が
図られたサージアブソーバを提供することを目的とす
る。
防止用のヒューズが組み込まれ、かつコストの低減化が
図られたサージアブソーバを提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のサージアブソーバは、平板状の絶縁性基板と、絶縁
性基板表面に、円環状のギャップを有し該ギャップと同
心の円板状に形成された導電膜と、導電膜の中心部に配
置された第１の電極と、導電膜の周縁部に配置された、
上記ギャップと同心円をなす円環状の第２の電極と、絶
縁性基板と協同して、上記第１の電極および上記ギャッ
プを、内部に所定のガスが充填された状態に密封する気
密性被冠材と、気密性被冠材の外部に配置された、第１
の電極に電気的に接続されてなる第１の端子と、気密性
被冠材の外部に配置された、第２の電極に電気的に接続
されてなる第２の端子と、絶縁性基板裏面に形成され
た、少なくとも一部が膜状のヒューズで形成されてなる
膜状の電気的接続経路を経由して、第１の端子と第２の
端子とのうちの一方の端子に接続されてなる、気密性被
冠材の外部に配置された第３の端子とを備えたことを特
徴とする。
明のサージアブソーバは、平板状の絶縁性基板と、絶縁
性基板表面に、円環状のギャップを有し該ギャップと同
心の円板状に形成された導電膜と、導電膜の中心部に配
置された第１の電極と、導電膜の周縁部に配置された、
上記ギャップと同心円をなす円環状の第２の電極と、絶
縁性基板と協同して、上記第１の電極および上記ギャッ
プを、内部に所定のガスが充填された状態に密封する気
密性被冠材と、気密性被冠材の外部に配置された、第１
の電極に電気的に接続されてなる第１の端子と、気密性
被冠材の外部に配置された、第２の電極に電気的に接続
されてなる第２の端子と、絶縁性基板裏面に形成され
た、少なくとも一部が膜状のヒューズで形成されてなる
膜状の電気的接続経路を経由して、第１の端子と第２の
端子とのうちの一方の端子に接続されてなる、気密性被
冠材の外部に配置された第３の端子とを備えたことを特
徴とする。
【０００６】ここで、上記本発明のサージアブソーバに
おいて、上記第１の電極と上記第１の端子は、上記絶縁
性基板の第１の電極が配置された部分に形成された、そ
の絶縁性基板の表裏面間に貫通するとともに、内部に、
第１の電極に電気的に接続された導体が充填されてなる
スルーホールと、その絶縁性基板の裏面に膜状に形成さ
れた、スルーホール内の導体と第１の端子とを電気的に
接続する導体膜とにより電気的に接続されて、その導体
膜と第３の端子が、絶縁性基板の裏面に膜状に形成され
たヒューズにより電気的に接続されてなるものであって
もよく、あるいは、第１の電極と第１の端子が、絶縁性
基板の第１の電極が配置された部分に形成された、内部
に、第１の電極に電気的に接続された導体が充填されて
なるビアホールと、その絶縁性基板の内部に形成され第
１の端子に電気的に接続されるとともにビアホールの底
部においてそのビアホール内部の導体に電気的に接続さ
れた導体層とにより電気的に接続され、第１の端子と第
２の端子のうちの一方の端子と第３の端子が、絶縁性基
板の裏面に膜状に形成されたヒューズにより電気的に接
続されてなるものであってもよい。
おいて、上記第１の電極と上記第１の端子は、上記絶縁
性基板の第１の電極が配置された部分に形成された、そ
の絶縁性基板の表裏面間に貫通するとともに、内部に、
第１の電極に電気的に接続された導体が充填されてなる
スルーホールと、その絶縁性基板の裏面に膜状に形成さ
れた、スルーホール内の導体と第１の端子とを電気的に
接続する導体膜とにより電気的に接続されて、その導体
膜と第３の端子が、絶縁性基板の裏面に膜状に形成され
たヒューズにより電気的に接続されてなるものであって
もよく、あるいは、第１の電極と第１の端子が、絶縁性
基板の第１の電極が配置された部分に形成された、内部
に、第１の電極に電気的に接続された導体が充填されて
なるビアホールと、その絶縁性基板の内部に形成され第
１の端子に電気的に接続されるとともにビアホールの底
部においてそのビアホール内部の導体に電気的に接続さ
れた導体層とにより電気的に接続され、第１の端子と第
２の端子のうちの一方の端子と第３の端子が、絶縁性基
板の裏面に膜状に形成されたヒューズにより電気的に接
続されてなるものであってもよい。
【０００７】本発明のサージアブソーバにおいて、ヒュ
ーズを形成する面を上向きにする必要がある場合は、後
述する実施形態に示すように、導電膜が形成された面を
下向きにし端子にリードを取りつけることによって、ヒ
ューズを形成する面を上向きにすることができる。本発
明のサージアブソーバは、絶縁性基板上に膜状のヒュー
ズを蒸着法によって形成することができ、自動化が容易
であり、低コスト化が可能である。
ーズを形成する面を上向きにする必要がある場合は、後
述する実施形態に示すように、導電膜が形成された面を
下向きにし端子にリードを取りつけることによって、ヒ
ューズを形成する面を上向きにすることができる。本発
明のサージアブソーバは、絶縁性基板上に膜状のヒュー
ズを蒸着法によって形成することができ、自動化が容易
であり、低コスト化が可能である。
【０００８】また、本発明のサージアブソーバは、過電
圧過電流防止用のヒューズが、絶縁性基板の導電膜が形
成されている表面に対する裏面に形成されるため、サー
ジアブソーバに過電圧過電流防止用のヒューズを取り付
けることによる素子の大型化、実装面積の増大などの問
題は生じない。また、本発明のサージアブソーバでは、
絶縁性基板上に膜状のヒューズが形成されるため、機械
的な振動などによってヒューズが断線する可能性が極め
て低く、信頼性が高く、さらに、絶縁性基板上に膜状の
ヒューズが形成されるため、サージアブソーバが過熱し
た場合、その過熱によって生じる熱がヒューズに伝わり
やすく、応答性も良い。
圧過電流防止用のヒューズが、絶縁性基板の導電膜が形
成されている表面に対する裏面に形成されるため、サー
ジアブソーバに過電圧過電流防止用のヒューズを取り付
けることによる素子の大型化、実装面積の増大などの問
題は生じない。また、本発明のサージアブソーバでは、
絶縁性基板上に膜状のヒューズが形成されるため、機械
的な振動などによってヒューズが断線する可能性が極め
て低く、信頼性が高く、さらに、絶縁性基板上に膜状の
ヒューズが形成されるため、サージアブソーバが過熱し
た場合、その過熱によって生じる熱がヒューズに伝わり
やすく、応答性も良い。
【０００９】尚、本発明のサージアブソーバの基本構
造、原理は前掲の特公昭６３−５７９１８号公報に開示
されたものと同じであるため、そこに開示されたサージ
アブソーバに備わっている優れたサージ吸収特性と高い
信頼性がそのまま踏襲されており、さらに、本発明のサ
ージアブソーバには過電圧過電流防止用ヒューズが組み
込まれているため、過熱を防止することができる。
造、原理は前掲の特公昭６３−５７９１８号公報に開示
されたものと同じであるため、そこに開示されたサージ
アブソーバに備わっている優れたサージ吸収特性と高い
信頼性がそのまま踏襲されており、さらに、本発明のサ
ージアブソーバには過電圧過電流防止用ヒューズが組み
込まれているため、過熱を防止することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１〜図６は、本発明のサージアブソーバの
第１実施形態を示す、それぞれ、キャップを一部破断し
て内部構造を示す斜視図、キャップを透視して示す平面
図、キャップを下向きにして示す斜視図、図３の矢印Ａ
−Ａに沿う断面図、図３の矢印Ａ−Ａ’に沿う断面図、
および等価回路図である。ただし、図１、図２には、リ
ード１４，１５，２０を取り付ける前の状態が示されて
いる。
説明する。図１〜図６は、本発明のサージアブソーバの
第１実施形態を示す、それぞれ、キャップを一部破断し
て内部構造を示す斜視図、キャップを透視して示す平面
図、キャップを下向きにして示す斜視図、図３の矢印Ａ
−Ａに沿う断面図、図３の矢印Ａ−Ａ’に沿う断面図、
および等価回路図である。ただし、図１、図２には、リ
ード１４，１５，２０を取り付ける前の状態が示されて
いる。
【００１１】絶縁性基板としての平板状のアルミナ基板
１に、スルーホール１１（図４参照）を形成し、そのス
ルーホール１１内に導体を充填するとともに、アルミナ
基板１の表面に導体膜１０、裏面には、導体膜２１と、
ヒューズ１９を形成する。このヒューズ１９は、蒸着法
によってＰｂ合金膜を付着させることによって形成す
る。さらに、アルミナ基板１の表面に導体膜５としてＴ
ｉＮをスパッタリングにより付着させた後、フォトエッ
チングによって幅約５０μｍの円形のマイクロギャップ
３を形成するとともに導体膜５を所望の円形に成形し、
第１の電極２と第２の電極４を、マイクロギャップ３と
同心円状に導電膜５と接するように取り付ける。さら
に、アルミナセラミックス製のキャップ６をフリットガ
ラス７にて溶着することにより、第１の電極２、マイク
ロギャップ３、第２の電極４を、Ａｒガス中に封じ込
め、さらに、図３〜図５に示す形状のリード１４，１
５，２０を取り付ける。本実施形態では、リード１４，
１５がそれぞれ本発明にいう第１の端子、第２の端子に
相当し、本実施形態には、ヒューズ１９により第１の電
極２に接続された第３の端子（リード２０）を備えてい
る。
１に、スルーホール１１（図４参照）を形成し、そのス
ルーホール１１内に導体を充填するとともに、アルミナ
基板１の表面に導体膜１０、裏面には、導体膜２１と、
ヒューズ１９を形成する。このヒューズ１９は、蒸着法
によってＰｂ合金膜を付着させることによって形成す
る。さらに、アルミナ基板１の表面に導体膜５としてＴ
ｉＮをスパッタリングにより付着させた後、フォトエッ
チングによって幅約５０μｍの円形のマイクロギャップ
３を形成するとともに導体膜５を所望の円形に成形し、
第１の電極２と第２の電極４を、マイクロギャップ３と
同心円状に導電膜５と接するように取り付ける。さら
に、アルミナセラミックス製のキャップ６をフリットガ
ラス７にて溶着することにより、第１の電極２、マイク
ロギャップ３、第２の電極４を、Ａｒガス中に封じ込
め、さらに、図３〜図５に示す形状のリード１４，１
５，２０を取り付ける。本実施形態では、リード１４，
１５がそれぞれ本発明にいう第１の端子、第２の端子に
相当し、本実施形態には、ヒューズ１９により第１の電
極２に接続された第３の端子（リード２０）を備えてい
る。
【００１２】これにより、図６に示すように、リード１
４とリード１５との間に、第１の電極２と第２の電極４
とに挟まれたサージ吸収素子が配置され、かつリード１
４とリード２０との間にヒューズ１９が配列された等価
回路を有するサージアブソーバが実現する。このサージ
アブソーバによれば、信頼性の高いヒューズが組み込ま
れ、実装面積の増大が避けられ、かつ低コスト化が実現
する。
４とリード１５との間に、第１の電極２と第２の電極４
とに挟まれたサージ吸収素子が配置され、かつリード１
４とリード２０との間にヒューズ１９が配列された等価
回路を有するサージアブソーバが実現する。このサージ
アブソーバによれば、信頼性の高いヒューズが組み込ま
れ、実装面積の増大が避けられ、かつ低コスト化が実現
する。
【００１３】図７〜図９は、本発明のサージアブソーバ
の第２実施形態を示す、それぞれ、ギャップを下に向け
た状態の斜視図、図７の矢印Ｂ−Ｂに沿う断面図、およ
び図６の矢印Ｂ−Ｂ′に沿う断面の部分図である。この
第２の実施形態では、絶縁性基板として、ビアホール１
６と導体層１７が形成された低温焼成多層基板２３を用
い、その基板２３の表面には、第１実施形態と同様にし
て第１の電極２、導体膜５、マイクロギャップ３、第２
の電極４、導体膜１０、キャップ６等を、形成ないし配
置し、基板２３の裏面には、リード１４とリード２０と
を結ぶ経絡のほぼ全長にわたって薄膜のヒューズ１９が
形成されている。第１の電極２とリード１４との接続
は、図９に示すように、基板２３の内部の導体層１７を
基板２３の側面に露出させ、基板２３の側面にも導体膜
２２を形成することによって行なう。
の第２実施形態を示す、それぞれ、ギャップを下に向け
た状態の斜視図、図７の矢印Ｂ−Ｂに沿う断面図、およ
び図６の矢印Ｂ−Ｂ′に沿う断面の部分図である。この
第２の実施形態では、絶縁性基板として、ビアホール１
６と導体層１７が形成された低温焼成多層基板２３を用
い、その基板２３の表面には、第１実施形態と同様にし
て第１の電極２、導体膜５、マイクロギャップ３、第２
の電極４、導体膜１０、キャップ６等を、形成ないし配
置し、基板２３の裏面には、リード１４とリード２０と
を結ぶ経絡のほぼ全長にわたって薄膜のヒューズ１９が
形成されている。第１の電極２とリード１４との接続
は、図９に示すように、基板２３の内部の導体層１７を
基板２３の側面に露出させ、基板２３の側面にも導体膜
２２を形成することによって行なう。
【００１４】この第２実施形態においても、図６に示す
等価回路と同一の等価回路で表現される回路構成の、信
頼性の高いヒューズが組み込まれたサージアブソーバが
実現し、実装面積の低減化、低コスト化が図られる。
等価回路と同一の等価回路で表現される回路構成の、信
頼性の高いヒューズが組み込まれたサージアブソーバが
実現し、実装面積の低減化、低コスト化が図られる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
信頼性の高いヒューズが組み込まれ、かつコストの低減
化が図られたサージアブソーバが実現する。
信頼性の高いヒューズが組み込まれ、かつコストの低減
化が図られたサージアブソーバが実現する。
【図１】本発明のサージアブソーバの第１実施形態にお
ける、キャップを一部破断して内部構造を示す斜視図で
ある。
ける、キャップを一部破断して内部構造を示す斜視図で
ある。
【図２】本発明のサージアブソーバの第１実施形態にお
ける、キャップを透視して示す平面図である。
ける、キャップを透視して示す平面図である。
【図３】本発明のサージアブソーバの第１実施形態にお
ける、キャップを下向きにして示す斜視図である。
ける、キャップを下向きにして示す斜視図である。
【図４】本発明のサージアブソーバの第１実施形態にお
ける、図３の矢印Ａ−Ａに沿う断面図である。
ける、図３の矢印Ａ−Ａに沿う断面図である。
【図５】本発明のサージアブソーバの第１実施形態にお
ける、図３の矢印Ａ−Ａ’に沿う断面図である。
ける、図３の矢印Ａ−Ａ’に沿う断面図である。
【図６】本発明のサージアブソーバの第１実施形態の等
価回路図である。
価回路図である。
【図７】本発明のサージアブソーバの第２実施形態にお
ける、キャップを下に向けた状態の斜視図である。
ける、キャップを下に向けた状態の斜視図である。
【図８】本発明のサージアブソーバの第２実施形態にお
ける、図７の矢印Ｂ−Ｂに沿う断面図である。
ける、図７の矢印Ｂ−Ｂに沿う断面図である。
【図９】本発明のサージアブソーバの第２実施形態にお
ける、図７の矢印Ｂ−Ｂ′に沿う断面の部分図である。
ける、図７の矢印Ｂ−Ｂ′に沿う断面の部分図である。
１ アルミナ基板 ２ 電極 ３ マイクロギャップ ４ 電極 ５ 導体膜 ６ キャップ ７ フリットガラス １０ 導体膜 １４，１５ リード １６ ビアホール １７ 導体層 １９ ヒューズ ２０ リード ２１ 導電膜 ２２ 導体膜
Claims (3)
- 【請求項１】 平板状の絶縁性基板と、 前記絶縁性基板表面上に、円環状のギャップを有し該ギ
ャップと同心の円板状に形成された導電膜と、 前記導電膜の中心部に配置された第１の電極と、 前記導電膜の周縁部に配置された、前記ギャップと同心
円をなす円環状の第２の電極と、 前記絶縁性基板と協同して、前記第１の電極および前記
ギャップを、内部に所定のガスが充填された状態に密封
する気密性被冠材と、 前記気密性被冠材の外部に配置された、前記第１の電極
に電気的に接続されてなる第１の端子と、 前記気密性被冠材の外部に配置された、前記第２の電極
に電気的に接続されてなる第２の端子と、 前記絶縁性基板裏面に形成された、少なくとも一部が膜
状のヒューズで形成されてなる膜状の電気的接続経路を
経由して、前記第１の端子と前記第２の端子とのうちの
一方の端子に接続されてなる、前記気密性被冠材の外部
に配置された第３の端子とを備えたことを特徴とするサ
ージアブソーバ。 - 【請求項２】 前記第１の電極と前記第１の端子が、前
記絶縁性基板の前記第１の電極が配置された部分に形成
された、該絶縁性基板の表裏面間に貫通するとともに、
内部に、該第１の電極に電気的に接続された導体が充填
されてなるスルーホールと、前記絶縁性基板の裏面に形
成された、前記スルーホール内の導体と前記第１の端子
とを電気的に接続する導体膜とにより電気的に接続さ
れ、 該導体膜と前記第３の端子が、前記絶縁性基板の裏面に
膜状に形成されたヒューズにより電気的に接続されてな
ることを特徴とする請求項１記載のサージアブソーバ。 - 【請求項３】 前記第１の電極と前記第１の端子が、前
記絶縁性基板の前記第１の電極が配置された部分に形成
された、内部に、該第１の電極に電気的に接続された導
体が充填されてなるビアホールと、前記絶縁性基板の内
部に形成され前記第１の端子に電気的に接続されるとと
もに前記ビアホールの底部において該ビアホール内部の
導体に電気的に接続された導体層とにより電気的に接続
され、 前記第１の端子と前記第２の端子とのうちの一方の端子
と前記第３の端子が、前記絶縁性基板の裏面に膜状に形
成されたヒューズにより電気的に接続されてなることを
特徴とする請求項１記載のサージアブソーバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28699596A JPH10134933A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | サージアブソーバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28699596A JPH10134933A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | サージアブソーバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10134933A true JPH10134933A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17711665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28699596A Withdrawn JPH10134933A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | サージアブソーバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10134933A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2556999A1 (es) * | 2014-07-21 | 2016-01-21 | Bsh Electrodomésticos España, S.A. | Dispositivo de aparato doméstico |
-
1996
- 1996-10-29 JP JP28699596A patent/JPH10134933A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2556999A1 (es) * | 2014-07-21 | 2016-01-21 | Bsh Electrodomésticos España, S.A. | Dispositivo de aparato doméstico |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5388023A (en) | Gas-disccharge overvoltage arrester | |
| US5559663A (en) | Surge absorber | |
| JP3265898B2 (ja) | チップ型サージアブソーバの製造方法 | |
| US6285535B1 (en) | Surge absorber | |
| JPH10134933A (ja) | サージアブソーバ | |
| JPS62136757A (ja) | 電池カバ−組立体 | |
| JPH02283112A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS63218107A (ja) | 避雷碍子 | |
| US6278190B1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH1069960A (ja) | サージアブソーバ | |
| JP4479470B2 (ja) | サージアブソーバ | |
| JP3068993B2 (ja) | 電子回路装置 | |
| JPH10134931A (ja) | サージアブソーバ | |
| JPH1069961A (ja) | サージアブソーバ | |
| JP3969098B2 (ja) | サージアブソーバ | |
| JP4239420B2 (ja) | サージアブソーバ及びその製造方法 | |
| JP2534958B2 (ja) | チップ型サ―ジ吸収素子 | |
| JP4239422B2 (ja) | サージアブソーバ | |
| JP4277430B2 (ja) | チップ型サージアブソーバ | |
| JPH0516848Y2 (ja) | ||
| JPH07320845A (ja) | 放電型サージアブソーバ | |
| JP2017174596A (ja) | サージアブソーバ | |
| JP6167681B2 (ja) | サージアブソーバ | |
| JPH033993Y2 (ja) | ||
| JPH10134932A (ja) | サージアブソーバ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040106 |