JPH10135518A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH10135518A JPH10135518A JP30098996A JP30098996A JPH10135518A JP H10135518 A JPH10135518 A JP H10135518A JP 30098996 A JP30098996 A JP 30098996A JP 30098996 A JP30098996 A JP 30098996A JP H10135518 A JPH10135518 A JP H10135518A
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- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
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- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体発光素子において化合物半導体がＡｕ
電極表面に析出するためにワイヤボンディングの信頼性
が低下した。 【解決手段】 化合物半導体基板の上にＡｕから成る第
１の層１２と、ＮリッチのＴｉＮから成る第２の層１３
と、ＴｉリッチのＴｉＮから成る第３の層１４と、Ａｕ
から成る第４の層の電極を設ける。第４の層の上にワイ
ヤをボンディングする。
電極表面に析出するためにワイヤボンディングの信頼性
が低下した。 【解決手段】 化合物半導体基板の上にＡｕから成る第
１の層１２と、ＮリッチのＴｉＮから成る第２の層１３
と、ＴｉリッチのＴｉＮから成る第３の層１４と、Ａｕ
から成る第４の層の電極を設ける。第４の層の上にワイ
ヤをボンディングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ａｕを含有する電極表
面へのＡｌＧａＡｓ元素等の半導体の析出を防止し、ワ
イヤボンディング性を向上させた半導体発光素子に関す
る。
面へのＡｌＧａＡｓ元素等の半導体の析出を防止し、ワ
イヤボンディング性を向上させた半導体発光素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体、例えばＡｌＧａＡｓ用の
電極として下側にＡｕＧｅＮｉ層、上側にＡｕ層を形成
して成る電極は公知である。ここで、下側のＡｕＧｅＮ
ｉ層はＡｌＧａＡｓ半導体領域と接してこれとオーミッ
クコンタクトをとるためのオーミックコンタクト用金属
層であり、上側のＡｕ層は金から成るリード細線をワイ
ヤボンディングするためのワイヤボンディング用金属層
である。ところで、この種の電極では電極形成後の熱処
理時にＡｌＧａＡｓ半導体領域中のＡｌ等が電極表面
（Ａｕ層表面）まで拡散して析出することがある。電極
表面へのこのような金属の析出はＡｌ以外でも問題であ
るが、特にＡｌの電極表面への析出は、電極表面にＡｌ
酸化膜の形成を引き起こし、ワイヤボンディングの信頼
性即ちワイヤボンダビリティーの低下を招き問題とな
る。
電極として下側にＡｕＧｅＮｉ層、上側にＡｕ層を形成
して成る電極は公知である。ここで、下側のＡｕＧｅＮ
ｉ層はＡｌＧａＡｓ半導体領域と接してこれとオーミッ
クコンタクトをとるためのオーミックコンタクト用金属
層であり、上側のＡｕ層は金から成るリード細線をワイ
ヤボンディングするためのワイヤボンディング用金属層
である。ところで、この種の電極では電極形成後の熱処
理時にＡｌＧａＡｓ半導体領域中のＡｌ等が電極表面
（Ａｕ層表面）まで拡散して析出することがある。電極
表面へのこのような金属の析出はＡｌ以外でも問題であ
るが、特にＡｌの電極表面への析出は、電極表面にＡｌ
酸化膜の形成を引き起こし、ワイヤボンディングの信頼
性即ちワイヤボンダビリティーの低下を招き問題とな
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この問題を解決するた
めに、例えば特開平４−１０９６７４号公報には、Ａｕ
ＧｅＮｉ層とＡｕ層との間にＴｉＮ（窒化チタン）層と
Ｔｉ（チタン）層を介在させた電極構造が開示されてい
る。このような電極構造によれば、ＴｉＮ層がＡｌ等の
電極表面への析出を防止すると共に、Ｔｉ層がＴｉＮ層
とＡｕ層の付着性を向上させるためにワイヤボンダビリ
ティーの向上及び電極剥離の防止の両方が達成された信
頼性の高い電極が得られると考えられた。しかしなが
ら、実際にはワイヤボンダビリティー向上、電極剥離防
止の両方を十分に満足できるレベルにまで達成すること
はできず、実用性の点で問題が残っていた。
めに、例えば特開平４−１０９６７４号公報には、Ａｕ
ＧｅＮｉ層とＡｕ層との間にＴｉＮ（窒化チタン）層と
Ｔｉ（チタン）層を介在させた電極構造が開示されてい
る。このような電極構造によれば、ＴｉＮ層がＡｌ等の
電極表面への析出を防止すると共に、Ｔｉ層がＴｉＮ層
とＡｕ層の付着性を向上させるためにワイヤボンダビリ
ティーの向上及び電極剥離の防止の両方が達成された信
頼性の高い電極が得られると考えられた。しかしなが
ら、実際にはワイヤボンダビリティー向上、電極剥離防
止の両方を十分に満足できるレベルにまで達成すること
はできず、実用性の点で問題が残っていた。
【０００４】そこで、本発明はＡｕを含有する電極への
半導体の析出を防止してワイヤボンディング性を向上さ
せることができる半導体発光素子を提供することを目的
とする。
半導体の析出を防止してワイヤボンディング性を向上さ
せることができる半導体発光素子を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、半導体領域上に、Ａｕ
を含有する第１の層とＴｉＮから成る第２及び第３の層
と、Ａｕから成る第４の層が順次積層されて成る電極が
形成されており、第２の層のＮ（窒素）の含有率は第３
の層のＮの含有率よりも大きいことを特徴とする半導体
発光素子に係わるものである。なお、請求項２に示すよ
うにＮの含有率を第２の層において５０〜７０atm ％、
第３の層において１０〜３０atm ％とすることが望まし
い。また、請求項３に示すように第２の層の厚さを０．
３〜０．５μｍ（３０００〜５０００オングストロー
ム）、第３の層の厚さを０．０１〜０．０３μｍ（１０
０〜３００オングストローム）とすることが望ましい。
目的を達成するための本発明は、半導体領域上に、Ａｕ
を含有する第１の層とＴｉＮから成る第２及び第３の層
と、Ａｕから成る第４の層が順次積層されて成る電極が
形成されており、第２の層のＮ（窒素）の含有率は第３
の層のＮの含有率よりも大きいことを特徴とする半導体
発光素子に係わるものである。なお、請求項２に示すよ
うにＮの含有率を第２の層において５０〜７０atm ％、
第３の層において１０〜３０atm ％とすることが望まし
い。また、請求項３に示すように第２の層の厚さを０．
３〜０．５μｍ（３０００〜５０００オングストロー
ム）、第３の層の厚さを０．０１〜０．０３μｍ（１０
０〜３００オングストローム）とすることが望ましい。
【０００６】
【発明の作用及び効果】各請求項の発明によれば、Ｎの
含有率の異なるＴｉＮから成る第２及び第３の層を設け
たので、Ａｕ（金）から成る第４の層への半導体の析出
を良好に防止してワイヤボンディングの信頼性を向上さ
せることができるのみでなく、各層の相互の接着性を向
上させることができる。これにより、信頼性の高い半導
体発光素子が得られる。
含有率の異なるＴｉＮから成る第２及び第３の層を設け
たので、Ａｕ（金）から成る第４の層への半導体の析出
を良好に防止してワイヤボンディングの信頼性を向上さ
せることができるのみでなく、各層の相互の接着性を向
上させることができる。これにより、信頼性の高い半導
体発光素子が得られる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の一実施例に係わる半導体発光
素子（発光ダイオード）について図１〜図２を参照して
説明する。本実施例の半導体発光素子は、図１に示すよ
うに、ｐ形ＧａＡｓ基板層１、ｐ形ＧａＡｓバッファ層
２、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ
活性層４、ｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ形Ａｌ
ＧａＩｎＰ電流ブロック層６、ｎ形ＡｌＧａＡｓコンタ
クト層７が積層されて成る化合物半導体基板８と、この
基板８の一方の主面のコンタクト層７に接するように形
成されたカソ−ド電極９と、基板８の他方の主面の基板
層１に接するように形成されたアノード電極１０とを有
する。ここで、カソ−ド電極９の上面にはＡｕ（金）か
ら成るリード細線１１がワイヤボンディングされる。
素子（発光ダイオード）について図１〜図２を参照して
説明する。本実施例の半導体発光素子は、図１に示すよ
うに、ｐ形ＧａＡｓ基板層１、ｐ形ＧａＡｓバッファ層
２、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ
活性層４、ｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ形Ａｌ
ＧａＩｎＰ電流ブロック層６、ｎ形ＡｌＧａＡｓコンタ
クト層７が積層されて成る化合物半導体基板８と、この
基板８の一方の主面のコンタクト層７に接するように形
成されたカソ−ド電極９と、基板８の他方の主面の基板
層１に接するように形成されたアノード電極１０とを有
する。ここで、カソ−ド電極９の上面にはＡｕ（金）か
ら成るリード細線１１がワイヤボンディングされる。
【０００８】本実施例の発光ダイオードでは、カソード
電極９の構造が従来と異なっており、半導体基板８およ
びアノード電極１０は従来例と同様である。このため、
半導体基板８等は他の構造となっていてもよく、例えば
電流ブロック層６を省略した構造にしてもよい。カソー
ド電極９は図２に示すように、化合物半導体領域である
ＡｌＧａＡｓコンタクト層７の上にオーミック接触用の
第１の層としてのＡｕＧｅＮｉ層１２と、主として拡散
障壁層として機能する第２の層としてのＴｉＮ層１３
と、主として付着性を向上させるために機能する第３の
層としてのＴｉＮ層１４と、ワイヤボンディング用の第
４の層としてのＡｕ層１５を順次積層したものである。
ここで、ＴｉＮ層１３とＴｉＮ層１４は同じ金属層では
なく、ＴｉとＮの組成比が異なっている。即ち、主とし
て拡散障壁層として機能するＴｉＮ層１３は、層中のＮ
の含有率がＴｉの含有率よりも大きいＮリッチの層とな
っている。一方、主としてＴｉＮ層１３とＡｕ層１５の
付着性を向上させるために機能するＴｉＮ層１４は、層
中のＴｉの含有率がＮの含有率よりも大きいＴｉリッチ
の層となっている。
電極９の構造が従来と異なっており、半導体基板８およ
びアノード電極１０は従来例と同様である。このため、
半導体基板８等は他の構造となっていてもよく、例えば
電流ブロック層６を省略した構造にしてもよい。カソー
ド電極９は図２に示すように、化合物半導体領域である
ＡｌＧａＡｓコンタクト層７の上にオーミック接触用の
第１の層としてのＡｕＧｅＮｉ層１２と、主として拡散
障壁層として機能する第２の層としてのＴｉＮ層１３
と、主として付着性を向上させるために機能する第３の
層としてのＴｉＮ層１４と、ワイヤボンディング用の第
４の層としてのＡｕ層１５を順次積層したものである。
ここで、ＴｉＮ層１３とＴｉＮ層１４は同じ金属層では
なく、ＴｉとＮの組成比が異なっている。即ち、主とし
て拡散障壁層として機能するＴｉＮ層１３は、層中のＮ
の含有率がＴｉの含有率よりも大きいＮリッチの層とな
っている。一方、主としてＴｉＮ層１３とＡｕ層１５の
付着性を向上させるために機能するＴｉＮ層１４は、層
中のＴｉの含有率がＮの含有率よりも大きいＴｉリッチ
の層となっている。
【０００９】ＴｉＮ層１３とＴｉＮ層１４のＮの含有率
の一例を示すと以下の通りである。 ＴｉＮ層１３：５０〜７０ atm ％ ＴｉＮ層１４：１０〜３０ atm ％
の一例を示すと以下の通りである。 ＴｉＮ層１３：５０〜７０ atm ％ ＴｉＮ層１４：１０〜３０ atm ％
【００１０】次に、このカソード電極９の望ましい形成
方法を説明する。まず、コンタクト層７の上面にＡｕＧ
ｅＮｉを抵抗加熱蒸着によって０．４〜０．６μｍ（４
０００〜６０００オングストローム）の厚さに形成す
る。次にこのＡｕＧｅＮｉ層１２の上にＴｉＮ層１３を
形成するが、これはＮ2 雰囲気中でＴｉを蒸着する方法
即ち反応性蒸着法で行われる。蒸着時の真空度と蒸着速
度を例示すると、それぞれ１０-5torrオーダ、３〜５オ
ングストローム／sec である。ＴｉＮ層１３は０．３〜
０．５μｍの厚さに形成する。なお、ＴｉＮ層１３は比
較的Ｎリッチな雰囲気でＴｉ蒸着を行うためＮがリッチ
なＴｉ膜となる。雰囲気をＮリッチとするかＮプアーと
するかは、ＴｉＮ層形成時の蒸着装置内の真空度をコン
トロールすることによって可能である。即ち、真空度を
低くすればＮリッチ、真空度を高くすればＮプアーとな
る。従って、次にＴｉＮ層１３の上面にＴｉＮ層１４を
形成するときには、ＴｉＮ層１３の形成時よりも蒸着装
置内の真空度を高めて（１０-6torrオーダ）、ＥＢ（エ
レクトロンビーム）蒸着することによって行う。ＴｉＮ
層１４は０．０１〜０．０３μｍの厚さに形成する。最
後にＴｉＮ層１４の上面にＡｕを１．５〜１．７μｍの
厚さにＥＢ蒸着して電極９を完成させる。このＡｕＧｅ
Ｎｉ層１２からＡｕ層１５までの形成は連続した一連の
蒸着工程で行う。なお、ＴｉＮ層１３およびＴｉＮ層１
４のＴｉ、Ｎの含有率コントロールは上記のように、蒸
着時の真空度を制御することによって行えるが、蒸着装
置（蒸着槽）内へのＮ2 の流量を制御することによって
も行える。
方法を説明する。まず、コンタクト層７の上面にＡｕＧ
ｅＮｉを抵抗加熱蒸着によって０．４〜０．６μｍ（４
０００〜６０００オングストローム）の厚さに形成す
る。次にこのＡｕＧｅＮｉ層１２の上にＴｉＮ層１３を
形成するが、これはＮ2 雰囲気中でＴｉを蒸着する方法
即ち反応性蒸着法で行われる。蒸着時の真空度と蒸着速
度を例示すると、それぞれ１０-5torrオーダ、３〜５オ
ングストローム／sec である。ＴｉＮ層１３は０．３〜
０．５μｍの厚さに形成する。なお、ＴｉＮ層１３は比
較的Ｎリッチな雰囲気でＴｉ蒸着を行うためＮがリッチ
なＴｉ膜となる。雰囲気をＮリッチとするかＮプアーと
するかは、ＴｉＮ層形成時の蒸着装置内の真空度をコン
トロールすることによって可能である。即ち、真空度を
低くすればＮリッチ、真空度を高くすればＮプアーとな
る。従って、次にＴｉＮ層１３の上面にＴｉＮ層１４を
形成するときには、ＴｉＮ層１３の形成時よりも蒸着装
置内の真空度を高めて（１０-6torrオーダ）、ＥＢ（エ
レクトロンビーム）蒸着することによって行う。ＴｉＮ
層１４は０．０１〜０．０３μｍの厚さに形成する。最
後にＴｉＮ層１４の上面にＡｕを１．５〜１．７μｍの
厚さにＥＢ蒸着して電極９を完成させる。このＡｕＧｅ
Ｎｉ層１２からＡｕ層１５までの形成は連続した一連の
蒸着工程で行う。なお、ＴｉＮ層１３およびＴｉＮ層１
４のＴｉ、Ｎの含有率コントロールは上記のように、蒸
着時の真空度を制御することによって行えるが、蒸着装
置（蒸着槽）内へのＮ2 の流量を制御することによって
も行える。
【００１１】上述のカソード電極９の各層の機能（作
用）は以下の通りである。ＡｕＧｅＮｉ層１２は、従来
例と同様にコンタクト層７とのオーミックコンタクトを
得るためのオーミックコンタクト層である。ＡｌＧａＡ
ｓから成るコンタクト層７の表面には自然酸化膜が形成
されるため、これを破壊するためにＮｉが添加されてい
る。また、Ｎｉは５族元素と熱的に安定な合金を形成す
るためのもの即ちＡｕＧｅとＡｌＧａＡｓとの反応を促
進させるものであり、これにより、信頼性の高いオーミ
ックコンタクトが実現されている。
用）は以下の通りである。ＡｕＧｅＮｉ層１２は、従来
例と同様にコンタクト層７とのオーミックコンタクトを
得るためのオーミックコンタクト層である。ＡｌＧａＡ
ｓから成るコンタクト層７の表面には自然酸化膜が形成
されるため、これを破壊するためにＮｉが添加されてい
る。また、Ｎｉは５族元素と熱的に安定な合金を形成す
るためのもの即ちＡｕＧｅとＡｌＧａＡｓとの反応を促
進させるものであり、これにより、信頼性の高いオーミ
ックコンタクトが実現されている。
【００１２】２層目のＮリッチのＴｉＮ層１３は、熱処
理によって分解したＡｌＧａＡｓ元素が電極表面に析出
することを防止する拡散障壁層として機能するものであ
る。層中にＮがＴｉよりもリッチに含まれているため
に、ＮがＴｉよりプアーなＴｉＮに比べて層が緻密な膜
となっており、熱分解した元素の電極表面への拡散を有
効に防止する。このＴｉＮ層１３のＮの含有率は５０〜
７０atm ％であることが望ましい。Ｎの含有率が５０at
m ％未満では拡散障壁層としての効果が低下する。Ｎの
含有率が７０atm ％を越えると層間接着が不十分になり
且つ電気的接続を阻害する。なお、ＮはＴｉ−Ｎの形の
みでなく、格子間不純物としても存在する。ＴｉＮ層１
３の厚さは０．３〜０．５μｍにすることが望ましい。
０．３μｍ未満では層強度が低下するため拡散障壁層と
しての効果が低下する。また、ＴｉＮ層１３の厚さが
０．５μｍを越えるとクラック等が発生し、電気的又は
熱的トラブルを引き起こす可能性がある。
理によって分解したＡｌＧａＡｓ元素が電極表面に析出
することを防止する拡散障壁層として機能するものであ
る。層中にＮがＴｉよりもリッチに含まれているため
に、ＮがＴｉよりプアーなＴｉＮに比べて層が緻密な膜
となっており、熱分解した元素の電極表面への拡散を有
効に防止する。このＴｉＮ層１３のＮの含有率は５０〜
７０atm ％であることが望ましい。Ｎの含有率が５０at
m ％未満では拡散障壁層としての効果が低下する。Ｎの
含有率が７０atm ％を越えると層間接着が不十分になり
且つ電気的接続を阻害する。なお、ＮはＴｉ−Ｎの形の
みでなく、格子間不純物としても存在する。ＴｉＮ層１
３の厚さは０．３〜０．５μｍにすることが望ましい。
０．３μｍ未満では層強度が低下するため拡散障壁層と
しての効果が低下する。また、ＴｉＮ層１３の厚さが
０．５μｍを越えるとクラック等が発生し、電気的又は
熱的トラブルを引き起こす可能性がある。
【００１３】３層目のＴｉリッチのＴｉＮ層１４はＴｉ
Ｎ層１３とＡｕ層１５の付着性（接着性）を向上するた
めの層である。ここで、層中にＮがＴｉよりもプアーに
含まれているため、Ｔｉのみから成る従来例の電極構造
に比べて付着性向上のための層として良好な特性を示
す。即ち、Ｔｉのみから成る層は、ＴｉがＡｕと強く反
応するため、厚く形成するとＴｉがＡｕ表面に析出し、
ワイヤボンダビリディーが損なわれる。一方、Ｔｉ層を
あまり薄く形成すると付着性の向上が十分に図れず、又
Ｔｉ層によるＡｌＧａＡｓ元素の拡散障壁効果も損なわ
れる。本実施例では層中にＮが含まれているためＡｕ層
とのＴｉの反応が抑制され、０．０１〜０．０３μｍの
厚さで形成してもＡｕ層１５の上面にＴｉが析出するこ
とがない。このため付着向上効果が高水準に得られると
共に、ＴｉＮ層１３と相まってＡｌＧａＡｓ元素の拡散
防止効果も得られる。このＴｉＮ層１４におけるＮの含
有率は１０〜３０atm ％であることが望ましい。ＴｉＮ
層１４のＮの含有率が１０atm ％未満では上層のＡｕと
強く反応し過ぎる。又、ＴｉＮ層１４のＮが３０atm％
を越えると上層のＡｕとの反応が低下するために層間剥
離が起こりやすくなる。又、ＴｉＮ層１４の厚さは０．
０１〜０．０３μｍであることが望ましい。ＴｉＮ層１
４の厚さが０．０１μｍ未満では膜厚制御が困難になる
と共に上層のＡｕとの接着性が低下する。ＴｉＮ層１４
の厚さが０．０３μｍを越えると、Ｔｉリッチ層である
ために熱処理による上層のＡｕとの反応が増大し、電極
（Ａｕ）表面状態が悪くなり、ワイヤボンディング性
（Ｗ／Ｂ性）に影響を及ぼす。
Ｎ層１３とＡｕ層１５の付着性（接着性）を向上するた
めの層である。ここで、層中にＮがＴｉよりもプアーに
含まれているため、Ｔｉのみから成る従来例の電極構造
に比べて付着性向上のための層として良好な特性を示
す。即ち、Ｔｉのみから成る層は、ＴｉがＡｕと強く反
応するため、厚く形成するとＴｉがＡｕ表面に析出し、
ワイヤボンダビリディーが損なわれる。一方、Ｔｉ層を
あまり薄く形成すると付着性の向上が十分に図れず、又
Ｔｉ層によるＡｌＧａＡｓ元素の拡散障壁効果も損なわ
れる。本実施例では層中にＮが含まれているためＡｕ層
とのＴｉの反応が抑制され、０．０１〜０．０３μｍの
厚さで形成してもＡｕ層１５の上面にＴｉが析出するこ
とがない。このため付着向上効果が高水準に得られると
共に、ＴｉＮ層１３と相まってＡｌＧａＡｓ元素の拡散
防止効果も得られる。このＴｉＮ層１４におけるＮの含
有率は１０〜３０atm ％であることが望ましい。ＴｉＮ
層１４のＮの含有率が１０atm ％未満では上層のＡｕと
強く反応し過ぎる。又、ＴｉＮ層１４のＮが３０atm％
を越えると上層のＡｕとの反応が低下するために層間剥
離が起こりやすくなる。又、ＴｉＮ層１４の厚さは０．
０１〜０．０３μｍであることが望ましい。ＴｉＮ層１
４の厚さが０．０１μｍ未満では膜厚制御が困難になる
と共に上層のＡｕとの接着性が低下する。ＴｉＮ層１４
の厚さが０．０３μｍを越えると、Ｔｉリッチ層である
ために熱処理による上層のＡｕとの反応が増大し、電極
（Ａｕ）表面状態が悪くなり、ワイヤボンディング性
（Ｗ／Ｂ性）に影響を及ぼす。
【００１４】４層目のＡｕ層１５は、従来と同様に、Ａ
ｕ細線をワイヤボンディングするためのワイヤボンディ
ング用金属層である。本実施例では主としてＴｉＮ層１
３、またＴｉＮ層１４によってもＡｌＧａＡｓ元素の電
極表面への拡散及び析出が防止されているため、ワイヤ
ボンダビリティーが高水準に達成される。
ｕ細線をワイヤボンディングするためのワイヤボンディ
ング用金属層である。本実施例では主としてＴｉＮ層１
３、またＴｉＮ層１４によってもＡｌＧａＡｓ元素の電
極表面への拡散及び析出が防止されているため、ワイヤ
ボンダビリティーが高水準に達成される。
【００１５】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 半導体基板８における化合物半導体を実施例以
外の種々の半導体とすることができる。また、半導体基
板８内の層を増減することができる。 （２） 電極９、１０の形状等を変えることができる。 （３） 半導体基板８の各層の導電型を逆にして９をア
ノ−ド、１０をカソ−ドとすることができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 半導体基板８における化合物半導体を実施例以
外の種々の半導体とすることができる。また、半導体基
板８内の層を増減することができる。 （２） 電極９、１０の形状等を変えることができる。 （３） 半導体基板８の各層の導電型を逆にして９をア
ノ−ド、１０をカソ−ドとすることができる。
【図１】本発明の実施例の半導体発光素子を示す断面図
である。
である。
【図２】図１の一部を詳しく示す拡大断面図である。
１２ 第１の層 １３ 第２の層 １４ 第３の層 １５ 第４の層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体領域上に、Ａｕを含有する第１の
層とＴｉＮから成る第２及び第３の層と、Ａｕから成る
第４の層が順次積層されて成る電極が形成されており、
第２の層のＮの含有率は第３の層のＮの含有率よりも大
きいことを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記第２の層のＮの含有率は５０〜７０
atm ％であり、第３の層のＮの含有率は１０〜３０atm
％である請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記第２の層の厚さは０．３〜０．５μ
ｍであり、第３の層の厚さは０．０１〜０．０３μｍで
ある請求項１又は２記載の半導体発光素子。
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| JP2959493B2 JP2959493B2 (ja) | 1999-10-06 |
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| JP2009231478A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
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