JPH10135780A - 二重モードｓａｗフィルタの構造 - Google Patents
二重モードｓａｗフィルタの構造Info
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- JPH10135780A JPH10135780A JP30593996A JP30593996A JPH10135780A JP H10135780 A JPH10135780 A JP H10135780A JP 30593996 A JP30593996 A JP 30593996A JP 30593996 A JP30593996 A JP 30593996A JP H10135780 A JPH10135780 A JP H10135780A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は共振子型１次−３次縦結合二重モー
ドＳＡＷフィルタにおいて、通過域より低周波側のスプ
リアスによる減衰量低減を任意の周波数において改善す
る手段を提供することを目的とする。 【解決手段】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
３個のＩＤＴとその両側に反射器を配置した１次−３次
縦結合二重モードＳＡＷフィルタにおいて、中央の一対
のＩＤＴのうち接地する方のＩＤＴの電極指を少なくと
も１本左右対称に浮き電極指で置き換えることを特徴と
する二重モードＳＡＷフィルタである。
ドＳＡＷフィルタにおいて、通過域より低周波側のスプ
リアスによる減衰量低減を任意の周波数において改善す
る手段を提供することを目的とする。 【解決手段】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
３個のＩＤＴとその両側に反射器を配置した１次−３次
縦結合二重モードＳＡＷフィルタにおいて、中央の一対
のＩＤＴのうち接地する方のＩＤＴの電極指を少なくと
も１本左右対称に浮き電極指で置き換えることを特徴と
する二重モードＳＡＷフィルタである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は共振子型の弾性表面
波フィルタ（以下ＳＡＷフィルタと称す）に関し、特に
通過帯域の低周波側のスプリアスを低減した１−３次縦
結合二重モードＳＡＷフィルタに関する。
波フィルタ（以下ＳＡＷフィルタと称す）に関し、特に
通過帯域の低周波側のスプリアスを低減した１−３次縦
結合二重モードＳＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＳＡＷフィルタは小型化、高周波
化、量産性等に優れているため、携帯電話をはじめとす
る無線機に多く利用されている。特に最近のＰＨＳ、コ
ードレス電話等では第一ＩＦフィルタの高周波化と広帯
域化が要求され、この要件を満たし得るのはＳＡＷフィ
ルタのみである。共振子型ＳＡＷフィルタの広帯域化を
図る手段として１次と３次のモードを利用した１次−３
次縦結合二重モードＳＡＷフィルタが用いられている。
図５はその一例を示す模式的平面図で、矩形状の圧電性
基板１１の主面上に表面波の伝搬方向に沿って３個のイ
ンターディジタルトランスジューサ（以下ＩＤＴと称
す）１２、１３、１４を配置し、その両側にグレーティ
ング型の反射器１５、１６を配置する。ＩＤＴ１２〜１
４はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する
一対のくし形電極により構成されている。ＩＤＴ１２〜
１４の一方のくし型電極はアース電位に接続され、他方
のくし形電極は入力または出力に電気的に接続されてい
る。
化、量産性等に優れているため、携帯電話をはじめとす
る無線機に多く利用されている。特に最近のＰＨＳ、コ
ードレス電話等では第一ＩＦフィルタの高周波化と広帯
域化が要求され、この要件を満たし得るのはＳＡＷフィ
ルタのみである。共振子型ＳＡＷフィルタの広帯域化を
図る手段として１次と３次のモードを利用した１次−３
次縦結合二重モードＳＡＷフィルタが用いられている。
図５はその一例を示す模式的平面図で、矩形状の圧電性
基板１１の主面上に表面波の伝搬方向に沿って３個のイ
ンターディジタルトランスジューサ（以下ＩＤＴと称
す）１２、１３、１４を配置し、その両側にグレーティ
ング型の反射器１５、１６を配置する。ＩＤＴ１２〜１
４はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する
一対のくし形電極により構成されている。ＩＤＴ１２〜
１４の一方のくし型電極はアース電位に接続され、他方
のくし形電極は入力または出力に電気的に接続されてい
る。
【０００３】図５に示す反射器１５、１６はＩＤＴ１
２、１４からの漏洩表面波を反射する機能を有し、ＩＤ
Ｔ１２〜１４で励起される弾性表面波のエネルギーを反
射器１５、１６間に閉じ込めることにより、１次モード
と３次モードのＱ値を高める作用をする。このとき、２
次モードも当然励起されるが、該モードの変位分布は表
面波の伝搬方向にＩＤＴ１３の中心に対し対称に分布す
るため、発生電荷も同様にＩＤＴ１３の中心に対し対称
となり入出力ＩＤＴ間で相殺されて実質上励起されない
のに等しく１次モードと３次モードのみを利用すること
が可能となる。また、通過域のカットオフ特性を改善
し、帯域外の減衰量を大きくする手段として図６に示す
ように１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタを二
段縦続接続構成とすることが一般的に行われている。図
７は図６の二段縦続接続した縦結合二重モードＳＡＷフ
ィルタの特性を示す図であり、圧電基板は３６°Ｙ−Ｘ
ＬｉＴａＯ３、中心周波数Ｆ０＝１１０ＭＨｚ、通過帯
域幅１．８ＭＨｚ、中央のＩＤＴ６の電極対数は６６．
５対、ＩＤＴ５、７の電極対数を３３．５対、反射器２
５本とした場合の濾波特性例である。同図から明らかな
ように通過帯域の低周波側の減衰量がスプリアスにより
劣化していることが分かる。
２、１４からの漏洩表面波を反射する機能を有し、ＩＤ
Ｔ１２〜１４で励起される弾性表面波のエネルギーを反
射器１５、１６間に閉じ込めることにより、１次モード
と３次モードのＱ値を高める作用をする。このとき、２
次モードも当然励起されるが、該モードの変位分布は表
面波の伝搬方向にＩＤＴ１３の中心に対し対称に分布す
るため、発生電荷も同様にＩＤＴ１３の中心に対し対称
となり入出力ＩＤＴ間で相殺されて実質上励起されない
のに等しく１次モードと３次モードのみを利用すること
が可能となる。また、通過域のカットオフ特性を改善
し、帯域外の減衰量を大きくする手段として図６に示す
ように１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタを二
段縦続接続構成とすることが一般的に行われている。図
７は図６の二段縦続接続した縦結合二重モードＳＡＷフ
ィルタの特性を示す図であり、圧電基板は３６°Ｙ−Ｘ
ＬｉＴａＯ３、中心周波数Ｆ０＝１１０ＭＨｚ、通過帯
域幅１．８ＭＨｚ、中央のＩＤＴ６の電極対数は６６．
５対、ＩＤＴ５、７の電極対数を３３．５対、反射器２
５本とした場合の濾波特性例である。同図から明らかな
ように通過帯域の低周波側の減衰量がスプリアスにより
劣化していることが分かる。
【０００４】一般的に低周波側の減衰特性を改善する手
段として、反射器の対数を少なくする、ＩＤＴに重み付
けをする、ＩＤＴの電極膜厚を厚くすると云った手法が
用いられてきた。また、特開平７−１３１２８１号に上
述の共振子型フィルタとは異なるトランスバーサル型フ
ィルタの一種である多電極型弾性表面波フィルタ（ Ｉ
ＩＤＴ型）におけるスプリアス除去手段が開示されてお
り、 ＩＤＴの電極指をまびき、そこにダミー電極を形
成してその過半数を基準電位であるアース電極に、他を
入出力側電極に接続することにより、直達波レベルを低
減し、スプリアスの低減ができることを示している。
段として、反射器の対数を少なくする、ＩＤＴに重み付
けをする、ＩＤＴの電極膜厚を厚くすると云った手法が
用いられてきた。また、特開平７−１３１２８１号に上
述の共振子型フィルタとは異なるトランスバーサル型フ
ィルタの一種である多電極型弾性表面波フィルタ（ Ｉ
ＩＤＴ型）におけるスプリアス除去手段が開示されてお
り、 ＩＤＴの電極指をまびき、そこにダミー電極を形
成してその過半数を基準電位であるアース電極に、他を
入出力側電極に接続することにより、直達波レベルを低
減し、スプリアスの低減ができることを示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、反射器
の本数を少なくすると励起される振動モードのＱ値が劣
化し、フィルタを構成する場合には挿入損失の増大を来
すという問題があるためむやみに本数を減らすことはで
きない。ＩＤＴに重み付けをするあるいはＩＤＴの電極
膜厚を厚くする方法は通過帯域幅を広げることになり、
所望値の帯域幅を実現するためには重み付けなしのＩＤ
Ｔあるいは電極膜厚の薄いＩＤＴに比べ、ＩＤＴ対数を
増加する必要があり、昨今の小型化への要求を満足でき
ないという問題がある。
の本数を少なくすると励起される振動モードのＱ値が劣
化し、フィルタを構成する場合には挿入損失の増大を来
すという問題があるためむやみに本数を減らすことはで
きない。ＩＤＴに重み付けをするあるいはＩＤＴの電極
膜厚を厚くする方法は通過帯域幅を広げることになり、
所望値の帯域幅を実現するためには重み付けなしのＩＤ
Ｔあるいは電極膜厚の薄いＩＤＴに比べ、ＩＤＴ対数を
増加する必要があり、昨今の小型化への要求を満足でき
ないという問題がある。
【０００６】また、前記公開公報ではスプリアス低減方
法ではどの周波数でスプリアス低減効果が現れるのか全
く検討されておらず、実際にはＩＩＤＴ型ＳＡＷフィル
タにおいても特定の周波数に出現するスプリアスを除去
することは極めて困難であり、この方法では実現できな
いという問題があった。まして、ＩＩＤＴ型ＳＡＷフィ
ルタにおける上述のようなスプリアス低減手段を直ちに
共振子型１次−３次型縦結合二重モードＳＡＷフィルタ
に適用することはできなかった。本発明は上記問題を解
決するためになされたものであって、共振子型１次−３
次縦結合二重モードＳＡＷフィルタにおいて、通過域よ
り低周波側のスプリアスによる減衰量低減を任意の周波
数において改善する手段を提供することを目的とする。
法ではどの周波数でスプリアス低減効果が現れるのか全
く検討されておらず、実際にはＩＩＤＴ型ＳＡＷフィル
タにおいても特定の周波数に出現するスプリアスを除去
することは極めて困難であり、この方法では実現できな
いという問題があった。まして、ＩＩＤＴ型ＳＡＷフィ
ルタにおける上述のようなスプリアス低減手段を直ちに
共振子型１次−３次型縦結合二重モードＳＡＷフィルタ
に適用することはできなかった。本発明は上記問題を解
決するためになされたものであって、共振子型１次−３
次縦結合二重モードＳＡＷフィルタにおいて、通過域よ
り低周波側のスプリアスによる減衰量低減を任意の周波
数において改善する手段を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る二重モードＳＡＷフィルタの請求項１記
載の発明は、圧電基板上に３個のＩＤＴとその両側に反
射器を表面波の伝搬方向に沿って配置した１次−３次縦
結合二重モードＳＡＷフィルタにおいて、中央に位置す
る中央ＩＤＴの中心軸を基準としてほぼ対称に位置する
接地側電極指の少なくとも１組を浮き電極指に置き換え
ることを特徴とする二重モードＳＡＷフィルタの構造で
ある。請求項２記載の発明は、中央ＩＤＴの接地側電極
指の本数をＮ’、浮き電極に置き換えた前記接地側電極
指の中央ＩＤＴ端部からのナンバリングをＮ、フィルタ
通過域の中心周波数をＦ０としたとき、 （Ｆ− Ｆ0）／ Ｆ0＝０．１３５Ｎ／（（Ｎ’＋１）／
２）−０．０６９ の式を満たす周波数Ｆ近傍において、スプリアスを抑圧
することを特徴とする請求項１記載の二重モードＳＡＷ
フィルタの構造である。
に本発明に係る二重モードＳＡＷフィルタの請求項１記
載の発明は、圧電基板上に３個のＩＤＴとその両側に反
射器を表面波の伝搬方向に沿って配置した１次−３次縦
結合二重モードＳＡＷフィルタにおいて、中央に位置す
る中央ＩＤＴの中心軸を基準としてほぼ対称に位置する
接地側電極指の少なくとも１組を浮き電極指に置き換え
ることを特徴とする二重モードＳＡＷフィルタの構造で
ある。請求項２記載の発明は、中央ＩＤＴの接地側電極
指の本数をＮ’、浮き電極に置き換えた前記接地側電極
指の中央ＩＤＴ端部からのナンバリングをＮ、フィルタ
通過域の中心周波数をＦ０としたとき、 （Ｆ− Ｆ0）／ Ｆ0＝０．１３５Ｎ／（（Ｎ’＋１）／
２）−０．０６９ の式を満たす周波数Ｆ近傍において、スプリアスを抑圧
することを特徴とする請求項１記載の二重モードＳＡＷ
フィルタの構造である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る二
重モードＳＡＷフィルタの一実施例の電極構造を示す模
式的平面図であって、圧電基板上に３個のＩＤＴ５、
６、７を表面波の伝搬方向に沿って配置し、その両側に
前記ＩＤＴより漏洩した表面波を電極中央へ反射するグ
レイティング反射器等の反射器８、９を配設する。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る二
重モードＳＡＷフィルタの一実施例の電極構造を示す模
式的平面図であって、圧電基板上に３個のＩＤＴ５、
６、７を表面波の伝搬方向に沿って配置し、その両側に
前記ＩＤＴより漏洩した表面波を電極中央へ反射するグ
レイティング反射器等の反射器８、９を配設する。
【０００９】本発明に係るＩＤＴの特徴は中央のＩＤＴ
６にあり、更に詳しくはアース側くし形電極６ｂの電極
指を該ＩＤＴの中央より左右対称に配置し、図１に示す
ようにその両側から順に番号を付けたとき、左右の同番
号（この図においては３番目）の電極指を端子側にもア
ース側にも接続しない浮き電極指とするものである。図
１（ａ）に示したＩＤＴ６の電極構成の平面図の一部
（中心より左半分）を図１（ｂ）に拡大して示す。図１
（ｂ）はくし形電極６ｂの左から３番目の電極指を浮き
電極指に置き換えたものであり、同様にくし形電極６ｂ
の中心より右側においても右端から３番目の電極指を浮
き電極指で置換する。ここでくし形電極６ｂの電極指本
数をＮ’本としたとき、くし形電極６ｂの電極指が奇数
であれば、中央の電極指はＩＤＴ６の中心と一致し、左
あるいは右から数えても（Ｎ’＋１）／２番目となる。
また、くし形電極６ｂに端部から順番にナンバリングを
施したときの浮き電極指の番号をＮとし、これを中央の
電極指の番号（Ｎ’＋１）／２で除して基準化数Ｎ／
（（Ｎ’＋１）／２）とする。
６にあり、更に詳しくはアース側くし形電極６ｂの電極
指を該ＩＤＴの中央より左右対称に配置し、図１に示す
ようにその両側から順に番号を付けたとき、左右の同番
号（この図においては３番目）の電極指を端子側にもア
ース側にも接続しない浮き電極指とするものである。図
１（ａ）に示したＩＤＴ６の電極構成の平面図の一部
（中心より左半分）を図１（ｂ）に拡大して示す。図１
（ｂ）はくし形電極６ｂの左から３番目の電極指を浮き
電極指に置き換えたものであり、同様にくし形電極６ｂ
の中心より右側においても右端から３番目の電極指を浮
き電極指で置換する。ここでくし形電極６ｂの電極指本
数をＮ’本としたとき、くし形電極６ｂの電極指が奇数
であれば、中央の電極指はＩＤＴ６の中心と一致し、左
あるいは右から数えても（Ｎ’＋１）／２番目となる。
また、くし形電極６ｂに端部から順番にナンバリングを
施したときの浮き電極指の番号をＮとし、これを中央の
電極指の番号（Ｎ’＋１）／２で除して基準化数Ｎ／
（（Ｎ’＋１）／２）とする。
【００１０】くし形電極６ｂにおいて電極指を左右の端
から順に１組だけ浮き電極で置き換えた場合、通過帯域
の低周波側のスプリアスがどのように変化するかを実験
的に調べた。図２はこの時のスプリアスの変化を明らか
にすべく濾波特性を図示したものであり、図２（ａ）の
実線は図７に示した従来のＩＤＴ構成の場合の濾波特性
であり、破線は２番目の電極指を浮き電極で置き換えた
場合の濾波特性を示すものである。図２（ｂ）は図２
（ａ）の矢印２の周波数近傍の実線と破線との差異を拡
大した図がであり、同図の右端の周波数が中心周波数で
ある。図２（ａ）、（ｂ）からも明らかなように通過帯
域より低周波側の一部の帯域のスプリアスのみが抑圧さ
れており、その他の帯域の濾波特性にはほとんど影響を
与えてない。この改善されたスプリアスの帯域の中心周
波数を矢印２で示してある。同様に図２（ｃ）、（ｄ）
の破線は５番目、８番目の電極指を浮き電極指で置き換
えた場合のフィルタの濾波特性であり、矢印５、８は改
善されたスプリアスの帯域の中心周波数を示している。
このように任意のＮ番目の電極指を浮き電極指とした場
合に、スプリアスの改善される周波数帯域の中心をＦと
し、フィルタの通過帯域の中心周波数Ｆ0で基準化した
基準化周波数（Ｆ− Ｆ0）／ Ｆ0と浮き電極の基準化数
Ｎ／（（Ｎ’＋１）／２）との関係を図３に示す。
から順に１組だけ浮き電極で置き換えた場合、通過帯域
の低周波側のスプリアスがどのように変化するかを実験
的に調べた。図２はこの時のスプリアスの変化を明らか
にすべく濾波特性を図示したものであり、図２（ａ）の
実線は図７に示した従来のＩＤＴ構成の場合の濾波特性
であり、破線は２番目の電極指を浮き電極で置き換えた
場合の濾波特性を示すものである。図２（ｂ）は図２
（ａ）の矢印２の周波数近傍の実線と破線との差異を拡
大した図がであり、同図の右端の周波数が中心周波数で
ある。図２（ａ）、（ｂ）からも明らかなように通過帯
域より低周波側の一部の帯域のスプリアスのみが抑圧さ
れており、その他の帯域の濾波特性にはほとんど影響を
与えてない。この改善されたスプリアスの帯域の中心周
波数を矢印２で示してある。同様に図２（ｃ）、（ｄ）
の破線は５番目、８番目の電極指を浮き電極指で置き換
えた場合のフィルタの濾波特性であり、矢印５、８は改
善されたスプリアスの帯域の中心周波数を示している。
このように任意のＮ番目の電極指を浮き電極指とした場
合に、スプリアスの改善される周波数帯域の中心をＦと
し、フィルタの通過帯域の中心周波数Ｆ0で基準化した
基準化周波数（Ｆ− Ｆ0）／ Ｆ0と浮き電極の基準化数
Ｎ／（（Ｎ’＋１）／２）との関係を図３に示す。
【００１１】図３より明らかなように浮き電極の基準化
数Ｎ／（（Ｎ’＋１）／２）がほぼ０．０５から０．３
５の範囲内ではほぼ次式の直線で近似することができ
る。 （Ｆ− Ｆ0）／ Ｆ0＝０．１３５Ｎ／（（Ｎ’＋１）／
２）−０．０６９ また、基準化数Ｎ／Ｎ’が約０．３５より大きくなる
と、スプリアスが改善される基準化周波数（Ｆ− Ｆ0）
／ Ｆ0はほぼ一定値になることが実験より明らかになっ
た。この図を利用することにより低周波側の任意の周波
数帯におけるスプリアスを改善することが可能となる。
数Ｎ／（（Ｎ’＋１）／２）がほぼ０．０５から０．３
５の範囲内ではほぼ次式の直線で近似することができ
る。 （Ｆ− Ｆ0）／ Ｆ0＝０．１３５Ｎ／（（Ｎ’＋１）／
２）−０．０６９ また、基準化数Ｎ／Ｎ’が約０．３５より大きくなる
と、スプリアスが改善される基準化周波数（Ｆ− Ｆ0）
／ Ｆ0はほぼ一定値になることが実験より明らかになっ
た。この図を利用することにより低周波側の任意の周波
数帯におけるスプリアスを改善することが可能となる。
【００１２】ここで本発明を用いた１次−３次縦結合二
重モードＳＡＷフィルタにより所望の周波数帯域におい
てスプリアスを抑圧する場合を考える。例えば（Ｆ0−
７）ＭＨｚから（Ｆ0−２）ＭＨｚの範囲でスプリアス
による減衰量の低減を改善する場合には、図３を参照し
て０＜Ｎ／（（Ｎ’＋１）／２）＜０．１と０．３＜Ｎ
／（（Ｎ’＋１）／２）＜０．３５の二カ所に相当する
電極指を浮き電極指で置き換えればよいことになる。
重モードＳＡＷフィルタにより所望の周波数帯域におい
てスプリアスを抑圧する場合を考える。例えば（Ｆ0−
７）ＭＨｚから（Ｆ0−２）ＭＨｚの範囲でスプリアス
による減衰量の低減を改善する場合には、図３を参照し
て０＜Ｎ／（（Ｎ’＋１）／２）＜０．１と０．３＜Ｎ
／（（Ｎ’＋１）／２）＜０．３５の二カ所に相当する
電極指を浮き電極指で置き換えればよいことになる。
【００１３】他は図７と同じ条件で構成し中央のＩＤＴ
のくし形電極６ｂの左右からＮ＝６と１０の二カ所（対
称構成のため４カ所）の電極指を浮き電極とした二段縦
続接続の１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタの
濾波特性を図４に示す。従来の浮き電極を設けないフィ
ルタの濾波特性である図７と比較し、本発明になる浮き
電極を設けたフィルタは図４から明らかなように、所望
のスプリアス帯域において１０〜１５ｄＢの改善がみら
れた。本発明を用いることにより反射器の対数を少なく
することなく、電極膜厚を厚くすることもなく、またＩ
ＤＴに重付けをしなくともスプリアスによる減衰量の低
減を抑制することが可能となった。ただし、これら従来
の手法を不具合が生じない程度に適宜併用すればスプリ
アス抑圧効果が増大することはいうまでもない。
のくし形電極６ｂの左右からＮ＝６と１０の二カ所（対
称構成のため４カ所）の電極指を浮き電極とした二段縦
続接続の１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタの
濾波特性を図４に示す。従来の浮き電極を設けないフィ
ルタの濾波特性である図７と比較し、本発明になる浮き
電極を設けたフィルタは図４から明らかなように、所望
のスプリアス帯域において１０〜１５ｄＢの改善がみら
れた。本発明を用いることにより反射器の対数を少なく
することなく、電極膜厚を厚くすることもなく、またＩ
ＤＴに重付けをしなくともスプリアスによる減衰量の低
減を抑制することが可能となった。ただし、これら従来
の手法を不具合が生じない程度に適宜併用すればスプリ
アス抑圧効果が増大することはいうまでもない。
【００１４】上記説明ではＬｉＴａＯ３を用いた例を挙
げたが、ＬｉＮｂＯ３、ＬＢＯ等の圧電性結晶の基板を
用いてもよい。また、上記説明では一対で構成するＩＤ
Ｔのうち一方のＩＤＴを接地する不平衡型ＳＡＷフィル
タを説明したが、一方のＩＤＴを接地しない平衡型ＳＡ
Ｗフィルタに本発明を適用することも可能である。ま
た、中央のＩＤＴ６ｂが奇数の場合を説明したが、本発
明は必ずしもこれに限定するものではなく偶数であって
もよい。
げたが、ＬｉＮｂＯ３、ＬＢＯ等の圧電性結晶の基板を
用いてもよい。また、上記説明では一対で構成するＩＤ
Ｔのうち一方のＩＤＴを接地する不平衡型ＳＡＷフィル
タを説明したが、一方のＩＤＴを接地しない平衡型ＳＡ
Ｗフィルタに本発明を適用することも可能である。ま
た、中央のＩＤＴ６ｂが奇数の場合を説明したが、本発
明は必ずしもこれに限定するものではなく偶数であって
もよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、従来１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタ
において問題であった低周波側のスプリアスを所望の帯
域において減衰させることが可能となった。前記ＳＡＷ
フィルタを携帯電話、コードレス電話等の用いる場合に
所定の不要波を抑制することができ極めて有効な効果が
あがる。
ので、従来１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタ
において問題であった低周波側のスプリアスを所望の帯
域において減衰させることが可能となった。前記ＳＡＷ
フィルタを携帯電話、コードレス電話等の用いる場合に
所定の不要波を抑制することができ極めて有効な効果が
あがる。
【図１】（ａ）は本発明に係る１次−３次縦結合二重モ
ードＳＡＷフィルタの一実施例を示す平面図、（ｂ）は
中央ＩＤＴの拡大図である。
ードＳＡＷフィルタの一実施例を示す平面図、（ｂ）は
中央ＩＤＴの拡大図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は２番目の電極指、（ｃ）、
（ｄ）はそれぞれ５、８番目の電極指を浮き電極で置き
換えた時のスプリアスの変化を示す図である。
（ｄ）はそれぞれ５、８番目の電極指を浮き電極で置き
換えた時のスプリアスの変化を示す図である。
【図３】電極指の基準化数Ｎ／Ｎ’とスプリアスの低減
される基準化周波数（Ｆ− Ｆ0）／ Ｆ0との関係を表す
図である。
される基準化周波数（Ｆ− Ｆ0）／ Ｆ0との関係を表す
図である。
【図４】本発明を用いて改善した二段縦続接続１次−３
次縦結合二重モードＳＡＷフィルタの濾波特性図であ
る。
次縦結合二重モードＳＡＷフィルタの濾波特性図であ
る。
【図５】従来の１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィ
ルタの電極構成を示す平面図である。
ルタの電極構成を示す平面図である。
【図６】従来の二段縦続接続１次−３次縦結合二重モー
ドＳＡＷフィルタの電極構成を示す平面図である。
ドＳＡＷフィルタの電極構成を示す平面図である。
【図７】従来の二段縦続接続１次−３次縦結合二重モー
ドＳＡＷフィルタの濾波特性を示す図である。
ドＳＡＷフィルタの濾波特性を示す図である。
１、２、３、４、Ｎ’・・・電極指の番号 ５、５ａ、５ｂ、６、６ａ、６ｂ、７、７ａ、７ｂ・・
・ＩＤＴ ８、９・・・反射器
・ＩＤＴ ８、９・・・反射器
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板上に３個のＩＤＴとその両側に
反射器を表面波の伝搬方向に沿って配置した１次−３次
縦結合二重モードＳＡＷフィルタにおいて、中央に位置
する中央ＩＤＴの中心軸を基準としてほぼ対称に位置す
る接地側電極指の少なくとも１組を浮き電極指に置き換
えることを特徴とする二重モードＳＡＷフィルタの構
造。 - 【請求項２】 中央ＩＤＴの接地側電極指の本数を
Ｎ’、浮き電極に置き換えた前記接地側電極指の中央Ｉ
ＤＴ端部からのナンバリングをＮ、フィルタ通過域の中
心周波数をＦ０としたとき、 （Ｆ− Ｆ0）／ Ｆ0＝０．１３５Ｎ／（（Ｎ’＋１）／
２）−０．０６９ の式を満たす周波数Ｆ近傍において、スプリアスを抑圧
することを特徴とする請求項１記載の二重モードＳＡＷ
フィルタの構造。
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|---|---|---|---|
| JP30593996A JP3745847B2 (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 二重モードｓａｗフィルタの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP30593996A JP3745847B2 (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 二重モードｓａｗフィルタの構造 |
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ID=17951124
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|---|---|---|---|
| JP30593996A Expired - Fee Related JP3745847B2 (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 二重モードｓａｗフィルタの構造 |
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| US6768397B2 (en) | 2000-11-29 | 2004-07-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter with balanced and unbalanced terminals |
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-
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- 1996-10-31 JP JP30593996A patent/JP3745847B2/ja not_active Expired - Fee Related
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