JPH09181566A - 弾性表面波共振子フィルタ装置 - Google Patents
弾性表面波共振子フィルタ装置Info
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- JPH09181566A JPH09181566A JP7340583A JP34058395A JPH09181566A JP H09181566 A JPH09181566 A JP H09181566A JP 7340583 A JP7340583 A JP 7340583A JP 34058395 A JP34058395 A JP 34058395A JP H09181566 A JPH09181566 A JP H09181566A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
-
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- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
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- H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 挿入損失の増大や大型化を招くことなく、通
過帯域から高域側の阻止域にかけての周波数領域におけ
る減衰特性を急峻とし得るＳＡＷ共振子フィルタ装置を
提供する。 【解決手段】 圧電基板１上に、第１〜第３のＳＡＷ共
振子フィルタ２〜４を構成し、かつ互いに縦続接続して
なり、第１，第３のＳＡＷ共振子フィルタ２，４につい
ては、ソリッド電極指を用いて構成されインターデジタ
ル電極２１，２２及び４１，４２を有するように構成
し、中間の第２のＳＡＷ共振子フィルタ３についてはス
プリット電極指を用いて構成されたインターデジタル電
極３１，３２を有するように構成し、ＳＡＷ共振子フィ
ルタ３の周波数特性上に表れるレスポンスの高域側の急
峻な減衰特性を、第１，第３のＳＡＷ共振子フィルタ
２，４の通過帯域から高域側の阻止域にかけての減衰特
性に組み合わせることにより、通過帯域の高域側の減衰
特性を急峻化させたＳＡＷ共振子フィルタ装置。
過帯域から高域側の阻止域にかけての周波数領域におけ
る減衰特性を急峻とし得るＳＡＷ共振子フィルタ装置を
提供する。 【解決手段】 圧電基板１上に、第１〜第３のＳＡＷ共
振子フィルタ２〜４を構成し、かつ互いに縦続接続して
なり、第１，第３のＳＡＷ共振子フィルタ２，４につい
ては、ソリッド電極指を用いて構成されインターデジタ
ル電極２１，２２及び４１，４２を有するように構成
し、中間の第２のＳＡＷ共振子フィルタ３についてはス
プリット電極指を用いて構成されたインターデジタル電
極３１，３２を有するように構成し、ＳＡＷ共振子フィ
ルタ３の周波数特性上に表れるレスポンスの高域側の急
峻な減衰特性を、第１，第３のＳＡＷ共振子フィルタ
２，４の通過帯域から高域側の阻止域にかけての減衰特
性に組み合わせることにより、通過帯域の高域側の減衰
特性を急峻化させたＳＡＷ共振子フィルタ装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば通信機器な
どにおいて帯域フィルタとして用いられる弾性表面波共
振子フィルタ装置に関し、より詳細には、複数の弾性表
面波共振子フィルタを縦続接続してなる弾性表面波共振
子フィルタ装置に関する。
どにおいて帯域フィルタとして用いられる弾性表面波共
振子フィルタ装置に関し、より詳細には、複数の弾性表
面波共振子フィルタを縦続接続してなる弾性表面波共振
子フィルタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信機器等の中間周波数（ＩＦ）
段に使用される帯域フィルタとして、種々の弾性表面波
（ＳＡＷ）フィルタが用いられている。この種の用途に
用いられるＳＡＷフィルタとしては、主に、トランスバ
ーサル型ＳＡＷフィルタ及びＳＡＷ共振子フィルタが用
いられている。
段に使用される帯域フィルタとして、種々の弾性表面波
（ＳＡＷ）フィルタが用いられている。この種の用途に
用いられるＳＡＷフィルタとしては、主に、トランスバ
ーサル型ＳＡＷフィルタ及びＳＡＷ共振子フィルタが用
いられている。
【０００３】トランスバーサル型ＳＡＷフィルタでは、
伝送特性及び群遅延時間特性を独立に設計することがで
きるので、設計の自由度が大きい。しかしながら、トラ
ンスバーサル型ＳＡＷフィルタは、そのインピーダンス
が高いので、挿入損失が大きいという欠点があった。
伝送特性及び群遅延時間特性を独立に設計することがで
きるので、設計の自由度が大きい。しかしながら、トラ
ンスバーサル型ＳＡＷフィルタは、そのインピーダンス
が高いので、挿入損失が大きいという欠点があった。
【０００４】これに対して、ＳＡＷ共振子フィルタは、
設計の自由度は小さいものの、インピーダンスが比較的
低く、挿入損失が小さい。従って、ＳＡＷ共振子フィル
タは、移動体通信機器等の帯域フィルタとして広く用い
られている。
設計の自由度は小さいものの、インピーダンスが比較的
低く、挿入損失が小さい。従って、ＳＡＷ共振子フィル
タは、移動体通信機器等の帯域フィルタとして広く用い
られている。
【０００５】近年、通信のデジタル化及び機器の省電力
化に伴って、挿入損失が小さいだけでなく、通過帯域か
ら阻止域にかけての減衰特性の傾斜が急峻なフィルタが
要求されている。そこで、このような要求を満たすため
に、１つの圧電基板上において、ＳＡＷ共振子フィルタ
を複数構成し、かつ縦続接続してなる構成が提案されて
いる。
化に伴って、挿入損失が小さいだけでなく、通過帯域か
ら阻止域にかけての減衰特性の傾斜が急峻なフィルタが
要求されている。そこで、このような要求を満たすため
に、１つの圧電基板上において、ＳＡＷ共振子フィルタ
を複数構成し、かつ縦続接続してなる構成が提案されて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
ＳＡＷ共振子フィルタを縦続接続してなるＳＡＷ共振子
フィルタ装置では、通過帯域から阻止域にかけての周波
数領域における減衰特性の急峻性が一応高められている
ものの、通過帯域から高域側の阻止域にかけての周波数
領域での減衰特性の傾斜が十分に急峻にならず、比較的
穏やかであるという問題があった。従って、通過帯域か
ら阻止域、特に高域側の阻止域にかけての減衰特性をよ
り一層急峻化するには、より多くのＳＡＷ共振子フィル
タを縦続接続しなければならない。
ＳＡＷ共振子フィルタを縦続接続してなるＳＡＷ共振子
フィルタ装置では、通過帯域から阻止域にかけての周波
数領域における減衰特性の急峻性が一応高められている
ものの、通過帯域から高域側の阻止域にかけての周波数
領域での減衰特性の傾斜が十分に急峻にならず、比較的
穏やかであるという問題があった。従って、通過帯域か
ら阻止域、特に高域側の阻止域にかけての減衰特性をよ
り一層急峻化するには、より多くのＳＡＷ共振子フィル
タを縦続接続しなければならない。
【０００７】しかしながら、ＳＡＷ共振子フィルタの接
続数、すなわち段数を増加させた場合には、当然のこと
ながら、チップの大型化、ひいてはフィルタ装置全体の
大型化を来たし、かつ挿入損失の悪化等の問題も顕著と
なる。従って、より多くのＳＡＷ共振子フィルタを縦続
接続する方法では、挿入損失の悪化等や大型化等の問題
のために限界があった。
続数、すなわち段数を増加させた場合には、当然のこと
ながら、チップの大型化、ひいてはフィルタ装置全体の
大型化を来たし、かつ挿入損失の悪化等の問題も顕著と
なる。従って、より多くのＳＡＷ共振子フィルタを縦続
接続する方法では、挿入損失の悪化等や大型化等の問題
のために限界があった。
【０００８】本発明の目的は、複数のＳＡＷ共振子フィ
ルタを縦続接続してなるＳＡＷ共振子フィルタ装置にお
ける上記欠点を解消し、挿入損失の悪化や素子の大型化
をさほど招くことなく、通過帯域から阻止域にかけて
の、特に高周波数側の阻止域にかけての減衰特性を急峻
化させ得るＳＡＷ共振子フィルタ装置を提供することに
ある。
ルタを縦続接続してなるＳＡＷ共振子フィルタ装置にお
ける上記欠点を解消し、挿入損失の悪化や素子の大型化
をさほど招くことなく、通過帯域から阻止域にかけて
の、特に高周波数側の阻止域にかけての減衰特性を急峻
化させ得るＳＡＷ共振子フィルタ装置を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の広い局面によれ
ば、上記課題を達成するために、圧電基板または基板上
に圧電薄膜を形成してなる圧電性基板と、前記圧電基板
上にまたは前記圧電薄膜に接するように形成された複数
のインターデジタル（以下、ＩＤ）電極と、前記複数の
ＩＤ電極が設けられている領域の表面波伝搬方向両側に
配置された第１，第２のグレーティング反射器とを有す
るＳＡＷ共振子フィルタ複数個が縦続接続されており、
少なくとも１つの前記ＳＡＷ共振子フィルタのＩＤ電極
がスプリット電極指を用いて構成されており、残りのＳ
ＡＷ共振子フィルタのＩＤ電極がソリッド電極指を用い
て構成されていることを特徴とするＳＡＷ共振子フィル
タ装置が提供される。
ば、上記課題を達成するために、圧電基板または基板上
に圧電薄膜を形成してなる圧電性基板と、前記圧電基板
上にまたは前記圧電薄膜に接するように形成された複数
のインターデジタル（以下、ＩＤ）電極と、前記複数の
ＩＤ電極が設けられている領域の表面波伝搬方向両側に
配置された第１，第２のグレーティング反射器とを有す
るＳＡＷ共振子フィルタ複数個が縦続接続されており、
少なくとも１つの前記ＳＡＷ共振子フィルタのＩＤ電極
がスプリット電極指を用いて構成されており、残りのＳ
ＡＷ共振子フィルタのＩＤ電極がソリッド電極指を用い
て構成されていることを特徴とするＳＡＷ共振子フィル
タ装置が提供される。
【００１０】なお、本明細書において、ソリッド電極指
とは、伝搬される表面波の波長をλとしたときに、λ／
４の幅を有し、かつ電極指間の間隙もλ／４とされてお
り、交互に異なる電位に接続される電極指が表面波伝搬
方向に沿って配置されるように構成されているものを基
本構造とする電極指をいうものとする。他方、スプリッ
ト電極指とは、上記通常のソリッド電極指を２本の電極
指に分割することにより形成された電極指に相当し、よ
り詳しくは、励受信される表面波の波長λとしたとき
に、λ／８の幅を有し、かつ２本のスプリット電極指間
の間隙の幅がλ／８とされているものを基本構造とし、
この２本の電極指は同電位に接続されており、従って、
１本のソリッド電極指に相当する。また、２本のスプリ
ット電極指と、隣接する２本のスプリット電極指との間
の中心間ピッチは、λ／２とされている。なお、上記に
おいて基本構造なる表現を用いたのは、電極指の幅をλ
／４やλ／８からずらして設計することもあり、これら
の変形も本発明で利用し得るからである。
とは、伝搬される表面波の波長をλとしたときに、λ／
４の幅を有し、かつ電極指間の間隙もλ／４とされてお
り、交互に異なる電位に接続される電極指が表面波伝搬
方向に沿って配置されるように構成されているものを基
本構造とする電極指をいうものとする。他方、スプリッ
ト電極指とは、上記通常のソリッド電極指を２本の電極
指に分割することにより形成された電極指に相当し、よ
り詳しくは、励受信される表面波の波長λとしたとき
に、λ／８の幅を有し、かつ２本のスプリット電極指間
の間隙の幅がλ／８とされているものを基本構造とし、
この２本の電極指は同電位に接続されており、従って、
１本のソリッド電極指に相当する。また、２本のスプリ
ット電極指と、隣接する２本のスプリット電極指との間
の中心間ピッチは、λ／２とされている。なお、上記に
おいて基本構造なる表現を用いたのは、電極指の幅をλ
／４やλ／８からずらして設計することもあり、これら
の変形も本発明で利用し得るからである。
【００１１】後述の発明の実施形態の説明において参照
する図３に示されているように、スプリット電極指を用
いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタ
では、周波数特性において複数のレスポンスが表れる
が、そのうち最大レスポンス及び最大レスポンスの次に
大きいレスポンスのうち、高周波数側のレスポンスは、
高域側における減衰特性が非常に急峻である。
する図３に示されているように、スプリット電極指を用
いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタ
では、周波数特性において複数のレスポンスが表れる
が、そのうち最大レスポンス及び最大レスポンスの次に
大きいレスポンスのうち、高周波数側のレスポンスは、
高域側における減衰特性が非常に急峻である。
【００１２】従って、スプリット電極指を用いたＩＤ電
極を有するＳＡＷ共振子フィルタと、ソリッド電極指を
用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィル
タとを縦続接続し、ソリッド電極指を用いたＩＤ電極を
有するＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域と、上記スプリ
ット電極指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ
共振子フィルタの上記高周波数側のレスポンスの高周波
数側の急峻な減衰特性とを組み合わせることにより、通
過帯域から通過帯域の高域側の阻止域にかけての周波数
領域における減衰特性の傾斜を急峻とすることができ
る。
極を有するＳＡＷ共振子フィルタと、ソリッド電極指を
用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィル
タとを縦続接続し、ソリッド電極指を用いたＩＤ電極を
有するＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域と、上記スプリ
ット電極指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ
共振子フィルタの上記高周波数側のレスポンスの高周波
数側の急峻な減衰特性とを組み合わせることにより、通
過帯域から通過帯域の高域側の阻止域にかけての周波数
領域における減衰特性の傾斜を急峻とすることができ
る。
【００１３】すなわち、本発明のＳＡＷ共振子フィルタ
装置は、ソリッド電極指を用いて構成されたＩＤ電極を
有するＳＡＷ共振子フィルタにより所望とする通過帯域
を確保し、かつ上記スプリット型電極指を有するＩＤ電
極を用いて構成されたＳＡＷ共振子フィルタにより通過
帯域から通過帯域の高域側にある阻止域にかけての減衰
特性を急峻化させることに特徴を有する。
装置は、ソリッド電極指を用いて構成されたＩＤ電極を
有するＳＡＷ共振子フィルタにより所望とする通過帯域
を確保し、かつ上記スプリット型電極指を有するＩＤ電
極を用いて構成されたＳＡＷ共振子フィルタにより通過
帯域から通過帯域の高域側にある阻止域にかけての減衰
特性を急峻化させることに特徴を有する。
【００１４】よって、好ましくは、上記スプリット電極
指を用いたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタで
は、上記高周波数側のレスポンスを利用するために、該
高周波側に表れるレスポンスの高域側における減衰特性
が、ソリッド電極指を用いたＩＤ電極を有するＳＡＷ共
振子フィルタの通過帯域から通過帯域の高域側の阻止域
にかけての周波数領域に一致するように、双方のＳＡＷ
共振子フィルタのフィルタ特性が選択される。
指を用いたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタで
は、上記高周波数側のレスポンスを利用するために、該
高周波側に表れるレスポンスの高域側における減衰特性
が、ソリッド電極指を用いたＩＤ電極を有するＳＡＷ共
振子フィルタの通過帯域から通過帯域の高域側の阻止域
にかけての周波数領域に一致するように、双方のＳＡＷ
共振子フィルタのフィルタ特性が選択される。
【００１５】このように複数のＳＡＷ共振子フィルタの
フィルタ特性を設計するにあたっては、種々の方法が挙
げられるが、本発明の特定的な局面では、スプリット電
極指を用いて構成されたＩＤ電極の電極指ピッチが、該
ＩＤ電極が設けられているＳＡＷ共振子フィルタの反射
器の電極指ピッチよりも大きくされる。この構成によれ
ば、後述の発明の実施の形態から明らかなように、スプ
リット電極指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡ
Ｗ共振子フィルタの急峻な減衰特性を、ソリッド電極指
を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィ
ルタの通過帯域から通過帯域の高域側の阻止域へかけて
の周波数領域に重ね合わせることができ、通過帯域から
高域側の阻止域にかけての減衰特性が急峻なＳＡＷ共振
子フィルタ装置を確実に提供し得る。
フィルタ特性を設計するにあたっては、種々の方法が挙
げられるが、本発明の特定的な局面では、スプリット電
極指を用いて構成されたＩＤ電極の電極指ピッチが、該
ＩＤ電極が設けられているＳＡＷ共振子フィルタの反射
器の電極指ピッチよりも大きくされる。この構成によれ
ば、後述の発明の実施の形態から明らかなように、スプ
リット電極指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡ
Ｗ共振子フィルタの急峻な減衰特性を、ソリッド電極指
を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィ
ルタの通過帯域から通過帯域の高域側の阻止域へかけて
の周波数領域に重ね合わせることができ、通過帯域から
高域側の阻止域にかけての減衰特性が急峻なＳＡＷ共振
子フィルタ装置を確実に提供し得る。
【００１６】上記のように、本発明のＳＡＷ共振子フィ
ルタ装置では、スプリット電極指を用いて構成されたＩ
Ｄ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタと、ソリッド電極
指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フ
ィルタとを縦続接続することにより上記のような作用効
果を得ることに特徴を有するものであるが、各ＳＡＷ共
振子フィルタの数は１以上であれば任意である。すなわ
ち、ＳＡＷ共振子フィルタのうち、スプリット電極指を
用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィル
タが少なくとも１個、並びにソリッド電極指を用いて構
成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタが少な
くとも１個設けられておればよい。
ルタ装置では、スプリット電極指を用いて構成されたＩ
Ｄ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタと、ソリッド電極
指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フ
ィルタとを縦続接続することにより上記のような作用効
果を得ることに特徴を有するものであるが、各ＳＡＷ共
振子フィルタの数は１以上であれば任意である。すなわ
ち、ＳＡＷ共振子フィルタのうち、スプリット電極指を
用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィル
タが少なくとも１個、並びにソリッド電極指を用いて構
成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタが少な
くとも１個設けられておればよい。
【００１７】本発明のより特定的な局面では、上記複数
のＳＡＷ共振子フィルタは、順に縦続接続された第１〜
第３のＳＡＷ共振子フィルタを有し、第１，第３のＳＡ
Ｗ共振子フィルタのＩＤ電極がソリッド電極指を用いて
構成されており、中間に接続される第２のＳＡＷ共振子
フィルタのＩＤ電極がスプリット電極指を用いて構成さ
れる。この場合、入力側及び出力側からみたインピーダ
ンスが等しいので、インピーダンス整合が容易となる。
のＳＡＷ共振子フィルタは、順に縦続接続された第１〜
第３のＳＡＷ共振子フィルタを有し、第１，第３のＳＡ
Ｗ共振子フィルタのＩＤ電極がソリッド電極指を用いて
構成されており、中間に接続される第２のＳＡＷ共振子
フィルタのＩＤ電極がスプリット電極指を用いて構成さ
れる。この場合、入力側及び出力側からみたインピーダ
ンスが等しいので、インピーダンス整合が容易となる。
【００１８】また、本発明のＳＡＷ共振子フィルタ装置
は、スプリット型電極指を用いた１以上のＳＡＷ共振子
フィルタと、ソリッド型電極指を用いた１以上のＳＡＷ
共振子フィルタとを縦続接続した構成を有するが、好ま
しくは、複数のＳＡＷ共振子フィルタは単一の圧電基板
または圧電性基板に構成される。すなわち、単一の圧電
基板または圧電性基板に複数のＳＡＷ共振子フィルタを
構成することにより、通過帯域から高域側の阻止域にか
けての周波数領域における減衰特性が急峻なフィルタを
単一の素子として提供することができる。
は、スプリット型電極指を用いた１以上のＳＡＷ共振子
フィルタと、ソリッド型電極指を用いた１以上のＳＡＷ
共振子フィルタとを縦続接続した構成を有するが、好ま
しくは、複数のＳＡＷ共振子フィルタは単一の圧電基板
または圧電性基板に構成される。すなわち、単一の圧電
基板または圧電性基板に複数のＳＡＷ共振子フィルタを
構成することにより、通過帯域から高域側の阻止域にか
けての周波数領域における減衰特性が急峻なフィルタを
単一の素子として提供することができる。
【００１９】なお、本発明において、圧電基板として
は、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶などの圧電単結
晶やチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電
セラミックスを用いることができる。また、上記圧電性
基板としては、アルミナなどの絶縁性材料よりなる基板
上に、圧電薄膜を形成したもの、あるいは上記圧電基板
上にさらに圧電薄膜を形成したものを用いることがで
き、上記圧電薄膜としては、ＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｓｉ
Ｏ2などからなる薄膜を用いることができる。
は、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶などの圧電単結
晶やチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電
セラミックスを用いることができる。また、上記圧電性
基板としては、アルミナなどの絶縁性材料よりなる基板
上に、圧電薄膜を形成したもの、あるいは上記圧電基板
上にさらに圧電薄膜を形成したものを用いることがで
き、上記圧電薄膜としては、ＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｓｉ
Ｏ2などからなる薄膜を用いることができる。
【００２０】本発明において、ＳＡＷ共振子フィルタを
構成する複数のＩＤ電極は、上記圧電基板上にまたは圧
電薄膜に接するように形成される。この場合、圧電薄膜
に接するように形成される態様としては、圧電薄膜上に
複数のＩＤ電極を形成した態様、あるいは圧電薄膜の下
面、すなわち基板と圧電薄膜との間の界面に複数のＩＤ
電極を形成した態様の何れであってもよい。
構成する複数のＩＤ電極は、上記圧電基板上にまたは圧
電薄膜に接するように形成される。この場合、圧電薄膜
に接するように形成される態様としては、圧電薄膜上に
複数のＩＤ電極を形成した態様、あるいは圧電薄膜の下
面、すなわち基板と圧電薄膜との間の界面に複数のＩＤ
電極を形成した態様の何れであってもよい。
【００２１】また、第１，第２のグレーティング反射器
についても、上記複数のＩＤ電極と同様に、圧電基板上
にまたは圧電薄膜に接するように形成される。上記複数
のＩＤ電極及びグレーティング反射器は、任意の金属材
料により形成することができるが、通常は、ＳＡＷ装置
において慣用されているＡｌもしくはＡｌ合金が好適に
用いられる。
についても、上記複数のＩＤ電極と同様に、圧電基板上
にまたは圧電薄膜に接するように形成される。上記複数
のＩＤ電極及びグレーティング反射器は、任意の金属材
料により形成することができるが、通常は、ＳＡＷ装置
において慣用されているＡｌもしくはＡｌ合金が好適に
用いられる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態にか
かるＳＡＷ共振子フィルタ装置を示す略図的平面図であ
る。
かるＳＡＷ共振子フィルタ装置を示す略図的平面図であ
る。
【００２３】本実施形態にかかるＳＡＷ共振子フィルタ
装置は、矩形の圧電基板１を用いて構成されている。圧
電基板１は、本実施形態では、３６°ＹカットＸ方向伝
搬のＬｉＴａＯ3 基板により形成されている。もっと
も、Ｘ−１１２°Ｙ ＬｉＴａＯ3 基板や６４°Ｙ−Ｘ
ＬｉＮｂＯ3 基板などを用いてもよい。
装置は、矩形の圧電基板１を用いて構成されている。圧
電基板１は、本実施形態では、３６°ＹカットＸ方向伝
搬のＬｉＴａＯ3 基板により形成されている。もっと
も、Ｘ−１１２°Ｙ ＬｉＴａＯ3 基板や６４°Ｙ−Ｘ
ＬｉＮｂＯ3 基板などを用いてもよい。
【００２４】圧電基板１上には、後述の種々のＩＤ電極
や反射器がアルミニウムに銅を添加してなるアルミニウ
ム合金を用いて構成されており、それによって３段のＳ
ＡＷ共振子フィルタ２〜４が構成されている。また、特
に図示はしないが、圧電基板１上の全面に、但し、外部
との接続用電極パッドが形成されている領域を除いて、
上記各種電極を覆うようにＳｉＯ2 薄膜がスパッタリン
グにより形成されている。
や反射器がアルミニウムに銅を添加してなるアルミニウ
ム合金を用いて構成されており、それによって３段のＳ
ＡＷ共振子フィルタ２〜４が構成されている。また、特
に図示はしないが、圧電基板１上の全面に、但し、外部
との接続用電極パッドが形成されている領域を除いて、
上記各種電極を覆うようにＳｉＯ2 薄膜がスパッタリン
グにより形成されている。
【００２５】すなわち、ＳＡＷ共振子フィルタ２では、
中央に表面波伝搬方向に沿ってＩＤ電極２１，２２が形
成されている。ＩＤ電極２１，２２は、それぞれ、一対
のくし歯電極２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂからな
る。くし歯電極２１ａ，２１ｂは、それぞれ、複数本の
ソリッド電極指を有し、互いの電極指が間挿し合ってい
る。同様に、くし歯電極２２ａ，２２ｂも複数本のソリ
ッド電極指を有し、互いの電極指が間挿し合っている。
中央に表面波伝搬方向に沿ってＩＤ電極２１，２２が形
成されている。ＩＤ電極２１，２２は、それぞれ、一対
のくし歯電極２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂからな
る。くし歯電極２１ａ，２１ｂは、それぞれ、複数本の
ソリッド電極指を有し、互いの電極指が間挿し合ってい
る。同様に、くし歯電極２２ａ，２２ｂも複数本のソリ
ッド電極指を有し、互いの電極指が間挿し合っている。
【００２６】ＩＤ電極２１，２２が設けられている領域
の両側には、グレーティング反射器８ａ，８ｂが設けら
れている。グレーティング反射器８ａ，８ｂは、それぞ
れ、複数本の電極指８１，８２を有する。電極指８１，
８２は、表面波伝搬方向に直交する方向に延ばされてい
る。
の両側には、グレーティング反射器８ａ，８ｂが設けら
れている。グレーティング反射器８ａ，８ｂは、それぞ
れ、複数本の電極指８１，８２を有する。電極指８１，
８２は、表面波伝搬方向に直交する方向に延ばされてい
る。
【００２７】なお、ＩＤ電極２１の一方のくし歯電極２
１ａは、入力電極を構成する電極パッド９ａに電気的に
接続されている。また、くし歯電極２１ｂはアース電位
に接続される電極パッド１１に電気的に接続されてい
る。くし歯電極２２ａは、アース電位に接続される電極
パッド９ｂに電気的に接続されている。
１ａは、入力電極を構成する電極パッド９ａに電気的に
接続されている。また、くし歯電極２１ｂはアース電位
に接続される電極パッド１１に電気的に接続されてい
る。くし歯電極２２ａは、アース電位に接続される電極
パッド９ｂに電気的に接続されている。
【００２８】第２のＳＡＷ共振子フィルタ３では、中央
にＩＤ電極３１，３２が表面波伝搬方向に沿うように配
置されている。ＩＤ電極３１，３２は、それぞれ、一対
のくし歯電極３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂからな
る。くし歯電極３１ａ，３１ｂは、それぞれ、複数本の
スプリット電極指を有する。くし歯電極３１ａのスプリ
ット電極指と、くし歯電極３１ｂのスプリット電極指
は、それぞれ２本が１組となって、互いに間挿し合って
いる。同様に、くし歯電極３２ａ，３２ｂも、スプリッ
ト電極指を用いて構成されている。
にＩＤ電極３１，３２が表面波伝搬方向に沿うように配
置されている。ＩＤ電極３１，３２は、それぞれ、一対
のくし歯電極３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂからな
る。くし歯電極３１ａ，３１ｂは、それぞれ、複数本の
スプリット電極指を有する。くし歯電極３１ａのスプリ
ット電極指と、くし歯電極３１ｂのスプリット電極指
は、それぞれ２本が１組となって、互いに間挿し合って
いる。同様に、くし歯電極３２ａ，３２ｂも、スプリッ
ト電極指を用いて構成されている。
【００２９】ＩＤ電極３１，３２の表面波伝搬方向両側
にはグレーティング反射器３３ａ，３３ｂが形成されて
いる。グレーティング反射器３３ａ，３３ｂは、グレー
ティング反射器８ａ，８ｂと同様に複数本の電極指を有
するように構成されている。
にはグレーティング反射器３３ａ，３３ｂが形成されて
いる。グレーティング反射器３３ａ，３３ｂは、グレー
ティング反射器８ａ，８ｂと同様に複数本の電極指を有
するように構成されている。
【００３０】くし歯電極３１ａは、くし歯電極２１ｂと
導電パターンにより共通接続されて、前述したアース電
位に接続される電極パッド１１に電気的に接続されてい
る。くし歯電極３２ａは、第１のＳＡＷ共振子フィルタ
のくし歯電極２２ｂに電気的に接続されている。
導電パターンにより共通接続されて、前述したアース電
位に接続される電極パッド１１に電気的に接続されてい
る。くし歯電極３２ａは、第１のＳＡＷ共振子フィルタ
のくし歯電極２２ｂに電気的に接続されている。
【００３１】他方、くし歯電極３１ｂは、第３のＳＡＷ
共振子フィルタに電気的に接続されている。また、くし
歯電極３２ｂは、導電パターンによりアース電位に接続
される電極パッド１２に電気的に接続されている。
共振子フィルタに電気的に接続されている。また、くし
歯電極３２ｂは、導電パターンによりアース電位に接続
される電極パッド１２に電気的に接続されている。
【００３２】第３のＳＡＷ共振子フィルタ４は、第１の
ＳＡＷ共振子フィルタ２と同様に構成されている。すな
わち、中央にソリッド電極指を用いて構成されたＩＤ電
極４１，４２を有する。ＩＤ電極４１，４２は、それぞ
れ、一対のくし歯電極４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ
を有し、各くし歯電極４１ａ〜４２ｂはソリッド電極指
を用いて構成されている。
ＳＡＷ共振子フィルタ２と同様に構成されている。すな
わち、中央にソリッド電極指を用いて構成されたＩＤ電
極４１，４２を有する。ＩＤ電極４１，４２は、それぞ
れ、一対のくし歯電極４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ
を有し、各くし歯電極４１ａ〜４２ｂはソリッド電極指
を用いて構成されている。
【００３３】また、ＩＤ電極４１，４２の設けられてい
る領域の表面波伝搬方向両側には、反射器４３ａ，４３
ｂが形成されており、それぞれ、複数本の電極指を有す
る。
る領域の表面波伝搬方向両側には、反射器４３ａ，４３
ｂが形成されており、それぞれ、複数本の電極指を有す
る。
【００３４】くし歯電極４１ａは、第２のＳＡＷ共振子
フィルタ３のくし歯電極３１ｂに電気的に接続されてい
る。くし歯電極４１ｂは、導電パターンによりアース電
位に接続される電極パッド１３に電気的に接続されてい
る。他方、くし歯電極４２ａは、導電パターンによりく
し歯電極３２ｂと共通接続されており、さらに電極パッ
ド１２に電気的に接続されている。くし歯電極４２ｂ
は、導電パターンにより出力電極となる電極パッド１０
に電気的に接続されている。
フィルタ３のくし歯電極３１ｂに電気的に接続されてい
る。くし歯電極４１ｂは、導電パターンによりアース電
位に接続される電極パッド１３に電気的に接続されてい
る。他方、くし歯電極４２ａは、導電パターンによりく
し歯電極３２ｂと共通接続されており、さらに電極パッ
ド１２に電気的に接続されている。くし歯電極４２ｂ
は、導電パターンにより出力電極となる電極パッド１０
に電気的に接続されている。
【００３５】本実施形態のＳＡＷ共振子フィルタ装置
は、上記第１〜第３のＳＡＷ共振子フィルタ２〜４を有
するが、ＳＡＷ共振子フィルタ２またはＳＡＷ共振子フ
ィルタ４を省略してもよく、あるいは、第１〜第３のＳ
ＡＷ共振子フィルタ２〜４に加えて、１以上のソリッド
電極指を用いて構成されたＳＡＷ共振子フィルタ及び／
または１以上のスプリット電極指を用いて構成されたＳ
ＡＷ共振子フィルタをさらに縦続接続してもよく、それ
によって、通過帯域から通過帯域の高域側の阻止域にか
けての減衰特性をより急峻とすることができる。
は、上記第１〜第３のＳＡＷ共振子フィルタ２〜４を有
するが、ＳＡＷ共振子フィルタ２またはＳＡＷ共振子フ
ィルタ４を省略してもよく、あるいは、第１〜第３のＳ
ＡＷ共振子フィルタ２〜４に加えて、１以上のソリッド
電極指を用いて構成されたＳＡＷ共振子フィルタ及び／
または１以上のスプリット電極指を用いて構成されたＳ
ＡＷ共振子フィルタをさらに縦続接続してもよく、それ
によって、通過帯域から通過帯域の高域側の阻止域にか
けての減衰特性をより急峻とすることができる。
【００３６】次に、図１に示したＳＡＷ共振子フィルタ
装置において、通過帯域の高域側の減衰特性が急峻化さ
れる理由を、図２〜図４を参照して説明する。図２は、
ＳＡＷ共振子フィルタ２のみを用いた場合、すなわちソ
リッド電極指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡ
Ｗ共振子フィルタ１段の周波数特性を示す。なお、図２
において、実線Ｂは、実線Ａで示す挿入損失−周波数特
性のうち、挿入損失を縦軸の右側に示すスケールに従っ
て拡大して示す特性である。
装置において、通過帯域の高域側の減衰特性が急峻化さ
れる理由を、図２〜図４を参照して説明する。図２は、
ＳＡＷ共振子フィルタ２のみを用いた場合、すなわちソ
リッド電極指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡ
Ｗ共振子フィルタ１段の周波数特性を示す。なお、図２
において、実線Ｂは、実線Ａで示す挿入損失−周波数特
性のうち、挿入損失を縦軸の右側に示すスケールに従っ
て拡大して示す特性である。
【００３７】また、図３は、ＳＡＷ共振子フィルタ３の
周波数特性の一例、すなわちスプリット電極指を用いて
構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタ１段
の周波数特性を示す。なお、図３において、実線Ｄは、
実線Ｃで示す特性の要部を拡大して示した特性であり、
図３の挿入損失を縦軸の右側に示すスケールに従って拡
大した特性である。
周波数特性の一例、すなわちスプリット電極指を用いて
構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタ１段
の周波数特性を示す。なお、図３において、実線Ｄは、
実線Ｃで示す特性の要部を拡大して示した特性であり、
図３の挿入損失を縦軸の右側に示すスケールに従って拡
大した特性である。
【００３８】図３から明らかなように、スプリット電極
指を有するＩＤ電極を用いて構成されたＳＡＷ共振子フ
ィルタでは、２つの大きなレスポンスＥ，Ｆと小さなレ
スポンスＧの表れることがわかる。この場合、中央に表
れる大きなレスポンスＥを利用しようとした場合には、
不要レスポンスＦ及びＧを減衰させねばならない。しか
しながら、ＳＡＷ共振子フィルタの設計条件を変更する
ことにより、レスポンスＦ及びＡの双方を十分に減衰さ
せることは難しい。
指を有するＩＤ電極を用いて構成されたＳＡＷ共振子フ
ィルタでは、２つの大きなレスポンスＥ，Ｆと小さなレ
スポンスＧの表れることがわかる。この場合、中央に表
れる大きなレスポンスＥを利用しようとした場合には、
不要レスポンスＦ及びＧを減衰させねばならない。しか
しながら、ＳＡＷ共振子フィルタの設計条件を変更する
ことにより、レスポンスＦ及びＡの双方を十分に減衰さ
せることは難しい。
【００３９】他方、レスポンスＦを利用しようとした場
合には不要レスポンスであるレスポンスＥ，Ｇを減少さ
せることは容易である。すなわち、例えば、スプリット
電極指を用いて構成されているＩＤ電極の電極指ピッチ
の反射器の電極指ピッチに対する比を１．０２４程度に
大きくすれば、レスポンスＡを反射器のストップバンド
の端部へ移動させることができ、図４に示すように、レ
スポンスＡを小さくすることができる。
合には不要レスポンスであるレスポンスＥ，Ｇを減少さ
せることは容易である。すなわち、例えば、スプリット
電極指を用いて構成されているＩＤ電極の電極指ピッチ
の反射器の電極指ピッチに対する比を１．０２４程度に
大きくすれば、レスポンスＡを反射器のストップバンド
の端部へ移動させることができ、図４に示すように、レ
スポンスＡを小さくすることができる。
【００４０】なお、図４は、上記のように変形されたス
プリット電極指を用いたＳＡＷ共振子フィルタの周波数
特性を示すが、実線Ｉは、実線Ｈで示す周波数特性の要
部を、挿入損失を縦軸の右側に示すスケールで拡大して
示す特性である。
プリット電極指を用いたＳＡＷ共振子フィルタの周波数
特性を示すが、実線Ｉは、実線Ｈで示す周波数特性の要
部を、挿入損失を縦軸の右側に示すスケールで拡大して
示す特性である。
【００４１】すなわち、スプリット電極指を用いたＳＡ
Ｗ共振子フィルタでは、上記３つのレスポンスＥ，Ｆ，
Ｇのうち、もっとも高周波数領域側に表れるレスポンス
Ｆを利用するために、他のレスポンスＥ，Ｇを抑圧する
ことは、上記電極指ピッチ比を大きくすることにより、
具体的には１以上とすることにより、容易に達成し得
る。
Ｗ共振子フィルタでは、上記３つのレスポンスＥ，Ｆ，
Ｇのうち、もっとも高周波数領域側に表れるレスポンス
Ｆを利用するために、他のレスポンスＥ，Ｇを抑圧する
ことは、上記電極指ピッチ比を大きくすることにより、
具体的には１以上とすることにより、容易に達成し得
る。
【００４２】従って、図４に示すように、上記電極指ピ
ッチ比を制御することにより、高周波数領域側における
減衰特性が急峻なレスポンスＦを実現することができ
る。よって、レスポンスＥの周波数位置を、図２に示し
た周波数特性における高域側の減衰極に一致させること
により、レスポンスＥが通過帯域の低域側に不要スプリ
アスとして残ることを防止することができる。
ッチ比を制御することにより、高周波数領域側における
減衰特性が急峻なレスポンスＦを実現することができ
る。よって、レスポンスＥの周波数位置を、図２に示し
た周波数特性における高域側の減衰極に一致させること
により、レスポンスＥが通過帯域の低域側に不要スプリ
アスとして残ることを防止することができる。
【００４３】従って、本実施形態のＳＡＷ共振子フィル
タ装置では、例えば図２に示す周波数特性を有するソリ
ッド電極指を用いて構成されたＳＡＷ共振子フィルタ
２，４に対し、例えば図４に示す周波数特性を有するス
プリット電極指を用いて構成されたＳＡＷ共振子フィル
タ３を縦続接続することにより、通過帯域の高域側にお
ける減衰特性が急峻であるフィルタ特性を得ることがで
きる。
タ装置では、例えば図２に示す周波数特性を有するソリ
ッド電極指を用いて構成されたＳＡＷ共振子フィルタ
２，４に対し、例えば図４に示す周波数特性を有するス
プリット電極指を用いて構成されたＳＡＷ共振子フィル
タ３を縦続接続することにより、通過帯域の高域側にお
ける減衰特性が急峻であるフィルタ特性を得ることがで
きる。
【００４４】なお、ソリッド電極指を用いたＳＡＷ共振
子フィルタでは、上記電極指ピッチ比は１よりわずかに
小さな値に設定すればよい。これは、ソリッド型電極指
を用いたＩＤＴの放射コンダクタンスピークは、スプリ
ット型電極指を用いたＩＤＴの放射コンダクタンスピー
クに対して低周波数側にあるため、ピッチ比を１以上と
すると、ストップバンドの外に追いやられてしまい、フ
ィルタ特性が得られなくなるという理由による。
子フィルタでは、上記電極指ピッチ比は１よりわずかに
小さな値に設定すればよい。これは、ソリッド型電極指
を用いたＩＤＴの放射コンダクタンスピークは、スプリ
ット型電極指を用いたＩＤＴの放射コンダクタンスピー
クに対して低周波数側にあるため、ピッチ比を１以上と
すると、ストップバンドの外に追いやられてしまい、フ
ィルタ特性が得られなくなるという理由による。
【００４５】次に、より具体的な実験例につき、図５及
び図６を参照して説明する。ヨーロッパのデジタルコー
ドレス電話の方式（ＤＥＣＴ）のＩＦ用フィルタに、本
発明にかかるＳＡＷ共振子フィルタ装置を適用した場合
の特性を、図５及び図６を参照して説明する。
び図６を参照して説明する。ヨーロッパのデジタルコー
ドレス電話の方式（ＤＥＣＴ）のＩＦ用フィルタに、本
発明にかかるＳＡＷ共振子フィルタ装置を適用した場合
の特性を、図５及び図６を参照して説明する。
【００４６】使用したＳＡＷ共振子フィルタ装置は、図
１に示した第１の実施形態と同様に、ソリッド電極を用
いた構成された第１のＳＡＷ共振子フィルタ２と、スプ
リット電極指を用いて構成された第２のＳＡＷ共振子フ
ィルタ３と、ソリッド電極指を用いて構成された第３の
ＳＡＷ共振子フィルタ４とをこの順序で縦続接続した構
成を有する。この構成では、フィルタ全体が入出力対称
とされているため、入力端子及び出力端子からみたイン
ピーダンスが同じであり、従って、インピーダンスマッ
チングを容易にとることができるという利点を有する。
１に示した第１の実施形態と同様に、ソリッド電極を用
いた構成された第１のＳＡＷ共振子フィルタ２と、スプ
リット電極指を用いて構成された第２のＳＡＷ共振子フ
ィルタ３と、ソリッド電極指を用いて構成された第３の
ＳＡＷ共振子フィルタ４とをこの順序で縦続接続した構
成を有する。この構成では、フィルタ全体が入出力対称
とされているため、入力端子及び出力端子からみたイン
ピーダンスが同じであり、従って、インピーダンスマッ
チングを容易にとることができるという利点を有する。
【００４７】圧電基板１としては、３６°Ｙ−Ｘ Ｌｉ
ＴａＯ3 基板の上面に上述した各種電極を形成した後
に、全面（但し、外部との接続用の電極パッドを除く）
にＳｉＯ2 薄膜を形成したものを用いた。また、ＳＡＷ
共振子フィルタ２〜４の電極は、上記のように、アルミ
ニウムに銅を添加した合金を用いた。ソリッド電極指を
用いて構成されたＩＤ電極２１，２２，４１，４２につ
いては、電極指の対数を１１対とし、スプリット電極指
を用いて構成されたＩＤ電極３１，３２の電極指の対数
は２５対とした。また、ＩＤ電極２１，２２，３１，３
２，４１，４２の開口長は何れも４００μｍとした。ま
た、ＳＡＷ共振子フィルタ２，４における電極指ピッチ
比、すなわちＩＤ電極の電極指ピッチのグレーティング
反射器における電極指ピッチに対する比は０．９６８と
し、ＳＡＷ共振子フィルタ３における電極指ピッチの比
は１．０２４とした。
ＴａＯ3 基板の上面に上述した各種電極を形成した後
に、全面（但し、外部との接続用の電極パッドを除く）
にＳｉＯ2 薄膜を形成したものを用いた。また、ＳＡＷ
共振子フィルタ２〜４の電極は、上記のように、アルミ
ニウムに銅を添加した合金を用いた。ソリッド電極指を
用いて構成されたＩＤ電極２１，２２，４１，４２につ
いては、電極指の対数を１１対とし、スプリット電極指
を用いて構成されたＩＤ電極３１，３２の電極指の対数
は２５対とした。また、ＩＤ電極２１，２２，３１，３
２，４１，４２の開口長は何れも４００μｍとした。ま
た、ＳＡＷ共振子フィルタ２，４における電極指ピッチ
比、すなわちＩＤ電極の電極指ピッチのグレーティング
反射器における電極指ピッチに対する比は０．９６８と
し、ＳＡＷ共振子フィルタ３における電極指ピッチの比
は１．０２４とした。
【００４８】図５は、ソリッド型電極指を用いたＩＤＴ
を３段縦続接続した構成の周波数特性を示す。なお、図
５の実線Ｋは、実線Ａで示した特性の要部を、縦軸の右
側に示したスケールに従って挿入損失を拡大して示した
特性である。
を３段縦続接続した構成の周波数特性を示す。なお、図
５の実線Ｋは、実線Ａで示した特性の要部を、縦軸の右
側に示したスケールに従って挿入損失を拡大して示した
特性である。
【００４９】また、図６は、上記のようにして構成され
た３段のＳＡＷ共振子フィルタ装置全体の周波数特性で
ある。なお、図６において、実線Ｍは、実線Ｌで示した
特性の要部を、縦軸の右側に示したスケールに従って挿
入損失を拡大して示した特性である。
た３段のＳＡＷ共振子フィルタ装置全体の周波数特性で
ある。なお、図６において、実線Ｍは、実線Ｌで示した
特性の要部を、縦軸の右側に示したスケールに従って挿
入損失を拡大して示した特性である。
【００５０】図５及び図６の比較から明らかなように、
図６に示した特性Ｌ，Ｍでは、通過帯域の高域側におけ
る減衰特性が非常に急峻となっていることがわかる。
図６に示した特性Ｌ，Ｍでは、通過帯域の高域側におけ
る減衰特性が非常に急峻となっていることがわかる。
【００５１】
【発明の効果】本発明では、複数のＳＡＷ共振子フィル
タを縦続接続してなるＳＡＷ共振子フィルタ装置におい
て、少なくとも１つのＳＡＷ共振子フィルタが、スプリ
ット電極指を用いたＩＤ電極を有し、残りのＳＡＷ共振
子フィルタがソリッド電極指を用いて構成されたＩＤ電
極を有する。従って、ソリッド電極を用いて構成された
ＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域から
高域側の阻止域にかけての減衰特性が、上記スプリット
電極指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振
子フィルタのレスポンスの高域側における急峻な減衰特
性により補完されて、通過帯域の高域側における減衰特
性が急峻化される。
タを縦続接続してなるＳＡＷ共振子フィルタ装置におい
て、少なくとも１つのＳＡＷ共振子フィルタが、スプリ
ット電極指を用いたＩＤ電極を有し、残りのＳＡＷ共振
子フィルタがソリッド電極指を用いて構成されたＩＤ電
極を有する。従って、ソリッド電極を用いて構成された
ＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域から
高域側の阻止域にかけての減衰特性が、上記スプリット
電極指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振
子フィルタのレスポンスの高域側における急峻な減衰特
性により補完されて、通過帯域の高域側における減衰特
性が急峻化される。
【００５２】このようにスプリット電極指を用いて構成
されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタの接続に
より通過帯域の高域側における減衰特性が急峻化される
ため、従来の単にＳＡＷ共振子フィルタの接続段数を増
大させて減衰特性を急峻化させた構成に比べて、本発明
によれば、挿入損失の増大やフィルタ装置全体の大型化
を招くことなく、急峻な減衰特性を得ることができる。
されたＩＤ電極を有するＳＡＷ共振子フィルタの接続に
より通過帯域の高域側における減衰特性が急峻化される
ため、従来の単にＳＡＷ共振子フィルタの接続段数を増
大させて減衰特性を急峻化させた構成に比べて、本発明
によれば、挿入損失の増大やフィルタ装置全体の大型化
を招くことなく、急峻な減衰特性を得ることができる。
【００５３】また、本発明の特定的な局面では、上記ス
プリット電極指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳ
ＡＷ共振子フィルタの電極指ピッチ比、すなわち、スプ
リット電極指を用いて構成されたＩＤ電極の電極指ピッ
チの反射器の電極指ピッチに対する比が１よりも大きく
されているため、スプリット電極指を用いて構成された
ＳＡＷ共振子フィルタの周波数特性上に表れる２つの大
きなレスポンスのうち、高周波側のレスポンスを確実に
利用することができ、従って、通過帯域の高域側におけ
る減衰特性を確実に急峻とすることができる。
プリット電極指を用いて構成されたＩＤ電極を有するＳ
ＡＷ共振子フィルタの電極指ピッチ比、すなわち、スプ
リット電極指を用いて構成されたＩＤ電極の電極指ピッ
チの反射器の電極指ピッチに対する比が１よりも大きく
されているため、スプリット電極指を用いて構成された
ＳＡＷ共振子フィルタの周波数特性上に表れる２つの大
きなレスポンスのうち、高周波側のレスポンスを確実に
利用することができ、従って、通過帯域の高域側におけ
る減衰特性を確実に急峻とすることができる。
【００５４】また、本発明の別の特定的な局面のよう
に、第１〜第３のＳＡＷ共振子フィルタを縦続接続した
構成において、中間の第２のＳＡＷ共振子フィルタをス
プリット電極指を用いて構成し、両側の第１，第３のＳ
ＡＷ共振子フィルタをソリッド電極指を用いて構成した
場合には、入力側及び出力側からみたインピーダンスが
同じとなるため、インピーダンス整合を容易にとること
ができる。
に、第１〜第３のＳＡＷ共振子フィルタを縦続接続した
構成において、中間の第２のＳＡＷ共振子フィルタをス
プリット電極指を用いて構成し、両側の第１，第３のＳ
ＡＷ共振子フィルタをソリッド電極指を用いて構成した
場合には、入力側及び出力側からみたインピーダンスが
同じとなるため、インピーダンス整合を容易にとること
ができる。
【図１】本発明の一実施形態にかかるＳＡＷ共振子フィ
ルタ装置を示す平面図。
ルタ装置を示す平面図。
【図２】図１に示したＳＡＷ共振子フィルタ装置１のソ
リッド電極指を用いたＳＡＷ共振子フィルタ１段だけの
周波数特性を示す図。
リッド電極指を用いたＳＡＷ共振子フィルタ１段だけの
周波数特性を示す図。
【図３】スプリット電極指を用いて構成されたＳＡＷ共
振子フィルタ１段の周波数特性を示す図。
振子フィルタ１段の周波数特性を示す図。
【図４】図３に示した周波数特性上のレスポンスＦを利
用するために、電極指ピッチ比を１．０２４とした場合
のスプリット電極指を用いたＳＡＷ共振子フィルタの周
波数特性を示す図。
用するために、電極指ピッチ比を１．０２４とした場合
のスプリット電極指を用いたＳＡＷ共振子フィルタの周
波数特性を示す図。
【図５】ソリッド電極指を用いたＳＡＷ共振子フィルタ
を３段縦続接続した構成の周波数特性を示す図。
を３段縦続接続した構成の周波数特性を示す図。
【図６】本発明の一実施形態に基づいて試作されたＳＡ
Ｗ共振子フィルタ装置の全体の周波数特性を示す図。
Ｗ共振子フィルタ装置の全体の周波数特性を示す図。
１…圧電基板 ２…第１のＳＡＷ共振子フィルタ ３…第２のＳＡＷ共振子フィルタ ４…第３のＳＡＷ共振子フィルタ ８ａ，８ｂ…グレーティング反射器 ２１，２２…ソリッド電極指を用いたＩＤ電極 ２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ…くし歯電極 ３１，３２…スプリット電極指を用いたＩＤ電極 ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂ…くし歯電極 ３３ａ，３３ｂ…グレーティング反射器 ４１，４２…ソリッド電極指を用いたＩＤ電極 ４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ…くし歯電極 ４３ａ，４３ｂ…グレーティング反射器
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電基板または基板上に圧電薄膜を形成
してなる圧電性基板と、前記圧電基板上にまたは前記圧
電薄膜に接するように形成された複数のインターデジタ
ル電極と、前記複数のインターデジタル電極が設けられ
ている領域の表面波伝搬方向両側に配置された第１，第
２のグレーティング反射器とを有する弾性表面波共振子
フィルタ複数個が縦続結合されており、 少なくとも１つの前記弾性表面波共振子フィルタのイン
ターデジタル電極がスプリット電極指を用いて構成され
ており、残りの弾性表面波共振子フィルタのインターデ
ジタル電極がソリッド電極指を用いて構成されているこ
とを特徴とする弾性表面波共振子フィルタ装置。 - 【請求項２】 前記スプリット電極指を用いて構成され
たインターデジタル電極を有する弾性表面波共振子フィ
ルタにおいて、周波数特性上に表れる最大のレスポンス
及び最大のレスポンスの次に大きいレスポンスのうち高
周波数側のレスポンスを利用するために、前記スプリッ
ト電極指を用いて構成されたインターデジタル電極の電
極指ピッチが、該インターデジタル電極が設けられてい
る弾性表面波共振子フィルタの反射器の電極指ピッチよ
りも大きくされている、請求項１に記載の弾性表面波共
振子フィルタ装置。 - 【請求項３】 前記複数の弾性表面波共振子フィルタと
して、順に縦続接続された第１〜第３の弾性表面波共振
子フィルタを有し、 第１，第３の弾性表面波共振子フィルタの前記インター
デジタル電極がソリッド電極指を用いて構成されてお
り、中間に接続される第２の弾性表面波共振子フィルタ
の前記インターデジタル電極がスプリット電極指を用い
て構成されている、請求項１または２に記載の弾性表面
波共振子フィルタ装置。 - 【請求項４】 前記複数の弾性表面波共振子フィルタが
単一の圧電基板または圧電性基板に構成されている請求
項１〜３の何れかに記載の弾性表面波共振子フィルタ装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07340583A JP3077052B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 弾性表面波共振子フィルタ装置 |
| DE69620135T DE69620135T2 (de) | 1995-12-27 | 1996-12-20 | Akustisches Oberflächenwellenresonatorfilter |
| EP96120643A EP0782256B1 (en) | 1995-12-27 | 1996-12-20 | Surface acoustic wave resonator filter apparatus |
| NO965559A NO965559L (no) | 1995-12-27 | 1996-12-23 | Piezoelektrisk filterblokk med resonansfiltere for akustiske overflatebölger (SAW) |
| US08/777,361 US5818146A (en) | 1995-12-27 | 1996-12-27 | Surface acoustic wave resonator filter apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07340583A JP3077052B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 弾性表面波共振子フィルタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181566A true JPH09181566A (ja) | 1997-07-11 |
| JP3077052B2 JP3077052B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=18338392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07340583A Expired - Lifetime JP3077052B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 弾性表面波共振子フィルタ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5818146A (ja) |
| EP (1) | EP0782256B1 (ja) |
| JP (1) | JP3077052B2 (ja) |
| DE (1) | DE69620135T2 (ja) |
| NO (1) | NO965559L (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| GB9622654D0 (en) * | 1996-10-31 | 1997-01-08 | Flowers James E | Filters |
| JPH11330895A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-30 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波装置 |
| JP3289674B2 (ja) * | 1998-05-21 | 2002-06-10 | 株式会社村田製作所 | 表面波フィルタ装置、共用器、通信機装置 |
| DE10009517A1 (de) * | 2000-02-29 | 2001-08-30 | Epcos Ag | Interdigitalwandler mit verteilter Anregung |
| JP3432492B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2003-08-04 | 富士通株式会社 | 弾性表面波共振器及びこれを用いた弾性表面波フィルタ |
| JP3414384B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2003-06-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、およびそれを用いた通信機装置 |
| JP3945363B2 (ja) * | 2001-10-12 | 2007-07-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| DE102009038148B4 (de) * | 2009-08-20 | 2014-04-03 | Continental Automotive Gmbh | Triplexer für ein Multiband-Antennenmodul eines Fahrzeugs |
| GB2512091B (en) * | 2013-03-20 | 2021-01-06 | Alison Microwave Ltd | Improvements in and relating to filters |
| JP6441590B2 (ja) * | 2014-05-23 | 2018-12-19 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
Family Cites Families (10)
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|---|---|---|---|---|
| US4254387A (en) * | 1977-10-06 | 1981-03-03 | U.S. Philips Corporation | Acoustic wave devices |
| US4166257A (en) * | 1977-10-19 | 1979-08-28 | Motorola, Inc. | Capacitively weighted surface acoustic wave device |
| JPS5573123A (en) * | 1978-11-27 | 1980-06-02 | Toshiba Corp | Elastic surface wave filter |
| JPS5610725A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Murata Mfg Co Ltd | Elastic surface wave device |
| US5521565A (en) * | 1988-09-28 | 1996-05-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Surface wave interdigital transducer and surface wave filter with symmetric or predeterminable asymmetric transfer characteristic between input and output |
| US5223762A (en) * | 1990-12-27 | 1993-06-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
| CA2110362C (en) * | 1992-12-01 | 1998-01-06 | Hiromi Yatsuda | Surface acoustic wave filter and mobile communication system using same |
| US5528206A (en) * | 1994-11-23 | 1996-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter with attenuated spurious emissions |
| JPH08265087A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波フィルタ |
| GB2306821B (en) * | 1995-11-03 | 2000-05-31 | Advanced Saw Prod Sa | Electro-acoustic device |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP07340583A patent/JP3077052B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-12-20 EP EP96120643A patent/EP0782256B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-20 DE DE69620135T patent/DE69620135T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-23 NO NO965559A patent/NO965559L/no not_active Application Discontinuation
- 1996-12-27 US US08/777,361 patent/US5818146A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3077052B2 (ja) | 2000-08-14 |
| US5818146A (en) | 1998-10-06 |
| EP0782256A3 (en) | 1998-02-04 |
| DE69620135T2 (de) | 2002-09-26 |
| NO965559L (no) | 1997-06-30 |
| EP0782256A2 (en) | 1997-07-02 |
| NO965559D0 (no) | 1996-12-23 |
| DE69620135D1 (de) | 2002-05-02 |
| EP0782256B1 (en) | 2002-03-27 |
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