JPH10137662A - Rotary substrate processing equipment - Google Patents
Rotary substrate processing equipmentInfo
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- JPH10137662A JPH10137662A JP8302174A JP30217496A JPH10137662A JP H10137662 A JPH10137662 A JP H10137662A JP 8302174 A JP8302174 A JP 8302174A JP 30217496 A JP30217496 A JP 30217496A JP H10137662 A JPH10137662 A JP H10137662A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 既存の排気管路や工場設備の仕様を変更する
ことなくカップからの排気能力を向上させることが可能
な回転式基板処理装置を提供する。
【解決手段】 カップ3の下部に接続される排気管路5
の途中に排気補助装置10を設ける。排気補助装置10
は排気管路5から排気を取り込む吸気装置11を有し、
吸気装置11から取り込んだ排気を貯留部12の内部に
一時的に貯留する。貯留部12の内部の設けられた膜部
材12bは排気の吸入および排出に応じて拡縮する。貯
留部12の内部に排気を一時的に取り込むことにより、
工場の排気用力設備側へ排出する排気流量を増加させる
ことなく、排気補助装置10の上流側の排気管路5の排
気流量を増加させることができ、カップ3からの排気流
量を増加する。
(57) [Problem] To provide a rotary substrate processing apparatus capable of improving the exhaust capacity from a cup without changing the specifications of existing exhaust pipes and factory equipment. An exhaust pipe connected to a lower part of a cup is provided.
The exhaust assist device 10 is provided in the middle of the process. Exhaust assist device 10
Has an intake device 11 that takes in exhaust gas from the exhaust pipe 5,
The exhaust gas taken in from the intake device 11 is temporarily stored in the storage unit 12. The membrane member 12b provided inside the storage section 12 expands and contracts in accordance with the intake and exhaust of the exhaust gas. By temporarily taking the exhaust gas into the storage unit 12,
The exhaust flow rate of the exhaust pipe 5 upstream of the exhaust auxiliary device 10 can be increased without increasing the exhaust flow rate discharged to the exhaust power facility side of the factory, and the exhaust flow rate from the cup 3 is increased.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、カップ内の雰囲気
ガスを外方へ排気しながら基板に対して所定の処理を行
う回転式基板処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rotary substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate while exhausting an atmosphere gas in a cup to the outside.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は、従来の回転式塗布装置の一例を
示す概略構成図である。回転式塗布装置は、基板Wを水
平姿勢に保持して回転させるための基板保持台1および
スピンモータ2を備えている。基板Wおよび基板保持台
1の周囲には、基板Wに供給される処理液が周囲に飛散
することを防止するために中空のカップ3が設けられて
いる。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a conventional rotary coating apparatus. The rotary coating apparatus includes a substrate holder 1 and a spin motor 2 for holding and rotating the substrate W in a horizontal posture. A hollow cup 3 is provided around the substrate W and the substrate holder 1 in order to prevent the processing liquid supplied to the substrate W from scattering around.
【0003】中空のカップ3の上部には開口部3aが設
けられ、下部には基板Wから飛散した処理液を排出する
ための廃液口3bが設けられている。さらに、カップ3
の下部には、カップ3内部の雰囲気ガスを排出するため
の排気管路22が接続されている。この排気管路22の
下流端は、当該回転式塗布装置が設置される工場の用力
接続口に連結されている。排気管路22の途中には、シ
ーケンスコントローラ21により制御されるオートダン
パ23および手動操作されるマニュアルダンパ24が設
けられている。An opening 3a is provided at the upper part of the hollow cup 3, and a waste liquid port 3b for discharging the processing liquid scattered from the substrate W is provided at the lower part. In addition, cup 3
An exhaust pipe 22 for discharging the atmospheric gas inside the cup 3 is connected to a lower part of the cup 3. The downstream end of the exhaust pipe 22 is connected to a utility connection port of a factory where the rotary coating device is installed. An automatic damper 23 controlled by a sequence controller 21 and a manual damper 24 manually operated are provided in the exhaust pipe 22.
【0004】回転式塗布装置の回転塗布動作時には、カ
ップ3の開口部3aから清浄な空気流20が基板Wの表
面に送り込まれる。空気流20は、基板Wの表面から飛
散する処理液のミスト(飛沫)を基板Wの外周側に向か
って運び去る。そして、ミストを含む空気流20は、さ
らにカップ3内を下降して排気管路22を通り工場の用
力接続口から排気用力設備に導かれる。During the spin coating operation of the spin coating apparatus, a clean air flow 20 is sent from the opening 3 a of the cup 3 to the surface of the substrate W. The air flow 20 carries away the mist (splash) of the processing liquid scattered from the surface of the substrate W toward the outer peripheral side of the substrate W. Then, the airflow 20 containing the mist further descends in the cup 3, passes through the exhaust pipe 22, and is guided from the service connection port of the factory to the exhaust power facility.
【0005】工場の排気用力設備はポンプ等の吸気源を
備え、工場内に設置される種々の装置に配管を介して接
続されている。排気用力設備の排気能力はポンプ等の吸
気源の能力により一律に定められる。一方、用力接続口
に接続される個々の装置では、必要とする排気能力がそ
れぞれ異なる。そこで、例えば、回転式基板処理装置で
は、排気管路22中にマニュアルダンパ24を設けて排
気管路22の基本的な通気抵抗を調節するとともに、オ
ートダンパ23を設けて排気管路22の通気抵抗を随時
可変制御して回転処理の各工程毎に異なる必要な排気流
量を調節している。[0005] The exhaust power facility of a factory is provided with an intake source such as a pump and is connected to various devices installed in the factory via piping. The exhaust capacity of the exhaust power facility is uniformly determined by the capacity of an intake source such as a pump. On the other hand, each device connected to the utility connection port requires a different exhaust capacity. Therefore, for example, in a rotary type substrate processing apparatus, a manual damper 24 is provided in the exhaust pipe 22 to adjust the basic airflow resistance of the exhaust pipe 22, and an automatic damper 23 is provided to provide the airflow in the exhaust pipe 22. The resistance is variably controlled as needed to adjust the required required exhaust flow rate for each step of the rotation process.
【0006】このように、カップ3から適当な排気を行
ってミストを排出することにより、基板Wの表面や裏面
にミストが再付着して基板Wが汚染されたり、あるいは
処理液の臭気が周囲に拡散されることを防止している。As described above, the mist is discharged from the cup 3 by discharging the mist appropriately, whereby the mist is re-adhered to the front surface and the back surface of the substrate W, thereby contaminating the substrate W, or causing the odor of the processing liquid to be removed from the surroundings. To prevent it from being spread.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】最近では、より高速で
の基板の回転処理や、大径の基板の回転処理が行われる
ようになってきている。このような基板の処理では、基
板から飛散する処理液のミスト分が増加するため、より
大量の清浄な空気流20をカップ3内に供給し、かつ排
気管路22から排気させてカップ3内の雰囲気を清浄に
保持する必要がある。Recently, rotation processing of a substrate at a higher speed and rotation processing of a large-diameter substrate have been performed. In the processing of such a substrate, the amount of mist of the processing liquid scattered from the substrate increases, so that a larger amount of clean airflow 20 is supplied into the cup 3 and exhausted from the exhaust pipe 22 so that the inside of the cup 3 is exhausted. Atmosphere must be kept clean.
【0008】カップ3からの排気流量を増加させるため
には、排気管路22の通気抵抗を低減させればよい。た
とえば、通気抵抗の大きい屈曲部を減らしたり、管路の
径を大きくしたりすればよい。また、排気管路22の通
気抵抗を低減することが困難な場合には、排気管路22
内に外部から強制的に空気を送り込み、排気流速をアス
ピレーション作用によって高めて排気流量を増加させる
方法を用いることも可能である。In order to increase the flow rate of exhaust gas from the cup 3, it is necessary to reduce the air flow resistance of the exhaust pipe 22. For example, it is only necessary to reduce the bent portion having a large ventilation resistance or to increase the diameter of the pipe. If it is difficult to reduce the ventilation resistance of the exhaust pipe 22, the exhaust pipe 22
It is also possible to use a method in which air is forcibly sent from the outside into the inside and the exhaust gas flow rate is increased by an aspiration effect to increase the exhaust gas flow rate.
【0009】しかしながら、このような方法を用いたと
しても、必要となるカップ3からの排気流量が工場の排
気用力設備の排気能力を越える場合には、排気用力設備
の排気能力以上にカップ3からの排気流量を増加させる
ことはできない。そこで、カップ3の排気流量をさらに
増加させるためには工場側の排気用力設備の排気能力を
高めればよいが、そのためにはより能力の大きなポンプ
を用いたり、用力配管を大径化することが必要となり、
工場の設備費が増大する。また、工場の排気用力設備を
利用する他の装置に対しては、過剰な排気能力を備える
ことになる場合も生じ、この場合にはエネルギーの無駄
使いとなる。However, even if such a method is used, if the required exhaust flow rate from the cup 3 exceeds the exhaust capacity of the exhaust power equipment at the factory, the cup 3 must be more than the exhaust capacity of the exhaust power equipment. The exhaust flow rate cannot be increased. Therefore, in order to further increase the exhaust flow rate of the cup 3, it is sufficient to increase the exhaust capacity of the exhaust equipment on the factory side. For this purpose, it is necessary to use a pump having a higher capacity or to increase the diameter of the utility pipe. Required
Factory equipment costs increase. In addition, other devices that use the exhaust power facilities of the factory may be provided with an excessive exhaust capability, in which case energy is wasted.
【0010】本発明の目的は、既存の工場設備や排気管
路の仕様を変更することなくカップからの排気能力を向
上させることが可能な回転式基板処理装置を提供するこ
とである。An object of the present invention is to provide a rotary substrate processing apparatus capable of improving the exhaust capability from a cup without changing the specifications of existing factory facilities and exhaust pipes.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る回転式基板処理装置は、基板および該基板を
水平姿勢に保持する基板保持部の周囲を取り囲むように
形成された中空のカップと、カップに接続されかつカッ
プの内部の雰囲気ガスを所定の吸気能力を有する吸気源
に導く排気管路とを備えた回転式基板処理装置におい
て、カップの内部から排気管路に導かれる雰囲気ガスの
一部を排気管路から取り出して一時的に貯留することに
よってカップから排気管路に導かれる雰囲気ガスの流量
を一時的に増加させる排気補助手段を備えたものであ
る。Means for Solving the Problems and Effects of the Invention A rotary substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention has a hollow substrate formed to surround a substrate and a substrate holding portion for holding the substrate in a horizontal posture. In a rotary substrate processing apparatus including a cup and an exhaust pipe connected to the cup and guiding an atmosphere gas inside the cup to an intake source having a predetermined suction capacity, an atmosphere guided from the inside of the cup to the exhaust pipe. An exhaust auxiliary means is provided for temporarily increasing the flow rate of the atmospheric gas guided from the cup to the exhaust pipe by temporarily taking out part of the gas from the exhaust pipe and temporarily storing the gas.
【0012】第2の発明に係る回転式基板処理装置は、
第1の発明に係る回転式基板処理装置の構成において、
排気補助手段が、排気管路から雰囲気ガスの一部を取り
出すための吸気手段と、吸気手段が取り出した雰囲気ガ
スを一時的に貯留する貯留部とを備えたものである。A rotary substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention comprises:
In the configuration of the rotary substrate processing apparatus according to the first invention,
The exhaust assisting means includes an intake means for extracting a part of the atmospheric gas from the exhaust pipe, and a storage unit for temporarily storing the atmospheric gas extracted by the intake means.
【0013】第3の発明に係る回転式基板処置は、第2
の発明に係る回転式基板処理装置の構成において、貯留
部が、吸気手段が取り出した雰囲気ガスの量に応じて容
積が変動可能に形成されたものである。The rotary substrate treatment according to the third aspect of the present invention includes
In the configuration of the rotary substrate processing apparatus according to the invention, the storage section is formed so that the volume can be varied according to the amount of the atmospheric gas taken out by the suction means.
【0014】第4の発明に係る回転式基板処理装置は、
第2または第3の発明に係る回転式基板処理装置の構成
において、排気補助手段が、排気管路から分岐し、排気
管路内の雰囲気ガスを貯留部に導く分岐管路と、排気管
路に合流し、貯留部に貯留された雰囲気ガスを分岐管路
より吸気源側の排気管路に導く合流管路とをさらに備え
たものである。A rotary substrate processing apparatus according to a fourth aspect of the present invention
In the configuration of the rotary substrate processing apparatus according to the second or third invention, the exhaust auxiliary means branches off from the exhaust pipe and guides the atmospheric gas in the exhaust pipe to the storage section; And a joining pipe for guiding the atmospheric gas stored in the storage section from the branch pipe to the exhaust pipe on the intake source side.
【0015】第5の発明に係る回転式基板処理装置は、
第4の発明に係る回転式基板処理装置の構成において、
排気管路の通気抵抗を変動させる抵抗手段をさらに備
え、排気補助手段が、排気管路の通気抵抗を高めてカッ
プから排出される雰囲気ガスの流量を減少させることに
よって貯留部内に貯留された雰囲気ガスを排気管路に排
出するように抵抗手段の動作を制御する制御手段をさら
に備えたものである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a rotary substrate processing apparatus comprising:
In the configuration of the rotary substrate processing apparatus according to the fourth invention,
A resistance means for changing a ventilation resistance of the exhaust pipe, wherein the exhaust auxiliary means increases a ventilation resistance of the exhaust pipe to reduce a flow rate of the atmosphere gas discharged from the cup, thereby reducing an atmosphere stored in the storage unit. The apparatus further includes control means for controlling the operation of the resistance means so as to discharge the gas to the exhaust pipe.
【0016】第1〜第5の発明に係る回転式基板処理装
置においては、カップから吸気源に至る排気管路の途中
から雰囲気ガスの一部を一時的に取り出して貯留するこ
とにより、カップから排気補助手段に至る排気管路部分
の排気流量が一時的に増加する。これにより、吸気源の
吸気能力がカップからの必要な排気流量を満たすことが
できない場合であっても、排気補助手段によりカップか
らの排気流量を増大して所望の排気状態を実現すること
ができる。これにより、既存の工場設備の設備費の増大
を生じることなく、カップからの排気流量を増加させて
カップ内を清浄な雰囲気に保持し、良好な基板処理を行
わせることができる。In the rotary substrate processing apparatus according to the first to fifth aspects of the present invention, a part of the atmospheric gas is temporarily taken out and stored from the middle of the exhaust pipe from the cup to the suction source, so that the gas is removed from the cup. The flow rate of exhaust gas from the exhaust pipe to the exhaust auxiliary means temporarily increases. Thus, even when the intake capacity of the intake source cannot satisfy the required exhaust flow rate from the cup, the exhaust assist means can increase the exhaust flow rate from the cup to achieve a desired exhaust state. . This makes it possible to increase the exhaust flow rate from the cup, maintain the inside of the cup in a clean atmosphere, and perform favorable substrate processing without increasing the equipment cost of the existing factory equipment.
【0017】特に、第2の発明に係る回転式基板処理装
置においては、吸気手段を用いて排気管路から雰囲気ガ
スを一時的に取り出すことにより排気流量の調節を制御
することが容易となる。In particular, in the rotary substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, it is easy to control the adjustment of the exhaust gas flow rate by temporarily extracting the atmospheric gas from the exhaust pipe using the suction means.
【0018】特に、第3の発明に係る回転式基板処理装
置においては、雰囲気ガスの量に応じて容積が変動可能
に構成された貯留部を用いることにより、カップから排
出される雰囲気ガスを一時的に貯留してカップからの排
気量を所望の量に増加させることができる。In particular, in the rotary type substrate processing apparatus according to the third aspect of the present invention, the atmosphere gas discharged from the cup can be temporarily stored by using the storage portion whose volume can be varied according to the amount of the atmosphere gas. And the amount of exhaust from the cup can be increased to a desired amount.
【0019】特に、第4の発明に係る回転式基板処理装
置においては、排気補助手段に分岐管路と合流管路とを
設け、排気管路の内部を通過する雰囲気ガスを吸入し、
あるいは排出することにより雰囲気ガスを一時的に貯留
してカップからの排気流量を調節することが可能とな
る。In particular, in the rotary substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the present invention, the exhaust auxiliary means is provided with a branch pipe and a merging pipe, and sucks an atmospheric gas passing through the inside of the exhaust pipe.
Alternatively, by discharging the atmosphere gas, the atmosphere gas is temporarily stored, and the flow rate of the exhaust gas from the cup can be adjusted.
【0020】特に、第5の発明に係る回転式基板処理装
置においては、制御手段の動作によって排気管路の通気
抵抗を変動させて貯留部内に貯留された雰囲気ガスの排
出を行うことにより、貯留部内からの雰囲気ガスの排出
が容易となる。In particular, in the rotary substrate processing apparatus according to the fifth aspect of the present invention, the atmosphere gas stored in the storage section is discharged by changing the ventilation resistance of the exhaust pipe by the operation of the control means. Atmospheric gas can be easily discharged from the inside of the unit.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施例による回
転式塗布装置の概略構成図である。ここでは、回転式基
板処理装置の一つとして回転式塗布装置を例に説明す
る。図1において、回転式塗布装置は基板Wを水平姿勢
で保持する真空チャックあるいはメカチャックからなる
基板保持台1および基板保持台1を鉛直軸周りに回転さ
せるスピンモータ2を備える。基板保持台1および基板
Wの周囲には中空のカップ3が配置されている。FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a rotary coating apparatus according to an embodiment of the present invention. Here, a rotary coating apparatus will be described as an example of one of the rotary substrate processing apparatuses. In FIG. 1, the rotary coating apparatus includes a substrate holder 1 formed of a vacuum chuck or a mechanical chuck for holding a substrate W in a horizontal posture, and a spin motor 2 for rotating the substrate holder 1 around a vertical axis. A hollow cup 3 is arranged around the substrate holding table 1 and the substrate W.
【0022】カップ3は、基板Wの表面に供給される処
理液が回転により周囲に飛散するのを防止するために設
けられており、その上部には開口部3aが形成され、下
部には基板Wから周囲に飛散した処理液を外方へ排出す
るための廃液口3bと、カップ3内の雰囲気ガスを排気
するための排気口3cとが形成されている。また、カッ
プ3内の基板保持台1の下方には整流板4が配置されて
いる。The cup 3 is provided to prevent the processing liquid supplied to the surface of the substrate W from scattering around due to rotation. An opening 3a is formed at the upper part, and the substrate 3 is formed at the lower part. A waste liquid port 3b for discharging the processing liquid scattered to the surroundings from W to the outside and an exhaust port 3c for exhausting the atmosphere gas in the cup 3 are formed. A current plate 4 is disposed below the substrate holding table 1 in the cup 3.
【0023】処理時において、カップ3の開口部3aか
らは清浄な空気流20が基板Wの表面に供給される。空
気流20は基板Wの表面から飛散する処理液のミストを
基板Wの外周側に運び去り、さらに下降してカップ3の
下部に設けられた排気口3cから排気管路5を通り用力
接続口に導かれる。At the time of processing, a clean air flow 20 is supplied to the surface of the substrate W from the opening 3a of the cup 3. The air flow 20 carries away the mist of the processing liquid scattered from the surface of the substrate W to the outer peripheral side of the substrate W, further descends and passes through the exhaust pipe 5 from the exhaust port 3c provided at the lower portion of the cup 3 to the utility connection port. It is led to.
【0024】排気管路5は、その上流端がカップ3の排
気口3cに接続され、下流端が工場の用力接続口に接続
されている。排気管路5には、シーケンスコントローラ
8によりその開度が調節されるオートダンパ6,7およ
び手動により開度が調節されるマニュアルダンパ9が配
置されている。The exhaust pipe 5 has an upstream end connected to the exhaust port 3c of the cup 3, and a downstream end connected to a utility connection port of a factory. The exhaust pipe 5 is provided with automatic dampers 6 and 7 whose opening is adjusted by a sequence controller 8 and a manual damper 9 whose opening is manually adjusted.
【0025】排気管路5の途中には排気補助装置10が
取り付けられている。排気補助装置10は、排気管路5
から分岐する入口配管13、排気管路5に合流する出口
配管14、排気管路5を通る排気(排出された雰囲気ガ
ス)の一部を一時的に貯留する貯留部12および排気管
路5から排気の一部を吸引して貯留部12に導く吸気装
置11とを備えている。An exhaust auxiliary device 10 is mounted in the exhaust pipe 5. The exhaust assist device 10 includes the exhaust pipe 5
From the inlet pipe 13, the outlet pipe 14 joining the exhaust pipe 5, the storage section 12 for temporarily storing a part of the exhaust gas (exhausted atmospheric gas) passing through the exhaust pipe 5, and the exhaust pipe 5. An intake device 11 that sucks a part of the exhaust gas and guides the exhaust gas to the storage unit 12.
【0026】吸気装置11は排気ファンあるいはポンプ
等から構成され、その駆動動作がシーケンスコントロー
ラ8により制御される。貯留部12は、隔壁12aの内
部に拡縮自在に設けられた袋状の膜部材12bを備え
る。膜部材12bは、塩化ビニル、ポリエチレン、ポリ
プロピレン等の耐薬性を有する樹脂膜から構成され、吸
気装置11から吸気された場合に拡大して内部に排気を
一時的に貯留し、出口管路14から排気が排出された場
合に縮小して次の排気の貯留に備える。なお、膜部材1
2bは交換可能に形成されることが好ましい。The intake device 11 is composed of an exhaust fan, a pump or the like, and its driving operation is controlled by the sequence controller 8. The storage unit 12 includes a bag-like membrane member 12b provided inside the partition wall 12a so as to be able to expand and contract. The membrane member 12b is made of a resin film having chemical resistance, such as vinyl chloride, polyethylene, or polypropylene, and expands when air is taken in from the air intake device 11 to temporarily store exhaust gas inside, and the outlet pipe 14 When exhaust gas is exhausted, it is reduced to prepare for the next exhaust gas storage. In addition, the membrane member 1
2b is preferably formed exchangeably.
【0027】シーケンスコントローラ8は、スピンモー
タ2の回転数を検知し、スピンモータ2の回転数に応じ
てオートダンパ6,7の開度を調節し、また、吸気装置
11の駆動動作を制御する。この制御動作については後
に詳述する。The sequence controller 8 detects the rotation speed of the spin motor 2, adjusts the openings of the automatic dampers 6 and 7 according to the rotation speed of the spin motor 2, and controls the driving operation of the intake device 11. . This control operation will be described later in detail.
【0028】上記の構成を有する回転式塗布装置では、
排気補助装置10を用いることにより、用力接続口への
排気流量を工場の排気用力設備の能力を越えない範囲に
維持しつつ、カップ3からの排気流量を工場の排気用力
設備の能力以上に増加させてカップ3内のミスト等の排
出を行っている。In the rotary type coating apparatus having the above configuration,
By using the exhaust auxiliary device 10, the exhaust flow rate from the cup 3 is increased beyond the capacity of the factory exhaust power facility while maintaining the exhaust flow rate to the utility connection port within a range not exceeding the capacity of the factory exhaust power facility. The mist in the cup 3 is discharged.
【0029】ここで、排気補助装置10が本発明の排気
補助手段を構成し、吸気装置11が本発明の吸気手段を
構成し、オートダンパ6,7が本発明の抵抗手段を構成
し、さらにシーケンスコントローラ8が本発明の制御手
段を構成する。Here, the exhaust assist device 10 constitutes the exhaust assist device of the present invention, the intake device 11 constitutes the intake device of the present invention, the auto dampers 6 and 7 constitute the resistance device of the present invention, and The sequence controller 8 constitutes control means of the present invention.
【0030】以下、この回転式塗布装置の動作について
説明する。図2は、回転式塗布装置の排気の流れを示す
説明図であり、図3は、回転式塗布装置における基板の
回転数変化および装置内の各位置における排気流量の変
化を示す図である。図2(a)中のA〜Eの各位置にお
ける排気流量の変動がそれぞれ図3(b)〜図3(f)
に示されている。また、図3(a)は、基板Wに処理液
を回転塗布する工程での基板Wの回転数変化を示してお
り、図中の各期間T1〜T5での排気の流動状態が図2
(a)〜図2(e)に示されている。図3(a)におい
て、基板Wが高速回転される期間は回転塗布期間T2お
よび乾燥期間T4であり、この期間T2,T4中、排気
補助装置10により補助排気動作が行われる。Hereinafter, the operation of the rotary coating apparatus will be described. FIG. 2 is an explanatory diagram showing the flow of exhaust gas from the rotary coating device. FIG. 3 is a diagram showing a change in the number of revolutions of the substrate in the rotary coating device and a change in the exhaust flow rate at each position in the device. Fluctuations in the exhaust flow rate at each of the positions A to E in FIG. 2A are shown in FIGS. 3B to 3F, respectively.
Is shown in FIG. 3A shows a change in the number of rotations of the substrate W in the step of spin-coating the processing liquid on the substrate W, and the flow state of the exhaust gas in each of the periods T1 to T5 in FIG.
(A) to FIG. 2 (e). In FIG. 3A, a period during which the substrate W is rotated at high speed is a spin coating period T2 and a drying period T4. During these periods T2 and T4, the auxiliary exhaust operation is performed by the exhaust auxiliary device 10.
【0031】まず、図2(a)および図3に示すよう
に、期間T1では、基板Wが低速で回転され、基板Wの
表面に処理液がノズル(図示省略)から吐出される。こ
の期間T1では、排気補助装置10は待機状態にあり、
吸気装置11が停止している。カップ3内からの排気は
排気管路5を通り排気流量Q2で用力接続口に導かれ
る。First, as shown in FIG. 2A and FIG. 3, during the period T1, the substrate W is rotated at a low speed, and the processing liquid is discharged from the nozzle (not shown) onto the surface of the substrate W. In this period T1, the exhaust assist device 10 is in a standby state,
The intake device 11 has stopped. Exhaust gas from inside the cup 3 passes through the exhaust pipe 5 and is guided to the utility connection port at an exhaust flow rate Q2.
【0032】次に、図2(b)および図3に示すよう
に、期間T2では、基板Wが高速で回転され、処理液が
基板Wの表面に回転塗布される。この際、シーケンスコ
ントローラ8が吸気装置11を作動し、排気管路5から
排気の一部を排気補助装置10の貯留部12へ導入す
る。このため、カップ3内の雰囲気ガスは排気補助装置
10および工場の排気用力設備の双方から吸気され、カ
ップ3から排気補助装置10に至る排気管路5の排気流
量が吸気装置11による吸気流量Q4分だけ増加する。
これにより、工場の排気用力設備の排気能力を越えた排
気流量Q3が得られる。Next, as shown in FIG. 2B and FIG. 3, in the period T2, the substrate W is rotated at a high speed, and the processing liquid is spin-coated on the surface of the substrate W. At this time, the sequence controller 8 operates the intake device 11 and introduces a part of the exhaust gas from the exhaust pipe 5 into the storage unit 12 of the exhaust auxiliary device 10. For this reason, the atmosphere gas in the cup 3 is sucked from both the exhaust auxiliary device 10 and the exhaust power equipment of the factory, and the exhaust flow rate of the exhaust pipe 5 from the cup 3 to the exhaust auxiliary device 10 is reduced by the intake flow rate Q4 by the intake device 11. Increase by a minute.
As a result, an exhaust flow rate Q3 exceeding the exhaust capacity of the exhaust power facility of the factory can be obtained.
【0033】貯留部12では、吸気装置11から吸入さ
れた排気により膜部材12bが膨らみ、排気を一時的に
貯留部12の内部に保持する。これにより、図3(g)
示すように、貯留部12の排気蓄積量が増加する。ま
た、このときには出口配管14から排気管路5に排気が
流出することはない。In the storage section 12, the membrane member 12b expands due to the exhaust gas sucked from the intake device 11, and the exhaust gas is temporarily held in the storage section 12. As a result, FIG.
As shown, the accumulated amount of exhaust gas in the storage unit 12 increases. At this time, exhaust gas does not flow out of the outlet pipe 14 to the exhaust pipe 5.
【0034】さらに、図2(c)および図3に示すよう
に、期間T3では、基板Wの回転速度を低下させて基板
Wの端面や裏面のリンス洗浄が行われる。この際、シー
ケンスコントローラ8は吸気装置11を停止し、排気の
取込みを停止する。そして、貯留部12に貯留した排気
を排気管路5に排出して貯留部12の膜部材12bを縮
小させる。Further, as shown in FIGS. 2C and 3, during the period T3, the end surface and the back surface of the substrate W are rinsed by reducing the rotation speed of the substrate W. At this time, the sequence controller 8 stops the intake device 11 and stops taking in exhaust gas. Then, the exhaust gas stored in the storage unit 12 is discharged to the exhaust pipe 5, and the film member 12b of the storage unit 12 is reduced.
【0035】すなわち、オートダンパ6およびオートダ
ンパ7(図示省略)の開度を絞り、排気管路5の通気抵
抗を増大させる。これにより、排気管路5内の排気流量
がQ3からQ1に低下し、管内圧力が排気補助装置10
の貯留部12の内部圧力よりも低くなる。このため、貯
留部12内の排気は出口管路14を通り排気管路5内に
吸い出される。この排気流量をQ5で示す。これによ
り、図3(g)に示すように、貯留部12の排気蓄積量
が減少する。That is, the opening degree of the automatic damper 6 and the automatic damper 7 (not shown) is reduced, and the ventilation resistance of the exhaust pipe 5 is increased. As a result, the exhaust flow rate in the exhaust pipe line 5 decreases from Q3 to Q1, and the pipe pressure decreases in the exhaust auxiliary device 10.
Becomes lower than the internal pressure of the storage section 12. For this reason, the exhaust gas in the storage section 12 is sucked into the exhaust pipe 5 through the outlet pipe 14. This exhaust flow rate is indicated by Q5. Thereby, as shown in FIG. 3G, the amount of accumulated exhaust gas in the storage unit 12 decreases.
【0036】さらに、図2(d)および図3に示すよう
に、期間T4では再び基板Wが高速で回転され、基板W
の乾燥処理が開始される。この際、カップ3からの排気
流量を再び増加させるために吸気装置11を作動し、排
気管路5から排気補助装置10の貯留部12内に排気を
取り込む。また、オートダンパ6,7では、開度が大き
くなるように調節され、通気抵抗が減少される。これに
より、カップ3からの排気流量がQ1からQ3に増加
し、増加した排気の一部が排気補助装置10の貯留部1
2に排気流量Q4で流入し、貯留される。これにより、
図3(g)に示すように、貯留部12の排気蓄積量が増
加する。Further, as shown in FIGS. 2D and 3, the substrate W is again rotated at a high speed in the period T4,
Is started. At this time, the intake device 11 is operated to increase the flow rate of the exhaust gas from the cup 3 again, and the exhaust gas is taken into the storage portion 12 of the exhaust auxiliary device 10 from the exhaust pipe 5. Further, in the automatic dampers 6 and 7, the opening degree is adjusted to be large, and the ventilation resistance is reduced. As a result, the flow rate of exhaust gas from the cup 3 increases from Q1 to Q3, and a part of the increased exhaust gas is stored in the storage unit 1 of the exhaust auxiliary device 10.
2 and is stored at an exhaust flow rate Q4. This allows
As shown in FIG. 3G, the amount of exhaust gas stored in the storage unit 12 increases.
【0037】さらに、図2(e)および図3に示すよう
に、期間T5では基板Wの回転数が徐々に減じられなが
ら乾燥処理が引続き行われ、その後基板Wの回転が停止
されて待機状態となる。この際、カップ3からの排気流
量が低下され、同時に貯留部12に貯留した排気の排出
動作が行われる。Further, as shown in FIGS. 2E and 3, during the period T5, the drying process is continuously performed while the rotation speed of the substrate W is gradually reduced, and thereafter, the rotation of the substrate W is stopped and the standby state is established. Becomes At this time, the flow rate of the exhaust gas from the cup 3 is reduced, and at the same time, the exhaust operation of the exhaust gas stored in the storage unit 12 is performed.
【0038】すなわち、吸気装置11が停止され、オー
トダンパ6,7の開度が絞られる。これにより、カップ
3からの排気流量はQ3からQ1に低下し、また貯留部
12に貯留された排気が排気管路5に排気流量Q5で吸
い出される。この状態を継続すると、図3(g)に示す
ように、貯留部12内の排気が徐々に減少して所定時間
経過後にすべて排出され、排気補助装置10が待機状態
となる。That is, the intake device 11 is stopped, and the openings of the automatic dampers 6 and 7 are reduced. As a result, the flow rate of exhaust gas from the cup 3 decreases from Q3 to Q1, and the exhaust gas stored in the storage unit 12 is sucked into the exhaust pipe 5 at the exhaust gas flow rate Q5. When this state is continued, as shown in FIG. 3 (g), the exhaust gas in the storage unit 12 gradually decreases and is exhausted after a lapse of a predetermined time, and the exhaust assist device 10 enters a standby state.
【0039】上述のように、排気補助装置10は、基板
Wが高速で回転される期間T2およびT4において、排
気管路5から排気の一部を吸引して貯留することにより
カップ3からの排気流量を増加させ、残りの期間T1,
T3およびT5において貯留した排気を排出するように
動作する。As described above, during the periods T2 and T4 in which the substrate W is rotated at a high speed, the exhaust assisting device 10 sucks and stores a part of the exhaust from the exhaust pipe 5 so that the exhaust from the cup 3 is performed. The flow rate is increased and the remaining period T1,
It operates to discharge the exhaust gas stored at T3 and T5.
【0040】例えば、図3(a)に示す回転塗布処理の
1回のサイクルタイムが70秒であり、高速回転の期間
T2,T4が30秒、残りの時間が40秒の場合を想定
する。また、排気補助装置10を動作させないときの工
場の排気用力設備の通常の排気流量が1000L(リッ
トル)/分であると仮定する。そして、排気補助装置1
0を動作させた場合に排気流量を500L/分増加する
ことができるとすれば、30秒間の高速回転期間T2,
T4内に貯留部12の内部には250リットル(=50
0L/分×30秒/60秒)の排気が貯留される。ま
た、高速回転以外の期間T1,T3,T5内では通常の
排気状態からオートダンパ6,7を絞り、排気管路5の
排気流量を500L/分程度に低下させるとすると、排
気管路5の排気流量と工場の排気用力設備の排気流量と
の差により500L/分(=1000L/分−500L
/分)の排気流量で貯留した排気を排出することが可能
となり、40秒間では約330リットル(=500L/
分×40秒/60秒)の排気を排出することができる。
この排出量は貯留部12の排気の貯留量よりも大きい。
したがって、1つの回転塗布処理サイクル内で排気補助
装置10の貯留部12への排気の貯留および排出動作を
完了することができ、従来と同様の処理サイクルタイム
でカップ3からの排気能力を向上することができる。For example, assume that one cycle time of the spin coating process shown in FIG. 3A is 70 seconds, the high-speed rotation periods T2 and T4 are 30 seconds, and the remaining time is 40 seconds. It is also assumed that the normal exhaust flow rate of the exhaust power equipment at the factory when the exhaust auxiliary device 10 is not operated is 1000 L (liter) / minute. And the exhaust assist device 1
Assuming that the exhaust gas flow rate can be increased by 500 L / min when 0 is operated, a high-speed rotation period T2 of 30 seconds is used.
In T4, 250 liters (= 50
(0 L / min × 30 seconds / 60 seconds) is stored. In addition, during periods T1, T3, and T5 other than the high-speed rotation, the auto dampers 6 and 7 are throttled from the normal exhaust state to reduce the exhaust flow rate of the exhaust pipe 5 to about 500 L / min. 500 L / min (= 1000 L / min-500 L) due to the difference between the exhaust flow rate and the exhaust flow rate of the exhaust power equipment at the factory
/ Min), and the stored exhaust gas can be discharged at an exhaust flow rate of about 330 liters (= 500 L /
(Min × 40 sec / 60 sec).
This discharge amount is larger than the storage amount of the exhaust gas in the storage unit 12.
Therefore, the operation of storing and discharging the exhaust gas in the storage unit 12 of the exhaust auxiliary device 10 can be completed within one rotation coating processing cycle, and the exhaust capability from the cup 3 can be improved in the same processing cycle time as in the related art. be able to.
【0041】このように、排気管路5の途中に排気補助
装置10を備えることにより、従来ではφ200mmの
ウエハに対しては約4000rpm(回転/分)の回転
塗布が限界であったものが、7000rpmを越える回
転数まで十分な排気を行いながら回転塗布することが可
能となり、またφ300mmウエハに対しては、120
0rpmの回転塗布が限度であったものが2000rp
mの回転数まで十分な排気を行いながら回転塗布するこ
とが可能となる。As described above, by providing the exhaust auxiliary device 10 in the middle of the exhaust pipe 5, the rotation coating of about 4000 rpm (rotation / minute) has conventionally been limited to a wafer of φ200 mm. It is possible to perform spin coating while performing sufficient exhaust up to a rotation speed exceeding 7000 rpm.
Rotational coating at 0 rpm was limited to 2000 rpm
It is possible to perform spin coating while performing sufficient evacuation up to the number of rotations of m.
【0042】なお、上記の排気補助装置10の貯留部1
2では、吸気装置11の吸気により膜部材12bが自由
に膨らむように構成したが、真空ポンプを用いて排気を
圧縮して貯留するように構成することによって排気補助
装置10を小型化することも可能である。The storage section 1 of the above-described exhaust assist device 10
In 2, the membrane member 12b is configured to expand freely by the intake of the intake device 11, but the exhaust auxiliary device 10 may be reduced in size by using a vacuum pump to compress and store the exhaust. It is possible.
【0043】本発明は、回転式塗布装置に限らず、現像
装置、洗浄装置等の排気が必要な他の回転式処理装置に
も適用することができる。The present invention can be applied not only to the rotary coating apparatus but also to other rotary processing apparatuses requiring exhaust, such as a developing apparatus and a cleaning apparatus.
【図1】本発明の実施例による回転式塗布装置の概略構
成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a rotary coating apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す回転式塗布装置の排気動作を示す説
明図である。FIG. 2 is an explanatory view showing an exhaust operation of the rotary coating apparatus shown in FIG.
【図3】図1に示す回転式塗布装置の回転数変化および
排気流量の変化を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a change in the number of rotations and a change in an exhaust flow rate of the rotary coating apparatus shown in FIG.
【図4】従来の回転式塗布装置の概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a conventional rotary coating device.
1 基板保持台 2 スピンモータ 3 カップ 3a 開口部 3b 廃液口 3c 排気口 5 排気管路 6,7 オートダンパ 8 シーケンスコントローラ 10 排気補助装置 11 吸気装置 12 貯留部 12b 膜部材 13 入口管路 14 出口管路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate holding stand 2 Spin motor 3 Cup 3a Opening 3b Waste liquid port 3c Exhaust port 5 Exhaust line 6,7 Auto damper 8 Sequence controller 10 Exhaust auxiliary device 11 Suction device 12 Storage unit 12b Membrane member 13 Inlet line 14 Outlet line Road
Claims (5)
基板保持部の周囲を取り囲むように形成された中空のカ
ップと、前記カップに接続されかつ前記カップの内部の
雰囲気ガスを所定の吸気能力を有する吸気源に導く排気
管路とを備えた回転式基板処理装置において、 前記カップの内部から前記排気管路に導かれる前記雰囲
気ガスの一部を前記排気管路から取り出して一時的に貯
留することによって前記カップから前記排気管路に導か
れる前記雰囲気ガスの流量を一時的に増加させる排気補
助手段を備えたことを特徴とする回転式基板処理装置。1. A hollow cup formed so as to surround a substrate and a substrate holding portion for holding the substrate in a horizontal posture, and a predetermined suction capacity connected to the cup and for supplying an atmospheric gas inside the cup to a predetermined suction capacity. A rotary substrate processing apparatus provided with an exhaust pipe leading to an intake source having: a part of the atmospheric gas led from the inside of the cup to the exhaust pipe from the exhaust pipe and temporarily stored therein A rotating substrate processing apparatus, comprising: an exhaust auxiliary means for temporarily increasing a flow rate of the atmospheric gas guided from the cup to the exhaust pipe.
の吸気手段と、 前記吸気手段が取り出した前記雰囲気ガスを一時的に貯
留する貯留部とを備えたことを特徴とする請求項1記載
の回転式基板処理装置。2. The exhaust assisting device includes an intake unit for extracting a part of the atmospheric gas from the exhaust pipe, and a storage unit for temporarily storing the atmospheric gas extracted by the intake unit. 2. The rotary substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
た前記雰囲気ガスの量に応じて容積が変動可能に形成さ
れたことを特徴とする請求項2記載の回転式基板処理装
置。3. The rotary substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the storage section is formed so that the volume can be changed according to the amount of the atmospheric gas taken out by the suction means.
ガスを前記貯留部に導く分岐管路と、 前記排気管路に合流し、前記貯留部に貯留された前記雰
囲気ガスを前記分岐管路より前記吸気源側の前記排気管
路に導く合流管路とをさらに備えたことを特徴とする請
求項2または3記載の回転式基板処理装置。4. The exhaust auxiliary means branches off from the exhaust pipe and joins the exhaust pipe with the branch pipe for guiding the atmospheric gas in the exhaust pipe to the storage section. 4. The rotary substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising: a merging pipe for guiding the atmospheric gas stored in the exhaust pipe from the branch pipe to the exhaust pipe on the intake source side.
抗手段をさらに備え、 前記排気補助手段は、前記排気管路の通気抵抗を高めて
前記カップから排出される前記雰囲気ガスの量を減少さ
せることによって前記貯留部内に貯留された雰囲気ガス
を前記排気管路に排出するように前記抵抗手段の動作を
制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする請求
項4記載の回転式基板処理装置。5. A resistance means for changing a ventilation resistance of the exhaust pipe, wherein the exhaust auxiliary means increases a ventilation resistance of the exhaust pipe to reduce an amount of the atmospheric gas discharged from the cup. 5. The rotary substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising control means for controlling the operation of said resistance means so as to discharge the atmospheric gas stored in said storage section to said exhaust pipe. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8302174A JPH10137662A (en) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | Rotary substrate processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8302174A JPH10137662A (en) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | Rotary substrate processing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10137662A true JPH10137662A (en) | 1998-05-26 |
Family
ID=17905825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8302174A Pending JPH10137662A (en) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | Rotary substrate processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10137662A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130062685A (en) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | 세메스 주식회사 | Appratus for treating substrate |
| KR20190008939A (en) | 2016-09-13 | 2019-01-25 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus |
| US20230008351A1 (en) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate |
| JP2023026854A (en) * | 2021-08-16 | 2023-03-01 | 株式会社ディスコ | Liquid resin coating device |
| US11813646B2 (en) | 2016-09-13 | 2023-11-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device |
-
1996
- 1996-11-13 JP JP8302174A patent/JPH10137662A/en active Pending
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| US12529960B2 (en) * | 2021-07-08 | 2026-01-20 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate including interference alleviation unit |
| JP2023026854A (en) * | 2021-08-16 | 2023-03-01 | 株式会社ディスコ | Liquid resin coating device |
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