JPH10140018A - 透明性樹脂およびこの樹脂を用いた感光性樹脂組成物並びにこの感光性樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＡｒＦエキシマレーザ等の短波長領域に高い
感光性と十分なドライエッチング耐性を有する感光性樹
脂組成物を得る。 【解決手段】 感光性樹脂組成物は下記一般式（１）で
示される原子団、 【化１】 と酸により分解性を示す原子団を備えた樹脂と光の照射
により酸を発生する化合物とを含有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特にＡｒＦレーザ
等の短波長光に対して透明性の優れた透明性樹脂および
特にＡｒＦレーザ等の短波長光を露光エネルギー源とし
て用いたリソグラフィーに好適に用いられる感光性樹脂
組成物に関するものである。また、上記感光性樹脂組成
物をレジストとして用いて微細パターンを形成すること
により超ＬＳＩ等の高集積化された半導体装置を得るこ
とができる半導体装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの高集積化が求められて
いる中、微細加工技術の開発が進められている。この技
術を実現するために、いくつかの手法が検討されている
が、中でもリソグラフィー技術で使用する光源を短波長
化することが、最も有望視されている。現在のリソグラ
フィー技術では、ｉ線（波長３６５ｎｍ）やＫｒＦエキ
シマレーザ（波長２４８ｎｍ）が用いられているが、Ａ
ｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）やＹＡＧレーザ
の５倍高調波（波長２１８ｎｍ）などを用いることが、
検討されている。

【０００３】従来、光リソグラフィー用のレジストとし
てノボラック樹脂とナフトキノンジアジドからなるレジ
ストや、ターシャリーブトキシカルボニルオキシスチレ
ンと酸発生剤からなるレジストが用いられている。これ
らはいずれもベンゼン骨格を有する化合物を有してお
り、ベンゼン骨格を有する化合物がドライエッチング耐
性を発現することから、これらの化合物が使用されてい
る。

【０００４】しかし、ベンゼン骨格を有する化合物では
上記の波長の短いＡｒＦエキシマレーザやＹＡＧレーザ
の５倍高調波の波長付近に大きな吸収を有することか
ら、良好な形状のパターンを形成することができなかっ
た。

【０００５】この問題を解決する方法として特開平７―
１８１６８７号公報にはナフタレン化合物を含むレジス
ト材料が記載されている。即ち、ナフタレン化合物はド
ライエッチング耐性を発現すると同時に、ベンゼン骨格
を有する化合物に特有の２００ｎｍ付近の吸収が長波長
側にシフトしているために、ＡｒＦエキシマレーザやＹ
ＡＧレーザの５倍高調波の波長付近の吸光度を小さくす
ることができるのである。

【０００６】また、特開平４―３９６６５号公報、特開
平８―１２６２６号公報および特開平８―８２９２５号
公報には脂肪族系の化合物が記載され、上記波長領域の
光の透過率を十分に高くできることが示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ナ
フタレン化合物ではエッチング耐性は得られているが、
上記波長領域の光の透過率が十分ではないために、形成
されるパターンの形状劣化が避けられない。また、上記
脂肪族系の化合物は疎水性であり、従来から用いられて
いるアルカリ水溶液による現像では溶解性が十分得られ
ない。そこで上記公報に示されているように、水溶性を
示す基を含む原子団を共重合などの方法で混入させるこ
とでこの問題の解決を図っているが、この方法ではドラ
イエッチング性を発現する原子団の含有率が低下するた
め、エッチング耐性の低下を招いてしまう。以上のこと
から、上記従来の技術では光の透過率とドライエッチン
グ耐性を両立させることはできていないという課題があ
った。

【０００８】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、ＡｒＦエキシマレーザ等の短波長領域に
高い透明性を示す樹脂および上記波長の光に高い感光性
と十分なドライエッチング耐性を有する感光性樹脂組成
物並びに微細加工が可能で高集積化した半導体装置の製
造方法を得ることを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の透明
性樹脂は、下記一般式（１）で示される第１原子団、

【００１０】

【化５】

【００１１】シクロヘキサン環中の１または２の炭素―
炭素結合が２重結合であり、―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂または
＝Ｏの内の１置換基を有する第２原子団、またはデカリ
ン環中の１ないし４の炭素―炭素結合が２重結合であ
り、―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂または＝Ｏの内の１置換基を有
する第３原子団を備えたものである。

【００１２】本発明に係る第２の透明性樹脂は、上記第
１の透明性樹脂が酸により分解性を示す第４原子団を備
えたものである。

【００１３】本発明に係る第３の透明性樹脂は、上記第
２の透明性樹脂における酸により分解性を示す第４原子
団が下記一般式（２）

【００１４】

【化６】

【００１５】で示される原子団のものである。

【００１６】本発明に係る第１の感光性樹脂組成物は、
下記一般式（１）で示される第１原子団、

【００１７】

【化７】

【００１８】シクロヘキサン環中の１または２の炭素―
炭素結合が２重結合であり、―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂または
＝Ｏの内の１置換基を有する第２原子団、またはデカリ
ン環中の１ないし４の炭素―炭素結合が２重結合であ
り、―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂または＝Ｏの内の１置換基を有
する第３原子団、並びに酸により分解性を示す第４原子
団を備えた樹脂と、光の照射により酸を発生する化合物
とを含有するものである。

【００１９】本発明に係る第２の感光性樹脂組成物は、
上記第１の感光性樹脂組成物において、酸により分解性
を示す第４原子団が下記一般式（２）

【００２０】

【化８】

【００２１】で示される原子団のものである。

【００２２】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半
導体基板上に上記第１または第２の感光性樹脂組成物の
膜を設ける工程、上記感光性樹脂組成物膜に短波長レー
ザをパターン露光する工程および露光後の感光性樹脂組
成物膜を現像処理する工程を施す方法である。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の透明性樹脂は、上記第１
原子団、第２原子団または第３原子団を備えたものであ
る。

【００２４】一般式（１）で示される第１原子団はベン
ゼン環の１，３位に二つの置換基を有する化合物であ
り、置換基としては、アルコキシカルボニル基、カルボ
キシル基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、ニトロソ
基、シアノ基、トリハロメチル基、ヒドロキシル基、ジ
アルキルスルホニウム基またはトリアルキルアミノ基等
の原子団や塩素または臭素等のハロゲン原子である。ま
たこれら２つの置換基は同一でも異なっていても良い。
上記第１原子団は、置換基の効果によってＡｒＦエキシ
マレーザ等の短波長付近の光吸収を小さくできる。従っ
て、一般式（１）で示される第１原子団が分子中に存在
すると、ＡｒＦエキシマレーザ光の吸収を低く抑えるこ
とができる。

【００２５】上記第２原子団は、シクロヘキサン環中の
１または２の炭素―炭素結合が２重結合であり、―Ｃ＝
Ｏ、―ＳＯ₂または＝Ｏの内の１置換基を有し、具体的
には次式で示される。なお、次式中Ｒ₁₀が―Ｃ＝Ｏ、―
ＳＯ₂または＝Ｏである。

【００２６】

【化９】

【００２７】なお、この原子団はさらにヒドロキシル
基、カルボキシル基、アルキル基等の置換基で置換され
ていても上記第２原子団と同様に用いられる。

【００２８】上記第３原子団は、デカリン環中の１ない
し４の炭素―炭素結合が２重結合であり、―Ｃ＝Ｏ、―
ＳＯ₂または＝Ｏの内の１置換基を有し、具体的には下
式で示される。なお、下式中Ｒ₁₀が―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂
または＝Ｏである。

【００２９】

【化１０】

【００３０】なお、この原子団はさらにヒドロキシル
基、カルボキシル基、アルキル基等の置換基で置換され
ていても上記第３原子団と同様に用いられる。

【００３１】なお、上記第２原子団または第３原子団
は、芳香族化合物とは異なるためにＡｒＦエキシマレー
ザ波長付近の光吸収が小さい。従って、第２原子団また
は第３原子団が分子中に存在すると、ＡｒＦエキシマレ
ーザ光の光吸収を低く抑えることができる。

【００３２】本発明の透明性樹脂は上記第１、第２また
は第３原子団を母剤となる樹脂に結合させることにより
得ることができる。母剤となる樹脂としては例えばポリ
アクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリヒドロキシエチル
アクリル酸、ポリヒドロキシエチルメタクリル酸、ポリ
マレイン酸、ポリイタコン酸等があげられるがこれに限
定されない。

【００３３】本発明の透明性樹脂は、上記第１原子団、
第２原子団または第３原子団並びに酸により分解性を示
す第４原子団を備えたものである。上記第４原子団を備
えることにより感光性樹脂組成物に好適に用いられる。

【００３４】酸により分解性を示す第４原子団として
は、例えばｔｅｒｔ―ブチル基、ｔｅｒｔ―アミル基、
１―エトキシエチル基、１―プロピルオキシエチル基、
１―ｔｅｒｔブトキシエチル基、テトラヒドロピラニル
基、２―メチル―２―アダマンチル基、１―メチル―４
―テトラヒドロピラ―３―ノイル基、１―メチル―４―
ペンタノイル基などがあげられるがこれらに限定されな
い。

【００３５】上記第４原子団が上記一般式（２）で示さ
れるものであると、不飽和結合を有するために、組成物
のエッチング耐性を向上させる。一般式（２）で示され
る原子団として具体的には下記に示す２重結合または３
重結合の不飽和結合を有する化合物である。

【００３６】

【化１１】

【００３７】即ち、２―メチル―３―ブテニル基、２―
メチル―３―ブチニル基、１―エチニル―１―シクロヘ
キシル基、１―メチル―２―シクロヘキセ―１―ニル基
等があげられるがこれに限定されない。

【００３８】また、上記透明性樹脂は下記記載のように
感光性樹脂組成物に好適に用いられる。即ち、上記第１
原子団はベンゼン骨格を有するので、エッチング耐性を
向上させ、置換基の効果によってＡｒＦエキシマレーザ
等の短波長付近の光吸収が小さくできる。従って、一般
式（１）で示される第１原子団が分子中に存在すると、
ＡｒＦエキシマレーザ光の吸収を低く抑えたまま、エッ
チング耐性を確保できる。上記第２原子団または第３原
子団は、シクロヘキサン環あるいはデカリン環に少なく
とも１つ以上の不飽和結合を有することで、エッチング
耐性を向上させることができる。また、第２原子団また
は第３原子団は、芳香族化合物とは異なるためにＡｒＦ
エキシマレーザ波長付近の光吸収が小さい。従って、第
２原子団または第３原子団が分子中に存在すると、Ａｒ
Ｆエキシマレーザ光の光吸収を低く抑えたまま、エッチ
ング耐性を確保できる。上記第４原子団が分子中に存在
すると、酸により分子構造が変化しアルカリ現像液に対
する溶解性が変化するので、光の照射により酸を発生す
る化合物とともに用いることにより感光性レジストとし
て用いられる。

【００３９】本発明の感光性樹脂組成物に用いられる上
記透明性樹脂は、第１、第２または第３原子団並びに酸
により分解性を示す原子団を母剤となる樹脂に結合させ
ることにより得ることができる。母剤となる樹脂として
は例えばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリヒド
ロキシエチルアクリル酸、ポリヒドロキシエチルメタク
リル酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸等があげられ
る。また化合物としては炭素数３から１５のアルキルカ
ルボン酸、３から１５のアルキルジカルボン酸等があげ
られるがこれに限定されない。

【００４０】本発明の感光性樹脂組成物は、上記透明性
樹脂と光により酸を発生する化合物を含有するものであ
る。

【００４１】上記光の照射を受けて酸を発生する化合物
としては、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアン
チモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレイト、
トリフェニルスルホニウムトシレート、トリフェニルス
ルホニウムメタンスルホネート、４―ｔｅｒｔブチルフ
ニルジフェニルヘキサフロロアンチモネート、４―ｔｅ
ｒｔブチルフニルジフェニルトリフレイト、４―ｔｅｒ
ｔブチルフニルジフェニルトシレート、４―ｔｅｒｔブ
チルフニルジフェニルメタンスルホネート、トリス（４
―メチルフェニル）スルホニウムヘキサフロロアンチモ
ネート、トリス（４―メチルフェニル）スルホニウムト
リフレイト、トリス（４―メチルフェニル）スルホニウ
ムトシレート、トリス（４―メチルフェニル）スルホニ
ウムメタンスルホネート、トリス（４―メトキシフェニ
ル）スルホニウムトヘキサフロロアンチモネート、トリ
ス（４―メトキシフェニル）スルホニウムトリフレイ
ト、トリス（４―メトキシフェニル）スルホニウムトシ
レート、トリス（４―メトキシフェニル）スルホニウム
メタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフ
ロロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレ
イト、ジフェニルヨードニウムトシレート、ジフェニル
ヨードニウメタンスルホネート、４、４’―ジｔｅｒｔ
ブチルジフェニルヨードニウムヘキサフロロアンチモネ
ート、４、４’―ジｔｅｒｔブチルジフェニルヨードニ
ウムトリフレイト、４、４’―ジｔｅｒｔブチルジフェ
ニルヨードニウムトシレート、４、４’―ジｔｅｒｔブ
チルジフェニルヨードニウムメタンスルホネート、４、
４’―ジメチルジフェニルヨードニウムヘキサフロロア
ンチモネート、４、４’―ジメチルジフェニルヨードニ
ウムトリフレイト、４、４’―ジメチルジフェニルヨー
ドニウムトシレート、４、４’―ジメチルジフェニルヨ
ードニウムメタンスルホネート、３、３’―ジニトロジ
フェニルヨードニウムヘキサフロロアンチモネート、
３、３’―ジニトロジフェニルヨードニウムトリフレイ
ト、３、３’―ジニトロジフェニルヨードニウムトシレ
ート、３、３’―ジニトロジフェニルヨードニウムメタ
ンスルホネート、ナフチルカルボニルメチルテトラヒド
ロチオフェニルヘキサフロロアンチモネート、ナフチル
カルボニルメチルテトラヒドロチオフェニルトリフレイ
ト、ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニ
ルトシレート、ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロ
チオフェニルメタンスルホネート、ジメチルヒドロキシ
ナフチルヘキサフロロアンチモネート、ジメチルヒドロ
キシナフチルトリフレイト、ジメチルヒドロキシナフチ
ルトシレート、ジメチルヒドロキシナフチルメタンスル
ホネート、ヒドロキシこはく酸イミドのトリフロロメタ
ンスルホン酸エステル、ヒドロキシこはく酸イミドのト
リメタンスルホン酸エステル、ヒドロキシこはく酸イミ
ドのトルエンスルホン酸エステル、ヒドロキシシクロヘ
キサンジカルボン酸イミドのトリフロロメタンスルホン
酸エステル、ヒドロキシシクロヘキサンジカルボン酸イ
ミドのトリメタンスルホン酸エステル、ヒドロキシシク
ロヘキサンジカルボン酸イミドのトルエンスルホン酸エ
ステル、ヒドロキシノルボルネンジカルボン酸イミドの
トリフロロメタンスルホン酸エステル、ヒドロキシノル
ボルネンジカルボン酸イミドのトリメタンスルホン酸エ
ステル、ヒドロキシノルボルネンジカルボン酸イミドの
トルエンスルホン酸エステルなどがあげられる。

【００４２】本発明に用いる透明性樹脂と光の照射によ
り酸を発生する化合物の含有割合は、樹脂を９０．０か
ら９９．９％（重量％、以下同様）、好ましくは９５．
０から９９．５％、光の照射により酸を発生する化合物
を０．１から１０．０％（重量％、以下同様）、好まし
くは０．５から５．０％の範囲が適当である。樹脂が９
９．９％を越える場合パターニングが行いにくくなる傾
向が生じ、９０．０％未満の場合には、均一な相溶性が
得られにくくなるので、形成するパターンの不良が発生
しやすくなる。また光の照射により酸を発生する化合物
が０．１％未満の場合には良好なパターンを形成するこ
とができなくなり、１０％を越えた場合には均一な相溶
性が得られにくくなるので、形成するパターンの不良が
発生しやすくなる。

【００４３】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上に上記感光性樹脂組成物の膜を設け、上記感光性
樹脂組成物の膜にＡｒＦ等の短波長のレーザをパターン
露光し、露光後の感光性樹脂組成物膜を現像処理する方
法であり、上記感光性樹脂組成物がＡｒＦエキシマレー
ザ光の光吸収を低く抑えたまま、エッチング耐性を確保
できるので微細加工が可能となる。

【００４４】本発明の感光性樹脂組成物を、シリコンウ
ェハなどの基板上に塗布し、プリベイクを行い、ＡｒＦ
エキシマレーザ等の短波長の光を照射した後、８０から
１７０℃程度の加熱を３０秒から１０分行い、次いで現
像を行ってパターン形成を行うことができる。レジスト
の現像液としてはアルカリ性水溶液を用いることができ
る。アルカリ性水溶液としては例えばアンモニア、トリ
エチルアミン、ジメチルアミノメタノール、モノエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン、テトラアルキルア
ンモニウムヒドロキシド、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、炭酸ナトリウム、コリン等の水溶液やこれら水
溶液の混合物を用いることができる。

【００４５】本発明に用いる溶媒としては、混合する成
分を速やかに溶解し、かつそれらと反応しないものであ
るならば何でも使用できるが、例えばメチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、
エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、メトキシプロピオン酸メ
チル、メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロピオ
ン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、酪酸エチ
ル、２―ヘプタノン、ジグライム、シクロヘキサノン、
シクロペンタノン、γ―ブチロラクトン、酢酸イソアミ
ル、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどが一般的で
ある。好ましくは沸点が１００から２２０℃の範囲であ
る溶媒が適当である。沸点がこれより低いものでは塗布
したときにムラができやすく、沸点がこれより高いもの
では溶媒の乾燥が容易ではない。

【００４６】

【実施例】

実施例１．ｍ―ニトロ安息香酸と２―ヒドロキシエチル
メタアクリレートのエステル化物、メタクリル酸および
ｔｅｒｔ―ブチルメタクリレートの共重合体（モル組成
比２０：３０：５０）１７重量部、トリフェニルスルホ
ニウムトリフレイト１重量部を８２重量部のシクロヘキ
サノンに溶解させ、０．２μｍのメンブランフィルター
でろ過してパターン形成材料溶液を作成した。この溶液
をヘキサメチルジシラザンで密着性強化したシリコンウ
エハ上に塗布して０．５μｍ厚のパターン形成材料膜を
得た。この膜に１０ｍＪ／ｃｍ²のＡｒＦエキシマレー
ザを照射した後、１００℃のホットプレート上で９０秒
間加熱を行った。その後０．０７９重量％のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間現像を行
った。その結果０．１８μｍのラインアンドスペースパ
ターンが形状よく解像されていた。またＣＦ₄ガスプラ
ズマによるエッチング速度をノボラック樹脂と比較した
結果、この感光性樹脂組成物の膜のエッチング速度はノ
ボラック樹脂の１．２倍でありほぼ同等のエッチング耐
性を有していることがわかった。

【００４７】比較例１．実施例１で使用した樹脂のｍ―
ニトロ安息香酸と２―ヒドロキシエチルメタアクリレー
トのエステル化物に変えてｐ―ニトロ安息香酸と２―ヒ
ドロキシエチルメタアクリレートのエステル化物を用い
るか、またはｏ―ニトロ安息香酸と２―ヒドロキシエチ
ルメタアクリレートのエステル化物を用いる他は実施例
１と同様の操作方法でパターニングを行った。いずれの
場合も解像度は０．７μｍが限界であった。

【００４８】実施例２〜５．表１に示すように、一般式
（１）で表される原子団を有する樹脂と光の照射により
酸を発生する化合物とを含有する感光性樹脂組成物を用
いる他は実施例１と同様にして調整してレジスト膜を作
製しパターン形成を行った。

【００４９】

【表１】

【００５０】その結果表１に示すようにいずれの場合で
もＡｒＦエキシマレーザ露光で良好なパターンが得ら
れ、良好なエッチング耐性を示した。なお、エッチング
速度はノボラック樹脂の場合を１として示した。

【００５１】実施例６〜８．表２に示すように、第２原
子団または第３原子団を有する樹脂と光の照射により酸
を発生する化合物とを含有する感光性樹脂組成物を用い
る他は実施例１と同様にして調整してレジスト膜を作製
しパターン形成を行った。

【００５２】

【表２】

【００５３】その結果表２に示すようにいずれの場合で
もＡｒＦエキシマレーザ露光で良好なパターンが得ら
れ、良好なエッチング耐性を示した。なお、エッチング
速度はノボラック樹脂の場合を１として示した。

【００５４】実施例９〜１２．表３に示すように、第１
原子団または第２原子団を有する樹脂と光の照射を受け
て酸を発生する化合物とを含有する感光性樹脂組成物を
用いる他は実施例１と同様にして調整してレジスト膜を
作製しパターン形成を行った。

【００５５】

【表３】

【００５６】その結果表３に示すようにいずれの場合で
もＡｒＦエキシマレーザ露光で良好なパターンが得ら
れ、良好なエッチング耐性を示した。なお、エッチング
速度はノボラック樹脂の場合を１として示した。

【００５７】なお、上記実施例では短波長の光としてＡ
ｒＦエキシマレーザを用いた例を示したが、例えばＹＡ
Ｇレーザの５倍高調波等他の２００ｎｍ付近の波長の光
でも同様の効果を得ることができる。

【００５８】

【発明の効果】本発明の第１の透明性樹脂によれば、上
記一般式（１）で示される第１原子団、シクロヘキサン
環中の１または２の炭素―炭素結合が２重結合であり、
―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂または＝Ｏの内の１置換基を有する
第２原子団、またはデカリン環中の１ないし４の炭素―
炭素結合が２重結合であり、―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂または
＝Ｏの内の１置換基を有する第３原子団を備えたもの
で、ＡｒＦ等の短波長の光に対して透明性を有するとい
う効果がある。

【００５９】本発明の第２の透明性樹脂によれば、上記
第１の透明性樹脂が酸により分解性を示す第４原子団を
備えたもので、感光性樹脂組成物に用いられるという効
果がある。

【００６０】本発明の第３の透明性樹脂によれば、上記
第２の透明性樹脂における酸により分解性を示す第４原
子団が下記一般式（２）で示される原子団であり、エッ
チンブ耐性が向上するという効果がある。

【００６１】本発明の第１の感光性樹脂組成物によれ
ば、上記一般式（１）で示される第１原子団、シクロヘ
キサン環中の１または２の炭素―炭素結合が２重結合で
あり、―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂または＝Ｏの内の１置換基を
有する第２原子団、またはデカリン環中の１ないし４の
炭素―炭素結合が２重結合であり、―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂
または＝Ｏの内の１置換基を有する第３原子団、並びに
酸により分解性を示す第４原子団を備えた樹脂と、光の
照射により酸を発生する化合物とを含有するもので、Ａ
ｒＦ等の短波長の光の透過性に優れ、エッチング耐性が
優れるという効果がある。

【００６２】本発明の第２の感光性樹脂組成物によれ
ば、上記第１の感光性樹脂組成物において、酸により分
解性を示す第４原子団が上記一般式（２）で示されるも
のであり、ＡｒＦ等の短波長の光の透過性に優れ、さら
にエッチング耐性が優れるという効果がある。

【００６３】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半
導体基板上に上記第１または第２の感光性樹脂組成物の
膜を設ける工程、上記感光性樹脂組成物膜に短波長レー
ザをパターン露光する工程および露光後の感光性樹脂組
成物膜を現像処理する工程を施すことにより、微細パタ
ーンが可能で高集積化された半導体装置を得ることがで
きるという効果がある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 育弘 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 足達 廣士 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で示される第１原子
   団、 【化１】 シクロヘキサン環中の１または２の炭素―炭素結合が２
   重結合であり、―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂または＝Ｏの内の１
   置換基を有する第２原子団、 またはデカリン環中の１ないし４の炭素―炭素結合が２
   重結合であり、―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂または＝Ｏの内の１
   置換基を有する第３原子団、を備えた透明性樹脂。
2. 【請求項２】 酸により分解性を示す第４原子団を備え
   たことを特徴とする請求項１に記載の透明性樹脂。
3. 【請求項３】 酸により分解性を示す第４原子団が下記
   一般式（２） 【化２】 で示される原子団であることを特徴とする請求項２に記
   載の透明性樹脂。
4. 【請求項４】 下記一般式（１）で示される第１原子
   団、 【化３】 シクロヘキサン環中の１または２の炭素―炭素結合が２
   重結合であり、―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂または＝Ｏの内の１
   置換基を有する第２原子団、 またはデカリン環中の１ないし４の炭素―炭素結合が２
   重結合であり、―Ｃ＝Ｏ、―ＳＯ₂または＝Ｏの内の１
   置換基を有する第３原子団、並びに酸により分解性を示
   す第４原子団を備えた樹脂と、光の照射により酸を発生
   する化合物とを含有する感光性樹脂組成物。
5. 【請求項５】 酸により分解性を示す第４原子団が下記
   一般式（２） 【化４】 で示される原子団であることを特徴とする請求項４に記
   載の感光性樹脂組成物。
6. 【請求項６】 半導体基板上に請求項４または請求項５
   に記載の感光性樹脂組成物の膜を設ける工程、上記感光
   性樹脂組成物膜に短波長レーザをパターン露光する工程
   および露光後の感光性樹脂組成物膜を現像処理する工程
   を施す半導体装置の製造方法。