JPH10265526A

JPH10265526A - 透明性樹脂およびこの樹脂を用いた感光性樹脂組成物並びにこの感光性樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH10265526A
Application number: JP9071961A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Oshida; 敦史押田; Teruhiko Kumada; 輝彦熊田; Yasuhiro Yoshida; 育弘吉田; Atsuko Fujino; 敦子藤野; Hiroshi Adachi; 廣士足達
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-03-25
Filing date: 1997-03-25
Publication date: 1998-10-06

Abstract

(57)【要約】【課題】ＡｒＦエキシマレーザ等の短波長領域に高い
透明性を示す樹脂および上記波長の光に高い感光性と十
分なドライエッチング耐性を有した感光性樹脂組成物並
びに微細加工が可能で高集積化した半導体装置の製造方
法を得る。【解決手段】感光性樹脂組成物は下記一般式（１）で
示される原子団、【化１】と酸により分解性を示す原子団を備えた樹脂と光の照射
により酸を発生する化合物とを含有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特にＡｒＦエキシ
マレーザ等の短波長光に対して透明性の優れた透明性樹
脂および特にＡｒＦエキシマレーザ等の短波長光を露光
エネルギー源として用いたリソグラフィーに好適に用い
られる感光性樹脂組成物に関するものである。また、上
記感光性樹脂組成物をレジストとして用いて微細パター
ンを形成することにより超ＬＳＩ等の高集積化された半
導体装置を得ることができる半導体装置の製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの高集積化が求められて
いる中、微細加工技術の開発が進められている。この技
術を実現するために、いくつかの手法が検討されている
が、中でもリソグラフィー技術で使用する光源を短波長
化することが、最も有望視されている。現在のリソグラ
フィー技術では、ｉ線（波長３６５ｎｍ）やＫｒＦエキ
シマレーザ（波長２４８ｎｍ）が用いられているが、Ａ
ｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）やＹＡＧレーザ
の５倍高調波（波長２１８ｎｍ）などを用いることが、
検討されている。

【０００３】従来、光リソグラフィー用のレジストとし
てノボラック樹脂とナフトキノンジアジドからなるレジ
ストや、ターシャリーブトキシカルボニルオキシスチレ
ンと酸発生剤からなるレジストが用いられている。これ
らはいずれもベンゼン骨格を有する化合物を有してお
り、ベンゼン骨格を有する化合物がドライエッチング耐
性を発現することから、これらの化合物が使用されてい
る。

【０００４】しかし、ベンゼン骨格を有する化合物では
上記波長の短いＡｒＦエキシマレーザやＹＡＧレーザの
５倍高調波の波長付近に大きな吸収を有することから、
良好な形状のパターンを形成することができなかった。

【０００５】この問題を解決する方法として特開平７―
１８１６８７号公報にはナフタレン化合物を含むレジス
ト材料が記載されている。即ち、ナフタレン化合物はド
ライエッチング耐性を発現すると同時に、ベンゼン骨格
を有する化合物に特有の２００ｎｍ付近の吸収が長波長
側にシフトしているために、ＡｒＦエキシマレーザやＹ
ＡＧレーザの５倍高調波の波長付近の吸光度を小さくす
ることができるのである。

【０００６】また、特開平４―３９６６５号公報、特開
平８―１２６２６号公報および特開平８―８２９２５号
公報には脂肪族系の化合物が記載され、上記波長領域の
光の透過率を十分に高くできることが示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ナ
フタレン化合物ではエッチング耐性は得られているが、
上記波長領域の光の透過率が十分ではないために、形成
されるパターンの形状劣化が避けられない。また、上記
脂肪族系の化合物は上記波長領域の光の透過率を十分高
くできるが、従来の芳香族系化合物に比べ耐ドライケッ
チング性に劣っており、嵩高い環構造を有する脂肪族系
化合物を用いることでその耐ドライケッチング性を向上
させているが、現在レジストとして多用されているノボ
ラック樹脂の耐ドライエッチング性を越える脂肪族系材
料は少なく、しかもこのような化合物は一般に疎水性が
強いため半導体基板上と樹脂との密着性低下につながっ
ている。また、現像液であるアルカリ水溶液への溶解が
困難であるため良好な微細パターンの形成が困難であ
る。そこで、上記公報に示されているように、ドライエ
ッチング耐性を持たない親水性の原子団を共重合などの
方法で混入させることでこの問題の解決を図っている
が、この方法ではドライエッチング耐性を発現する原子
団の含有率が低下するため、エッチング耐性の低下を招
いてしまう。以上のことから、上記従来の技術では光の
透過率とドライエッチング耐性を両立させることはでき
ていないという課題があった。

【０００８】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、ＡｒＦエキシマレーザ等の短波長領域に
高い透明性を示す樹脂および上記波長の光に高い感光性
と十分なドライエッチング耐性を有した感光性樹脂組成
物並びに微細加工が可能で高集積化した半導体装置の製
造方法を得ることを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の透明
性樹脂は、下記一般式（１）で示される第１原子団、下
記一般式（２）で示される第２原子団、

【００１０】

【化９】

【００１１】下記一般式（３）で示される第３原子団、
下記一般式（４）で示される第４原子団、

【００１２】

【化１０】

【００１３】下記一般式（５）で示される第５原子団、

【００１４】

【化１１】

【００１５】または下記一般式（６）で示される第６原
子団

【００１６】

【化１２】

【００１７】を備えたものである。

【００１８】本発明に係る第２の透明性樹脂は、上記第
１の透明性樹脂酸が酸により分解性を示す第７原子団を
備えたものである。

【００１９】本発明に係る第１の感光性樹脂組成物は、
下記一般式（１）で示される第１原子団、下記一般式
（２）で示される第２原子団、

【００２０】

【化１３】

【００２１】下記一般式（３）で示される第３原子団、
下記一般式（４）で示される第４原子団、

【００２２】

【化１４】

【００２３】下記一般式（５）で示される第５原子団、

【００２４】

【化１５】

【００２５】または下記一般式（６）で示される第６原
子団

【００２６】

【化１６】

【００２７】並びに酸により分解性を示す第７原子団を
備えた樹脂と、光の照射により酸を発生する化合物とを
含有するものである。

【００２８】本発明に係る第１の半導体装置の製造方法
は、半導体基板上に上記第１の感光性樹脂組成物の膜を
設ける工程、上記感光性樹脂組成物膜に短波長レーザを
パターン露光する工程および露光後の感光性樹脂組成物
膜を現像処理する工程を施す方法である。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の透明性樹脂は、上記第１
原子団、第２原子団、第３原子団、第４原子団、第５原
子団または第６原子団を備えたものである。

【００３０】一般式（１）〜一般式（６）で示される第
１〜第６原子団は、芳香族化合物とは異なるためにＡｒ
Ｆエキシマレーザ等の短波長領域での光吸収が小さい。
従って、上記第１、第２、第３、第４、第５または第６
原子団が分子中に存在すると、ＡｒＦエキシマレーザ光
の光吸収を低く抑えることができる。

【００３１】本発明の透明性樹脂は、上記第１、第２、
第３、第４、第５または第６原子団を母剤となる樹脂や
下記化合物に結合させたり、または単に添加することに
より得ることができる。母剤となる樹脂としては例えば
ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリヒドロキシエ
チルアクリル酸、ポリヒドロキシエチルメタクリル酸、
ポリマレイン酸、ポリイタコン酸等があげられる。化合
物としては炭素数３から１５のアルキルカルボン酸、３
から１５のアルキルジカルボン酸等があげられるがこれ
に限定されない。

【００３２】また、本発明の透明性樹脂は上記第１、第
２、第３、第４、第５または第６原子団並びに酸により
分解性を示す第７原子団を備えたものである。上記第７
原子団を備えることにより感光性樹脂組成物に好適に用
いられる。

【００３３】酸により分解性を示す第７原子団として
は、例えばｔｅｒｔ―ブチル基、ｔｅｒｔ―アミル基、
１―エトキシエチル基、１―プロピルオキシエチル基、
１―ｔｅｒｔブトキシエチル基、テトラヒドロピラニル
基、テトラヒドロフラニル基、２―メチル―２―アダマ
ンチル基、１―メチル―４―テトラヒドロピラ―３―ノ
イル基、１―メチル―４―ペンタノイル基などがあげら
れるがこれらに限定されない。

【００３４】また、上記透明性樹脂は下記理由により感
光性樹脂組成物に好適に用いられる。即ち、上記第１、
第２、第３、第４、第５および第６原子団は脂肪族系化
合物であるが、環構造を多く有するために耐ドライエッ
チング性を向上させることができる。また、上記第１、
第２、第３、第４、第５および第６原子団は芳香族化合
物とは異なるためにＡｒＦエキシマレーザ等の短波長付
近の光吸収が小さい。従って、透明性樹脂に上記第１、
第２、第３、第４、第５または第６原子団が存在する
と、ＡｒＦエキシマレーザ光の光吸収を抑えたまま、耐
ドライエッチング性を確保することができる。また、上
記第１、第２、第３および第４原子団は耐ドライエッチ
ング性を発現する基を有しながら、二つのカルボキシル
基を有し分子の親水性が向上しているので、透明性樹脂
に上記第１、第２、第３または第４原子団が存在する
と、耐エッチング性を有したまま半導体基板等との密着
性が向上する。さらに、上記第１、第２、第３および第
４原子団のカルボキシル基のいずれか一つまたは第５、
第６原子団の置換基が、カルボン酸または光の照射や光
の照射により発生する酸により発生する酸の作用により
カルボン酸に構造変化する置換基（ターシャルブチル
基、カルボキシル基、エトキシエチル基等）である場合
には、現像時のアルカリ溶解性が向上して形状の良いパ
ターンを得ることができる。従って、透明性樹脂に上記
第１、第２、第３または第４原子団や上記カルボキシル
基を有する第５、第６原子団が存在すると、解像度の高
いパターンを得ることが可能である。また、酸により分
解性を示す第７原子団が分子中に存在すると、酸により
分子構造が変化しアルカリ現像液に対する溶解性が変化
するので、光により酸を発生する化合物とともに用いる
ことにより感光性レジストとして用いられる。

【００３５】上記透明性樹脂は、上記第１、第２、第
３、第４、第５または第６原子団並びに酸により分解性
を示す第７原子団を母剤となる樹脂や下記化合物に結合
させたり、または単に添加することにより得ることがで
きる。母剤となる樹脂としては例えばポリアクリル酸、
ポリメタクリル酸、ポリヒドロキシエチルアクリル酸、
ポリヒドロキシエチルメタクリル酸、ポリマレイン酸、
ポリイタコン酸等があげられる。化合物としては炭素数
３から１５のアルキルカルボン酸、３から１５のアルキ
ルジカルボン酸等があげられるがこれに限定されない。

【００３６】本発明の感光性樹脂組成物は、上記透明性
樹脂と光により酸を発生する化合物を含有するものであ
る。上記光の照射を受けて酸を発生する化合物としては
トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネー
ト、トリフェニルスルホニウムトリフレイト、トリフェ
ニルスルホニウムトシレート、トリフェニルスルホニウ
ムメタンスルホネート、４―ｔｅｒｔブチルフニルジフ
ェニルヘキサフロロアンチモネート、４―ｔｅｒｔブチ
ルフニルジフェニルトリフレイト、４―ｔｅｒｔブチル
フニルジフェニルトシレート、４―ｔｅｒｔブチルフニ
ルジフェニルメタンスルホネート、トリス（４―メチル
フェニル）スルホニウムヘキサフロロアンチモネート、
トリス（４―メチルフェニル）スルホニウムトリフレイ
ト、トリス（４―メチルフェニル）スルホニウムトシレ
ート、トリス（４―メチルフェニル）スルホニウムメタ
ンスルホネート、トリス（４―メトキシフェニル）スル
ホニウムトヘキサフロロアンチモネート、トリス（４―
メトキシフェニル）スルホニウムトリフレイト、トリス
（４―メトキシフェニル）スルホニウムトシレート、ト
リス（４―メトキシフェニル）スルホニウムメタンスル
ホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフロロアンチ
モネート、ジフェニルヨードニウムトリフレイト、ジフ
ェニルヨードニウムトシレート、ジフェニルヨードニウ
メタンスルホネート、４、４’―ジｔｅｒｔブチルジフ
ェニルヨードニウムヘキサフロロアンチモネート、４、
４’―ジｔｅｒｔブチルジフェニルヨードニウムトリフ
レイト、４、４’―ジｔｅｒｔブチルジフェニルヨード
ニウムトシレート、４、４’―ジｔｅｒｔブチルジフェ
ニルヨードニウムメタンスルホネート、４、４’―ジメ
チルジフェニルヨードニウムヘキサフロロアンチモネー
ト、４、４’―ジメチルジフェニルヨードニウムトリフ
レイト、４、４’―ジメチルジフェニルヨードニウムト
シレート、４、４’―ジメチルジフェニルヨードニウム
メタンスルホネート、３、３’―ジニトロジフェニルヨ
ードニウムヘキサフロロアンチモネート、３、３’―ジ
ニトロジフェニルヨードニウムトリフレイト、３、３’
―ジニトロジフェニルヨードニウムトシレート、３、
３’―ジニトロジフェニルヨードニウムメタンスルホネ
ート、ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェ
ニルヘキサフロロアンチモネート、ナフチルカルボニル
メチルテトラヒドロチオフェニルトリフレイト、ナフチ
ルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニルトシレー
ト、ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニ
ルメタンスルホネート、ジメチルヒドロキシナフチルヘ
キサフロロアンチモネート、ジメチルヒドロキシナフチ
ルトリフレイト、ジメチルヒドロキシナフチルトシレー
ト、ジメチルヒドロキシナフチルメタンスルホネート、
ヒドロキシこはく酸イミドのトリフロロメタンスルホン
酸エステル、ヒドロキシこはく酸イミドのトリメタンス
ルホン酸エステル、ヒドロキシこはく酸イミドのトルエ
ンスルホン酸エステル、ヒドロキシシクロヘキサンジカ
ルボン酸イミドのトリフロロメタンスルホン酸エステ
ル、ヒドロキシシクロヘキサンジカルボン酸イミドのト
リメタンスルホン酸エステル、ヒドロキシシクロヘキサ
ンジカルボン酸イミドのトルエンスルホン酸エステル、
ヒドロキシノルボルネンジカルボン酸イミドのトリフロ
ロメタンスルホン酸エステル、ヒドロキシノルボルネン
ジカルボン酸イミドのトリメタンスルホン酸エステル、
ヒドロキシノルボルネンジカルボン酸イミドのトルエン
スルホン酸エステルなどがあげられる。

【００３７】本発明に用いる透明性樹脂と光の照射によ
り酸を発生する化合物の含有割合は、樹脂を９０．０〜
９９．９重量％、好ましくは９５．０〜９９．５重量
％、光の照射により酸を発生する化合物を０．１〜１
０．０重量％、好ましくは０．５〜５．０重量％の範囲
が適当である。樹脂が９９．９重量％を越える場合パタ
ーニングが行いにくくなる傾向が生じ、９０．０重量％
未満の場合には、均一な相溶性が得られにくくなるの
で、形成するパターンの不良が発生しやすくなる。また
光の照射により酸を発生する化合物が０．１重量％未満
の場合には良好なパターンを形成することができなくな
り、１０重量％を越えた場合には均一な相溶性が得られ
にくくなるので、形成するパターンの不良が発生しやす
くなる。

【００３８】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上に上記感光性樹脂組成物の膜を設け、上記感光性
樹脂組成物の膜にＡｒＦ等の短波長レーザをパターン露
光し、露光後の感光性樹脂組成物の膜を現像処理する方
法であり、上記感光性樹脂組成物がＡｒＦエキシマレー
ザ光の光吸収を低く抑えたまま、ドライエッチング耐性
を確保できるので微細加工が可能となる。

【００３９】本発明の感光性樹脂組成物を、シリコンウ
ェハなどの基板上に塗布し、プリベイクを行い、ＡｒＦ
エキシマレーザなどの光を照射した後、８０〜１７０℃
程度の加熱を３０秒〜１０分行い、次いで現像を行って
パターン形成を行うことができる。また、上記透明性樹
脂の第１原子団、第２原子団、第３原子団、第４原子
団、第５原子団または第６原子団にアルカリ溶解性基が
あるか、上記第１原子団、第２原子団、第３原子団、第
４原子団、第５原子団または第６原子団を結合させたり
添加する母剤となる樹脂や化合物がアルカリ溶解性基を
有したものであると、レジストの現像液としてアルカリ
性水溶液を用いることができる。アルカリ性水溶液とし
ては例えばアンモニア、トリエチルアミン、ジメチルア
ミノメタノール、モノエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
コリン等の水溶液やこれら水溶液の混合物を用いること
ができる。

【００４０】本発明の感光性樹脂組成物を基板に塗布す
るために用いる溶媒としては、混合する成分を速やかに
溶解し、かつそれらと反応しないものであるならば何で
も使用できるが、例えばジエチレングリコールジメチル
エーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、メトキシプロピオン酸メチル、メトキシプロピオン
酸エチル、エトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロ
ピオン酸エチル、酪酸エチル、２−ヘプタノン、ジグラ
イム、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、γ−ブチ
ロラクトン、酢酸イソアミル、クロロベンゼン、ジクロ
ロベンゼンなどが一般的である。好ましくは沸点が１０
０から２２０℃の範囲である溶媒が適当である。沸点が
これより低いものでは塗布したときにムラができやす
く、沸点がこれより高いものでは溶媒の乾燥が容易では
ない。

【００４１】

【実施例】

実施例１．シクロヘキシルジカルボン酸無水物と２―ヒ
ドロキシエチルメタアクリレートのモノエステル化物、
およびｔｅｒｔ―ブチルメタクリレートの共重合体（モ
ル組成比３０：７０）１７重量部、トリフェニルスルホ
ニウムトリフレイト１重量部を８２重量部のジエチレン
グリコールジメチルエーテルに溶解させ、０．２μｍの
メンブランフィルターでろ過してパターン形成材料溶液
を作製した。この溶液をヘキサメチルジシラザンで密着
性強化したシリコンウエハ上に塗布して０．５μｍ厚の
パターン形成材料膜を得た。この膜に８ｍＪ／ｃｍ²の
ＡｒＦエキシマレーザ光を照射した後、１００℃のホッ
トプレート上で９０秒間加熱を行った。その後０．０４
８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で６０秒間現像を行った。その結果０．１８μｍのラ
インアンドスペースパターンが形状よく解像されてい
た。また、ＣＦ₄ガスプラズマによるエッチング速度を
ノボラック樹脂と比較した結果、この感光性樹脂組成物
の膜のエッチング速度はノボラック樹脂の１．４４倍で
あり、ドライエッチング耐性の低い母剤となるＰＭＭＡ
樹脂のドライエッチング耐性が向上したことが示され
る。

【００４２】比較例１．実施例１でシクロヘキシルジカ
ルボン酸無水物と２―ヒドロキシエチルメタアクリレー
トのモノエステル化物の代わりに、メタクリル酸メチル
を用いる他は実施例１と同様の操作方法でパターニング
を行ったが、パターンを得られなかった。

【００４３】比較例２．実施例１でシクロヘキシルジカ
ルボン酸無水物と２―ヒドロキシエチルメタアクリレー
トのモノエステル化物の代わりに、メタクリル酸を用い
る他は実施例１と同様の操作方法でパターニングを行っ
た。パターン（０．３μｍ）は得られたが、耐ドライエ
ッチング性はノボラック樹脂の２．５倍程度であった。

【００４４】実施例２〜７．表１または表２に示す一般
式（１）、（２）、（３）または（４）で表される原子
団を有する樹脂と光の照射により酸を発生する化合物
（トリフェニルスルホニウムトリフレイト）とを、実施
例１と同様にして調製してレジスト膜を作製しパターン
形成を行い、ＣＦ₄ガスプラズマによるエッチング速度
をノボラック樹脂と比較し、結果を表１または表２に示
す。なお、表中、エッチング速度はノボラック樹脂のエ
ッチング速度を１として表している。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【表２】

【００４７】その結果、表１または表２に示すようにい
ずれの場合でもＡｒＦエキシマレーザ露光で良好なパタ
ーンが得られ、耐ドライエッチング性が向上した。

【００４８】実施例８〜１０．表３に示す一般式
（１）、一般式（５）または一般式（６）で表される原
子団を有する樹脂と光の照射により酸を発生する化合物
（トリフェニルスルホニウムトリフレイト）とを、実施
例１と同様にして調製してレジスト膜を作製しパターン
形成を行い、ＣＦ₄ガスプラズマによるエッチング速度
をノボラック樹脂と比較し、結果を表３に示す。なお、
表中、エッチング速度はノボラック樹脂のエッチング速
度を１として表している。

【００４９】

【表３】

【００５０】その結果、表３に示すようにいずれの場合
でもＡｒＦエキシマレーザ露光で良好なパターンが得ら
れ、良好な耐ドライエッチング性を示した。

【００５１】実施例１１〜１３．表４に示す一般式
（１）または一般式（２）で表される原子団を有する樹
脂に一般式（５）または（６）で表される原子団を有す
る化合物を表４に示すように２０ｗｔ％または３０ｗｔ
％添加したものと、光の照射により酸を発生する化合物
（トリフェニルスルホニウムトリフレイト）とを、実施
例１と同様にして調製してレジスト膜を作製しパターン
形成を行い、ＣＦ₄ガスプラズマによるエッチング速度
をノボラック樹脂と比較し、結果を表４に示す。なお、
表中、エッチング速度はノボラック樹脂のエッチング速
度を１として表している。

【００５２】

【表４】

【００５３】その結果、表４に示すようにいずれの場合
でもＡｒＦエキシマレーザ露光で良好なパターンが得ら
れ、良好な耐ドライエッチング性を示した。

【００５４】

【発明の効果】本発明の第１の透明性樹脂によれば、上
記一般式（１）で示される第１原子団、上記一般式
（２）で示される第２原子団、上記一般式（３）で示さ
れる第３原子団、上記一般式（４）で示される第４原子
団、下記一般式（５）で示される第５原子団または下記
一般式（６）で示される第６原子団を備えたもので、Ａ
ｒＦ等の短波長の光に対して透明性を有するという効果
がある。

【００５５】本発明の第２の透明性樹脂によれば、第１
の透明性樹脂酸が酸により分解性を示す第７原子団を備
えたもので、感光性樹脂組成物に用いられるという効果
がある。

【００５６】本発明の第１の感光性樹脂組成物によれ
ば、上記一般式（１）で示される第１原子団、上記一般
式（２）で示される第２原子団、上記一般式（３）で示
される第３原子団、上記一般式（４）で示される第４原
子団、上記一般式（５）で示される第５原子団または下
記一般式（６）で示される第６原子団並びに酸により分
解性を示す第７原子団を備えた樹脂と、光の照射により
酸を発生する化合物とを含有するので、ＡｒＦ等の短波
長の光に対して透明性に優れ、さらにエッチング耐性が
優れるという効果がある。

【００５７】本発明の第１の半導体装置の製造方法によ
れば、半導体基板上に上記第１の感光性樹脂組成物の膜
を設ける工程、上記感光性樹脂組成物膜に短波長レーザ
をパターン露光する工程および露光後の感光性樹脂組成
物膜を現像処理する工程を施すことにより、微細パター
ンが可能で高集積化された半導体装置を得ることができ
るという効果がある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者藤野敦子東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者足達廣士東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（１）で示される第１原子
団、下記一般式（２）で示される第２原子団、【化１】下記一般式（３）で示される第３原子団、下記一般式
（４）で示される第４原子団、【化２】下記一般式（５）で示される第５原子団、【化３】または下記一般式（６）で示される第６原子団【化４】を備えた透明性樹脂。
【請求項２】酸により分解性を示す第７原子団を備え
たことを特徴とする請求項１に記載の透明性樹脂。
【請求項３】下記一般式（１）で示される第１原子
団、下記一般式（２）で示される第２原子団、【化５】下記一般式（３）で示される第３原子団、下記一般式
（４）で示される第４原子団、【化６】下記一般式（５）で示される第５原子団、【化７】または下記一般式（６）で示される第６原子団【化８】並びに酸により分解性を示す第７原子団を備えた樹脂
と、光の照射により酸を発生する化合物とを含有する感
光性樹脂組成物。
【請求項４】半導体基板上に請求項３に記載の感光性
樹脂組成物の膜を設ける工程、上記感光性樹脂組成物膜
に短波長レーザをパターン露光する工程および露光後の
感光性樹脂組成物膜を現像処理する工程を施す半導体装
置の製造方法。