JPH10140340A

JPH10140340A - スパッタリング装置

Info

Publication number: JPH10140340A
Application number: JP29635696A
Authority: JP
Inventors: Nobuyoshi Toyohara; 延好豊原; Hiroshi Ikeda; 浩池田; Takeshi Kawamata; 健川俣; Nobuaki Mitamura; 宣明三田村; Toshiaki Oimizu; 利明生水
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1996-11-08
Filing date: 1996-11-08
Publication date: 1998-05-26

Abstract

(57)【要約】【課題】顆粒状のターゲットによる連続的な成膜をチ
ャンバーの真空を破ることなく行う。【解決手段】マグネトロンカソード１１上に複数のリ
ング１４を積み重ね、リング１４内に顆粒状のターゲッ
ト１５を充電し、スパッタリングする。スパッタリング
終了の都度、リング１４を上側から取り出し、リング内
の使用済みのターゲットをリング１４と共に保管庫３に
落とし込む。下側のリング１４内のターゲットの新たな
表面が露出するため、連続的な成膜をチャンバー４内の
真空を破ることなく行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学部品に用いら
れる反射防止膜やハーフミラー等の光学薄膜の製造に用
いられるスパッタリング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板を加熱することなく優れた膜の密着
性を得られることや、自動化の容易さといった利点か
ら、スパッタリング法によって光学薄膜を形成する技術
が検討されている。このスパッタリング法におけるター
ゲット材料は、低屈折率材料としてＳｉＯ₂あるいはＳ
ｉＯ₂と他の物質との混合物、高屈折率材料としてＴｉ
Ｏ ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、
Ｎｂ₂Ｏ₅もしくはＹｂ₂Ｏ₃またはこれらの混合物が
使用されている。これらを用いて、透明基板に対し、高
屈折率材料と低屈折率材料をスパッタリングにより交互
に積層することにより、例えば、反射防止膜を得ること
ができる。これらのターゲット材料は、通常銅板にボン
ディングされた板状の材料が用いられる。連続式スパッ
タリング装置においては、例えば特開平５−３９５６７
号公報に示すように、板材料をボンディングしたターゲ
ットを、基板に対して対向する位置と、この対向した位
置から１８０度だけ反転させた位置とに、反転させる位
置変換手段を用いて交換することにより、チャンバー
（成膜装置）の真空を破ることのない交換を可能として
いる。

【０００３】ところで、本発明者はこのようなチャンバ
ーの真空を破ることなく維持した状態で、ＭｇＦ₂を板
材料としてスパッタリングした場合、成膜されたＭｇＦ
₂の薄膜には可視光の吸収が発生するため、光学部品用
の光学薄膜としては採用し難いことを知見した。また、
同時にＭｇＦ₂を顆粒としてターゲット材料とした場合
には、成膜されたＭｇＦ₂の薄膜が可視光の吸収を抑制
することを知見した。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ターゲット材
料として顆粒材料を用いた場合には、特開平５−３９５
６７号に記載されているターゲット材料を反転させる位
置変更手段を採用することができない。ターゲット材料
の反転時に顆粒が配設位置から落下するため、連続式ス
パッタリングができないためである。また、一度使用し
た顆粒のターゲット材料は、エロージョンが発生するた
め、スパッタリングされる部位では材料表面のフッ素原
子が欠落し、ターゲット材料が変質する。このため、同
じ材料を再度使用してスパッタリングした場合、光の吸
収の発生や、膜の不均質が生じ、安定した光学特性が得
られない。以上のことから未使用の材料を露出させるた
めには、顆粒状のターゲット材料を供給する際に、チャ
ンバーの真空を破る必要がある。従って、再度真空引き
の時間を要し、生産性が低下している。

【０００５】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたもので、顆粒材料をターゲットに用いたスパ
ッタリングにおいても、チャンバーの真空を破ることな
く未使用の材料を露出でき、これにより新規に成膜が可
能であるとともに、材料の変質による光学特性の変化が
起きないようなスパッタリング装置を供給することを目
的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項１の発明は、チャンバー内に設けた顆粒状のター
ゲットをスパッタリングして基板に薄膜を形成する装置
において、スパッタリングに使用したターゲットの使用
部分を除去して新たな表面を露出させると共に、除去し
た使用部分をチャンバー内に保留する手段を設けたこと
を特徴とする。

【０００７】この装置は、スパッタリングに使用したタ
ーゲットの使用部分を除去してターゲットの新たな表面
を露出させるため、新たなターゲットを使用してスパッ
タリングすることができ、ターゲットの変質による光学
特性の変化を防止できる。また、この新たなターゲット
の露出と、除去されたターゲットの使用部分の保留とを
チャンバー内で行うため、チャンバーの真空を破ること
がなく、連続的な成膜ができる。

【０００８】請求項２の発明は、基板が間欠的に供給さ
れる密閉状態のチャンバーと、このチャンバー内に設け
られた電極と、この電極上に積み重ねられた複数個のリ
ングと、リングが形成した空間内に充填された顆粒状の
ターゲットと、積み重ね状態のリングを内部のターゲッ
トと共に上層側から順次、取り出す取出手段と、取出手
段によって取り出されたリングを収納するためチャンバ
ー内に設けられた保管庫とを備えていることを特徴とす
る。

【０００９】この装置は、取出手段がリングを上側から
順次、取り出すため、スパッタリングに使用したターゲ
ットの使用部分をリングと共に除去でき、保管庫に収納
することができる。

【００１０】また、リングを取り出すことにより下側の
リング内の新たなターゲットが露出する。このため連続
的な成膜をチャンバーの真空を破ることなく行うことが
できる。

【００１１】請求項３の発明は、基板が間欠的に供給さ
れる密閉状態のチャンバーと、このチャンバー内に設け
られた電極と、この電極上に載置されたリングと、チャ
ンバー内でリングを電極上から取り出すと共に電極上に
戻す移動手段と、チャンバー内で顆粒状のターゲットを
リング内に充填する供給手段と、前記移動手段によるリ
ングの移動路に設けられリング内のターゲットを収納す
る保管庫とを備えていることを特徴とする。

【００１２】この装置は、移動手段が電極上からリング
を取出し、且つ戻すように作動し、スパッタリングに使
用したリング内のターゲットをリングの取出しによって
保管庫に収容できる。供給手段は、電極上に戻されたリ
ング内に新たなターゲットを充填する。従って、チャン
バーの真空を破ることなく連続的な成膜ができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）図１〜図４は本発明の実施の形態１を
示し、図１は連続式ＲＦスパッタリング装置の断面図、
図２はターゲット材料近辺の断面図、図３は装置の部分
平面図である。この装置は矢印Ａ方向に基板７が間欠的
に搬送しながら、スパッタリングして薄膜を形成するも
のであり、成膜室を形成するチャンバー４の上部に搬送
ヤトイ５が設けられている。搬送ヤトイ５は複数の基板
７を支持した状態で矢印Ａ方向に間欠的に移動する。

【００１４】この搬送ヤトイ５の移動路には、チャンバ
ー４及びチャンバー蓋９との間を仕切るゲートバルブ
６，８が配置されている。これらのゲートバルブ６，８
の開放作動は交互に行われるものであり、矢印Ａ方向の
下流側のゲートバルブ８が開いて、搬送ヤトイ５が基板
７の１枚分、移動した後、上流側のゲートバルブ６が開
いて、次の基板７をチャンバー４上部に搬入したように
なっている。

【００１５】チャンバー４の内部には仕切板１０が敷設
されており、この仕切板１０上に電極としてのマグネト
ロンカソード１１が載置され、マグネロンカソード１１
上にプレート１２を介してターゲット部材１が積層され
ている。

【００１６】ターゲット部材１は図２に示すように、プ
レート１２上に載置された銅製のシャーレ１３と、この
シャーレ１３に積層された複数枚のリング１４と、これ
らが形成した空間内に充填された顆粒状のターゲット１
５とから構成されている。この実施の形態では、リング
１４は高さ３ｍｍ、直径１５インチの銅リングからな
り、このリング１４がシャーレ１３上に１０枚、積み重
ねられており、ターゲット１５は１〜３ｍｍサイズのＭ
ｇＦ₂顆粒を使用する。なお、ターゲット１５は表面が
平坦となるように均らされるものである。

【００１７】それぞれのリング１４は、シャーレ１３か
ら立設した２本の位置決めガイド１６によって、位置決
めされることにより、ズレが防止されて積み重ねられ
る。また、それぞれのリング１４の外面には、後述する
取出手段２０のフック２１が係合するフック受１７が設
けられている。

【００１８】仕切板１０におけるターゲット部材１に近
接した部位には、保管庫３が形成されている。保管庫３
は図２に示すようにターゲット部材１の配設部位近傍の
仕切板１０を窪ませることによって形成されていると共
に、ターゲット部材１側の窪み面が斜めに傾斜すること
により、スロープ２となっている。この保管庫３はリン
グ１４を収容するものであり、このためリング１４より
も大きな容積となっている。

【００１９】さらに、ターゲット部材１及び保管庫３に
近接した部位には、取出手段２０が配置されている。取
出手段２０は、図１に示すようにチャンバー４の下方に
配置されたエアシリンダ２２と、エアシリンダ２２から
チャンバー４内に挿入された上下動可能な軸体２３と、
軸体２３の上端部に取り付けられてターゲット部材１の
リング１４との近接位置に設けられた真空モータ２４と
からなり、この真空モータ２４にフック２１が取り付け
られ、このフック２１がリング１４外面のフック受１７
と係合する。また、軸体２３はチャンバー４底面に垂下
された２本のガイドロッド２５に係合しており、エアシ
リンダ２２が作動することによって、リング１４の１枚
分の厚さ（３ｍｍ）ずつ、下降し、この下降によって最
上部のリング１４から最下部のリング１４に対して順
次、臨むようになっている。図１において、１８はチャ
ンバー１の側面に取り付けられたガス導入管、１９はマ
グネトロンカソード１１に電力を供給するため、チャン
バー４外部に設けられた高周波電源である。

【００２０】次に、この実施の形態による成膜を説明す
る。成膜は、ガス導入管１８からチャンバー４内にＡｒ
ガスを導入した後、マグネトロンカソード１１上にプレ
ート１２を介してセットされたターゲット部材１に高周
波電源１９から５００Ｗの電力を供給し、プラズマを発
生させることによりターゲット部材１内のＭｇＦ₂顆粒
（ターゲット）１５をスパッタリングすることにより、
基板上７に膜を形成する。

【００２１】直径５０ｍｍ、屈折率１．７５のガラス基
板７上に１３０ｎｍ成膜した後、減少したターゲット１
５を取り除く。すなわち、図３に示すようにエアシリン
ダ２２の軸体２３の頂部の真空モータ２４に設けられた
フック２１が、真空モータ２４の作動に伴う回転により
原点位置から回転を開始し、最上部のリング１４に設け
たフック１７と嵌合する。そしてフック２１が原点位置
からみて矢印Ｂ方向へ１８０°回転した時、最上部のリ
ング１４および最上部のリング１４にある使用済み材料
１５をスロープ４２から保管庫３に落とし込む。

【００２２】このように真空モータ２４に設けられたフ
ック２１とリング１４の係合およびリングの排出動作に
より、チャンバー４内を大気に曝すことなく、次段の下
側のリング１４内の新規材料を露出でき、この新規材料
によってチャンバー４上を連続的に搬送される多数の基
板７に対してＭｇＦ₂膜が成膜できる。

【００２３】なお、フック２１は、更に回転して、原点
位置に復帰する。一方、真空モーター２４を支持する軸
体２３は、チャンバー４の底部に設けた２本のガイド２
５に沿って３ｍｍずつ下降し、この下降によってリング
１つ分下げられ、次段の下側のリング１４に臨む。そし
て、１０枚のリング１４のそれぞれに設けられたフック
１７と嵌合して、リング１４を順次、保管庫３に落とし
込むことによりターゲット１５を新規材料に変換してい
く。

【００２４】このような実施の形態では、ターゲット１
５の材料が熱伝導の低い顆粒であるため、材料の高さが
異なっても温度が同じになり、従って、１０枚のリング
１４のどれが最上部となっても成膜レートには変化が生
じない。

【００２５】図４は９バッチ成膜した後に、１０バッチ
目として屈折率１．７５の基板７上に光学的膜厚で１３
０ｎｍ成膜した膜の吸収特性である。吸収は可視域（波
長４００〜７００ｎｍ）で０．５％以下であり、光学的
に問題のないレベルとなっている。

【００２６】（実施の形態２）図５〜図９は本発明の実
施の形態２を示す。この実施の形態は基板７に対して、
多層膜を形成する多層膜ＲＦスパッタリング装置への適
用を示し、隔壁３１がチャンバー４内に設けられること
により、２種類のターゲット部材３２及び３３が仕切ら
れた状態でチャンバー４内に配置されている。

【００２７】各ターゲット部材３２，３３は仕切板１０
上に載置されたマグネトロンカソード１１上に、プレー
ト１２を介して積層されている。また、それぞれのター
ゲット部材３２，３３は図６に示すように、プレート１
２上に載置される石英製のシャーレ３４と、シャーレ３
４上に積み重ねられた石英製の１枚のリング３５と、こ
れらが形成する空間内に充填された顆粒状のターゲット
３６とによって構成されている。リング３５の外面に
は、図７に示すように、チャック３７が突出している。
この実施の形態では、シャーレ３４を深さ５ｍｍ、各辺
５インチの有底矩形枠体状とし、リング３５を高さ５ｍ
ｍ、各辺５インチの矩形枠状としている。また、ターゲ
ット部材３２のターゲット３６として、ＳｉＯ₂顆粒を
用い、ターゲット部材３３のターゲット３６として、Ｚ
ｒＯ₂顆粒を用いている。

【００２８】これらのターゲット部材３２，３３の配設
部位近傍には、仕切板１０を窪ませることにより、保管
庫３がそれぞれ形成されており、それぞれの保管庫３に
はスロープ２が形成されている。

【００２９】また、それぞれのターゲット部材３２，３
３に対しては、顆粒材料を供給する供給手段４０が配置
されている。供給手段４０は図７に示すように、チャン
バー４の外部に配置された搬送モータ４１と、この搬送
モータ４１からチャンバー４内に挿入された搬送アーム
４２と、搬送アーム４２の先端に連結されたフィーダ４
３とを備えている。搬送アーム４２はガイド４４に沿っ
て進退してフィーダ４３を進退させる。フィーダ４３は
下面側に設けたレール板４５によって移動が案内され
る。また、フィーダ４３はリング３５方向に伸びるノズ
ル４６を有しており、振動することによって、顆粒材料
をノズル４６からターゲット部材３２，３３に供給す
る。

【００３０】さらに、各ターゲット部材３２，３３に近
接した位置には、真空モータ４６が配置されており、真
空モータ４６には、リング３５のチャック３７と係脱自
在に係合するチャック４７が設けられている。これらの
真空モータ４６、チャック４７及びリング３５側のチャ
ック３７はマグネトロンカソード１１及び保管庫３の間
にリング３５を往復移動させる移動手段を構成する。な
お、ターゲット部材３２，３３の位置決めを行うため、
プレート１２には、位置決めガイド４８が設けられてい
る。

【００３１】成膜は、ガス導入管１８からＡｒガスをチ
ャンバー４内に導入した後、マグネトロンカソード１１
上にセットされたターゲット部材３３に高周波電源１９
から５００Ｗの電力を供給し、プラズマを発生させるこ
とによりＺｒＯ₂顆粒をスパッタリングし、基板７上に
膜を形成する。ターゲット部材３２によって成膜する場
合も同様に、ガス導入管１８からＡｒガスを導入した
後、マグネトロンカソード１１上にセットされたターゲ
ット部材３２に高周波電源１９から４５０Ｗの電力を供
給し、プラズマを発生させることによりＳｉＯ₂顆粒を
スパッタリングし、基板７上に膜を形成する。

【００３２】この実施の形態では、直径５０ｍｍ、屈折
率１．５２のガラス基板７上に４層の多層反射防止膜を
成膜する。この際、１層成膜する毎に、他方の材料を成
膜している際に、例えばＳｉＯ₂顆粒を成膜中、減少し
たＺｒＯ₂顆粒の材料表面の除去を行う。

【００３３】すなわち、ターゲット部材３３近傍に設置
された真空モーター４６に設けられたチャック４７が、
時計回り原点位置から回転を開始し、挟持位置において
リング３５に設けたチャック３７と係合する。これによ
り、リング３５はチャック４７が原点位置から１８０°
回転する間にスロープ２を通り、保管庫３上に移動す
る。これにより、成膜に使用した顆粒のみが排除され
る。その後、チャック４７は反時計回り方向に向かって
回転し、リング３５は挟持位置に戻り、プレートに植設
した位置決めガイド４８に当たる。このとき挟持及び係
合が解除され、元の位置に保持される。

【００３４】次にターゲット３３近傍に設けられた供給
手段４０のフィーダ４３が、搬送モーター４１と搬送ア
ーム４２によって接続されているため、ガイド４２に沿
ってレール板４５上を送り出され、フィーダ４３のノズ
ル４６が図７の鎖線で示す位置Ｄから位置Ｅまで移動す
る。そして、フィーダ４３が振動し、リング３５に対し
て顆粒材料供給を開始する。振動により顆粒材料を送り
出すフィーダ４３は、ＥからＤまで材料供給がなされた
後、原点に戻る。また、同様にターゲット部材３２に対
しても不図示の材料の除去装置およびＳｉＯ₂顆粒材料
を送り出す供給手段によって、材料の変換が行われる。

【００３５】これにより、安定した成膜速度が得られる
とともに、チャンバー４内部を大気に曝すことなく材料
供給ができ、次段の基板も連続して同様の４層の多層反
射防止膜が成膜ができる。従って、実施の形態１に比
べ、さらにバッチ数を連続して成膜が可能である。な
お、多層膜開始後の１バッチ目、及び１０バッチ目の吸
収特性をそれぞれ図８、９に示す。吸収は可視域（波長
４００〜７００ｎｍ）で０．３％以下であり、光学的に
問題のないレベルである。

【００３６】（実施の形態３）図１０及び図１１は実施
の形態３を示し、実施の形態２と異なるところは、真空
モータ４６を２個重ねていることであり、上段の真空モ
ータ４６にはチャック４７が取り付けられ、下段の真空
モータ４６には金属製（例えばステンレス）の扇状プレ
ート５１が取付けられている。即ち、下段の真空モータ
４６には、実施の形態２の石英製シャーレ３４と石英製
のリング３５との境界面に相当するリング下端５２と同
じ高さに、フック４７と独立した動きが可能な１８０°
の扇状でかつ厚さ０．５ｍｍのプレート５１を設けるも
のである。

【００３７】この実施の形態３ではシャーレ３４とリン
グ３５との当接部における外周面の各稜部には面取り加
工が施され、面取り加工部位により境界面外周には、く
さび形状が形成されている。下段の真空モータ４６を作
動してプレート５１を回転し、プレート５１をくさび形
状の部分から差し込んでリングおよびリング３５内の顆
粒３６を持ち上げ、材料を使用部分、未使用部分をきっ
ちり分割した状態にし、次いで上段の真空モータ４６を
作動してチャック４７によってフック３７を挟持し、そ
の後プレート５１、チャック４７を同時に回転し、保管
庫３上部まで運ぶ。保管庫３上部に位置した後、プレー
ト５１がチャック４７より先に原点まで戻ることにより
使用部分の材料は保管庫３に一時期に落とされる。その
後、チャック４７が挟持位置に戻り、リング３５が位置
決めガイド４８に当たった際、挟持、係合が解除され、
元の位置に保持される。以下実施の形態２と同様に、材
料供給を行い、新規の材料で成膜が可能となる。なお、
プレート５１の厚さは、０．２〜０．５ｍｍ程度が良
い。

【００３８】（比較例１）図１２に示すようなターゲッ
トを２つ有する連続式２元ＲＦスパッタリング装置にお
いて、それぞれＭｇＦ₂、ＺｒＯ₂の顆粒を深さ５ｍ
ｍ、各辺５インチの有底の矩形状の石英シャーレ上に平
坦に形成し、ターゲット６１、６２とする。そして、直
径５０ｍｍ、屈折率１．５２のガラス基板７上に４層の
多層反射防止膜を成膜する。

【００３９】この際、図１３に示すように減少したター
ゲット材料６１′，６２′を２層ずつそのまま使用し
た。それぞれのターゲットの使用に対し、１層目に比
べ、２層目のレートは遅くなり、また、これにともな
い、ＺｒＯ₂の屈折率は２．０から１．９８へと低下し
た。また、次段の基板においては更に成膜速度、屈折率
が変化した。さらに、特性曲線Ｆで示す１バッチ目、特
性曲線Ｇで示す２バッチ目の４層多層膜反射防止膜の吸
収特性を測定した結果を図１４に示すが、可視域の吸収
が０．５％以下の１バッチ目の膜に比べ、２バッチ目の
膜は吸収率が可視域で４％以上と増加している。従っ
て、品質においてばらつきが生じることから、生産性に
問題があった。

【００４０】（比較例２）図１５に示すような連続式Ｒ
Ｆスパッタリング装置において、ＡｌＦ₃の顆粒を深さ
５ｍｍ、直径５インチの有底の円状の石英製のシャーレ
上に平坦に形成し、ターゲット６３とする。そして、直
径５０ｍｍのガラス基板７上に１３０ｎｍ成膜した後、
チャンバー４内をリークし、大気中でシャーレごと新し
い材料に交換し、再び排気した後、スパッタリングを行
った。しかしながら、チャンバー４内のリーク、シャー
レの交換、および排気の時間の分、成膜タクトが増す結
果となった。このため、連続式のメリットが消失した。

【００４１】

【発明の効果】請求項１の発明は、スパッタリングに使
用したターゲットの使用部分をチャンバー内で除去し、
ターゲットの新たな表面を露出させるため、連続的な成
膜のタクトタイムの減少ができると共に、均一の品質で
且つ安定した特性の膜を形成することができる。請求項
２の発明は、積層状態のリングを上側から順次、取り出
すため、スパッタリングに使用したターゲットの使用部
分をリングと共に除去してターゲットの新たな表面を露
出させることができる。請求項３の発明は、リングを電
極から取り出すことによってスパッタリングに使用した
ターゲットを保管庫に収容し、リングを電極に戻すこと
によって、新たなターゲットの充填を行うためチャンバ
ー内の真空を破ることなく、連続的な成膜が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の断面図である。

【図２】実施の形態１のターゲット部材付近の断面図で
ある。

【図３】実施の形態１の平面図である。

【図４】実施の形態１によって成膜した膜の吸収特性図
である。

【図５】実施の形態２の断面図である。

【図６】実施の形態２のターゲット部材付近の断面図で
ある。

【図７】実施の形態２の平面図である。

【図８】実施の形態２によって成膜した吸収特性図であ
る。

【図９】実施の形態２によって成膜した吸収特性図であ
る。

【図１０】実施の形態３の要部の断面図である。

【図１１】実施の形態３の要部の平面図である。

【図１２】比較例１の断面図である。

【図１３】比較例１のターゲットの断面図である。

【図１４】比較例１によって成膜した膜の吸収特性図で
ある。

【図１５】比較例２の断面図である。

【符号の説明】

１ターゲット部材３保管庫４チャンバー７基板２０変換手段２１真空モータ

フロントページの続き (72)発明者三田村宣明東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号オリンパス光学工業株式会社内 (72)発明者生水利明東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号オリンパス光学工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】チャンバー内に設けた顆粒状のターゲッ
トをスパッタリングして基板に薄膜を形成する装置にお
いて、スパッタリングに使用したターゲットの使用部分
を除去して新たな表面を露出させると共に、除去した使
用部分をチャンバー内に保留する手段を設けたことを特
徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】基板が間欠的に供給される密閉状態のチ
ャンバーと、このチャンバー内に設けられた電極と、こ
の電極上に積み重ねられた複数個のリングと、リングが
形成した空間内に充填された顆粒状のターゲットと、積
み重ね状態のリングを内部のターゲットと共に上層側か
ら順次、取り出す取出手段と、取出手段によって取り出
されたリングを収納するためチャンバー内に設けられた
保管庫とを備えていることを特徴とするスパッタリング
装置。
【請求項３】基板が間欠的に供給される密閉状態のチ
ャンバーと、このチャンバー内に設けられた電極と、こ
の電極上に載置されたリングと、チャンバー内でリング
を電極上から取り出すと共に電極上に戻す移動手段と、
チャンバー内で顆粒状のターゲットをリング内に充填す
る供給手段と、前記移動手段によるリングの移動路に設
けられリング内のターゲットを収納する保管庫とを備え
ていることを特徴とするスパッタリング装置。