JPH10142399A - Ｘ線取り出し窓 - Google Patents
Ｘ線取り出し窓Info
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- JPH10142399A JPH10142399A JP30280296A JP30280296A JPH10142399A JP H10142399 A JPH10142399 A JP H10142399A JP 30280296 A JP30280296 A JP 30280296A JP 30280296 A JP30280296 A JP 30280296A JP H10142399 A JPH10142399 A JP H10142399A
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- rays
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線取り出し窓表面に生成する物質を除去す
ることで、Ｘ線取り出し窓の劣化を抑制することを目的
とする。 【解決手段】 ベリリウム（Ｂｅ）箔からなるＸ線透過
薄膜１表面に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる中間層
２を設け、その上に２酸化チタン（ＴｉＯ2 ）からなる
触媒膜３を設けるようにした。
ることで、Ｘ線取り出し窓の劣化を抑制することを目的
とする。 【解決手段】 ベリリウム（Ｂｅ）箔からなるＸ線透過
薄膜１表面に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる中間層
２を設け、その上に２酸化チタン（ＴｉＯ2 ）からなる
触媒膜３を設けるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｘ線を利用する
装置におけるＸ線を取り出すＸ線取り出し窓に関する。
装置におけるＸ線を取り出すＸ線取り出し窓に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線は、Ｘ線分光分析やＸ線解析など分
析分野において用いられるほか、Ｘ線を用いた露光方法
が０．２μｍ以下の寸法領域に対応した量産技術として
期待されているなど、広く利用されている。このＸ線を
利用する装置において、図３に示すようにＸ線を供給す
る部分は構成されている。このＸ線を供給する部分の説
明をすると、図３に示すように、たとえばシンクロトロ
ン放射光源などのＸ線源３１から放出されたＸ線が、Ｘ
線が通過するビームライン３２を通過し、Ｘ線取り出し
窓３３を通過して容器３４内に配置されたＸ線利用装置
３５に取り込まれる。
析分野において用いられるほか、Ｘ線を用いた露光方法
が０．２μｍ以下の寸法領域に対応した量産技術として
期待されているなど、広く利用されている。このＸ線を
利用する装置において、図３に示すようにＸ線を供給す
る部分は構成されている。このＸ線を供給する部分の説
明をすると、図３に示すように、たとえばシンクロトロ
ン放射光源などのＸ線源３１から放出されたＸ線が、Ｘ
線が通過するビームライン３２を通過し、Ｘ線取り出し
窓３３を通過して容器３４内に配置されたＸ線利用装置
３５に取り込まれる。
【０００３】また、ビームライン３２内は、真空ポンプ
３６によりたとえば１０-6Ｔｏｒｒ以下の高真空に排気
されている。これは、よく用いられる波長１ｎｍのＸ線
は、大気中では減衰が大きく、１ｍｍ進むだけで４０％
に減衰してしまうからである。これに対して、上述した
真空状態では、ほとんど減衰せずにＸ線は伝搬される。
このため、Ｘ線を利用するときは、Ｘ線利用装置３５に
到達するまでの間、Ｘ線源３１より放出されたＸ線は、
可能な限り真空中を伝搬する状態とした方がよい。
３６によりたとえば１０-6Ｔｏｒｒ以下の高真空に排気
されている。これは、よく用いられる波長１ｎｍのＸ線
は、大気中では減衰が大きく、１ｍｍ進むだけで４０％
に減衰してしまうからである。これに対して、上述した
真空状態では、ほとんど減衰せずにＸ線は伝搬される。
このため、Ｘ線を利用するときは、Ｘ線利用装置３５に
到達するまでの間、Ｘ線源３１より放出されたＸ線は、
可能な限り真空中を伝搬する状態とした方がよい。
【０００４】以上説明したことにより、Ｘ線を供給する
ときには、上述したように内部が高真空に保たれたビー
ムライン３２を用い、この内部をＸ線が通過していくよ
うにしている。また、Ｘ線の伝搬による減衰をより抑制
しようとするなら、容器３４内をＨｅ雰囲気としておい
てもよい。Ｈｅ雰囲気では、Ｘ線の減衰は少なく、１ｍ
ｍで９９％以上透過し、伝搬距離が１ｍであっても利用
可能である。
ときには、上述したように内部が高真空に保たれたビー
ムライン３２を用い、この内部をＸ線が通過していくよ
うにしている。また、Ｘ線の伝搬による減衰をより抑制
しようとするなら、容器３４内をＨｅ雰囲気としておい
てもよい。Ｈｅ雰囲気では、Ｘ線の減衰は少なく、１ｍ
ｍで９９％以上透過し、伝搬距離が１ｍであっても利用
可能である。
【０００５】そして、上述したように、Ｘ線を利用する
ときは、Ｘ線源３１より放出されたＸ線の通過雰囲気が
途中で変化するため、Ｘ線取り出し窓３３により異なる
雰囲気間を仕切る必要がある。このＸ線取り出し窓３３
は、上述したように異なる雰囲気を仕切るという機能の
ほかに、十分にＸ線が透過しなくてはならない。このた
め、Ｘ線取り出し窓３３としては、Ｂｅなどの低原子量
の元素で構成されている。また、その厚さは、１０〜１
００μｍ程度である。
ときは、Ｘ線源３１より放出されたＸ線の通過雰囲気が
途中で変化するため、Ｘ線取り出し窓３３により異なる
雰囲気間を仕切る必要がある。このＸ線取り出し窓３３
は、上述したように異なる雰囲気を仕切るという機能の
ほかに、十分にＸ線が透過しなくてはならない。このた
め、Ｘ線取り出し窓３３としては、Ｂｅなどの低原子量
の元素で構成されている。また、その厚さは、１０〜１
００μｍ程度である。
【０００６】また、Ｘ線を利用するものとして、図４に
示すＸ線露光がある。このＸ線露光では、まず、Ｘ線源
３１より放出されたＸ線は、ビームライン３２ａを通過
する。このビームライン３２ａは、真空ポンプ３６によ
り真空排気されている。このビームライン３２ａを通過
し、Ｘ線取り出し窓３３ａを通過したＸ線は、Ｈｅが充
填されたビームライン３２ｂを通過してＸ線取り出し窓
３３ｂを通過してＸ線マスク４０を照射する。この、Ｘ
線マスク４０には、Ｘ線が通過しない材料からなるマス
クパタン４１が形成されている。そして、Ｘ線マスク４
０を通過したＸ線は、そのマスクパタン４１をウエハ４
２上に投影する。この、ウエハ４２上には、Ｘ線に感光
するレジスト４３が形成されていて、上述のＸ線による
投影パターンが、このレジスト４３に形成される。
示すＸ線露光がある。このＸ線露光では、まず、Ｘ線源
３１より放出されたＸ線は、ビームライン３２ａを通過
する。このビームライン３２ａは、真空ポンプ３６によ
り真空排気されている。このビームライン３２ａを通過
し、Ｘ線取り出し窓３３ａを通過したＸ線は、Ｈｅが充
填されたビームライン３２ｂを通過してＸ線取り出し窓
３３ｂを通過してＸ線マスク４０を照射する。この、Ｘ
線マスク４０には、Ｘ線が通過しない材料からなるマス
クパタン４１が形成されている。そして、Ｘ線マスク４
０を通過したＸ線は、そのマスクパタン４１をウエハ４
２上に投影する。この、ウエハ４２上には、Ｘ線に感光
するレジスト４３が形成されていて、上述のＸ線による
投影パターンが、このレジスト４３に形成される。
【０００７】ところで、ビームライン３２ｂ内には、ア
ライメント光学機構４４が配置され、Ｘ線マスク４１と
ウエハ４２との位置合わせ（アライメント）を行うため
のアライメント光が出されている。このため、Ｘ線取り
出し窓３３ｂは、Ｘ線が透過するだけではなくアライメ
ント光も透過させる必要があり、たとえば、ＳｉＮやＳ
ｉＣなどの薄膜から構成されている。しかし、これらの
薄膜では、真空の圧力に耐えることができないため、Ｘ
線露光においては、２つのビームライン３２ａ，３２ｂ
を設け、ビームライン３２ｂ内はＨｅを充填し、Ｘ線取
り出し窓３３ｂ前後では圧力差がないようにしている。
ライメント光学機構４４が配置され、Ｘ線マスク４１と
ウエハ４２との位置合わせ（アライメント）を行うため
のアライメント光が出されている。このため、Ｘ線取り
出し窓３３ｂは、Ｘ線が透過するだけではなくアライメ
ント光も透過させる必要があり、たとえば、ＳｉＮやＳ
ｉＣなどの薄膜から構成されている。しかし、これらの
薄膜では、真空の圧力に耐えることができないため、Ｘ
線露光においては、２つのビームライン３２ａ，３２ｂ
を設け、ビームライン３２ｂ内はＨｅを充填し、Ｘ線取
り出し窓３３ｂ前後では圧力差がないようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、大気中には
酸素や窒素のほかに、微量ではあるが水分やＮＯx 硫化
物，有機ガスなどが存在している。そして、これらがＸ
線により分解し、また反応して硝酸や硫酸やフッ酸など
の酸あるいは塩化物を生成したり、新たに有機物を生成
する場合がある。それらのものが前述したＸ線取り出し
窓表面に生成した場合、Ｘ線取り出し窓が腐食された
り、生成した有機物によりＸ線が透過しない領域が発生
してしまう。Ｘ線取り出し窓が酸などに腐食されれば、
最終的にはそこに穴があいてしまい、真空リークなどの
問題が発生する。
酸素や窒素のほかに、微量ではあるが水分やＮＯx 硫化
物，有機ガスなどが存在している。そして、これらがＸ
線により分解し、また反応して硝酸や硫酸やフッ酸など
の酸あるいは塩化物を生成したり、新たに有機物を生成
する場合がある。それらのものが前述したＸ線取り出し
窓表面に生成した場合、Ｘ線取り出し窓が腐食された
り、生成した有機物によりＸ線が透過しない領域が発生
してしまう。Ｘ線取り出し窓が酸などに腐食されれば、
最終的にはそこに穴があいてしまい、真空リークなどの
問題が発生する。
【０００９】また、Ｘ線取り出し窓に、有機物などの異
物付着が発生すれば、Ｘ線露光などにおいては、Ｘ線マ
スクに対して均一なエックス線照射ができなくなり、た
とえば、異物の形状が転写されてしまうなどの問題が発
生する。このため、従来では、Ｘ線取り出し窓を頻繁に
交換する必要があった。そして、頻繁にＸ線取り出し窓
を交換している状態では、Ｘ線を使用するプロセスの生
産性が上がらないという問題があった。
物付着が発生すれば、Ｘ線露光などにおいては、Ｘ線マ
スクに対して均一なエックス線照射ができなくなり、た
とえば、異物の形状が転写されてしまうなどの問題が発
生する。このため、従来では、Ｘ線取り出し窓を頻繁に
交換する必要があった。そして、頻繁にＸ線取り出し窓
を交換している状態では、Ｘ線を使用するプロセスの生
産性が上がらないという問題があった。
【００１０】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、Ｘ線取り出し窓表面に生
成する物質を除去することで、Ｘ線取り出し窓の劣化を
抑制することを目的とする。
るためになされたものであり、Ｘ線取り出し窓表面に生
成する物質を除去することで、Ｘ線取り出し窓の劣化を
抑制することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明のＸ線取り出し
窓は、Ｘ線透過膜表面に光触媒作用を有する触媒膜が備
えられているようにした。触媒膜は、Ｘ線が照射される
ことにより、その表面が励起される。そして、Ｘ線が照
射されることにより、触媒膜の表面に付着している物質
の反応性が高められる。
窓は、Ｘ線透過膜表面に光触媒作用を有する触媒膜が備
えられているようにした。触媒膜は、Ｘ線が照射される
ことにより、その表面が励起される。そして、Ｘ線が照
射されることにより、触媒膜の表面に付着している物質
の反応性が高められる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を
参照して説明する。 実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１におけ
るＸ線取り出し窓の構成を示す断面図である。この実施
の形態１におけるＸ線取り出し窓は、図１に示すよう
に、ベリリウム（Ｂｅ）箔からなるＸ線透過薄膜１表面
に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる中間層２を設け、
その上に２酸化チタン（ＴｉＯ2 ）からなる触媒膜３を
設けるようにした。
参照して説明する。 実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１におけ
るＸ線取り出し窓の構成を示す断面図である。この実施
の形態１におけるＸ線取り出し窓は、図１に示すよう
に、ベリリウム（Ｂｅ）箔からなるＸ線透過薄膜１表面
に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる中間層２を設け、
その上に２酸化チタン（ＴｉＯ2 ）からなる触媒膜３を
設けるようにした。
【００１３】以下、それぞれの膜に関して説明する。ま
ず、Ｘ線透過薄膜１は膜厚１０〜１００μｍであり、Ｘ
線が透過する。また、最表面に設けるようにした触媒膜
３は、膜厚１０〜１００ｎｍに形成されている。そし
て、この触媒膜３は、光触媒作用を備える。すなわち、
触媒膜３を構成する２酸化チタンのバンドギャップエネ
ルギー（約３．２ｅＶ）より大きいエネルギーのエック
ス線が照射されると、２酸化チタンは励起された状態と
なる。そして、構成物質が励起状態となった触媒膜３表
面では、強い還元作用や酸化作用が生じる状態となる。
ず、Ｘ線透過薄膜１は膜厚１０〜１００μｍであり、Ｘ
線が透過する。また、最表面に設けるようにした触媒膜
３は、膜厚１０〜１００ｎｍに形成されている。そし
て、この触媒膜３は、光触媒作用を備える。すなわち、
触媒膜３を構成する２酸化チタンのバンドギャップエネ
ルギー（約３．２ｅＶ）より大きいエネルギーのエック
ス線が照射されると、２酸化チタンは励起された状態と
なる。そして、構成物質が励起状態となった触媒膜３表
面では、強い還元作用や酸化作用が生じる状態となる。
【００１４】前述したように、触媒膜３表面に有機物が
生成したり酸が生成した状態となっても、上述したよう
にエックス線が照射されその表面が励起状態となれば、
それら生成物質は分解されて気化することにより表面よ
り除去される。一方、Ｘ線透過薄膜１と触媒膜３に挾ま
れて設けられている中間層２は、膜厚１０〜１００ｎｍ
に形成されている。そして、この中間層２は、Ｘ線透過
薄膜１と触媒膜３との間の相互拡散を防止している。た
とえば、Ｘ線透過薄膜１にはナトリウムイオンなどが含
まれている場合があり、この拡散により触媒膜３が劣化
してしまう。しかし、中間層２が間に存在していれば、
それらのことが抑制できる。
生成したり酸が生成した状態となっても、上述したよう
にエックス線が照射されその表面が励起状態となれば、
それら生成物質は分解されて気化することにより表面よ
り除去される。一方、Ｘ線透過薄膜１と触媒膜３に挾ま
れて設けられている中間層２は、膜厚１０〜１００ｎｍ
に形成されている。そして、この中間層２は、Ｘ線透過
薄膜１と触媒膜３との間の相互拡散を防止している。た
とえば、Ｘ線透過薄膜１にはナトリウムイオンなどが含
まれている場合があり、この拡散により触媒膜３が劣化
してしまう。しかし、中間層２が間に存在していれば、
それらのことが抑制できる。
【００１５】なお、Ｘ線透過薄膜１と触媒膜３とがそれ
ぞれ相互拡散しにくい材料であったり、互いに悪影響を
及ぼす不純物が含まれていないなどの場合、中間層２が
ない状態としてもよい。また、上記実施の形態１では、
図１に示すように、Ｘ線透過薄膜１両面に、中間層２お
よび触媒膜３を設けるようにしたが、大気にふれる片側
だけに中間層２および触媒膜３を設けるようにしてもよ
い。
ぞれ相互拡散しにくい材料であったり、互いに悪影響を
及ぼす不純物が含まれていないなどの場合、中間層２が
ない状態としてもよい。また、上記実施の形態１では、
図１に示すように、Ｘ線透過薄膜１両面に、中間層２お
よび触媒膜３を設けるようにしたが、大気にふれる片側
だけに中間層２および触媒膜３を設けるようにしてもよ
い。
【００１６】実施の形態２．以下、この発明の第２の実
施の形態について説明する。図２は、この実施の形態２
におけるＸ線取り出し窓の一部構成を示す断面図であ
る。この実施の形態２では、図２に示すように、厚さ１
〜２μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるＸ線透過薄
膜２１表面に２酸化チタンからなる触媒膜２２を配置す
るようにした。前述した従来技術の説明で図４に示した
Ｘ線取り出し窓３３ｂは、アライメント光が透過する状
態となっている必要がある。このため、そのＸ線取り出
し窓に対応させるためには、上述した窒化シリコンから
なるＸ線透過薄膜２１を用いることになる。Ｘ線透過薄
膜２１は可視光が透過し、たとえば、アライメント光と
してよく用いられる波長６３２ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ
光も十分に透過する。
施の形態について説明する。図２は、この実施の形態２
におけるＸ線取り出し窓の一部構成を示す断面図であ
る。この実施の形態２では、図２に示すように、厚さ１
〜２μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるＸ線透過薄
膜２１表面に２酸化チタンからなる触媒膜２２を配置す
るようにした。前述した従来技術の説明で図４に示した
Ｘ線取り出し窓３３ｂは、アライメント光が透過する状
態となっている必要がある。このため、そのＸ線取り出
し窓に対応させるためには、上述した窒化シリコンから
なるＸ線透過薄膜２１を用いることになる。Ｘ線透過薄
膜２１は可視光が透過し、たとえば、アライメント光と
してよく用いられる波長６３２ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ
光も十分に透過する。
【００１７】そして、この実施の形態２によれば、Ｘ線
透過薄膜２１表面には触媒膜２２が備えられているの
で、上記実施の形態１と同様に、表面に有機物が生成し
たり酸が生成した状態となっても、エックス線が照射さ
れれば、それら生成物質は分解されて表面より除去され
る。なお、この実施の形態２では、図２に示すように、
Ｘ線透過薄膜２１両面に触媒膜２２を設けるようにした
が、大気にふれる片側だけに触媒膜２２を設けるように
してもよい。
透過薄膜２１表面には触媒膜２２が備えられているの
で、上記実施の形態１と同様に、表面に有機物が生成し
たり酸が生成した状態となっても、エックス線が照射さ
れれば、それら生成物質は分解されて表面より除去され
る。なお、この実施の形態２では、図２に示すように、
Ｘ線透過薄膜２１両面に触媒膜２２を設けるようにした
が、大気にふれる片側だけに触媒膜２２を設けるように
してもよい。
【００１８】ところで、この実施の形態２におけるＸ線
取り出し窓をＸ線露光におけるＸ線マスク直前に配置す
る場合、アライメント光の透過率を最大としておく方が
よい。このためには、触媒膜２２における光の反射を最
小とすればよい。たとえば、２酸化チタン膜における光
の屈折率は２．６程度なので、ｄ＝λ／（２ｎ）を満た
すようにするために、触媒膜２２の膜厚を１２１ｎｍ以
下としておけばよい。なお、前式において、ｄは膜厚、
λは光の波長、ｎは屈折率である。
取り出し窓をＸ線露光におけるＸ線マスク直前に配置す
る場合、アライメント光の透過率を最大としておく方が
よい。このためには、触媒膜２２における光の反射を最
小とすればよい。たとえば、２酸化チタン膜における光
の屈折率は２．６程度なので、ｄ＝λ／（２ｎ）を満た
すようにするために、触媒膜２２の膜厚を１２１ｎｍ以
下としておけばよい。なお、前式において、ｄは膜厚、
λは光の波長、ｎは屈折率である。
【００１９】なお、上述した実施の形態１，２において
は、光触媒機能を有する膜として２酸化チタンを用いる
ようにしたが、これに限るものではなく、２酸化チタン
を含む金属化合物を用いるようにしてもよい。たとえ
ば、ＳｒＴｉＯ3 ，ＢａＴｉ4Ｏ9，Ｋ2Ｔｉ6Ｏ19などが
ある。また、Ｔａ2０5やＺｒＯ2 などの金属酸化物でも
よく、また、ＺｎＳやＣｄＳなどの金属硫化物でもよ
い。ただし、２酸化チタンやこれを含む材料の方が、光
触媒作用がより高く発揮される。
は、光触媒機能を有する膜として２酸化チタンを用いる
ようにしたが、これに限るものではなく、２酸化チタン
を含む金属化合物を用いるようにしてもよい。たとえ
ば、ＳｒＴｉＯ3 ，ＢａＴｉ4Ｏ9，Ｋ2Ｔｉ6Ｏ19などが
ある。また、Ｔａ2０5やＺｒＯ2 などの金属酸化物でも
よく、また、ＺｎＳやＣｄＳなどの金属硫化物でもよ
い。ただし、２酸化チタンやこれを含む材料の方が、光
触媒作用がより高く発揮される。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明では、Ｘ
線取り出し窓を構成するＸ線透過膜の表面に、光触媒作
用を有する触媒膜を備えるようにした。触媒膜は、Ｘ線
が照射されることにより、その表面が励起される。そし
て、Ｘ線が照射されることにより、触媒膜の表面に付着
している物質の反応性が高められる。この結果、この発
明によれば、Ｘ線取り出し窓表面に付着した悪影響を及
ぼす物質を分解し、Ｘ線取り出し窓表面より除去するこ
とで、Ｘ線取り出し窓の劣化を抑制できるという効果を
有する。
線取り出し窓を構成するＸ線透過膜の表面に、光触媒作
用を有する触媒膜を備えるようにした。触媒膜は、Ｘ線
が照射されることにより、その表面が励起される。そし
て、Ｘ線が照射されることにより、触媒膜の表面に付着
している物質の反応性が高められる。この結果、この発
明によれば、Ｘ線取り出し窓表面に付着した悪影響を及
ぼす物質を分解し、Ｘ線取り出し窓表面より除去するこ
とで、Ｘ線取り出し窓の劣化を抑制できるという効果を
有する。
【図１】 この発明の実施の形態１におけるＸ線取り出
し窓の構成を示す断面図である。
し窓の構成を示す断面図である。
【図２】 実施の形態２におけるＸ線取り出し窓の一部
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図３】 Ｘ線の供給源の構成を示す説明図である。
【図４】 Ｘ線露光の状態を示す説明図である。
１…Ｘ線透過薄膜、２…中間層、３…触媒膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関本 美佐雄 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 松田 維人 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 斉藤 保直 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ 株式会社内 (72)発明者 大久保 高志 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ 株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｘ線を発生するＸ線源より放出されたＸ
線が通過する真空排気されたＸ線通過領域の内と外とを
分離して前記Ｘ線通過領域を通過してきたＸ線を取り出
すＸ線取り出し窓において、 前記Ｘ線取り出し窓が、 Ｘ線を透過するＸ線透過膜と、 この表面に備えられた光触媒作用を有する触媒膜とから
構成されていることを特徴とするＸ線取り出し窓。 - 【請求項２】 請求項１記載のＸ線取り出し窓におい
て、 前記触媒膜は、金属酸化物を含む材料から構成されてい
ることを特徴とするＸ線取り出し窓。 - 【請求項３】 請求項２記載のＸ線取り出し窓におい
て、 前記金属酸化物は、チタンの酸化物およびそれを含む合
金もしくは化合物を含む材料から構成されていることを
特徴とするＸ線取り出し窓。 - 【請求項４】 請求項１〜３いずれか１項記載のＸ線取
り出し窓において、 前記触媒膜は、金属硫化物を含む材料から構成されてい
ることを特徴とするＸ線取り出し窓。 - 【請求項５】 請求項１〜４いずれか１項記載のＸ線取
り出し窓において、 前記触媒膜からの拡散および触媒膜への他の材料の侵入
を防ぐための保護膜が、前記触媒膜下に形成されている
ことを特徴とするＸ線取り出し窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30280296A JPH10142399A (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Ｘ線取り出し窓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30280296A JPH10142399A (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Ｘ線取り出し窓 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10142399A true JPH10142399A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17913295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30280296A Pending JPH10142399A (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Ｘ線取り出し窓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10142399A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016136423A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 日立造船株式会社 | 内面電子線照射装置 |
| JP2016176943A (ja) * | 2010-12-02 | 2016-10-06 | テトラ・ラヴァル・ホールディングス・アンド・ファイナンス・ソシエテ・アノニムＴｅｔｒａ Ｌａｖａｌ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ ＆ Ｆｉｎａｎｃｅ Ｓ．Ａ． | 電子射出窓箔、電子ビーム発生器、電子射出窓箔を提供するための方法及び高性能電子ビームデバイスを提供するための方法 |
-
1996
- 1996-11-14 JP JP30280296A patent/JPH10142399A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016176943A (ja) * | 2010-12-02 | 2016-10-06 | テトラ・ラヴァル・ホールディングス・アンド・ファイナンス・ソシエテ・アノニムＴｅｔｒａ Ｌａｖａｌ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ ＆ Ｆｉｎａｎｃｅ Ｓ．Ａ． | 電子射出窓箔、電子ビーム発生器、電子射出窓箔を提供するための方法及び高性能電子ビームデバイスを提供するための方法 |
| WO2016136423A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 日立造船株式会社 | 内面電子線照射装置 |
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