JPS62229142A - レジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理方法Info
- Publication number
- JPS62229142A JPS62229142A JP61071080A JP7108086A JPS62229142A JP S62229142 A JPS62229142 A JP S62229142A JP 61071080 A JP61071080 A JP 61071080A JP 7108086 A JP7108086 A JP 7108086A JP S62229142 A JPS62229142 A JP S62229142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- light
- discharge lamp
- electrodeless discharge
- resist
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2024—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure of the already developed image
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハに塗布されたフォトレジスト
の処理方法に係り、特に、紫外線照射によるフォトレジ
ストの処理方法に関するものである。
の処理方法に係り、特に、紫外線照射によるフォトレジ
ストの処理方法に関するものである。
従来の紫外線照射によるフォｌ〜レジス１への処理につ
いては、半導体ウェハに塗布されたフォトレジストにマ
スクパターンを露光する処理、フォトレジスト表面に付
着した有機汚染物を分解洗浄する予備洗浄処理等におい
て、紫外線照射が利用されているが、最近、レジスト処
理方法のひとつであるベーキング工程への適用が注目さ
れている。
いては、半導体ウェハに塗布されたフォトレジストにマ
スクパターンを露光する処理、フォトレジスト表面に付
着した有機汚染物を分解洗浄する予備洗浄処理等におい
て、紫外線照射が利用されているが、最近、レジスト処
理方法のひとつであるベーキング工程への適用が注目さ
れている。
ベーキング工程とは、フォトレジスト塗布、露光、現像
によるレジストパターンを形成する工程とこのレジスト
パターンを用いてイオン注入やプラズマエツチングなど
を行う工程との中間の工程であって、フォトレジストの
半導体基板への接着性や耐熱性の向上などを目的とした
加熱工程である。そして最近では、現像後のベーキング
工程の前、あるいはベーキング時にフォトレジストに紫
外線を当てて、より短時間にベーキング時の耐熱性や耐
プラズマエツチング性を高める方法が検討されている。
によるレジストパターンを形成する工程とこのレジスト
パターンを用いてイオン注入やプラズマエツチングなど
を行う工程との中間の工程であって、フォトレジストの
半導体基板への接着性や耐熱性の向上などを目的とした
加熱工程である。そして最近では、現像後のベーキング
工程の前、あるいはベーキング時にフォトレジストに紫
外線を当てて、より短時間にベーキング時の耐熱性や耐
プラズマエツチング性を高める方法が検討されている。
このように、最近は、フォトレジス１−ベーキング工程
においては、紫外線を照射することが検討されている。
においては、紫外線を照射することが検討されている。
ところが、処理の高速化のために紫外線発光効率の高い
マイクロ波励起無電極放電灯からの放射光のように紫外
線強度の大きな光をフ第１−レジス１−に照射すると、
フ第１〜レジス１〜内部よりガスが発生し、このガスに
よって気泡の発生、フ第１−レジスｌ−パターンのくず
れ、フォトレジスト膜のはがれや破裂、荒れなどのフォ
トレジスｌ〜膜の破壊が発生し、半導体素子不良の原因
となっていた。
マイクロ波励起無電極放電灯からの放射光のように紫外
線強度の大きな光をフ第１−レジス１−に照射すると、
フ第１〜レジス１〜内部よりガスが発生し、このガスに
よって気泡の発生、フ第１−レジスｌ−パターンのくず
れ、フォトレジスト膜のはがれや破裂、荒れなどのフォ
トレジスｌ〜膜の破壊が発生し、半導体素子不良の原因
となっていた。
このガスの発生原因としては、フォト１ノジスｌ〜の露
光感光基の急激な光化学反応、レジス１〜塗布の前処理
としてウェハに塗布した■（Ｍ■〕Ｓ（ヘキサメチルジ
シラザン）や反射防止剤などとフ第１へレジストとの光
化学反応、色素などのレジスト添加剤の光化学反応、フ
第１・レジスト内に残留する溶剤の光化学反応などが考
えられる。
光感光基の急激な光化学反応、レジス１〜塗布の前処理
としてウェハに塗布した■（Ｍ■〕Ｓ（ヘキサメチルジ
シラザン）や反射防止剤などとフ第１へレジストとの光
化学反応、色素などのレジスト添加剤の光化学反応、フ
第１・レジスト内に残留する溶剤の光化学反応などが考
えられる。
これらの光化学反応は、波長が３００ｎｍ〜５００ｎｍ
の範囲の光、特にフォトレジスト の光によって著しく進行し、従って、これらの波長域を
含む光を放射するマイクロ波励起無電極放電灯を使用す
るフォ；−レジス１〜処理装置では、光の強度を強くで
きない。すなわち、高速な処理が行えない問題点があっ
た。
の範囲の光、特にフォトレジスト の光によって著しく進行し、従って、これらの波長域を
含む光を放射するマイクロ波励起無電極放電灯を使用す
るフォ；−レジス１〜処理装置では、光の強度を強くで
きない。すなわち、高速な処理が行えない問題点があっ
た。
本発明は、かかる事情に鑑みて、マイクロ波励起無電極
放電灯よりの放射光によるフォトレジストの破壊を防止
することにＪ：す、紫外線１！（射によるフォ１〜レジ
ス１への処理を高速かつ効果的に行うことのできる方法
を提供することを目的とするものである。
放電灯よりの放射光によるフォトレジストの破壊を防止
することにＪ：す、紫外線１！（射によるフォ１〜レジ
ス１への処理を高速かつ効果的に行うことのできる方法
を提供することを目的とするものである。
この目的を達成するために、この発明では、マイクロ波
励起無電極放電灯よりの放射波長のうち、フォトレジス
トの露光感光波長の全部もしくは一部を選択的に遮断な
いしは減少させる手段を用いてフォトレジストに紫外線
を照射する。
励起無電極放電灯よりの放射波長のうち、フォトレジス
トの露光感光波長の全部もしくは一部を選択的に遮断な
いしは減少させる手段を用いてフォトレジストに紫外線
を照射する。
この発明においては、フォトレジストグの露光感光波長
が効果的に遮断ないしは減少されることにより、マイク
ロ波励起無電極放電灯を使用してもフォトレジストより
ガスを発生させる光化学反応が抑制され、フカｌ−レジ
ストの破壊が防止される。
が効果的に遮断ないしは減少されることにより、マイク
ロ波励起無電極放電灯を使用してもフォトレジストより
ガスを発生させる光化学反応が抑制され、フカｌ−レジ
ストの破壊が防止される。
しかも、フォトレジストの露光感光波長を遮断ないしは
減少させても照射される光にはフォトレジストの耐熱性
や耐プラズマエツチング性の向上に有効な紫外線成分は
依然として強力に含まれているので高速かつ効果的なフ
ォトレジスト処理ができる。
減少させても照射される光にはフォトレジストの耐熱性
や耐プラズマエツチング性の向上に有効な紫外線成分は
依然として強力に含まれているので高速かつ効果的なフ
ォトレジスト処理ができる。
以下に図面に示す実施例に基いて本発明を具体的に説明
する。
する。
第１図は、この発明によるフォトレジスト処理方法の一
実施例を説明するためのフォトレジスト処理装置である
。パターン化されたフォトレジス１〜４が半導体ウェハ
５の上に形成されており、半導体ウェハ５はウェハ処理
台６に載置される。ウェハ処理台６は、ヒータリード線
９より通電す乞ことによりヒータ１０で加熱され、ある
いは冷却孔１１に冷却水を流すことによって冷却される
。
実施例を説明するためのフォトレジスト処理装置である
。パターン化されたフォトレジス１〜４が半導体ウェハ
５の上に形成されており、半導体ウェハ５はウェハ処理
台６に載置される。ウェハ処理台６は、ヒータリード線
９より通電す乞ことによりヒータ１０で加熱され、ある
いは冷却孔１１に冷却水を流すことによって冷却される
。
この加熱および冷却機構により半導体ウェハ５の４一
温度制御が行われる。また、ウェハ処理台６には、真空
吸着孔７が付加されており、真空ポンプによって連通孔
８を通して真空引きすることにより、半導体ウェハ５を
ウェハ処理台６上に密着して固定する機能をも有する。
吸着孔７が付加されており、真空ポンプによって連通孔
８を通して真空引きすることにより、半導体ウェハ５を
ウェハ処理台６上に密着して固定する機能をも有する。
照射部は、無電極放電灯１、マグネトロン２０、電源２
０、導波管２２．内面に図示略の光反射ミラーを配置し
た空胴共振器２３、フィルタ３などから構成されている
。
０、導波管２２．内面に図示略の光反射ミラーを配置し
た空胴共振器２３、フィルタ３などから構成されている
。
電源２１より電力を供給されたマグネトロン２０は、周
波数が２４５０ＭＨｚのマイクロ波を発振する。発生し
たマイクロ波は空胴共振器２３に導かれ、空胴共振器２
３内に強いマイクロ波磁界を形成する。この強いマイク
ロ波磁界により無電極放電灯１内のガスが励起され、紫
外線を含む放射光を放射する。
波数が２４５０ＭＨｚのマイクロ波を発振する。発生し
たマイクロ波は空胴共振器２３に導かれ、空胴共振器２
３内に強いマイクロ波磁界を形成する。この強いマイク
ロ波磁界により無電極放電灯１内のガスが励起され、紫
外線を含む放射光を放射する。
無電極放電灯１の封入ガスとしては、アルゴンなどの稀
ガスが使用され、これに少量の水銀を添加すると強い紫
外線を放射することが知られている。特に波長が２２０
〜２３０ｎｍの光を強く放射する無電極放電灯について
は、特開昭５０−８７７５１号公報に開示されており、
これを使用することも可能であるが、フォトレジストの
耐熱性や耐プラズマエツチング性を向上させるのに有効
な紫外線の波長域は２２０〜３００ｎｍと広いため、こ
の範囲に強い放射光をもつ無電極放電灯が好ましく、前
記の公報で開示されるよりも水銀を多く添加すると２２
０〜３００ｎｍの放射光が強くなり、好適である。
ガスが使用され、これに少量の水銀を添加すると強い紫
外線を放射することが知られている。特に波長が２２０
〜２３０ｎｍの光を強く放射する無電極放電灯について
は、特開昭５０−８７７５１号公報に開示されており、
これを使用することも可能であるが、フォトレジストの
耐熱性や耐プラズマエツチング性を向上させるのに有効
な紫外線の波長域は２２０〜３００ｎｍと広いため、こ
の範囲に強い放射光をもつ無電極放電灯が好ましく、前
記の公報で開示されるよりも水銀を多く添加すると２２
０〜３００ｎｍの放射光が強くなり、好適である。
無電極放電灯１からの放射光は、フィルタ３などにより
適当な波長の紫外線を含む放射光としてフォトレジスト
４上に照射される。第３図は本実施例で用いた無電極放
電灯１の放射スペクトルの一例である。フィルタ３とし
ては、フォ１へレジストの露光感光波長を含む波長域で
ある３００ｎｍ〜５００ｎｍの光を遮断ないしは減少さ
せる特性を有するものを使用することにより、紫外線照
射によるフォトレジスト処理を効果的に行うことができ
る。
適当な波長の紫外線を含む放射光としてフォトレジスト
４上に照射される。第３図は本実施例で用いた無電極放
電灯１の放射スペクトルの一例である。フィルタ３とし
ては、フォ１へレジストの露光感光波長を含む波長域で
ある３００ｎｍ〜５００ｎｍの光を遮断ないしは減少さ
せる特性を有するものを使用することにより、紫外線照
射によるフォトレジスト処理を効果的に行うことができ
る。
３００ｎｍ〜５００ｎｍの波長域の光を遮断ないしは減
少させる特性のものとしては、ガラス板に多層の蒸着膜
を形成した波長選択性フィルタを用いるのが適当である
。このフィルタ用のガラス板とじては、フォトレジスト
の耐熱性や耐プラズマエツチング性の向上に効果のある
３００ｎｍ以下の波長の紫外線の透過率が大きい石英ガ
ラスが好適である。
少させる特性のものとしては、ガラス板に多層の蒸着膜
を形成した波長選択性フィルタを用いるのが適当である
。このフィルタ用のガラス板とじては、フォトレジスト
の耐熱性や耐プラズマエツチング性の向上に効果のある
３００ｎｍ以下の波長の紫外線の透過率が大きい石英ガ
ラスが好適である。
この装置を使用して、フォトレジストにＨＰ Ｒ−１１
８２，０ＦＰＲ−８００、ＯＦ Ｐ Ｒ−５０００、Ｔ
ＳＭ Ｒ−８８００を用い、ウェハ前処理剤としてＨＭ
ＤＳを用いたサンプルを無電極放電灯で照射したとこ
ろ、上記のフィルタを使用しない場合は、いず゛ れの
フォトレジストにも破壊が起こったのに対して、フィル
タを使用して３００ｎｍ〜５００ｎｍの光を遮断した場
合は、フォトレジスト破壊は発生せずに、フォトレジス
トの耐熱性や耐プラズマエツチング性が向上した。
８２，０ＦＰＲ−８００、ＯＦ Ｐ Ｒ−５０００、Ｔ
ＳＭ Ｒ−８８００を用い、ウェハ前処理剤としてＨＭ
ＤＳを用いたサンプルを無電極放電灯で照射したとこ
ろ、上記のフィルタを使用しない場合は、いず゛ れの
フォトレジストにも破壊が起こったのに対して、フィル
タを使用して３００ｎｍ〜５００ｎｍの光を遮断した場
合は、フォトレジスト破壊は発生せずに、フォトレジス
トの耐熱性や耐プラズマエツチング性が向上した。
また、アルゴンガスに水銀を添加した無電極放電灯を使
用したときに特に強く放射される３１２ｎｍ、３６５ｎ
ｍ、４０５ｎｍおよび４３６ｎｍの光を遮断する狭帯域
フィルタを用いても同様の効果が得られた。
用したときに特に強く放射される３１２ｎｍ、３６５ｎ
ｍ、４０５ｎｍおよび４３６ｎｍの光を遮断する狭帯域
フィルタを用いても同様の効果が得られた。
次に、第２図は、波長域が３００ｎｍ〜５００ｎｍの放
射光を遮断ないしは減少させる手段としてミラーを使用
した場合の実施例を示す。ここでミラー１２は、波長域
が３００ｎｍ〜５００ｎｍの放射光を反射せず、３０Ｇ
ｎｍ以下の放射光は反射する特性を有する。そして、こ
の特性のミラーも波長選択性多層膜蒸着ミラーが好適で
ある。この特性を有するミラーを使用する第２図例示の
装置においても、フィルタを使用する第１図例示の装置
と同等の効果を得ることができるが、上記特性のミラー
に代えて、無電極放電灯からの放射光を全て反射する通
常のミラーを使用して上記のサンプルを照射すると、や
はりフォトレジストの破壊が生じた。
射光を遮断ないしは減少させる手段としてミラーを使用
した場合の実施例を示す。ここでミラー１２は、波長域
が３００ｎｍ〜５００ｎｍの放射光を反射せず、３０Ｇ
ｎｍ以下の放射光は反射する特性を有する。そして、こ
の特性のミラーも波長選択性多層膜蒸着ミラーが好適で
ある。この特性を有するミラーを使用する第２図例示の
装置においても、フィルタを使用する第１図例示の装置
と同等の効果を得ることができるが、上記特性のミラー
に代えて、無電極放電灯からの放射光を全て反射する通
常のミラーを使用して上記のサンプルを照射すると、や
はりフォトレジストの破壊が生じた。
なお、上記の実施例では、無電極放電灯の封入ガスとし
て紫外線強度の強い水銀を添加したアルゴンガスを用い
たが、これに限定されるものではなく、水銀以外の金属
を例えばハライドの形で微量添加したものであって、所
定の波長の紫外線を放射するものでもよく、更には、ア
ルゴン以外の稀ガス、もしくはアルゴンと他の稀ガスの
混合ガス、もしくはアルゴン以外の稀ガスの混合ガスに
水銀を添加した水銀稀ガス無電極放電灯を用いることも
できる。また、マイクロ波の周波数も２４５８−５Ｏに
限定されるものではなく、他の周波数のマイクロ波であ
っても封入ガスを効率良く励起できるものであればよい
。更には、マイクロ波よりも長い波長の高周波であって
もよい。
て紫外線強度の強い水銀を添加したアルゴンガスを用い
たが、これに限定されるものではなく、水銀以外の金属
を例えばハライドの形で微量添加したものであって、所
定の波長の紫外線を放射するものでもよく、更には、ア
ルゴン以外の稀ガス、もしくはアルゴンと他の稀ガスの
混合ガス、もしくはアルゴン以外の稀ガスの混合ガスに
水銀を添加した水銀稀ガス無電極放電灯を用いることも
できる。また、マイクロ波の周波数も２４５８−５Ｏに
限定されるものではなく、他の周波数のマイクロ波であ
っても封入ガスを効率良く励起できるものであればよい
。更には、マイクロ波よりも長い波長の高周波であって
もよい。
また、上記の実施例では、フォトレジストの露光感光波
長の光を遮断ないしは減少させる手段としてフィルタま
たはミラーを別々に使用したが、これらを組合せて使用
しても良いことは言までもない。
長の光を遮断ないしは減少させる手段としてフィルタま
たはミラーを別々に使用したが、これらを組合せて使用
しても良いことは言までもない。
以上の説明から明らかなように、フカ１〜レジス１〜の
露光感光波長を含む３００ｎｍ〜５００ｎｍの波長域の
全域もしくは一部の領域の光を選択的に遮断ないしは減
少させることにより、フォトレジス１〜の耐熱性や耐プ
ラズマエツチング性を向上させるに有効な紫外線ととも
にフォトレジストにたいする破壊作用をもたらす波長域
の光をを強く放射するマイクロ波励起無電極放電灯を使
用しても、この破壊作用をもたらす波長域の光がフォト
レジストに照射されないか、もしくは照射されてもその
強度が十分に弱いために、フォトレジストにだいする破
壊作用をもたらす光化学反応が抑制される。
露光感光波長を含む３００ｎｍ〜５００ｎｍの波長域の
全域もしくは一部の領域の光を選択的に遮断ないしは減
少させることにより、フォトレジス１〜の耐熱性や耐プ
ラズマエツチング性を向上させるに有効な紫外線ととも
にフォトレジストにたいする破壊作用をもたらす波長域
の光をを強く放射するマイクロ波励起無電極放電灯を使
用しても、この破壊作用をもたらす波長域の光がフォト
レジストに照射されないか、もしくは照射されてもその
強度が十分に弱いために、フォトレジストにだいする破
壊作用をもたらす光化学反応が抑制される。
しかも、フォトレジストの耐熱性や耐プラズマエツチン
グ性を向上させるに有効な紫外線は依然として強く含ま
れているので、高速かつ効果的なフォトレジスｌ−処理
が可能となる。
グ性を向上させるに有効な紫外線は依然として強く含ま
れているので、高速かつ効果的なフォトレジスｌ−処理
が可能となる。
第１図および第２図は、本発明によるレジスト処理方法
を実施するための装置の一例の説明図、第３図は本発明
に使用するマイクロ波励起無電極放電灯の放射スペクト
ルの一例を示す説明図、第４図は本発明に使用するフィ
ルタの分光透過率特性の一例を示す説明図である。 １・・・無電極放電灯 ３・・・フィルタ４・・・
フォトレジスト ５・・・半導体ウェハ６・・・ウェ
ハ処理台 ７・・・真空吸着孔８・・・連通孔 ９
・・・ヒータリード線 １０・・・ヒータ１１・・・冷
却孔 １２・・・ミラー １３・・・石英板２０・
・・マグネトロン ２１・・・電源 ２２・・・導
波管２３・・・空ｊＪＨ共振器
を実施するための装置の一例の説明図、第３図は本発明
に使用するマイクロ波励起無電極放電灯の放射スペクト
ルの一例を示す説明図、第４図は本発明に使用するフィ
ルタの分光透過率特性の一例を示す説明図である。 １・・・無電極放電灯 ３・・・フィルタ４・・・
フォトレジスト ５・・・半導体ウェハ６・・・ウェ
ハ処理台 ７・・・真空吸着孔８・・・連通孔 ９
・・・ヒータリード線 １０・・・ヒータ１１・・・冷
却孔 １２・・・ミラー １３・・・石英板２０・
・・マグネトロン ２１・・・電源 ２２・・・導
波管２３・・・空ｊＪＨ共振器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェハに塗布されたフォトレジストを紫外線を含む放射
光で照射処理するレジスト処理方法において、 該放射光は、該フォトレジストの露光感光波長の全部も
しくは一部の放射光を選択的に遮断ないしは減少させる
手段をフォトレジストとの間に備えたマイクロ波励起無
電極放電灯よりの放射光であることを特徴とするレジス
ト処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61071080A JPH0685082B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | レジスト処理方法 |
| DE19863687903 DE3687903T2 (de) | 1986-03-31 | 1986-11-25 | Verfahren und Vorrichtung für Photolackverarbeitung. |
| EP19860116311 EP0239669B1 (en) | 1986-03-31 | 1986-11-25 | Method and apparatus of treating photoresists |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61071080A JPH0685082B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | レジスト処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229142A true JPS62229142A (ja) | 1987-10-07 |
| JPH0685082B2 JPH0685082B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=13450185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61071080A Expired - Fee Related JPH0685082B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | レジスト処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0239669B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0685082B2 (ja) |
| DE (1) | DE3687903T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0282703B1 (en) * | 1987-03-20 | 1991-01-16 | Ushio Denki | Method of treating photoresists |
| JPS63234529A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-29 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63234527A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-29 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| KR19990045397A (ko) * | 1997-11-17 | 1999-06-25 | 고오사이 아끼오 | 레지스트 패턴 형성법 및 이 방법에 사용되는포지티브 레지스트 조성물 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129124A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−の処理方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4548688A (en) * | 1983-05-23 | 1985-10-22 | Fusion Semiconductor Systems | Hardening of photoresist |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61071080A patent/JPH0685082B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1986-11-25 EP EP19860116311 patent/EP0239669B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-25 DE DE19863687903 patent/DE3687903T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129124A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−の処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3687903T2 (de) | 1993-10-14 |
| EP0239669A3 (en) | 1988-03-23 |
| JPH0685082B2 (ja) | 1994-10-26 |
| EP0239669A2 (en) | 1987-10-07 |
| DE3687903D1 (de) | 1993-04-08 |
| EP0239669B1 (en) | 1993-03-03 |
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