JPH10142610A - 液晶装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶装置及びその製造方法

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JPH10142610A JP8294271A JP29427196A JPH10142610A JP H10142610 A JPH10142610 A JP H10142610A JP 8294271 A JP8294271 A JP 8294271A JP 29427196 A JP29427196 A JP 29427196A JP H10142610 A JPH10142610 A JP H10142610A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スペーサ自身の光の散乱をなくして、表示品
位を向上させた液晶表示装置を提供すること。 【解決手段】 ２枚の基板間に液晶を挟持した液晶装置
において、その２枚の基板間のギヤップを制御するため
のスペーサが柱状に形成されており、このスペーサの表
面には、少なくとも一方の基板と接触する領域に、可視
光を反射または吸収する層を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置などに用
いられる液晶装置及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶装置の製造時に一般的に用い
られている一対の基板間の間隙を一定に保つためのスペ
ーサの形成方法は、一方の基板上に微小な粒径のビーズ
やファイバーを散布するというものであった。この方法
は非常に簡便であり、ほとんどの液晶装置で用いられて
きた。この方法で作製された液晶装置は、図３に示すよ
うに、薄膜トランジスタ２０及び画素電極２１等を形成
した基板１９と、対向電極２２を形成した基板１８とを
対向して配置し、これら基板１８と基板１９の間に液晶
２６を充填して構成される。このとき、基板１８と基板
１９の各向かい合う表面には、液晶配向膜２４と液晶配
向膜２３がそれぞれ形成され、さらに、基板１８と基板
１９の間には基板の間隙を面内で一定に保つためにスペ
ーサ２５が配置される。
【０００３】また、これ以外のものでは、特開平６−６
７１３５号公報に開示されているように、既にパターニ
ングされたスペーサの柱を転写するという方法が提案さ
れている。この方法は、画素電極を形成した基板と対向
電極を形成した基板に、各々の基板表面に配向膜を形成
して、それぞれの配向膜にラビング処理を行った後、対
向基板の表面に、これら基板とは別の基板に所定の位置
関係で形成された黒色樹脂柱のスペーサを画素以外の部
分（例えば、ゲート線、データ線上）に転写し、画素電
極を形成した基板と対向電極を形成した基板を対向配置
し、これら基板間に液晶を充填したものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スペー
サを散布する方法は簡便である一方、スペーサ散布密度
のむらが発生しやすく、また、スペーサが凝固して欠陥
となるなど、問題点も多かった。また、パターニングさ
れたスペーサ柱を転写する方法では、アライメント精度
や基板のシュリンクの影響から、特定の位置に正確にス
ペーサを形成することが困難であった。
【０００５】さらに、特に近年では、１画素の大きさが
１００μｍ角以下の精細度が要求されるようになり、直
径５μｍ程度のスペーサ自身またはその近傍の液晶分子
による光の散乱が問題視されるようになってきた。ま
た、スペーサ自身による光の散乱を低減するために、ス
ペーサ自身に着色するという方法も提案されているが、
現時点では、液晶への不純物の溶出による信頼性の低下
などの問題があり、広く用いられるには至っていない。
【０００６】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、スペーサ自身の光の散乱をなくして、
表示品位を向上させた液晶装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
液晶装置は、２枚の基板間に液晶を挟持した液晶装置に
おいて、前記２枚の基板間の間隙を制御するためのスペ
ーサが柱状に形成されており、前記スペーサの表面に
は、少なくとも一方の基板と接触する領域に可視光を反
射または吸収する層が形成されていることを特徴として
いる。
【０００８】本発明の請求項２記載の液晶装置は、請求
項１記載の液晶装置であって、前記スペーサの表面の少
なくとも一方の基板と接触する領域に可視光を反射また
は吸収する層が、液晶配向膜上に形成されていることを
特徴としている。
【０００９】本発明の請求項３記載の液晶装置は、請求
項１記載の液晶装置であって、前記可視光を反射または
吸収する層が金属または金属を含む化合物であることを
特徴としている。
【００１０】本発明の請求項４記載の液晶装置は、請求
項１記載の液晶装置であって、前記柱状のスペーサが絶
縁体であることを特徴としている。
【００１１】本発明の請求項５記載の液晶装置は、請求
項４記載の液晶装置であって、前記絶縁体が高分子化合
物であることを特徴としている。
【００１２】本発明の請求項６記載の液晶装置の製造方
法は、２枚の基板間に液晶を挟持した液晶装置の製造方
法において、金属またはその化合物の堆積された柱状の
スペーサを前記一方の基板上に貼り付ける工程を含むこ
とを特徴としている。
【００１３】以下、上記構成による作用を説明する。
【００１４】本発明の液晶装置は、２枚の基板間に液晶
を挟持した液晶装置において、前記２枚の基板間の間隙
を制御するためのスペーサが柱状に形成されており、前
記スペーサの表面には、少なくとも一方の基板と接触す
る領域に可視光を反射または吸収する層が形成されてい
るので、スペーサが柱状に形成されていることにより、
スペーサと基板とが接触する部分が面となり、球状スペ
ーサの点接触に比べて、接触する部分が大きいため、基
板間の間隙を設定通りに安定して制御することができる
とともに、一対の基板を貼り合わせた際のスペーサと基
板の接触部分に加わる応力集中を低減することができ
る。さらに、スペーサの表面には少なくとも一方の基板
と接触する領域に可視光を反射または吸収する層が形成
されていることにより、基板から入射してきた可視光を
スペーサの中に入射させる前に、可視光を反射または吸
収させるので、可視光はスペーサの中を透過することが
ない。このため、可視光はスペーサにより散乱されるこ
とはなく、さらにスペーサから液晶層へ可視光が透過し
ていくこともないので、スペーサの部分での表示のギラ
ツキおよび表示のコントラストの低下を抑制することが
できる。
【００１５】また、前記スペーサの表面の少なくとも一
方の基板と接触する領域に可視光を反射または吸収する
層が、液晶配向膜上に形成されているので、柱状のスペ
ーサを形成する部分の可視光を反射または吸収する層
を、一方の基板の液晶分子配向処理の後に形成すること
ができる。つまり、柱状のスペーサと可視光を反射また
は吸収する層を別に作製したものを、液晶分子配向処理
が済んだ後に形成することができるので、一方の基板の
作製工程において、可視光を反射または吸収する層を形
成するパターニング工程を削除することができる。ま
た、液晶配向膜の下に柱状のスペーサを形成した際に、
液晶分子配向処理をラビングにより行った時に、ラビン
グによる柱状のスペーサの破壊、及び柱状のスペーサが
壁になってラビングが行われない部分が生じて液晶の配
向不良を発生させるが、柱状のスペーサ及び可視光を反
射または吸収する層を液晶配向膜上に形成するので、ラ
ビングによる前記問題点を排除することができる。さら
に、柱状のスペーサと可視光を反射または吸収する層を
同時にまたは連続し行うことができるので、液晶分子配
向膜の下に可視光を反射または吸収する層を形成して、
液晶分子配向膜の上に柱状のスペーサを形成した場合に
比べて、柱状のスペーサを可視光を反射または吸収する
層に配置する位置制御が不要になり、製造工程を簡略化
することができる。
【００１６】また、前記可視光を反射または吸収する層
が金属または金属を含む化合物であるので、金属は薄い
層で効率的に可視光を反射することができ、スペーサの
中に可視光を透過させないので、スペーサによる光散乱
を排除することができる。さらに柱状のスペーサと金属
層とで基板間の間隙を制御する際に、金属層の厚みが無
視できるので、柱状のスペーサの大きさを精度良く作製
できる。さらに、金属を含む化合物にすることにより、
可視光を効率的に吸収することができ、スペーサの中に
可視光を透過させないので、スペーサによる光散乱を排
除することができる。さらに柱状のスペーサと金属を含
む化合物層とで基板間の間隙を制御する際に、金属を含
む化合物層の厚みが無視できるので、柱状のスペーサの
大きさを精度良く作製できる。さらに、可視光は金属を
含む化合物から基板へ反射することがないので、柱状の
スペーサから基板へ反射することによる乱反射及び反射
型液晶装置の表示のコントラストの低下を抑制すること
ができるため、さらに好ましい。
【００１７】また、前記柱状のスペーサが絶縁体である
ので、上下基板間の電圧リークを防ぐことができる。
【００１８】さらに、前記絶縁体が高分子化合物である
ので、柱状のスペーサの弾性が大きい。よって、一対の
基板を貼り合わせる際に、基板に加圧して基板間の間隙
を制御するフレキシビリティを高くすることができる。
さらに、薄膜トランジスタ及び電極配線等を形成した基
板表面は凹凸状態になっており、この表面に柱状のスペ
ーサを形成する際、従来は同一高さの基板面に厳密な位
置制御を必要としていたが、本発明では、柱状のスペー
サの弾性が大きいことにより、基板面の凹凸状態が異な
る場所に柱状のスペーサを形成しても、貼り合わせの際
の加圧により、柱状のスペーサが高いものを圧縮して基
板間の間隙を補正することができる。したがって、柱状
のスペーサを形成するための厳密な位置精度を必要とし
ない、基板間の間隙が均一な液晶装置を容易に作製する
ことができる。
【００１９】また、本発明の液晶装置の製造方法は、金
属またはその化合物の堆積された柱状のスペーサを、液
晶装置を構成する一方の基板上に貼り付ける工程を含む
ので、スペーサの形成とスペーサを遮光する部分を同時
に基板面に形成することができ、プロセスを簡略化する
ことができる。さらに、個々のスペーサを異なった場所
に分離して確実に形成することができる。また、柱状の
スペーサをドライフィルムレジストにより構成すること
で、従来の塗布方式のレジスト材料に比べて、均一な膜
厚を形成するのに要する材料を効率的に使用することが
できるようになり、材料費の削減を行うことができる。
また、柱状のスペーサがレジスト部と金属部とが積層さ
れている構成であるので、スペーサに入射してくる光を
金属部で遮断できることにより、基板上のいずれの場所
に柱状のスペーサを配置してもよい。したがって、スペ
ーサを配置する位置精度に厳密さを要求されないので、
簡単な工程で製造でき、さらなる液晶装置の高精細化に
よる画素の微細化にも十分対応することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。
【００２１】ここでは、アモルファスシリコン薄膜トラ
ンジスタを用いたアクティブマトリクス液晶表示装置を
例にして述べるが、本発明は単純マトリクス型や、高
温、低温ポリシリコンなどを用いたアクティブマトリク
ス液晶装置に適用できる。さらに、液晶の表示モードに
おいても捩れネマティック型のみならず、インプレーン
スイッチング型、高分子分散型や表面安定化強誘電性液
晶型などあらゆるタイプの液晶装置に用いることができ
る。ここで、液晶装置とは、テレビ、コンピュータのデ
ィスプレイとして機能する表示装置、空間（２次元）的
に広がった光入力に対して、それを変調して空間（２次
元）的な光出力を得る空間光変調素子等を用いた光コン
ピュータ、光演算処理などといった光情報処理装置等を
含んでいる。また、基板はガラスのみならずプラスティ
ックや石英、セラミック、シリコンウエハーなどに適用
することもできる。
【００２２】本発明の液晶表示装置の構造を図１に従っ
て説明する。
【００２３】本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジス
タ３及び画素電極４等を形成した基板２と、対向電極５
を形成した基板１とを対向して配置し、これら基板１と
基板２の間に液晶１０を充填して構成される。このと
き、基板１と基板２の各向かい合う表面には、液晶配向
膜６と液晶配向膜７がそれぞれ形成され、さらに、基板
１と基板２の間には基板の間隙を面内で一定に保つため
に柱状のスペーサが配置される。ここで、柱状のスペー
サは、金属部９とレジスト部８とから構成されている。
尚、柱状のスペーサの金属部９は、柱状のスペーサと基
板面とが接する表面の少なくとも一方に形成されていれ
ばよい。さらに、金属部９は、柱状のスペーサの基板面
から柱状のスペーサの外周側面の一部に連続して形成さ
れていてもよい。
【００２４】次に、この液晶表示装置の製造方法につい
て説明する。
【００２５】まず、基板２上にタンタル、アルミニウ
ム、モリブデン、チタン、銅、インジウム酸化錫、ドー
プされたシリコンまたはこれらの物質を含む導電体を用
いてゲート電極をスパッタリング法により３００ｎｍの
膜厚で所定の形状に形成し、その上に酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化タンタル等の絶縁体を用いてゲート絶
縁膜１００〜３００ｎｍの膜厚で所定の形状に形成し
た。尚、ゲート絶縁膜は、ゲート電極が酸化タンタルの
場合には陽極酸化により形成することができ、その他の
材料の場合にはプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成するこ
とができる。
【００２６】次に、アモルファスシリコンを用いプラズ
マＣＶＤ法により半導体層を５０ｎｍの膜厚で形成し、
続いてｎ＋アモルファスシリコン層を形成し、いずれも
所定の形状にパターニングした。尚、ｎ＋アモルファス
シリコン層は、プラズマＣＶＤ法で１０〜２０ｎｍの膜
厚で形成することができ、またはアモルファスシリコン
を用いた半導体層にマスクを介して選択的にＰ（リン）
を打ち込むイオンドーピング法により形成することがで
きる。
【００２７】次に、タンタル、アルミニウム、モリブデ
ン、チタン、銅、インジウム酸化錫、ドープされたシリ
コンまたはこれらの物質を含む導電体を用いてソース／
ドレイン電極を３００〜５００ｎｍの膜厚で所定の形状
に形成し、その上に酸化シリコン、窒化シリコン、酸化
タンタル等の絶縁体を用いてプラズマＣＶＤ法により３
００〜５００ｎｍの膜厚で層間絶縁膜を所定の形状に形
成して、薄膜トランジスタ３を構成した。
【００２８】さらに、その上にインジウム酸化錫を用い
てスパッタリング法により５０〜１００ｎｍの膜厚で画
素電極４を所定の形状に形成した。反射型で用いる場合
は、画素電極はアルミニウムなどの金属を用いてスパッ
タリング法により１００〜３００ｎｍの膜厚で形成して
もよい。
【００２９】このようにして形成した基板２と、必要で
あればブラックマトリクスやカラーフィルタを形成し、
インジウム酸化錫などを用いて透明電極からなる対向電
極５を形成した基板１の両方に、ポリイミドなどの耐熱
性樹脂を用いて液晶配向膜６、７を形成し、ラビング法
などの方法で表面を所定の方向に配向処理した。
【００３０】ここで、基板間の間隙を一定に制御するス
ペーサの形成方法について、図２に従って説明する。
【００３１】まず、図２（ａ）に示すように、耐熱性高
分子材料でできたベースフィルム１１上にアルミニウム
等からなる金属層１２を真空蒸着法により１００ｎｍの
膜厚で形成した。尚、この金属層１２は、アルミニウム
を例にして説明するが、これは他の金属、例えば、タン
タル、モリブデン、チタン、クロムなどでもよく、ま
た、直視で用いる場合は特に、酸化チタン、酸化クロム
など光を吸収する材料を用いることが好ましい。また、
金属層１２を形成する方法としてスパッタリング法を用
いることもできる。
【００３２】次に、図２（ｂ）に示すように、スペーサ
の高さを構成するドライフィルムレジスト１３を金属層
１２上に均一に貼り付ける。尚、このドライフィルムレ
ジスト１３は、上下の基板間で通電リークを防止するた
めに、絶縁性高分子からなっている。
【００３３】次に、図２（ｃ）に示すように、ドライフ
ィルムレジスト１３にマスク１４を介して選択的に光１
５を照射して、柱状のスペーサのパターンに感光させ
る。その後、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイ
ドライド）により現像処理を行うことにより柱状のスペ
ーサのレジスト部８を所定の形状に形成した。尚、ここ
では、ドライフィルムレジスト１３がネガ型レジストの
場合について説明しており、光１５を照射して感光した
部分は架橋反応または重合反応が誘起されて固化し、現
像処理により基板上に残る。また、ドライフィルムレジ
スト１３が、これ以外のポジ型レジストでも、同様に柱
状のスペーサのレジスト部８のパターン形状を形成する
ことができる。この場合、光１５を照射して感光した部
分は分解され、現像処理により基板から除去されるの
で、マスク１４をネガ型レジストの場合とは反転させた
ものを用いる。ドライフィルムレジスト１３の材料とし
ては、環化イソプレンゴム系、フェノール樹脂系、ノボ
ラック樹脂系、アクリレート系のものが好ましく、特
に、環化イソプレンゴム系、フェノール樹脂系、ノボラ
ック樹脂系がより好ましい。また、柱状のスペーサの基
板面に対して平行な断面の形状は、円、楕円、外周が滑
らかな曲線により構成される面、外周が滑らかな曲線と
直線により構成される面、外周が複数の直線により構成
される面（例えば三角形、四角形、正方形、長方形など
の多角形）などにすることができ、円及び楕円がより好
ましい。また、柱状のスペーサは、基板面に形成する数
を厳密に制御することができ、例えば１画素に１個の割
合で配置することが可能であり、１画素の画素電極の大
きさに従って、適宜、柱状のスペーサの数を決定するこ
とができる。
【００３４】次に、図２（ｄ）に示すように、露出した
アルミニウム部分を酸（この場合Ａｌエッチャント）に
よりエッチングすることによって、柱状のスペーサの金
属部９を形成して、ベースフィルム１１上に金属部９と
レジスト部８からなる柱状のスペーサを形成した。尚、
レジスト部８及びベースフィルム１１は、耐酸性材料で
あるので、露出したアルミニウムのみを効率的に除去す
ることができる。また、柱状のスペーサがレジスト部８
と金属部９とが積層されている構成であるので、スペー
サに入射してくる光を金属部９で遮断できることによ
り、基板上のいずれの場所に柱状のスペーサを配置して
もよい。したがって、スペーサを配置する位置精度に厳
密さを要求されないので、簡単な工程で製造でき、さら
なる液晶装置の高精細化による画素の微細化にも十分対
応することができる。
【００３５】次に、図２（ｅ）に示すように、柱状のス
ペーサが形成されたベースフィルム基板１６を、薄膜ト
ランジスタが形成された基板１７に、柱状のスペーサの
レジスト部８が接するように向かい合わせて、圧着す
る。その後、ベースフィルム１１を剥がして、柱状のス
ペーサを薄膜トランジスタが形成された基板１７上に形
成した。尚、柱状のスペーサを薄膜トランジスタが形成
された基板１７上に圧着して形成する際に、同時に加熱
（例えば２００℃程度）しても良い。また、圧着は、柱
状のスペーサが形成されたベースフィルム基板１６を、
回転ローラに取り付けて、薄膜トランジスタが形成され
た基板１７に、一部を接触させて、回転ローラを回転さ
せるとともに、薄膜トランジスタが形成された基板１７
を移動させることにより、柱状のスペーサを順次、薄膜
トランジスタが形成された基板１７上に形成することが
できる。この場合、回転ローラを加熱することにより、
柱状のスペーサを加熱しながら圧着することができる。
【００３６】このようにして形成した基板２とシール樹
脂パターンを形成した対向基板１とを貼り合わせ、液晶
１０を封入することにより、液晶パネルを得ることがで
きた。尚、シール樹脂の材料として、エポキシ系の熱硬
化性樹脂またはエポキシ系の光硬化性樹脂等を用いるこ
とができる。また、液晶材料としては、表示モードによ
り適宜選択でき、本実施の形態では、ＴＮ（ツイストネ
マティック）モードにより表示を行うので、例えばＺＬ
Ｉ−４７９２（メルクジャパン（株）社製）のネマティ
ック液晶等を用いることができる。
【００３７】このパネルと２枚の偏光板を組み合わせ、
ドライバＩＣを実装し、駆動回路と接続することによ
り、液晶表示装置を得た。
【００３８】このようにして作製した液晶表示装置で
は、スペーサを起因とした光漏れがなく、非常に均一性
に優れ、かつコントラストが大きくなることにより極め
て良好な表示品位を得ることができた。
【００３９】この装置の表示コントラストが約４００で
あるのに対し、単にスペーサを散布しただけの同種の装
置では、コントラストは１００であった。
【００４０】尚、ここでは表示装置を例にしたが、本発
明の液晶パネルを情報処理装置などに用いた場合でも、
情報の誤認を低減するなどの効果が認められた。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶装置
は、２枚の基板間に液晶を挟持した液晶装置において、
前記２枚の基板間の間隙を制御するためのスペーサが柱
状に形成されており、前記スペーサの表面には、少なく
とも一方の基板と接触する領域に可視光を反射または吸
収する層が形成されているので、スペーサが柱状に形成
されていることにより、スペーサと基板とが接触する部
分が面となり、球状スペーサの点接触に比べて、接触す
る部分が大きいため、基板間の間隙を設定通りに安定し
て制御することができるとともに、一対の基板を貼り合
わせた際のスペーサと基板の接触部分に加わる応力集中
を低減することができる。さらに、スペーサの表面には
少なくとも一方の基板と接触する領域に可視光を反射ま
たは吸収する層が形成されていることにより、基板から
入射してきた可視光をスペーサの中に入射させる前に、
可視光を反射または吸収させるので、可視光はスペーサ
の中を透過することがない。このため、可視光はスペー
サにより散乱されることはなく、さらにスペーサから液
晶層へ可視光が透過していくこともないので、スペーサ
の部分での表示のギラツキおよび表示のコントラストの
低下を抑制することができる。したがって、液晶装置の
表示品位を向上させることができる。
【００４２】また、前記スペーサの表面の少なくとも一
方の基板と接触する領域に可視光を反射または吸収する
層が、液晶配向膜上に形成されているので、柱状のスペ
ーサを形成する部分の可視光を反射または吸収する層
を、一方の基板の液晶分子配向処理の後に形成すること
ができる。つまり、柱状のスペーサと可視光を反射また
は吸収する層を別に作製したものを、液晶分子配向処理
が済んだ後に形成することができるので、一方の基板の
作製工程において、可視光を反射または吸収する層を形
成するパターニング工程を削除することができる。ま
た、液晶配向膜の下に柱状のスペーサを形成した際に、
液晶分子配向処理をラビングにより行った時に、ラビン
グによる柱状のスペーサの破壊、及び柱状のスペーサが
壁になってラビングが行われない部分が生じて液晶の配
向不良を発生させるが、柱状のスペーサ及び可視光を反
射または吸収する層を液晶分子配向膜上に形成するの
で、ラビングによる前記問題点を排除することができ
る。さらに、柱状のスペーサと可視光を反射または吸収
する層を同時にまたは連続して行うことができるので、
液晶配向膜の下に可視光を反射または吸収する層を形成
して、液晶配向膜の上に柱状のスペーサを形成した場合
に比べて、柱状のスペーサを可視光を反射または吸収す
る層に配置する位置制御が不要になり、製造工程を簡略
化することができる。
【００４３】また、前記可視光を反射または吸収する層
が金属または金属を含む化合物であるので、金属は薄い
層で効率的に可視光を反射することができ、スペーサの
中に可視光を透過させないので、スペーサによる光散乱
を排除することができる。さらに柱状のスペーサと金属
層とで基板間の間隙を制御する際に、金属層の厚みが無
視できるので、柱状のスペーサの大きさを精度良く作製
できる。さらに、金属を含む化合物にすることにより、
可視光を効率的に吸収することができ、スペーサの中に
可視光を透過させないので、スペーサによる光散乱を排
除することができる。さらに柱状のスペーサと金属を含
む化合物層とで基板間の間隙を制御する際に、金属を含
む化合物層の厚みが無視できるので、柱状のスペーサの
大きさを精度良く作製できる。さらに、可視光は金属を
含む化合物から基板へ反射することがないので、柱状の
スペーサから基板へ反射することによる乱反射及び反射
型液晶装置の表示のコントラストの低下を抑制すること
ができるため、さらに好ましい。
【００４４】また、前記柱状のスペーサが絶縁体である
ので、上下基板間の電圧リークを防ぐことができる。
【００４５】さらに、前記絶縁体が高分子化合物である
ので、柱状のスペーサの弾性が大きい。よって、一対の
基板を貼り合わせる際に、基板に加圧して基板間の間隙
を制御するフレキシビリティを高くすることができる。
さらに、薄膜トランジスタ及び電極配線等を形成した基
板表面は凹凸状態になっており、この表面に柱状のスペ
ーサを形成する際、従来は同一高さの基板面に厳密な位
置制御を必要としていたが、本発明では、柱状のスペー
サの弾性が大きいことにより、基板面の凹凸状態が異な
る場所に柱状のスペーサを形成しても、貼り合わせの際
の加圧により、柱状のスペーサが高いものを圧縮して基
板間の間隙を補正することができる。したがって、柱状
のスペーサを形成するための厳密な位置精度を必要とし
ない、基板間の間隙が均一な液晶装置を容易に作製する
ことができる。
【００４６】また、本発明の液晶装置の製造方法は、金
属またはその化合物の堆積された柱状のスペーサを、液
晶装置を構成する一方の基板上に貼り付ける工程を含む
ので、スペーサの形成とスペーサ部分を遮光する部分を
同時に基板面に形成することができ、プロセスを簡略化
することができる。さらに、個々のスペーサを異なった
場所に分離して確実に形成することができる。また、柱
状のスペーサ部分をドライフィルムレジストにより構成
することで、従来の塗布方式のレジスト材料に比べて、
均一な膜厚を形成するのに要する材料を効率的に使用す
ることができるようになり、材料費の削減を行うことが
できる。また、柱状のスペーサがレジスト部と金属部と
が積層されている構成であるので、スペーサに入射して
くる光を金属部で遮断できることにより、基板上のいず
れの場所に柱状のスペーサを配置してもよい。したがっ
て、スペーサを配置する位置精度に厳密さを要求されな
いので、簡単な工程で製造でき、さらなる液晶装置の高
精細化による画素の微細化にも十分対応することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置の断面構造図である。
【図２】本発明の柱状のスペーサの製造工程図である。
【図３】従来の液晶表示装置の断面構造図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 基板 ３ 薄膜トランジスタ ４ 画素電極 ５ 対向電極 ６ 液晶配向膜 ７ 液晶配向膜 ８ 柱状のスペーサのレジスト部 ９ 柱状のスペーサの金属部 １０ 液晶 １１ ベースフィルム １２ 金属層 １３ ドライフィルムレジスト １４ フォトマスク １５ 光 １６ 柱状のスペーサが形成されたベースフィルム
基板 １７ 薄膜トランジスタが形成された基板

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ２枚の基板間に液晶を挟持した液晶装置
    において、 前記２枚の基板間の間隙を制御するためのスペーサが柱
    状に形成されており、前記スペーサの表面には、少なく
    とも一方の基板と接触する領域に可視光を反射または吸
    収する層が形成されていることを特徴とする液晶装置。
  2. 【請求項２】 前記スペーサの表面の少なくとも一方の
    基板と接触する領域に可視光を反射または吸収する層
    が、液晶配向膜上に形成されていることを特徴とする請
    求項１記載の液晶装置。
  3. 【請求項３】 前記可視光を反射または吸収する層が金
    属または金属を含む化合物であることを特徴とする請求
    項１記載の液晶装置。
  4. 【請求項４】 前記柱状のスペーサが絶縁体であること
    を特徴とする請求項１記載の液晶装置。
  5. 【請求項５】 前記絶縁体が高分子化合物であることを
    特徴とする請求項４記載の液晶装置。
  6. 【請求項６】 ２枚の基板間に液晶を挟持した液晶装置
    の製造方法において、前記一方の基板に金属またはその
    化合物の堆積された柱状のスペーサを基板上に貼り付け
    る工程を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
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