JPH075475A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH075475A JPH075475A JP18787692A JP18787692A JPH075475A JP H075475 A JPH075475 A JP H075475A JP 18787692 A JP18787692 A JP 18787692A JP 18787692 A JP18787692 A JP 18787692A JP H075475 A JPH075475 A JP H075475A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はスペーサが表示領域に位置しないよ
うにして液晶表示素子を製造して液晶表示素子のコント
ラストを向上させることができる液晶表示素子の製造方
法を提供することである。 【構成】 液晶表示素子の製造方法は、第１及び第２基
板10a,10b を提供する段階と、第１基板10a 上に多数の
第１画素電極12a を形成する段階と、第１基板10a 上に
多数の薄膜トランジスタ14及びバスライン14a,14b を形
成する段階と、第２基板10b 上に多数の第２画素電極12
b を形成する段階と、第２基板10b 上にブラックストラ
イプ20及びスペーサ22を所定の形態で形成する段階と、
第１画素電極12a と前記第２画素電極12b が対向し、第
１、第２基板10a,10b 間にスペーサ22を有するように前
記基板10a,10b を固定する段階と、両基板10a,10b 間に
光誘導表示物質を注入する段階を含む。
うにして液晶表示素子を製造して液晶表示素子のコント
ラストを向上させることができる液晶表示素子の製造方
法を提供することである。 【構成】 液晶表示素子の製造方法は、第１及び第２基
板10a,10b を提供する段階と、第１基板10a 上に多数の
第１画素電極12a を形成する段階と、第１基板10a 上に
多数の薄膜トランジスタ14及びバスライン14a,14b を形
成する段階と、第２基板10b 上に多数の第２画素電極12
b を形成する段階と、第２基板10b 上にブラックストラ
イプ20及びスペーサ22を所定の形態で形成する段階と、
第１画素電極12a と前記第２画素電極12b が対向し、第
１、第２基板10a,10b 間にスペーサ22を有するように前
記基板10a,10b を固定する段階と、両基板10a,10b 間に
光誘導表示物質を注入する段階を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子を製造する
方法に関するものであり、特にコントラストを向上させ
るためにスペーサが表示領域に撒布しないように液晶表
示素子を製造する方法に関する。
方法に関するものであり、特にコントラストを向上させ
るためにスペーサが表示領域に撒布しないように液晶表
示素子を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、種々の形態の表示装置が通用し
ているが、その中で一種の普遍的な形態の表示装置は光
誘導型液晶表示素子である。このような形態の液晶表示
素子は図１に示すように相対・離隔した一対の上下部基
板(2a)(2b)を有している。前記基板(2a)(2b)はガラスか
ら成る。前記下部基板(2a)の上面には多数の第１透明画
素電極(3a)が形成されている。前記第１透明画素電極(3
a)は前記下部基板(2a)の上部の全表面に酸化錫インジュ
ム（Indium tin oxide）のような導電性光透過物質を蒸
着した後、ホトエッチング技術及びマスク技術を用いて
前記蒸着された金属を部分的に選択除去することによっ
て形成される。尚、前記第１透明画素電極(3a)及び前記
下部基板(2a)の上面にはポリイミドからなる配向物質層
(4a)が形成され、前記配向物質層(4a)の上には多数のス
ペーサ(6) が形成されている。前記配向物質層(4a)及び
スペーサ(6) はガラスファイバーやＡｌ2 Ｏ3 のような
無機物体が混合された配向物質溶液をローラーを用いて
前記第１透明画素電極(3a)及び前記下部基板(2a)上に印
刷することによって図２Ａのように形成される。図２Ａ
において、スペーサ(6) は配向物質層(4a)に埋まって凸
状に突出している。
ているが、その中で一種の普遍的な形態の表示装置は光
誘導型液晶表示素子である。このような形態の液晶表示
素子は図１に示すように相対・離隔した一対の上下部基
板(2a)(2b)を有している。前記基板(2a)(2b)はガラスか
ら成る。前記下部基板(2a)の上面には多数の第１透明画
素電極(3a)が形成されている。前記第１透明画素電極(3
a)は前記下部基板(2a)の上部の全表面に酸化錫インジュ
ム（Indium tin oxide）のような導電性光透過物質を蒸
着した後、ホトエッチング技術及びマスク技術を用いて
前記蒸着された金属を部分的に選択除去することによっ
て形成される。尚、前記第１透明画素電極(3a)及び前記
下部基板(2a)の上面にはポリイミドからなる配向物質層
(4a)が形成され、前記配向物質層(4a)の上には多数のス
ペーサ(6) が形成されている。前記配向物質層(4a)及び
スペーサ(6) はガラスファイバーやＡｌ2 Ｏ3 のような
無機物体が混合された配向物質溶液をローラーを用いて
前記第１透明画素電極(3a)及び前記下部基板(2a)上に印
刷することによって図２Ａのように形成される。図２Ａ
において、スペーサ(6) は配向物質層(4a)に埋まって凸
状に突出している。
【０００３】前記配向物質層(4a)及び前記スペーサ(6)
を形成する他の方法がある。
を形成する他の方法がある。
【０００４】該他の方法はローラーを利用して配向物質
を前記第１透明画素電極(3a)および前記下部基板(2a)上
に印刷して配向物質層(4a)を形成した後、前記配向物質
層(4a)の上面に揮発性、又は粘性液体にＡｌ2 Ｏ3 又は
ガラスファイバーからなる無機物体を混合して撒布し、
図２Ｂのようにスペーサ(6) を配向物質層(4a)上に接面
状態で位置させる。
を前記第１透明画素電極(3a)および前記下部基板(2a)上
に印刷して配向物質層(4a)を形成した後、前記配向物質
層(4a)の上面に揮発性、又は粘性液体にＡｌ2 Ｏ3 又は
ガラスファイバーからなる無機物体を混合して撒布し、
図２Ｂのようにスペーサ(6) を配向物質層(4a)上に接面
状態で位置させる。
【０００５】一方、上部基板(2b)にも、酸化錫インジュ
ムのような導電性光透過物質を蒸着させた後、ホトエッ
チング及びマスク技術を用いてパターン化することによ
って共通電極、又は多数の第２透明画素電極(3b)が形成
される。なお、前記多数の第２透明画素電極(3b)が形成
された前記上部基板(2b)上にポリイミドから成る配向物
質液をローラーを用いて印刷することによって配向物質
層(4b)が形成される。
ムのような導電性光透過物質を蒸着させた後、ホトエッ
チング及びマスク技術を用いてパターン化することによ
って共通電極、又は多数の第２透明画素電極(3b)が形成
される。なお、前記多数の第２透明画素電極(3b)が形成
された前記上部基板(2b)上にポリイミドから成る配向物
質液をローラーを用いて印刷することによって配向物質
層(4b)が形成される。
【０００６】尚、第１透明画素電極(3a)、配向物質層(4
a)、及びスペーサ(6) が形成された下部基板(2a)と第２
透明画素電極(3b)及び配向物質層(4b)が形成された上部
基板(2b)はビロードのような滑らかな布でラビングされ
る。前記ラビングされた前記上下部基板(2a)(2b)にはエ
ポキシが印刷され、前記エポキシが印刷された上下部基
板(2a)(2b)は重ね合わされた後スクライブされる。前記
スクライブされた基板の間にツイスト・ネマチックのよ
うな液晶物質(5) を注入した後、封止する。その後、前
記液晶物質(5) が封止された前記上下部基板(2a)(2b)の
外側面に吸収軸ズレ角が０°になるように偏光板(1a)(1
b)が接合される。
a)、及びスペーサ(6) が形成された下部基板(2a)と第２
透明画素電極(3b)及び配向物質層(4b)が形成された上部
基板(2b)はビロードのような滑らかな布でラビングされ
る。前記ラビングされた前記上下部基板(2a)(2b)にはエ
ポキシが印刷され、前記エポキシが印刷された上下部基
板(2a)(2b)は重ね合わされた後スクライブされる。前記
スクライブされた基板の間にツイスト・ネマチックのよ
うな液晶物質(5) を注入した後、封止する。その後、前
記液晶物質(5) が封止された前記上下部基板(2a)(2b)の
外側面に吸収軸ズレ角が０°になるように偏光板(1a)(1
b)が接合される。
【０００７】前記の様な構造の光誘導型液晶表示素子は
電界が印加されない場合、液晶分子が倒れているので、
黒の状態を保っている。これとは別に電界が印加された
場合、液晶分子が起立して液晶表示素子は光を透過させ
る状態を保つようになる。
電界が印加されない場合、液晶分子が倒れているので、
黒の状態を保っている。これとは別に電界が印加された
場合、液晶分子が起立して液晶表示素子は光を透過させ
る状態を保つようになる。
【０００８】しかし、前記光誘導型液晶表示素子を製造
する過程において、配向物質溶液にスペーサを適当比率
に混合して前記第１透明画素電極(3a)が積層された前記
下部基板(2a)上に印刷することによって配向物質層(4a)
およびスペーサ(6) を形成する場合、いくつかの問題点
を有する。この場合、スペーサ(6) は第１透明画素電極
(3a)が積層された前記下部基板(2a)にランダムに撒布さ
れることによって表示領域、又は第１透明画素電極(3a)
上に位置することがありうる。これによって、偏光板(1
a)、下部基板(2a)及び第１透明画素電極(3a)を通して入
射する光が前記表示領域に位置するスペーサ(6) により
散乱され、散らばってコントラストが著しく低下され
る。一方、有機物質である配向物質層(4a)は印刷時、無
機物体であるスペーサ(6) との表面張力および凝集力に
よって厚さが不均等に形成され、その表面上にピンホー
ルが発生する。なお、前記スペーサ(6) はラビング時、
ラビング（rubbing ）力によって位置ズレ又は破損して
上下基板(2a)(2b)の間を均一に保持することができず、
配向物質層(4a)にピンホール又はキズ（傷）を発生させ
る。
する過程において、配向物質溶液にスペーサを適当比率
に混合して前記第１透明画素電極(3a)が積層された前記
下部基板(2a)上に印刷することによって配向物質層(4a)
およびスペーサ(6) を形成する場合、いくつかの問題点
を有する。この場合、スペーサ(6) は第１透明画素電極
(3a)が積層された前記下部基板(2a)にランダムに撒布さ
れることによって表示領域、又は第１透明画素電極(3a)
上に位置することがありうる。これによって、偏光板(1
a)、下部基板(2a)及び第１透明画素電極(3a)を通して入
射する光が前記表示領域に位置するスペーサ(6) により
散乱され、散らばってコントラストが著しく低下され
る。一方、有機物質である配向物質層(4a)は印刷時、無
機物体であるスペーサ(6) との表面張力および凝集力に
よって厚さが不均等に形成され、その表面上にピンホー
ルが発生する。なお、前記スペーサ(6) はラビング時、
ラビング（rubbing ）力によって位置ズレ又は破損して
上下基板(2a)(2b)の間を均一に保持することができず、
配向物質層(4a)にピンホール又はキズ（傷）を発生させ
る。
【０００９】なお、配向物質層(4a)及びスペーサ(6) を
順次的に形成する場合にも幾つかの問題点がある。第１
に前記スペーサ(6) は揮発性又は粘性液体に混合されて
第１透明画素電極(3a)が積層された下部基板(2a)にラン
ダムに撒布することによって表示領域に位置することが
ありうる。これによって偏光板(1a)、下部基板(2a)及び
第１透明画素電極(3a)を通じて入射する光が前記表示領
域に位置するスペーサ(6) に依って散乱され、散らばっ
てコントラストが著しく低下する。尚、ほこり（埃）除
去のための真空吸着を前記配向物質層(4a)を形成する前
に行なうことによって配向物質層(4a)及びスペーサ(6)
を形成する途中に流入するほこりによって前記上下部基
板(2a)(2b)間の間隔が不均一になる。
順次的に形成する場合にも幾つかの問題点がある。第１
に前記スペーサ(6) は揮発性又は粘性液体に混合されて
第１透明画素電極(3a)が積層された下部基板(2a)にラン
ダムに撒布することによって表示領域に位置することが
ありうる。これによって偏光板(1a)、下部基板(2a)及び
第１透明画素電極(3a)を通じて入射する光が前記表示領
域に位置するスペーサ(6) に依って散乱され、散らばっ
てコントラストが著しく低下する。尚、ほこり（埃）除
去のための真空吸着を前記配向物質層(4a)を形成する前
に行なうことによって配向物質層(4a)及びスペーサ(6)
を形成する途中に流入するほこりによって前記上下部基
板(2a)(2b)間の間隔が不均一になる。
【００１０】結果的に、従来の製造方法に依って製造さ
れた光誘導型液晶表示素子はガラス基板間の間隔が不均
一であり、表示領域にスペーサが位置することによって
前記液晶表示素子のコントラストを著しく低下させる問
題点がある。
れた光誘導型液晶表示素子はガラス基板間の間隔が不均
一であり、表示領域にスペーサが位置することによって
前記液晶表示素子のコントラストを著しく低下させる問
題点がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は厚さが均一で、表示領域上にスペーサが存在しないよ
うに液晶表示素子を製造できる液晶表示素子の製造方法
を提供することにある。
は厚さが均一で、表示領域上にスペーサが存在しないよ
うに液晶表示素子を製造できる液晶表示素子の製造方法
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明の液晶表示素子製造方法は第１及び第２基板
を提供する段階と、前記第１基板上に多数の第１画素電
極を形成する段階と、前記第１基板上に多数の薄膜トラ
ンジスタを形成する段階と、前記第２基板上に多数の第
２画素電極を形成する段階と、前記第２基板上にブラッ
クストライブ及びスペーサを所定の形態に形成する段階
と、前記第１画素電極と前記第２画素電極が対向し、前
記第１，第２基板の間に前記スペーサを有するように前
記基板を固定する段階と、前記両基板の間に光誘導表示
物質を注入する段階を含むことを特徴とする。
め、本発明の液晶表示素子製造方法は第１及び第２基板
を提供する段階と、前記第１基板上に多数の第１画素電
極を形成する段階と、前記第１基板上に多数の薄膜トラ
ンジスタを形成する段階と、前記第２基板上に多数の第
２画素電極を形成する段階と、前記第２基板上にブラッ
クストライブ及びスペーサを所定の形態に形成する段階
と、前記第１画素電極と前記第２画素電極が対向し、前
記第１，第２基板の間に前記スペーサを有するように前
記基板を固定する段階と、前記両基板の間に光誘導表示
物質を注入する段階を含むことを特徴とする。
【００１３】
【作用】前記構成により、本発明の液晶表示素子の製造
方法はスペーサをブラックストライプと同時に形成する
ことによってスペーサを非表示領域に位置させることが
できる。
方法はスペーサをブラックストライプと同時に形成する
ことによってスペーサを非表示領域に位置させることが
できる。
【００１４】
【実施例】図３を参照すると、ガラスから成る二つの電
極支持用基板(10a)(10b)を備えた本発明の製造方法によ
って作製された光誘導型液晶素子が説明されている。
極支持用基板(10a)(10b)を備えた本発明の製造方法によ
って作製された光誘導型液晶素子が説明されている。
【００１５】前記ガラス基板(10a)(10b)の中、下部基板
(10a) の上部の全表面には多数の第１透明画素電極(12
a) 及び多数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transisto
r：以下“ＴＦＴ”と記載する）(14)が形成されてい
る。前記多数のＴＦＴ(14)はマトリックス状に配列され
ゲートバスライン(14a) 及びソースバスライン(14b) に
接続される。前記下部ガラス基板(10a) に形成された前
記第１透明画素電極(12a)、ＴＦＴ(14)、ゲートバスラ
イン(14a) 、およびソースバスライン(14b) の形態は図
４に説明されている。
(10a) の上部の全表面には多数の第１透明画素電極(12
a) 及び多数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transisto
r：以下“ＴＦＴ”と記載する）(14)が形成されてい
る。前記多数のＴＦＴ(14)はマトリックス状に配列され
ゲートバスライン(14a) 及びソースバスライン(14b) に
接続される。前記下部ガラス基板(10a) に形成された前
記第１透明画素電極(12a)、ＴＦＴ(14)、ゲートバスラ
イン(14a) 、およびソースバスライン(14b) の形態は図
４に説明されている。
【００１６】図３および図４に於いて、前記ゲートバス
ライン(14a) は金属物質を前記下部ガラス基板(10a) に
塗布した後、露光及び現像することによって形成され
る。前記ゲートバスライン(14a) 及び前記下部ガラス基
板(10a) の上面には絶縁物質層(14c) が塗布される。な
お、ＴＦＴ(14)は前記絶縁物質層(14c) 上に非結晶シリ
コンを塗布した後、露光及び現像することによって形成
される。その後、第１透明画素電極(12a) およびソース
バスライン(14b) は金属物質を塗布して露光及び現像に
依って順次的に形成される。前記第１透明画素電極(12
a) 、ソースバスライン(14b) 及びＴＦＴ(14)上には他
の絶縁物質層(14d) が塗布される。尚、前記第１透明画
素電極(1a)は酸化錫インジュム(Indium Tin Oxide ：以
下“ＩＴＯ”と記載する）から形成される。
ライン(14a) は金属物質を前記下部ガラス基板(10a) に
塗布した後、露光及び現像することによって形成され
る。前記ゲートバスライン(14a) 及び前記下部ガラス基
板(10a) の上面には絶縁物質層(14c) が塗布される。な
お、ＴＦＴ(14)は前記絶縁物質層(14c) 上に非結晶シリ
コンを塗布した後、露光及び現像することによって形成
される。その後、第１透明画素電極(12a) およびソース
バスライン(14b) は金属物質を塗布して露光及び現像に
依って順次的に形成される。前記第１透明画素電極(12
a) 、ソースバスライン(14b) 及びＴＦＴ(14)上には他
の絶縁物質層(14d) が塗布される。尚、前記第１透明画
素電極(1a)は酸化錫インジュム(Indium Tin Oxide ：以
下“ＩＴＯ”と記載する）から形成される。
【００１７】前記光誘導型液晶表示素子は前記他の絶縁
物質層(14d) 上に塗布された配向物質層(16a) を更に備
える。前記配向物質層(16a) はポリイミド（Polyimide
）から成る配向物質溶液をローラーを用いて塗布する
ことで形成される。
物質層(14d) 上に塗布された配向物質層(16a) を更に備
える。前記配向物質層(16a) はポリイミド（Polyimide
）から成る配向物質溶液をローラーを用いて塗布する
ことで形成される。
【００１８】一方、前記上部ガラス基板(10b) の上面に
はカラーフィルター(18)が形成されている。そして、前
記カラーフィルター(18)の上面にはＩＴＯから成る多数
の第２透明画素電極、又は共通電極(12b) が形成されて
いる。前記第２透明画素電極(12b) はＩＴＯから成る透
明金属物質を前記カラーフィルター(18)の上面に塗布し
た後、露光及び現像に依ってパターン化される。前記第
２透明画素電極(12b)のパターンは図５Ａに説明されて
いる。図５Ａにおいて、第２透明画素電極(12b) は十字
形凹部によって区分され、相互連結する多数の四角形状
の電極板を有する。
はカラーフィルター(18)が形成されている。そして、前
記カラーフィルター(18)の上面にはＩＴＯから成る多数
の第２透明画素電極、又は共通電極(12b) が形成されて
いる。前記第２透明画素電極(12b) はＩＴＯから成る透
明金属物質を前記カラーフィルター(18)の上面に塗布し
た後、露光及び現像に依ってパターン化される。前記第
２透明画素電極(12b)のパターンは図５Ａに説明されて
いる。図５Ａにおいて、第２透明画素電極(12b) は十字
形凹部によって区分され、相互連結する多数の四角形状
の電極板を有する。
【００１９】しかして、前記光誘導型液晶表示素子は前
記第２透明画素電極(12b) の十字形凹部に形成されるマ
トリックス形状のブラックストライプ(20)及びスペーサ
(22)を備えている。前記ブラックストライプ(20)の形態
は図５Ｂに示されている。前記ブラックストライプ(20)
は前記スペーサ(22)と共に形成され、その過程を説明す
ると次のようである。先ず、ガラスファイバーやＡｌ2
Ｏ3 のような無機物体をブラックストライプ形成物質溶
液に混合して、前記無機物体が混合されたブラックスト
ライプ形成物質溶液を前記第２透明画素電極(12b) が形
成された上部ガラス基板(10b) の上面全体に塗布する。
次に、塗布された前記ブラックストライプ形成物質を露
光し、現像することによってブラックストライプ(20)が
図５Ｂに示すようにパターン化される。前記パターン化
されたブラックストライプ(20)にはガラスファイバーや
Ａｌ2 Ｏ3 のような無機物質から形成されたスペーサ(2
2)が突出している。
記第２透明画素電極(12b) の十字形凹部に形成されるマ
トリックス形状のブラックストライプ(20)及びスペーサ
(22)を備えている。前記ブラックストライプ(20)の形態
は図５Ｂに示されている。前記ブラックストライプ(20)
は前記スペーサ(22)と共に形成され、その過程を説明す
ると次のようである。先ず、ガラスファイバーやＡｌ2
Ｏ3 のような無機物体をブラックストライプ形成物質溶
液に混合して、前記無機物体が混合されたブラックスト
ライプ形成物質溶液を前記第２透明画素電極(12b) が形
成された上部ガラス基板(10b) の上面全体に塗布する。
次に、塗布された前記ブラックストライプ形成物質を露
光し、現像することによってブラックストライプ(20)が
図５Ｂに示すようにパターン化される。前記パターン化
されたブラックストライプ(20)にはガラスファイバーや
Ａｌ2 Ｏ3 のような無機物質から形成されたスペーサ(2
2)が突出している。
【００２０】前記光誘導型液晶表示素子は前記第２透明
画素電極(12b) 、前記ブラックストライプ(20)、及びス
ペーサ(22)の上面に形成された配向物質層(16b) を更に
備えている。前記配向物質層(16b) は前記第２透明画素
電極(12b) 、前記ブラックストライプ(20)、及び前記ス
ペーサ(22)の上面にポリイミドのような有機物溶液をロ
ーラーを用いて印刷することによって形成される。この
工程の後、前記スペーサ(22)は配向物質層(16b) に被覆
される。図５Ｃはブラックストライプ(20)領域に形成さ
れて前記配向物質層(16b) に依って被覆されたスペーサ
(22)を説明する。図５Ｃに於いて、第２透明画素電極(1
2b) 及びブラックストライプ(20)は前記上部ガラス基板
(10b) の上面に塗布されている。そして、スペーサ(22)
はブラックストライプ(20)領域に位置している。尚、前
記スペーサ(22)、ブラックストライプ(20)、及び第２透
明画素電極(12b) の上面には配向物質層(16b) が印刷さ
れている。
画素電極(12b) 、前記ブラックストライプ(20)、及びス
ペーサ(22)の上面に形成された配向物質層(16b) を更に
備えている。前記配向物質層(16b) は前記第２透明画素
電極(12b) 、前記ブラックストライプ(20)、及び前記ス
ペーサ(22)の上面にポリイミドのような有機物溶液をロ
ーラーを用いて印刷することによって形成される。この
工程の後、前記スペーサ(22)は配向物質層(16b) に被覆
される。図５Ｃはブラックストライプ(20)領域に形成さ
れて前記配向物質層(16b) に依って被覆されたスペーサ
(22)を説明する。図５Ｃに於いて、第２透明画素電極(1
2b) 及びブラックストライプ(20)は前記上部ガラス基板
(10b) の上面に塗布されている。そして、スペーサ(22)
はブラックストライプ(20)領域に位置している。尚、前
記スペーサ(22)、ブラックストライプ(20)、及び第２透
明画素電極(12b) の上面には配向物質層(16b) が印刷さ
れている。
【００２１】前記第１透明画素電極(12a) 、ＴＦＴ(14)
及び配向物質層(16a) が形成された下部ガラス基板(10
a) と、前記カラーフィルター(18)、前記第２透明画素
電極(12b) 、前記ブラックストライプ(20)、前記スペー
サ(22)、及び前記配向物質層(16b) が形成された上部ガ
ラス基板(10b) とは軟かい布に依ってラビングされた
後、従来の方法に依って液晶表示素子に作製される。前
記液晶表示素子のガラス基板(10a)(10b)の外部面には偏
光板(24a)(24B)が“０°”のズレ角度を有して取り付け
られている。尚、図３において、前記配向物質層(16a)
(16b)の間にはツイスト・ネマチック（Twisted nematic
）のような液晶物質(26)が注入封止される。前記液晶
物質(26)内の液晶分子は第１透明画素電極(12a) 及び第
２透明画素電極(12b) の間に電界が印加される時、両透
明画素電極と垂直になるように配列されて偏光板(24a)
を介して流入する光を偏光板(24b) 方向に透過させる。
逆に、前記第１、第２透明画素電極(12a)(12b)の間に電
界が印加されない場合、前記液晶物質(26)内の液晶分子
は前記両電極(12a)(12b)と平行に配列されて偏光板(24
a)を介して流入する光を偏光板(24a) 方向に反射する。
及び配向物質層(16a) が形成された下部ガラス基板(10
a) と、前記カラーフィルター(18)、前記第２透明画素
電極(12b) 、前記ブラックストライプ(20)、前記スペー
サ(22)、及び前記配向物質層(16b) が形成された上部ガ
ラス基板(10b) とは軟かい布に依ってラビングされた
後、従来の方法に依って液晶表示素子に作製される。前
記液晶表示素子のガラス基板(10a)(10b)の外部面には偏
光板(24a)(24B)が“０°”のズレ角度を有して取り付け
られている。尚、図３において、前記配向物質層(16a)
(16b)の間にはツイスト・ネマチック（Twisted nematic
）のような液晶物質(26)が注入封止される。前記液晶
物質(26)内の液晶分子は第１透明画素電極(12a) 及び第
２透明画素電極(12b) の間に電界が印加される時、両透
明画素電極と垂直になるように配列されて偏光板(24a)
を介して流入する光を偏光板(24b) 方向に透過させる。
逆に、前記第１、第２透明画素電極(12a)(12b)の間に電
界が印加されない場合、前記液晶物質(26)内の液晶分子
は前記両電極(12a)(12b)と平行に配列されて偏光板(24
a)を介して流入する光を偏光板(24a) 方向に反射する。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明はスペーサ
が表示領域又は画素電極領域でないブラックストライプ
領域に存在するように液晶表示素子を作製することによ
って液晶表示素子のコントラストを向上させることがで
きる利点がある。尚、スペーサを配向物質層と共に形成
せずに、スペーサをブラックストライプ領域に形成して
配向物質層に発生するピンホール、厚さの不均一、及び
傷を防止する利点がある。
が表示領域又は画素電極領域でないブラックストライプ
領域に存在するように液晶表示素子を作製することによ
って液晶表示素子のコントラストを向上させることがで
きる利点がある。尚、スペーサを配向物質層と共に形成
せずに、スペーサをブラックストライプ領域に形成して
配向物質層に発生するピンホール、厚さの不均一、及び
傷を防止する利点がある。
【図１】従来の製造方法によって作製された光誘導型液
晶表示素子の断面図。
晶表示素子の断面図。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは配向物質層に形成されたス
ペーサの形状を示す図面。
ペーサの形状を示す図面。
【図３】本発明に関する液晶表示素子の製造方法によっ
て作製された液晶表示素子の断面図。
て作製された液晶表示素子の断面図。
【図４】下部ガラス基板に形成されたゲートバスライ
ン、ソースバスライン、薄膜トランジスタ、及び第１透
明画素電極のパターンを示す図面。
ン、ソースバスライン、薄膜トランジスタ、及び第１透
明画素電極のパターンを示す図面。
【図５】図５Ａは上部ガラス基板に形成された第２透明
画素基板のパターンを示す図面。図５Ｂは上部ガラス基
板に形成されたブラックストライプのパターンを示す図
面。図５Ｃはブラックストライプ領域に形成されるスペ
ーサを示す図面である。
画素基板のパターンを示す図面。図５Ｂは上部ガラス基
板に形成されたブラックストライプのパターンを示す図
面。図５Ｃはブラックストライプ領域に形成されるスペ
ーサを示す図面である。
１０ａ，１０ｂ：上、下部ガラス基板 １２ａ，１２ｂ：第１、第２透明画素電極 １４：薄膜トランジスタ １４ａ：ゲートバスライン １４ｂ：ソースバスライン １４ｃ，１４ｄ：絶縁物質層 １６ａ，１６ｂ：配向物質層 １８：カラーフィルター ２０：ブラックストライプ ２２：スペーサ ２４ａ，２４ｂ：偏光板
Claims (11)
- 【請求項１】 第１及び第２基板を提供する段階と、前
記第１基板上に多数の第１画素電極を形成する段階と、
前記第１基板上に多数の薄膜トランジスタを形成する段
階と、前記第２基板上に多数の第２画素電極を形成する
段階と、前記第２基板上にブラックストライプ及びスペ
ーサを所定の形態に形成する段階と、前記第１画素電極
と第２画素電極が対向し、前記第１，第２基板の間に前
記スペーサを有するように前記基板を接合する段階と、
前記両基板の間に光誘導表示物質を注入する段階とを含
むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記ブラックストライプ及びスペーサ
が、前記第２基板にスペーサを含むブラックストライプ
形成物質を塗布し、露光及び現像することによってパタ
ーン化されたことを特徴とする請求項１記載の液晶表示
素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記スペーサが非表示領域であるブラッ
クストライプ領域に形成されることを特徴とする請求項
２記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記スペーサが電気絶縁物質からなるこ
とを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子の製造方
法。 - 【請求項５】 前記電気絶縁物質がガラスファイバーか
ら成ることを特徴とする請求項４記載の液晶表示素子の
製造方法。 - 【請求項６】 前記電気絶縁物質がＡＬ2 Ｏ3 からなる
ことを特徴とする請求項４記載の液晶表示素子の製造方
法。 - 【請求項７】 第１及び第２ガラス基板を提供する段階
と、前記第１基板に多数のゲート電極を形成する段階
と、前記第１基板及び多数のゲート電極上に絶縁膜を形
成する段階と、前記絶縁膜の上に多数の薄膜トランジス
タ、ソース電極および第１透明画素電極を形成する段階
と、前記多数の薄膜トランジスタ、ソース電極及び第１
透明画素電極上に配向膜を形成する段階と、前記第２基
板に多数の第２透明画素電極を形成する段階と、前記第
２基板の非表示領域上にブラックストライプ及びスペー
サを形成する段階と、前記多数の第２透明画素電極、前
記ブラックストライプ及びスペーサの上に配向膜を形成
する段階と、前記第１，第２基板を接合する段階と、前
記第１，第２基板の間に液晶物質を注入して封止する段
階とを含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記ブラックストライプ及びスペーサ
が、ブラックストライプ物質及びスペーサ物体の混合物
質を第２基板に塗布し、露光及び現像に依って非表示領
域上にパターン化されることを特徴とする請求項７記載
の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記多数の薄膜トランジスタ、ソース電
極及び第１透明画素電極と配向膜の間に第２絶縁膜を形
成する段階を更に含むことを特徴とする請求項８記載の
液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記第２基板と、前記多数の第２透明
画素電極の間にカラーフィルターを形成する段階を更に
含むことを特徴とする請求項９記載の液晶表示素子の製
造方法。 - 【請求項１１】 前記接合された第１及び第２基板の外
面に各々偏光板を装着する段階を更に含むことを特徴と
する請求項１０記載の液晶表示素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910012025A KR930002855A (ko) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 액정표시소자의 제조방법 |
| KR91-12025 | 1991-07-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075475A true JPH075475A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3278725B2 JP3278725B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=19317279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18787692A Expired - Lifetime JP3278725B2 (ja) | 1991-07-15 | 1992-07-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5338240A (ja) |
| JP (1) | JP3278725B2 (ja) |
| KR (1) | KR930002855A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100652063B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| JP2014089456A (ja) * | 1999-07-22 | 2014-05-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06265863A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-09-22 | Sony Corp | プラズマアドレス液晶表示装置 |
| US5593802A (en) * | 1993-10-07 | 1997-01-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of forming a spacer for use in a liquid crystal panel |
| US5529863A (en) * | 1994-08-01 | 1996-06-25 | Motorola, Inc. | Method for fabricating LCD substrates having solderable die attach pads |
| JP3014291B2 (ja) * | 1995-03-10 | 2000-02-28 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示パネル、液晶表示装置及び液晶表示パネルの製造方法 |
| US5707785A (en) * | 1996-01-22 | 1998-01-13 | Industrial Technology Research Institute | Spacers for liquid crystal displays |
| US5720640A (en) * | 1996-02-15 | 1998-02-24 | Industrial Technology Research Institute | Invisible spacers for field emission displays |
| JPH1062789A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH10153785A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-06-09 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| KR100250702B1 (ko) * | 1996-11-20 | 2000-04-01 | 구본준 | 액정표시소자 |
| US5903100A (en) * | 1997-03-07 | 1999-05-11 | Industrial Technology Research Institute | Reduction of smearing in cold cathode displays |
| JP3551702B2 (ja) * | 1997-05-08 | 2004-08-11 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示素子とその駆動方法 |
| US6777254B1 (en) * | 1999-07-06 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US6639638B1 (en) | 1999-08-27 | 2003-10-28 | International Business Machines Corporation | LCD cover optical structure and method |
| KR20030087479A (ko) * | 2002-05-10 | 2003-11-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR100498632B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2005-07-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시패널 및 그 제조방법 |
| TWI246623B (en) * | 2003-03-28 | 2006-01-01 | Innolux Display Corp | An active matrix liquid crystal display |
| KR101117978B1 (ko) * | 2004-06-28 | 2012-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 |
| KR20070080050A (ko) * | 2006-02-06 | 2007-08-09 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP4923758B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2012-04-25 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR101213554B1 (ko) * | 2006-06-20 | 2012-12-18 | 가부시키가이샤 아루박 | 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 및 그의 제조 방법 |
| US7576815B2 (en) * | 2006-07-10 | 2009-08-18 | Intel Corporation | Method and apparatus of liquid-crystal-on-silicon assembly |
| US8120743B2 (en) * | 2006-09-07 | 2012-02-21 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device and production method thereof |
| JP2010237503A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| US9632362B2 (en) | 2014-07-03 | 2017-04-25 | Innolux Corporation | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device containing the same |
| KR102056595B1 (ko) * | 2015-12-17 | 2019-12-17 | 주식회사 엘지화학 | 액정 윈도우 및 이를 포함하는 광학 소자 |
| KR102184388B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2020-11-30 | 주식회사 엘지화학 | 투과도 가변 장치 및 그 용도 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55153919A (en) * | 1979-05-18 | 1980-12-01 | Hitachi Ltd | Manufacture of liquid crystal display element |
| JPH0715536B2 (ja) * | 1983-01-28 | 1995-02-22 | キヤノン株式会社 | 表示パネル |
| JPS6280626A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Hosiden Electronics Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS6398634A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-30 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPS63113424A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-18 | Hosiden Electronics Co Ltd | 液晶表示素子 |
| US5122891A (en) * | 1986-12-29 | 1992-06-16 | Goldstar Co., Ltd. | Color liquid crystal display device |
| JPH0320718A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-29 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH03287103A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Seiko Epson Corp | カラーフィルターの形成法 |
| JP2900948B2 (ja) * | 1990-05-08 | 1999-06-02 | 富士通株式会社 | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-15 KR KR1019910012025A patent/KR930002855A/ko not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-07-15 JP JP18787692A patent/JP3278725B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-15 US US07/913,417 patent/US5338240A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014089456A (ja) * | 1999-07-22 | 2014-05-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| KR100652063B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
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