JPH10143618A

JPH10143618A - データタグ装置

Info

Publication number: JPH10143618A
Application number: JP8295446A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Asuke; 尚志足助; Masao Kuroiwa; 政夫黒岩
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1996-11-07
Filing date: 1996-11-07
Publication date: 1998-05-29

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気記録層１２に書き込まれた磁気情報によ
る漏れ磁束をバイアス磁界とし、かつ、印加された交流
磁界によって磁歪振動する磁歪層１１を備える一方、当
該磁歪振動の共振点を検出することで情報を識別するデ
ータタグ装置において、扱う情報量を増加させる。【解決手段】磁気記録層１２によるバイアス磁界の大
きさを情報毎に異ならせる一方、当該共振点におけるピ
ーク位置を検出することにより、当該情報を識別する。
これにより、磁気情報の内容が同一であっても、バイア
ス磁界の大きさが異なれば、違う情報であると認識する
ことができるので、その分、扱う情報量を増加させるこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、強磁性磁歪材料か
らなる帯状の磁歪層がバイアス磁界と外部から印加され
る交流磁界とにより磁歪振動する際に生じる高次共振周
波数を、情報として有し、かつ、情報の読み取りを非接
触で行なうデータタグ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、社会生活においてデータの授受を
非接触で行なう情報記録媒体が多用されつつある。代表
的なものとしては、ＩＣカードが挙げられ、当該カード
のＩＣチップに接続されたアンテナを介し、ＲＦ帯域の
電磁波を送受信することでデータの授受が非接触で行な
われる。このようなＩＣカードは、個別認証（ＩＤ）
や、物流管理などの分野において広く利用されている。
しかし、ＩＣカードでは、多くの情報量を扱うことがで
きるものの、その製造コストが高いという難点がある。

【０００３】一方、非接触でデータの授受を行なう情報
記録媒体としては、他に、帯状の強磁性磁歪材料を用い
たものが知られており、例えば、万引き防止用のタグと
して利用されている。ここで、万引き防止用タグとは、
店舗に陳列された商品に、磁気を帯びた強磁性磁歪材料
をタグとして付したものをいい、店舗の出入口にタグの
磁気的性質を検出して警報を発するゲートを設けること
によって、未精算の商品がゲートを通過するのを防止し
ようと企図するものである。なお、精算が済むと当該タ
グの磁気的性質を変化させる処理が施されるので、精算
の済んだ商品がゲートを通過しても、警報は発せられな
い。このような帯状の強磁性磁歪材料を用いた情報記録
媒体は、基本的に磁気の有無により１ビットの情報を扱
うものであるが、最近では、例えば、ＷＯ（国際特許出
願公開公報）９２／１２４０２などにも記載されている
ように、複数のビットで示される情報を扱うものもあ
る。

【０００４】この技術にかかるデータタグの基本構成を
図９に示す。この図に示すように、着磁された帯状の半
硬質磁性材料５２が、方形盆形状の格納空間６１を有す
るケース６０の蓋となっているとともに、帯状の強磁性
磁歪材料としてのアモルファスリボン５１が、半硬質磁
性材料５２において格納空間６１と対抗する面に、共振
可能に配置されている。ここで、半硬質磁性材料とは、
軟質磁性材料と硬質磁性材料との中間的な保磁力を有す
る材料である。

【０００５】このような構成によるデータタグにおいて
は、アモルファスリボン５１に対し、半硬質磁性材料５
２によりバイアス磁界が印加された状態となる。この状
態において交流磁界を印加すると、アモルファスリボン
５１において磁歪振動が発生する。詳細には、図１０に
示すように、アモルファスリボン５１にバイアス磁界Ｂ
Ｈが印加された状態において、さらに交流磁界ＡＨを印
加すると、アモルファスリボン５１において磁歪の大き
さが所定周期で変化して、磁歪振動Ｓが発生する。この
アモルファスリボン５１の磁歪振動を受信機によって検
出し、その検出信号のピークを検出することで、共振周
波数が検出される。ここで、共振周波数は、アモルファ
スリボン５１の特性により定まるため、共振周波数を検
出することにより、そのデータタグに持たせた情報を特
定することができる。

【０００６】上記公報記載の技術は、このような技術を
応用したものであり、さらに、検出信号に含まれる複数
の共振周波数を利用して、複数のビットで示される情報
を扱うようにしたものである。詳細には、データタグに
おいて、半硬質磁性材料５２の長手方向に磁化パターン
を書き込むことで、アモルファスリボン５１へのバイア
ス磁界を変化させ、これにより発生する磁歪振動の共振
周波数も変化させる一方、受信機において、共振周波数
のピーク次数を選択して検出することにより、当該デー
タタグに持たせた情報を特定する技術である。例えば、
受信機が１〜４次の共振周波数を検出する場合、一方の
データタグに対しては１次および２次の共振周波数が発
生するように、また、他方のデータタグに対しては１次
および４次の共振周波数が発生するように、それぞれ磁
化パターンを書き込むと、受信機において検出される共
振周波数の次数は、一方のデータタグについては１次お
よび２次として検出され、また、他方のデータタグにつ
いては、１次および４次として検出されるので、データ
タグに持たせた情報を区別して特定することができる。
このように、磁化パターンを書き込むとともに、磁歪振
動の次数を選択して検出することで、実質的に、複数の
ビットで示される情報を扱うことが可能となる。

【０００７】また、上記公報記載の技術を発展させたも
のとしては、特開平７−１１０８５２号公報や、特開平
６−８４０２９号公報などに記載の技術がある。前者
は、強磁性磁歪材料における磁気層の磁性特性を規定す
ることで、高次高調波の尖鋭度を高くしてその識別性を
容易とした技術である。また、後者は、バイアス磁界の
大きさを情報として持たせるとともに、交流磁界を印加
して磁歪振動を発生させ、その大きさが所定値を越えた
際に発生するパルスの間隔が変化することにより、情報
を識別するものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報記載のいずれの技術においても、扱うことが可能な情
報量は、ＩＣカードを用いた場合と比べてかなり小さい
といえる。この理由は、データタグに持たせる情報が、
ＷＯ９２／１２４０２や、特開平７−１１０８５２号公
報に記載された技術においては、半硬質磁性材料に書き
込む磁化パターンのみで定まるからであり、また、特開
平６−８４０２９号公報に記載の技術においては、バイ
アス磁界の大きさのみで定まるからである。したがっ
て、これらの技術によるデータタグは、その情報量の低
さから、運用においてかなりの制限を受ける、といった
問題があった。本発明は上述した事情に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、扱うことが可能
な情報量を大幅に向上させたデータタグ装置を提供する
ことにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明にあっては、磁化パターンを記録した磁気記録
層と、前記磁化パターンからの漏れ磁束をバイアス磁界
とし、このバイアス磁界および外部から印加される交流
磁界によって磁歪振動する強磁性磁歪材とを有してな
り、情報毎に、前記磁化パターンによるバイアス磁界の
大きさを異ならせ、バイアス磁界と外部からの交流磁界
とにより当該磁歪振動の共振点を検出することで、情報
を識別することを特徴としている。

【００１０】強磁性磁歪材料からなる磁歪層において発
生する磁歪振動は、１次から始まる複数の振動の合成で
あり、そのうち、ｎ次の振動に対応する共振周波数ｆ_n
は、次式（１）のように示される。ｆ_n＝ｎ／（２Ｌ）・（Ｅ／ρ）^1/2 ……（１）なお、この式において、Ｌ、Ｅおよびρは、それぞれ帯
状の磁歪層における長手方向の長さ、ヤング率および質
量密度である。すなわち、磁歪層の磁歪振動におけるｎ
次の共振周波数ｆ_nは、その物理的性質および形状によ
って定まる。ここで、磁歪層の長さＬを変化させた場合
において、共振周波数ｆ_nと次数ｎとの関係について図
６に示す。

【００１１】ここで、バイアス磁界を印加した場合、当
該磁歪層が磁化されるため、そのヤング率が変化する。
このため、磁歪層の形状が同一でも、式（１）で示され
る共振周波数ｆ_nは、バイアス磁界の大きさによって変
化することになる。この関係について図７を参照して説
明すると、バイアス磁界の大きさがａ、ｂと互いに異な
る場合、同じ次数の共振周波数ｆ_a、ｆ_bも互いに異な
る。このため図８に示すように、バイアス磁界の大きさ
がａ、ｂである場合、これに対応する共振点のピーク位
置は、Δｆ（＝ｆ_b−ｆ_a）だけ相違することになる。し
たがって、このピーク位置の相違を受信機側で検出すれ
ば、磁化パターンの内容が同一であっても、別のデータ
であると認識することができる。

【００１２】すなわち、本発明は、データタグに持たせ
る情報を、磁化パターンの内容とともに、バイアス磁界
の大きさにより区別するものであり、受信側では、磁歪
振動における共振周波数の次数とともに、そのピーク位
置を検出することにより、データタグを特定しようとす
るものである。したがって、本願発明では、データタグ
に持たせる情報を、磁化パターンの内容とバイアス磁界
の大きさとの組合せで表現することができるので、単
に、磁化パターンの内容のみ、あるいは、バイアス磁界
の大きさのみにより表現した従来技術と比較して、扱う
ことが可能な情報量を飛躍的に増大することが可能とな
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の実施
形態にかかるデータタグ・モジュール１０の基本構成を
示す図である。この図に示すように、データタグ・モジ
ュール１０は、帯状の強磁性磁歪材料からなる磁歪層１
１と、帯状の半硬質磁性材料からなる磁気記録層１２と
により構成される。ここで、磁歪層１１は、磁気記録層
１２に対して、交流磁界が印加された場合に振動自在と
なるように、単に、磁気的な力のみにより載置されてい
るに過ぎない。すなわち、磁歪層１１は、磁気記録層１
２に対して接着や癒着等されていない。また、磁気記録
層１２には、所定の磁化パターンが記録されて、その漏
れ磁束により、磁歪層１１にバイアス磁界を印加するよ
うになっている。なお、この例は、磁気記録層１２とし
て、半硬質磁性材料自体を用いたものであるが、磁気記
録層１２としては、他に、非磁性基材に所定の磁性材料
をコーティングしたものなどが用いても良い（後述す
る）。

【００１４】このような構成によるデータタグ・モジュ
ール１０は、通常、図１（ｂ）に示されるように、非磁
性材料からなる基材２０に組み込まれて使用される。詳
細には、磁歪層１１は、基材２０の表面に設けられた方
形盆形状の格納空間２１において振動自在に収納される
とともに、磁気記録層１２が格納空間２１の蓋として取
り付けられる。これにより、磁気記録層１２は、その一
面が露出するので、磁気ヘッドなどによる外部磁界によ
り磁化パターンの書き換えが容易となる。

【００１５】また、このようなデータタグ・モジュール
１０は、図３に示すように、複数個組み合わせて用いる
ことで、より多くの情報を待たせることができる。図３
〜図５は、それぞれ図１（ｂ）におけるＡ−Ａ線の垂直
断面図である。

【００１６】次に、バイアス磁界を、データタグに持た
せる情報に応じて異ならせる具体的方法について説明す
る。まず、第１の方法としては、磁歪層１１と磁気記録
層１２との間隔を、データタグに持たせる情報に応じて
拡げることが考えられる。すなわち、磁歪層１１と磁気
記録層１２との距離をおくことにより、磁歪層１１に達
する漏れ磁束、すなわち、磁歪層１１に印加されるバイ
アス磁界を弱めるのである。

【００１７】この第１の方法の具体例を図３に示す。こ
の図に示す例は、磁歪層を複数個用いたものであり、格
納空間２１が非磁性材料からなる仕切２２によって仕切
られ、各磁歪層１１が磁歪振動したときに、一つの磁歪
層による振動が他の磁歪層の振動に影響を及ぼさない構
成となっている。なお、仕切２２は、各磁歪層１１が振
動自在となるように設けられているのはいうまでもな
い。この図に示す例においては、非磁性材料からなるス
ペーサ１４が、磁歪層１１と磁気記録層１２との間とと
もに、磁歪層１１と格納空間２１の底部との間に介挿さ
れる。この場合、磁歪層１１と磁気記録層１２との間に
介挿されるスペーサ１４の厚さは、持たせる情報毎に異
なっている。この構成によれば、データタグを上下左右
の区別なく用いることができるため、データタグを用い
る環境を拡大することができる。また、格納空間２１に
ついては、仕切２２で仕切るのではなく、図４に示すよ
うに、１つの磁歪層１１に、１つの格納空間２１を設け
て、各磁歪層１１を互いに隔離する構成としても良い。
スペーサ１４は、この例でも、図３に示す構成と同様
に、磁歪層１１と磁気記録層１２との間とともに、磁歪
層１１と格納空間２１の底部との間に介挿され、前者の
スペーサ１４の厚さは、持たせる情報毎に異なってい
る。さらに、この第１の方法における別の具体例として
は、図５に示すように、持たせる情報毎に、磁歪層１１
を収納する格納空間２１の深さを異ならせても良い。

【００１８】次に、第２の方法としては、磁気記録層１
２に磁化パターンを書き込む際の書込電流を、持たせる
情報毎に変化させることにより、磁歪層１１に印加され
るバイアス磁界を異ならせることが考えられる。すなわ
ち、磁気記録層１２には、磁気ヘッドにより所定の磁化
パターンが書き込まれるが、磁気ヘッドへの電流値を、
情報毎に異ならせて、磁化パターンによる漏れ磁束自体
の大きさを変化させ、磁歪層１１へのバイアス磁界を異
ならせるのである。したがって、この場合、データタグ
に持たせる情報に応じて、磁気ヘッドの電流値を設定す
ることにより、磁歪層１１に印加されるバイアス磁界を
変化させることできる。さらに、これらの第１および第
２の方法を組み合わせることも考えられる。

【００１９】一方、受信機は、情報毎にバイアス磁界が
異なるデータタグ・モジュール１０に交流磁界を印加し
て、磁歪層１１に磁歪振動を生じさせるとともに、その
共振周波数の次数およびそのピーク点を検出すること
で、そのデータタグ・モジュール１０に持たせた情報を
特定する。

【００２０】ここで、磁気記録層１２としての半硬質磁
性材料には、例えば次のようなものが用いられる。すな
わち、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合
金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｖ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｍｎ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金な
どの磁性合金を板状に延伸したものが用いられる。ま
た、Ｒ−Ｃｏ５のような希土類−コバルト磁石や、Ｂａ
−フェライト磁石、Ｓｒ−フェライト磁石、アルニコ系
磁石なども用いることができる。

【００２１】また、合金や、磁石自体を磁気記録層１２
として用いるほかに、Ｂａ−フェライト粉末や、Ｓｒ−
フェライト粉末などの磁気テープに用いられる磁性粉末
をバインダーに分散させて液状とし、これを、図２に示
すように、プラスティックなどの非磁性シート１３にコ
ーティングして形成したものを用いても良いし、これら
の磁性材料を非磁性シート１３に蒸着や、スパッタリン
グなどしたものを用いても良い。

【００２２】また、磁気記録層１２の一般的性質として
は、磁気記録の安定性を得る観点から言えば、その保磁
力が３００［Ｏｅ］以上であることが望ましく、一方、
磁気記録の消去を容易とする観点から言えば、その保磁
力が５０００［Ｏｅ］以下であることが望ましい。ここ
で、磁気記録層１２において、最も望ましい保磁力の範
囲は、１０００〜３０００［Ｏｅ］である。

【００２３】一方、磁歪層１１に用いられる帯状の強磁
性磁歪材料としては、透磁率が高くて磁歪が発生しやす
い性質を有するものが好ましく、例えば次のようなもの
が用いられる。すなわち、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂｉ系
や、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃ系、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｂ−Ｓｉ系などの合金を超急冷法によりアモルフ
ァス化し、厚さ１０〜５０μｍのリボンや、ストライ
プ、ワイヤなどの帯状に形成されたものが用いられる。
ここで、磁歪振動の検出感度を向上させるため、強磁性
磁歪材料には、超急冷後、所定の磁場においてアニール
処理を施しても良い。

【００２４】次に、本願発明者らは、前述の第１および
第２の方法により、バイアス磁界が異なるようにデータ
タグを作成した場合、実際に情報の識別が可能であるの
か否かの実験を行なった。なお、この実験においては、
あわせて、磁歪層に用いる強磁性材料と、磁気記録層に
用いる磁性材料とを具体的に特定することも行なった。
以下、この実験の内容について説明する。

【００２５】＜実験１＞本願発明者らは、まず、磁歪層
と磁気記録層との間に非磁性材料からなるスペーサを介
挿させて、強磁性磁歪材料に印加されるバイアス磁界を
互いに異なるようにした第１の方法について実験を行な
った。詳細には、磁歪層として、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂ
ｉ系合金からなる厚さ３０μｍアモルファスリボン（Me
tglas2826MB：アライド・シグナル社製）を用い、これ
をエッチングで長さ５０ｍｍ、幅２ｍｍに切り出した。
また、磁気記録層として、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ系合金（YH
J30-10：日立金属社製）を用いて、長さ５０ｍｍ、幅
２．５ｍｍとし、厚さを５０μｍとした。このような磁
気記録層には、磁気ヘッドにより、書込（バイアス）電
流１．２Ａ、交流バイアス５００Ｈｚにおいて、波長２
５ｍｍの正弦波を重畳して磁化パターンとして書き込ん
だ後、アモルファスリボンと載置して一方のモジュール
とした。また、これとは別に、アモルファスリボンと、
同条件で磁化パターンを書き込んだ磁気記録層との間
に、非磁性材料である厚さ５０μｍのＰＥＴシートを介
挿して他方のモジュールとした。

【００２６】そして、これらのモジュールに交流磁界を
印加して、磁歪振動における共振点のピーク検出を行な
ったところ、スペーサを介挿していない一方のモジュー
ルでは、１８１ｋＨｚにおいて第４次共振点のピークが
大きく得られた。これに対し、スペーサを介挿している
他方のモジュールでは、同じピークが１７６ｋＨｚにお
いて得られた。また、２つのモジュールに交流磁界を同
時に印加して、共振点のピーク検出を行なったところ、
図８に示すようなスペクトルを得ることができ、両者を
実際に区別できることも確認された。なお、スペーサの
厚さが５００μｍよりも大きくなると、共振点における
ピークが小さくなり、両者を区別することができなくな
ることも確認された。

【００２７】＜実験２＞次に、本願発明者らは、磁気記
録層に磁化パターンを書き込む際のバイアス電流を変化
させて、磁歪層に印加されるバイアス磁界を互いに異な
るようにした第２の方法について実験を行なった。詳細
には、磁歪層および磁気記録層として、実験１と同様な
材料を用い、磁気ヘッドにより磁気記録層への書込電流
を、０．５Ａおよび１．２Ａと異ならせた。なお、この
他の条件は、実験１と同一である。

【００２８】そして、これらのモジュールに交流磁界を
印加して、磁歪振動における共振点のピーク検出を行な
ったところ、書込電流が１．２Ａのモジュールでは、実
験１におけるスペーサなしのモジュールと同様に、１８
１ｋＨｚにおいて第４次共振点のピークが大きく得られ
た。これに対し、書込電流が０．５Ａのモジュールで
は、同じピークが１７７ｋＨｚにおいて得られた。ま
た、２つのモジュールに交流磁界を同時に印加して、共
振点のピーク検出を行なったところ、両者を実際に区別
できることも確認された。

【００２９】このように、バイアス磁界を異ならせるに
は、実験１のように、磁歪層と磁気記録層との間隔をス
ペーサを介挿して変化させる方法や、実験２のように、
磁気記録層に磁化パターンを書き込む際の書込電流をさ
せる方法、さらに、これらを組み合わせる方法などがあ
る。そして、バイアス磁界を異ならせることにより、情
報の識別に用いる共振点のピーク位置をズラすことがで
き、共振点のピーク位置を検出することで、別々の情報
を記録する媒体として区別することができる。したがっ
て、単に、磁化パターンの内容のみ、あるいは、バイア
ス磁界の大きさのみにより情報を区別する従来の方法と
比べると、扱う情報量を増大することが可能となる。例
えば、同一の磁化パターンに対して、共振点のピーク位
置を２種類識別するのであれば、扱う情報量は２倍とな
る。

【００３０】さらに、予め基準となる磁化パターンおよ
びバイアス磁界を定めておき、その共振点のピーク次数
とその位置とを設定しておく一方、バイアス磁界を異な
らせてデータタグに情報を持たせる場合には、基準とな
るピーク位置からどれだけ周波数が偏位しているかを情
報として持たせることも考えられる。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、扱
う情報量を増大することが容易に可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の実施形態にかかるデータタ
グ・モジュールの構成を示す斜視図であり、（ｂ）は同
モジュールを支持体に組み込んだ状態を示す側断面図で
ある。

【図２】磁気記録層を非磁性基材に形成した例を示す
側断面図である。

【図３】図１（ｂ）におけるＡ−Ａ線の垂直断面図で
あって、複数の磁歪層を用いる場合において、バイアス
磁界を異ならせるため一例を示す図である。

【図４】図１（ｂ）におけるＡ−Ａ線の垂直断面図で
あって、複数の磁歪層を用いる場合において、バイアス
磁界を異ならせるため一例を示す図である。

【図５】図１（ｂ）におけるＡ−Ａ線の垂直断面図で
あって、複数の磁歪層を用いる場合において、バイアス
磁界を異ならせるため一例を示す図である。

【図６】共振次数と共振周波数との関係を示す図であ
る。

【図７】バイアス磁界と共振周波数との関係を示す図
である。

【図８】バイアス磁界を異ならせた場合における共振
周波数の相違を説明するための図である。

【図９】従来のデータタグ・モジュールの構成を示す
側断面図である。

【図１０】強磁性磁歪材料に印加される磁界と磁歪と
の関係を示す図である。

【符号の説明】

１１……磁歪層、１２……磁気記録層、１３……非磁性シート、１４……スペーサ（１３、１４いずれもスペーサ）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＧ１１Ｂ 5/80 Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁化パターンを記録した磁気記録層と、
前記磁化パターンからの漏れ磁束をバイアス磁界とし、
このバイアス磁界および外部から印加される交流磁界に
よって磁歪振動する強磁性磁歪材とを有してなり、情報毎に、前記磁化パターンによるバイアス磁界の大き
さを異ならせ、バイアス磁界と外部からの交流磁界とにより当該磁歪振
動の共振点を検出することで、情報を識別することを特
徴とするデータタグ装置。
【請求項２】前記強磁性磁歪材を複数配置することに
より、複数の情報を保持してなることを特徴とする請求
項１記載のデータタグ装置。
【請求項３】前記強磁性磁歪材は、アモルファス磁歪
材料からなることを特徴とする請求項１記載のデータタ
グ装置。
【請求項４】前記磁気記録層と前記強磁性磁歪材との
間隔を変えることにより、前記磁化パターンによるバイ
アス磁界の大きさを情報毎に異ならせることを特徴とす
る請求項１記載のデータタグ装置。
【請求項５】前記支持体と前記強磁性磁歪材との間隔
を、非磁性材料からなるスペーサを用いて変化させるこ
とを特徴とする請求項４記載のデータタグ装置。
【請求項６】前記磁気記録層と前記強磁性磁歪材との
間隔は５００μｍ以下であることを特徴とする請求項３
記載のデータタグ装置。
【請求項７】前記磁気記録層に対し、磁気ヘッドによ
り磁化パターンを記録する際の書込電流値を情報毎に異
なるように設定することで、前記磁化パターンによるバ
イアス磁界の大きさを異ならせることを特徴とする請求
項１記載のデータタグ装置。