JPH10143901A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
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- JPH10143901A JPH10143901A JP8301544A JP30154496A JPH10143901A JP H10143901 A JPH10143901 A JP H10143901A JP 8301544 A JP8301544 A JP 8301544A JP 30154496 A JP30154496 A JP 30154496A JP H10143901 A JPH10143901 A JP H10143901A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- beam splitter
- slope
- optical pickup
- glass material
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/04—Prisms
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1356—Double or multiple prisms, i.e. having two or more prisms in cooperation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/283—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
- G02B27/4233—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive element [DOE] contributing to a non-imaging application
- G02B27/4238—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive element [DOE] contributing to a non-imaging application in optical recording or readout devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1814—Diffraction gratings structurally combined with one or more further optical elements, e.g. lenses, mirrors, prisms or other diffraction gratings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透過率、反射率、Ｐ−Ｓ位相差等の光学特性
の光の入射角度依存性の少ない光ピックアップを提供す
ること。 【解決手段】 断面が略平行四辺形である硝材２の斜面
３上にメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．
５）の混合からなる複合膜並びに複数の誘電体膜を積層
した多層膜を偏光ビームスプリッタ膜４とし、同一の硝
材内であって前記偏光ビームスプリッタ膜４を配した斜
面３と略平行の関係にある斜面５上に高屈折率膜として
メタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の
混合からなる複合膜並びに相対的に低屈折率膜として複
数の誘電体膜を積層した多層膜を反射膜６とした平行プ
リズムを含むことを特徴とする。
の光の入射角度依存性の少ない光ピックアップを提供す
ること。 【解決手段】 断面が略平行四辺形である硝材２の斜面
３上にメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．
５）の混合からなる複合膜並びに複数の誘電体膜を積層
した多層膜を偏光ビームスプリッタ膜４とし、同一の硝
材内であって前記偏光ビームスプリッタ膜４を配した斜
面３と略平行の関係にある斜面５上に高屈折率膜として
メタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の
混合からなる複合膜並びに相対的に低屈折率膜として複
数の誘電体膜を積層した多層膜を反射膜６とした平行プ
リズムを含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、拡散光を用いて集
積化を図った光ピックアップに関するものである。
積化を図った光ピックアップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来レーザー光の照射により情報の記録
・再生を行う光ディスクとしては、光磁気ディスク、追
記型光ディスク、コンパクトディスク（略してＣＤ）、
レーザーディスクが既に実用化されている。そして今日
次世代記録メディアとしてディジタルビデオディスク
（略してＤＶＤ）に期待が集まっている。
・再生を行う光ディスクとしては、光磁気ディスク、追
記型光ディスク、コンパクトディスク（略してＣＤ）、
レーザーディスクが既に実用化されている。そして今日
次世代記録メディアとしてディジタルビデオディスク
（略してＤＶＤ）に期待が集まっている。
【０００３】光ピックアップは、これら光ディスクで記
録・再生の役を担っている。時代の趨勢として、光ピッ
クアップの集積化に伴う小型化に向けた技術開発が重要
な位置を占めている。
録・再生の役を担っている。時代の趨勢として、光ピッ
クアップの集積化に伴う小型化に向けた技術開発が重要
な位置を占めている。
【０００４】このような光ピックアップの一例として、
特願平７ー１３６４６２号公報で、図８及び図９に示さ
れるような光磁気ディスクを対象とした小型の光ピック
アップが提案されている。図８は上記従来の光学系の概
略断面図であり、図９は受光素子、発光素子及び検光子
部分の上面図である。図８、９において、８１は光学モ
ジュールであり、その内部には基板８２が設けられてい
る。基板８２上には発光素子としてのレーザーダイオー
ド８３と受光素子としての光検出素子８４、８５、８６
が設けられている。レーザーダイオード８３は例えば基
板８２の一部に略４５°の斜面を有する凹部を設け、そ
の中に発光チップを搭載して、発光チップからの放射光
が４５°の斜面にあたり、反射して上方に放射させるよ
うにしたものである。光検出素子８４、８５は、それぞ
れ６個ずつの分割された部分８４ａ〜８４ｆおよび８５
ａ〜８５ｆから成っており、光検出素子８６は光検出素
子８４、８５の配列方向に対して略４５°傾いた方向に
分割された２個の部分８６ａ、８６ｂから成り立ってい
る。
特願平７ー１３６４６２号公報で、図８及び図９に示さ
れるような光磁気ディスクを対象とした小型の光ピック
アップが提案されている。図８は上記従来の光学系の概
略断面図であり、図９は受光素子、発光素子及び検光子
部分の上面図である。図８、９において、８１は光学モ
ジュールであり、その内部には基板８２が設けられてい
る。基板８２上には発光素子としてのレーザーダイオー
ド８３と受光素子としての光検出素子８４、８５、８６
が設けられている。レーザーダイオード８３は例えば基
板８２の一部に略４５°の斜面を有する凹部を設け、そ
の中に発光チップを搭載して、発光チップからの放射光
が４５°の斜面にあたり、反射して上方に放射させるよ
うにしたものである。光検出素子８４、８５は、それぞ
れ６個ずつの分割された部分８４ａ〜８４ｆおよび８５
ａ〜８５ｆから成っており、光検出素子８６は光検出素
子８４、８５の配列方向に対して略４５°傾いた方向に
分割された２個の部分８６ａ、８６ｂから成り立ってい
る。
【０００５】８７はガラス又は樹脂で構成された透明基
板であり、レーザーダイオード８３に対向する面には略
５°〜２０°で回折される±１次回折光の焦点位置が異
なるようなレンズ効果を有するホログラム回折格子８８
が形成されており、透明基板８７は光学モジュール８１
上に内部を密封する形で設けられている。８９は断面が
略直角三角形の三角形プリズムと断面が略４５°である
略平行四辺形のプリズムを接合し断面が略台形となった
偏光プリズムであり、その接合部８９ａには例えばレー
ザーダイオード８３から放射される光がＰ偏光の時にＰ
偏光の透過率が略７０％、Ｐ偏光の反射率が略３０％、
Ｓ偏光の反射率が略１００％になるように（表１）で示
すような各種の誘電体薄膜を多層化して構成した偏光ス
プリッタ膜を設けている。
板であり、レーザーダイオード８３に対向する面には略
５°〜２０°で回折される±１次回折光の焦点位置が異
なるようなレンズ効果を有するホログラム回折格子８８
が形成されており、透明基板８７は光学モジュール８１
上に内部を密封する形で設けられている。８９は断面が
略直角三角形の三角形プリズムと断面が略４５°である
略平行四辺形のプリズムを接合し断面が略台形となった
偏光プリズムであり、その接合部８９ａには例えばレー
ザーダイオード８３から放射される光がＰ偏光の時にＰ
偏光の透過率が略７０％、Ｐ偏光の反射率が略３０％、
Ｓ偏光の反射率が略１００％になるように（表１）で示
すような各種の誘電体薄膜を多層化して構成した偏光ス
プリッタ膜を設けている。
【０００６】
【表１】
【０００７】偏光プリズム８９は透明基板８７上に一体
に構成されており、斜面８９ｂは光学モジュール８１の
内部に向かって傾斜した面であって、該面８９ｂ上には
（表２）で示すような各種の誘電体薄膜を多層化して構
成した反射膜を設けている。
に構成されており、斜面８９ｂは光学モジュール８１の
内部に向かって傾斜した面であって、該面８９ｂ上には
（表２）で示すような各種の誘電体薄膜を多層化して構
成した反射膜を設けている。
【０００８】
【表２】
【０００９】９０は断面が三角形のプリズムと断面が平
行四辺形のプリズムを接合した断面が台形となるプリズ
ム型検光子であり、その接合面は、Ｐ偏光の透過率が略
１００％、Ｓ偏光の反射率が略１００％に設定された偏
光分離面９０ａである。プリズム型検光子９０は、基板
８２上で光検出素子８６の上部に設けられており、偏光
分離面９０ａが光検出素子８６の部分８６ａの上部に配
置され、斜面９０ｂが光検出素子８６の部分８６ｂの上
方に配置される。９１は、偏光プリズム８９の上方に設
けられた集光素子としての対物レンズである。
行四辺形のプリズムを接合した断面が台形となるプリズ
ム型検光子であり、その接合面は、Ｐ偏光の透過率が略
１００％、Ｓ偏光の反射率が略１００％に設定された偏
光分離面９０ａである。プリズム型検光子９０は、基板
８２上で光検出素子８６の上部に設けられており、偏光
分離面９０ａが光検出素子８６の部分８６ａの上部に配
置され、斜面９０ｂが光検出素子８６の部分８６ｂの上
方に配置される。９１は、偏光プリズム８９の上方に設
けられた集光素子としての対物レンズである。
【００１０】上記のように構成された光磁気ピックアッ
プでは、レーザーダイオード８３から放射されたＰ偏光
の光は、ホログラム回折素子８８が形成された透明基板
８７を透過して偏光プリズム８９の偏光スプリッタ面８
９ａに入射する。偏光スプリッタ面８９ａではＰ偏光の
透過率が略７０％、Ｐ偏光の反射率が略３０％、Ｓ偏光
の反射率が略１００％に設定されているので光の略７０
％が透過し、対物レンズ９１によって光磁気記録媒体９
２上に集光される。光磁気記録媒体９２上では、記録さ
れている磁気信号によって光の偏光面が略０．５°程度
回転され、光磁気信号成分として若干のＳ偏光成分を得
て光りは反射し、再び対物レンズ９１を通過して偏光プ
リズム８９の偏光分離面８９ａに戻る。
プでは、レーザーダイオード８３から放射されたＰ偏光
の光は、ホログラム回折素子８８が形成された透明基板
８７を透過して偏光プリズム８９の偏光スプリッタ面８
９ａに入射する。偏光スプリッタ面８９ａではＰ偏光の
透過率が略７０％、Ｐ偏光の反射率が略３０％、Ｓ偏光
の反射率が略１００％に設定されているので光の略７０
％が透過し、対物レンズ９１によって光磁気記録媒体９
２上に集光される。光磁気記録媒体９２上では、記録さ
れている磁気信号によって光の偏光面が略０．５°程度
回転され、光磁気信号成分として若干のＳ偏光成分を得
て光りは反射し、再び対物レンズ９１を通過して偏光プ
リズム８９の偏光分離面８９ａに戻る。
【００１１】偏光分離面８９ａでは、Ｐ偏光の透過率が
略７０％、Ｐ偏光の反射率が略３０％、Ｓ偏光の反射率
が略１００％に設定されているので、Ｐ偏光成分の略７
０％は透過し、Ｐ偏光成分の略３０％と光磁気信号成分
であるＳ偏光成分の略１００％は反射する。このうち、
偏光分離面８９ａを反射した光は斜面８９ｂで反射され
て透明基板８７を透過して光学モジュール８１内に入
り、プリズム型検光子９０の偏光分離面９０ａに入射す
る。偏光分離面９０ａでは、Ｐ偏光の透過率が略１００
％、Ｓ偏光の反射率が略１００％に設定されているの
で、Ｐ偏光成分は透過して光検出素子８６の部分８６ａ
に入射し、Ｓ偏光成分は反射して斜面９０ｂで反射され
た後に光検出素子８６の部分８６ｂに入射する。
略７０％、Ｐ偏光の反射率が略３０％、Ｓ偏光の反射率
が略１００％に設定されているので、Ｐ偏光成分の略７
０％は透過し、Ｐ偏光成分の略３０％と光磁気信号成分
であるＳ偏光成分の略１００％は反射する。このうち、
偏光分離面８９ａを反射した光は斜面８９ｂで反射され
て透明基板８７を透過して光学モジュール８１内に入
り、プリズム型検光子９０の偏光分離面９０ａに入射す
る。偏光分離面９０ａでは、Ｐ偏光の透過率が略１００
％、Ｓ偏光の反射率が略１００％に設定されているの
で、Ｐ偏光成分は透過して光検出素子８６の部分８６ａ
に入射し、Ｓ偏光成分は反射して斜面９０ｂで反射され
た後に光検出素子８６の部分８６ｂに入射する。
【００１２】上記のような構成による光磁気ピックアッ
プでは光学モジュール８１と一体にＰ偏光とＳ偏光とで
反射率及び透過率の異なる偏光プリズム８９を設けたこ
と、及び光学モジュール８１の内部にレーザーダイオー
ド８３と光検出素子８４〜８６を設け、この基板上に一
体にプリズム型検光子を設けたことにより、小型で低コ
ストの集積化された光磁気ディスク用光ピックアップを
可能とした。
プでは光学モジュール８１と一体にＰ偏光とＳ偏光とで
反射率及び透過率の異なる偏光プリズム８９を設けたこ
と、及び光学モジュール８１の内部にレーザーダイオー
ド８３と光検出素子８４〜８６を設け、この基板上に一
体にプリズム型検光子を設けたことにより、小型で低コ
ストの集積化された光磁気ディスク用光ピックアップを
可能とした。
【００１３】また、特願平７ー１８８８９８号公報で図
１０（ａ）、（ｂ）に示すようなＤＶＤを対象とした小
型の光ピックアップが提案されている。図１０（ａ）は
従来の光学系の概略断面図であり、（ｂ）は受光素子部
分の拡大上面図である。
１０（ａ）、（ｂ）に示すようなＤＶＤを対象とした小
型の光ピックアップが提案されている。図１０（ａ）は
従来の光学系の概略断面図であり、（ｂ）は受光素子部
分の拡大上面図である。
【００１４】図１０において、１０３は光学モジュール
であり、その内部には基板１０４が設けられている。基
板１０４には、レーザーダイオード１０５と光検出素子
１０６、１０７、１０８が設けられている。レーザーダ
イオード１０５は、例えば基板１０４の一部に４５°の
斜面を有する凹部を設け、その中に発光チップを搭載し
て、発光チップからの放射光が４５°の斜面にあたり、
反射して上方に放射させるようにしたものであり、Ｐ偏
光の直線偏光の光を放射する。光検出素子１０６、１０
８はそれぞれ４個ずつの分割された１０６ａ、１０６
ｂ、１０６ｃ、１０６ｄ及び１０８ａ、１０８ｂ、１０
８ｃ、１０８ｄから成っており、領域１０６ｂと領域１
０６ｄを分割する分割線及び領域１０８ｂと領域１０８
ｄを分割する分割線の方向が情報記録媒体１２４の情報
トラック列の方向と略平行になるように構成されてい
る。１０９はガラスまたは樹脂で構成された透明基板で
あり、基板１０４に対向する面のうち光検出素子１０
６、１０７、１０８に対向する領域には、略５°〜２０
°の回折角で回折される±１次回折光の焦点位置が光検
出素子１０６、１０７、１０８の面を中心に、それぞれ
透明基板１０９に近い側と遠い側に来るようなレンズ効
果を有するホログラム回折格子１２０が設けられてお
り、透明基板１０９は、光学モジュール１０３の内部を
密閉する形で設けられている。
であり、その内部には基板１０４が設けられている。基
板１０４には、レーザーダイオード１０５と光検出素子
１０６、１０７、１０８が設けられている。レーザーダ
イオード１０５は、例えば基板１０４の一部に４５°の
斜面を有する凹部を設け、その中に発光チップを搭載し
て、発光チップからの放射光が４５°の斜面にあたり、
反射して上方に放射させるようにしたものであり、Ｐ偏
光の直線偏光の光を放射する。光検出素子１０６、１０
８はそれぞれ４個ずつの分割された１０６ａ、１０６
ｂ、１０６ｃ、１０６ｄ及び１０８ａ、１０８ｂ、１０
８ｃ、１０８ｄから成っており、領域１０６ｂと領域１
０６ｄを分割する分割線及び領域１０８ｂと領域１０８
ｄを分割する分割線の方向が情報記録媒体１２４の情報
トラック列の方向と略平行になるように構成されてい
る。１０９はガラスまたは樹脂で構成された透明基板で
あり、基板１０４に対向する面のうち光検出素子１０
６、１０７、１０８に対向する領域には、略５°〜２０
°の回折角で回折される±１次回折光の焦点位置が光検
出素子１０６、１０７、１０８の面を中心に、それぞれ
透明基板１０９に近い側と遠い側に来るようなレンズ効
果を有するホログラム回折格子１２０が設けられてお
り、透明基板１０９は、光学モジュール１０３の内部を
密閉する形で設けられている。
【００１５】１２１は、断面が略直角三角形のプリズム
と断面が略４５°である略平行四辺形のプリズムを接合
した偏光ビームスプリッタであり、その接合面では、Ｐ
偏光の光は透過しＳ偏光の光は反射する光学膜１２１ａ
である。光学膜１２１ａは（表３）に示すように、誘電
体膜を多層化して構成されている。
と断面が略４５°である略平行四辺形のプリズムを接合
した偏光ビームスプリッタであり、その接合面では、Ｐ
偏光の光は透過しＳ偏光の光は反射する光学膜１２１ａ
である。光学膜１２１ａは（表３）に示すように、誘電
体膜を多層化して構成されている。
【００１６】
【表３】
【００１７】偏光ビームスプリッタ１２１は透明基板１
０９上に一体に構成されており、斜面１２１ｂは、光学
モジュール１０３の内部に向かって傾斜している。１２
２は偏光ビームスプリッタ１２１の上面に一体に設けら
れた１／４波長板であり、直線偏光の光を円偏光に変え
る。
０９上に一体に構成されており、斜面１２１ｂは、光学
モジュール１０３の内部に向かって傾斜している。１２
２は偏光ビームスプリッタ１２１の上面に一体に設けら
れた１／４波長板であり、直線偏光の光を円偏光に変え
る。
【００１８】上記のように構成された光ピックアップで
は、レーザーダイオード１０５より放射されたＰ偏光の
光は、透明基板１０９を通過して偏光ビームスプリッタ
１２１に入射し、光学膜１２１ａを透過して、１／４波
長板１２２に入射する。ここでＰ偏光の光は円偏光に変
わって出射され、対物レンズ１２３により情報記録媒体
１２４上に集光される。情報記録媒体１２４上で情報信
号を得て反射した円偏光の光は、再び対物レンズ１２３
を透過して１／４波長板１２２に入射する。ここで、再
び１／４波長板１２２を透過することにより、円偏光の
光はレーザーダイオードより放射されたＰ偏光と直交す
る直線偏光、すなわちＳ偏光に変わって出射され、偏光
ビームスプリッタ１２１に入射し、光学膜１２１ａで反
射され、斜面１２１ｂで反射された後に透明基板１０９
のホログラム回折格子１２０に入射する。
は、レーザーダイオード１０５より放射されたＰ偏光の
光は、透明基板１０９を通過して偏光ビームスプリッタ
１２１に入射し、光学膜１２１ａを透過して、１／４波
長板１２２に入射する。ここでＰ偏光の光は円偏光に変
わって出射され、対物レンズ１２３により情報記録媒体
１２４上に集光される。情報記録媒体１２４上で情報信
号を得て反射した円偏光の光は、再び対物レンズ１２３
を透過して１／４波長板１２２に入射する。ここで、再
び１／４波長板１２２を透過することにより、円偏光の
光はレーザーダイオードより放射されたＰ偏光と直交す
る直線偏光、すなわちＳ偏光に変わって出射され、偏光
ビームスプリッタ１２１に入射し、光学膜１２１ａで反
射され、斜面１２１ｂで反射された後に透明基板１０９
のホログラム回折格子１２０に入射する。
【００１９】ここで、光は略５°〜２０°の回折角で回
折され、例えば＋１次回折光は光検出素子１０６に入射
し、０次光は光検出素子１０７に入射し−１次回折光は
光検出素子１０８に入射する。
折され、例えば＋１次回折光は光検出素子１０６に入射
し、０次光は光検出素子１０７に入射し−１次回折光は
光検出素子１０８に入射する。
【００２０】上記のような構成によるＤＶＤを対象とし
た光ピックアップでは光学モジュール１０３と偏光ビー
ムスプリッタ１２１を一体に設け、偏光ビームスプリッ
タ１２１と１／４波長板１２２を一体に設けたことによ
り、光ピックアップの大幅な小型化が可能となった。ま
た、光学モジュール内１０３に一体にレーザーダイオー
ド１０５と光検出素子１０６、１０７、１０８が構成さ
れているので、部品点数が少なく、また光検出素子１０
６、１０７、１０８の高精度な位置決めが不用となって
光ピックアップの低コスト化が可能となった。
た光ピックアップでは光学モジュール１０３と偏光ビー
ムスプリッタ１２１を一体に設け、偏光ビームスプリッ
タ１２１と１／４波長板１２２を一体に設けたことによ
り、光ピックアップの大幅な小型化が可能となった。ま
た、光学モジュール内１０３に一体にレーザーダイオー
ド１０５と光検出素子１０６、１０７、１０８が構成さ
れているので、部品点数が少なく、また光検出素子１０
６、１０７、１０８の高精度な位置決めが不用となって
光ピックアップの低コスト化が可能となった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】光ピックアップにおけ
る構成要素の集積化は、本質的に光源としてある広がり
を持った拡散光である半導体レーザーを用いて行われる
ために、光ピックアップの構成要素のもつ光学特性は、
入射角に強く影響をうける。
る構成要素の集積化は、本質的に光源としてある広がり
を持った拡散光である半導体レーザーを用いて行われる
ために、光ピックアップの構成要素のもつ光学特性は、
入射角に強く影響をうける。
【００２２】図８、９で示した光磁気ディスク用光ピッ
クアップでは、多くの場合、断面が略平行四辺形である
硝材の８９ａ面及び該８９ａと略平行である面８９ｂに
それぞれ配した偏光ビームスプリッタ膜及び反射膜を複
数の誘電体膜のみで構成しているために、幅広い入射角
に伴ってＰ偏光とＳ偏光間の位相差が発生する。
クアップでは、多くの場合、断面が略平行四辺形である
硝材の８９ａ面及び該８９ａと略平行である面８９ｂに
それぞれ配した偏光ビームスプリッタ膜及び反射膜を複
数の誘電体膜のみで構成しているために、幅広い入射角
に伴ってＰ偏光とＳ偏光間の位相差が発生する。
【００２３】偏光ビームスプリッタ膜での反射光のＰ偏
光とＳ偏光間の位相差（以下Ｐ−Ｓ位相差と略す）、反
射膜での反射光のＰ−Ｓ位相差、及び、偏光ビームスプ
リッタ膜／反射膜の反射光のＰ−Ｓ位相差の合計、即
ち、ディスクで反射した光が光検出素子に入射する際の
Ｐ−Ｓ位相差の光の入射角度依存性を図１１に示すが、
この図が示すように、光の入射角度が４５゜±１０゜の
場合、偏光ビームスプリッタ膜のＰ−Ｓ位相差は−５０
゜〜＋４０゜、反射膜のＰ−Ｓ位相差は−５０゜〜＋５
０゜以上であり、光検出素子に入射する際の光のＰ−Ｓ
位相差（同図では総合のＰ−Ｓ位相差として表してい
る）も−５０゜〜＋５０゜以上である。
光とＳ偏光間の位相差（以下Ｐ−Ｓ位相差と略す）、反
射膜での反射光のＰ−Ｓ位相差、及び、偏光ビームスプ
リッタ膜／反射膜の反射光のＰ−Ｓ位相差の合計、即
ち、ディスクで反射した光が光検出素子に入射する際の
Ｐ−Ｓ位相差の光の入射角度依存性を図１１に示すが、
この図が示すように、光の入射角度が４５゜±１０゜の
場合、偏光ビームスプリッタ膜のＰ−Ｓ位相差は−５０
゜〜＋４０゜、反射膜のＰ−Ｓ位相差は−５０゜〜＋５
０゜以上であり、光検出素子に入射する際の光のＰ−Ｓ
位相差（同図では総合のＰ−Ｓ位相差として表してい
る）も−５０゜〜＋５０゜以上である。
【００２４】しかしながら、良好な光磁気ディスクの再
生を行うためには光検出素子に入射する際の光のＰ−Ｓ
位相差は少なくとも−２０゜〜＋２０゜程度に抑える必
要があり、上記従来の偏光ビームスプリッタ膜、反射膜
では拡散光に対応した光ピックアップを構成することが
困難であった。
生を行うためには光検出素子に入射する際の光のＰ−Ｓ
位相差は少なくとも−２０゜〜＋２０゜程度に抑える必
要があり、上記従来の偏光ビームスプリッタ膜、反射膜
では拡散光に対応した光ピックアップを構成することが
困難であった。
【００２５】また図１０で示したＤＶＤを対象とした光
ピックアップでは、幅広い入射角を伴った際に、例えば
図１２に示すようにＰ偏光に対する偏光ビームスプリッ
タ膜の透過率の入射角度依存性が大きい（入射角度４５
゜±１０゜で透過率５０％〜１００％）ため、受光部に
導かれる光量が減少し、良好な再生ができなくなる。
ピックアップでは、幅広い入射角を伴った際に、例えば
図１２に示すようにＰ偏光に対する偏光ビームスプリッ
タ膜の透過率の入射角度依存性が大きい（入射角度４５
゜±１０゜で透過率５０％〜１００％）ため、受光部に
導かれる光量が減少し、良好な再生ができなくなる。
【００２６】さらに、ホログラム格子１２０を光学モジ
ュール１３の内部を密閉する形で設けられた透明基板１
０９上に配しているために、ホログラム格子と光検出素
子１０６、１０７、１０８の間隔を小さくした場合、回
折光の回折角度θを大きくする、即ち回折格子のピッチ
を小さくすることが必要となるため、回折格子の製造が
困難となり良好な光ピックアップを構成できないという
問題があった。
ュール１３の内部を密閉する形で設けられた透明基板１
０９上に配しているために、ホログラム格子と光検出素
子１０６、１０７、１０８の間隔を小さくした場合、回
折光の回折角度θを大きくする、即ち回折格子のピッチ
を小さくすることが必要となるため、回折格子の製造が
困難となり良好な光ピックアップを構成できないという
問題があった。
【００２７】本発明は、前記従来の問題、即ち位相差を
低減した光磁気ピックを提供することを目的とする。
低減した光磁気ピックを提供することを目的とする。
【００２８】さらに本発明は、再生時の光量の効率を改
善並びに回折格子のピッチを大きくできることを図った
ＤＶＤを対象とした光ピックアップを提供するものであ
る。
善並びに回折格子のピッチを大きくできることを図った
ＤＶＤを対象とした光ピックアップを提供するものであ
る。
【００２９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の光磁気ディスク用光ピックアップは、断面
が略平行四辺形である硝材の斜面上に、メタルＳｉと酸
化物ＳｉＯ2ーx（但しｘ＜０．５）の混合からなる複合
膜並びに複数の誘電体膜を積層した多層膜を偏光ビーム
スプリッタとし、さらに同一の硝材内であって前記偏光
ビームスプリッタを配した斜面と略平行の関係にある斜
面上に高屈折率膜としてメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーx
（但しＸ＜０．５）の混合からなる複合膜並びに相対的
に低屈折率膜として複数の誘電体膜を積層した多層膜を
反射膜とした略平行プリズムを備えたものである。
に、本発明の光磁気ディスク用光ピックアップは、断面
が略平行四辺形である硝材の斜面上に、メタルＳｉと酸
化物ＳｉＯ2ーx（但しｘ＜０．５）の混合からなる複合
膜並びに複数の誘電体膜を積層した多層膜を偏光ビーム
スプリッタとし、さらに同一の硝材内であって前記偏光
ビームスプリッタを配した斜面と略平行の関係にある斜
面上に高屈折率膜としてメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーx
（但しＸ＜０．５）の混合からなる複合膜並びに相対的
に低屈折率膜として複数の誘電体膜を積層した多層膜を
反射膜とした略平行プリズムを備えたものである。
【００３０】前記本発明の光磁気ピックアップにおける
略平行プリズムでは、前記偏光ビームスプリッタを構成
している複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋは、ｎ≧２．
８、ｋ≦０．３であることが好ましい。
略平行プリズムでは、前記偏光ビームスプリッタを構成
している複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋは、ｎ≧２．
８、ｋ≦０．３であることが好ましい。
【００３１】また、前記本発明の光ピックアップにおけ
る略平行プリズムでは、前記反射膜を構成している複合
膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋがｎ≧２．８、ｋ≦０．３
であることが好ましい。
る略平行プリズムでは、前記反射膜を構成している複合
膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋがｎ≧２．８、ｋ≦０．３
であることが好ましい。
【００３２】また先に記載したＤＶＤにおいて、前記目
的を達成するために、本発明の光ピックアップは、断面
が略平行四辺形である硝材の斜面上にメタルＳｉと酸化
物ＳｉＯ2-x（ｘ＜０．５）の混合からなる複合膜並び
に複数の誘電体膜を積層した多層膜を偏光ビームスプリ
ッタとし、さらに同一の硝材内であって前記偏光ビーム
スプリッタ膜を配した斜面と略平行の関係にある斜面上
にホログラム回折格子と該ホログラム回折格子の上に金
属膜単層または金属膜と誘電体膜の積層膜からなる反射
膜を配した略平行プリズムを備えたものである。
的を達成するために、本発明の光ピックアップは、断面
が略平行四辺形である硝材の斜面上にメタルＳｉと酸化
物ＳｉＯ2-x（ｘ＜０．５）の混合からなる複合膜並び
に複数の誘電体膜を積層した多層膜を偏光ビームスプリ
ッタとし、さらに同一の硝材内であって前記偏光ビーム
スプリッタ膜を配した斜面と略平行の関係にある斜面上
にホログラム回折格子と該ホログラム回折格子の上に金
属膜単層または金属膜と誘電体膜の積層膜からなる反射
膜を配した略平行プリズムを備えたものである。
【００３３】また、前記本発明の光ピックアップにおけ
る略平行プリズムでは、前記偏光ビームスプリッタを構
成している複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋは、ｎ≧
２．８、ｋ≦０．３であることが好ましい。
る略平行プリズムでは、前記偏光ビームスプリッタを構
成している複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋは、ｎ≧
２．８、ｋ≦０．３であることが好ましい。
【００３４】なお、前記反射膜は、Ａｇ膜であることが
好ましい。さらに該反射膜は、微細加工等によるパター
ン化された形状を有することが好ましい。
好ましい。さらに該反射膜は、微細加工等によるパター
ン化された形状を有することが好ましい。
【００３５】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、断面が略平行四辺形である硝材の斜面上にメタルＳ
ｉと酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の混合から
なる複合膜並びに複数の誘電体膜を積層した多層膜を偏
光ビームスプリッタ膜とし、同一の硝材内であって前記
偏光ビームスプリッタを配した斜面と略平行の関係にあ
る斜面上に高屈折率膜としてメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ
2ーx（但し，ｘ＜０．５）の混合からなる複合膜並びに
相対的に低屈折率膜として複数の誘電体膜を積層した多
層膜を反射膜とした平行プリズムを含むことを特徴とし
たものであり、偏向ビームスプリッタ膜、反射膜にメタ
ルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の混合
からなる複合膜を用いることにより、光の入射角が変化
しても、光学特性は変化しない、即ち、本発明を構成す
る複合膜は屈折率ｎが高く、吸収係数を小さくできるた
め、これにより、角度依存性を良好にできるという作用
を有する。
は、断面が略平行四辺形である硝材の斜面上にメタルＳ
ｉと酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の混合から
なる複合膜並びに複数の誘電体膜を積層した多層膜を偏
光ビームスプリッタ膜とし、同一の硝材内であって前記
偏光ビームスプリッタを配した斜面と略平行の関係にあ
る斜面上に高屈折率膜としてメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ
2ーx（但し，ｘ＜０．５）の混合からなる複合膜並びに
相対的に低屈折率膜として複数の誘電体膜を積層した多
層膜を反射膜とした平行プリズムを含むことを特徴とし
たものであり、偏向ビームスプリッタ膜、反射膜にメタ
ルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の混合
からなる複合膜を用いることにより、光の入射角が変化
しても、光学特性は変化しない、即ち、本発明を構成す
る複合膜は屈折率ｎが高く、吸収係数を小さくできるた
め、これにより、角度依存性を良好にできるという作用
を有する。
【００３６】本発明の請求項２に記載の発明は、偏光ビ
ームスプリッタ内の複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋが
ｎ≧２．８、ｋ≦０．３であり、反射膜内の複合膜の屈
折率ｎ及び吸収係数ｋがｎ≧２．８、ｋ≦０．３である
ことを特徴とした請求項１記載の光ピックアップであ
り、ｎ、ｋを上記のように限定することにより、角度依
存性の改善、高効率化ができるという作用を有する。
ームスプリッタ内の複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋが
ｎ≧２．８、ｋ≦０．３であり、反射膜内の複合膜の屈
折率ｎ及び吸収係数ｋがｎ≧２．８、ｋ≦０．３である
ことを特徴とした請求項１記載の光ピックアップであ
り、ｎ、ｋを上記のように限定することにより、角度依
存性の改善、高効率化ができるという作用を有する。
【００３７】本発明の請求項３に記載の発明は、断面が
略平行四辺形である硝材の斜面にメタルＳｉと酸化物Ｓ
ｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の混合からなる複合膜並
びに複数の誘電体膜を積層した多層膜を偏光ビームスプ
リッタとし、同一の硝材内であって前記偏光ビームスプ
リッタを配した斜面と略平行である斜面にホログラム回
折格子を配し該ホログラム回折格子の上に金属膜単層ま
たは金属膜と誘電体膜の積層膜からなる反射膜を配した
平行プリズムを含むことを特徴としたものであり、偏向
ビームスプリッタ膜にメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ
2ーx（ｘ＜０．５）の混合からなる複合膜を用いること
により、光の入射角が変化しても、光学特性は変化しな
い、即ち、この複合膜は屈折率ｎが高く、吸収係数を小
さくできるため、これにより、角度依存性を良好にでき
るという作用を有し、平行プリズム内にホログラム格子
を構成するので、光検出素子までの光路長を長くするこ
とができ、ホログラム回折格子の回折角度を小さくする
ことが可能となり、このため、ホログラムパターンのピ
ッチが大きくでき、製造が容易なホログラム格子を形成
できるという作用を有する。
略平行四辺形である硝材の斜面にメタルＳｉと酸化物Ｓ
ｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の混合からなる複合膜並
びに複数の誘電体膜を積層した多層膜を偏光ビームスプ
リッタとし、同一の硝材内であって前記偏光ビームスプ
リッタを配した斜面と略平行である斜面にホログラム回
折格子を配し該ホログラム回折格子の上に金属膜単層ま
たは金属膜と誘電体膜の積層膜からなる反射膜を配した
平行プリズムを含むことを特徴としたものであり、偏向
ビームスプリッタ膜にメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ
2ーx（ｘ＜０．５）の混合からなる複合膜を用いること
により、光の入射角が変化しても、光学特性は変化しな
い、即ち、この複合膜は屈折率ｎが高く、吸収係数を小
さくできるため、これにより、角度依存性を良好にでき
るという作用を有し、平行プリズム内にホログラム格子
を構成するので、光検出素子までの光路長を長くするこ
とができ、ホログラム回折格子の回折角度を小さくする
ことが可能となり、このため、ホログラムパターンのピ
ッチが大きくでき、製造が容易なホログラム格子を形成
できるという作用を有する。
【００３８】本発明の請求項４に記載の発明は、偏光ビ
ームスプリッタ内の金属膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋが
ｎ≧２．８、ｋ≦０．３であることを特徴とした請求項
３記載の光ピックアップで、ｎ、ｋを上記のように限定
することにより、角度依存性の改善、高効率化ができる
という作用を有する。
ームスプリッタ内の金属膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋが
ｎ≧２．８、ｋ≦０．３であることを特徴とした請求項
３記載の光ピックアップで、ｎ、ｋを上記のように限定
することにより、角度依存性の改善、高効率化ができる
という作用を有する。
【００３９】本発明の請求項５に記載の発明は、反射膜
を構成する金属膜がＡｇ膜であることを特徴とした請求
項３記載の光ピックアップで、反射膜を構成する金属膜
にＡｇを用いることで、反射率の入射角度依存性が小さ
く、かつ、高効率な反射率を実現できるという作用を有
する。
を構成する金属膜がＡｇ膜であることを特徴とした請求
項３記載の光ピックアップで、反射膜を構成する金属膜
にＡｇを用いることで、反射率の入射角度依存性が小さ
く、かつ、高効率な反射率を実現できるという作用を有
する。
【００４０】本発明の請求項６に記載の発明は、反射膜
を少なくともホログラム回折格子上に配置するようパタ
ーン化したことを特徴とした請求項３、４、５記載の光
ピックアップで、反射膜と硝材との密着性が悪い場合に
おいても、反射膜をホログラム上にのみ形成することに
より反射膜の剥離を抑え、良好な光ピックアップを構成
できる作用を有する。
を少なくともホログラム回折格子上に配置するようパタ
ーン化したことを特徴とした請求項３、４、５記載の光
ピックアップで、反射膜と硝材との密着性が悪い場合に
おいても、反射膜をホログラム上にのみ形成することに
より反射膜の剥離を抑え、良好な光ピックアップを構成
できる作用を有する。
【００４１】本発明の請求項７に記載の発明は、断面が
略４５゜の平行四辺形である硝材の斜面にメタルＳｉと
酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の混合からなる
複合膜並びに複数の誘電体膜を積層した多層膜を偏光ビ
ームスプリッタとし、同一の硝材内であって前記偏光ビ
ームスプリッタを配した斜面と略平行である斜面上にホ
ログラム回折格子を配し、前記硝材の屈折率ｎをｎ≧
１．６とした平行プリズムを用いたことを特徴とするも
ので、ホログラム部での反射率を、反射膜を用いること
なく、高効率で、入射角度依存性の小さな光ピックアッ
プを構成できる作用を有する。
略４５゜の平行四辺形である硝材の斜面にメタルＳｉと
酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の混合からなる
複合膜並びに複数の誘電体膜を積層した多層膜を偏光ビ
ームスプリッタとし、同一の硝材内であって前記偏光ビ
ームスプリッタを配した斜面と略平行である斜面上にホ
ログラム回折格子を配し、前記硝材の屈折率ｎをｎ≧
１．６とした平行プリズムを用いたことを特徴とするも
ので、ホログラム部での反射率を、反射膜を用いること
なく、高効率で、入射角度依存性の小さな光ピックアッ
プを構成できる作用を有する。
【００４２】本発明の請求項８に記載の発明は、偏光ビ
ームスプリッタ内の金属膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋ及
びトータル厚みｄがｎ≧３．０、ｋ≦０．３であること
を特徴とした請求項７記載の光ピックアップで、ｎ、ｋ
を上記のように限定することにより、角度依存性の改
善、高効率化ができるという作用を有する。
ームスプリッタ内の金属膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋ及
びトータル厚みｄがｎ≧３．０、ｋ≦０．３であること
を特徴とした請求項７記載の光ピックアップで、ｎ、ｋ
を上記のように限定することにより、角度依存性の改
善、高効率化ができるという作用を有する。
【００４３】以下、本発明の実施の形態について、図１
〜図７を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の第１の実施の形態にお
ける本発明の光磁気ディスク用の光ピックアップを構成
するプリズムの断面図を示し、図２〜４はプリズムのＰ
−Ｓ位相差の入射角度依存性を示す。
〜図７を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の第１の実施の形態にお
ける本発明の光磁気ディスク用の光ピックアップを構成
するプリズムの断面図を示し、図２〜４はプリズムのＰ
−Ｓ位相差の入射角度依存性を示す。
【００４４】図１に示すように、プリズム１は断面が略
４５°の略平行四辺形である硝材２を有し、硝材２の屈
折率ｎが１．６３５であって、硝材２の斜面３上には、
（表４）または（表５）に示すようなメタルＳｉと酸化
物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＝０．２）の混合からなる複合
膜とＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＴｉＯ2膜のような
複数の誘電体膜を積層した偏光ビームスプリッタ膜４を
設けている。
４５°の略平行四辺形である硝材２を有し、硝材２の屈
折率ｎが１．６３５であって、硝材２の斜面３上には、
（表４）または（表５）に示すようなメタルＳｉと酸化
物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＝０．２）の混合からなる複合
膜とＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＴｉＯ2膜のような
複数の誘電体膜を積層した偏光ビームスプリッタ膜４を
設けている。
【００４５】
【表４】
【００４６】
【表５】
【００４７】なお偏光ビームスプリッタ膜４は（表
４）、（表５）に示されるように１０層の積層膜であ
る。
４）、（表５）に示されるように１０層の積層膜であ
る。
【００４８】同一の硝材２内であって斜面３と略平行の
関係にある斜面５上には、（表６）または（表７）に示
すような高屈折率膜としてメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ
2ーx（但し，ｘ＝０．２）の混合からなる複合膜並びに
相対的に低屈折率であるＡｌ2Ｏ3及びＴｉＯ2膜のよう
な複数の誘電体膜を積層した反射膜６を設けている。
関係にある斜面５上には、（表６）または（表７）に示
すような高屈折率膜としてメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ
2ーx（但し，ｘ＝０．２）の混合からなる複合膜並びに
相対的に低屈折率であるＡｌ2Ｏ3及びＴｉＯ2膜のよう
な複数の誘電体膜を積層した反射膜６を設けている。
【００４９】
【表６】
【００５０】
【表７】
【００５１】なお反射膜６は（表６）、（表７）に示さ
れるように２３層の積層膜である。硝材２の両側には三
角プリズム７、８がそれぞれ偏光ビームスプリッタ膜
４、反射膜６を介して接合されている。
れるように２３層の積層膜である。硝材２の両側には三
角プリズム７、８がそれぞれ偏光ビームスプリッタ膜
４、反射膜６を介して接合されている。
【００５２】この多層膜で構成した偏光ビームスプリッ
タ膜４での反射光のＰ−Ｓ位相差の入射角依存性をを図
２に，反射膜６単独での反射光のＰ−Ｓ位相差の入射角
依存性を図３に，偏光ビームスプリッタ膜/反射膜の反
射光のＰ−Ｓ位相差の合計即ちディスクで反射した光が
光検出素子に入射する際のＰ−Ｓ位相差の入射角依存性
を図４に示す．なお，図２において横軸は光の入射角度
を示すものであって偏光ビームスプリッタ４を配してい
る面３の法線と入射光とのなす角度を示す．図３におい
て横軸は反射膜６を設けた面５の法線と入射角とのなす
角度を示す。
タ膜４での反射光のＰ−Ｓ位相差の入射角依存性をを図
２に，反射膜６単独での反射光のＰ−Ｓ位相差の入射角
依存性を図３に，偏光ビームスプリッタ膜/反射膜の反
射光のＰ−Ｓ位相差の合計即ちディスクで反射した光が
光検出素子に入射する際のＰ−Ｓ位相差の入射角依存性
を図４に示す．なお，図２において横軸は光の入射角度
を示すものであって偏光ビームスプリッタ４を配してい
る面３の法線と入射光とのなす角度を示す．図３におい
て横軸は反射膜６を設けた面５の法線と入射角とのなす
角度を示す。
【００５３】図２、３、４で明らかなように、従来の偏
光ビームスプリッタ膜及び反射膜、即ち誘電体膜のみで
構成した多層膜（図１０）と比べ、偏光ビームスプリッ
タ膜のＰ−Ｓ位相差は−１０゜〜＋４０゜（従来例：−
５０゜〜＋４０゜）であり、反射膜のＰ−Ｓ位相差は−
２５゜〜＋２５゜（従来例：−５０゜〜＋５０゜）、光
検出素子に入射する際の光のＰ−Ｓ位相差も−１０゜〜
５０゜（従来例：−５０゜〜＋５０゜以上）となり、Ｐ
−Ｓ位相差を低減できた。
光ビームスプリッタ膜及び反射膜、即ち誘電体膜のみで
構成した多層膜（図１０）と比べ、偏光ビームスプリッ
タ膜のＰ−Ｓ位相差は−１０゜〜＋４０゜（従来例：−
５０゜〜＋４０゜）であり、反射膜のＰ−Ｓ位相差は−
２５゜〜＋２５゜（従来例：−５０゜〜＋５０゜）、光
検出素子に入射する際の光のＰ−Ｓ位相差も−１０゜〜
５０゜（従来例：−５０゜〜＋５０゜以上）となり、Ｐ
−Ｓ位相差を低減できた。
【００５４】なお，偏光ビームスプリッタ膜及び反射膜
を構成しているメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混合か
らなる複合膜は，ｘ＝０．２を例にして説明を行った
が，ｘが０＜ｘ＜０．５の範囲では同様な特性を得るこ
とができる。
を構成しているメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混合か
らなる複合膜は，ｘ＝０．２を例にして説明を行った
が，ｘが０＜ｘ＜０．５の範囲では同様な特性を得るこ
とができる。
【００５５】なお、図示していないが、透過、反射率の
入射角度依存性が小さく、高効率であることはいうまで
もない。
入射角度依存性が小さく、高効率であることはいうまで
もない。
【００５６】このように良好な位相特性が得られるの
は、誘電体膜及び金属膜のもつ特徴を基本的には補完し
あった多層膜であることによる。つまり、誘電体膜は膜
の吸収損失がなく、複数の材料を適当に組み合わせるこ
とで透過率や反射率を任意に設定できる反面、光の入射
角度によって位相差などの光学特性が大きく変化するの
に対し、金属膜は屈折率が大きいため、光の入射角が変
化しても、前記光学特性は比較的変化しない反面、吸収
が大きいため、高効率な透過率を実現することが困難で
あるが、誘電体膜及び金属膜を積層することにより透過
率や反射率を任意に設定でき、かつ、光の入射角度依存
性を小さくできるという利点がある。さらに本発明では
単なる金属膜ではなくメタルＳｉとその酸化物であるＳ
ｉＯ2ーxの混合からなる複合膜を配しているために、高
屈折率ｎと低吸収係数ｋが実現できるため、高効率な偏
光ビームスプリッタ膜及び反射膜を実現できるという効
果を有する。
は、誘電体膜及び金属膜のもつ特徴を基本的には補完し
あった多層膜であることによる。つまり、誘電体膜は膜
の吸収損失がなく、複数の材料を適当に組み合わせるこ
とで透過率や反射率を任意に設定できる反面、光の入射
角度によって位相差などの光学特性が大きく変化するの
に対し、金属膜は屈折率が大きいため、光の入射角が変
化しても、前記光学特性は比較的変化しない反面、吸収
が大きいため、高効率な透過率を実現することが困難で
あるが、誘電体膜及び金属膜を積層することにより透過
率や反射率を任意に設定でき、かつ、光の入射角度依存
性を小さくできるという利点がある。さらに本発明では
単なる金属膜ではなくメタルＳｉとその酸化物であるＳ
ｉＯ2ーxの混合からなる複合膜を配しているために、高
屈折率ｎと低吸収係数ｋが実現できるため、高効率な偏
光ビームスプリッタ膜及び反射膜を実現できるという効
果を有する。
【００５７】また、前記偏光ビームスプリッタ膜を構成
している多層膜中のメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混
合からなる複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋは、図２〜
４で示すように、反射光のＰ−Ｓ位相差の入射角度依存
性に影響を与える。前述したように該複合膜の屈折率ｎ
は大きいこと、吸収係数ｋは小さいことが好ましいが、
さらに望むならば、ｎ≧２．８、ｋ≦０．３であること
が好ましい。
している多層膜中のメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混
合からなる複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋは、図２〜
４で示すように、反射光のＰ−Ｓ位相差の入射角度依存
性に影響を与える。前述したように該複合膜の屈折率ｎ
は大きいこと、吸収係数ｋは小さいことが好ましいが、
さらに望むならば、ｎ≧２．８、ｋ≦０．３であること
が好ましい。
【００５８】本実施の形態において、硝材２の角度を略
４５°としたが、角度が３５°〜５５°の範囲において
も、斜面３及び斜面３に略平行な斜面５に上記の多層膜
を配すると、従来の多層膜に比べ、入射角に伴う反射光
のＰ−Ｓ位相差特性を改善できる。
４５°としたが、角度が３５°〜５５°の範囲において
も、斜面３及び斜面３に略平行な斜面５に上記の多層膜
を配すると、従来の多層膜に比べ、入射角に伴う反射光
のＰ−Ｓ位相差特性を改善できる。
【００５９】なお、本実施の形態のプリズムを図８,９
で示した光磁気ディスク用光ピックアップ内に装填し、
ＰーＳ位相差の低減により良好な再生を行うことができ
た。
で示した光磁気ディスク用光ピックアップ内に装填し、
ＰーＳ位相差の低減により良好な再生を行うことができ
た。
【００６０】（実施の形態２）図５は本発明の第２の実
施の形態における本発明のＤＶＤ用の光ピックアップを
構成するプリズムを示し、図６は本第２の実施の形態に
おけるのプリズムの基本性能、即ちＰ偏光に対する偏光
ビームスプリッタ膜の透過率を示す。
施の形態における本発明のＤＶＤ用の光ピックアップを
構成するプリズムを示し、図６は本第２の実施の形態に
おけるのプリズムの基本性能、即ちＰ偏光に対する偏光
ビームスプリッタ膜の透過率を示す。
【００６１】図５において、プリズム５０は断面が略４
５゜の略平行四辺形である硝材５１を有し、硝材５１の
屈折率ｎは１．５１であって、硝材５１の斜面５２上に
は、（表８）または（表９）に示すようなメタルＳｉと
酸化物ＳｉＯ2ーx（但しｘ＝０．２）の混合からなる複
合膜とＴｉＯ2及びＳｉＯ2膜のような複数の誘電体膜を
積層した偏光ビームスプリッタ膜５３を設けている。
５゜の略平行四辺形である硝材５１を有し、硝材５１の
屈折率ｎは１．５１であって、硝材５１の斜面５２上に
は、（表８）または（表９）に示すようなメタルＳｉと
酸化物ＳｉＯ2ーx（但しｘ＝０．２）の混合からなる複
合膜とＴｉＯ2及びＳｉＯ2膜のような複数の誘電体膜を
積層した偏光ビームスプリッタ膜５３を設けている。
【００６２】
【表８】
【００６３】
【表９】
【００６４】なお、偏光ビームスプリッタ膜５３の層数
は（表８）、（表９）に示すように２０層である。
は（表８）、（表９）に示すように２０層である。
【００６５】同一の硝材５０内であって斜面５２と略平
行の関係にある斜面５４上には、ホログラム格子５５を
設ける。そして、ホログラム格子５５上にはＡｇで構成
した反射膜５６を設ける。
行の関係にある斜面５４上には、ホログラム格子５５を
設ける。そして、ホログラム格子５５上にはＡｇで構成
した反射膜５６を設ける。
【００６６】硝材５１の両側には三角プリズム５７、５
８がそれぞれ偏光ビームスプリッタ膜５３、反射膜５６
を介して接合されている。
８がそれぞれ偏光ビームスプリッタ膜５３、反射膜５６
を介して接合されている。
【００６７】本第２の実施の形態における多層膜で構成
した偏光ビームスプリッタ膜５３の光入射角度に伴うＰ
偏光の透過率の挙動を示した図６で明らかなように、偏
光ビームスプリッタ膜５３の透過率は７０％〜９０％
（入射角度４５゜±１０゜）と変化量は，図１２で示し
た従来の５０％〜１００％と比較して，小さく安定して
いる。
した偏光ビームスプリッタ膜５３の光入射角度に伴うＰ
偏光の透過率の挙動を示した図６で明らかなように、偏
光ビームスプリッタ膜５３の透過率は７０％〜９０％
（入射角度４５゜±１０゜）と変化量は，図１２で示し
た従来の５０％〜１００％と比較して，小さく安定して
いる。
【００６８】なお、図６中における横軸は光の入射角度
を示すものであって、偏光ビームスプリッタ膜５３を配
している斜面５２の法線と入射光とのなす角度を示す。
を示すものであって、偏光ビームスプリッタ膜５３を配
している斜面５２の法線と入射光とのなす角度を示す。
【００６９】なお，偏光ビームスプリッタ膜及び反射膜
を構成しているメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混合か
らなる複合膜は，ｘ＝０．２を例にして説明を行った
が，ｘが０＜ｘ＜０．５の範囲では同様な特性を得るこ
とができる。
を構成しているメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混合か
らなる複合膜は，ｘ＝０．２を例にして説明を行った
が，ｘが０＜ｘ＜０．５の範囲では同様な特性を得るこ
とができる。
【００７０】このように入射角度に伴うＰ偏光透過率が
安定して得られるのは、第１の実施の形態でも記載した
ように、誘電体膜及び金属膜のもつ特徴を基本的に補完
しあった多層膜であるとともに、単なる金属膜ではなく
メタルＳｉとその酸化物であるＳｉＯ2ーxの混合からな
る複合膜とすることで、高屈折率ｎと低吸収係数ｋが実
現できるためで、高効率な偏光ビームスプリッタ膜を実
現できるという効果を有する。
安定して得られるのは、第１の実施の形態でも記載した
ように、誘電体膜及び金属膜のもつ特徴を基本的に補完
しあった多層膜であるとともに、単なる金属膜ではなく
メタルＳｉとその酸化物であるＳｉＯ2ーxの混合からな
る複合膜とすることで、高屈折率ｎと低吸収係数ｋが実
現できるためで、高効率な偏光ビームスプリッタ膜を実
現できるという効果を有する。
【００７１】偏光ビームスプリッタ膜５３を構成してい
る多層膜中のメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混合から
なる複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋは、図６で示すよ
うにＰ偏光透過率の入射角度依存性に影響を与える。複
合膜の屈折率ｎは大きいこと、吸収係数ｋは小さいこと
が好ましい。さらに望むならば、ｎ≧２．８、ｋ≦０．
３であることが好ましい。
る多層膜中のメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混合から
なる複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋは、図６で示すよ
うにＰ偏光透過率の入射角度依存性に影響を与える。複
合膜の屈折率ｎは大きいこと、吸収係数ｋは小さいこと
が好ましい。さらに望むならば、ｎ≧２．８、ｋ≦０．
３であることが好ましい。
【００７２】また、硝材５１の斜面５２と略平行の関係
にある斜面５４上にホログラム格子を構成するので、従
来例を示した図１０と比べ，ホログラム素子と光検出素
子までの光路長を長くすることができ、ホログラム回折
格子の回折角度θを小さくすることが可能となり、この
ため、ホログラムパターンのピッチが大きくでき、製造
が容易なホログラム格子を形成できるという作用を有す
る。
にある斜面５４上にホログラム格子を構成するので、従
来例を示した図１０と比べ，ホログラム素子と光検出素
子までの光路長を長くすることができ、ホログラム回折
格子の回折角度θを小さくすることが可能となり、この
ため、ホログラムパターンのピッチが大きくでき、製造
が容易なホログラム格子を形成できるという作用を有す
る。
【００７３】さらに、反射膜を構成する金属膜にＡｇを
用いることで、反射率の入射角度依存性が小さく、か
つ、高効率な反射率を実現できるという作用を有する。
用いることで、反射率の入射角度依存性が小さく、か
つ、高効率な反射率を実現できるという作用を有する。
【００７４】そして、反射膜を少なくともホログラム回
折格子上に配置するようパターン化することにより、反
射膜と硝材との密着性が悪い場合においても、反射膜を
ホログラム上にのみ形成することにより反射膜の剥離を
抑え、良好な光ピックアップを構成できる作用を有す
る。
折格子上に配置するようパターン化することにより、反
射膜と硝材との密着性が悪い場合においても、反射膜を
ホログラム上にのみ形成することにより反射膜の剥離を
抑え、良好な光ピックアップを構成できる作用を有す
る。
【００７５】本実施の形態では角度が略４５°である平
行四辺形の硝材５１を用いたが、角度が３５°〜５５°
の範囲の場合においても、斜面５２上に上記の多層膜５
３を配し、斜面５２と略平行である関係にある斜面５４
上にホログラム格子５５を設け、さらにホログラム回折
格子５５の上に反射膜５６を構成することにより、従来
の多層膜を用いた略平行プリズムと比べ、入射角に伴う
Ｐ偏光透過率の安定化を図ることができる。
行四辺形の硝材５１を用いたが、角度が３５°〜５５°
の範囲の場合においても、斜面５２上に上記の多層膜５
３を配し、斜面５２と略平行である関係にある斜面５４
上にホログラム格子５５を設け、さらにホログラム回折
格子５５の上に反射膜５６を構成することにより、従来
の多層膜を用いた略平行プリズムと比べ、入射角に伴う
Ｐ偏光透過率の安定化を図ることができる。
【００７６】また、本実施の形態のプリズムを図１０で
示した光ピックアップ内に装填して、ＤＶＤの再生特性
を測定し、従来のプリズムと比較して、入射角にともな
うＰ偏光透過率の安定化に伴う光量効率が増加したため
良好な再生を行うことができた。
示した光ピックアップ内に装填して、ＤＶＤの再生特性
を測定し、従来のプリズムと比較して、入射角にともな
うＰ偏光透過率の安定化に伴う光量効率が増加したため
良好な再生を行うことができた。
【００７７】（実施の形態３）図７は、本発明のＤＶＤ
用光ピックアップを構成するプリズムの断面図であっ
て、断面が略４５°であり略平行四辺形をした平行プリ
ズムを示している。
用光ピックアップを構成するプリズムの断面図であっ
て、断面が略４５°であり略平行四辺形をした平行プリ
ズムを示している。
【００７８】図７において、プリズム７０は断面が略平
行四辺形である硝材７１と断面が略三角形である硝材７
６で構成される。該略平行四辺形である硝材７１の屈折
率ｎは１．６であって、硝材７１の斜面７２上には、
（表８）または（表９）に示すようなメタルＳｉと酸化
物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＝０．２）の混合からなる複合
膜とＴｉＯ2及びＳｉＯ2膜のような複数の誘電体膜を積
層した偏光ビームスプリッタ膜７３を設けている。な
お、偏光ビームスプリッタ膜７３の層数は（表８）、
（表９）に示すように２０層である。
行四辺形である硝材７１と断面が略三角形である硝材７
６で構成される。該略平行四辺形である硝材７１の屈折
率ｎは１．６であって、硝材７１の斜面７２上には、
（表８）または（表９）に示すようなメタルＳｉと酸化
物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＝０．２）の混合からなる複合
膜とＴｉＯ2及びＳｉＯ2膜のような複数の誘電体膜を積
層した偏光ビームスプリッタ膜７３を設けている。な
お、偏光ビームスプリッタ膜７３の層数は（表８）、
（表９）に示すように２０層である。
【００７９】同一の硝材７１内であって斜面７２と略平
行の関係にある斜面７４上には、ホログラム格子７５を
設ける。
行の関係にある斜面７４上には、ホログラム格子７５を
設ける。
【００８０】硝材７１の偏光ビームスプリッタ膜７３を
構成した側には三角プリズム７６が偏光ビームスプリッ
タ膜７３を介して接合されている。
構成した側には三角プリズム７６が偏光ビームスプリッ
タ膜７３を介して接合されている。
【００８１】本実施の形態において多層膜で偏光ビーム
スプリッタ膜７３を構成したことによる効果については
第２の実施の形態と同様であるので説明を省略する。
スプリッタ膜７３を構成したことによる効果については
第２の実施の形態と同様であるので説明を省略する。
【００８２】なお，偏光ビームスプリッタ膜及び反射膜
を構成しているメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混合か
らなる複合膜は，ｘ＝０．２を例にして説明を行った
が，ｘが０＜ｘ＜０．５の範囲では同様な特性を得るこ
とができる。
を構成しているメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混合か
らなる複合膜は，ｘ＝０．２を例にして説明を行った
が，ｘが０＜ｘ＜０．５の範囲では同様な特性を得るこ
とができる。
【００８３】また、偏光ビームスプリッタ膜７３を構成
している多層膜中のメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混
合からなる複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋは、図６で
示すようにＰ偏光透過率の入射角度依存性に影響を与え
る。複合膜の屈折率ｎは大きいこと、吸収係数ｋは小さ
いことが好ましく、さらに望むならば、ｎ≧２．８、ｋ
≦０．３であることが好ましいことも第２の実施の形態
と同様である。
している多層膜中のメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーxの混
合からなる複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋは、図６で
示すようにＰ偏光透過率の入射角度依存性に影響を与え
る。複合膜の屈折率ｎは大きいこと、吸収係数ｋは小さ
いことが好ましく、さらに望むならば、ｎ≧２．８、ｋ
≦０．３であることが好ましいことも第２の実施の形態
と同様である。
【００８４】また、硝材７１の斜面７２と略平行の関係
にある斜面７４上にホログラム格子を構成するので、従
来例を示した図１０と比べ，ホログラム格子と光検出素
子までの光路長を長くすることができ、ホログラム回折
格子の回折角度θを小さくすることが可能となり、この
ため、ホログラムパターンのピッチが大きくでき、製造
が容易なホログラム格子を形成できるという作用を有す
ることも第２の実施の形態と同様である。
にある斜面７４上にホログラム格子を構成するので、従
来例を示した図１０と比べ，ホログラム格子と光検出素
子までの光路長を長くすることができ、ホログラム回折
格子の回折角度θを小さくすることが可能となり、この
ため、ホログラムパターンのピッチが大きくでき、製造
が容易なホログラム格子を形成できるという作用を有す
ることも第２の実施の形態と同様である。
【００８５】さらに、本第３の実施の形態では、硝材７
１の角度を略４５゜、屈折率を１．６とすることによ
り、第２の実施例で示したような反射膜５６、三角プリ
ズム５８を必要とせず、硝材７１／空気の反射で良好な
反射率特性を得られるという特有の効果を有する。な
お、硝材７１の屈折率ｎが≧１．６であれば良好な反射
率特性を得られる。
１の角度を略４５゜、屈折率を１．６とすることによ
り、第２の実施例で示したような反射膜５６、三角プリ
ズム５８を必要とせず、硝材７１／空気の反射で良好な
反射率特性を得られるという特有の効果を有する。な
お、硝材７１の屈折率ｎが≧１．６であれば良好な反射
率特性を得られる。
【００８６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ピック
アップによれば、反射率、透過率の入射角度依存性を劣
化させず、Ｐ−Ｓ位相差を大幅に低減し良好な再生を行
うことができるという効果を有する。
アップによれば、反射率、透過率の入射角度依存性を劣
化させず、Ｐ−Ｓ位相差を大幅に低減し良好な再生を行
うことができるという効果を有する。
【００８７】また、本発明の光ピックアップによれば、
平行プリズム中にホログラム格子を構成するので、光検
出素子までの光路長を長くすることができ、ホログラム
回折格子の回折角度を小さくすることが可能となり、こ
のため、ホログラムパターンのピッチが大きくでき、製
造が容易なホログラム格子を形成できるという効果を有
する。さらに、反射膜を構成する金属膜にＡｇを用いる
ことで、反射率の入射角度依存性が小さく、かつ、高効
率な反射率を実現できるという効果作用を有する。そし
て、反射膜を少なくともホログラム回折格子上に配置す
るようパターン化することにより、反射膜と硝材との密
着性が悪い場合においても、反射膜をホログラム上にの
み形成することにより反射膜の剥離を抑え、良好な光ピ
ックアップを構成できる効果を有する。
平行プリズム中にホログラム格子を構成するので、光検
出素子までの光路長を長くすることができ、ホログラム
回折格子の回折角度を小さくすることが可能となり、こ
のため、ホログラムパターンのピッチが大きくでき、製
造が容易なホログラム格子を形成できるという効果を有
する。さらに、反射膜を構成する金属膜にＡｇを用いる
ことで、反射率の入射角度依存性が小さく、かつ、高効
率な反射率を実現できるという効果作用を有する。そし
て、反射膜を少なくともホログラム回折格子上に配置す
るようパターン化することにより、反射膜と硝材との密
着性が悪い場合においても、反射膜をホログラム上にの
み形成することにより反射膜の剥離を抑え、良好な光ピ
ックアップを構成できる効果を有する。
【００８８】さらに、平行プリズムの角度を略４５゜、
屈折率を１．６以上とすることにより、硝材・空気の反
射で良好な反射率特性を得られるという特有の効果を有
する。
屈折率を１．６以上とすることにより、硝材・空気の反
射で良好な反射率特性を得られるという特有の効果を有
する。
【図１】本発明の実施の形態１における光ピックアップ
を構成するプリズムの断面図
を構成するプリズムの断面図
【図２】本発明の実施の形態１の偏向ビームスプリッタ
膜のＰ−Ｓ位相差の入射角度依存性を示す図
膜のＰ−Ｓ位相差の入射角度依存性を示す図
【図３】本発明の実施の形態１の反射膜のＰ−Ｓ位相差
の入射角度依存性を示す図
の入射角度依存性を示す図
【図４】本発明の実施の形態１の偏向ビームスプリッタ
膜／反射膜を経由した光のＰ−Ｓ位相差の入射角度依存
性を示す図
膜／反射膜を経由した光のＰ−Ｓ位相差の入射角度依存
性を示す図
【図５】本発明の実施の形態２における光ピックアップ
を構成するプリズムの断面図
を構成するプリズムの断面図
【図６】本発明の実施の形態２におけるプリズムの透過
率の入射角依存性を示す図
率の入射角依存性を示す図
【図７】本発明の実施の形態３における光ピックアップ
を構成するプリズムの断面図
を構成するプリズムの断面図
【図８】従来の光学系の概略断面図
【図９】従来の受光素子、発光素子及び検光子部分の上
面図
面図
【図１０】従来の光学系の概略断面図
【図１１】従来のプリズムのＰ−Ｓ位相差の入射角度依
存性を示す図
存性を示す図
【図１２】従来の偏向ビームスプリッタ膜の透過率の入
射角度依存性を示す図
射角度依存性を示す図
１，５０，７０ プリズム ２，５１，７１ 硝材 ３，５，５２，５４，７２，７４ 斜面 ４，５３，７３ 偏光ビームスプリッタ膜 ６，５６ 反射膜 ７，８，５７，５８，７６ 三角プリズム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 能智 紀台 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 内田 真司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 是永 継博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 断面が略平行四辺形である硝材の斜面上
にメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）
の混合からなる複合膜並びに複数の誘電体膜を積層した
多層膜を偏光ビームスプリッタとし、同一の硝材内であ
って前記偏光ビームスプリッタを配した斜面と略平行の
関係にある斜面上に高屈折率膜としてメタルＳｉと酸化
物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の混合からなる複合
膜並びに相対的に低屈折率膜として複数の誘電体膜を積
層した多層膜を反射膜とした平行プリズムを含むことを
特徴とした光ピックアップ。 - 【請求項２】 偏光ビームスプリッタ内の複合膜の屈折
率ｎ及び吸収係数ｋが ｎ≧２．８、ｋ≦０．３ であり、反射膜内の複合膜の屈折率ｎ及び吸収係数ｋが ｎ≧２．８、ｋ≦０．３ であることを特徴とした請求項１記載の光ピックアッ
プ。 - 【請求項３】 断面が略平行四辺形である硝材の斜面に
メタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜０．５）の
混合からなる複合膜並びに複数の誘電体膜を積層した多
層膜を偏光ビームスプリッタとし、同一の硝材内であっ
て前記偏光ビームスプリッタを配した斜面と略平行であ
る斜面にホログラム回折格子を配し該ホログラム回折格
子の上に金属膜単層または金属膜と誘電体膜の積層膜か
らなる反射膜を配した平行プリズムを含むことを特徴と
した光ピックアップ。 - 【請求項４】 偏光ビームスプリッタ内の金属膜の屈折
率ｎ及び吸収係数ｋが ｎ≧２．８、ｋ≦０．３ であることを特徴とした請求項３記載の光ピックアッ
プ。 - 【請求項５】 反射膜を構成する金属膜がＡｇ膜である
ことを特徴とした請求項３記載の光ピックアップ。 - 【請求項６】 反射膜を少なくともホログラム回折格子
上に配置するようパターン化したことを特徴とした請求
項３〜５のいずれかに記載の光ピックアップ。 - 【請求項７】 断面が略４５゜の平行四辺形である硝材
の斜面にメタルＳｉと酸化物ＳｉＯ2ーx（但し，ｘ＜
０．５）の混合からなる複合膜並びに複数の誘電体膜を
積層した多層膜を偏光ビームスプリッタとし、同一の硝
材内であって前記偏光ビームスプリッタを配した斜面と
略平行である斜面上にホログラム回折格子を配し、前記
硝材の屈折率ｎをｎ≧１．６とした平行プリズムを用い
たことを特徴とした光ピックアップ。 - 【請求項８】 偏光ビームスプリッタ内の金属膜の屈折
率ｎ及び吸収係数ｋが ｎ≧３．０、ｋ≦０．３ であることを特徴とした請求項７記載の光ピックアッ
プ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30154496A JP3601219B2 (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 光ピックアップ用の平行プリズム |
| GB9723882A GB2319353B (en) | 1996-11-13 | 1997-11-12 | Composite prism and optical pickup using the same |
| CN97122531A CN1125446C (zh) | 1996-11-13 | 1997-11-12 | 棱镜和利用它的光传感器 |
| US08/968,587 US6005835A (en) | 1996-11-13 | 1997-11-13 | Composite prism and optical pickup using the same |
| KR1019970059816A KR100375310B1 (ko) | 1996-11-13 | 1997-11-13 | 프리즘및이를이용한광픽업장치 |
| DE19750388A DE19750388B4 (de) | 1996-11-13 | 1997-11-13 | Prisma für optische Aufnehmer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30154496A JP3601219B2 (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 光ピックアップ用の平行プリズム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10143901A true JPH10143901A (ja) | 1998-05-29 |
| JP3601219B2 JP3601219B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=17898224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30154496A Expired - Fee Related JP3601219B2 (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 光ピックアップ用の平行プリズム |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6005835A (ja) |
| JP (1) | JP3601219B2 (ja) |
| KR (1) | KR100375310B1 (ja) |
| CN (1) | CN1125446C (ja) |
| DE (1) | DE19750388B4 (ja) |
| GB (1) | GB2319353B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE41193E1 (en) | 2003-03-18 | 2010-04-06 | Konica Minolta Opto, Inc. | Method for fabricating a prism and method for fabricating an optical system |
| WO2016006157A1 (ja) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | ソニー株式会社 | 光媒体再生装置および光媒体再生方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5912872A (en) * | 1996-09-27 | 1999-06-15 | Digital Optics Corporation | Integrated optical apparatus providing separated beams on a detector and associated methods |
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