JPH10144583A - 荷電粒子線投影方法および荷電粒子線投影装置 - Google Patents
荷電粒子線投影方法および荷電粒子線投影装置Info
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- JPH10144583A JPH10144583A JP8295157A JP29515796A JPH10144583A JP H10144583 A JPH10144583 A JP H10144583A JP 8295157 A JP8295157 A JP 8295157A JP 29515796 A JP29515796 A JP 29515796A JP H10144583 A JPH10144583 A JP H10144583A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 各サブフィールド内において最小線幅パター
ンの像ボケを最小とすることができる荷電粒子線投影方
法および荷電粒子線投影装置の提供。 【解決手段】 記憶部１４１にマスク１００の各サブフ
ィールドＳf内の最小線幅パターン位置を記憶し、投影
レンズ８，９のレンズ収差と偏向器３，６による荷電粒
子線の偏向量に依存する偏向収差とによって生じる最小
線幅パターンの像ボケが最小となるように、最小線幅パ
ターン位置および偏向器３，６による荷電粒子線の偏向
量に基づいて投影レンズ８，９の焦点距離を演算部１４
２により算出し、投影レンズ８，９の焦点距離が算出さ
れた焦点距離と等しくなるように制御装置１４により励
磁が制御される。
ンの像ボケを最小とすることができる荷電粒子線投影方
法および荷電粒子線投影装置の提供。 【解決手段】 記憶部１４１にマスク１００の各サブフ
ィールドＳf内の最小線幅パターン位置を記憶し、投影
レンズ８，９のレンズ収差と偏向器３，６による荷電粒
子線の偏向量に依存する偏向収差とによって生じる最小
線幅パターンの像ボケが最小となるように、最小線幅パ
ターン位置および偏向器３，６による荷電粒子線の偏向
量に基づいて投影レンズ８，９の焦点距離を演算部１４
２により算出し、投影レンズ８，９の焦点距離が算出さ
れた焦点距離と等しくなるように制御装置１４により励
磁が制御される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線投影方
法および荷電粒子線投影装置に関する。
法および荷電粒子線投影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】分割転写方式の荷電粒子線投影装置で
は、レチクルやマスク（以下ではマスクと称する）側の
光学的フィールドが複数のサブフィールドに分割され、
そのサブフィールド毎にマスクパターンがウエハ等の感
応基板へ転写される。このとき、レンズの収差や荷電粒
子線を偏向したときに生じる偏向収差等によって、感応
基板上に投影されたマスクパターン像にボケが生じる。
図４（ａ）は感応基板上のマスクパターン像のボケの様
子を説明する図で感応基板側サブフィールドの一つを示
したものであり、サブフィールドＷＳfには縦５行，横
５列に２５の矩形パターンが投影されている。それぞれ
のパターンのボケ水準をボケが小さい方から符号ｂ０，
ｂ１，…，ｂ５で示し、分かりやすいようにボケ水準に
対応して矩形パターン輪郭の幅を変えて示した（ボケ水
準が大きなものほど輪郭の幅を大きくした）。
は、レチクルやマスク（以下ではマスクと称する）側の
光学的フィールドが複数のサブフィールドに分割され、
そのサブフィールド毎にマスクパターンがウエハ等の感
応基板へ転写される。このとき、レンズの収差や荷電粒
子線を偏向したときに生じる偏向収差等によって、感応
基板上に投影されたマスクパターン像にボケが生じる。
図４（ａ）は感応基板上のマスクパターン像のボケの様
子を説明する図で感応基板側サブフィールドの一つを示
したものであり、サブフィールドＷＳfには縦５行，横
５列に２５の矩形パターンが投影されている。それぞれ
のパターンのボケ水準をボケが小さい方から符号ｂ０，
ｂ１，…，ｂ５で示し、分かりやすいようにボケ水準に
対応して矩形パターン輪郭の幅を変えて示した（ボケ水
準が大きなものほど輪郭の幅を大きくした）。
【０００３】通常、サブフィールドＷＳfの中心に焦点
を合せると、ボケの様子は図４（ａ）に示すように中心
部分でボケが最小（ｂ０）となり、中心から遠ざかるに
つれて像面湾曲収差，コマ収差，非点収差によりボケが
大きくなる。その他、軸上においても球面収差，色収差
が生じる。このような場合、一般的に焦点をずらして球
面収差および像面歪曲収差を小さくし、図４（ｂ）に示
すようにサブフィールドＷＳfの中心部と周辺部の中間
部分のボケが最も小さくなるように焦点調整が行われ
る。このような焦点調整を行うとボケ水準はｂ１〜ｂ３
になり、図４（ａ）の符号ｂ５で示すような極端にボケ
の大きいところがなくなる。
を合せると、ボケの様子は図４（ａ）に示すように中心
部分でボケが最小（ｂ０）となり、中心から遠ざかるに
つれて像面湾曲収差，コマ収差，非点収差によりボケが
大きくなる。その他、軸上においても球面収差，色収差
が生じる。このような場合、一般的に焦点をずらして球
面収差および像面歪曲収差を小さくし、図４（ｂ）に示
すようにサブフィールドＷＳfの中心部と周辺部の中間
部分のボケが最も小さくなるように焦点調整が行われ
る。このような焦点調整を行うとボケ水準はｂ１〜ｂ３
になり、図４（ａ）の符号ｂ５で示すような極端にボケ
の大きいところがなくなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、各サブフィ
ールドに含まれるパターンはそれぞれ異なるため、精度
良く露光すべき最小線幅パターンの位置は各サブフィー
ルド毎に異なっている。しかしながら、上述した図４
（ｂ）のように焦点調整を行った場合、例えば最小線幅
パターンがサブフィールドＷＳfの周辺部分にある場合
にはボケ水準がｂ３となるため、最小線幅パターンの方
がその他のパターンよりボケが大きくなるという不都合
が生じる。
ールドに含まれるパターンはそれぞれ異なるため、精度
良く露光すべき最小線幅パターンの位置は各サブフィー
ルド毎に異なっている。しかしながら、上述した図４
（ｂ）のように焦点調整を行った場合、例えば最小線幅
パターンがサブフィールドＷＳfの周辺部分にある場合
にはボケ水準がｂ３となるため、最小線幅パターンの方
がその他のパターンよりボケが大きくなるという不都合
が生じる。
【０００５】本発明の目的は、各サブフィールドにおけ
る最小線幅パターンのボケを最小とすることができる荷
電粒子線投影方法および荷電粒子線投影装置を提供する
ことにある。
る最小線幅パターンのボケを最小とすることができる荷
電粒子線投影方法および荷電粒子線投影装置を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１に対応付けて説明すると、（１）請求項１の発明
は、パターンが形成され複数のサブフィールドＳfに分
割されたマスク１００に荷電粒子線を照射し、電子光学
系８，９および偏向器３，６を用いて各サブフィールド
Ｓf毎にマスク１００のパターン像を感応基板１１０上
に投影する荷電粒子線投影方法に適用され、サブフィー
ルドＳf内の最小線幅パターン位置に基づいて最小線幅
パターン位置のパターン像のボケが最小となるように電
子光学系８，９の焦点距離を設定したことにより上述の
目的を達成する。 （２）請求項２の発明は、パターンが形成され複数のサ
ブフィールドＳfに分割されたマスク１００に荷電粒子
線を照射し、電子光学系８，９および偏向器３，６を用
いて各サブフィールドＳf毎にマスク１００のパターン
像を感応基板１１０上に投影する荷電粒子線投影方法に
適用され、サブフィールドＳf内の最小線幅パターン位
置および偏向器３，６による偏向量に基づいて最小線幅
パターン位置のパターン像のボケが最小となるように電
子光学系８，９の焦点距離を設定したことにより上述の
目的を達成する。 （３）請求項３の発明は、パターンが形成され複数のサ
ブフィールドＳfに分割されたマスク１００に荷電粒子
線を照射し、電子光学系８，９および偏向器３，６を用
いて各サブフィールドＳf毎にマスク１００のパターン
像を感応基板１１０上に投影する荷電粒子線投影装置に
適用され、各サブフィールドＳf内の最小線幅パターン
位置を記憶する記憶手段１４１と、電子光学系８，９の
レンズ収差によって生じる最小線幅パターンの像ボケが
最小となるように、最小線幅パターン位置に基づいて電
子光学系８，９の焦点距離を算出する演算手段１４２
と、電子光学系８，９を算出された焦点距離に制御する
制御手段１４とを備えて上述の目的を達成する。 （４）請求項４の発明は、パターンが形成され複数のサ
ブフィールドＳfに分割されたマスク１００に荷電粒子
線を照射し、電子光学系８，９および偏向器３，６を用
いて各サブフィールドＳf毎にマスク１００のパターン
像を感応基板１１０上に投影する荷電粒子線投影装置に
適用され、各サブフィールドＳf内の最小線幅パターン
位置を記憶する記憶手段１４１と、電子光学系８，９の
レンズ収差と偏向器３，６による荷電粒子線の偏向量に
依存する偏向収差とによって生じる最小線幅パターンの
像ボケが最小となるように、最小線幅パターン位置およ
び偏向器３，６による荷電粒子線の偏向量に基づいて電
子光学系８，９の焦点距離を算出する演算手段１４２
と、電子光学系８，９を算出された焦点距離に制御する
制御手段１４とを備えて上述の目的を達成する。
図１に対応付けて説明すると、（１）請求項１の発明
は、パターンが形成され複数のサブフィールドＳfに分
割されたマスク１００に荷電粒子線を照射し、電子光学
系８，９および偏向器３，６を用いて各サブフィールド
Ｓf毎にマスク１００のパターン像を感応基板１１０上
に投影する荷電粒子線投影方法に適用され、サブフィー
ルドＳf内の最小線幅パターン位置に基づいて最小線幅
パターン位置のパターン像のボケが最小となるように電
子光学系８，９の焦点距離を設定したことにより上述の
目的を達成する。 （２）請求項２の発明は、パターンが形成され複数のサ
ブフィールドＳfに分割されたマスク１００に荷電粒子
線を照射し、電子光学系８，９および偏向器３，６を用
いて各サブフィールドＳf毎にマスク１００のパターン
像を感応基板１１０上に投影する荷電粒子線投影方法に
適用され、サブフィールドＳf内の最小線幅パターン位
置および偏向器３，６による偏向量に基づいて最小線幅
パターン位置のパターン像のボケが最小となるように電
子光学系８，９の焦点距離を設定したことにより上述の
目的を達成する。 （３）請求項３の発明は、パターンが形成され複数のサ
ブフィールドＳfに分割されたマスク１００に荷電粒子
線を照射し、電子光学系８，９および偏向器３，６を用
いて各サブフィールドＳf毎にマスク１００のパターン
像を感応基板１１０上に投影する荷電粒子線投影装置に
適用され、各サブフィールドＳf内の最小線幅パターン
位置を記憶する記憶手段１４１と、電子光学系８，９の
レンズ収差によって生じる最小線幅パターンの像ボケが
最小となるように、最小線幅パターン位置に基づいて電
子光学系８，９の焦点距離を算出する演算手段１４２
と、電子光学系８，９を算出された焦点距離に制御する
制御手段１４とを備えて上述の目的を達成する。 （４）請求項４の発明は、パターンが形成され複数のサ
ブフィールドＳfに分割されたマスク１００に荷電粒子
線を照射し、電子光学系８，９および偏向器３，６を用
いて各サブフィールドＳf毎にマスク１００のパターン
像を感応基板１１０上に投影する荷電粒子線投影装置に
適用され、各サブフィールドＳf内の最小線幅パターン
位置を記憶する記憶手段１４１と、電子光学系８，９の
レンズ収差と偏向器３，６による荷電粒子線の偏向量に
依存する偏向収差とによって生じる最小線幅パターンの
像ボケが最小となるように、最小線幅パターン位置およ
び偏向器３，６による荷電粒子線の偏向量に基づいて電
子光学系８，９の焦点距離を算出する演算手段１４２
と、電子光学系８，９を算出された焦点距離に制御する
制御手段１４とを備えて上述の目的を達成する。
【０００７】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を参照して本発
明の実施の形態を説明する。図１は本発明による荷電粒
子線投影装置の一実施の形態を示す図である。１は電子
銃、２は電子銃１からの電子線を平行ビーム化するコン
デンサレンズ、３はコンデンサレンズ２を通過した電子
線をマスク１００の所定のサブフィールドＳfに導く視
野選択偏向器、４はマスク１００をｘ軸、ｙ軸方向に水
平移動させるステージ、５はステージ４のアクチュエー
タである。６はマスク１００を通過した電子線をｘ軸，
ｙ軸方向に偏向する偏向器、８および９は投影レンズ、
１５，１６は偏向器３，６のインターフェースであり、
１７，１８，１９は投影レンズ８，９およびコンデンサ
レンズ２の電源である。
明の実施の形態を説明する。図１は本発明による荷電粒
子線投影装置の一実施の形態を示す図である。１は電子
銃、２は電子銃１からの電子線を平行ビーム化するコン
デンサレンズ、３はコンデンサレンズ２を通過した電子
線をマスク１００の所定のサブフィールドＳfに導く視
野選択偏向器、４はマスク１００をｘ軸、ｙ軸方向に水
平移動させるステージ、５はステージ４のアクチュエー
タである。６はマスク１００を通過した電子線をｘ軸，
ｙ軸方向に偏向する偏向器、８および９は投影レンズ、
１５，１６は偏向器３，６のインターフェースであり、
１７，１８，１９は投影レンズ８，９およびコンデンサ
レンズ２の電源である。
【０００９】１０は感応基板１１０をｘ軸，ｙ軸方向に
水平移動させるステージ、１１はステージ１０のアクチ
ュエータであり、ステージ４および１０のｘ軸，ｙ軸方
向の位置はレーザ干渉計等の位置検出器１２，１３で検
出され、それらの検出結果が制御装置１４へ出力され
る。１４１は記憶部であり、マスク１００の各サブフィ
ールドＳf内で最も精度良く投影すべきパターン位置
（以下では最小線幅パターン位置と記す）、すなわちボ
ケが最小となるべき位置が予め記憶される。また、１４
２は投影レンズ８，９の収差やその収差によるパターン
像のボケ量等を算出する演算部である。制御装置１４
は、偏向器３，６による電子線の偏向、ステージ４，１
０の移動、コンデンサレンズ２および投影レンズ８，９
の励磁をそれぞれ制御する。
水平移動させるステージ、１１はステージ１０のアクチ
ュエータであり、ステージ４および１０のｘ軸，ｙ軸方
向の位置はレーザ干渉計等の位置検出器１２，１３で検
出され、それらの検出結果が制御装置１４へ出力され
る。１４１は記憶部であり、マスク１００の各サブフィ
ールドＳf内で最も精度良く投影すべきパターン位置
（以下では最小線幅パターン位置と記す）、すなわちボ
ケが最小となるべき位置が予め記憶される。また、１４
２は投影レンズ８，９の収差やその収差によるパターン
像のボケ量等を算出する演算部である。制御装置１４
は、偏向器３，６による電子線の偏向、ステージ４，１
０の移動、コンデンサレンズ２および投影レンズ８，９
の励磁をそれぞれ制御する。
【００１０】本実施の形態では、各サブフィールドＳf
内のパターンを感応基板１１０上の対応するサブフィー
ルドＷＳfに投影する際に、サブフィールドＳf内の最小
線幅パターン位置にあるパターンの像のボケが最小とな
るように投影レンズ８，９の焦点距離が設定される。図
２は制御装置１４による投影レンズ８、９の焦点距離設
定を説明するフローチャートである。感応基板１１０の
各サブフィールドＷＳfへのパターン投影の際には、偏
向器３はパターン投影すべきサブフィールドＳｆが電子
線により照射されるように電子線を偏向する。一方、投
影中はステージ４，１０は互いに逆方向に連続移動して
おり、偏向器６はマスク１００を通過した電子線が感応
基板１１０の所定のサブフィールドＷＳｆの中央に照射
されるように電子線を偏向する。
内のパターンを感応基板１１０上の対応するサブフィー
ルドＷＳfに投影する際に、サブフィールドＳf内の最小
線幅パターン位置にあるパターンの像のボケが最小とな
るように投影レンズ８，９の焦点距離が設定される。図
２は制御装置１４による投影レンズ８、９の焦点距離設
定を説明するフローチャートである。感応基板１１０の
各サブフィールドＷＳfへのパターン投影の際には、偏
向器３はパターン投影すべきサブフィールドＳｆが電子
線により照射されるように電子線を偏向する。一方、投
影中はステージ４，１０は互いに逆方向に連続移動して
おり、偏向器６はマスク１００を通過した電子線が感応
基板１１０の所定のサブフィールドＷＳｆの中央に照射
されるように電子線を偏向する。
【００１１】まず、投影すべきサブフィールドＳfが決
定されるとステップＳ１０１に進み、偏向器３，６によ
る偏向量および記憶部１４１に記憶されている最小線幅
パターン位置に基づいて最小線幅パターン位置のボケ量
を演算部１４２により算出する。ところで、最小線幅パ
ターン位置がサブフィールドＳfの中心部分から離れる
につれて、収差は中心部分からの距離に比例または２乗
に比例して生じ、また、球面収差および像面歪曲収差以
外の収差は焦点距離にあまり依存せず、ほぼ偏向量によ
って決る。そのため、算出されたボケ量は投影レンズ
８，９の焦点距離に依存することが分かる。なお、電子
線を偏向器３，６で偏向した場合には、ボケ量を算出す
る際に偏向による収差およびそのハイブリッド項による
ボケも考慮しなければならない。たとえば、像面湾曲収
差の場合には偏向像面湾曲収差およびサブフィールド偏
向ハイブリッド像面湾曲収差が生じる
定されるとステップＳ１０１に進み、偏向器３，６によ
る偏向量および記憶部１４１に記憶されている最小線幅
パターン位置に基づいて最小線幅パターン位置のボケ量
を演算部１４２により算出する。ところで、最小線幅パ
ターン位置がサブフィールドＳfの中心部分から離れる
につれて、収差は中心部分からの距離に比例または２乗
に比例して生じ、また、球面収差および像面歪曲収差以
外の収差は焦点距離にあまり依存せず、ほぼ偏向量によ
って決る。そのため、算出されたボケ量は投影レンズ
８，９の焦点距離に依存することが分かる。なお、電子
線を偏向器３，６で偏向した場合には、ボケ量を算出す
る際に偏向による収差およびそのハイブリッド項による
ボケも考慮しなければならない。たとえば、像面湾曲収
差の場合には偏向像面湾曲収差およびサブフィールド偏
向ハイブリッド像面湾曲収差が生じる
【００１２】ステップＳ１０２では、ステップＳ１０１
で算出したボケ量が最小となる、すなわち最小線幅パタ
ーン位置のボケが最小となる投影レンズ８，９の焦点距
離をそれぞれ算出する。ステップＳ１０３は全てのサブ
フィールドＳfについて前記焦点距離が算出されたか否
かを判別するステップであり、全て算出された場合には
ステップＳ１０４に進み、その他の場合にはステップＳ
１０１へ戻る。ステップＳ１０４では、投影レンズ８，
９をそれぞれステップＳ１０２で算出した焦点距離とな
るように励磁し、次いで、ステップＳ１０５に進んで当
該サブフィールドＳfにパターン像を投影する。ステッ
プＳ１０６は全てのサブフィールドＳfのパターン投影
が終了したか否かを判別するステップであり、全てのパ
ターン投影が終了していない場合にはステップＳ１０４
へ戻り、ステップＳ１０４およびＳ１０５の動作を繰り
返し、全てのパターン投影が終了したら一連の動作を終
了する。
で算出したボケ量が最小となる、すなわち最小線幅パタ
ーン位置のボケが最小となる投影レンズ８，９の焦点距
離をそれぞれ算出する。ステップＳ１０３は全てのサブ
フィールドＳfについて前記焦点距離が算出されたか否
かを判別するステップであり、全て算出された場合には
ステップＳ１０４に進み、その他の場合にはステップＳ
１０１へ戻る。ステップＳ１０４では、投影レンズ８，
９をそれぞれステップＳ１０２で算出した焦点距離とな
るように励磁し、次いで、ステップＳ１０５に進んで当
該サブフィールドＳfにパターン像を投影する。ステッ
プＳ１０６は全てのサブフィールドＳfのパターン投影
が終了したか否かを判別するステップであり、全てのパ
ターン投影が終了していない場合にはステップＳ１０４
へ戻り、ステップＳ１０４およびＳ１０５の動作を繰り
返し、全てのパターン投影が終了したら一連の動作を終
了する。
【００１３】図３は感応基板１１０のサブフィールドＷ
Ｓf内のボケ水準を示す図であり、Ｃdは最小線幅パター
ンを示している。図３（ａ）では最小線幅パターンＣd
はサブフィールドＷＳfの中心部分にあり、この中心部
分のボケが最小（ボケ水準ｂ０）となるように焦点距離
が設定されている。この場合、サブフィールドＷＳfに
おけるボケの状態は、図４（ａ）に示す状態と同様であ
る。一方、図３（ｂ）では最小線幅パターンＣdはサブ
フィールドＷＳfの右上端部分にあり、サブフィールド
ＷＳfの四隅の部分のボケが最小（ボケ水準ｂ２）とな
るように焦点距離が設定されている。
Ｓf内のボケ水準を示す図であり、Ｃdは最小線幅パター
ンを示している。図３（ａ）では最小線幅パターンＣd
はサブフィールドＷＳfの中心部分にあり、この中心部
分のボケが最小（ボケ水準ｂ０）となるように焦点距離
が設定されている。この場合、サブフィールドＷＳfに
おけるボケの状態は、図４（ａ）に示す状態と同様であ
る。一方、図３（ｂ）では最小線幅パターンＣdはサブ
フィールドＷＳfの右上端部分にあり、サブフィールド
ＷＳfの四隅の部分のボケが最小（ボケ水準ｂ２）とな
るように焦点距離が設定されている。
【００１４】上述した実施の形態では、サブフィールド
Ｓf内に最小線幅パターンが１つの場合について説明し
たが、例えば複数ある場合には、それらのボケの平均が
最小になるように焦点距離を設定すれば良い。また、図
２のステップＳ１０１〜Ｓ１０３の処理、すなわち、各
サブフィールドＳfに関してボケ量および焦点距離の算
出を投影装置側で行ったが、予め別の計算機で計算して
おいた各サブフィールドＳfの焦点距離データを記憶部
１４１に入力しておき、その焦点距離に基づいて投影レ
ンズ８，９の励磁を行うようにしても良い。さらにま
た、図２のステップＳ１０１ではボケ量算出の際に偏向
による収差およびそのハイブリッド項によるボケを考慮
したが、このボケ量がレンズ収差によるボケ量に比べ小
さくなるような場合には、レンズ収差によるボケ量のみ
が最小となるように焦点距離を設定しても良い。
Ｓf内に最小線幅パターンが１つの場合について説明し
たが、例えば複数ある場合には、それらのボケの平均が
最小になるように焦点距離を設定すれば良い。また、図
２のステップＳ１０１〜Ｓ１０３の処理、すなわち、各
サブフィールドＳfに関してボケ量および焦点距離の算
出を投影装置側で行ったが、予め別の計算機で計算して
おいた各サブフィールドＳfの焦点距離データを記憶部
１４１に入力しておき、その焦点距離に基づいて投影レ
ンズ８，９の励磁を行うようにしても良い。さらにま
た、図２のステップＳ１０１ではボケ量算出の際に偏向
による収差およびそのハイブリッド項によるボケを考慮
したが、このボケ量がレンズ収差によるボケ量に比べ小
さくなるような場合には、レンズ収差によるボケ量のみ
が最小となるように焦点距離を設定しても良い。
【００１５】以上説明した発明の実施の形態と特許請求
の範囲の要素との対応において、投影レンズ８，９は電
子光学系を、制御装置１４は制御手段を、記憶部１４１
は記憶手段を、演算部１４２は演算手段をそれぞれ構成
する。
の範囲の要素との対応において、投影レンズ８，９は電
子光学系を、制御装置１４は制御手段を、記憶部１４１
は記憶手段を、演算部１４２は演算手段をそれぞれ構成
する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
各サブフィールド毎に最小線幅パターン位置のボケが最
小となるように電子光学系の焦点距離を設定しているた
め、パターン像の投影を高解像度に行うことができる。
各サブフィールド毎に最小線幅パターン位置のボケが最
小となるように電子光学系の焦点距離を設定しているた
め、パターン像の投影を高解像度に行うことができる。
【図１】本発明による荷電粒子線投影装置の実施の形態
を示す図。
を示す図。
【図２】制御装置１４の動作を説明するフローチャー
ト。
ト。
【図３】サブフィールドＷＳf内のボケの状態を示す
図。
図。
【図４】従来の荷電粒子線露光装置におけるサブフィー
ルドＷＳf内のボケの状態を示す図。
ルドＷＳf内のボケの状態を示す図。
１ 電子銃 ２ コンデンサレンズ ３，６ 偏向器 ８，９ 投影レンズ １４ 制御装置 １００ マスク １１０ 感応基板 １４１ 記憶部 １４２ 演算部 ｂ０〜ｂ５ ボケ水準 Ｃd 最小線幅パターン Ｓf，ＷＳf サブフィールド
Claims (4)
- 【請求項１】 パターンが形成され複数のサブフィール
ドに分割されたマスクに荷電粒子線を照射し、電子光学
系および偏向器を用いて前記各サブフィールド毎に前記
マスクのパターン像を感応基板上に投影する荷電粒子線
投影方法において、 前記サブフィールド内の最小線幅パターン位置に基づい
て前記最小線幅パターン位置のパターン像のボケが最小
となるように前記電子光学系の焦点距離を設定したこと
を特徴とする荷電粒子線投影方法。 - 【請求項２】 パターンが形成され複数のサブフィール
ドに分割されたマスクに荷電粒子線を照射し、電子光学
系および偏向器を用いて前記各サブフィールド毎に前記
マスクのパターン像を感応基板上に投影する荷電粒子線
投影方法において、 前記サブフィールド内の最小線幅パターン位置および前
記偏向器による偏向量に基づいて前記最小線幅パターン
位置のパターン像のボケが最小となるように前記電子光
学系の焦点距離を設定したことを特徴とする荷電粒子線
投影方法。 - 【請求項３】 パターンが形成され複数のサブフィール
ドに分割されたマスクに荷電粒子線を照射し、電子光学
系および偏向器を用いて前記各サブフィールド毎に前記
マスクのパターン像を感応基板上に投影する荷電粒子線
投影装置において、 各サブフィールド内の最小線幅パターン位置を記憶する
記憶手段と、 前記電子光学系のレンズ収差によって生じる前記最小線
幅パターンの像ボケが最小となるように、前記最小線幅
パターン位置に基づいて前記電子光学系の焦点距離を算
出する演算手段と、 前記電子光学系を算出された前記焦点距離に制御する制
御手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線投影装
置。 - 【請求項４】 パターンが形成され複数のサブフィール
ドに分割されたマスクに荷電粒子線を照射し、電子光学
系および偏向器を用いて前記各サブフィールド毎に前記
マスクのパターン像を感応基板上に投影する荷電粒子線
投影装置において、 各サブフィールド内の最小線幅パターン位置を記憶する
記憶手段と、 前記電子光学系のレンズ収差と前記偏向器による荷電粒
子線の偏向量に依存する偏向収差とによって生じる前記
最小線幅パターンの像ボケが最小となるように、前記最
小線幅パターン位置および前記偏向器による荷電粒子線
の偏向量に基づいて前記電子光学系の焦点距離を算出す
る演算手段と、 前記電子光学系を算出された前記焦点距離に制御する制
御手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線投影装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8295157A JPH10144583A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 荷電粒子線投影方法および荷電粒子線投影装置 |
| US08/966,262 US6087668A (en) | 1996-11-07 | 1997-11-07 | Charged-particle-beam projection method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8295157A JPH10144583A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 荷電粒子線投影方法および荷電粒子線投影装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144583A true JPH10144583A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17817000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8295157A Pending JPH10144583A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 荷電粒子線投影方法および荷電粒子線投影装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6087668A (ja) |
| JP (1) | JPH10144583A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003520409A (ja) * | 2000-01-21 | 2003-07-02 | フェイ カンパニ | 成形され、低密度な集束イオンビーム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323390A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4985634A (en) * | 1988-06-02 | 1991-01-15 | Oesterreichische Investitionskredit Aktiengesellschaft And Ionen Mikrofabrications | Ion beam lithography |
| DE68920281T2 (de) * | 1988-10-31 | 1995-05-11 | Fujitsu Ltd | Vorrichtung und Verfahren zur Lithographie mittels eines Strahls geladener Teilchen. |
| JP3265504B2 (ja) * | 1993-10-12 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びに半導体素子の製造方法 |
| US5466904A (en) * | 1993-12-23 | 1995-11-14 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography system |
| EP1369897A3 (en) * | 1996-03-04 | 2005-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| JP3704694B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2005-10-12 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線転写装置 |
-
1996
- 1996-11-07 JP JP8295157A patent/JPH10144583A/ja active Pending
-
1997
- 1997-11-07 US US08/966,262 patent/US6087668A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003520409A (ja) * | 2000-01-21 | 2003-07-02 | フェイ カンパニ | 成形され、低密度な集束イオンビーム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6087668A (en) | 2000-07-11 |
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