JPH10144656A - ３つの独立制御電極を具備したエッチングチャンバ装置 - Google Patents
３つの独立制御電極を具備したエッチングチャンバ装置Info
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- JPH10144656A JPH10144656A JP29401096A JP29401096A JPH10144656A JP H10144656 A JPH10144656 A JP H10144656A JP 29401096 A JP29401096 A JP 29401096A JP 29401096 A JP29401096 A JP 29401096A JP H10144656 A JPH10144656 A JP H10144656A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 側壁の不活性化をより精確に制御可能な改善
された異方性・選択性エッチング用エッチングチャンバ
装置を提供する。 【解決手段】 誘電体窓と、第１、第２、第３の電極を
具備した異方性・選択性エッチングチャンバにおいて、
第２電極により前記第１電極により発生されたプラズマ
が励起され、第３電極により誘電体窓がスパッタされる
ことにより側壁に保護膜が形成されて、チャンバ内の半
導体ウェーハが異方性・選択性エッチングされる。それ
ぞれの電極手段は専用のＲＦ発振器により駆動され、独
立して制御可能であるため、ウェーハのエッチングの最
適化が達成される。
された異方性・選択性エッチング用エッチングチャンバ
装置を提供する。 【解決手段】 誘電体窓と、第１、第２、第３の電極を
具備した異方性・選択性エッチングチャンバにおいて、
第２電極により前記第１電極により発生されたプラズマ
が励起され、第３電極により誘電体窓がスパッタされる
ことにより側壁に保護膜が形成されて、チャンバ内の半
導体ウェーハが異方性・選択性エッチングされる。それ
ぞれの電極手段は専用のＲＦ発振器により駆動され、独
立して制御可能であるため、ウェーハのエッチングの最
適化が達成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体ウェーハ
の製造に関し、特に、半導体ウェーハ製造における多結
晶シリコンおよび金属導体の選択性・異方性エッチング
用３電極エッチングチャンバ装置に関する。
の製造に関し、特に、半導体ウェーハ製造における多結
晶シリコンおよび金属導体の選択性・異方性エッチング
用３電極エッチングチャンバ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ製造において、多結晶シ
リコンはゲート材料として広く使用されている。この技
術分野では現代の傾向としてデバイス密度が増加の一途
をたどっており、それに伴って必要とされるより小さな
最小加工寸法を半導体処理の間精確に維持しなければな
らない。これは、比較的低圧の高密度プラズマを利用し
た異方性・選択性エッチングにより達成されている。
リコンはゲート材料として広く使用されている。この技
術分野では現代の傾向としてデバイス密度が増加の一途
をたどっており、それに伴って必要とされるより小さな
最小加工寸法を半導体処理の間精確に維持しなければな
らない。これは、比較的低圧の高密度プラズマを利用し
た異方性・選択性エッチングにより達成されている。
【０００３】当業者には明らかであるように、プラズマ
エッチングではＲＦ電圧に結合されたプラズマを用いて
化学的に活性のエッチャントが発生され、それが基板の
非保護層と反応して揮発性のエッチング生成物が形成さ
れる。この手法は基板とエッチングガスの適切な組み合
わせにより可能となる。そのような組み合わせが半導体
デバイスの製造に使用される膜の大部分に関して分かっ
ている。代表的なエッチングガスの例としては塩素およ
びフッ素化合物があり、それぞれＣＣｌ４とＣＦ４の形
で利用可能である。これらの化合物はポリシリコン、Ｓ
ｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，および金属類のエッチング用に組
成されている。例えば、フッ素ラジカルはシリコンと反
応して揮発性のシリコンテトラフルオリドエッチング生
成物を形成する。レジスト等の有機フィルムをエッチン
グしたり、エッチングガスのエッチング速度を大幅に増
加させるために、酸素を含んだプラズマが広く用いられ
ている。
エッチングではＲＦ電圧に結合されたプラズマを用いて
化学的に活性のエッチャントが発生され、それが基板の
非保護層と反応して揮発性のエッチング生成物が形成さ
れる。この手法は基板とエッチングガスの適切な組み合
わせにより可能となる。そのような組み合わせが半導体
デバイスの製造に使用される膜の大部分に関して分かっ
ている。代表的なエッチングガスの例としては塩素およ
びフッ素化合物があり、それぞれＣＣｌ４とＣＦ４の形
で利用可能である。これらの化合物はポリシリコン、Ｓ
ｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，および金属類のエッチング用に組
成されている。例えば、フッ素ラジカルはシリコンと反
応して揮発性のシリコンテトラフルオリドエッチング生
成物を形成する。レジスト等の有機フィルムをエッチン
グしたり、エッチングガスのエッチング速度を大幅に増
加させるために、酸素を含んだプラズマが広く用いられ
ている。
【０００４】プラズマエッチングは一般的に図１に示す
ようなエッチングチャンバ内で行われる。図１の公知技
術によるエッチングチャンバ１０は壁面１２と、超純度
の石英板で作られた誘電体窓１４で構成される。チャン
バ１０の誘電体窓１４上方には誘導コイル１６が配設さ
れており、ＲＦ発振器１８によって駆動される。チャン
バ１０内には一般的にチャックと呼ばれる導電性のウェ
ーハ固定機構２２が置かれている。このウェーハチャッ
クは第２のＲＦ発振器２０により駆動される。コイル１
６を発振器１８で駆動することにより高密度の誘導結合
されたプラズマが発生する。第２の発振器２０によりウ
ェーハ２４にＲＦバイアスがかけられ、それによりウェ
ーハ表面へイオンが衝撃されることにより、異方的な反
応性イオンエッチング（Ｒ．Ｉ．Ｅ）が達成される。
ようなエッチングチャンバ内で行われる。図１の公知技
術によるエッチングチャンバ１０は壁面１２と、超純度
の石英板で作られた誘電体窓１４で構成される。チャン
バ１０の誘電体窓１４上方には誘導コイル１６が配設さ
れており、ＲＦ発振器１８によって駆動される。チャン
バ１０内には一般的にチャックと呼ばれる導電性のウェ
ーハ固定機構２２が置かれている。このウェーハチャッ
クは第２のＲＦ発振器２０により駆動される。コイル１
６を発振器１８で駆動することにより高密度の誘導結合
されたプラズマが発生する。第２の発振器２０によりウ
ェーハ２４にＲＦバイアスがかけられ、それによりウェ
ーハ表面へイオンが衝撃されることにより、異方的な反
応性イオンエッチング（Ｒ．Ｉ．Ｅ）が達成される。
【０００５】しかしながら、上記したようなチャンバ内
エッチングでは必ずしも所望の異方性が確保できない。
例えば、図１のチャンバ内でプラズマエッチングしてポ
リシリコンゲートを形成すると、ゲート側壁に傾斜ない
しはアンダーカットが生じてしまうことが少なくない。
これは選択性の問題である。特に選択性が必要となるの
は、ポリシリコンゲート電極をパターニングする際に、
下地層のゲート酸化物を除去してしまうことのないよう
にするためであるが、それはデバイスが小さくなるにつ
れて双方において必要とされるエッチング比が増大する
からである。より詳細には、シリコンに比して、シリコ
ン酸化物に対する高い選択性が必要とされるが、それは
接合深度がフィールド酸化物の厚さよりも速く減少する
からである。さらに、シリコン酸化物に比して、シリコ
ンに対する高い選択性が必要となる、というのもゲート
酸化物の厚さはゲート電極の厚さよりも速く減少するか
らである。また、必要とされる選択性は前処理段階で形
成された形状のみならず、エッチングされた、ないしは
下地層の厚さに依存する。
エッチングでは必ずしも所望の異方性が確保できない。
例えば、図１のチャンバ内でプラズマエッチングしてポ
リシリコンゲートを形成すると、ゲート側壁に傾斜ない
しはアンダーカットが生じてしまうことが少なくない。
これは選択性の問題である。特に選択性が必要となるの
は、ポリシリコンゲート電極をパターニングする際に、
下地層のゲート酸化物を除去してしまうことのないよう
にするためであるが、それはデバイスが小さくなるにつ
れて双方において必要とされるエッチング比が増大する
からである。より詳細には、シリコンに比して、シリコ
ン酸化物に対する高い選択性が必要とされるが、それは
接合深度がフィールド酸化物の厚さよりも速く減少する
からである。さらに、シリコン酸化物に比して、シリコ
ンに対する高い選択性が必要となる、というのもゲート
酸化物の厚さはゲート電極の厚さよりも速く減少するか
らである。また、必要とされる選択性は前処理段階で形
成された形状のみならず、エッチングされた、ないしは
下地層の厚さに依存する。
【０００６】よって、図１のチャンバ内でプラズマエッ
チングを行う際に異方性を得るためには、接合部側壁に
保護膜を形成する必要がある。これは図１の従来技術に
よるチャンバでは上記したエッチング生成物を適当に選
択することにより達成される。しかし、選択を適当に行
ったとしても、エッチプロセスの終期においてはそれら
エッチング生成物の濃度は減少し、側壁保護膜形成の進
行が低下する。その結果多くの場合えぐれが生じ、ゲー
ト酸化物等の下地層に対する選択性が低下する。よっ
て、エッチング生成物を慎重に選択するという手法に頼
らず、側壁保護膜形成を制御する必要がある。
チングを行う際に異方性を得るためには、接合部側壁に
保護膜を形成する必要がある。これは図１の従来技術に
よるチャンバでは上記したエッチング生成物を適当に選
択することにより達成される。しかし、選択を適当に行
ったとしても、エッチプロセスの終期においてはそれら
エッチング生成物の濃度は減少し、側壁保護膜形成の進
行が低下する。その結果多くの場合えぐれが生じ、ゲー
ト酸化物等の下地層に対する選択性が低下する。よっ
て、エッチング生成物を慎重に選択するという手法に頼
らず、側壁保護膜形成を制御する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本願発明の課題は側壁
保護膜形成をより精確に制御可能な、改良されたエッチ
ングチャンバ装置を提供することである。
保護膜形成をより精確に制御可能な、改良されたエッチ
ングチャンバ装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め、本願発明のエッチングチャンバ装置は以下の構成を
有している。すなわち、誘電体窓を有したエンクロージ
ャから概略構成された、半導体ウェーハの異方性・選択
性エッチング用エッチングチャンバ装置において、第
１、第２および第３の電極手段が配設されている。前記
第１の電極手段はエンクロージャの外側かつ誘電体窓と
隣り合わせて配設され、それによってＲＦ電圧が、エン
クロージャ内に導入されるプロセスガスに誘導結合され
てプラズマに変換される。前記第２の電極手段はエンク
ロージャ内に配設されており、エッチングしようとする
半導体ウェーハを少なくとも１つ保持し、上記第１の電
極手段によって発生されたプラズマを励起する。上記第
３の電極手段は第１の電極手段と誘電体窓間に配設され
ており、誘電体窓をスパッタリングして側壁に保護膜を
形成することにより半導体ウェーハの異方性・選択性エ
ッチングを可能とする。さらに上記第１、第２および第
３の電極は個々に独立して制御可能であり、その結果半
導体ウェーハのエッチングが最適化される。
め、本願発明のエッチングチャンバ装置は以下の構成を
有している。すなわち、誘電体窓を有したエンクロージ
ャから概略構成された、半導体ウェーハの異方性・選択
性エッチング用エッチングチャンバ装置において、第
１、第２および第３の電極手段が配設されている。前記
第１の電極手段はエンクロージャの外側かつ誘電体窓と
隣り合わせて配設され、それによってＲＦ電圧が、エン
クロージャ内に導入されるプロセスガスに誘導結合され
てプラズマに変換される。前記第２の電極手段はエンク
ロージャ内に配設されており、エッチングしようとする
半導体ウェーハを少なくとも１つ保持し、上記第１の電
極手段によって発生されたプラズマを励起する。上記第
３の電極手段は第１の電極手段と誘電体窓間に配設され
ており、誘電体窓をスパッタリングして側壁に保護膜を
形成することにより半導体ウェーハの異方性・選択性エ
ッチングを可能とする。さらに上記第１、第２および第
３の電極は個々に独立して制御可能であり、その結果半
導体ウェーハのエッチングが最適化される。
【０００９】
【発明の実施の形態】本願発明のエッチングチャンバ装
置は特に半導体ゲート導体スタックおよび金属配線用の
異方性・選択性エッチング装置であるが、その他の半導
体構造にも有用である。
置は特に半導体ゲート導体スタックおよび金属配線用の
異方性・選択性エッチング装置であるが、その他の半導
体構造にも有用である。
【００１０】
【実施例】図２に本願発明によるエッチングチャンバ装
置の実施例を参照番号３０で示す。エッチングチャンバ
３０は１つながりの壁面３２を有したエンクロージャ３
１と、超純度の石英製の平らな誘電体窓３４から概略構
成されている。エンクロージャ３１はアルミニウム等の
導電性金属から作られるが、その他の公知材料から作る
こともできる。
置の実施例を参照番号３０で示す。エッチングチャンバ
３０は１つながりの壁面３２を有したエンクロージャ３
１と、超純度の石英製の平らな誘電体窓３４から概略構
成されている。エンクロージャ３１はアルミニウム等の
導電性金属から作られるが、その他の公知材料から作る
こともできる。
【００１１】引き続き図２において、本願発明のエッチ
ングチャンバ３０は３つの独立して制御される電極３
６、４２、４８を有し、それらによって、半導体ウェー
ハ上のゲート導電体スタックと金属導線の高選択性・異
方性エッチングが可能となっている。より詳細には、電
極３６は、エンクロージャ３１の誘電体窓３４の上部に
配設された渦巻き状の誘導コイルを有する。電極３６は
ＲＦ発振器３８に接続されており、それによって駆動さ
れる。エンクロージャ３１内部には電極４２が配置され
ており、１つあるいは複数の半導体ウェーハ４４を保持
するための通常の導電性チャックを有している。チャッ
ク４２はウェーハ４４を保持するのみならず、エッチン
グ中にウェーハ温度を一定に保つよう動作する。第２の
ＲＦ発振器４６がチャック４２に結合されており、チャ
ック４２とウェーハ４４を駆動する。電極４８は新規な
グリッド型電極を構成しており、それにより側壁の保護
膜形成が独立して制御される。このグリッド型電極４８
はいずれの適当な導電材料からも作ることができる。グ
リッド型電極４８はチャンバ３０の誘導コイル３６と誘
電体窓３４間に配設されている。グリッド型電極４８に
は第３の発振器５０が結合されており、前者専用に制御
されるＲＦエネルギー源を構成している。
ングチャンバ３０は３つの独立して制御される電極３
６、４２、４８を有し、それらによって、半導体ウェー
ハ上のゲート導電体スタックと金属導線の高選択性・異
方性エッチングが可能となっている。より詳細には、電
極３６は、エンクロージャ３１の誘電体窓３４の上部に
配設された渦巻き状の誘導コイルを有する。電極３６は
ＲＦ発振器３８に接続されており、それによって駆動さ
れる。エンクロージャ３１内部には電極４２が配置され
ており、１つあるいは複数の半導体ウェーハ４４を保持
するための通常の導電性チャックを有している。チャッ
ク４２はウェーハ４４を保持するのみならず、エッチン
グ中にウェーハ温度を一定に保つよう動作する。第２の
ＲＦ発振器４６がチャック４２に結合されており、チャ
ック４２とウェーハ４４を駆動する。電極４８は新規な
グリッド型電極を構成しており、それにより側壁の保護
膜形成が独立して制御される。このグリッド型電極４８
はいずれの適当な導電材料からも作ることができる。グ
リッド型電極４８はチャンバ３０の誘導コイル３６と誘
電体窓３４間に配設されている。グリッド型電極４８に
は第３の発振器５０が結合されており、前者専用に制御
されるＲＦエネルギー源を構成している。
【００１２】半導体ウェーハ４４をエッチングする際に
は、ＲＦ発振器３８、誘導コイル３６、および誘電体窓
３４は共働して、エンクロージャ３１の４０の部分へ導
入された特定のプロセスガスへＲＦ電圧を誘導結合す
る。使用するガスの例としては、塩化水素（ＨＣｌ）、
塩素（Ｃｌ２）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、その他
の適当なエッチングガスがある。この誘導性結合によ
り、特定の選択されたガスが誘導性プラズマに変換され
る。第２のＲＦ発振器４６によりチャックとウェーハが
一体として独立に駆動され、誘導コイル３６と誘電体窓
３４によって発生された誘導性プラズマがさらに励起さ
れる。グリッド電極４８を駆動するＲＦ発振器５０を選
択的に制御してチャンバ３０の誘電体窓３４をスパッタ
することにより付加的な側壁保護膜を形成することがで
きるので、主エッチングの終期におけるエッチング生成
物の濃度が低減してきた時にも、異方性エッチングが可
能となる。これにより、ウェーハ４４の下部酸化層に対
する選択性も向上する。
は、ＲＦ発振器３８、誘導コイル３６、および誘電体窓
３４は共働して、エンクロージャ３１の４０の部分へ導
入された特定のプロセスガスへＲＦ電圧を誘導結合す
る。使用するガスの例としては、塩化水素（ＨＣｌ）、
塩素（Ｃｌ２）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、その他
の適当なエッチングガスがある。この誘導性結合によ
り、特定の選択されたガスが誘導性プラズマに変換され
る。第２のＲＦ発振器４６によりチャックとウェーハが
一体として独立に駆動され、誘導コイル３６と誘電体窓
３４によって発生された誘導性プラズマがさらに励起さ
れる。グリッド電極４８を駆動するＲＦ発振器５０を選
択的に制御してチャンバ３０の誘電体窓３４をスパッタ
することにより付加的な側壁保護膜を形成することがで
きるので、主エッチングの終期におけるエッチング生成
物の濃度が低減してきた時にも、異方性エッチングが可
能となる。これにより、ウェーハ４４の下部酸化層に対
する選択性も向上する。
【図１】図１は従来技術によるエッチングチャンバ装置
の略図である。
の略図である。
【図２】図２は本願発明によるエッチングチャンバ装置
の略図である。
の略図である。
１２、３２ 壁面 １４、３４ 誘電体窓 １６ 誘導コイル １８ ＲＦ発振器 ２０ 第２ＲＦ発振器 ２２ チャック ２４ ウェーハ ３１ エンクロージャ ３６ 第１電極 ３８ 第１ＲＦ発振器 ４２ 第２電極 ４４ ウェーハ ４６ 第２ＲＦ発振器 ４８ 第３電極 ５０ 第３ＲＦ発振器
Claims (20)
- 【請求項１】 誘電体窓を有したエンクロージャと、 前記エンクロージャの外部かつ前記誘電体窓に隣り合っ
て配設された第１の電極手段と、 前記エンクロージャ内に配設された第２の電極手段と、 前記第１電極手段と前記誘電体窓間に配設された第３の
電極手段とを具備し、 前記第１電極手段により、前記エンクロージャ内に導入
されたプロセスガスがＲＦ電圧と誘導結合されることに
より前記ガスがプラズマに変換され、 前記第２電極手段により、少なくとも１つのエッチング
用半導体ウェーハが保持され、さらに前記第１電極手段
によって発生された前記プラズマが励起され、 前記第３電極手段により前記誘電体窓がスパッタされて
側壁に保護膜が形成され、その結果前記少なくとも１つ
の半導体ウェーハの異方性・選択性エッチングが達成さ
れ、 前記第１、第２、および第３電極手段が独立して制御さ
れることにより前記少なくとも１つの半導体ウェーハの
エッチングが最適化されることを特徴とする、半導体ウ
ェーハの異方性・選択性エッチング用エッチングチャン
バ装置。 - 【請求項２】 前記誘電体窓が石英板で構成された、請
求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記半導体ウェーハがポリシリコンを有
する、請求項１記載の装置。 - 【請求項４】 前記第１電極手段が第１のＲＦ発振器に
結合されている、請求項１記載の装置。 - 【請求項５】 前記第２電極手段が第２のＲＦ発振器に
結合されている、請求項１記載の装置。 - 【請求項６】 前記第３電極手段が第３のＲＦ発振器に
結合されている、請求項１記載の装置。 - 【請求項７】 前記第１電極手段が誘導コイルを有す
る、請求項１記載の装置。 - 【請求項８】 前記第２電極手段がウェーハ保持チャッ
クを有する、請求項１記載の装置。 - 【請求項９】 前記第３電極手段がグリッド型の電極で
構成されている、請求項１記載の装置。 - 【請求項１０】 誘電体窓を有したエンクロージャと、 前記エンクロージャの外部かつ前記誘電体窓に隣り合わ
せて配設された第１電極手段と、 前記エンクロージャ内に配設された第２電極手段と、 前記第１電極手段と前記誘電体窓の間に配設された第３
電極手段と、 前記第１、第２、および第３電極手段にＲＦエネルギを
供給するためのＲＦ発振器手段を具備し、 前記第１電極手段により、前記エンクロージャ内に導入
されたプロセスガスがＲＦ電圧に誘導結合されることに
より、前記ガスがプラズマに変換され、 前記第２電極手段により、少なくとも１つのエッチング
用半導体ウェーハが保持され、さらに、前記第２電極手
段によって発生せられた前記プラズマが励起され、 前記第３電極手段により、前記誘電体窓がスパッタされ
て側壁に保護膜が形成されることにより、前記少なくと
も１つの半導体ウェーハの異方性・選択性エッチングが
達成され、 前記ＲＦ発振器手段により、前記第１、第２、および第
３電極手段が独立して制御されることにより、前記少な
くとも１つの半導体ウェーハのエッチングが最適化され
ることを特徴とする、半導体ウェーハの異方性・選択性
エッチング用エッチングチャンバ装置。 - 【請求項１１】 前記ＲＦ発振器手段が３つの個別のＲ
Ｆ発振器を有し、それぞれのＲＦ発振器が前記第１、第
２、および第３電極手段に対応して結合されている、請
求項１０記載の装置。 - 【請求項１２】 前記第１電極手段が誘導コイルを有す
る、請求項１１記載の装置。 - 【請求項１３】 前記第２電極手段がウェーハ保持チャ
ックを有する、請求項１２記載の装置。 - 【請求項１４】 前記第３電極手段がグリッド型の電極
で構成されている、請求項１３記載の装置。 - 【請求項１５】 前記誘電体窓が石英板で構成されてい
る、請求項１４記載の装置。 - 【請求項１６】 誘電体窓を有したエンクロージャと、 前記エンクロージャの外部かつ前記誘電体窓に隣り合わ
せて配設された誘導コイルと、 前記エンクロージャ内に配設されたウェーハ保持チャッ
クとを具備し、 前記誘導コイルにより、エンクロージャ内にプラズマが
発生され、 前記ウェーハ保持チャックにより、前記誘導コイルによ
って発生された前記プラズマが励起されるよう構成され
た、半導体ウェーハの異方性・選択性エッチング用エッ
チングチャンバ装置において、 前記誘導コイルと前記誘電体窓間に配設された電極手段
を具備し、 前記電極手段により前記誘電体窓がスパッタされて側壁
に保護膜が形成されることにより、エンクロージャ内の
チャック上に保持される前記少なくとも１つの半導体ウ
ェーハが異方性・選択性エッチングされることを特徴と
する、半導体ウェーハの異方性・選択性エッチング用エ
ッチングチャンバ装置。 - 【請求項１７】 前記誘導コイル、前記チャック、なら
びに前記電極手段に対してＲＦエネルギを供給するため
のＲＦ発振器手段を具備した、請求項１６記載の装置。 - 【請求項１８】 前記ＲＦ発振器手段が３つの個別のＲ
Ｆ発振器を備えており、それぞれのＲＦ発振器が前記誘
導コイル、前記チャック、ならびに前記電極手段のうち
対応するものに結合されており、前記ＲＦ発振器手段に
よって前記誘導コイル、前記チャック、ならびに前記電
極手段が独立して制御されることにより、前記少なくと
も１つの半導体ウェーハのエッチングが最適化されるこ
とを特徴とする、請求項１７記載の装置。 - 【請求項１９】 前記誘電体窓が石英板で構成された、
請求項１６記載の装置。 - 【請求項２０】 前記電極手段がグリッド型の電極で構
成された、請求項１６記載の装置。
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|---|---|---|---|
| JP29401096A JP4436463B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | ３つの独立制御電極を具備したエッチングチャンバ装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29401096A JP4436463B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | ３つの独立制御電極を具備したエッチングチャンバ装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144656A true JPH10144656A (ja) | 1998-05-29 |
| JP4436463B2 JP4436463B2 (ja) | 2010-03-24 |
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ID=17802090
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29401096A Expired - Fee Related JP4436463B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | ３つの独立制御電極を具備したエッチングチャンバ装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4436463B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011211225A (ja) * | 2003-03-03 | 2011-10-20 | Lam Research Corp | デュアルドープゲートの用途におけるプロフィル制御とｎ／ｐローディングを改善する方法 |
| CN115708395A (zh) * | 2021-08-18 | 2023-02-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体发生装置及半导体工艺设备 |
-
1996
- 1996-11-06 JP JP29401096A patent/JP4436463B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011211225A (ja) * | 2003-03-03 | 2011-10-20 | Lam Research Corp | デュアルドープゲートの用途におけるプロフィル制御とｎ／ｐローディングを改善する方法 |
| CN115708395A (zh) * | 2021-08-18 | 2023-02-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体发生装置及半导体工艺设备 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4436463B2 (ja) | 2010-03-24 |
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