JPH10144757A - 基板処理システム - Google Patents

基板処理システム

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JPH10144757A
JPH10144757A JP8296453A JP29645396A JPH10144757A JP H10144757 A JPH10144757 A JP H10144757A JP 8296453 A JP8296453 A JP 8296453A JP 29645396 A JP29645396 A JP 29645396A JP H10144757 A JPH10144757 A JP H10144757A
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substrate
unit
pressure
processing
chamber
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JP8296453A
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Hideki Adachi
秀喜 足立
Akira Izumi
昭 泉
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライ雰囲気とウェット雰囲気を分離しつつ
コンパクトな基板処理システムを提供する。 【解決手段】 搬送チャンバ２０と洗浄・乾燥チャンバ
４０との間にバッファチャンバ３０を設け、搬送チャン
バ２０とバッファチャンバ３０との間、およびバッファ
チャンバ３０と洗浄・乾燥チャンバ４０との間にそれぞ
れ密閉型シャッタ３４０，４５０を設ける。それらの密
閉型シャッタを開いて基板の受渡しを行う直前には（搬
送チャンバ内の気圧ｐ１）＞（バッファチャンバ内の気
圧ｐ２）＞（洗浄・乾燥チャンバ内の気圧ｐ３）という
関係を満たすように各チャンバ内の気圧を制御する。こ
れにより洗浄・乾燥チャンバ４０内のわずかにウエット
な雰囲気が搬送チャンバ２０内のドライ雰囲気に及ぶこ
とが少ない。ウエット雰囲気での処理を含んだ複合処理
部としての洗浄・乾燥チャンバ４０をドライ雰囲気の他
のチャンバと結合させているため、システム全体がコン
パクトとなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶用ガラス基板等の基板を搬送する搬送部の周囲に複
数の処理部を備え、搬送部によって基板を各処理部へ搬
送し、それぞれの処理部で基板に所定の処理を行う基板
処理システムに関する。
【０００２】
【発明の背景】従来より、枚葉基板洗浄装置は成膜前の
洗浄処理を行う装置として多く用いられているが、通
常、成膜装置とは別体化されている。これに対して、こ
れらの装置を結合して一体化するという改良が考えられ
ているが単純にそれらを結合した場合の問題点を図８の
ような仮想的なシステムを基に考えてみる。
【０００３】このシステムでは、ローダ９０１から１枚
ずつ取り出された基板Ｗを図示しない搬送機構で搬送し
ながら洗浄処理部９０２において洗浄処理を施した後、
乾燥処理部９０３において乾燥処理を行い、その基板Ｗ
を搬送部９０４の図示しない搬送ロボットにより受取っ
て搬送し、成膜処理部９０５のいずれかで成膜処理を施
した後、再び搬送部９０４で搬送してアンローダ９０６
に搬出する。以上において洗浄処理部９０２内の雰囲気
は完全には乾燥させない雰囲気（以下「ウエット雰囲
気」という。）であり、また、乾燥処理部９０３、搬送
部９０４、成膜処理部９０５およびアンローダ９０６内
の雰囲気は完全に乾燥させた雰囲気（以下「ドライ雰囲
気」という。）である。なお、露点−８０℃〜−５℃の
範囲を境界領域の範囲とし、露点が−５℃以上の場合を
ウエット雰囲気とし、−８０℃以下の場合をドライ雰囲
気とする。
【０００４】このように、本来ドライ雰囲気内で行う処
理はそのままではウエット雰囲気内では行えないため、
この装置では洗浄処理を行った後の基板Ｗをウエット雰
囲気からドライ雰囲気に次第に遷移した内部雰囲気を持
つ搬送エリア内で搬送しつつ乾燥処理を施し、搬送部９
０４に渡している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なシステムを考えた場合に、ウエット雰囲気からドライ
雰囲気に次第に遷移した内部雰囲気を持つ搬送エリアが
長く、それによりシステムが大型化している点や、搬送
エリア内の雰囲気を上記のようにウエット雰囲気からド
ライ雰囲気へ次第に移行させるための雰囲気の制御が困
難であるといった点が問題点として挙げられる。
【０００６】この発明は、上記の比較すべき技術におけ
る上述の問題の克服を意図しており、ドライ雰囲気とウ
ェット雰囲気を分離しつつ各処理部を結合させたコンパ
クトな基板処理システムを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、基板の搬送を行う搬送部の周囲
に複数の処理部を備え、前記搬送部によって基板を前記
処理部へ搬送し、前記処理部で基板に所定の処理を行う
基板処理システムであって、前記複数の処理部は、ドラ
イ雰囲気で基板の処理を行う第１処理部と、ウエット雰
囲気での基板の処理を含む複数種の基板の処理を行う第
２処理部と、を含み、前記搬送部と前記第２処理部との
間にバッファ部を配置し、前記第２処理部と前記バッフ
ァ部との間において雰囲気を遮断する第１遮断手段と、
前記バッファ部と前記処理部との間において雰囲気を遮
断する第２遮断手段と、を備えることを特徴とする。
【０００８】また、請求項２の発明は、請求項１に記載
の基板処理システムであって、前記第２処理部および前
記バッファ部のうち少なくとも１つの内部の雰囲気を制
御する制御手段をさらに備えることを特徴とする。
【０００９】また、請求項３の発明は、請求項２に記載
の基板処理システムであって、前記制御手段は、前記第
２処理部および前記バッファ部の圧力を検出する圧力検
出手段と、前記圧力検出手段の検出結果に基づいて前記
第２処理部および前記バッファ部の圧力を制御する圧力
制御手段と、を備えることを特徴とする。
【００１０】また、請求項４の発明は、請求項３に記載
の基板処理システムであって、少なくとも前記第１遮断
手段を開ける前に、前記バッファ部内の気圧を第２処理
部内の気圧より高い状態にすることを特徴とする。
【００１１】また、請求項５の発明は、請求項３または
請求項４のうちいずれかに記載の基板処理システムであ
って、前記圧力検出手段は、さらに前記搬送部の圧力を
検出するものであり、前記圧力制御手段は、さらに前記
搬送部の圧力を制御するものであることを特徴とする。
【００１２】また、請求項６の発明は、請求項１から請
求項５のいずれかに記載の基板処理システムであって、
前記搬送部は、基板を保持しつつ前記搬送部と前記第１
処理部またはバッファ部との間で基板の搬送を行う複数
の保持手段を備えることを特徴とする。
【００１３】また、請求項７の発明は、請求項１から請
求項６のいずれかに記載の基板処理システムであって、
前記第１処理部における基板の処理には成膜処理を含
み、前記第２処理部における基板の処理には洗浄処理お
よび乾燥処理を含むことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
【００１５】
【１．第１の実施の形態】 ＜１−１．機構的概略構成と装置配列＞図１は第１の実
施の形態の基板処理システム１の構成図である。同図お
よび以下の各図においては、水平面をＸ−Ｙ面とし、鉛
直方向をＺ軸方向とする３次元座標系Ｘ−Ｙ−Ｚが定義
されている。以下、図１を用いてこの基板処理システム
１について説明していく。
【００１６】図示のようにこのシステムは六角柱状をな
す搬送チャンバ２０の周囲にローダ・アンローダ１０、
バッファチャンバ３０およびそれに隣接した洗浄・乾燥
チャンバ４０からなる基板処理ユニットＷＵを２組、お
よび成膜チャンバ５０を３機、放射状に備えた基板処理
システムである。そして、このシステムは各部に接続さ
れた図示しない制御部によるタイミング制御によって、
搬送チャンバ２０を介してローダ・アンローダ１０内に
セットされる複数の未処理の基板Ｗを収納したカセット
ＣＡから、基板Ｗを１枚ずつ取り出して各チャンバ間を
搬送しつつ、洗浄・乾燥チャンバ４０において成膜前洗
浄処理の後に乾燥処理を行い、さらに成膜チャンバ５０
において成膜処理を行い、最終的に全基板処理が終了し
た基板Ｗをローダ・アンローダ１０内のカセットＣＡに
収納する枚葉成膜処理を行うシステムである。なお、基
板処理ユニットＷＶは、搬送チャンバ２０の側面に容易
に取り付けられるように一体として製造されている。
【００１７】以下、各部の機構的概略構成について説明
する。
【００１８】ローダ・アンローダ１０は内部にカセット
ＣＡを２つ保持できるように構成され、筐体１１０のＹ
軸の正側の側面にはカセットＣＡの搬入、搬出用の開口
１１０ａが設けられるとともに、その開口１１０ａには
ローダ・アンローダ１０内の雰囲気と搬送チャンバ２０
内の雰囲気とを不完全に遮断する非密閉型シャッタ１２
０が設けられている。また、図示しないがＹ軸の負側に
も開口が設けられており、この開口を通じてオペレータ
が未処理の基板Ｗを収納したカセットＣＡをセットした
り、処理済みのカセットＣＡを取り出したりする。
【００１９】図２は搬送チャンバ２０の断面図である。
搬送チャンバ２０の筐体２１０の６つの各側面にはロー
ダ・アンローダ１０および各チャンバに通じる基板Ｗの
６つの受渡し用の開口（図２には開口２１０ａ（１１０
ａ），２１０ｃ（３１０ａ）のみ表示）およびその周囲
の内壁面には非密閉型シャッタ１２０や密閉型シャッタ
３４０が設けられている。さらに上面に乾燥した不活性
ガス（以下「エアーＡＩ」という。）供給用の給気口２
１０ｂ、内部雰囲気の排出用の排気口２１０ｄが設けら
れている。
【００２０】また、この筐体２１０の中央の内部底面に
はメカニカルハンド２２０が設けられており、このメカ
ニカルハンド２２０は基台２２１上の本体２２２上面に
設けられた昇降・回動部２２３，２２４のそれぞれにパ
ンタグラフ形状の多関節アーム２２５，２２６と、さら
にそれらの先端にハンド２２７，２２８を備えている。
そして、ハンド２２７，２２８上に基板Ｗを支持しつ
つ、昇降・回動部２２３，２２４の昇降、回動および多
関節アーム２２５，２２６の伸縮によりローダ・アンロ
ーダ１０および各チャンバとの間で基板Ｗの受け渡しお
よび搬送を行う。
【００２１】さらに、筐体２１０の内部上面には圧力セ
ンサ２３０が設けられており、その圧力センサの出力を
もとに制御部が内部雰囲気の気圧を求め、それを基に後
述する気圧制御を行う。
【００２２】図３はバッファチャンバ３０の鉛直断面図
である。バッファチャンバ３０には基板Ｗの受渡し用の
開口として筐体３１０のＹ軸方向の負側の側面に搬送チ
ャンバ２０に通じる開口３１０ａ（図１参照）が、筐体
３１０のＹ軸方向の正側の側面には洗浄・乾燥チャンバ
４０に通じる開口３１０ｂ（図１参照）がそれぞれ設け
られている。また、筐体３１０の上面にはエアーＡＩ供
給用の給気口３１０ｃ、底面には内部雰囲気の排出用の
排気口３１０ｄが設けられている。
【００２３】また、筐体３１０の内部底面には退避カセ
ット３２０および搬送ロボット３３０が設けられてい
る。そして、退避カセット３２０に予め搬送チャンバ２
０のメカニカルハンド２２０によって搬入されていた基
板Ｗを搬送ロボット３３０により取り出し、洗浄・乾燥
チャンバ４０に受け渡したり、逆に搬送ロボット３３０
が洗浄・乾燥チャンバ４０から受け取った基板Ｗを退避
カセット３２０へ搬入したりする。
【００２４】さらに、筐体３１０の内部上面には圧力セ
ンサ２３０と同様の圧力センサ３５０が設けられてお
り、圧力センサ３５０の出力をもとに制御部が内部雰囲
気の気圧を求め、それを基に後述する気圧制御を行う。
【００２５】図４は洗浄・乾燥チャンバ４０の断面図で
ある。洗浄・乾燥チャンバ４０には基板Ｗの受渡し用の
開口として筐体４１０のＹ軸方向の負側の側面にはバッ
ファチャンバ３０に通じる開口４１０ａが設けられ、そ
の内部には前述の密閉型シャッタ３４０と同様の密閉型
シャッタ４５０を備えている。また、筐体４１０の上面
にはエアーＡＩ供給用の給気口４１０ｂ、底面には内部
雰囲気の排出用の排気口４１０ｃが設けられている。さ
らに、筐体４１０の上面から下方に向けて遮蔽部４２０
が、また、内部底面には回転処理部４３０が設けられて
おり、回転処理部４３０において基板Ｗに対して洗浄処
理および乾燥処理を行う。さらに、筐体４１０の内部上
面には圧力センサ２３０，３５０と同様の圧力センサ４
４０が設けられており、その圧力センサの出力をもとに
制御部が内部雰囲気の気圧を求め、それを基に後述する
気圧制御を行う。そして、この洗浄・乾燥チャンバ４０
は、ウエット雰囲気での処理を含みつつ複数種の基板処
理を順次に行う複合処理部となっている。
【００２６】また、成膜チャンバ５０は搬送チャンバ２
０から受け取った基板Ｗに対して成膜処理を行う。
【００２７】＜１−２．主要部の詳細構成および動作＞
以下、主要部の詳細構成および動作について説明してい
く。
【００２８】まず、図２を用いて密閉型シャッタ３４０
について説明する。密閉型シャッタ３４０はバッファチ
ャンバ３０の筐体３１０の開口３１０ａの周囲の外壁す
なわち搬送チャンバ２０の筐体２１０の開口２１０ｃに
設けられたガイド３４１およびそれに昇降自在に保持さ
れた平板状部材３４２からなり、その平板状部材３４２
が昇降することによって開口２１０ｃ（３１０ａ）の開
閉を行う。また、開口２１０ｃ（３１０ａ）を囲むよう
にして筐体３１０の外壁（筐体２１０の内壁）に弾性部
材３４３が固着されており、平板状部材３４２は開口２
１０ｃ（３１０ａ）を閉じた状態で弾性部材３４３に密
着するように位置している。そのため、密閉型シャッタ
３４０を閉じると搬送チャンバ２０とバッファチャンバ
３０との間の雰囲気の交流は完全に遮断される。また、
密閉型シャッタ４５０は密閉型シャッタ３４０と同様の
構成である。
【００２９】なお、非密閉型シャッタ１２０（図２）も
密閉型シャッタ３４０，４５０とほぼ同様の構成である
が、筐体２１０の内壁と平板状部材１２１との間に弾性
部材が設けられていない点のみが異なる。そのため、非
密閉型シャッタ１２０ではローダ・アンローダ１０と搬
送チャンバ２０との間で筐体２１０と平板上部材１２１
との間を通じて雰囲気の交流が生じる。これはローダ・
アンローダ１０，搬送チャンバ２０内の雰囲気は何れも
ドライ雰囲気であり、特に機密性を要しないためであ
る。
【００３０】図５はバッファチャンバ３０の水平断面図
である。以下、図３および図５を用いてバッファチャン
バの搬送ロボット３３０について説明する。図３に示す
ようにバッファチャンバ３０の搬送ロボット３３０は底
面に固定された基台３３１上に本体３３２が設けられて
おり、基台３３１は図示しない水平駆動部の駆動により
筐体３１０の底面にＸ軸の正負方向に設けられた移動溝
３１０ｅ（図５）に沿って水平に移動自在となってい
る。また、本体３３２は基台３３１の内部の鉛直駆動部
（図示せず）の駆動により昇降するとともに回転駆動部
（図示せず）の駆動により軸Ａ２を中心に回動する。ま
た、本体３３２の上端付近には先端にハンド３３４が設
けられたアーム３３３が設けられている。
【００３１】このような構成において、まず本体が矢符
ＡＭ１方向（Ｘ軸の正方向）に移動して退避カセット３
２０内の基板Ｗの間にハンド３３４を挿入した後、本体
３３２が矢符ＡＭ２のように上昇することによってハン
ド３３４上面に基板Ｗを支持し、そのまま一旦本体３３
２が矢符ＡＭ３方向（Ｘ軸の負方向）に移動する。つぎ
に、本体３３２が矢符ＡＭ４のように上から見て反時計
回りに９０゜回動しながら再び矢符ＡＭ１方向に移動
し、停止位置ＰＯ１においてＹ軸の負方向に向いた状態
（図５）で停止して基板Ｗを洗浄・乾燥チャンバ４０に
渡す。また、洗浄・乾燥チャンバ４０からの基板Ｗの受
け取りは上記と逆の順に動作することによって行う。
【００３２】つぎに、図４を用いて洗浄・乾燥チャンバ
４０の遮蔽部４２０および回転処理部４３０について説
明する。洗浄・乾燥チャンバ４０において、遮蔽部４２
０は以下のような構造になっている。筐体４１０の上面
から鉛直方向に配設された懸垂アーム４２１の下端に遮
蔽部材４２２が水平に設けられている。そして、懸垂ア
ーム４２１は上方において図示しない鉛直・回転駆動機
構により昇降駆動および鉛直方向を軸として回転駆動さ
れる。また、懸垂アーム４２１の中心には図示しない洗
浄液供給部に接続された洗浄液供給管４２４が同軸に設
けられ、その下端にはノズル４２５が設けられている。
【００３３】また、回転処理部４３０は以下のような構
造になっている。筐体４１０の底面に設けられたカップ
４３１の下方には回転駆動部４３２が設けられ、それに
接続されてカップ４３１の内部にかけて鉛直方向に回転
軸４３３が配設され、さらに、その上端には水平にスピ
ンチャック４３４およびベース部材４３５が設けられて
いる。そして、回転軸４３３はその下方の回転駆動部４
３２により鉛直方向を軸として回転し、それに伴ってス
ピンチャック４３４およびベース部材４３５が回転す
る。また、回転軸４３３は遮蔽部４２０の懸垂アーム４
２１と同様に中心に洗浄液供給管４３７が同軸に設けら
れ、その上端にはノズル４３８が設けられている。ま
た、ベース部材４３５の周縁部には保持部材４３９が設
けられている。
【００３４】以上のように構成された遮蔽部４２０およ
び回転処理部４３０は以下のように動作する。
【００３５】基板Ｗが搬入される際には、まず、遮蔽部
４２０が回転処理部４３０の上方に退避し、その後カッ
プ４３１の直上位置に基板Ｗを支持したバッファチャン
バ３０における搬送ロボット３３０のハンド３３４が進
入した後、回転軸４３３が上昇して、スピンチャック４
３４、ベース部材４３５が基板Ｗを突き上げ、保持部材
４３９により保持する。そして回転処理部４３０が下降
して図示のように位置する。
【００３６】洗浄処理の際には、図示のように遮蔽部材
４２２をスピンチャック４３４に保持された基板Ｗの表
面に接近させて近接配置させ、基板Ｗがベース部材４３
５と遮蔽部材４２２とに挟まれた状態で、回転駆動部４
３２の駆動によりスピンチャック４３４とともに基板Ｗ
を回転させ、遮蔽部材４２２、ベース部材４３５に設け
られたノズル４２５，４３８から基板Ｗの表面の中心お
よび裏面の中心に洗浄液を供給して洗浄処理を行う。
【００３７】乾燥処理の際には基板Ｗの回転を継続しつ
つノズル４２５，４３８からの洗浄液の供給を停止する
ことによって行われる。
【００３８】以上のように、洗浄処理の際には基板Ｗが
ベース部材４３５と遮蔽部材４２２とに挟まれた状態で
あるので、洗浄液のミストを含んだウエット雰囲気は両
部材の間の空間ＳＰ内にほぼ遮蔽されるため、洗浄・乾
燥チャンバ４０内のドライ雰囲気に及ぶことが少ない。
【００３９】＜１−３．処理手順および気圧制御＞第１
の実施の形態の基板処理システム１では洗浄・乾燥チャ
ンバ内のわずかにウエットな雰囲気が搬送チャンバに及
ばないように、気圧の制御を行っている。
【００４０】このように洗浄・乾燥チャンバ４０からバ
ッファチャンバ３０へ、バッファチャンバ３０から搬送
チャンバ２０への雰囲気の流入を抑えるためには各チャ
ンバ間のシャッタが開く直前に以下のような気圧の関係
を満たしていることが望ましい。
【００４１】 （搬送チャンバ内の気圧ｐ１）＞（バッファチャンバ内の気圧ｐ２）＞（洗浄・ 乾燥チャンバ内の気圧ｐ３） …気圧関係（１） このように、搬送チャンバ２０内は最も高い気圧ｐ１
に、バッファチャンバ３０内はそれより低い気圧ｐ２
に、さらに洗浄・乾燥チャンバ４０内は最も低い気圧ｐ
３になるようにする。
【００４２】以下、エアーＡＩの供給および内部雰囲気
の排気の調節について説明していく。基板処理システム
１の各チャンバは前述のようにそれぞれ内部に所定流量
のエアーＡＩを供給する給気口２１０ｂ，３１０ｃ，４
１０ｂ、および内部の雰囲気をその口径によって定まる
所定流量で外部に排出する排気口２１０ｄ，３１０ｄ，
４１０ｃを備えており、洗浄・乾燥チャンバ４０、バッ
ファチャンバ３０、搬送チャンバ２０の順にエアーＡＩ
の供給量を多く、排気口の口径を小さく設定している。
これにより、前述の各シャッタ３４０，４５０を閉じて
長時間の後には上記のような気圧関係（１）になるよう
に基板処理システム１を構成している。
【００４３】しかし、このような構成であっても、密閉
型シャッタ３４０や密閉型シャッタ４５０が開くとすぐ
にそれらのシャッタを挟んで隣接するチャンバ内の雰囲
気は互いに等しくなる。そのため、それらのシャッタを
閉じてもすぐに気圧関係（１）を満たすようにはならな
い。そのため、この基板処理システム１では搬送チャン
バ２０、バッファチャンバ３０、洗浄・乾燥チャンバ４
０の各チャンバに設けた圧力センサの出力信号から求め
たそれらのチャンバ内の気圧が気圧関係（１）を満たす
設定値に達するまで各シャッタを開くのを待つといった
タイミング制御によって気圧制御を行っている。
【００４４】このような各チャンバの内部気圧の制御を
行っているためバッファチャンバ３０と搬送チャンバ２
０との間の基板Ｗの受渡しの際には必ず搬送チャンバ２
０からバッファチャンバ３０に雰囲気が流入し、同様
に、洗浄・乾燥チャンバ４０のいずれかと、それに隣接
するバッファチャンバ３０との基板Ｗの受渡しの際には
必ずバッファチャンバ３０から洗浄・乾燥チャンバ４０
に雰囲気が流入する。その際の雰囲気の流入は、ドライ
雰囲気のチャンバ側からわずかにウエットな雰囲気のチ
ャンバ側への流入であり、このような雰囲気の流入は問
題なく、許容されるものである。
【００４５】図６は第１の実施の形態の各チャンバ内の
気圧の時間変化を示す図である。以下、図６を用いてバ
ッファチャンバ３０を介した搬送チャンバ２０と洗浄・
乾燥チャンバ４０間の基板の受け渡しの際のそれらのチ
ャンバ内の気圧の時間変化について説明していく。ただ
し、図６の縦軸は各チャンバ内の気圧の相対的な高低の
関係を示すものであって、気圧の絶対的な大きさを示す
ものではない。また、図中の上向きの矢印が付された直
線は一瞬の気圧の立ち上がりを示すものではなく、実際
には次第に気圧が上昇する状況を表記の都合上このよう
に表わしている。
【００４６】まず、時刻Ｔ１以前においてローダ・アン
ローダ１０にセットされた処理前の基板Ｗを搬送チャン
バ２０内のメカニカルハンド２２０が取り出す。この時
刻Ｔ１の直前には搬送チャンバ２０、バッファチャンバ
３０、洗浄・乾燥チャンバ４０内の気圧の関係は気圧関
係（１）を満たしている。
【００４７】つぎに、時刻Ｔ１において密閉型シャッタ
３４０を開く。この段階で搬送チャンバ２０内の雰囲気
はバッファチャンバ３０内に流入し気圧ｐ１は気圧ｐ２
と等しくなる。
【００４８】そして、時刻Ｔ１〜時刻Ｔ２の間において
搬送チャンバ２０からバッファチャンバ３０に基板Ｗを
搬入した後、時刻Ｔ２において密閉型シャッタ３４０を
閉じる。この段階で気圧ｐ１は上昇し、時刻Ｔ３の直前
には再び気圧関係（１）を満たす。
【００４９】つぎに、時刻Ｔ３において密閉型シャッタ
４５０を開く。この段階でバッファチャンバ３０内の雰
囲気は洗浄・乾燥チャンバ４０に流入し気圧ｐ２は気圧
ｐ３と等しくなる。
【００５０】つぎに、時刻Ｔ３〜時刻Ｔ４の間において
バッファチャンバ３０から洗浄・乾燥チャンバ４０に基
板Ｗを搬入した後、時刻Ｔ４において密閉型シャッタ４
５０を閉じる。この段階で気圧ｐ２は上昇し、時刻Ｔ５
の直前には再び気圧関係（１）を満たす。それと並行し
て、時刻Ｔ４〜時刻Ｔ５の間において洗浄・乾燥チャン
バ４０に搬入された基板Ｗの洗浄処理を行った後、乾燥
処理を行う。
【００５１】つぎに、時刻Ｔ５において密閉型シャッタ
４５０を開く。この段階で上記と同様に気圧ｐ２は気圧
ｐ３と等しくなる。
【００５２】そして、時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６の間において
洗浄・乾燥チャンバ４０からバッファチャンバ３０に基
板Ｗを搬出した後、時刻Ｔ６において密閉型シャッタ４
５０を閉じる。この段階で気圧ｐ２は再度上昇し、時刻
Ｔ７の直前には再び気圧関係（１）を満たす。
【００５３】つぎに時刻Ｔ７において密閉型シャッタ３
４０を開く。この段階で上記と同様に気圧ｐ１は気圧ｐ
２と等しくなる。
【００５４】そして、時刻Ｔ７〜時刻Ｔ８においてバッ
ファチャンバ３０から搬送チャンバ２０に基板Ｗを搬出
する。この段階で気圧ｐ１は再度上昇し、次第に気圧関
係（１）を満たすようになっていく。
【００５５】以上の一連の工程の後、基板Ｗは搬送チャ
ンバ２０において３機の成膜チャンバ５０のうちのいず
れかに搬送され、そこで成膜処理が施された後、再び、
メカニカルハンド２２０によってローダ・アンローダ１
０に搬送されてカセットＣＡ内に収納されて、この装置
による全工程を終了する。
【００５６】以上、説明してきたように、第１の実施の
形態の基板処理システム１では搬送チャンバ２０と洗浄
・乾燥チャンバ４０との間のバッファチャンバ３０によ
り搬送チャンバ２０と洗浄・乾燥チャンバ４０との雰囲
気の交流を遮断することに加えて、洗浄・乾燥チャンバ
４０とバッファチャンバ３０との間において密閉型シャ
ッタ４５０により両チャンバの雰囲気の交流を遮断し、
バッファチャンバ３０と搬送チャンバ２０との間におい
て密閉型シャッタ３４０により両チャンバの雰囲気の交
流を完全に遮断する構成としたので、洗浄・乾燥チャン
バ４０内のわずかにウェットな雰囲気が搬送チャンバ２
０内のドライ雰囲気内に及ぶことが少なく、しかも洗浄
・乾燥チャンバ４０をバッファチャンバ３０を介してド
ライ雰囲気の搬送チャンバ２０と結合させることができ
るので基板処理システム１全体がコンパクトとなる。
【００５７】また、少なくとも密閉型シャッタ３４０，
４５０を開ける直前には気圧関係（１）を満たすように
しているので、密閉型シャッタ３４０を開ける瞬間にバ
ッファチャンバ３０内の雰囲気が搬送チャンバ２０に流
入することを抑制することができ、さらに密閉型シャッ
タ４５０を開ける瞬間に洗浄・乾燥チャンバ４０内のわ
ずかにウエットな雰囲気がバッファチャンバ３０内に流
入することを抑制することができる。
【００５８】さらに、洗浄・乾燥チャンバ４０とバッフ
ァチャンバ３０、密閉型シャッタ４５０および密閉型シ
ャッタ３４０を一体としたものが１機の基板処理ユニッ
トＷＵとして一体として形成されているので、ローダ・
アンローダ１０、搬送チャンバ２０、成膜チャンバ５０
を一体としたものに組み付けることによって第１の実施
の形態の基板処理システム１を容易に構成することがで
きる。
【００５９】
【２．第２の実施の形態】以下、第２の実施の形態の基
板処理システムについて説明していく。第２の実施の形
態の基板処理システムは機構的構成において第１の実施
の形態の基板処理システムと全く同じである。ただし、
搬送チャンバ２０、バッファチャンバ３０、洗浄・乾燥
チャンバ４０の各チャンバ内の気圧の制御のみが異なっ
ている。すなわち、第１の実施の形態の装置が気圧制御
を気圧関係（１）を満たすように行っていたのに対し、
第２の実施の形態の装置では、 （バッファチャンバ内の気圧ｐ２）＞（搬送チャンバ内の気圧ｐ１）＞（洗浄・ 乾燥チャンバ内の気圧ｐ３） …気圧関係（２） を満たすように行っている。
【００６０】図７は第２の実施の形態の基板処理システ
ムの上記の各チャンバ内の気圧の時間変化を示す図であ
る。以下、図７を用いてバッファチャンバ３０を介した
搬送チャンバ２０と洗浄・乾燥チャンバ４０間の基板Ｗ
の受け渡しの際のそれらのチャンバ内の気圧の時間変化
について説明していく。ただし、図７の縦軸は各チャン
バ内の気圧の相対的な高低の関係を示すものであって、
気圧の絶対的な大きさは示していない。また、図中の上
向きの矢印が付された直線は一瞬の気圧の立ち上がりを
示すものではなく、実際には次第に気圧が上昇する状況
を表記の都合上このように表わしている。
【００６１】まず、時刻Ｔ１以前においてローダ・アン
ローダ１０にセットされた処理前の基板Ｗを搬送チャン
バ２０内のメカニカルハンド２２０が取り出す。この時
刻Ｔ１の直前には搬送チャンバ２０、バッファチャンバ
３０、洗浄・乾燥チャンバ４０内の気圧の関係は気圧関
係（２）を満たしている。
【００６２】つぎに、時刻Ｔ１において密閉型シャッタ
３４０を開く。この段階でバッファチャンバ３０内の雰
囲気は搬送チャンバ２０内に流入し気圧ｐ２は気圧ｐ１
と等しくなる。
【００６３】そして、時刻Ｔ１〜時刻Ｔ２の間において
搬送チャンバ２０からバッファチャンバ３０に基板Ｗを
搬入した後、時刻Ｔ２において密閉型シャッタ３４０を
閉じる。この段階で気圧ｐ２は上昇し、時刻Ｔ３の直前
には再び気圧関係（２）を満たす。
【００６４】つぎに、時刻Ｔ３において密閉型シャッタ
４５０を開く。この段階でバッファチャンバ３０内の雰
囲気は洗浄・乾燥チャンバ４０に流入し気圧ｐ２は気圧
ｐ３と等しくなる。
【００６５】つぎに、時刻Ｔ３〜時刻Ｔ４の間において
バッファチャンバ３０から洗浄・乾燥チャンバ４０に基
板Ｗを搬入した後、時刻Ｔ４において密閉型シャッタ４
５０を閉じる。この段階で気圧ｐ２は上昇し、時刻Ｔ５
の直前には再び気圧関係（２）を満たす。それと並行し
て、時刻Ｔ４〜時刻Ｔ５の間において洗浄・乾燥チャン
バ４０に搬入された基板Ｗの洗浄処理を行った後、乾燥
処理を行う。
【００６６】つぎに、時刻Ｔ５において密閉型シャッタ
４５０を開く。この段階で上記と同様に気圧ｐ２は気圧
ｐ３と等しくなる。
【００６７】そして、時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６の間において
洗浄・乾燥チャンバ４０からバッファチャンバ３０に基
板Ｗを搬出した後、時刻Ｔ６において密閉型シャッタ４
５０を閉じる。この段階で気圧ｐ２は再度上昇し、時刻
Ｔ７の直前には再び気圧関係（２）を満たす。
【００６８】つぎに時刻Ｔ７において密閉型シャッタ３
４０を開く。この段階で上記と同様に気圧ｐ２は気圧ｐ
１と等しくなる。
【００６９】そして、時刻Ｔ７〜時刻Ｔ８においてバッ
ファチャンバ３０から搬送チャンバ２０に基板Ｗを搬出
する。この段階で気圧ｐ２は再度上昇し、次第に気圧関
係（２）を満たすようになっていく。
【００７０】以上の一連の工程の後、基板Ｗは搬送チャ
ンバ２０において３機の成膜チャンバ５０のうちのいず
れかに搬送され、そこで成膜処理が施された後、再び、
メカニカルハンド２２０によってローダ・アンローダ１
０に搬送されてカセットＣＡ内に収納されて、この基板
処理システムによる全工程を終了する。
【００７１】以上、説明したように第２の実施の形態の
基板処理システム１でも、少なくとも密閉型シャッタ３
４０，４５０を開ける直前には気圧関係（２）を満たす
ようにしているので、密閉型シャッタ３４０を開ける瞬
間にバッファチャンバ３０内の雰囲気が搬送チャンバ２
０に流入することを抑制することができ、さらに密閉型
シャッタ４５０を開ける瞬間に洗浄・乾燥チャンバ４０
内のわずかにウエットな雰囲気がバッファチャンバ３０
内に流入することを抑制することができる。
【００７２】また、その他の効果についても第１の実施
の形態の基板処理システム１と同様である。
【００７３】
【３．変形例】上記の２つの実施の形態において密閉型
シャッタ３４０または密閉型シャッタ４５０を開く直前
には、第１の実施の形態では気圧関係（１）を満たすよ
うにし、第２の実施の形態では気圧関係（２）を満たす
ように気圧制御を行っているが、密閉型シャッタ３４
０，４５０のいずれか一方が閉じている状態で他方を開
く場合には開く密閉型シャッタを介して隣接しているチ
ャンバ間の気圧の大小関係のみが成立していればよい。
したがって例えば第１の実施の形態のシステムにおい
て、密閉型シャッタ３４０のみを開く直前には気圧Ｐ１
＞気圧Ｐ２を満たすようにし、気圧Ｐ３との関係は制御
せず、逆に、密閉型シャッタ４５０のみを開く直前には
気圧Ｐ２＞気圧Ｐ３を満たすようにし、気圧Ｐ１との関
係は制御しない構成としたり、第２の実施の形態の装置
において、密閉型シャッタ３４０のみを開く直前には気
圧Ｐ２＞気圧Ｐ１を満たすようにし、気圧Ｐ３との関係
は制御せず、逆に密閉型シャッタ４５０のみを開く直前
には気圧Ｐ２＞気圧Ｐ３を満たすようにし、気圧Ｐ１と
の関係は制御しない構成としてもよい。
【００７４】また、第１の実施の形態および第２の実施
の形態では基板処理システム１として成膜処理を行う装
置を示したが、この発明はこれに限られるものではな
く、酸化処理や窒化処理を対象とする装置としてもよ
い。
【００７５】また、第１の実施の形態および第２の実施
の形態では洗浄・乾燥チャンバ４０においてウエット雰
囲気で行う洗浄処理とドライ雰囲気で行う乾燥処理を行
う構成としたが、複数のウエット雰囲気で行う処理のみ
でドライ雰囲気で行う処理を行わない構成としてもよ
い。
【００７６】また、第１の実施の形態および第２の実施
の形態ではバッファチャンバ３０と洗浄・乾燥チャンバ
４０との間のシャッタを密閉型シャッタ４５０とした
が、非密閉型シャッタを用いてもよい。
【００７７】さらに、第１の実施の形態および第２の実
施の形態では各チャンバの気圧の大小を形成する方法と
して、エアーの供給量と排気口の口径を調節する構成と
したが、排気口を設けないで各チャンバの筐体を非密閉
状態のものとしてエアーの供給量のみで調節する構成と
したり、逆に排気口に制御弁を設けてその開度を調節す
ることによって行ってもよい。
【００７８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、搬送部の周囲にある処理部は、ドライ雰囲気で
基板の処理を行う第１処理部と、ウエット雰囲気での基
板の処理を含む複数種の基板の処理を行う第２処理部
と、を含んでおり、また搬送部と第２処理部との間には
第１遮断手段と第２遮断手段とを介してバッファ部を配
置しているので、雰囲気の異なる複数の処理部が互いに
影響をうけることのないコンパクトな基板処理システム
を提供できる。
【００７９】請求項２の発明によれば、制御手段により
第２処理部およびバッファ部のうち少なくとも１つの内
部の雰囲気を制御すれば、第１遮断手段を開けた際に、
第２処理部内のウエット雰囲気のバッファ部への流入を
抑制できる。
【００８０】請求項３の発明によれば、圧力検出手段が
第２処理部およびバッファ部の圧力を検出し、その検出
結果に基づいて圧力制御手段が第２処理部およびバッフ
ァ部の圧力を制御するので、第１遮断手段を開けた際
に、圧力変化にともなう第２処理部内のウエット雰囲気
のバッファ部への流入を確実に抑制できる。
【００８１】請求項４の発明によれば、第１遮断手段を
開ける前に、バッファ部内の気圧を第２処理部内の気圧
より高い状態にすれば、第２処理部内のウエット雰囲気
のバッファ部への流入をさらに確実に抑制できる。
【００８２】請求項５の発明によれば、圧力検出手段
は、さらに搬送部の圧力を検出し、その検出結果に基づ
いて圧力制御手段は、さらに搬送部の圧力を制御するの
で、第２遮断手段を開けた際に、バッファ部内の雰囲気
の搬送部への流入を抑制できる。
【００８３】請求項６の発明によれば、複数の保持手段
により、搬送部と第１処理部またはバッファ部との間で
の基板の搬送が可能なので、基板処理システムにおいて
異なる複数の処理を連続して同時に行うことができる。
【００８４】請求項７の発明によれば、成膜処理と洗浄
処理および乾燥処理とが互いに雰囲気の影響をうけるこ
となく、コンパクトな基板処理システムで処理すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態の基板処理システムの全体構
成図である。
【図２】第１の実施の形態の搬送チャンバの断面図であ
る。
【図３】第１の実施の形態のバッファチャンバの鉛直断
面図である。
【図４】第１の実施の形態の洗浄・乾燥チャンバの断面
図である。
【図５】第１の実施の形態のバッファチャンバの水平断
面図である。
【図６】第１の実施の形態の各チャンバ内の気圧の時間
変化を示す図である。
【図７】第２の実施の形態の各チャンバ内の気圧の時間
変化を示す図である。
【図８】この発明と比較すべき装置の全体構成図であ
る。
【符号の説明】
１ 基板処理システム ２０ 搬送チャンバ ３０ バッファチャンバ ４０ 洗浄・乾燥チャンバ ５０ 成膜チャンバ ２１０ｂ，３１０ｃ，４１０ｂ 給気口 ２１０ｄ，３１０ｄ，４１０ｃ 排気口 ２３０，３５０，４４０ 圧力センサ ３４０，４５０ 密閉型シャッタ Ｔ１〜Ｔ８ 時刻 Ｗ 基板 ｐ１ 搬送チャンバ内の気圧 ｐ２ バッファチャンバ内の気圧 ｐ３ 洗浄・乾燥チャンバ内の気圧

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の搬送を行う搬送部の周囲に複数の
    処理部を備え、前記搬送部によって基板を前記処理部へ
    搬送し、前記処理部で基板に所定の処理を行う基板処理
    システムであって、 前記複数の処理部は、ドライ雰囲気で基板の処理を行う
    第１処理部と、 ウエット雰囲気での基板の処理を含む複数種の基板の処
    理を行う第２処理部と、 を含み、 前記搬送部と前記第２処理部との間にバッファ部を配置
    し、 前記第２処理部と前記バッファ部との間において雰囲気
    を遮断する第１遮断手段と、 前記バッファ部と前記処理部との間において雰囲気を遮
    断する第２遮断手段と、 を備えることを特徴とする基板処理システム。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理システムであ
    って、 前記第２処理部および前記バッファ部のうち少なくとも
    １つの内部の雰囲気を制御する制御手段をさらに備える
    ことを特徴とする基板処理システム。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板処理システムであ
    って、 前記制御手段は、 前記第２処理部および前記バッファ部の圧力を検出する
    圧力検出手段と、 前記圧力検出手段の検出結果に基づいて前記第２処理部
    および前記バッファ部の圧力を制御する圧力制御手段
    と、 を備えることを特徴とする基板処理システム。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理システムであ
    って、 少なくとも前記第１遮断手段を開ける前に、前記バッフ
    ァ部内の気圧を第２処理部内の気圧より高い状態にする
    ことを特徴とする基板処理システム。
  5. 【請求項５】 請求項３または請求項４のうちいずれか
    に記載の基板処理システムであって、 前記圧力検出手段は、さらに前記搬送部の圧力を検出す
    るものであり、 前記圧力制御手段は、さらに前記搬送部の圧力を制御す
    るものであることを特徴とする基板処理システム。
  6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
    の基板処理システムであって、 前記搬送部は、基板を保持しつつ前記搬送部と前記第１
    処理部またはバッファ部との間で基板の搬送を行う複数
    の保持手段を備えることを特徴とする基板処理システ
    ム。
  7. 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれかに記載
    の基板処理システムであって、 前記第１処理部における基板の処理には成膜処理を含
    み、 前記第２処理部における基板の処理には洗浄処理および
    乾燥処理を含むことを特徴とする基板処理システム。
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001004935A1 (en) * 1999-07-12 2001-01-18 Fsi International, Inc. Apparatus and method for transferring a workpiece
EP1039507A3 (en) * 1999-03-26 2001-04-11 Innotech Corporation Production line for semiconductor devices
WO2001033615A3 (en) * 1999-11-02 2001-12-06 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
US6487792B2 (en) 2000-05-08 2002-12-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for agitation of workpiece in high pressure environment
US6871656B2 (en) 1997-05-27 2005-03-29 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
US6926012B2 (en) 1999-11-02 2005-08-09 Tokyo Electron Limited Method for supercritical processing of multiple workpieces
US7001468B1 (en) 2002-02-15 2006-02-21 Tokyo Electron Limited Pressure energized pressure vessel opening and closing device and method of providing therefor
US7017637B2 (en) 2001-09-25 2006-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Thin film forming apparatus and thin film forming method
US7021635B2 (en) 2003-02-06 2006-04-04 Tokyo Electron Limited Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof
US7077917B2 (en) 2003-02-10 2006-07-18 Tokyo Electric Limited High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer
US7140393B2 (en) 2004-12-22 2006-11-28 Tokyo Electron Limited Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems
US7163380B2 (en) 2003-07-29 2007-01-16 Tokyo Electron Limited Control of fluid flow in the processing of an object with a fluid
US7186093B2 (en) 2004-10-05 2007-03-06 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for cooling motor bearings of a high pressure pump
US7208411B2 (en) 2000-04-25 2007-04-24 Tokyo Electron Limited Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module
US7225820B2 (en) 2003-02-10 2007-06-05 Tokyo Electron Limited High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer
US7250374B2 (en) 2004-06-30 2007-07-31 Tokyo Electron Limited System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing
US7255772B2 (en) 2000-07-26 2007-08-14 Tokyo Electron Limited High pressure processing chamber for semiconductor substrate
US7270137B2 (en) 2003-04-28 2007-09-18 Tokyo Electron Limited Apparatus and method of securing a workpiece during high-pressure processing
US7291565B2 (en) 2005-02-15 2007-11-06 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid
US7307019B2 (en) 2004-09-29 2007-12-11 Tokyo Electron Limited Method for supercritical carbon dioxide processing of fluoro-carbon films
US7380984B2 (en) 2005-03-28 2008-06-03 Tokyo Electron Limited Process flow thermocouple
US7387868B2 (en) 2002-03-04 2008-06-17 Tokyo Electron Limited Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2
US7435447B2 (en) 2005-02-15 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system
US7434590B2 (en) 2004-12-22 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system
US7491036B2 (en) 2004-11-12 2009-02-17 Tokyo Electron Limited Method and system for cooling a pump
US7494107B2 (en) 2005-03-30 2009-02-24 Supercritical Systems, Inc. Gate valve for plus-atmospheric pressure semiconductor process vessels
US7524383B2 (en) 2005-05-25 2009-04-28 Tokyo Electron Limited Method and system for passivating a processing chamber
CN110931406A (zh) * 2019-11-18 2020-03-27 北京北方华创微电子装备有限公司 升降门及槽式清洗机

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6277753B1 (en) 1998-09-28 2001-08-21 Supercritical Systems Inc. Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
EP1344243A1 (de) * 2000-12-23 2003-09-17 Aixtron AG Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von halbleitersubstraten
CN100392796C (zh) * 2001-04-10 2008-06-04 东京毅力科创株式会社 包含流量增强特征的半导体衬底高压加工室
WO2003071173A1 (en) * 2002-02-15 2003-08-28 Supercritical Systems Inc. Pressure enchanced diaphragm valve
US6722642B1 (en) 2002-11-06 2004-04-20 Tokyo Electron Limited High pressure compatible vacuum chuck for semiconductor wafer including lift mechanism
US20040112409A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-17 Supercritical Sysems, Inc. Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US20040154647A1 (en) * 2003-02-07 2004-08-12 Supercritical Systems, Inc. Method and apparatus of utilizing a coating for enhanced holding of a semiconductor substrate during high pressure processing
US20050034660A1 (en) * 2003-08-11 2005-02-17 Supercritical Systems, Inc. Alignment means for chamber closure to reduce wear on surfaces
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US20060134332A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Darko Babic Precompressed coating of internal members in a supercritical fluid processing system
US7767145B2 (en) 2005-03-28 2010-08-03 Toyko Electron Limited High pressure fourier transform infrared cell
US7789971B2 (en) 2005-05-13 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
US8642448B2 (en) * 2010-06-22 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
JP5802407B2 (ja) 2011-03-04 2015-10-28 三菱瓦斯化学株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR101225923B1 (ko) * 2011-03-31 2013-01-25 이완기 혼합형 반도체 세정 장치
JP6242478B2 (ja) * 2014-03-27 2017-12-06 富士機械製造株式会社 部品装着装置
US11131541B2 (en) * 2018-06-29 2021-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Shutter monitoring system
KR102099108B1 (ko) * 2018-08-21 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7149144B2 (ja) * 2018-09-25 2022-10-06 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理装置の制御方法
CN114284186A (zh) * 2022-01-13 2022-04-05 上海钧乾智造科技有限公司 一种硅片处理设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4917556A (en) * 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
JPH0344058A (ja) * 1989-07-11 1991-02-25 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6871656B2 (en) 1997-05-27 2005-03-29 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
EP1039507A3 (en) * 1999-03-26 2001-04-11 Innotech Corporation Production line for semiconductor devices
US6251195B1 (en) 1999-07-12 2001-06-26 Fsi International, Inc. Method for transferring a microelectronic device to and from a processing chamber
JP2003504868A (ja) * 1999-07-12 2003-02-04 エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド ワークピースを移送するための装置および方法
WO2001004935A1 (en) * 1999-07-12 2001-01-18 Fsi International, Inc. Apparatus and method for transferring a workpiece
JP5007869B2 (ja) * 1999-07-12 2012-08-22 エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド ワークピースを移送するための装置および方法
US7060422B2 (en) 1999-11-02 2006-06-13 Tokyo Electron Limited Method of supercritical processing of a workpiece
WO2001033615A3 (en) * 1999-11-02 2001-12-06 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
WO2001046999A3 (en) * 1999-11-02 2002-07-11 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for supercritical processing of a workpiece
US6926798B2 (en) 1999-11-02 2005-08-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for supercritical processing of a workpiece
US6926012B2 (en) 1999-11-02 2005-08-09 Tokyo Electron Limited Method for supercritical processing of multiple workpieces
US7208411B2 (en) 2000-04-25 2007-04-24 Tokyo Electron Limited Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module
US6487792B2 (en) 2000-05-08 2002-12-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for agitation of workpiece in high pressure environment
US7255772B2 (en) 2000-07-26 2007-08-14 Tokyo Electron Limited High pressure processing chamber for semiconductor substrate
US7017637B2 (en) 2001-09-25 2006-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Thin film forming apparatus and thin film forming method
US7001468B1 (en) 2002-02-15 2006-02-21 Tokyo Electron Limited Pressure energized pressure vessel opening and closing device and method of providing therefor
US7387868B2 (en) 2002-03-04 2008-06-17 Tokyo Electron Limited Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2
US7021635B2 (en) 2003-02-06 2006-04-04 Tokyo Electron Limited Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof
US7077917B2 (en) 2003-02-10 2006-07-18 Tokyo Electric Limited High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer
US7225820B2 (en) 2003-02-10 2007-06-05 Tokyo Electron Limited High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer
US7270137B2 (en) 2003-04-28 2007-09-18 Tokyo Electron Limited Apparatus and method of securing a workpiece during high-pressure processing
US7163380B2 (en) 2003-07-29 2007-01-16 Tokyo Electron Limited Control of fluid flow in the processing of an object with a fluid
US7250374B2 (en) 2004-06-30 2007-07-31 Tokyo Electron Limited System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing
US7307019B2 (en) 2004-09-29 2007-12-11 Tokyo Electron Limited Method for supercritical carbon dioxide processing of fluoro-carbon films
US7186093B2 (en) 2004-10-05 2007-03-06 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for cooling motor bearings of a high pressure pump
US7491036B2 (en) 2004-11-12 2009-02-17 Tokyo Electron Limited Method and system for cooling a pump
US7434590B2 (en) 2004-12-22 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system
US7140393B2 (en) 2004-12-22 2006-11-28 Tokyo Electron Limited Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems
US7291565B2 (en) 2005-02-15 2007-11-06 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid
US7435447B2 (en) 2005-02-15 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system
US7380984B2 (en) 2005-03-28 2008-06-03 Tokyo Electron Limited Process flow thermocouple
US7494107B2 (en) 2005-03-30 2009-02-24 Supercritical Systems, Inc. Gate valve for plus-atmospheric pressure semiconductor process vessels
US7524383B2 (en) 2005-05-25 2009-04-28 Tokyo Electron Limited Method and system for passivating a processing chamber
CN110931406A (zh) * 2019-11-18 2020-03-27 北京北方华创微电子装备有限公司 升降门及槽式清洗机

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980041847A (ko) 1998-08-17
KR100277521B1 (ko) 2001-01-15
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