JPH10144828A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
- Publication number
- JPH10144828A JPH10144828A JP8309905A JP30990596A JPH10144828A JP H10144828 A JPH10144828 A JP H10144828A JP 8309905 A JP8309905 A JP 8309905A JP 30990596 A JP30990596 A JP 30990596A JP H10144828 A JPH10144828 A JP H10144828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor package
- stress
- semiconductor element
- resin
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/726—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の電極部とリードフレームとを金
属細線を介して電気的に接続するため金属細線の立上が
り高さを設けてやる必要が有り、樹脂部を薄くするこ
と。 【解決手段】 半導体パッケージ１０では、パターンが
形成されているリードフレーム３と半導体素子１が金属
球２を介して接続され、応力緩衝材５が前述の半導体素
子１および金属球２を覆うように形成された後、樹脂４
によって封止されている。応力緩衝材５は、シリコーン
等の外部からの圧縮・膨張応力を緩和できる材料からな
るものである。樹脂封止後の高温下から常温に移行する
際の樹脂の熱収縮、製品使用時の昇温に伴う熱膨張等に
よる接合部２ａへのストレスを応力緩衝材５を介し吸収
することができ、かつ薄型の半導体パッケージを製造す
ることができる。
属細線を介して電気的に接続するため金属細線の立上が
り高さを設けてやる必要が有り、樹脂部を薄くするこ
と。 【解決手段】 半導体パッケージ１０では、パターンが
形成されているリードフレーム３と半導体素子１が金属
球２を介して接続され、応力緩衝材５が前述の半導体素
子１および金属球２を覆うように形成された後、樹脂４
によって封止されている。応力緩衝材５は、シリコーン
等の外部からの圧縮・膨張応力を緩和できる材料からな
るものである。樹脂封止後の高温下から常温に移行する
際の樹脂の熱収縮、製品使用時の昇温に伴う熱膨張等に
よる接合部２ａへのストレスを応力緩衝材５を介し吸収
することができ、かつ薄型の半導体パッケージを製造す
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームと
半導体素子の接続に金属ボールを用いた半導体パッケー
ジに関する。
半導体素子の接続に金属ボールを用いた半導体パッケー
ジに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図４に示すようにリードフレーム
３を使用した半導体パッケージ２０ではアイランド部３
ａへ半導体素子１を接合し、この半導体素子１の電極部
とリードフレーム３とを金属細線６を介して電気的に接
続し樹脂４にて封止していた。また図５に示すようにＴ
ＡＢ導体パッケージ３０では半導体素子１の電極部とイ
ンナーリード７ａとを金属バンプまたは金属球２を介し
て電気的に接続し、その周辺に液状樹脂４ａを滴下し封
止していた。
３を使用した半導体パッケージ２０ではアイランド部３
ａへ半導体素子１を接合し、この半導体素子１の電極部
とリードフレーム３とを金属細線６を介して電気的に接
続し樹脂４にて封止していた。また図５に示すようにＴ
ＡＢ導体パッケージ３０では半導体素子１の電極部とイ
ンナーリード７ａとを金属バンプまたは金属球２を介し
て電気的に接続し、その周辺に液状樹脂４ａを滴下し封
止していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４に示す
ように半導体素子の電極部とリードフレーム３とを金属
細線６を介して電気的に接続するため金属細線の立上が
り高さを設けてやる必要が有り、樹脂部を薄くできない
という問題があった。また図５に示すようにＴＡＢテー
プを使用した場合、パッケージとして液状樹脂４ａを滴
下し封止するため外形寸法が安定しないという問題があ
った。さらにＴＡＢテープを使用するため製造コストが
高くなるという問題があった。そこで本発明は、薄型で
かつ低コストで製造できる半導体パッケージを提供する
ことを目的とする。
ように半導体素子の電極部とリードフレーム３とを金属
細線６を介して電気的に接続するため金属細線の立上が
り高さを設けてやる必要が有り、樹脂部を薄くできない
という問題があった。また図５に示すようにＴＡＢテー
プを使用した場合、パッケージとして液状樹脂４ａを滴
下し封止するため外形寸法が安定しないという問題があ
った。さらにＴＡＢテープを使用するため製造コストが
高くなるという問題があった。そこで本発明は、薄型で
かつ低コストで製造できる半導体パッケージを提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の請求項１記載の発明によれば、半導体素子上
に形成された電極部とリードフレームの接続部とを金属
ボールを介して接続し、樹脂封止した半導体パッケージ
において、前記接続部の周辺に応力緩衝材を設けた構成
を有するものであり、また、請求項２記載の発明によれ
ば、上記応力緩衝材が金属ボールの接合部および半導体
素子の回路部全面を覆っている構成を有するものであ
り、さらに、請求項３記載の発明によれば、上記応力緩
衝材が少なくとも金属ボールの接合部を覆っている構成
を有するものであり、そして、請求項４記載の発明によ
れば、リードフレームの両面にそれぞれ金属ボールを接
合し、これら金属ボール各々の面に電極部を形成された
半導体素子を各々接合した半導体パッケージにおいて、
各半導体素子間に応力緩衝材を設けた構成を有するもの
である。
め、本願の請求項１記載の発明によれば、半導体素子上
に形成された電極部とリードフレームの接続部とを金属
ボールを介して接続し、樹脂封止した半導体パッケージ
において、前記接続部の周辺に応力緩衝材を設けた構成
を有するものであり、また、請求項２記載の発明によれ
ば、上記応力緩衝材が金属ボールの接合部および半導体
素子の回路部全面を覆っている構成を有するものであ
り、さらに、請求項３記載の発明によれば、上記応力緩
衝材が少なくとも金属ボールの接合部を覆っている構成
を有するものであり、そして、請求項４記載の発明によ
れば、リードフレームの両面にそれぞれ金属ボールを接
合し、これら金属ボール各々の面に電極部を形成された
半導体素子を各々接合した半導体パッケージにおいて、
各半導体素子間に応力緩衝材を設けた構成を有するもの
である。
【０００５】これらの各構成を有することにより、樹脂
封止後の高温下から常温に移行する際の樹脂の熱収縮、
製品使用時の昇温に伴う熱膨張等による接合部へのスト
レスを応力緩衝材を介し吸収することができ、かつ薄型
の半導体パッケージを製造することができる。
封止後の高温下から常温に移行する際の樹脂の熱収縮、
製品使用時の昇温に伴う熱膨張等による接合部へのスト
レスを応力緩衝材を介し吸収することができ、かつ薄型
の半導体パッケージを製造することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図１
を参照して説明する。図１は第１の実施の形態である半
導体パッケージの断面図である。図１に示すように、本
発明の第１の実施の形態である半導体パッケージ１０で
は、パターンが形成されているリードフレーム３と半導
体素子１が金属球２を介して接続され、応力緩衝材５が
前述の半導体素子１および金属球２を覆うように形成さ
れた後、樹脂４によって封止されている。
を参照して説明する。図１は第１の実施の形態である半
導体パッケージの断面図である。図１に示すように、本
発明の第１の実施の形態である半導体パッケージ１０で
は、パターンが形成されているリードフレーム３と半導
体素子１が金属球２を介して接続され、応力緩衝材５が
前述の半導体素子１および金属球２を覆うように形成さ
れた後、樹脂４によって封止されている。
【０００７】ここで図１に示すように、応力緩衝材５
は、シリコーン等の外部からの圧縮・膨張応力を緩和で
きる材料からなるものである。
は、シリコーン等の外部からの圧縮・膨張応力を緩和で
きる材料からなるものである。
【０００８】上記の様に構成された本実施の形態によれ
ば、樹脂封止後の高温下から常温に移行する際の樹脂の
熱収縮、製品使用時の昇温に伴う熱膨張等による接合部
２ａへのストレスを応力緩衝材５を介し吸収することが
でき、かつ薄型の半導体パッケージを製造することがで
きる。
ば、樹脂封止後の高温下から常温に移行する際の樹脂の
熱収縮、製品使用時の昇温に伴う熱膨張等による接合部
２ａへのストレスを応力緩衝材５を介し吸収することが
でき、かつ薄型の半導体パッケージを製造することがで
きる。
【０００９】次に本発明の第２の実施の形態を図２を参
照して説明する。上記第１の実施の形態と異なる点は、
応力緩衝材５が接合部２ａ付近にのみ設けられているこ
とである。
照して説明する。上記第１の実施の形態と異なる点は、
応力緩衝材５が接合部２ａ付近にのみ設けられているこ
とである。
【００１０】上記の様に構成された本実施の形態によれ
ば、応力緩衝材５を接合部２ａ付近にのみ設けたことに
より応力緩衝材の使用量を削減しつつ、応力の緩和を行
う事ができる。
ば、応力緩衝材５を接合部２ａ付近にのみ設けたことに
より応力緩衝材の使用量を削減しつつ、応力の緩和を行
う事ができる。
【００１１】次に本発明の第３の実施の形態を図３を参
照して説明する。上記第１の実施の形態と異なる点は、
パターンが形成されているリードフレーム３の両面に金
属球２が設けられ、前述の金属球２を介し半導体素子１
が両面に接続されており、且つ応力緩衝材５が接合部２
ａ，２ｂ、および半導体素子１，１ａ間に充填されてい
ることである。
照して説明する。上記第１の実施の形態と異なる点は、
パターンが形成されているリードフレーム３の両面に金
属球２が設けられ、前述の金属球２を介し半導体素子１
が両面に接続されており、且つ応力緩衝材５が接合部２
ａ，２ｂ、および半導体素子１，１ａ間に充填されてい
ることである。
【００１２】上記の様に構成された本実施の形態によれ
ば、応力緩衝材５を半導体素子１，１ａ間に充填させた
ことにより接合部２ａ，２ｂ部の応力の緩和を行う事が
できる。
ば、応力緩衝材５を半導体素子１，１ａ間に充填させた
ことにより接合部２ａ，２ｂ部の応力の緩和を行う事が
できる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本願の各請求項記
載の発明によれば、半導体素子とリードフレームの電気
的接合に金属球を用い、かつ、金属球周辺に応力緩衝材
を設けたことにより、薄型で低コストの半導体パッケー
ジが提供できる。
載の発明によれば、半導体素子とリードフレームの電気
的接合に金属球を用い、かつ、金属球周辺に応力緩衝材
を設けたことにより、薄型で低コストの半導体パッケー
ジが提供できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態である半導体パッケ
ージの断面図である。
ージの断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態である半導体パッケ
ージの断面図である。
ージの断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態である半導体パッケ
ージの断面図である。
ージの断面図である。
【図４】従来の半導体パッケージの断面図である。
【図５】従来の半導体パッケージの断面図である。
１ 半導体素子 １ａ 半導体素子 ２ 金属ボール ２ａ 接合部 ２ｂ 接合部 ３ リードフレーム ３ａ アイランド ４ 樹脂 ４ａ 樹脂 ５ 応力緩衝剤 ６ 金属細線 ７ フィルムキャリア ７ａ インナーリード １０ 半導体パッケージ ２０ 従来の半導体パッケージ ３０ ＴＡＢを使用した半導体パッケージ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子上に形成された電極部とリー
ドフレームの接続部とを金属ボールを介して接続し、樹
脂封止した半導体パッケージにおいて、前記接続部の周
辺に応力緩衝材を設けたことを特徴とする半導体パッケ
ージ。 - 【請求項２】 上記応力緩衝材が金属ボールの接合部お
よび半導体素子の回路部全面を覆っていることを特徴と
する請求項１記載の半導体パッケージ。 - 【請求項３】 上記応力緩衝材が少なくとも金属ボール
の接合部を覆っていることを特徴とする請求項１記載の
半導体パッケージ。 - 【請求項４】 リードフレームの両面にそれぞれ金属ボ
ールを接合し、これら金属ボール各々の面に電極部を形
成された半導体素子を各々接合した半導体パッケージに
おいて、各半導体素子間に応力緩衝材を設けたことを特
徴とする半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8309905A JPH10144828A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8309905A JPH10144828A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144828A true JPH10144828A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17998753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8309905A Pending JPH10144828A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144828A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100344833B1 (ko) * | 2000-04-03 | 2002-07-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지 및 그의 제조방법 |
| JP2008147604A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Gem Services Inc | 突起状バンプまたはボールを有する、封止されたリードフレームを特徴とする半導体デバイスパッケージ |
-
1996
- 1996-11-07 JP JP8309905A patent/JPH10144828A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100344833B1 (ko) * | 2000-04-03 | 2002-07-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지 및 그의 제조방법 |
| JP2008147604A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Gem Services Inc | 突起状バンプまたはボールを有する、封止されたリードフレームを特徴とする半導体デバイスパッケージ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6177725B1 (en) | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small-sized semiconductor and method of manufacturing the same | |
| US6537856B2 (en) | Method of attaching a semiconductor chip to a leadframe with a footprint of about the same size as the chip and packages formed thereby | |
| KR940007951B1 (ko) | 반도체장치와 그 제조방법, 리이드프레임 및 메모리카드와 그 제조방법 | |
| JPH07226459A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH1174440A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| US5874783A (en) | Semiconductor device having the inner end of connector leads displaced onto the surface of semiconductor chip | |
| JPH10144828A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH04158556A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0697349A (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 | |
| JP2001035886A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100308899B1 (ko) | 반도체패키지및그제조방법 | |
| KR100214857B1 (ko) | 멀티 칩 패키지 | |
| JPH0567708A (ja) | 半導体集積回路のパツケージ方法 | |
| JPH0493052A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR20030083561A (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 | |
| JPS6066836A (ja) | 封止半導体装置 | |
| JPS635251Y2 (ja) | ||
| JPH0779149B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS635253Y2 (ja) | ||
| JP3115432B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6064455A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0579173B2 (ja) | ||
| JPH0575009A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製造方法 | |
| JPH05315396A (ja) | 半導体装置の封止方法と封止構造 | |
| JPH0547835A (ja) | 半導体装置の実装構造 |