JPH0579173B2 - - Google Patents
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- JPH0579173B2 JPH0579173B2 JP61194263A JP19426386A JPH0579173B2 JP H0579173 B2 JPH0579173 B2 JP H0579173B2 JP 61194263 A JP61194263 A JP 61194263A JP 19426386 A JP19426386 A JP 19426386A JP H0579173 B2 JPH0579173 B2 JP H0579173B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- mounting member
- resin
- bonding
- area
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、さ
らに詳しくは、半導体素子、その載置部材および
封止樹脂相互の反り防止手段を講じた樹脂封止型
半導体装置の改良構造に係るものである。
らに詳しくは、半導体素子、その載置部材および
封止樹脂相互の反り防止手段を講じた樹脂封止型
半導体装置の改良構造に係るものである。
〔従来の技術〕
従来例によるこの種の樹脂封止型半導体装置の
概要構成断面を第３図および第４図ａ，ｂに示
す。
概要構成断面を第３図および第４図ａ，ｂに示
す。
すなわち、まず第３図において、符号１は半導
体素子、２は同半導体素子１を封止する封止樹脂
であり、また、３は封止樹脂内から外部に取出さ
れたそれぞれの導電部材、４は前記半導体素子１
の各端子と各導電部材３とを電気的に接続する内
部リード線、５は前記半導体素子１を接合材６に
よつて、接合、載置している載置部材である。そ
してこゝでは、前記各導電部材３および載置部材
５の材料には、通常の場合、銅系合金が用いられ
る。
体素子、２は同半導体素子１を封止する封止樹脂
であり、また、３は封止樹脂内から外部に取出さ
れたそれぞれの導電部材、４は前記半導体素子１
の各端子と各導電部材３とを電気的に接続する内
部リード線、５は前記半導体素子１を接合材６に
よつて、接合、載置している載置部材である。そ
してこゝでは、前記各導電部材３および載置部材
５の材料には、通常の場合、銅系合金が用いられ
る。
また、第４図ａ，ｂは、前記従来例装置での半
導体素子１と接合材６を介した載置部材５との接
合関係を示す平面図、縦断面図であつて、半導体
素子１は、その下面中央部を自身の大きさよりも
十分に小さな面積範囲内で、単一な平板形状をし
た載置部材５上に、接合材６を用いて適宜に接合
させたものである。
導体素子１と接合材６を介した載置部材５との接
合関係を示す平面図、縦断面図であつて、半導体
素子１は、その下面中央部を自身の大きさよりも
十分に小さな面積範囲内で、単一な平板形状をし
た載置部材５上に、接合材６を用いて適宜に接合
させたものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、前記のように構成された従来例
による樹脂封止型半導体装置においては、半導体
素子１が大型化した場合、その載置部材５に対す
る接合、載置態様のために、安定した接合面積を
得ることがはなはだ困難であつて、接合面積が小
さければ、折角、載置させた半導体素子１が、樹
脂封止以前に載置部材５上から脱落する惧れがあ
り、また、これとは反対に、接合面積が大きけれ
ば、半導体素子１での基材シリコンの熱膨張係数
（Si；3.5×10-61／℃）と、載置部材５の熱膨張
係数（銅系合金；約17×10-61／℃）とが、相互
に大きく異なるために、接合後の温度変化で、第
５図に見られるように、反りを生じて半導体素子
１の破壊を招くことがある。
による樹脂封止型半導体装置においては、半導体
素子１が大型化した場合、その載置部材５に対す
る接合、載置態様のために、安定した接合面積を
得ることがはなはだ困難であつて、接合面積が小
さければ、折角、載置させた半導体素子１が、樹
脂封止以前に載置部材５上から脱落する惧れがあ
り、また、これとは反対に、接合面積が大きけれ
ば、半導体素子１での基材シリコンの熱膨張係数
（Si；3.5×10-61／℃）と、載置部材５の熱膨張
係数（銅系合金；約17×10-61／℃）とが、相互
に大きく異なるために、接合後の温度変化で、第
５図に見られるように、反りを生じて半導体素子
１の破壊を招くことがある。
また一方、封止樹脂２についても、熱膨張係数
（例えば、エポキシ樹脂；約２〜５×10-51／℃）
が半導体素子１とは大きく異なつて、載置部材５
に近く、たとえ樹脂封止以前に半導体素子１に反
りを生じていなくても、通常の場合、封止樹脂２
と半導体素子１間の密着力に比較して、載置部材
５と封止樹脂２間の密着力が弱いために、先の第
３図従来例構成に見られるように、たとえ素子上
下部分の樹脂厚を相互に等しくさせてあつたとし
ても（同図中、t1＝t3）、半導体素子１と封止樹
脂２とは、封止後の温度変化に伴なつて、同様に
反りを生ずることになる。なお、t2は半導体素子
１の厚さである。
（例えば、エポキシ樹脂；約２〜５×10-51／℃）
が半導体素子１とは大きく異なつて、載置部材５
に近く、たとえ樹脂封止以前に半導体素子１に反
りを生じていなくても、通常の場合、封止樹脂２
と半導体素子１間の密着力に比較して、載置部材
５と封止樹脂２間の密着力が弱いために、先の第
３図従来例構成に見られるように、たとえ素子上
下部分の樹脂厚を相互に等しくさせてあつたとし
ても（同図中、t1＝t3）、半導体素子１と封止樹
脂２とは、封止後の温度変化に伴なつて、同様に
反りを生ずることになる。なお、t2は半導体素子
１の厚さである。
そこで、第６図に示したように、半導体素子１
の上下部分での封止樹脂２の厚さを代えることに
よつて（同図中、t1＜t3）、半導体素子１の反り
を一時的には抑制し得るものと考えられるが、同
時に封止樹脂２の反りをも解消するのは困難であ
る。
の上下部分での封止樹脂２の厚さを代えることに
よつて（同図中、t1＜t3）、半導体素子１の反り
を一時的には抑制し得るものと考えられるが、同
時に封止樹脂２の反りをも解消するのは困難であ
る。
すなわち、このように従来例による装置構成の
場合には、特に半導体素子が大型化すると、温度
変化に伴なう反りの発生により、この半導体素子
自体、あるいは封止樹脂が破壊されるに至ると云
う問題点があつた。
場合には、特に半導体素子が大型化すると、温度
変化に伴なう反りの発生により、この半導体素子
自体、あるいは封止樹脂が破壊されるに至ると云
う問題点があつた。
この発明は、従来のこのような問題点を解消す
るためになされたもので、その目的とするところ
は、半導体素子、その載置部材および封止樹脂相
互の接合に伴なう反り、ならびに樹脂封止後の半
導体素子と封止樹脂の反りを、それぞれに併せて
抑制し得るようにした、この種の樹脂封止型半導
体装置を提供することである。
るためになされたもので、その目的とするところ
は、半導体素子、その載置部材および封止樹脂相
互の接合に伴なう反り、ならびに樹脂封止後の半
導体素子と封止樹脂の反りを、それぞれに併せて
抑制し得るようにした、この種の樹脂封止型半導
体装置を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る樹
脂封止型半導体装置は、載置部材の中央部に、半
導体素子をこの半導体素子自身の大きさより小さ
な面積範囲内で接合させるためのその接合面積、
形状に対応した面積、形状の接合部を、この載置
部材の中央部を周囲から幅狭な連接部を残して分
離させることによつて形成し、この載置部材にお
ける前記接合部の周囲に位置する非接合部に、表
裏を貫通する貫通孔を複数穿孔させたものであ
る。
脂封止型半導体装置は、載置部材の中央部に、半
導体素子をこの半導体素子自身の大きさより小さ
な面積範囲内で接合させるためのその接合面積、
形状に対応した面積、形状の接合部を、この載置
部材の中央部を周囲から幅狭な連接部を残して分
離させることによつて形成し、この載置部材にお
ける前記接合部の周囲に位置する非接合部に、表
裏を貫通する貫通孔を複数穿孔させたものであ
る。
すなわち、この発明においては、半導体素子の
下面中央部を、自身の大きさよりも十分に小さな
面積範囲内で接合させるための、同接合面積、形
状に対応した面積、形状の接合部を、載置部材上
に一部連接状態で分離形成させることにより、大
型化した半導体素子と載置部材間の接合面積を一
定にでき、また、載置部材の非接合部に複数の貫
通孔を穿孔させ、かつこれらを封止樹脂で一体的
に樹脂封止させることにより、載置部材の接合部
を除いた非接合部と半導体素子間、ならびに各貫
通孔内への樹脂充填をなし得るのである。
下面中央部を、自身の大きさよりも十分に小さな
面積範囲内で接合させるための、同接合面積、形
状に対応した面積、形状の接合部を、載置部材上
に一部連接状態で分離形成させることにより、大
型化した半導体素子と載置部材間の接合面積を一
定にでき、また、載置部材の非接合部に複数の貫
通孔を穿孔させ、かつこれらを封止樹脂で一体的
に樹脂封止させることにより、載置部材の接合部
を除いた非接合部と半導体素子間、ならびに各貫
通孔内への樹脂充填をなし得るのである。
以下、この発明に係る樹脂封止型半導体装置の
一実施例につき、第１図および第２図を参照して
詳細に説明する。
一実施例につき、第１図および第２図を参照して
詳細に説明する。
第１図はこの実施例を適用した樹脂封止型半導
体装置の概要構成を示す縦断面図、第２図は同上
載置部材の平面図であり、これらの実施例各図に
おいて、前記第３図従来例構成と同一符号は同一
または相当部分を示している。
体装置の概要構成を示す縦断面図、第２図は同上
載置部材の平面図であり、これらの実施例各図に
おいて、前記第３図従来例構成と同一符号は同一
または相当部分を示している。
この実施例構成においては、前記載置部材５に
あつて、前記半導体素子１の下面中央部を、自身
の大きさよりも十分に小さな面積範囲１ａ内で接
合させるための、その接合面積および形状に対応
した面積、形状の接合部５ａを、適宜に各連接部
５ｃを一部に残して、残余の非接合部５ｂから分
離させると共に、この非接合部５ｂには、表裏を
貫通する複数の貫通孔５ｄを穿孔させたものであ
る。すなわち、前記接合部５ａは載置部材５の中
央部に位置づけられ、第２図において左右に位置
する幅狭な連接部５ｃを介して周囲の非接合部５
ｂに連結されている。
あつて、前記半導体素子１の下面中央部を、自身
の大きさよりも十分に小さな面積範囲１ａ内で接
合させるための、その接合面積および形状に対応
した面積、形状の接合部５ａを、適宜に各連接部
５ｃを一部に残して、残余の非接合部５ｂから分
離させると共に、この非接合部５ｂには、表裏を
貫通する複数の貫通孔５ｄを穿孔させたものであ
る。すなわち、前記接合部５ａは載置部材５の中
央部に位置づけられ、第２図において左右に位置
する幅狭な連接部５ｃを介して周囲の非接合部５
ｂに連結されている。
しかして、前記のように形成した接合部材５を
用い、その接合部５ａ上に、半導体素子１の下面
中央部での所定の面積範囲１ａを、接合材６によ
り接合、載置させるときは、半導体素子と載置部
材間の接合面積を、例えば、それぞれの大きさな
どに対応して、相対的には常に一定にできること
になり、これによつて接合に伴なう半導体素子の
反りを効果的に抑制し得るのである。
用い、その接合部５ａ上に、半導体素子１の下面
中央部での所定の面積範囲１ａを、接合材６によ
り接合、載置させるときは、半導体素子と載置部
材間の接合面積を、例えば、それぞれの大きさな
どに対応して、相対的には常に一定にできること
になり、これによつて接合に伴なう半導体素子の
反りを効果的に抑制し得るのである。
また、前記半導体素子１と載置部材５とを、こ
のように接合、載置させた状態で、これらの両者
を、封止樹脂２により所定通りに樹脂封止させる
ときは、載置部材５の接合部５ａを除いた残余の
非接合部５ｂと半導体素子１間、ならびに各貫通
孔５ｄ内に十分な樹脂充填をなし得ることにな
り、特にそれぞれの貫通孔５ｄ部分では、封止樹
脂２の絡み付きによつて、強固な結合がなされる
もので、このため機械的に載置部材５の各部と封
止樹脂２との密着力を十分に増加でき、同様に反
りに対する抑制効果を十分に発揮し得るのであ
る。
のように接合、載置させた状態で、これらの両者
を、封止樹脂２により所定通りに樹脂封止させる
ときは、載置部材５の接合部５ａを除いた残余の
非接合部５ｂと半導体素子１間、ならびに各貫通
孔５ｄ内に十分な樹脂充填をなし得ることにな
り、特にそれぞれの貫通孔５ｄ部分では、封止樹
脂２の絡み付きによつて、強固な結合がなされる
もので、このため機械的に載置部材５の各部と封
止樹脂２との密着力を十分に増加でき、同様に反
りに対する抑制効果を十分に発揮し得るのであ
る。
そしてまた、一般に前記載置部材５が銅系合金
材料であつて、封止樹脂２との熱膨張係数が近似
していることから、前記半導体素子１での上下部
分の樹脂厚がほゞ等しく（第１図中、t1＝t3）な
るようにするときは、同各部での熱膨張を均衡さ
せ得て、樹脂封止後におけるこれらの半導体素子
１と封止樹脂２との相互の反りをも抑制できるこ
とになる。
材料であつて、封止樹脂２との熱膨張係数が近似
していることから、前記半導体素子１での上下部
分の樹脂厚がほゞ等しく（第１図中、t1＝t3）な
るようにするときは、同各部での熱膨張を均衡さ
せ得て、樹脂封止後におけるこれらの半導体素子
１と封止樹脂２との相互の反りをも抑制できるこ
とになる。
すなわち、このようにして、この実施例構成の
場合には、実質的に半導体素子１、その載置部材
５および封止樹脂２の各相互間での反りを、良好
かつ効果的に防止できるのである。
場合には、実質的に半導体素子１、その載置部材
５および封止樹脂２の各相互間での反りを、良好
かつ効果的に防止できるのである。
以上詳述したように、この発明によれば、載置
部材の中央部に、半導体素子をこの半導体素子自
身の大きさより小さな面積範囲内で接合させるた
めのその接合面積、形状に対応した面積、形状の
接合部を、この載置部材の中央部を周囲から幅狭
な連接部を残して分離させることによつて形成し
たので、半導体素子と載置部材間の接合面積を、
相対的に常に一定にできて、接合に伴なう半導体
素子の反りを効果的に抑制させることができる。
部材の中央部に、半導体素子をこの半導体素子自
身の大きさより小さな面積範囲内で接合させるた
めのその接合面積、形状に対応した面積、形状の
接合部を、この載置部材の中央部を周囲から幅狭
な連接部を残して分離させることによつて形成し
たので、半導体素子と載置部材間の接合面積を、
相対的に常に一定にできて、接合に伴なう半導体
素子の反りを効果的に抑制させることができる。
また、載置部材の非接合部には、複数の貫通孔
を穿孔させたゝめに、これらの各貫通孔の存在に
より、樹脂封止時での溶融樹脂の流れが円滑化さ
れ、その結果、載置部材の接合部を除いた非接合
部と半導体素子間の隙間、それに各貫通孔内への
樹脂充填が完全かつ確実になされて、密着力の向
上を図り得ると共に、特にそれぞれの貫通孔部分
では、封止樹脂の絡み付きにより、強固な結合が
なされて、各部材相互の一体化、ひいては反り防
止を容易に達成でき、しかも構造的にも極めて簡
単で、容易かつ安価に実施し得るなどの優れた特
徴を有するものである。
を穿孔させたゝめに、これらの各貫通孔の存在に
より、樹脂封止時での溶融樹脂の流れが円滑化さ
れ、その結果、載置部材の接合部を除いた非接合
部と半導体素子間の隙間、それに各貫通孔内への
樹脂充填が完全かつ確実になされて、密着力の向
上を図り得ると共に、特にそれぞれの貫通孔部分
では、封止樹脂の絡み付きにより、強固な結合が
なされて、各部材相互の一体化、ひいては反り防
止を容易に達成でき、しかも構造的にも極めて簡
単で、容易かつ安価に実施し得るなどの優れた特
徴を有するものである。
加えて、封止樹脂が載置部材の貫通孔に流入し
て半導体素子と非接合部との間に充填されること
に起因して、封止樹脂を載置部材に機械的に拘束
できるから、下記の効果が得られる。
て半導体素子と非接合部との間に充填されること
に起因して、封止樹脂を載置部材に機械的に拘束
できるから、下記の効果が得られる。
一般に、載置部材に半導体素子を半田で接合す
るに当たつては、半導体素子の裏面に金がメタラ
イズされている。そして、載置部材に半導体素子
を接合させるのであるが、接合部の面積を半導体
素子の面積より小さくしているので、半導体素子
の裏面に接合されない部分が多く残存する。この
残存した部分には、当然金がメタライズされてい
る。封止樹脂と金とは接着性が低いため、載置部
材に半導体素子を接合させた後に封止樹脂により
パツケージングすると、半導体素子の裏面と封止
樹脂との接着部分が剥がれ易くなる。そして、パ
ツケージングが終了したこの半導体装置を半田に
より基板に実装させる際に封止樹脂に熱が加えら
れると、封止樹脂中に吸湿されている水分が水蒸
気に変化し、その際の水分の体積膨張および封止
樹脂と半導体素子との熱膨張率の相違により、封
止樹脂と金との接着面が剥がれると共に、封止樹
脂における半導体素子の角部と対応する部分から
クラツクが発生することがある。この現象はパツ
ケージクラツクと呼ばれており、できるだけ防止
しなければならないものである。
るに当たつては、半導体素子の裏面に金がメタラ
イズされている。そして、載置部材に半導体素子
を接合させるのであるが、接合部の面積を半導体
素子の面積より小さくしているので、半導体素子
の裏面に接合されない部分が多く残存する。この
残存した部分には、当然金がメタライズされてい
る。封止樹脂と金とは接着性が低いため、載置部
材に半導体素子を接合させた後に封止樹脂により
パツケージングすると、半導体素子の裏面と封止
樹脂との接着部分が剥がれ易くなる。そして、パ
ツケージングが終了したこの半導体装置を半田に
より基板に実装させる際に封止樹脂に熱が加えら
れると、封止樹脂中に吸湿されている水分が水蒸
気に変化し、その際の水分の体積膨張および封止
樹脂と半導体素子との熱膨張率の相違により、封
止樹脂と金との接着面が剥がれると共に、封止樹
脂における半導体素子の角部と対応する部分から
クラツクが発生することがある。この現象はパツ
ケージクラツクと呼ばれており、できるだけ防止
しなければならないものである。
本発明に係る半導体装置では、上述したように
封止樹脂を載置部材に機械的に拘束できるから、
上述したパツケージクラツクをも防ぐことができ
る。すなわち、半導体装置の信頼性を高めること
ができる。
封止樹脂を載置部材に機械的に拘束できるから、
上述したパツケージクラツクをも防ぐことができ
る。すなわち、半導体装置の信頼性を高めること
ができる。
第１図はこの発明に係る樹脂封止型半導体装置
の一実施例による概要構成を示す縦断面図、第２
図は同上載置部材の平面図であり、また第３図は
従来例による同上半導体装置の概要構成を示す縦
断面図、第４図ａ，ｂは同上半導体素子と載置部
材との接合関係を示す平面図、縦断面図、第５図
および第６図は同上従来例での反りの状態および
その対応構造をそれぞれに示す断面説明図であ
る。 １……半導体素子、１ａ……接合面積範囲、２
……封止樹脂、３……導電部材、４……内部リー
ド線、５……載置部材、５ａ……接合部、５ｂ…
…非接合部、５ｃ……連接部、５ｄ……貫通孔、
６……接合材。
の一実施例による概要構成を示す縦断面図、第２
図は同上載置部材の平面図であり、また第３図は
従来例による同上半導体装置の概要構成を示す縦
断面図、第４図ａ，ｂは同上半導体素子と載置部
材との接合関係を示す平面図、縦断面図、第５図
および第６図は同上従来例での反りの状態および
その対応構造をそれぞれに示す断面説明図であ
る。 １……半導体素子、１ａ……接合面積範囲、２
……封止樹脂、３……導電部材、４……内部リー
ド線、５……載置部材、５ａ……接合部、５ｂ…
…非接合部、５ｃ……連接部、５ｄ……貫通孔、
６……接合材。
Claims (1)
- １ 半導体素子の下面中央部を、載置部材上に接
合材により接合、載置させ、これらの半導体素
子、および載置部材のそれぞれを樹脂封止して構
成する樹脂封止型半導体装置において、前記載置
部材の中央部に、半導体素子をこの半導体素子自
身の大きさより小さな面積範囲内で接合させるた
めのその接合面積、形状に対応した面積、形状の
接合部を、この載置部材の中央部を周囲から幅狭
な連接部を残して分離させることによつて形成
し、この載置部材における前記接合部の周囲に位
置する非接合部に、表裏を貫通する貫通孔を複数
穿孔させたことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194263A JPS6350049A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US07/085,769 US4884124A (en) | 1986-08-19 | 1987-08-17 | Resin-encapsulated semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194263A JPS6350049A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350049A JPS6350049A (ja) | 1988-03-02 |
| JPH0579173B2 true JPH0579173B2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=16321718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194263A Granted JPS6350049A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350049A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19639181B4 (de) * | 1996-09-24 | 2006-08-17 | Infineon Technologies Ag | Mikroelektronisches Bauelement mit einem Zuleitungsrahmen und einem integrierten Schaltkreis |
| JP3610787B2 (ja) * | 1998-03-24 | 2005-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体チップの実装構造体、液晶装置及び電子機器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295173A (en) * | 1976-02-06 | 1977-08-10 | Hitachi Ltd | Lead frame |
| JPS554983A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
| JPS56161356U (ja) * | 1980-04-28 | 1981-12-01 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61194263A patent/JPS6350049A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6350049A (ja) | 1988-03-02 |
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