JPH10144910A - ホットエレクトロン装置および共振トンネリングホットエレクトロン装置 - Google Patents
ホットエレクトロン装置および共振トンネリングホットエレクトロン装置Info
- Publication number
- JPH10144910A JPH10144910A JP9232686A JP23268697A JPH10144910A JP H10144910 A JPH10144910 A JP H10144910A JP 9232686 A JP9232686 A JP 9232686A JP 23268697 A JP23268697 A JP 23268697A JP H10144910 A JPH10144910 A JP H10144910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- hot electron
- electron device
- collector
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 title claims description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 29
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N alumane;indium Chemical compound [AlH3].[In] AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 GaAs compound Chemical class 0.000 claims description 7
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 claims 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 7
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 12
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical compound [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 101150034533 ATIC gene Proteins 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/36—Unipolar devices
- H10D48/362—Unipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunnelling transistors [RTT], bulk barrier transistors [BBT], planar doped barrier transistors [PDBT] or charge injection transistors [CHINT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/133—Emitter regions of BJTs
- H10D62/136—Emitter regions of BJTs of heterojunction BJTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/137—Collector regions of BJTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
- H10D62/177—Base regions of bipolar transistors, e.g. BJTs or IGBTs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電子の散乱現象を減少させ、電流密度の向上、
遷移時間の減少等素子の性能を向上させることができる
ホットエレクトロン装置を提供する。 【解決手段】（１００）の格子構造を有する基板１と、
基板１上部の選択された領域に形成されるコレクタ層２
と、コレクタ層２上部の選択された領域に形成されるコ
レクタ障壁層３と、コレクタ障壁層３上部に形成される
ベ−ス層４と、ベ−ス層４上部の選択された領域に形成
される緩衝層５と、緩衝層５上部に形成されるエミッタ
障壁層６と、エミッタ障壁層６上部に形成されるエミッ
タ層７とを有するホットエレクトロン装置。
遷移時間の減少等素子の性能を向上させることができる
ホットエレクトロン装置を提供する。 【解決手段】（１００）の格子構造を有する基板１と、
基板１上部の選択された領域に形成されるコレクタ層２
と、コレクタ層２上部の選択された領域に形成されるコ
レクタ障壁層３と、コレクタ障壁層３上部に形成される
ベ−ス層４と、ベ−ス層４上部の選択された領域に形成
される緩衝層５と、緩衝層５上部に形成されるエミッタ
障壁層６と、エミッタ障壁層６上部に形成されるエミッ
タ層７とを有するホットエレクトロン装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ホットエレクトロ
ン装置（Ｈｏｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ；Ｈ
ＥＴ）に関し、特に異種接合（ｈｅｔｅｒｏ ｓｔｒｕ
ｃｔｕｒｅ）ホットエレクトロン装置においてベ−ス
（ｂａｓｅ）層物質で有効電子質量（ｅｆｆｅｃｔｉｖ
ｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍａｓｓ）が小さく電子移動
（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が高いインジ
ウム砒素（ＩｎＡｓ）エピ層を特殊に形成するホットエ
レクトロン装置に関するものである。
ン装置（Ｈｏｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ；Ｈ
ＥＴ）に関し、特に異種接合（ｈｅｔｅｒｏ ｓｔｒｕ
ｃｔｕｒｅ）ホットエレクトロン装置においてベ−ス
（ｂａｓｅ）層物質で有効電子質量（ｅｆｆｅｃｔｉｖ
ｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍａｓｓ）が小さく電子移動
（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が高いインジ
ウム砒素（ＩｎＡｓ）エピ層を特殊に形成するホットエ
レクトロン装置に関するものである。
【０００２】さらに、ホットエレクトロン装置にエミッ
タ電子投射層を追加して共振トンネリングを誘導した共
振トンネリングホットエレクトロン装置に関するもので
ある。
タ電子投射層を追加して共振トンネリングを誘導した共
振トンネリングホットエレクトロン装置に関するもので
ある。
【０００３】
【従来の技術】最近数年間分子線エピタキシ−成長（Ｍ
ｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ；ＭＢ
Ｅ），金属有機物化学気相蒸着法（Ｍｅｔａ１ ○ｒｇ
ａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａ１ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｔ
ｔｉｏｎ；ＭＯＣＶＤ）等の半導体成長技術が発展する
につれて異種接合構造を使用する半導体装置の開発が活
性化されてきた。このような装置のうち特にベ−ス領域
においてホットエレクトロン（ｈｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ）の非常に短く速い遷移時間を利用するホットエレク
トロン装置に対して非常な関心が集中し、それに対する
研究が進行している。電子の移動度が高い物質であるイ
ンジウム砒素をベ−ス物質として使用する場合電子の遷
移時間がさらに改善されるため素子の性能が一段と改善
される。
ｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ；ＭＢ
Ｅ），金属有機物化学気相蒸着法（Ｍｅｔａ１ ○ｒｇ
ａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａ１ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｔ
ｔｉｏｎ；ＭＯＣＶＤ）等の半導体成長技術が発展する
につれて異種接合構造を使用する半導体装置の開発が活
性化されてきた。このような装置のうち特にベ−ス領域
においてホットエレクトロン（ｈｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ）の非常に短く速い遷移時間を利用するホットエレク
トロン装置に対して非常な関心が集中し、それに対する
研究が進行している。電子の移動度が高い物質であるイ
ンジウム砒素をベ−ス物質として使用する場合電子の遷
移時間がさらに改善されるため素子の性能が一段と改善
される。
【０００４】ベ−ス層の電気的特性を向上することがで
きる従来のホットエレクトロン装置の構造の例を挙げる
と次のとおりである。
きる従来のホットエレクトロン装置の構造の例を挙げる
と次のとおりである。
【０００５】ｉ）ｎ−ＧａＡｓ（エミッタ）／ｉ−Ａｌ
ＧａＡｓ（エミッタ障壁層）／ｎ−ＧａＡｓ（ベ−ス）
／ｉ−ＡｌＧａＡｓ（コレクタ障壁層）／ｎ−ＧａＡｓ
（コレクタ）／ＧａＡｓ（基板） ii）ｎ−ＧａＡｓ（エミッタ）／ｉ−ＡｌＧａＡｓ（エ
ミッタ障壁層）／ｎ−ＩｎＧａＡｓ（ベ−ス）／ｉ―Ａ
ｌＧａＡｓ（コレクタ障壁層）／ｎ―ＧａＡｓ（コレク
タ）／ＧａＡｓ（基板） iii）ｎ−ＩｎＧａＡｓ（エミッタ）／ｉ−ＩｎＡｌＡ
ｓ（エミッタ障壁層）／ｎ−ＩｎＧａＡｓ（ベ−ス）／
ｉ−ＩｎＡｌＡｓ（コレクタ障壁層）／ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓ（コレクタ）／ＩｎＰ（基板） iv）ｎ−ＡｌＳｂＡｓ（エミッタ）／ｎ−ＩｎＡｓ（ベ
−ス）／ｉ−ＧａＳｂ（コレクタ障壁層）／ｎ−ＧａＳ
ｂ（コレクタ）／ｎ−ＧａＳｂ（コレクタ）／ＧａＳｂ
（基板） ベ−ス層の改善により素子の性能を向上することができ
る技術によりホットエレクトロン装置を分類すると、ガ
リウム砒素系（ＧａＡｓ―ｂａｓｅｄ），インジウム燐
系（ＩｎＰ）及びガリウムアンチモナイト系（ＧａＳ
ｂ）等がある。
ＧａＡｓ（エミッタ障壁層）／ｎ−ＧａＡｓ（ベ−ス）
／ｉ−ＡｌＧａＡｓ（コレクタ障壁層）／ｎ−ＧａＡｓ
（コレクタ）／ＧａＡｓ（基板） ii）ｎ−ＧａＡｓ（エミッタ）／ｉ−ＡｌＧａＡｓ（エ
ミッタ障壁層）／ｎ−ＩｎＧａＡｓ（ベ−ス）／ｉ―Ａ
ｌＧａＡｓ（コレクタ障壁層）／ｎ―ＧａＡｓ（コレク
タ）／ＧａＡｓ（基板） iii）ｎ−ＩｎＧａＡｓ（エミッタ）／ｉ−ＩｎＡｌＡ
ｓ（エミッタ障壁層）／ｎ−ＩｎＧａＡｓ（ベ−ス）／
ｉ−ＩｎＡｌＡｓ（コレクタ障壁層）／ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓ（コレクタ）／ＩｎＰ（基板） iv）ｎ−ＡｌＳｂＡｓ（エミッタ）／ｎ−ＩｎＡｓ（ベ
−ス）／ｉ−ＧａＳｂ（コレクタ障壁層）／ｎ−ＧａＳ
ｂ（コレクタ）／ｎ−ＧａＳｂ（コレクタ）／ＧａＳｂ
（基板） ベ−ス層の改善により素子の性能を向上することができ
る技術によりホットエレクトロン装置を分類すると、ガ
リウム砒素系（ＧａＡｓ―ｂａｓｅｄ），インジウム燐
系（ＩｎＰ）及びガリウムアンチモナイト系（ＧａＳ
ｂ）等がある。
【０００６】ガリウム砒素系ホットエレクトロン装置の
場合、エミッタ、ベ−ス、コレクタ層にド−プされたガ
リウム砒素層を使用する。エミッタ層とベ−ス層間のエ
ミッタ障壁層、ならびに、ベ−ス層とコレクタ層間のコ
レクタ障壁層としてはアルミニウム組成が０．３乃至
１．０間のアルミニウムガリウム砒素（ＡｌxＧａ1-xＡ
ｓ）層を使用して作製される。
場合、エミッタ、ベ−ス、コレクタ層にド−プされたガ
リウム砒素層を使用する。エミッタ層とベ−ス層間のエ
ミッタ障壁層、ならびに、ベ−ス層とコレクタ層間のコ
レクタ障壁層としてはアルミニウム組成が０．３乃至
１．０間のアルミニウムガリウム砒素（ＡｌxＧａ1-xＡ
ｓ）層を使用して作製される。
【０００７】ド−プされたガリウム砒素層をベ−ス層と
して使用する場合、エミッタにおいてコレクタに移動す
ることができる電流の比が小さく通常的にコレクタ障壁
層の高さを低くするおさえることができるためコレクタ
電流利得を高くすることになる。しかしコレクタ障壁層
の高さが低くなるにつれて、コレクタ層の漏洩電流のな
い素子の作動が可能なコレクタ−ベ−ス電圧（ＶBE）は
低くなる。したがって電気的特性の向上のため、ベ−ス
層に電子の移動度が高い物質である、インジウム組成が
０．５３乃至０．８間のインジウムガリウム砒素（Ｉｎ
XＧａ1-XＡｓ）を導入して作製している。
して使用する場合、エミッタにおいてコレクタに移動す
ることができる電流の比が小さく通常的にコレクタ障壁
層の高さを低くするおさえることができるためコレクタ
電流利得を高くすることになる。しかしコレクタ障壁層
の高さが低くなるにつれて、コレクタ層の漏洩電流のな
い素子の作動が可能なコレクタ−ベ−ス電圧（ＶBE）は
低くなる。したがって電気的特性の向上のため、ベ−ス
層に電子の移動度が高い物質である、インジウム組成が
０．５３乃至０．８間のインジウムガリウム砒素（Ｉｎ
XＧａ1-XＡｓ）を導入して作製している。
【０００８】この場合Γ−Ｌ分離（ｓｅｐａｒａｔｉｏ
ｎ）が大きくＬ谷間（ｖａｌｌｅｙ）により電子の散乱
が減少し、コレクタ障壁層との伝導帯不連続性（ｃｏｎ
ｄｕｃｔｉｏｎ ｂａｎｄ ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｉｔ
ｙ）が増加するため、コレクタ障壁層のアルミニウム砒
素（Ａ１Ａｓ）含量を少なくすることができ、コレクタ
ーベ−ス電圧（VBE）を高くすることができる長所があ
る。
ｎ）が大きくＬ谷間（ｖａｌｌｅｙ）により電子の散乱
が減少し、コレクタ障壁層との伝導帯不連続性（ｃｏｎ
ｄｕｃｔｉｏｎ ｂａｎｄ ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｉｔ
ｙ）が増加するため、コレクタ障壁層のアルミニウム砒
素（Ａ１Ａｓ）含量を少なくすることができ、コレクタ
ーベ−ス電圧（VBE）を高くすることができる長所があ
る。
【０００９】インジウム組成が０．５３乃至０．８間の
インジウムガリウム砒素（ＩｎxＧａ1-xＡｓ）ベ−ス層
は、ガリウム砒素層との格子不―致（１ａｔｔｉｃｅ−
ｍｉｓｍａｔｃｈ）を存在させることになる。格子不一
致は、格子内に歪み（ｓｔｒａｉｎ）及び結晶欠陥を存
在させることにより、素子の作動電圧を大きくする。
インジウムガリウム砒素（ＩｎxＧａ1-xＡｓ）ベ−ス層
は、ガリウム砒素層との格子不―致（１ａｔｔｉｃｅ−
ｍｉｓｍａｔｃｈ）を存在させることになる。格子不一
致は、格子内に歪み（ｓｔｒａｉｎ）及び結晶欠陥を存
在させることにより、素子の作動電圧を大きくする。
【００１０】このような問題を解決するためには、ベ−
ス層の厚さとドーピング濃度（ｄｏｐｉｎｇ ｃｏｎｃ
ｅｎｔｒａｔｉｏｎ）を減少するか或いはコレクタ層障
壁層の高さを低くおさえなければならない。しかしベ−
ス層のドーピング濃度が減少するにつれてベ−ス層にお
ける散乱が減少して電流利得を増加させるか或いは同時
に素子のオーミック抵抗（ｏｈｍｉｃ ｒｅｓｉｓｔａ
ｎｃｅ）は増加することになる。
ス層の厚さとドーピング濃度（ｄｏｐｉｎｇ ｃｏｎｃ
ｅｎｔｒａｔｉｏｎ）を減少するか或いはコレクタ層障
壁層の高さを低くおさえなければならない。しかしベ−
ス層のドーピング濃度が減少するにつれてベ−ス層にお
ける散乱が減少して電流利得を増加させるか或いは同時
に素子のオーミック抵抗（ｏｈｍｉｃ ｒｅｓｉｓｔａ
ｎｃｅ）は増加することになる。
【００１１】一般的にインジウム砒素層は、インジウム
組成が０．５３乃至０．８間のインジウムガリウム砒素
（ＩｎxＧａ1-xＡｓ）に比べ、同じドーピング濃度でベ
−ス層の抵抗を下げることができ電流利得（ｃｕｒｒｅ
ｎｔ ｇａｉｎ）を上げることができるものと知られて
いる。
組成が０．５３乃至０．８間のインジウムガリウム砒素
（ＩｎxＧａ1-xＡｓ）に比べ、同じドーピング濃度でベ
−ス層の抵抗を下げることができ電流利得（ｃｕｒｒｅ
ｎｔ ｇａｉｎ）を上げることができるものと知られて
いる。
【００１２】例を挙げると、表面にインジウム砒素層を
導入することによりショットキ―障壁（Ｓｃｈｏｔｔｋ
ｙ ｂａｒｒｉｅｒ）層の高さを低くしてオーミック抵
抗を向上することができることが知られている。しか
し、結晶構造の単位長さが５．６５３２オングストロー
ム（以下オングストロームをＡと記す）のガリウム砒素
層と６．０５８３Ａのインジウム砒素層間には7％の格
子不一致が存在する。この格子不一致により成長可能な
臨界厚さ（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）が
存在し成長したエピ層に転移（ｍｉｓｆｉｔ ｄｉｓｌ
ｏｃａｔｉｏｎ），積層欠陥（ｓｔａｃｋｉｎｇ ｆａ
ｕｌｔ）等の存在により、電気的特性の退化（ｄｅｇｒ
ａｄａｔｉｏｎ）が起きる。このような問題があるため
格子整合（１ａｔｔｉｃｅ ｍａｔｃｈ）を得ることが
できる基板であるインジウム燐系を使用することにな
る。
導入することによりショットキ―障壁（Ｓｃｈｏｔｔｋ
ｙ ｂａｒｒｉｅｒ）層の高さを低くしてオーミック抵
抗を向上することができることが知られている。しか
し、結晶構造の単位長さが５．６５３２オングストロー
ム（以下オングストロームをＡと記す）のガリウム砒素
層と６．０５８３Ａのインジウム砒素層間には7％の格
子不一致が存在する。この格子不一致により成長可能な
臨界厚さ（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）が
存在し成長したエピ層に転移（ｍｉｓｆｉｔ ｄｉｓｌ
ｏｃａｔｉｏｎ），積層欠陥（ｓｔａｃｋｉｎｇ ｆａ
ｕｌｔ）等の存在により、電気的特性の退化（ｄｅｇｒ
ａｄａｔｉｏｎ）が起きる。このような問題があるため
格子整合（１ａｔｔｉｃｅ ｍａｔｃｈ）を得ることが
できる基板であるインジウム燐系を使用することにな
る。
【００１３】インジウム燐系ホットエレクトロン装置の
場合、エミッタ，ベ−ス 、コレクタ層にド−プされた
インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）層を使用す
る。エミッタ層とベ−ス層間のエミッタ障壁層、ならび
に、ベ−ス層とコレクタ層間のコレクタ障壁層には多様
なアルミニウム組成のインジウムアルミニウムガリウム
砒素（ＩｎＡｌＧａＡｓ）層を使用して作製される。
場合、エミッタ，ベ−ス 、コレクタ層にド−プされた
インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）層を使用す
る。エミッタ層とベ−ス層間のエミッタ障壁層、ならび
に、ベ−ス層とコレクタ層間のコレクタ障壁層には多様
なアルミニウム組成のインジウムアルミニウムガリウム
砒素（ＩｎＡｌＧａＡｓ）層を使用して作製される。
【００１４】この場合も高い電子の移動度を有するイン
ジウム砒素物質をベ−ス層に適用するため結晶樽造の単
位長さが５．８６８７Ａであるインジウム燐層と６．０
５８３Ａであるインジウム砒素層の間に約４％の格子不
一致が存在する。この格子不一致のため結晶欠陥がなく
成長することができる臨界厚さ、エピ層内歪み等種々な
問題点がある。
ジウム砒素物質をベ−ス層に適用するため結晶樽造の単
位長さが５．８６８７Ａであるインジウム燐層と６．０
５８３Ａであるインジウム砒素層の間に約４％の格子不
一致が存在する。この格子不一致のため結晶欠陥がなく
成長することができる臨界厚さ、エピ層内歪み等種々な
問題点がある。
【００１５】実際にエピ層を成長する場合、臨界厚さ以
内に成長すると問題がないが、ベ−ス層の厚さが減少す
ることにより、ベ−ス層の抵抗を減少し電子の遷移時間
を向上することができるが、エピ層成長後素子を作製す
るための工程のうちベ−ス層のオ−ミック接続時に金属
の拡散により素子を破壊するという深刻な問題が起き
る。このため約３００Ａ厚さのベ−ス層が必要となる。
内に成長すると問題がないが、ベ−ス層の厚さが減少す
ることにより、ベ−ス層の抵抗を減少し電子の遷移時間
を向上することができるが、エピ層成長後素子を作製す
るための工程のうちベ−ス層のオ−ミック接続時に金属
の拡散により素子を破壊するという深刻な問題が起き
る。このため約３００Ａ厚さのベ−ス層が必要となる。
【００１６】ガリウムアンチモナイド系の場合インジウ
ム砒素層を適用すると、結晶構造の単位長さが５．８６
８７Ａであるガリウムアンチモナイド層と６．０５８３
Ａであるインジウム砒素層の格子不一致がほとんど存在
しないため理論的には格子整合をしてエピ成長が可能に
なる。しかし、高価なガリウムアンチモナイド基板及び
作製の難しさ、薄膜成長技術の未確立、素子製造工程の
不安定性等のため実際装置作製時には種々な問題があ
る。
ム砒素層を適用すると、結晶構造の単位長さが５．８６
８７Ａであるガリウムアンチモナイド層と６．０５８３
Ａであるインジウム砒素層の格子不一致がほとんど存在
しないため理論的には格子整合をしてエピ成長が可能に
なる。しかし、高価なガリウムアンチモナイド基板及び
作製の難しさ、薄膜成長技術の未確立、素子製造工程の
不安定性等のため実際装置作製時には種々な問題があ
る。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、異
種接合ホットエレクトロン装置のベ−ス層に、傾斜させ
た組成（ｇｒａｄｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）によ
りＶ字型の伝導帯（ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ ｂａｎｄ）
を有するインジウム砒素層を導入することにより電子の
散乱現象を減少させ、電流密度の向上、遷移時間の減少
等素子の性能を向上させることができるホットエレクト
ロン装置を提供することにその目的がある。
種接合ホットエレクトロン装置のベ−ス層に、傾斜させ
た組成（ｇｒａｄｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）によ
りＶ字型の伝導帯（ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ ｂａｎｄ）
を有するインジウム砒素層を導入することにより電子の
散乱現象を減少させ、電流密度の向上、遷移時間の減少
等素子の性能を向上させることができるホットエレクト
ロン装置を提供することにその目的がある。
【００１８】さらに本発明の別の目的は、インジウム砒
素層の成長時の格子不―致等の問題を解決できるような
格子組成を有するエピタキシ−層を導入することにより
インジウム燐系ホットエレクトロン装置の作製を容易に
することにある。
素層の成長時の格子不―致等の問題を解決できるような
格子組成を有するエピタキシ−層を導入することにより
インジウム燐系ホットエレクトロン装置の作製を容易に
することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ための本発明の第１の態様によるホットエレクトロン装
置は（１００）の格子構造を有する基板と、上記基板上
部の選択された領域に形成される導電性のコレクタ層
と、上記コレクタ層上部の選択された領域に形成される
コレクタ障壁層と、上記コレクタ障壁層上部に形成され
た導電性のベ−ス層と、上記ベ−ス層上部の選択された
領域に形成される緩衝層と、上記緩衝層上部に形成され
るエミッタ障壁層と、上記エミッタ障壁層上部に形成さ
れる導電性のエミッタ層とを有することを特徴とする。
ための本発明の第１の態様によるホットエレクトロン装
置は（１００）の格子構造を有する基板と、上記基板上
部の選択された領域に形成される導電性のコレクタ層
と、上記コレクタ層上部の選択された領域に形成される
コレクタ障壁層と、上記コレクタ障壁層上部に形成され
た導電性のベ−ス層と、上記ベ−ス層上部の選択された
領域に形成される緩衝層と、上記緩衝層上部に形成され
るエミッタ障壁層と、上記エミッタ障壁層上部に形成さ
れる導電性のエミッタ層とを有することを特徴とする。
【００２０】ここでベ−ス層は、コレクタ障壁層と格子
整合をなす組成から始まりベ−ス層中間までベ−ス層の
伝導帯が最小値に到達するように組成を漸次変化させた
あと再びエミッタ障壁層まで格子整合組成で変化するよ
うに組成を漸次変化させるにより、Ｖ字型の伝導帯を有
することを特徴とする。
整合をなす組成から始まりベ−ス層中間までベ−ス層の
伝導帯が最小値に到達するように組成を漸次変化させた
あと再びエミッタ障壁層まで格子整合組成で変化するよ
うに組成を漸次変化させるにより、Ｖ字型の伝導帯を有
することを特徴とする。
【００２１】さらに本発明の第２の態様による共振トン
ネリングホットエレクトロン装置は、本発明の第１の態
様によるホットエレクトロン装置においてエミッタ障壁
層の代わりに、エミッタ障壁層と、障壁層閻の量子井戸
層とを組み合わせたエミッタ電子投射層を備えることを
特徴とする。このとき量子井戸層に量子束縛電位（ｑｕ
ａｎｔｉｕｍ−ｗｅｌｌ ｃｏｎｆｉｎｅｄ ｓｔａｔ
ｅ）が形成される。即ち、スタークシフト（Ｓｔａｒｋ
ｓｈｉｆｔ）によりフェルミエネルギと整列ができる
ように構成し、これを介したホットエレクトロンの投射
がベ−ス領域に行われるようにすることである。
ネリングホットエレクトロン装置は、本発明の第１の態
様によるホットエレクトロン装置においてエミッタ障壁
層の代わりに、エミッタ障壁層と、障壁層閻の量子井戸
層とを組み合わせたエミッタ電子投射層を備えることを
特徴とする。このとき量子井戸層に量子束縛電位（ｑｕ
ａｎｔｉｕｍ−ｗｅｌｌ ｃｏｎｆｉｎｅｄ ｓｔａｔ
ｅ）が形成される。即ち、スタークシフト（Ｓｔａｒｋ
ｓｈｉｆｔ）によりフェルミエネルギと整列ができる
ように構成し、これを介したホットエレクトロンの投射
がベ−ス領域に行われるようにすることである。
【００２２】
【発明の実施の形態】添付した図面を参照して本発明を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２３】図１は本発明の第１実施の形態によるホッ
トエレクトロン装置の断面図である。ここでベ−ス層
は、コレクタ障壁層と格子整合を成す組成から始まり、
ベ−ス層中間までベ−ス層の伝導帯が最小値に到達する
ように組成を漸次変化させたあと、再びエミッタ障壁層
と格子整合する組成まで変化するように組成を漸次変化
させ、これによりＶ字型の伝導帯を有することを特徴と
する。
トエレクトロン装置の断面図である。ここでベ−ス層
は、コレクタ障壁層と格子整合を成す組成から始まり、
ベ−ス層中間までベ−ス層の伝導帯が最小値に到達する
ように組成を漸次変化させたあと、再びエミッタ障壁層
と格子整合する組成まで変化するように組成を漸次変化
させ、これによりＶ字型の伝導帯を有することを特徴と
する。
【００２４】このような異種接合構造の化合物半導体成
長は次のような方法で行われる（１００）の格子構造を
有する半絶縁インジウム燐（ＩｎＰ）基板（１）上部に
選択された領域に、ド−プされたインジウムガリウム砒
素（ＩｎＧａＡｓ）化合物の半導体により構成されるコ
レクタ層（２）が形成される。コレクタ層（２）上部の
選択された領域に、ド−プされていないインジウムガリ
ウムアルミニウム砒素（ＩｎＧａxＡｌyＡｓ）化合物半
導体により構成されたコレクタ障壁層（３）が形成さ
れ、コレクタ電極（１１）が形成される。コレクタ障壁
層（３）上部にド−プされたインジウムガリウム砒素
（ＩｎxＧａ1-xＡｓ）化合物半導体により構成されたベ
−ス層（４）が形成される。ベ−ス層（４）上部の選択
された領域にド−プされていないインジウムガリウム砒
素（ＩｎＧａＡｓ）又はインジウムアルミニウム砒素
（ＩｎＡｌＡｓ）化合物半導体により構成される緩衝層
（５）が形成され、ベ−ス電極（１２）が形成される。
緩衝層（５）上部にド−プされていないインジウムアル
ミニウム砒素（ＩｎＡ１Ａｓ）化合物半導体によりエミ
ッタ障壁層（６）が形成される。エミッタ障壁層（６）
上部にド−プされたインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａ
Ａｓ）化合物半導体により構成されるエミッタ層（７）
が形成され、またエミッタ層（７）上部の選択された領
域にはエミッタ電極（１３）が形成される。
長は次のような方法で行われる（１００）の格子構造を
有する半絶縁インジウム燐（ＩｎＰ）基板（１）上部に
選択された領域に、ド−プされたインジウムガリウム砒
素（ＩｎＧａＡｓ）化合物の半導体により構成されるコ
レクタ層（２）が形成される。コレクタ層（２）上部の
選択された領域に、ド−プされていないインジウムガリ
ウムアルミニウム砒素（ＩｎＧａxＡｌyＡｓ）化合物半
導体により構成されたコレクタ障壁層（３）が形成さ
れ、コレクタ電極（１１）が形成される。コレクタ障壁
層（３）上部にド−プされたインジウムガリウム砒素
（ＩｎxＧａ1-xＡｓ）化合物半導体により構成されたベ
−ス層（４）が形成される。ベ−ス層（４）上部の選択
された領域にド−プされていないインジウムガリウム砒
素（ＩｎＧａＡｓ）又はインジウムアルミニウム砒素
（ＩｎＡｌＡｓ）化合物半導体により構成される緩衝層
（５）が形成され、ベ−ス電極（１２）が形成される。
緩衝層（５）上部にド−プされていないインジウムアル
ミニウム砒素（ＩｎＡ１Ａｓ）化合物半導体によりエミ
ッタ障壁層（６）が形成される。エミッタ障壁層（６）
上部にド−プされたインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａ
Ａｓ）化合物半導体により構成されるエミッタ層（７）
が形成され、またエミッタ層（７）上部の選択された領
域にはエミッタ電極（１３）が形成される。
【００２５】ここで、各エピタキシアル層の組成は次の
とおりである。
とおりである。
【００２６】ベ−ス層（４）は、ド−プされた５３％イ
ンジウム（Ｉｎ）組成のインジウムガリウム砒素（Ｉｎ
xＧａ1-xＡｓ：ｘ＝０．５３）化合物半導体から始まり
１００％インジウム（Ｉｎ）組成（ｘ＝１）のインジウ
ム砒素（ＩｎＡｓ）化合物半導体に傾斜組成をもつよう
に成長したあと再び５３％インジウム（Ｉｎ）組成のイ
ンジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）化合物半導体に
傾斜組成を有するように形成されている。このようにす
ることによりベ−ス層（４）はＶ字型の伝導帯をもつよ
うになる。
ンジウム（Ｉｎ）組成のインジウムガリウム砒素（Ｉｎ
xＧａ1-xＡｓ：ｘ＝０．５３）化合物半導体から始まり
１００％インジウム（Ｉｎ）組成（ｘ＝１）のインジウ
ム砒素（ＩｎＡｓ）化合物半導体に傾斜組成をもつよう
に成長したあと再び５３％インジウム（Ｉｎ）組成のイ
ンジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）化合物半導体に
傾斜組成を有するように形成されている。このようにす
ることによりベ−ス層（４）はＶ字型の伝導帯をもつよ
うになる。
【００２７】ド−プされていないインジウムガリウムア
ルミニウム砒素（ＩｎＧａxＡｌyＡｓ）化合物半導体に
より構成されるコレクタ障壁層（３）を除外し、インジ
ウムアルミニウム砒素（ＩｎＡ１Ａｓ）化合物半導体に
より構成される緩衝層（５）とエミッタ障壁層（６）
は、５２％のインジウム（Ｉｎ）、４８％のアルミニウ
ム（Ａ１）により構成されるＩＩＩ族元素と砒素（Ａ
ｓ）のＶ族元素は各々１：１の組成比になる。インジウ
ムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）化合物半導体により構
成されるコレクタ層（２）、ベ−ス層（４）、緩衝層
（５）及びエミッタ層（７）は、５３％のインジウム
（Ｉｎ）及び４７％のガリウム（Ｇａ）により構成され
る１ＩＩ族元素と砒素（Ａｓ）のＶ族元素が各々１：１
の組成比になる。
ルミニウム砒素（ＩｎＧａxＡｌyＡｓ）化合物半導体に
より構成されるコレクタ障壁層（３）を除外し、インジ
ウムアルミニウム砒素（ＩｎＡ１Ａｓ）化合物半導体に
より構成される緩衝層（５）とエミッタ障壁層（６）
は、５２％のインジウム（Ｉｎ）、４８％のアルミニウ
ム（Ａ１）により構成されるＩＩＩ族元素と砒素（Ａ
ｓ）のＶ族元素は各々１：１の組成比になる。インジウ
ムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）化合物半導体により構
成されるコレクタ層（２）、ベ−ス層（４）、緩衝層
（５）及びエミッタ層（７）は、５３％のインジウム
（Ｉｎ）及び４７％のガリウム（Ｇａ）により構成され
る１ＩＩ族元素と砒素（Ａｓ）のＶ族元素が各々１：１
の組成比になる。
【００２８】図２は本発明の第２の実施の形態による共
振トンネリングホットエレクトロン装置の断面図であ
る。
振トンネリングホットエレクトロン装置の断面図であ
る。
【００２９】（１００）の格子構造を有する半絶縁イン
ジウム燐基板（１）上部の選択された領域に、ド−プさ
れたインジウムガリウム砒素化合物半導体により構成さ
れるコレクタ層（２）が形成される。コレクタ層（２）
上部の選択された領域に、ド−プされていないインジウ
ムガリウムアルミニウム砒素化合物半導体により樽成さ
れるコレクタ障壁層（３）が形成され、コレクタ電極
（１１）が形成される。コレクタ障壁層（３）上部に、
ド−プされたインジウムガリウム砒素化合物半導体によ
り構成されるベ−ス層（４）が形成される。ベ−ス層
（４）上部の選択された領域に、ド−プされていないイ
ンジウムガリウム砒素又はインジウムアルミニウム砒素
化合物半導体により構成される緩衝層（５）が形成さ
れ、ベ−ス層電極（１２）が形成される。緩衝層（５）
上部に、ド−プされていないインジウムアルミニウム砒
素化合物半導体により構成されるエミッタ障壁層（６）
が形成される。エミッタ障壁層（６）上部に、インジウ
ムガリウム砒素化合物半導体により構成される量子井戸
層（８）が形成される。量子井戸層（８）上部に、ド−
プされていないインジウムアルミニウム砒素化合物の半
導体により構成される障壁層（９）が形成される。この
エミッタ障壁層（６）、量子井戸層（８）及び障壁層
（９）が、エミッタ電子投射層（１０）を形成する。障
壁層（９）上部に、ド−プされたインジウムガリウム砒
素化合物半導体により構成されるエミッタ層（７）が形
成される。エミッタ層（７）上部の選択された領域に、
エミッタ電極（１３）が形成される。ここで各エピタキ
シァル層の構造は、上述した図１の構造と同一である。
ジウム燐基板（１）上部の選択された領域に、ド−プさ
れたインジウムガリウム砒素化合物半導体により構成さ
れるコレクタ層（２）が形成される。コレクタ層（２）
上部の選択された領域に、ド−プされていないインジウ
ムガリウムアルミニウム砒素化合物半導体により樽成さ
れるコレクタ障壁層（３）が形成され、コレクタ電極
（１１）が形成される。コレクタ障壁層（３）上部に、
ド−プされたインジウムガリウム砒素化合物半導体によ
り構成されるベ−ス層（４）が形成される。ベ−ス層
（４）上部の選択された領域に、ド−プされていないイ
ンジウムガリウム砒素又はインジウムアルミニウム砒素
化合物半導体により構成される緩衝層（５）が形成さ
れ、ベ−ス層電極（１２）が形成される。緩衝層（５）
上部に、ド−プされていないインジウムアルミニウム砒
素化合物半導体により構成されるエミッタ障壁層（６）
が形成される。エミッタ障壁層（６）上部に、インジウ
ムガリウム砒素化合物半導体により構成される量子井戸
層（８）が形成される。量子井戸層（８）上部に、ド−
プされていないインジウムアルミニウム砒素化合物の半
導体により構成される障壁層（９）が形成される。この
エミッタ障壁層（６）、量子井戸層（８）及び障壁層
（９）が、エミッタ電子投射層（１０）を形成する。障
壁層（９）上部に、ド−プされたインジウムガリウム砒
素化合物半導体により構成されるエミッタ層（７）が形
成される。エミッタ層（７）上部の選択された領域に、
エミッタ電極（１３）が形成される。ここで各エピタキ
シァル層の構造は、上述した図１の構造と同一である。
【００３０】エミッタ電子投射層（１０）の量子井戸束
縛電位は、各層の広さにより制御される。エミッタ障壁
層（３）、および、障壁層（９）と導電型ベ−ス層４と
の間のド−プされていない緩衝層（５）は、フェルミエ
ネルギーと整列された量子束縛準位を介して共振トンネ
リングが起きることができるようにその広さを調整する
ことができる自由度に導入される。この層の位置はエミ
ッタ電子投射層（１０）構造の前と後ろに各々置くこと
ができる。スタークシフト（Ｓｔａｒｋ ｓｈｉｆｔ）
による電子の量子束縛準位の整列はエミッタ電子投射層
（１０）の量子井戸層（８）の広さと緩衝層の広さの組
合せにより決定される。
縛電位は、各層の広さにより制御される。エミッタ障壁
層（３）、および、障壁層（９）と導電型ベ−ス層４と
の間のド−プされていない緩衝層（５）は、フェルミエ
ネルギーと整列された量子束縛準位を介して共振トンネ
リングが起きることができるようにその広さを調整する
ことができる自由度に導入される。この層の位置はエミ
ッタ電子投射層（１０）構造の前と後ろに各々置くこと
ができる。スタークシフト（Ｓｔａｒｋ ｓｈｉｆｔ）
による電子の量子束縛準位の整列はエミッタ電子投射層
（１０）の量子井戸層（８）の広さと緩衝層の広さの組
合せにより決定される。
【００３１】図３（ａ）乃至図３（ｄ）は、本発明の第
１の実施の形態による各電圧における各層内での伝導帯
の最低準位を図示したエネルギーパンド図（ｓｃｈｅｍ
ａｔｉｃ ｅｎｅｒｇｙ ｄｉａｇｒａｍ）である。な
お、図３（ａ）〜（ｄ）において、ＥFはフェルミエネ
ルギーを示す。
１の実施の形態による各電圧における各層内での伝導帯
の最低準位を図示したエネルギーパンド図（ｓｃｈｅｍ
ａｔｉｃ ｅｎｅｒｇｙ ｄｉａｇｒａｍ）である。な
お、図３（ａ）〜（ｄ）において、ＥFはフェルミエネ
ルギーを示す。
【００３２】図３（ａ）は、図１の構成の熱平衡状態に
おけるホットエレクトロン装置（ＨＥＴ）構造層のエネ
ルギーバンド図である。エミッタ（Ｅ）層７とベ−ス
（Ｂ）層４と間に薄く高いエミッタ障壁層６のエネルギ
ー障壁が形成され、またベ−ス（Ｂ）層４はＶ字型の伝
導帯を有する。ベ−ス（Ｂ）層４とコレクタ（Ｃ）層２
と間にはエミッタ障壁層６のエネルギー障壁よりも相対
的に低く広いエネルギー障壁のコレクタ障壁層３が形成
されている。
おけるホットエレクトロン装置（ＨＥＴ）構造層のエネ
ルギーバンド図である。エミッタ（Ｅ）層７とベ−ス
（Ｂ）層４と間に薄く高いエミッタ障壁層６のエネルギ
ー障壁が形成され、またベ−ス（Ｂ）層４はＶ字型の伝
導帯を有する。ベ−ス（Ｂ）層４とコレクタ（Ｃ）層２
と間にはエミッタ障壁層６のエネルギー障壁よりも相対
的に低く広いエネルギー障壁のコレクタ障壁層３が形成
されている。
【００３３】図３（ｂ）は本発明によるエミッタ−ベ−
ス間に電圧（VBE）適用時のホットエレクトロン装置構
造層のエネルギーパンド図である。平衡状態のエネルギ
ーバンドにエミタ−ベ−ス間電圧（VBE）を印加するこ
とによりエミッタ障壁層６のエネルギー障壁が平衡状態
よりも相対的に厚くなる。ベ−ス（Ｂ）層４のＶ字型の
エネルギーバンドは、印加したエミッターベ−ス間の電
圧（VBE）相当に深くになる。ベ−ス（Ｂ）とコレクタ
（Ｃ）間のコレクタ障壁層３のエネルギー障壁は、平衡
状態よりも低い位置から始まりエミッタ障壁層６のエネ
ルギー障壁の高さくらいまで増加して形成され、その厚
さは平衡状態の厚さと同一である。
ス間に電圧（VBE）適用時のホットエレクトロン装置構
造層のエネルギーパンド図である。平衡状態のエネルギ
ーバンドにエミタ−ベ−ス間電圧（VBE）を印加するこ
とによりエミッタ障壁層６のエネルギー障壁が平衡状態
よりも相対的に厚くなる。ベ−ス（Ｂ）層４のＶ字型の
エネルギーバンドは、印加したエミッターベ−ス間の電
圧（VBE）相当に深くになる。ベ−ス（Ｂ）とコレクタ
（Ｃ）間のコレクタ障壁層３のエネルギー障壁は、平衡
状態よりも低い位置から始まりエミッタ障壁層６のエネ
ルギー障壁の高さくらいまで増加して形成され、その厚
さは平衡状態の厚さと同一である。
【００３４】図３（ｃ）は本発明によるコレクターエミ
ッタ間に電圧（VCE）適用時のホットエレクトロン装置
構造層のエネルギーバンド図である。コレクターエミッ
タ間電圧（VCE）を印加することによりエミッタ障壁層
６のエネルギー障壁は、平衡状態よりも厚くなり、ベ−
ス（Ｂ）層４のＶ字型のエネルギーバンドは、平衡状態
と同一の条件で形成される。コレクタ障壁層３のエネル
ギー障壁は、平衡状態と同一の位置から始まり、平衡状
態のエミッタ電圧からコレクタ−エミッター間電圧（V
CE）を印加した高さ相当で低くなった位置、すなわちＶ
字型ベ−スのエネルギーバンドの上部間で形成される。
コレクタ障壁層３のエネルギー障壁の厚さは平衡状態の
時と同一である。
ッタ間に電圧（VCE）適用時のホットエレクトロン装置
構造層のエネルギーバンド図である。コレクターエミッ
タ間電圧（VCE）を印加することによりエミッタ障壁層
６のエネルギー障壁は、平衡状態よりも厚くなり、ベ−
ス（Ｂ）層４のＶ字型のエネルギーバンドは、平衡状態
と同一の条件で形成される。コレクタ障壁層３のエネル
ギー障壁は、平衡状態と同一の位置から始まり、平衡状
態のエミッタ電圧からコレクタ−エミッター間電圧（V
CE）を印加した高さ相当で低くなった位置、すなわちＶ
字型ベ−スのエネルギーバンドの上部間で形成される。
コレクタ障壁層３のエネルギー障壁の厚さは平衡状態の
時と同一である。
【００３５】図３（ｄ）は、本発明によるベ−スエミッ
タ間電圧（VBE）とコレクタ−エミッタ間電圧（VCE）を
同時に適用する場合ホットエレクトロン装置のエネルギ
ーパンド図である。図示されたように図３（ｂ）と図３
（ｃ）とを合わせた形態を表す。即ち、エミッタ−ベ−
ス（VBE）間の電圧相当にエミッタ障壁層６のエネルギ
ー障壁は高くなり、コレクタ障壁層３のエネルギー障壁
は平衡状態の高さに形成されるがコレクターエミッタ間
電圧（VCE）相当に低い位置にコレクタ層２の伝導帯が
位置する。
タ間電圧（VBE）とコレクタ−エミッタ間電圧（VCE）を
同時に適用する場合ホットエレクトロン装置のエネルギ
ーパンド図である。図示されたように図３（ｂ）と図３
（ｃ）とを合わせた形態を表す。即ち、エミッタ−ベ−
ス（VBE）間の電圧相当にエミッタ障壁層６のエネルギ
ー障壁は高くなり、コレクタ障壁層３のエネルギー障壁
は平衡状態の高さに形成されるがコレクターエミッタ間
電圧（VCE）相当に低い位置にコレクタ層２の伝導帯が
位置する。
【００３６】エネルギーバンドのように、本実施の形態
の図１の構成は、ベ−ス層４のＶ字型の伝導帯を有し、
電子の遷移時間を減少することができる。さらに、二重
障壁共振トンネリング構造の代わりに、図２の構造のよ
うに３個以上の障壁構造を有する多重障壁共振トンネリ
ング構造を利用する場合、２個以上の整列された量子束
縛準位を介した共振トンネリングにより多数の電流ピー
ク（ｍｕｌｔｉ−ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｅａｋ）が可能に
なるためさらなる多様性が提供される。
の図１の構成は、ベ−ス層４のＶ字型の伝導帯を有し、
電子の遷移時間を減少することができる。さらに、二重
障壁共振トンネリング構造の代わりに、図２の構造のよ
うに３個以上の障壁構造を有する多重障壁共振トンネリ
ング構造を利用する場合、２個以上の整列された量子束
縛準位を介した共振トンネリングにより多数の電流ピー
ク（ｍｕｌｔｉ−ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｅａｋ）が可能に
なるためさらなる多様性が提供される。
【００３７】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、ホッ
トエレクトロン装置のベ−ス層にインジウム砒素（Ｉｎ
Ａｓ）を傾斜組成することにより有効電子質量を小さく
して電子移動度を高めることができ、Γ−Ｌ分離（ｓｅ
ｐａｒａｔｉｏｎ）を大きくしてＬ―谷間（ｖａｌｌｅ
ｙ）による電子の散乱を減少することができる。さら
に、コレクタ障壁層との伝導帯不連続性（ｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｏｎ−ｂａｎｄ ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｉｔｙ）を
増加させ、コレクタ障壁層のアルミニウム砒素（ＡｌＡ
ｓ）含量を減少することができコレクタ−ベ−ス電圧
（VBC）を高めることができる。さらに、コレクターベ
−ス電圧（VBC）を高くすることができるため電子の遷
移時間を短縮することができ、オーミック接続（ｏｈｍ
ｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）用金属蒸着（ｍｅｔａｌｌｉｚ
ａｔｉｏｎ）のための高ドーピング濃度においてベ−ス
の抵抗を減少させ、コレクタ利得（ｇａｉｎ）を増加さ
せることができるため改善された超高速素子、高周波振
動子及び新しい機能の高速論理装置等を応用することが
できる卓越した効果がある。
トエレクトロン装置のベ−ス層にインジウム砒素（Ｉｎ
Ａｓ）を傾斜組成することにより有効電子質量を小さく
して電子移動度を高めることができ、Γ−Ｌ分離（ｓｅ
ｐａｒａｔｉｏｎ）を大きくしてＬ―谷間（ｖａｌｌｅ
ｙ）による電子の散乱を減少することができる。さら
に、コレクタ障壁層との伝導帯不連続性（ｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｏｎ−ｂａｎｄ ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｉｔｙ）を
増加させ、コレクタ障壁層のアルミニウム砒素（ＡｌＡ
ｓ）含量を減少することができコレクタ−ベ−ス電圧
（VBC）を高めることができる。さらに、コレクターベ
−ス電圧（VBC）を高くすることができるため電子の遷
移時間を短縮することができ、オーミック接続（ｏｈｍ
ｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）用金属蒸着（ｍｅｔａｌｌｉｚ
ａｔｉｏｎ）のための高ドーピング濃度においてベ−ス
の抵抗を減少させ、コレクタ利得（ｇａｉｎ）を増加さ
せることができるため改善された超高速素子、高周波振
動子及び新しい機能の高速論理装置等を応用することが
できる卓越した効果がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるホットエレク
トロン装置の断面図。
トロン装置の断面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態による共振トンネリ
ングホットエレクトロン装置の断面図。
ングホットエレクトロン装置の断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）本発明による各電圧における各
層内の導電バンドの最低準位を図示したエネルギーバン
ド図。
層内の導電バンドの最低準位を図示したエネルギーバン
ド図。
１：基板 ２：コレクタ層 ３：コレクタ障壁層 ４：ベ−ス層 ５：緩衝層 ６：エミッタ障壁
層 ７：エミッタ層 ８：量子井戸層 ９：障壁層 １０：エミッタ電子
投射層 １１：コレクタ電極 １２：ベ−ス電極 １３：エミッタ電極
層 ７：エミッタ層 ８：量子井戸層 ９：障壁層 １０：エミッタ電子
投射層 １１：コレクタ電極 １２：ベ−ス電極 １３：エミッタ電極
Claims (23)
- 【請求項１】（１００）の格子構造を有する基板と、 上記基板上部の選択された領域に形成されるコレクタ層
と、 上記コレクタ層上部の選択された領域に形成されるコレ
クタ障壁層と、 上記コレクタ障壁層上部に形成されるベ−ス層と、 上記ベ−ス層上部の選択された領域に形成される緩衝層
と、 上記緩衝層上部に形成されるエミッタ障壁層と、 上記エミッタ障壁層上部に形成されるエミッタ層とを有
することを特徴とするホットエレクトロン装置。 - 【請求項２】請求項１において、上記基板は、半絶縁イ
ンジウム燐（ＩｎＰ）によりなることを特徴とするホッ
トエレクトロン装置。 - 【請求項３】請求項１において、上記コレクタ層は、ド
−プされたインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）化
合物半導体によりなることを特徴とするホットエレクト
ロン装置。 - 【請求項４】請求項１において、上記コレクタ障壁層
は、ド−プされていないインジウムガリウムアルミニウ
ム砒素（ＩｎＧａxＡｌyＡｓ）化合物半導体によりなる
ことを特徴とするホットエレクトロン装置。 - 【請求項５】請求項１において、上記ベ−ス層は、ド−
プされたインジウムガリウム砒素（ＩｎxＧａ1-xＡｓ）
化合物半導体によりなることを特徴とするホットエレク
トロン装置。 - 【請求項６】請求項１において、上記緩衝層は、ド−プ
されていないインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）
及びインジウムアルミニウム砒素（ＩｎＡｌＡｓ）化合
物の半導体のうち何れか一つによりなることを特徴とす
るホットエレクトロン装置。 - 【請求項７】請求項１において、上記エミッタ障壁層
は、ド−プされていないインジウムアルミニウム砒素
（ＩｎＡｌＡｓ）化合物半導体によりなることを特徴と
するホットエレクトロン装置。 - 【請求項８】請求項１において、上記エミッタ層は、ド
−プされたインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）化
合物半導体によりなることを特徴とするホットエレクト
ロン装置。 - 【請求項９】請求項５において、上記ベ−ス層は、コレ
クタ障壁層と格子整合をなす組成から始まりベ−ス層中
間までベ−ス層の伝導帯が最小値に到達するように組成
を漸次変化させたあと再びエミッタ障壁層まで格子整合
組成に変化するように組成を漸次変化させた層であるこ
とを特徴とするホットエレクトロン装置。 - 【請求項１０】（１００）の格子構造を有する基板と、 上記基板上部の選択された領域に形成されるコレクタ層
と、 上記コレクタ層上部の選択された領域に形成されるコレ
クタ障壁層と、 上記コレクタ障壁層上部に形成されるベ−ス層と、 上記ベ−ス層上部に選択された領域に形成される緩衝層
と、 上記緩衝層上部に形成されたエミッタ障壁層と、 上記エミッタ障壁層上部に形成される量子井戸層と、 上記量子井戸層上部に形成される障壁層と、 上記障壁層上部に形成されるエミッタ層とを有すること
を特徴とする共振トンネリングホットエレクトロン装
置。 - 【請求項１１】請求項１０において、上記基板は、半絶
縁インジウム燐（ＩｎＰ）によりなることを特徴とする
共振トンネリングホットエレクトロン装置。 - 【請求項１２】請求項１０において、上記コレクタ層
は、ド−プされたインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡ
ｓ）化合物半導体によりなることを特徴とする共振トン
ネリングホットエレクトロン装置。 - 【請求項１３】請求項１０において、上記コレクタ障壁
層は、ド−プされていないインジウムガリウムアルミニ
ウム砒素（ＩｎＧａxＡｌyＡｓ）化合物半導体によりな
ることを特徴とする共振トンネリングホットエレクトロ
ン装置。 - 【請求項１４】請求項１０において、上記ベ−ス層は、
ド−プされたインジウムガリウム砒素（ＩｎxＧａ1-xＡ
ｓ）化合物半導体によりなることを特徴とする共振トン
ネリングホットエレクトロン装置。 - 【請求項１５】請求項１０において、上記緩衝層は、ド
−プされていないインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡ
ｓ）およびインジウムアルミニウム砒素（ＩｎＡｌＡ
ｓ）化合物半導体のうち何れか一つによりなることを特
徴とする共振トンネリングホットエレクトロン装置。 - 【請求項１６】請求項１０において、上記エミッタ障壁
層は、ド−プされていないインジウムアルミニウム砒素
（ＩｎＡｌＡｓ）化合物半導体によりなることを特徴と
する共振トンネリングホットエレクトロン装置。 - 【請求項１７】請求項１０において、上記エミッタ障壁
層は、ド−プされていないインジウムアルミニウム砒素
（ＩｎＡｌＡｓ）化合物半導体によりなることを特徴と
する共振トンネリングホットエレクトロン装置。 - 【請求項１８】請求項１０において、上記量子井戸層
は、ド−プされていないインジウムガリウム砒素（Ｉｎ
ＧａＡｓ）化合物半導体によりなることを特徴とする共
振トンネリングホットエレクトロン装置。 - 【請求項１９】請求個１０において、上記障壁層は、ド
−プされていないインジウムアルミニウム砒素（ＩｎＡ
ｌＡｓ）化合物半導体によりなることを特徴とする共振
トンネリングホットエレクトロン装置。 - 【請求項２０】請求項１０において、上記エミッタ層
は、ド−プされたインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡ
ｓ）化合物半導体によりなることを特徴とする共振トン
ネリングホットエレクトロン装置。 - 【請求項２１】請求項１４において、上記ベ−ス層はコ
レクタ障壁層と格子整合をなす組成から始まりベ−ス層
中間までベ−ス層の伝導帯が最小値に到達するように組
成を漸次変化させたあと再びエミッタ障壁層間で格子整
合組成に変化するように組成を漸次変化させた層である
ことを特徴とする共振トンネリングホットエレクトロン
装置。 - 【請求項２２】請求項１０において、上記エミッタ障壁
層、量子井戸層および障壁層は、エミッタ電子投射層を
形成することを特徴とする共振トンネリングホットエレ
クトロン装置。 - 【請求項２３】請求項１０において、上記エミッタ障壁
層、障壁層および緩衝層は、幅を調整することによりフ
ェルミエネルギーと整列された量子束縛準位を介して共
振トンネリングがおきるように形成されていることを特
徴とする共振トンネリングホットエレクトロン装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR96-52022 | 1996-11-05 | ||
| KR1019960052022A KR19980034078A (ko) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 핫 전자 장치(Hot Electron Device) 및 공진 터널링 핫 전자 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144910A true JPH10144910A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=19480794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9232686A Pending JPH10144910A (ja) | 1996-11-05 | 1997-08-28 | ホットエレクトロン装置および共振トンネリングホットエレクトロン装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5907159A (ja) |
| JP (1) | JPH10144910A (ja) |
| KR (1) | KR19980034078A (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518589B2 (en) | 2000-06-22 | 2003-02-11 | Progressant Technologies, Inc. | Dual mode FET & logic circuit having negative differential resistance mode |
| US6724655B2 (en) * | 2000-06-22 | 2004-04-20 | Progressant Technologies, Inc. | Memory cell using negative differential resistance field effect transistors |
| US6479862B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-11-12 | Progressant Technologies, Inc. | Charge trapping device and method for implementing a transistor having a negative differential resistance mode |
| US6594193B2 (en) | 2000-06-22 | 2003-07-15 | Progressent Technologies, Inc. | Charge pump for negative differential resistance transistor |
| US6512274B1 (en) * | 2000-06-22 | 2003-01-28 | Progressant Technologies, Inc. | CMOS-process compatible, tunable NDR (negative differential resistance) device and method of operating same |
| US6596617B1 (en) | 2000-06-22 | 2003-07-22 | Progressant Technologies, Inc. | CMOS compatible process for making a tunable negative differential resistance (NDR) device |
| US6559470B2 (en) | 2000-06-22 | 2003-05-06 | Progressed Technologies, Inc. | Negative differential resistance field effect transistor (NDR-FET) and circuits using the same |
| US6754104B2 (en) * | 2000-06-22 | 2004-06-22 | Progressant Technologies, Inc. | Insulated-gate field-effect transistor integrated with negative differential resistance (NDR) FET |
| US7453083B2 (en) * | 2001-12-21 | 2008-11-18 | Synopsys, Inc. | Negative differential resistance field effect transistor for implementing a pull up element in a memory cell |
| US6894327B1 (en) | 2001-12-21 | 2005-05-17 | Progressant Technologies, Inc. | Negative differential resistance pull up element |
| US6853035B1 (en) | 2002-06-28 | 2005-02-08 | Synopsys, Inc. | Negative differential resistance (NDR) memory device with reduced soft error rate |
| US7098472B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-08-29 | Progressant Technologies, Inc. | Negative differential resistance (NDR) elements and memory device using the same |
| US7095659B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-08-22 | Progressant Technologies, Inc. | Variable voltage supply bias and methods for negative differential resistance (NDR) based memory device |
| US6847562B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-01-25 | Progressant Technologies, Inc. | Enhanced read and write methods for negative differential resistance (NDR) based memory device |
| US6795337B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-09-21 | Progressant Technologies, Inc. | Negative differential resistance (NDR) elements and memory device using the same |
| US6864104B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-03-08 | Progressant Technologies, Inc. | Silicon on insulator (SOI) negative differential resistance (NDR) based memory device with reduced body effects |
| US6912151B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-06-28 | Synopsys, Inc. | Negative differential resistance (NDR) based memory device with reduced body effects |
| US6567292B1 (en) | 2002-06-28 | 2003-05-20 | Progressant Technologies, Inc. | Negative differential resistance (NDR) element and memory with reduced soft error rate |
| KR100463416B1 (ko) * | 2002-09-05 | 2004-12-23 | 한국전자통신연구원 | 아발란치 포토트랜지스터 |
| US6980467B2 (en) * | 2002-12-09 | 2005-12-27 | Progressant Technologies, Inc. | Method of forming a negative differential resistance device |
| US6979580B2 (en) * | 2002-12-09 | 2005-12-27 | Progressant Technologies, Inc. | Process for controlling performance characteristics of a negative differential resistance (NDR) device |
| US6849483B2 (en) * | 2002-12-09 | 2005-02-01 | Progressant Technologies, Inc. | Charge trapping device and method of forming the same |
| US6806117B2 (en) * | 2002-12-09 | 2004-10-19 | Progressant Technologies, Inc. | Methods of testing/stressing a charge trapping device |
| US7012833B2 (en) * | 2002-12-09 | 2006-03-14 | Progressant Technologies, Inc. | Integrated circuit having negative differential resistance (NDR) devices with varied peak-to-valley ratios (PVRs) |
| US6812084B2 (en) * | 2002-12-09 | 2004-11-02 | Progressant Technologies, Inc. | Adaptive negative differential resistance device |
| US7005711B2 (en) * | 2002-12-20 | 2006-02-28 | Progressant Technologies, Inc. | N-channel pull-up element and logic circuit |
| WO2006033536A1 (en) | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Jong Ho Kim | A mirror unit for automobile |
| US20080217603A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-09-11 | Youichi Takeda | Hot electron transistor and semiconductor device including the same |
| US8178946B1 (en) * | 2009-11-20 | 2012-05-15 | Hrl Laboratories, Llc | Modulation doped super-lattice base for heterojunction bipolar transistors |
| CA3159109C (en) | 2012-04-19 | 2024-10-22 | Carnegie Mellon University | METAL/SEMICONDUCTOR/METALLIC HETEROJUNCTION DIODE |
| WO2014039550A1 (en) * | 2012-09-04 | 2014-03-13 | Carnegie Mellon University | A hot-electron transistor having metal terminals |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831471B2 (ja) * | 1988-02-23 | 1996-03-27 | 富士通株式会社 | 共鳴トンネリングトランジスタ |
| JPH0638494B2 (ja) * | 1988-11-30 | 1994-05-18 | 工業技術院長 | 化合物半導体装置 |
| US5182233A (en) * | 1989-08-02 | 1993-01-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor pellet, and method for dicing compound semiconductor wafer |
| JP2527060B2 (ja) * | 1990-01-29 | 1996-08-21 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| KR0170181B1 (ko) * | 1994-12-19 | 1999-02-01 | 정선종 | 공진 터널링 핫 전자 트랜지스터 |
-
1996
- 1996-11-05 KR KR1019960052022A patent/KR19980034078A/ko not_active Ceased
-
1997
- 1997-08-28 JP JP9232686A patent/JPH10144910A/ja active Pending
- 1997-11-03 US US08/963,393 patent/US5907159A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980034078A (ko) | 1998-08-05 |
| US5907159A (en) | 1999-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10144910A (ja) | ホットエレクトロン装置および共振トンネリングホットエレクトロン装置 | |
| US6727153B2 (en) | Superlattice fabrication for InAs/GaSb/AlSb semiconductor structures | |
| EP0445475B1 (en) | Heterojunction bipolar transistor | |
| EP0746035B1 (en) | Quarternary collector InAlAs-InGaAlAs heterojunction bipolar transistor | |
| JPH0669222A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2914049B2 (ja) | ヘテロ接合を有する化合物半導体基板およびそれを用いた電界効果トランジスタ | |
| EP0292568B1 (en) | Hetero-junction bipolar transistor | |
| JP3141838B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| US5322808A (en) | Method of fabricating inverted modulation-doped heterostructure | |
| US5571732A (en) | Method for fabricating a bipolar transistor | |
| JP2002270615A (ja) | 改良型エミッタ−ベース接合を持つヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 | |
| US4916495A (en) | Semiconductor device with semi-metal | |
| JPH07273311A (ja) | 帯域対帯域共振トンネリング・トランジスタ | |
| JP3157098B2 (ja) | 共鳴トンネルリングホットエレクトロントランジスター | |
| JP3094500B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP2994863B2 (ja) | ヘテロ接合半導体装置 | |
| JP4347919B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0684959A (ja) | 高電子移動度電界効果半導体装置 | |
| JPH07326629A (ja) | ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ | |
| JP4222033B2 (ja) | ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ系のヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| JP2980630B2 (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JP2786208B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2903875B2 (ja) | 化合物半導体トランジスタ用ウェハ及び化合物半導体トランジスタ | |
| JP2606660B2 (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ | |
| JPH1098052A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020702 |