JPH0638494B2 - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
- Publication number
- JPH0638494B2 JPH0638494B2 JP63300717A JP30071788A JPH0638494B2 JP H0638494 B2 JPH0638494 B2 JP H0638494B2 JP 63300717 A JP63300717 A JP 63300717A JP 30071788 A JP30071788 A JP 30071788A JP H0638494 B2 JPH0638494 B2 JP H0638494B2
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- Japan
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- barrier
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- barrier layer
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- Expired - Lifetime
Links
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 7
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- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 共鳴トンネリング・ホット・エレクトロン・トランジス
タやホット・エレクトロン・トランジスタなどヘテロ接
合をもつ化合物半導体装置の改良に関し、 コレクタ・ベース間電圧を印加しても、コレクタ・バリ
ヤ内で電子が谷間散乱を受け難いようにすることを目的
とし、 順に積層されたＩｎＡｓからなるコレクタ層及びＩｎ
（ＡｌＧｓ）Ａｓからなるコレクタ・バリヤ層及びＩｎ
ＧａＡｓからなるベース層及びＩｎＡｌＡｓからなるエ
ミッタ・バリヤ層及びＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層
を備え、前記コレクタ・バリヤ層の組成はベース層側か
らＡｌを漸減させ前記コレクタ層に至るまでに０にして
なるよう構成する。
タやホット・エレクトロン・トランジスタなどヘテロ接
合をもつ化合物半導体装置の改良に関し、 コレクタ・ベース間電圧を印加しても、コレクタ・バリ
ヤ内で電子が谷間散乱を受け難いようにすることを目的
とし、 順に積層されたＩｎＡｓからなるコレクタ層及びＩｎ
（ＡｌＧｓ）Ａｓからなるコレクタ・バリヤ層及びＩｎ
ＧａＡｓからなるベース層及びＩｎＡｌＡｓからなるエ
ミッタ・バリヤ層及びＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層
を備え、前記コレクタ・バリヤ層の組成はベース層側か
らＡｌを漸減させ前記コレクタ層に至るまでに０にして
なるよう構成する。
本発明は、共鳴トンネリング・ホット・エレクトロン・
トランジスタ（ｒｅｓｏｎａｎｔ−ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ
ｈｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：
ＲＨＥＴ）やホット・エレクトロン・トランジスタ（ｈ
ｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥ
Ｔ）などヘテロ接合をもつ化合物半導体装置の改良に関
する。
トランジスタ（ｒｅｓｏｎａｎｔ−ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ
ｈｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：
ＲＨＥＴ）やホット・エレクトロン・トランジスタ（ｈ
ｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥ
Ｔ）などヘテロ接合をもつ化合物半導体装置の改良に関
する。
現在、コンピュータなどを高速化する要求が強いことか
ら、それを構成する半導体装置を高速化する為の開発・
研究が盛んである。前記ＲＨＥＴやＨＥＴは、ベース中
を電子がバリスティックに通り抜ける為、通常の半導体
素子に比較して電子のベース走行時間は大変短く、ま
た、特にＲＨＥＴは、その微分負性抵抗特性などの新機
能性と相俟って将来の集積回路に於ける基本的素子とし
て期待されている。
ら、それを構成する半導体装置を高速化する為の開発・
研究が盛んである。前記ＲＨＥＴやＨＥＴは、ベース中
を電子がバリスティックに通り抜ける為、通常の半導体
素子に比較して電子のベース走行時間は大変短く、ま
た、特にＲＨＥＴは、その微分負性抵抗特性などの新機
能性と相俟って将来の集積回路に於ける基本的素子とし
て期待されている。
然しながら、ＲＨＥＴ或いはＨＥＴでは、ベース・コレ
クタ間の耐圧を得る為にポテンシャル・バリヤ（コレク
タ・バリヤ）が形成されていて、そこで電子の走行速度
が低下する旨の問題があるので、これを解決しなければ
ならない。
クタ間の耐圧を得る為にポテンシャル・バリヤ（コレク
タ・バリヤ）が形成されていて、そこで電子の走行速度
が低下する旨の問題があるので、これを解決しなければ
ならない。
第３図は従来のＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ（ＡｌＧａ）Ａｓ系
ＲＨＥＴを説明する為のエネルギ・バンド・ダイヤグラ
ムを表している。
ＲＨＥＴを説明する為のエネルギ・バンド・ダイヤグラ
ムを表している。
図に於いて、 Ｅはｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓエミッタ層、 ＥＢはｉ型Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓエミッタ・バリヤ層、 Ｂはｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓベース層、 ＣＢはｉ型Ｉｎ0.52（Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 ）0.48Ａｓコレ
クタ・バリヤ層、 Ｃはｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓコレクタ層 を示し、また、ＥＣ（Γ）はΓ谷の伝導帯の底、Ｅ
Ｃ（Ｌ）はＬ谷の伝導帯の底、ＥＦはフェルミ・レベ
ル、ＥS1及びＥS2はΓ谷とＬ谷のセパレーション・エネ
ルギ、ＥCBはコレクタ・バリヤ層ＣＢのベース側バリヤ
・ハイト、ＶCBはコレクタ・ベース間電圧、ｅは電子を
それぞれ示している。
クタ・バリヤ層、 Ｃはｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓコレクタ層 を示し、また、ＥＣ（Γ）はΓ谷の伝導帯の底、Ｅ
Ｃ（Ｌ）はＬ谷の伝導帯の底、ＥＦはフェルミ・レベ
ル、ＥS1及びＥS2はΓ谷とＬ谷のセパレーション・エネ
ルギ、ＥCBはコレクタ・バリヤ層ＣＢのベース側バリヤ
・ハイト、ＶCBはコレクタ・ベース間電圧、ｅは電子を
それぞれ示している。
このＲＨＥＴに関する主要データを例示すると次の通り
である。
である。
(a) エミッタ層Ｅについて 厚さ：２０００〔Å〕 不純物：Ｓｉ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 (b) エミッタ・バリヤ層ＥＢについて 厚さ：１００〔Å〕 (c) ベース層Ｂについて 厚さ：５００〔Å〕 不純物：Ｓｉ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 (d) コレクタ・バリヤ層ＣＢについて 厚さ：２０００〔Å〕 (e) コレクタ層Ｃについて 厚さ：２０００〔Å〕 不純物：Ｓｉ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 (f) セパレーション・エネルギＥS1について ０．５５〔ｅＶ〕 (g) セパレーション・エネルギＥS2について０．４５
〔ｅＶ〕 (h) コレクタ・バリヤ層ＣＢのベース側バリヤ・ハイ
トＥCBについて ０．２７〔ｅＶ〕 このＲＨＥＴでは、エミッタ層Ｅから電子ｅがトンネリ
ングでベース層Ｂに現れ、そのベース層Ｂを略バリステ
ィックに走行し、コレクタ・バリヤ層ＣＢを越えてコレ
クタ層Ｃに到達するものである。
〔ｅＶ〕 (h) コレクタ・バリヤ層ＣＢのベース側バリヤ・ハイ
トＥCBについて ０．２７〔ｅＶ〕 このＲＨＥＴでは、エミッタ層Ｅから電子ｅがトンネリ
ングでベース層Ｂに現れ、そのベース層Ｂを略バリステ
ィックに走行し、コレクタ・バリヤ層ＣＢを越えてコレ
クタ層Ｃに到達するものである。
前記ＲＨＥＴやＨＥＴは高速であるとされているが、コ
レクタ・バリヤ層ＣＢに於けるΓ谷−Ｌ谷間のセパレー
ション・エネルギＥS1は、前記したように、ＩｎＧａＡ
ｓの約０．５５〔ｅＶ〕よりも狭く、約０．４５〔ｅ
Ｖ〕である。従って、コレクタ・ベース間電圧ＶCBを約
０．４〔Ｖ〕以上にした場合、電子ｅはコレクタ・バリ
ヤ層ＣＢ内で谷間散乱（ｉｎｔｅｒ ｖａｌｌｅｙ ｓ
ｃａｔｔｅｒｉｎｇ）を受け、急速にエネルギを失い、
速度が低下する。その為、折角、電子ｅがベース層Ｂ中
を略バリスティックに走行しても、コレクタ・バリヤ層
ＣＢ内に於ける走行時間が支配的となって、高速化の効
果は期待する程には現れない。
レクタ・バリヤ層ＣＢに於けるΓ谷−Ｌ谷間のセパレー
ション・エネルギＥS1は、前記したように、ＩｎＧａＡ
ｓの約０．５５〔ｅＶ〕よりも狭く、約０．４５〔ｅ
Ｖ〕である。従って、コレクタ・ベース間電圧ＶCBを約
０．４〔Ｖ〕以上にした場合、電子ｅはコレクタ・バリ
ヤ層ＣＢ内で谷間散乱（ｉｎｔｅｒ ｖａｌｌｅｙ ｓ
ｃａｔｔｅｒｉｎｇ）を受け、急速にエネルギを失い、
速度が低下する。その為、折角、電子ｅがベース層Ｂ中
を略バリスティックに走行しても、コレクタ・バリヤ層
ＣＢ内に於ける走行時間が支配的となって、高速化の効
果は期待する程には現れない。
本発明は、コレクタ・ベース間電圧を印加しても、コレ
クタ・バリヤ内で電子が谷間散乱を受け難いようにした
ＲＨＥＴ或いはＨＥＴなどの化合物半導体装置を提供し
ようとする。
クタ・バリヤ内で電子が谷間散乱を受け難いようにした
ＲＨＥＴ或いはＨＥＴなどの化合物半導体装置を提供し
ようとする。
電子ｅがコレクタ・バリヤ層ＣＢ内に於いて谷間散乱を
受け難くする為には、そこでのΓ谷・Ｌ谷間のセパレー
ション・エネルギが大であるようにすれば良く、その為
には、コレクタ・バリヤ層ＣＢを構成する半導体材料を
適切に選択する必要があり、また、それに伴って別な不
都合が発生しないように、コレクタ層の半導体材料にも
配慮しなければならない。
受け難くする為には、そこでのΓ谷・Ｌ谷間のセパレー
ション・エネルギが大であるようにすれば良く、その為
には、コレクタ・バリヤ層ＣＢを構成する半導体材料を
適切に選択する必要があり、また、それに伴って別な不
都合が発生しないように、コレクタ層の半導体材料にも
配慮しなければならない。
このようなことから、本発明の化合物半導体装置に於い
ては、順に積層されたＩｎＡｓからなるコレクタ層（例
えばコレクタ層Ｃ）とＩｎ（ＡｌＧａ）Ａｓからなるコ
レクタ・バリヤ層（例えばコレクタ・バリヤ層ＣＢ）と
ＩｎＧａＡｓからなるベース層（例えばベース層Ｂ）と
ＩｎＡｌＡｓからなるエミッタ・バリヤ層（例えばエミ
ッタ・バリヤ層ＥＢ）及びＩｎＧａＡｓからなるエミッ
タ層（例えばエミッタ層Ｅ）を備え、前記コレクタ・バ
リヤ層の組成はベース層側からＡｌを漸減させ前記コレ
クタ層に至るまでに０にしてなるように構成している。
ては、順に積層されたＩｎＡｓからなるコレクタ層（例
えばコレクタ層Ｃ）とＩｎ（ＡｌＧａ）Ａｓからなるコ
レクタ・バリヤ層（例えばコレクタ・バリヤ層ＣＢ）と
ＩｎＧａＡｓからなるベース層（例えばベース層Ｂ）と
ＩｎＡｌＡｓからなるエミッタ・バリヤ層（例えばエミ
ッタ・バリヤ層ＥＢ）及びＩｎＧａＡｓからなるエミッ
タ層（例えばエミッタ層Ｅ）を備え、前記コレクタ・バ
リヤ層の組成はベース層側からＡｌを漸減させ前記コレ
クタ層に至るまでに０にしてなるように構成している。
前記手段を採ることに依り、コレクタ・バリヤ層に於け
るΓ谷・Ｌ谷間のセパレーション・エネルギはベース層
側からコレクタ層側にかけて広くなり、従って、従来よ
り大きなコレクタ・ベース間電圧を印加しても電子が谷
間散乱を受け難くなり、高速性を維持することができ
る。また、コレクタ層を構成する半導体材料としてＩｎ
Ａｓを用いていることから、コレクタ・バリヤ層に於け
るコレクタ層側のバリヤ・ハイトは充分に高く、従っ
て、コレクタ層に於ける電子がベース層に流れ込むよう
なことは起きない。更にまた、コレクタ・バリヤ層に於
けるベース層側のｘ値は０．５であって有効質量が大き
いことから、ベース層のコールド・エレクトロンがコレ
クタ・バリヤをトンネリングしてコレクタ層に到達する
ようなことはない。
るΓ谷・Ｌ谷間のセパレーション・エネルギはベース層
側からコレクタ層側にかけて広くなり、従って、従来よ
り大きなコレクタ・ベース間電圧を印加しても電子が谷
間散乱を受け難くなり、高速性を維持することができ
る。また、コレクタ層を構成する半導体材料としてＩｎ
Ａｓを用いていることから、コレクタ・バリヤ層に於け
るコレクタ層側のバリヤ・ハイトは充分に高く、従っ
て、コレクタ層に於ける電子がベース層に流れ込むよう
なことは起きない。更にまた、コレクタ・バリヤ層に於
けるベース層側のｘ値は０．５であって有効質量が大き
いことから、ベース層のコールド・エレクトロンがコレ
クタ・バリヤをトンネリングしてコレクタ層に到達する
ようなことはない。
第１図は本発明一実施例であるＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ（Ａ
ｌＧａ）Ａｓ系ＲＨＥＴを説明する為のエネルギ・バン
ド・ダイヤグラムを表し、第３図に於いて用いた信号と
同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
ｌＧａ）Ａｓ系ＲＨＥＴを説明する為のエネルギ・バン
ド・ダイヤグラムを表し、第３図に於いて用いた信号と
同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
本実施例が第３図に見られる従来例と相違するところ
は、 (1) コレクタ・バリヤ層ＣＢが 「ｉ型Ｉｎ0.52（ＡｌｘＧｉ1-x）0.48Ａｓ」で構成さ
れ、しかも、ベース層Ｂ側からコレクタ層Ｃ側に向かっ
てｘ値が０．５→０まで変化していること、 (2) コレクタ層Ｃが「ｎ型ＩｎＡｓ」で構成されてい
ること、 である。尚、この場合、コレクタ・バリヤ層ＣＢの厚さ
は２０００〔Å〕、また、コレクタ層Ｃの厚さは１００
０〔Å〕、そして、不純物濃度は１×１０18〔cm-3〕で
ある。
は、 (1) コレクタ・バリヤ層ＣＢが 「ｉ型Ｉｎ0.52（ＡｌｘＧｉ1-x）0.48Ａｓ」で構成さ
れ、しかも、ベース層Ｂ側からコレクタ層Ｃ側に向かっ
てｘ値が０．５→０まで変化していること、 (2) コレクタ層Ｃが「ｎ型ＩｎＡｓ」で構成されてい
ること、 である。尚、この場合、コレクタ・バリヤ層ＣＢの厚さ
は２０００〔Å〕、また、コレクタ層Ｃの厚さは１００
０〔Å〕、そして、不純物濃度は１×１０18〔cm-3〕で
ある。
前記したように、コレクタ・バリヤ層ＣＢに於けるｘ値
はベース層Ｂ型で０．５、そして、コレクタ層Ｃ側で０
であり、その結果、Γ谷とＬ谷とのセパレーション・エ
ネルギは、 ベース層Ｂ側（ＥSB）：０．４５〔ｅＶ〕 コレクタ層Ｃ側（ＥSC）：０．５５〔ｅＶ〕 となる。従って、コレクタ・ベース間電圧ＶCBを約０．
６〔Ｖ〕程度にした場合でも、コレクタ・バリヤ層ＣＢ
内に於いて電子ｅが谷間散乱を受けることはなくなる。
また、コレクタ・バリヤ層ＣＢに於けるコレクタ層Ｃ側
のバリヤ・ハイトＥCCは０．４７〔ｅＶ〕であり、コレ
クタ層Ｃに在る電子がベース層Ｂに向かうようなことは
充分に阻止される。このように高いバリヤ・ハイトが得
られているのは、コレクタ層Ｃを構成する半導体材料と
してＩｎＡｓを用いたことに起因する。尚、ＩｎＡｓは
基板であるＩｎＰとは格子整合しないが厚さ１０００
〔Å〕程度に成長してから直ちにＩｎＧａＡｓに戻して
やればデバイス特性上は殆ど影響を受けない。
はベース層Ｂ型で０．５、そして、コレクタ層Ｃ側で０
であり、その結果、Γ谷とＬ谷とのセパレーション・エ
ネルギは、 ベース層Ｂ側（ＥSB）：０．４５〔ｅＶ〕 コレクタ層Ｃ側（ＥSC）：０．５５〔ｅＶ〕 となる。従って、コレクタ・ベース間電圧ＶCBを約０．
６〔Ｖ〕程度にした場合でも、コレクタ・バリヤ層ＣＢ
内に於いて電子ｅが谷間散乱を受けることはなくなる。
また、コレクタ・バリヤ層ＣＢに於けるコレクタ層Ｃ側
のバリヤ・ハイトＥCCは０．４７〔ｅＶ〕であり、コレ
クタ層Ｃに在る電子がベース層Ｂに向かうようなことは
充分に阻止される。このように高いバリヤ・ハイトが得
られているのは、コレクタ層Ｃを構成する半導体材料と
してＩｎＡｓを用いたことに起因する。尚、ＩｎＡｓは
基板であるＩｎＰとは格子整合しないが厚さ１０００
〔Å〕程度に成長してから直ちにＩｎＧａＡｓに戻して
やればデバイス特性上は殆ど影響を受けない。
第２図は本発明に於ける他の実施例であるＩｎＧａＡｓ
／Ｉｎ（ＡｌＧａ）Ａｓ系ＲＨＥＴを説明する為のエネ
ルギ・バンド・ダイヤグラムを表し、第１図及び第３図
に於いて用いた信号と同記号は同部分を表すか或いは同
じ意味を持つものとする。
／Ｉｎ（ＡｌＧａ）Ａｓ系ＲＨＥＴを説明する為のエネ
ルギ・バンド・ダイヤグラムを表し、第１図及び第３図
に於いて用いた信号と同記号は同部分を表すか或いは同
じ意味を持つものとする。
本実施例が第１図に見られる実施例と相違する点は、コ
レクタ・バリヤ層ＣＢがベース層Ｂ側からｉ型Ｉｎ0.52
（Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 ）0.48Ａｓで始まり、中央近傍でｉ
型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓとなり、コレクタ層Ｃ側ではｉ
型Ｉｎ0.75Ｇａ0.25Ａｓとなっていることである。尚、
コレクタ層Ｃは矢張りＩｎＡｓである。
レクタ・バリヤ層ＣＢがベース層Ｂ側からｉ型Ｉｎ0.52
（Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 ）0.48Ａｓで始まり、中央近傍でｉ
型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓとなり、コレクタ層Ｃ側ではｉ
型Ｉｎ0.75Ｇａ0.25Ａｓとなっていることである。尚、
コレクタ層Ｃは矢張りＩｎＡｓである。
即ち、本実施例では、第１図に見られる実施例と同様、
コレクタ・バリヤ層ＣＢを構成する半導体材料のうちＡ
ｌをベース層Ｂ側から見て０．５より次第に減少させて
中央付近で０とし、それからＧａを０．５より次第に減
少させてコレクタ層Ｃ側で例えば０．２５としたもので
ある。
コレクタ・バリヤ層ＣＢを構成する半導体材料のうちＡ
ｌをベース層Ｂ側から見て０．５より次第に減少させて
中央付近で０とし、それからＧａを０．５より次第に減
少させてコレクタ層Ｃ側で例えば０．２５としたもので
ある。
このようにすると、コレクタ・バリヤ層ＣＢに於けるΓ
谷とＬ谷とのセパレーション・エネルギは、 ベース層Ｂ側（ＥSB）：０．４５〔ｅＶ〕 コレクタ層Ｃ側（ＥSC）：０．７５〔ｅＶ〕 となり、ベース層Ｂ側では第１図に見られる実施例と変
わりないが、コレクタ層Ｃ側では更に広くなっている。
谷とＬ谷とのセパレーション・エネルギは、 ベース層Ｂ側（ＥSB）：０．４５〔ｅＶ〕 コレクタ層Ｃ側（ＥSC）：０．７５〔ｅＶ〕 となり、ベース層Ｂ側では第１図に見られる実施例と変
わりないが、コレクタ層Ｃ側では更に広くなっている。
これは、要するに、Γ谷に関するエネルギ・バンド・ギ
ャップを狭くしていることに外らないが、このようにし
ても、コレクタ・バリヤ層ＣＢのコレクタ層Ｃ側に於け
るバリヤ・ハイトＥCCは０．３５〔ｅＶ〕であってデバ
イス特性には実用上の悪影響はない。
ャップを狭くしていることに外らないが、このようにし
ても、コレクタ・バリヤ層ＣＢのコレクタ層Ｃ側に於け
るバリヤ・ハイトＥCCは０．３５〔ｅＶ〕であってデバ
イス特性には実用上の悪影響はない。
本実施例では、コレクタ・ベース間電圧ＶCBを約０．７
〔Ｖ〕程度にした場合でも、谷間散乱は発生しない。
〔Ｖ〕程度にした場合でも、谷間散乱は発生しない。
本発明の化合物半導体装置では、コレクタ層にＩｎＡ
ｓ、コレクタ・バリヤ層にＩｎ（ＡｌＧａ）Ａｓ、ベー
ス層及びエミッタ層にＩｎＧａＡｓをそれぞれ用い、前
記コレクタ・バリヤ層の組成はベース層側からＡｌを漸
減させ前記コレクタ層に至るまでに０にしている。
ｓ、コレクタ・バリヤ層にＩｎ（ＡｌＧａ）Ａｓ、ベー
ス層及びエミッタ層にＩｎＧａＡｓをそれぞれ用い、前
記コレクタ・バリヤ層の組成はベース層側からＡｌを漸
減させ前記コレクタ層に至るまでに０にしている。
前記構成を採ることに依り、コレクタ・バリヤ層中での
谷間散乱は発生し難くなって高速性が維持され、また、
コレクタ・ベース間耐圧も向上させることができる。従
って、回路を設計する際の動作マージンを大きく採るこ
とができる。
谷間散乱は発生し難くなって高速性が維持され、また、
コレクタ・ベース間耐圧も向上させることができる。従
って、回路を設計する際の動作マージンを大きく採るこ
とができる。
第１図は本発明一実施例を説明する為のエネルギ・バン
ド・ダイヤグラム、第２図は本発明に於ける他の実施例
を説明する為のエネルギ・バンド・ダイヤグラム、第３
図は従来例を説明する為のエネルギ・バンド・ダイヤグ
ラムをそれぞれ表している。 図に於いて、Ｅはエミッタ層、ＥＢはエミッタ・バリヤ
層、Ｂはベース層、ＣＢはコレクタ・バリヤ層、Ｃはコ
レクタ層、ＥＣ（Γ）はΓ谷の伝導帯の底、ＥＣ（Ｌ）
はＬ谷の伝導帯の底、ＥＦはフェルミ・レベル、ＥS1及
びＥS2はΓ谷とＬ谷のセパレーション・エネルギ、ＥCB
はコレクタ・バリヤ層ＣＢのベース側バリヤ・ハイト、
ＥCCはコレクタ・バリヤ層ＣＢのコレクタ側バリヤ・ハ
イト、ＶCBはコレクタ・ベース間電圧、ｅは電子をそれ
ぞれ示している。
ド・ダイヤグラム、第２図は本発明に於ける他の実施例
を説明する為のエネルギ・バンド・ダイヤグラム、第３
図は従来例を説明する為のエネルギ・バンド・ダイヤグ
ラムをそれぞれ表している。 図に於いて、Ｅはエミッタ層、ＥＢはエミッタ・バリヤ
層、Ｂはベース層、ＣＢはコレクタ・バリヤ層、Ｃはコ
レクタ層、ＥＣ（Γ）はΓ谷の伝導帯の底、ＥＣ（Ｌ）
はＬ谷の伝導帯の底、ＥＦはフェルミ・レベル、ＥS1及
びＥS2はΓ谷とＬ谷のセパレーション・エネルギ、ＥCB
はコレクタ・バリヤ層ＣＢのベース側バリヤ・ハイト、
ＥCCはコレクタ・バリヤ層ＣＢのコレクタ側バリヤ・ハ
イト、ＶCBはコレクタ・ベース間電圧、ｅは電子をそれ
ぞれ示している。
Claims (1)
- 【請求項１】順に積層されたＩｎＡｓからなるコレクタ
層及びＩｎ（ＡｌＧａ）Ａｓからなるコレクタ・バリヤ
層及びＩｎＧａＡｓからなるベース層及びＩｎＡｌＡｓ
からなるエミッタ・バリヤ層及びＩｎＧａＡｓからなる
エミッタ層を備え、 前記コレクタ・バリヤ層の組成はベース層側からＡｌを
漸減させ前記コレクタ層に至るまでに０にしてなること を特徴とする化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63300717A JPH0638494B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63300717A JPH0638494B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 化合物半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148867A JPH02148867A (ja) | 1990-06-07 |
| JPH0638494B2 true JPH0638494B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=17888253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63300717A Expired - Lifetime JPH0638494B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638494B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980034078A (ko) * | 1996-11-05 | 1998-08-05 | 양승택 | 핫 전자 장치(Hot Electron Device) 및 공진 터널링 핫 전자 장치 |
| US7029813B2 (en) | 2003-07-30 | 2006-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Toner |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63300717A patent/JPH0638494B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02148867A (ja) | 1990-06-07 |
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|---|---|---|---|
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