JPH10144969A - 熱電変換素子 - Google Patents
熱電変換素子Info
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- JPH10144969A JPH10144969A JP8313148A JP31314896A JPH10144969A JP H10144969 A JPH10144969 A JP H10144969A JP 8313148 A JP8313148 A JP 8313148A JP 31314896 A JP31314896 A JP 31314896A JP H10144969 A JPH10144969 A JP H10144969A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 abstract 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910005329 FeSi 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体とをＰＮ接合
した熱電変換素子において、特に高い熱起電力を発生さ
せることが可能な構成からなる熱電変換素子の提供。 【解決手段】 単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体の単結晶
の方位によって熱起電力特性が大きく変化し、＜１１１
＞方向での熱起電力特性は非常に高くなり、その時、単
結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体をＰＮ接合する金属種によ
っても熱起電力が大きく変化する。また、ＰＮ接合部に
化学的に安定であり大気中での加熱でも酸化され難い貴
金属（Ａｕ，Ａｇ）からなる金属膜を介在させることに
より、熱起電力特性を向上させる。
した熱電変換素子において、特に高い熱起電力を発生さ
せることが可能な構成からなる熱電変換素子の提供。 【解決手段】 単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体の単結晶
の方位によって熱起電力特性が大きく変化し、＜１１１
＞方向での熱起電力特性は非常に高くなり、その時、単
結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体をＰＮ接合する金属種によ
っても熱起電力が大きく変化する。また、ＰＮ接合部に
化学的に安定であり大気中での加熱でも酸化され難い貴
金属（Ａｕ，Ａｇ）からなる金属膜を介在させることに
より、熱起電力特性を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ダイヤモンド型
結晶構造を有するＳｉ、Ｇｅあるいはその合金系に添加
元素を添加した単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体をＰＮ接
合した熱電変換素子の改良に係り、単結晶Ｐ型半導体と
Ｎ型半導体の各々の結晶の＜１１１＞方向の結晶方位に
温度勾配を与えるような構造にして、発電能力（変換効
率）を向上させた熱電変換素子に関する。
結晶構造を有するＳｉ、Ｇｅあるいはその合金系に添加
元素を添加した単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体をＰＮ接
合した熱電変換素子の改良に係り、単結晶Ｐ型半導体と
Ｎ型半導体の各々の結晶の＜１１１＞方向の結晶方位に
温度勾配を与えるような構造にして、発電能力（変換効
率）を向上させた熱電変換素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱電変換素子は、最近の産業界において
要求の高い熱エネルギーの有効活用の観点から実用化が
期待されているデバイスであり、例えば、排熱を利用し
電気エネルギーに変換するシステムや、屋外で簡単に電
気を得るための小型携帯用発電装置、ガス機器の炎セン
サー等、非常に広範囲の用途が検討されている。
要求の高い熱エネルギーの有効活用の観点から実用化が
期待されているデバイスであり、例えば、排熱を利用し
電気エネルギーに変換するシステムや、屋外で簡単に電
気を得るための小型携帯用発電装置、ガス機器の炎セン
サー等、非常に広範囲の用途が検討されている。
【０００３】しかし、いままでに知られている熱電変換
素子は、一般に熱電変換素子の変換効率が低く、かつ使
用温度範囲が非常に狭いことや製造方法が煩雑でありコ
ストが高い等の理由から汎用されるには至っていない。
素子は、一般に熱電変換素子の変換効率が低く、かつ使
用温度範囲が非常に狭いことや製造方法が煩雑でありコ
ストが高い等の理由から汎用されるには至っていない。
【０００４】現在変換効率を出来る限り上げるために、
半金属（Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｃ）やカルコゲン元素
（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）をＳｉ、Ｇｅの半導体あるいは遷移
金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｍｎ等）に添加した化合物を中心に
研究されているが、これらの化合物は電気的に半導体的
性質を示すために結晶方位によってゼーベック効果が一
般に大きく変化する。
半金属（Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｃ）やカルコゲン元素
（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）をＳｉ、Ｇｅの半導体あるいは遷移
金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｍｎ等）に添加した化合物を中心に
研究されているが、これらの化合物は電気的に半導体的
性質を示すために結晶方位によってゼーベック効果が一
般に大きく変化する。
【０００５】しかしながら今まで研究されてきた熱電変
換素子用の材料はほとんど多結晶体であり、特にゼーベ
ック係数の高い特定の結晶方位を選択することができな
いために、その変換効率にも自ずと限界があり、特に高
い熱電変換効率を実現するのは困難な状況である。
換素子用の材料はほとんど多結晶体であり、特にゼーベ
ック係数の高い特定の結晶方位を選択することができな
いために、その変換効率にも自ずと限界があり、特に高
い熱電変換効率を実現するのは困難な状況である。
【０００６】また、一般にＳｉやＧｅの単結晶をＰ型半
導体あるいはＮ型半導体にするために、遷移金属元素、
アルカリ元素、第３族あるいは第５族元素等の添加元素
を添加して単結晶を育成することも可能であり、現在で
は添加元素によっては２原子％位まで添加が可能であ
る。さらに添加元素と添加量によって不純物エネルギー
準位を変えることができるために、熱電変換素子の使用
温度帯域を変化させることも可能である。
導体あるいはＮ型半導体にするために、遷移金属元素、
アルカリ元素、第３族あるいは第５族元素等の添加元素
を添加して単結晶を育成することも可能であり、現在で
は添加元素によっては２原子％位まで添加が可能であ
る。さらに添加元素と添加量によって不純物エネルギー
準位を変えることができるために、熱電変換素子の使用
温度帯域を変化させることも可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】熱電変換素子の熱起電
力は、原理的には熱電材料の一端を高温に熱し、他端を
低温にした時の温度差によって決まる。このような熱電
変換素子材料の研究は、主に半導体及び半導体特性を示
す金属間化合物を中心に行われてきた。その理由は、金
属や半金属に比べて熱伝導率が低く加えられることと、
各種添加物を添加することによりドナーレベルあるいは
アクセプターレベルで比較的高いエネルギー状態密度が
得られやすいので高いゼーベック効果が得られる利点が
あるためである。
力は、原理的には熱電材料の一端を高温に熱し、他端を
低温にした時の温度差によって決まる。このような熱電
変換素子材料の研究は、主に半導体及び半導体特性を示
す金属間化合物を中心に行われてきた。その理由は、金
属や半金属に比べて熱伝導率が低く加えられることと、
各種添加物を添加することによりドナーレベルあるいは
アクセプターレベルで比較的高いエネルギー状態密度が
得られやすいので高いゼーベック効果が得られる利点が
あるためである。
【０００８】しかしながら前述したように、半導体のゼ
ーベック係数は一般に結晶方位によって大きく変化し、
特に結合力の弱い方位ではゼーベック係数は大きくな
り、また逆に強い結合力を示す結晶方位ではゼーベック
係数は小さくなる傾向を示す。これは結合力の弱い方位
では不純物エネルギー準位でのエネルギー状態密度が高
いことによる。
ーベック係数は一般に結晶方位によって大きく変化し、
特に結合力の弱い方位ではゼーベック係数は大きくな
り、また逆に強い結合力を示す結晶方位ではゼーベック
係数は小さくなる傾向を示す。これは結合力の弱い方位
では不純物エネルギー準位でのエネルギー状態密度が高
いことによる。
【０００９】言い換えれば、結晶のヘキカイ面（最密原
子面）に垂直方向（結合力の弱い方向）でゼーベック係
数が大きくなるということである。これはＳｉ単結晶で
は＜１１１＞方向の結晶方位でゼーベック係数が高くな
るということである。しかしながら半導体的特性を示す
金属間化合物の従来研究は殆ど多結晶体であるために、
ゼーベック係数の高い結晶方位の選択は困難であった。
子面）に垂直方向（結合力の弱い方向）でゼーベック係
数が大きくなるということである。これはＳｉ単結晶で
は＜１１１＞方向の結晶方位でゼーベック係数が高くな
るということである。しかしながら半導体的特性を示す
金属間化合物の従来研究は殆ど多結晶体であるために、
ゼーベック係数の高い結晶方位の選択は困難であった。
【００１０】この発明は、従来の多結晶半導体とは異な
って、単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体とをＰＮ接合した
熱電変換素子において、特に高い熱起電力を発生させる
ことが可能な構成からなる熱電変換素子の提供を目的と
している。
って、単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体とをＰＮ接合した
熱電変換素子において、特に高い熱起電力を発生させる
ことが可能な構成からなる熱電変換素子の提供を目的と
している。
【００１１】
【課題を解決するための手段】発明者らは、ダイヤモン
ド型結晶構造を有するＰ型半導体とＮ型半導体のＰＮ接
合による熱起電力特性をできるかぎり向上させるため
に、ダイヤモンド型結晶構造を有するＳｉ、Ｇｅあるい
はその合金系を中心に、その単結晶Ｐ型半導体とＮ型半
導体の結晶方位別に熱起電力特性を種々検討した結果、
単結晶の方位によって熱起電力特性が大きく変化するこ
と、またその時、単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体をＰＮ
接合する金属種によっても熱起電力特性が大きく変化す
ることを知見した。
ド型結晶構造を有するＰ型半導体とＮ型半導体のＰＮ接
合による熱起電力特性をできるかぎり向上させるため
に、ダイヤモンド型結晶構造を有するＳｉ、Ｇｅあるい
はその合金系を中心に、その単結晶Ｐ型半導体とＮ型半
導体の結晶方位別に熱起電力特性を種々検討した結果、
単結晶の方位によって熱起電力特性が大きく変化するこ
と、またその時、単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体をＰＮ
接合する金属種によっても熱起電力特性が大きく変化す
ることを知見した。
【００１２】すなわち、発明者らは、ダイヤモンド型結
晶構造を有するＳｉ、Ｇｅの炭素族の外穀電子はＳ電子
２個とＰ電子２個からなり、ダイヤモンド型結晶構造の
四面体配位ではその結合はＳＰ3混成軌道のσ結合を形
成し、その波動関数は結晶の＜１１１＞方向に大きく伸
びており、大きな異方性を有するので、結晶の＜１１１
＞方向での結合に関与する電子のエネルギー状態密度は
非常に高くなっていることから、＜１１１＞方向での熱
起電力特性は非常に高くなることを知見した。さらに発
明者らは、単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体のＰＮ接合に
使用する金属を種々検討した結果、金や銀の貴金属が高
い熱起電力特性を示すことを知見し、この発明を完成し
た。
晶構造を有するＳｉ、Ｇｅの炭素族の外穀電子はＳ電子
２個とＰ電子２個からなり、ダイヤモンド型結晶構造の
四面体配位ではその結合はＳＰ3混成軌道のσ結合を形
成し、その波動関数は結晶の＜１１１＞方向に大きく伸
びており、大きな異方性を有するので、結晶の＜１１１
＞方向での結合に関与する電子のエネルギー状態密度は
非常に高くなっていることから、＜１１１＞方向での熱
起電力特性は非常に高くなることを知見した。さらに発
明者らは、単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導体のＰＮ接合に
使用する金属を種々検討した結果、金や銀の貴金属が高
い熱起電力特性を示すことを知見し、この発明を完成し
た。
【００１３】この発明は、ダイヤモンド型結晶構造を有
するＳｉ、Ｇｅの炭素族のＰ型半導体とＮ型半導体をＰ
Ｎ接合した熱電変換素子において、各半導体の＜１１１
＞方向に温度勾配がかかるように組み上げ、さらに該一
対の半導体間を貴金属（Ａｕ，Ａｇ）のいずれか１種の
金属で接合させた熱電変換素子である。
するＳｉ、Ｇｅの炭素族のＰ型半導体とＮ型半導体をＰ
Ｎ接合した熱電変換素子において、各半導体の＜１１１
＞方向に温度勾配がかかるように組み上げ、さらに該一
対の半導体間を貴金属（Ａｕ，Ａｇ）のいずれか１種の
金属で接合させた熱電変換素子である。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１、図２はこの発明の熱電変換
素子の一実施例を示す斜視説明図である。まず、Ｓｉあ
るいはＧｅを主体とするＰ型半導体１、Ｎ型半導体３を
略Ｌ字型に加工して形成したＰＮ接合部を構成するため
の突起部端面２に、貴金属（Ａｕ，Ａｇ）のいずれか１
種の金属膜を形成する。金属膜の形成方法は当該端面に
蒸着やスパッタリング法で形成する他、後述の素子の圧
着組立時にＰ型半導体１とＮ型半導体３の突起部端面
２、４間に金属箔を介在させることもできる。この金属
膜あるいは金属箔の厚みは、１〜２０μｍが好ましい。
素子の一実施例を示す斜視説明図である。まず、Ｓｉあ
るいはＧｅを主体とするＰ型半導体１、Ｎ型半導体３を
略Ｌ字型に加工して形成したＰＮ接合部を構成するため
の突起部端面２に、貴金属（Ａｕ，Ａｇ）のいずれか１
種の金属膜を形成する。金属膜の形成方法は当該端面に
蒸着やスパッタリング法で形成する他、後述の素子の圧
着組立時にＰ型半導体１とＮ型半導体３の突起部端面
２、４間に金属箔を介在させることもできる。この金属
膜あるいは金属箔の厚みは、１〜２０μｍが好ましい。
【００１５】この発明の熱電変換素子に用いる材料は、
Ｓｉ、ＳｉＧｅ合金、ＦｅＳｉ2、Ｇｄ2Ｓｅ3等の単結
晶体やＦｅ，Ｃｏ，Ｍｎ等の遷移金属が主体として用い
られる。熱電変換効率を上げるために、半金属（Ａｓ，
Ｓｂ，Ｂｉ，Ｃ）やカルコゲン元素（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）
をドーブすることが望ましい。また、ＳｉやＧｅの単結
晶をＰ型半導体あるいはＮ型半導体にするために遷移金
属元素、アルカリ元素、第３族あるいは第４族元素等の
添加元素を添加して単結晶を育成してもよい。
Ｓｉ、ＳｉＧｅ合金、ＦｅＳｉ2、Ｇｄ2Ｓｅ3等の単結
晶体やＦｅ，Ｃｏ，Ｍｎ等の遷移金属が主体として用い
られる。熱電変換効率を上げるために、半金属（Ａｓ，
Ｓｂ，Ｂｉ，Ｃ）やカルコゲン元素（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）
をドーブすることが望ましい。また、ＳｉやＧｅの単結
晶をＰ型半導体あるいはＮ型半導体にするために遷移金
属元素、アルカリ元素、第３族あるいは第４族元素等の
添加元素を添加して単結晶を育成してもよい。
【００１６】ＰＮ接合部を構成するための金属膜とし
て、貴金属（Ａｕ，Ａｇ）を選定する理由としては、貴
金属は伝導電子としてそれぞれ５Ｓ、６Ｓ状態のＳ電子
のみを有するために高い電気伝導度を示し、半導体との
接合性に優れ、かつ酸化されにくいために接合部材とし
て使用すると、従来の銀ろうや遷移金属をベースにした
金属の接合に比べて高い熱電力が発生すること、また、
貴金属は化学的に安定であり大気中での加熱でも酸化さ
れにくいことから、貴金属と半導体との間の界面構造も
安定化して熱起電力と電流値が安定するためである。
て、貴金属（Ａｕ，Ａｇ）を選定する理由としては、貴
金属は伝導電子としてそれぞれ５Ｓ、６Ｓ状態のＳ電子
のみを有するために高い電気伝導度を示し、半導体との
接合性に優れ、かつ酸化されにくいために接合部材とし
て使用すると、従来の銀ろうや遷移金属をベースにした
金属の接合に比べて高い熱電力が発生すること、また、
貴金属は化学的に安定であり大気中での加熱でも酸化さ
れにくいことから、貴金属と半導体との間の界面構造も
安定化して熱起電力と電流値が安定するためである。
【００１７】ＰＮ接合する方法としては、Ｐ型半導体１
とＮ型半導体３の突起部端面２、４間に貴金属の金属膜
５または金属箔を介在させて、真空中もしくは不活性ガ
ス雰囲気中で、両半導体１，３をセラミックス製の挟持
治具で挟持し、圧力１００〜４００ｋｇ／ｃｍ2、温度
８００〜１２００℃、５〜２０分間の条件で圧着する方
法が採用できる。
とＮ型半導体３の突起部端面２、４間に貴金属の金属膜
５または金属箔を介在させて、真空中もしくは不活性ガ
ス雰囲気中で、両半導体１，３をセラミックス製の挟持
治具で挟持し、圧力１００〜４００ｋｇ／ｃｍ2、温度
８００〜１２００℃、５〜２０分間の条件で圧着する方
法が採用できる。
【００１８】かかる圧着組立後に、この接合部を高温部
にするとともに、Ｐ型半導体、Ｎ型半導体１、３の他端
部を低温側端子として構成したＵ字型の熱電変換素子を
得ることができる。なお、Ｐ型半導体１とＮ型半導体３
の上端部には電気的接続を形成するリード６、７を設け
てある。また、ここで温度勾配の方向とは、Ｐ型半導体
１とＮ型半導体３の長手方向のことである。
にするとともに、Ｐ型半導体、Ｎ型半導体１、３の他端
部を低温側端子として構成したＵ字型の熱電変換素子を
得ることができる。なお、Ｐ型半導体１とＮ型半導体３
の上端部には電気的接続を形成するリード６、７を設け
てある。また、ここで温度勾配の方向とは、Ｐ型半導体
１とＮ型半導体３の長手方向のことである。
【００１９】
実施例１ 図２に示す熱電変換素子を作製するため、珪素（Ｓｉ）
にＡｌを０．００３ｗｔ％ドープしたＰ型半導体の単結
晶と珪素（Ｓｉ）にＰを０．００３ｗｔ％ドープしたＮ
型半導体の単結晶を購入し、温度勾配が＜１１１＞にか
かるように切断加工した。この時のＰＮ接合を形成する
突起部端面の結晶方位は表１に示すとおりである。
にＡｌを０．００３ｗｔ％ドープしたＰ型半導体の単結
晶と珪素（Ｓｉ）にＰを０．００３ｗｔ％ドープしたＮ
型半導体の単結晶を購入し、温度勾配が＜１１１＞にか
かるように切断加工した。この時のＰＮ接合を形成する
突起部端面の結晶方位は表１に示すとおりである。
【００２０】これら単結晶の突起部端面に真空蒸着でＡ
ｕ金属膜、Ａｇ金属膜を各１０μｍの厚みに成膜し、挟
持部材を用いて前記両半導体を挟持治具で挟持し、表１
に示す圧着条件にて接合した。得られた熱電変換素子の
高温部と低温部の温度差４００℃での熱電素子の熱起電
力を測定した。その結果を表１に示す。
ｕ金属膜、Ａｇ金属膜を各１０μｍの厚みに成膜し、挟
持部材を用いて前記両半導体を挟持治具で挟持し、表１
に示す圧着条件にて接合した。得られた熱電変換素子の
高温部と低温部の温度差４００℃での熱電素子の熱起電
力を測定した。その結果を表１に示す。
【００２１】なお、熱電変換素子の低温側端子は、測定
用リード線とハンダ接合した。また熱電変換素子の熱起
電力の特性は、熱電素子のＰＮ接合部をヒーターで加熱
し、Ｕ字状の素子の両端部を水で冷却して、高温部と低
温部の温度差ΔＴによって生成される熱起電力をデジタ
ルマルチメーターで測定した。
用リード線とハンダ接合した。また熱電変換素子の熱起
電力の特性は、熱電素子のＰＮ接合部をヒーターで加熱
し、Ｕ字状の素子の両端部を水で冷却して、高温部と低
温部の温度差ΔＴによって生成される熱起電力をデジタ
ルマルチメーターで測定した。
【００２２】実施例２ 図２に示す熱電変換素子を作製するため、ゲルマニウム
（Ｇｅ）にＧａを０．００３ｗｔ％ドープしたＰ型半導
体の単結晶とゲルマニウム（Ｇｅ）にＡｓを０．００３
ｗｔ％ドープしたＮ型半導体の単結晶を購入し、温度勾
配が＜１１１＞にかかるように切断加工した。この時の
ＰＮ接合を形成する突起部端面の結晶方位は表１に示す
通りである。前記両半導体のＰＮ接合方法及び条件を表
１に示す。特に接合温度はＧｅの溶点９５９℃より低い
８５０℃に設定した。熱電素子の熱起電力の測定方法は
実施例１と同一条件であり、その測定結果を表１に示
す。
（Ｇｅ）にＧａを０．００３ｗｔ％ドープしたＰ型半導
体の単結晶とゲルマニウム（Ｇｅ）にＡｓを０．００３
ｗｔ％ドープしたＮ型半導体の単結晶を購入し、温度勾
配が＜１１１＞にかかるように切断加工した。この時の
ＰＮ接合を形成する突起部端面の結晶方位は表１に示す
通りである。前記両半導体のＰＮ接合方法及び条件を表
１に示す。特に接合温度はＧｅの溶点９５９℃より低い
８５０℃に設定した。熱電素子の熱起電力の測定方法は
実施例１と同一条件であり、その測定結果を表１に示
す。
【００２３】実施例３ 図２に示す熱電変換素子を作製するため、Ｓｉ−ｌ０Ｇ
ｅの合金にＡｌを０．００３ｗｔ％ドープしたＰ型半導
体の単結晶と該合金にＰを０．００３ｗｔ％ドープした
Ｎ型半導体の単結晶を購入し、温度勾配が＜１１１＞に
かかるように切断加工した。切断加工後の両半導体のＰ
Ｎ接合方法及び条件は表１に示す。熱電素子の熱起電力
の測定方法は実施例１と同一条件であり、その測定結果
を表１に示す。
ｅの合金にＡｌを０．００３ｗｔ％ドープしたＰ型半導
体の単結晶と該合金にＰを０．００３ｗｔ％ドープした
Ｎ型半導体の単結晶を購入し、温度勾配が＜１１１＞に
かかるように切断加工した。切断加工後の両半導体のＰ
Ｎ接合方法及び条件は表１に示す。熱電素子の熱起電力
の測定方法は実施例１と同一条件であり、その測定結果
を表１に示す。
【００２４】比較例１〜３ 実施例１〜３と同一方法で熱電変換素子を作製する際、
従来の金属膜を真空蒸着で成膜して種々の比較例の熱電
変換素子を作製し、実施例と同様に測定した熱起電力を
表２に示す。また実施例１〜３の単結晶を真空アーク溶
解して多結晶体にした試料を切断加工し、実施例と同一
条件でＰＮ接合して熱電変換素子を作製し、実施例と同
様に測定した熱起電力を表２に示す。なお、表２の中で
適合、不適合の判定は温度差ΔＴ＝４００℃での熱起電
力値が６００ｍＶ以上かあるいは６００ｍＶ未満かで評
価した。
従来の金属膜を真空蒸着で成膜して種々の比較例の熱電
変換素子を作製し、実施例と同様に測定した熱起電力を
表２に示す。また実施例１〜３の単結晶を真空アーク溶
解して多結晶体にした試料を切断加工し、実施例と同一
条件でＰＮ接合して熱電変換素子を作製し、実施例と同
様に測定した熱起電力を表２に示す。なお、表２の中で
適合、不適合の判定は温度差ΔＴ＝４００℃での熱起電
力値が６００ｍＶ以上かあるいは６００ｍＶ未満かで評
価した。
【００２５】さらに、さらに、実施例１〜３と同様の熱
電変換素子をＰＮ接合する際、従来から使用されている
材料を用いて実施例と同様に接合し、測定した熱起電力
を表３に示す。なお、表１〜表３の中の適合、不適合の
判定は温度差ΔＴ＝４００℃での熱起電力値が６００ｍ
Ｖ以上かあるいは６００ｍＶ未満かで評価した。
電変換素子をＰＮ接合する際、従来から使用されている
材料を用いて実施例と同様に接合し、測定した熱起電力
を表３に示す。なお、表１〜表３の中の適合、不適合の
判定は温度差ΔＴ＝４００℃での熱起電力値が６００ｍ
Ｖ以上かあるいは６００ｍＶ未満かで評価した。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】表１、表２から明らかなように、従来のＳ
ｉ、Ｇｅあるいはその合金の多結晶体の熱電変換素子の
代わりに、各種添加元素を添加した単結晶Ｐ型半導体と
Ｎ型半導体の＜１１１＞方向の結晶方位に温度勾配を与
えるような構造にして、且つＰＮ接合金属として貴金属
（Ａｕ，Ａｇ）を使用することにより、発電能力（変換
効率）の高い熱電変換素子が得られることがわかった。
また、ＰＮ接合する単結晶の方位は、温度勾配の方向で
ある＜１１１＞方向に幾何学的に垂直な方向になるが、
特に方位によって大きな変化がないことがわかった。
ｉ、Ｇｅあるいはその合金の多結晶体の熱電変換素子の
代わりに、各種添加元素を添加した単結晶Ｐ型半導体と
Ｎ型半導体の＜１１１＞方向の結晶方位に温度勾配を与
えるような構造にして、且つＰＮ接合金属として貴金属
（Ａｕ，Ａｇ）を使用することにより、発電能力（変換
効率）の高い熱電変換素子が得られることがわかった。
また、ＰＮ接合する単結晶の方位は、温度勾配の方向で
ある＜１１１＞方向に幾何学的に垂直な方向になるが、
特に方位によって大きな変化がないことがわかった。
【００３０】
【発明の効果】この発明による熱電変換素子は、ダイヤ
モンド型結晶構造を有する単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導
体の各々の結晶の＜１１１＞方向の結晶方位に温度勾配
を与えるように、その一端側でＰＮ接合し、該ＰＮ接合
部を化学的に安定であり大気中での加熱でも酸化され難
い貴金属（Ａｕ，Ａｇ）からなる金属膜を介在させるこ
とにより、熱起電力特性を向上させることが可能であ
る。
モンド型結晶構造を有する単結晶Ｐ型半導体とＮ型半導
体の各々の結晶の＜１１１＞方向の結晶方位に温度勾配
を与えるように、その一端側でＰＮ接合し、該ＰＮ接合
部を化学的に安定であり大気中での加熱でも酸化され難
い貴金属（Ａｕ，Ａｇ）からなる金属膜を介在させるこ
とにより、熱起電力特性を向上させることが可能であ
る。
【図１】この発明による熱電変換素子の半導体を示す傾
視説明図である。
視説明図である。
【図２】この発明による熱電変換素子を示す傾視説明図
である。
である。
１ Ｐ型半導体 ２，４ 突起部端面 ３ Ｎ型半導体 ５ 金属膜 ６，７ リード
Claims (2)
- 【請求項１】 ダイヤモンド型結晶構造を有する単結晶
Ｐ型半導体とＮ型半導体の各々の結晶の＜１１１＞方向
の結晶方位に温度勾配を与えるように、その一端側でＰ
Ｎ接合して該接合部を高温側として熱起電力を発生させ
る熱電変換素子。 - 【請求項２】 請求項１において、熱電変換素子の一対
の半導体間のＰＮ接合を貴金属（Ａｇ，Ａｕ）のいずれ
か１種の金属で接合させたことを特徴とする熱電変換素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8313148A JPH10144969A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 熱電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8313148A JPH10144969A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 熱電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144969A true JPH10144969A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=18037691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8313148A Pending JPH10144969A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 熱電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144969A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002021608A1 (fr) * | 2000-09-04 | 2002-03-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Thermocouple |
| AT410492B (de) * | 2000-05-02 | 2003-05-26 | Span Gerhard Dipl Ing Dr | Thermoelektrisches element mit mindestens einer n-schicht und mindestens einer p-schicht |
-
1996
- 1996-11-08 JP JP8313148A patent/JPH10144969A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT410492B (de) * | 2000-05-02 | 2003-05-26 | Span Gerhard Dipl Ing Dr | Thermoelektrisches element mit mindestens einer n-schicht und mindestens einer p-schicht |
| US6762484B2 (en) | 2000-05-02 | 2004-07-13 | Gerhard Span | Thermoelectric element |
| WO2002021608A1 (fr) * | 2000-09-04 | 2002-03-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Thermocouple |
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