JPH10145007A - 高速光変調モジュール - Google Patents
高速光変調モジュールInfo
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- JPH10145007A JPH10145007A JP9247309A JP24730997A JPH10145007A JP H10145007 A JPH10145007 A JP H10145007A JP 9247309 A JP9247309 A JP 9247309A JP 24730997 A JP24730997 A JP 24730997A JP H10145007 A JPH10145007 A JP H10145007A
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- JP
- Japan
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- modulation module
- matching
- bonding wire
- electrically connecting
- lead
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２.５ＧＨｚで伝送信頼性を確保し且つ整合
抵抗をダウンさせることのできる光変調モジュールを提
供すること。 【解決手段】 本発明の高速光変調モジュールは高周波
信号が供給される外部リード12と内部リード14を含むリ
ードフレームと、並列連結された整合抵抗42及び補償キ
ャパシタ44を含む整合インピーダンス素子付きのメタル
ベース60とレーザダイオード28付きのサブマウントが形
成された基板100と、前記リードフレームの内部リード1
4と整合インピーダンス素子の一端を電気的に連結する
第１多重ボンディングワイヤ46と、前記整合インピーダ
ンス素子の他側と前記メタルベース60の一端を電気的に
連結する第2多重ボンディングワイヤ48と、前記メタル
ベース60の他端と前記レーザダイオード28を電気的に連
結する二重ボンディングワイヤ50とをセラミックでパッ
ケージングしてなることを特徴とする。
抵抗をダウンさせることのできる光変調モジュールを提
供すること。 【解決手段】 本発明の高速光変調モジュールは高周波
信号が供給される外部リード12と内部リード14を含むリ
ードフレームと、並列連結された整合抵抗42及び補償キ
ャパシタ44を含む整合インピーダンス素子付きのメタル
ベース60とレーザダイオード28付きのサブマウントが形
成された基板100と、前記リードフレームの内部リード1
4と整合インピーダンス素子の一端を電気的に連結する
第１多重ボンディングワイヤ46と、前記整合インピーダ
ンス素子の他側と前記メタルベース60の一端を電気的に
連結する第2多重ボンディングワイヤ48と、前記メタル
ベース60の他端と前記レーザダイオード28を電気的に連
結する二重ボンディングワイヤ50とをセラミックでパッ
ケージングしてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信システムの光
変調モジュールに係り、特に光変調モジュールの整合抵
抗の値をダウンさせることのできる光変調モジュールに
関する。
変調モジュールに係り、特に光変調モジュールの整合抵
抗の値をダウンさせることのできる光変調モジュールに
関する。
【０００２】
【従来の技術】既存の２.５Ｇｂｐｓ用光変調モジュー
ルの場合、通常５０Ωの内部インピーダンスを有する駆
動回路及び伝送線を使用しており、一部は２５Ωの特性
インピーダンスを有するモジュールを使用している。５
０Ωの光変調モジュールの構成をそのまま保持しながら
整合抵抗の抵抗値を２５Ωにダウンさせる場合には生産
コストの側面において有利である。しかし、整合抵抗を
ダウンさせる場合、リードフレームとボンディングワイ
ヤによる誘導性寄生インピーダンスによって２.５Ｇｂ
ｐｓシステムで用いられる光変調モジュールの変調特性
が劣化して高い伝送誤率をもたらす虞があった。
ルの場合、通常５０Ωの内部インピーダンスを有する駆
動回路及び伝送線を使用しており、一部は２５Ωの特性
インピーダンスを有するモジュールを使用している。５
０Ωの光変調モジュールの構成をそのまま保持しながら
整合抵抗の抵抗値を２５Ωにダウンさせる場合には生産
コストの側面において有利である。しかし、整合抵抗を
ダウンさせる場合、リードフレームとボンディングワイ
ヤによる誘導性寄生インピーダンスによって２.５Ｇｂ
ｐｓシステムで用いられる光変調モジュールの変調特性
が劣化して高い伝送誤率をもたらす虞があった。
【０００３】次に、図４及び図５を参照してより具体的
に説明する。図４は従来の５０Ωの内部インピーダンス
を有する光変調モジュールの平面構造を示す。同図にお
いて、光変調モジュールはリードフレーム１０とパッド
２０をセラミック３０で密封してパッケージングされ
る。リードフレーム１０はセラミックパッケージの外部
に露出される外部リード１２と、セラミックパッケージ
で密封される内部リード１４とを含む。パッド２０上に
は２つのチップ抵抗２２，２４、直流バイアス用導体板
２６、及びレーザダイオード２８付きの基板が付着して
いる。レーザダイオード２８はサブマウント２７に形成
される。外部リード１２のＰＩＮ＃１２に同軸ケーブル
を通じて高周波信号が供給される。内部リード１４は信
号リードＳと周囲グラウンドリードＧの組合わせによっ
て同一平面上導波管（ＣＰＷ：Coplanar Waveguide）構
造を成す。ＣＰＷは２.５ＧＨｚにおける波長に比べて
数十倍短い長さを有するために、その特性インピーダン
スが同軸ケーブルのインピーダンスに比べてあまり違わ
ない。よって、反射波による変調効率変化を示さない。
また、ＣＰＷの２つのグラウンドリードＧはパッケージ
の内壁に直接接触しているので、共通グラウンドインダ
クタンスを減らす。２つのチップ抵抗２２，２４の一側
端子は信号リードＳに多重ワイヤボンディングによって
連結され、他側端子は直流バイアス用導体板２６に多重
ワイヤボンディングによって連結されて相互並列連結さ
れる。従って、各チップ抵抗の抵抗値が１００Ωの場
合、その並列合成抵抗値は５０Ωになる。多重ワイヤボ
ンディングはワイヤボンディングの寄生インダクタンス
を減少させる。直流バイアス用導体板２６の他端は半導
体ダイオード２８に二重ワイヤボンディングで連結され
る。
に説明する。図４は従来の５０Ωの内部インピーダンス
を有する光変調モジュールの平面構造を示す。同図にお
いて、光変調モジュールはリードフレーム１０とパッド
２０をセラミック３０で密封してパッケージングされ
る。リードフレーム１０はセラミックパッケージの外部
に露出される外部リード１２と、セラミックパッケージ
で密封される内部リード１４とを含む。パッド２０上に
は２つのチップ抵抗２２，２４、直流バイアス用導体板
２６、及びレーザダイオード２８付きの基板が付着して
いる。レーザダイオード２８はサブマウント２７に形成
される。外部リード１２のＰＩＮ＃１２に同軸ケーブル
を通じて高周波信号が供給される。内部リード１４は信
号リードＳと周囲グラウンドリードＧの組合わせによっ
て同一平面上導波管（ＣＰＷ：Coplanar Waveguide）構
造を成す。ＣＰＷは２.５ＧＨｚにおける波長に比べて
数十倍短い長さを有するために、その特性インピーダン
スが同軸ケーブルのインピーダンスに比べてあまり違わ
ない。よって、反射波による変調効率変化を示さない。
また、ＣＰＷの２つのグラウンドリードＧはパッケージ
の内壁に直接接触しているので、共通グラウンドインダ
クタンスを減らす。２つのチップ抵抗２２，２４の一側
端子は信号リードＳに多重ワイヤボンディングによって
連結され、他側端子は直流バイアス用導体板２６に多重
ワイヤボンディングによって連結されて相互並列連結さ
れる。従って、各チップ抵抗の抵抗値が１００Ωの場
合、その並列合成抵抗値は５０Ωになる。多重ワイヤボ
ンディングはワイヤボンディングの寄生インダクタンス
を減少させる。直流バイアス用導体板２６の他端は半導
体ダイオード２８に二重ワイヤボンディングで連結され
る。
【０００４】前記のような構造で高周波変調特性に一番
重要なのはボンディングワイヤのインダクタンス、整合
抵抗、そして用いられるレーザダイオードの周波数特性
である。特に直列インダクタンスは高い周波数における
電流流れを妨げて最大帯域幅を大きく制限する。図５は
図４の光変調モジュールの整合インピーダンスによる周
波数特性曲線を示す。図５を参照すると、真性半導体レ
ーザダイオードの周波数特性は、正規化応答利得が−３
ｄＢとなる限界周波数が１０ＧＨｚ以上であるが、５０
Ωの整合抵抗を連結した場合には−３ｄＢの正規化応答
利得をもつ限界周波数の帯域幅が１０ＧＨｚに減少し、
２５Ωの整合抵抗を連結した場合には−３ｄＢの正規化
応答利得をもつ限界周波数の帯域幅が３ＧＨｚに大幅減
少することが分かる。従って、整合抵抗の抵抗値を単に
５０Ωから２５Ωに減少させる場合には外部帯域幅、利
得の減少、及び雑音の影響などによって２.５ＧＨｚに
おける信頼性のある動作を期待し難くなる。
重要なのはボンディングワイヤのインダクタンス、整合
抵抗、そして用いられるレーザダイオードの周波数特性
である。特に直列インダクタンスは高い周波数における
電流流れを妨げて最大帯域幅を大きく制限する。図５は
図４の光変調モジュールの整合インピーダンスによる周
波数特性曲線を示す。図５を参照すると、真性半導体レ
ーザダイオードの周波数特性は、正規化応答利得が−３
ｄＢとなる限界周波数が１０ＧＨｚ以上であるが、５０
Ωの整合抵抗を連結した場合には−３ｄＢの正規化応答
利得をもつ限界周波数の帯域幅が１０ＧＨｚに減少し、
２５Ωの整合抵抗を連結した場合には−３ｄＢの正規化
応答利得をもつ限界周波数の帯域幅が３ＧＨｚに大幅減
少することが分かる。従って、整合抵抗の抵抗値を単に
５０Ωから２５Ωに減少させる場合には外部帯域幅、利
得の減少、及び雑音の影響などによって２.５ＧＨｚに
おける信頼性のある動作を期待し難くなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来の
問題点を解決するためのもので、その目的は２.５ＧＨ
ｚで伝送信頼性を確保し且つ整合抵抗をダウンさせるこ
とのできる光変調モジュールを提供することにある。
問題点を解決するためのもので、その目的は２.５ＧＨ
ｚで伝送信頼性を確保し且つ整合抵抗をダウンさせるこ
とのできる光変調モジュールを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の高速光変調モジュールは高周波信号が供給
される外部リードと内部リードを含むリードフレーム
と、並列連結された整合抵抗及び補償キャパシタを含む
整合インピーダンス素子付きのメタルベースとレーザダ
イオード付きのサブマウントが形成された基板と、前記
リードフレームの内部リードと整合インピーダンス素子
の一端を電気的に連結する第１多重ボンディングワイヤ
と、前記整合インピーダンス素子の他側と前記メタルベ
ースの一端を電気的に連結する第２多重ボンディングワ
イヤと、前記メタルベースの他端と前記レーザダイオー
ドを電気的に連結する二重ボンディングワイヤとをセラ
ミックでパッケージングしてなることを特徴とする。
に、本発明の高速光変調モジュールは高周波信号が供給
される外部リードと内部リードを含むリードフレーム
と、並列連結された整合抵抗及び補償キャパシタを含む
整合インピーダンス素子付きのメタルベースとレーザダ
イオード付きのサブマウントが形成された基板と、前記
リードフレームの内部リードと整合インピーダンス素子
の一端を電気的に連結する第１多重ボンディングワイヤ
と、前記整合インピーダンス素子の他側と前記メタルベ
ースの一端を電気的に連結する第２多重ボンディングワ
イヤと、前記メタルベースの他端と前記レーザダイオー
ドを電気的に連結する二重ボンディングワイヤとをセラ
ミックでパッケージングしてなることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
をより詳細に説明する。図１は本発明による高速光変調
モジュールの側面構造を示し、図２は図１のＡ部分の拡
大平面構造を示す。図１において、本発明の光変調モジ
ュールは高周波信号が供給される外部リード１２と内部
リード１４を含むリードフレーム１０を有する。また、
光変調モジュールは基板１００上に並列連結された整合
抵抗４２と補償キャパシタ４４を含む整合インピーダン
ス素子４０付きのメタルベース６０と、レーザダイオー
ド２８付きのサブマウント２７が形成される。
をより詳細に説明する。図１は本発明による高速光変調
モジュールの側面構造を示し、図２は図１のＡ部分の拡
大平面構造を示す。図１において、本発明の光変調モジ
ュールは高周波信号が供給される外部リード１２と内部
リード１４を含むリードフレーム１０を有する。また、
光変調モジュールは基板１００上に並列連結された整合
抵抗４２と補償キャパシタ４４を含む整合インピーダン
ス素子４０付きのメタルベース６０と、レーザダイオー
ド２８付きのサブマウント２７が形成される。
【０００８】前記整合抵抗４２と補償キャパシタ４４
は、好ましくはチップ抵抗及びチップキャパシタ形態で
あり、整合抵抗４２は５６０μｍ×５６０μｍの面積を
有し、かつ２０Ωの抵抗値を有する。補償キャパシタ４
４は整合抵抗と同一の面積に２.５ｐＦの容量を有す
る。従って、既存の１００Ωの２つのチップ抵抗を並列
に連結した５０Ωインピーダンスを有する光変調モジュ
ールに比べて面積を１／４に減らすことができるため、
生産コストをダウンさせることができる。メタルベース
６０は３，０００μｍ×２，０００μｍサイズを有し、
金メッキされる。
は、好ましくはチップ抵抗及びチップキャパシタ形態で
あり、整合抵抗４２は５６０μｍ×５６０μｍの面積を
有し、かつ２０Ωの抵抗値を有する。補償キャパシタ４
４は整合抵抗と同一の面積に２.５ｐＦの容量を有す
る。従って、既存の１００Ωの２つのチップ抵抗を並列
に連結した５０Ωインピーダンスを有する光変調モジュ
ールに比べて面積を１／４に減らすことができるため、
生産コストをダウンさせることができる。メタルベース
６０は３，０００μｍ×２，０００μｍサイズを有し、
金メッキされる。
【０００９】また、光変調モジュールは、前記リードフ
レーム１０の内部リード１４と整合インピーダンス素子
４０の一端を電気的に連結するための１.２ｍｍの第１
多重ボンディングワイヤ４６と、前記整合インピーダン
ス素子４０の他側と前記メタルベース６０の一端を電気
的に連結するための０.５ｍｍの第２多重ボンディング
ワイヤ４８と、前記メタルベース６０の他端と前記レー
ザダイオード２８を電気的に連結するための１ｍｍの二
重ボンディングワイヤ５０を含む。また、光変調モジュ
ールは外部リード１２を除いて残りの構成要素をセラミ
ック３０でパッケージングして密封することによって構
成される。
レーム１０の内部リード１４と整合インピーダンス素子
４０の一端を電気的に連結するための１.２ｍｍの第１
多重ボンディングワイヤ４６と、前記整合インピーダン
ス素子４０の他側と前記メタルベース６０の一端を電気
的に連結するための０.５ｍｍの第２多重ボンディング
ワイヤ４８と、前記メタルベース６０の他端と前記レー
ザダイオード２８を電気的に連結するための１ｍｍの二
重ボンディングワイヤ５０を含む。また、光変調モジュ
ールは外部リード１２を除いて残りの構成要素をセラミ
ック３０でパッケージングして密封することによって構
成される。
【００１０】次に、このように構成された本発明の作用
について説明する図３は図１の高速光変調モジュールの
整合インピーダンスによる周波数特性を示す。同図にお
いて、補償キャパシタの容量が２ｐＦから１０ｐＦに大
きくなるにつれて周波数応答の共振周波数が低い周波数
に段々移動しながら応答サイズが段々増加することが分
かる。また、補償キャパシタの容量が２.５ｐＦである
時、補償キャパシタの無い場合の−３ｄＢの限界周波数
が２.９ＧＨｚから４.３ＧＨｚに増加して１.４ＧＨｚ
（４７％）の帯域幅拡張効果を奏することが分かる。従
って、一番大きい帯域幅を有し且つ全体的に平坦な応答
サイズを有する容量は２.５ｐＦであることが分かる。
について説明する図３は図１の高速光変調モジュールの
整合インピーダンスによる周波数特性を示す。同図にお
いて、補償キャパシタの容量が２ｐＦから１０ｐＦに大
きくなるにつれて周波数応答の共振周波数が低い周波数
に段々移動しながら応答サイズが段々増加することが分
かる。また、補償キャパシタの容量が２.５ｐＦである
時、補償キャパシタの無い場合の−３ｄＢの限界周波数
が２.９ＧＨｚから４.３ＧＨｚに増加して１.４ＧＨｚ
（４７％）の帯域幅拡張効果を奏することが分かる。従
って、一番大きい帯域幅を有し且つ全体的に平坦な応答
サイズを有する容量は２.５ｐＦであることが分かる。
【００１１】
【発明の効果】上述したように、本発明は整合抵抗の抵
抗値を下げ、抵抗値のダウンによる帯域幅損失を補償す
るために補償キャパシタを整合抵抗に並列に連結するこ
とにより、生産コストをダウンさせながらも２.５ＧＨ
ｚで周波数特性の信頼性を確保することのできる利点が
ある。
抗値を下げ、抵抗値のダウンによる帯域幅損失を補償す
るために補償キャパシタを整合抵抗に並列に連結するこ
とにより、生産コストをダウンさせながらも２.５ＧＨ
ｚで周波数特性の信頼性を確保することのできる利点が
ある。
【図１】 本発明による広帯域高速光変調モジュールの
側面構造を説明するための図。
側面構造を説明するための図。
【図２】 図１のＡ部分の拡大平面構造を示す図。
【図３】 図１の高速光変調モジュールの整合インピー
ダンスによる周波数特性を示すグラフ。
ダンスによる周波数特性を示すグラフ。
【図４】 従来の５０Ωの内部インピーダンスを有する
光変調モジュールの平面構造を説明するための図。
光変調モジュールの平面構造を説明するための図。
【図５】 図４の光変調モジュールの整合インピーダン
スによる周波数特性曲線を示すグラフ。
スによる周波数特性曲線を示すグラフ。
１０ リードフレーム １２ 外部リード １４ 内部リード ２７ サブマウント ２８ レーザダイオード ４０ 整合インピーダンス素子 ４２ 整合抵抗 ４４ 補償キャパシタ ４６ 第１多重ボンディングワイヤ ４８ 第２多重ボンディングワイヤ ６０ メタルベース １００ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/04 10/06 (72)発明者 朴 起秀 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘４洞（番 地なし）成 一アパート206棟103号
Claims (6)
- 【請求項１】 高周波信号が供給される外部リードと内
部リードを含むリードフレームと、 並列連結された整合抵抗及び補償キャパシタを含む整合
インピーダンス素子付きのメタルベースとレーザダイオ
ード付きのサブマウントが形成された基板と、 前記リードフレームの内部リードと整合インピーダンス
素子の一端を電気的に連結する第１多重ボンディングワ
イヤと、 前記整合インピーダンス素子の他側と前記メタルベース
の一端を電気的に連結する第２多重ボンディングワイヤ
と、 前記メタルベースの他端と前記レーザダイオードを電気
的に連結する二重ボンディングワイヤとをセラミックで
パッケージングしてなることを特徴とする高速光変調モ
ジュール。 - 【請求項２】 前記整合抵抗と補償キャパシタの面積は
同一であることを特徴とする請求項１記載の高速光変調
モジュール。 - 【請求項３】 前記面積は５６０μｍ×５６０μｍであ
ることを特徴とする請求項２記載の高速光変調モジュー
ル。 - 【請求項４】 前記整合抵抗は２５Ωであることを特徴
とする請求項１記載の高速光変調モジュール。 - 【請求項５】 前記補償キャパシタは２.５ｐＦである
ことを特徴とする請求項１記載の高速光変調モジュー
ル。 - 【請求項６】 前記メタルベースは金メッキされたこと
を特徴とする請求項１記載の高速光変調モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR199639990 | 1996-09-14 | ||
| KR1019960039990A KR0181896B1 (ko) | 1996-09-14 | 1996-09-14 | 고속 광 모듈의 광대역화 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10145007A true JPH10145007A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=19473818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9247309A Pending JPH10145007A (ja) | 1996-09-14 | 1997-09-11 | 高速光変調モジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5926308A (ja) |
| JP (1) | JPH10145007A (ja) |
| KR (1) | KR0181896B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007208671A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波モジュール用パッケージ |
| JP2012174919A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送信モジュール |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100322138B1 (ko) * | 2000-03-10 | 2004-09-07 | 삼성전자 주식회사 | 광통신 모듈 |
| JP4290314B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2009-07-01 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 高周波回路及びそれを実装したモジュール、通信機 |
| CA2412319C (en) * | 2000-06-14 | 2006-11-28 | Panoram Technologies, Inc. | Method and apparatus for seamless integration of images using a transmissive/reflective mirror |
| US6421161B1 (en) | 2001-01-18 | 2002-07-16 | The Boeing Company | Fiber modulator and associated method |
| US6950565B2 (en) * | 2002-10-07 | 2005-09-27 | Agere Systems Inc | Submount for high speed electronic devices |
| JP4815814B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2011-11-16 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
| US8581113B2 (en) * | 2007-12-19 | 2013-11-12 | Bridgewave Communications, Inc. | Low cost high frequency device package and methods |
| JP4883145B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-02-22 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| CN118367436B (zh) * | 2024-06-19 | 2024-10-01 | 四川泰瑞创通讯技术股份有限公司 | 优化激光器打线阻抗匹配的光模块 |
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