JPH10145183A - Surface acoustic wave filter - Google Patents
Surface acoustic wave filterInfo
- Publication number
- JPH10145183A JPH10145183A JP8303197A JP30319796A JPH10145183A JP H10145183 A JPH10145183 A JP H10145183A JP 8303197 A JP8303197 A JP 8303197A JP 30319796 A JP30319796 A JP 30319796A JP H10145183 A JPH10145183 A JP H10145183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- wave filter
- resonator
- parallel arm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 13
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電基板上に複数
のSAW共振子を構成してなる弾性表面波フィルタに関
し、より詳細には、複数のSAW共振子がラダー型フィ
ルタ回路を構成するように配置された弾性表面波フィル
タに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave filter comprising a plurality of SAW resonators on a piezoelectric substrate, and more particularly, to a SAW filter comprising a plurality of SAW resonators forming a ladder type filter circuit. The present invention relates to a surface acoustic wave filter arranged at
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば、移動体通信機器において、高周
波用の帯域フィルタとして、複数のSAW共振子を圧電
基板上に構成してなる弾性表面波フィルタが知られてい
る。例えば、特公昭56−19765号公報には、圧電
基板上に複数のSAW共振子を形成してラダー型フィル
タ回路を構成してなる弾性表面波フィルタが開示されて
いる。2. Description of the Related Art For example, in a mobile communication device, a surface acoustic wave filter having a plurality of SAW resonators formed on a piezoelectric substrate is known as a high-frequency band filter. For example, Japanese Patent Publication No. 56-19765 discloses a surface acoustic wave filter in which a plurality of SAW resonators are formed on a piezoelectric substrate to form a ladder-type filter circuit.
【0003】図5は、先行技術に開示されている弾性表
面波フィルタを説明するための模式的平面図である。弾
性表面波フィルタ31は、矩形の圧電基板32を用いて
構成されている。圧電基板32上には、複数のSAW共
振子が、直列腕共振子33,34及び並列腕共振子3
5,36として形成されている。すなわち、入力端子3
7と出力端子38との間に構成される直列腕において直
列腕共振子33,34が直列に接続されている。また、
上記直列腕と基準電位との間に、並列腕共振子35,3
6が接続されている。直列腕共振子33,34と並列腕
共振子35,36とは入出力間において交互に配置され
ている。FIG. 5 is a schematic plan view for explaining a surface acoustic wave filter disclosed in the prior art. The surface acoustic wave filter 31 is configured using a rectangular piezoelectric substrate 32. On the piezoelectric substrate 32, a plurality of SAW resonators are connected to the series arm resonators 33 and 34 and the parallel arm resonators 3.
5, 36. That is, the input terminal 3
Series arm resonators 33 and 34 are connected in series in a series arm formed between the terminal 7 and the output terminal 38. Also,
A parallel arm resonator 35, 3 is connected between the series arm and the reference potential.
6 are connected. The series arm resonators 33 and 34 and the parallel arm resonators 35 and 36 are alternately arranged between input and output.
【0004】ラダー型フィルタ31では、直列腕共振子
33,34及び並列腕共振子35,36が、何れも、中
央にインターデジタルトランスデューサ33a,34
a,35a,36aを有し、IDT33a〜36aの両
側に反射器33b,33c〜36b,36cを形成した
構造を有する。In the ladder-type filter 31, the series arm resonators 33 and 34 and the parallel arm resonators 35 and 36 have interdigital transducers 33a and 34 at the center.
a, 35a, and 36a, and has a structure in which reflectors 33b, 33c to 36b, and 36c are formed on both sides of the IDTs 33a to 36a.
【0005】すなわち、弾性表面波フィルタ31では、
直列腕共振子33,34及び並列腕共振子35,36の
何れもが、IDTの両側に反射器を配置した1ポート型
SAW共振子により構成されている。That is, in the surface acoustic wave filter 31,
Each of the series arm resonators 33 and 34 and the parallel arm resonators 35 and 36 is constituted by a one-port SAW resonator having reflectors arranged on both sides of the IDT.
【0006】上記弾性表面波フィルタ31の動作原理は
以下の通りである。図6に電極部分のみを模式的に平面
図で示すように、1ポート型SAW共振子40は、中央
に配置されたIDT41の両側に反射器42,43を配
置した構造を有する。IDT41は、少なくとも1本の
電極指を有するくし歯電極41aと、少なくとも1本の
電極指を有するくし歯電極41bとを、互いの電極指が
間挿し合うように配置した構造を有する。The operation principle of the surface acoustic wave filter 31 is as follows. As shown in FIG. 6, only the electrode portion is schematically shown in a plan view, the one-port SAW resonator 40 has a structure in which reflectors 42 and 43 are arranged on both sides of an IDT 41 arranged in the center. The IDT 41 has a structure in which a comb electrode 41a having at least one electrode finger and a comb electrode 41b having at least one electrode finger are arranged such that the electrode fingers are interposed.
【0007】1ポート型SAW共振子40では、IDT
41で励振された表面波が、反射器42,43で反射さ
れて定在波とされ、反射器42,43間に閉じ込めら
れ、SAW共振子40は高いQ値を有する共振子として
動作する。このSAW共振子40のインピーダンス特性
においては、周知のように、共振周波数fr付近でイン
ピーダンスが低くなる極が存在し、反共振周波数faに
おいてインピーダンスが高くなる極が現れる。In the one-port SAW resonator 40, the IDT
The surface wave excited at 41 is reflected by the reflectors 42 and 43 to be a standing wave, confined between the reflectors 42 and 43, and the SAW resonator 40 operates as a resonator having a high Q value. As is well known, in the impedance characteristic of the SAW resonator 40, there is a pole whose impedance decreases near the resonance frequency fr, and a pole whose impedance increases at the anti-resonance frequency fa appears.
【0008】弾性表面波フィルタ31では、上記1ポー
ト型SAW共振子のインピーダンス特性を利用して通過
帯域を得ている。すなわち、直列腕共振子33,34の
共振周波数frと、並列腕共振子35,36の反共振周
波数faとを一致させることにより、この一致された周
波数付近において入出力インピーダンスを特性インピー
ダンスと整合させており、それによって通過帯域を構成
している。In the surface acoustic wave filter 31, a pass band is obtained by utilizing the impedance characteristics of the one-port SAW resonator. That is, by matching the resonance frequency fr of the series arm resonators 33 and 34 with the anti-resonance frequency fa of the parallel arm resonators 35 and 36, the input / output impedance is matched with the characteristic impedance in the vicinity of the matched frequency. And thus constitutes a passband.
【0009】また、1ポート型SAW共振子は上記イン
ピーダンス特性を有するため、直列腕共振子33,34
の反共振周波数付近では非常に高インピーダンスとな
り、並列腕共振子35,36の共振周波数付近では非常
に低インピーダンスとなるため、弾性表面波フィルタ3
1では、これらの周波数を極とする減衰域が形成され
る。Since the one-port SAW resonator has the above-described impedance characteristics, the series arm resonators 33 and 34
Is very high in the vicinity of the anti-resonance frequency, and very low in the vicinity of the resonance frequency of the parallel arm resonators 35 and 36.
At 1, an attenuation region having these frequencies as poles is formed.
【0010】弾性表面波フィルタ31では、直列腕共振
子33,34及び並列腕共振子35,36が上記のよう
に構成されているため、挿入損失の低減を図ることがで
き、かつ通過帯域近傍における減衰量が比較的大きくな
るとされている。In the surface acoustic wave filter 31, since the series arm resonators 33 and 34 and the parallel arm resonators 35 and 36 are configured as described above, the insertion loss can be reduced and the vicinity of the pass band can be reduced. Is considered to have a relatively large attenuation.
【0011】また、特開平5−183380号公報に
は、弾性表面波フィルタ31と同様に構成されており、
さらに、並列腕共振子にインダクタンスを加え、それに
よって帯域を広げた弾性表面波フィルタが開示されてい
る。Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-183380 discloses a configuration similar to that of the surface acoustic wave filter 31.
Further, a surface acoustic wave filter in which an inductance is added to a parallel arm resonator to thereby broaden a band is disclosed.
【0012】さらに、特開平6−291600号公報に
は、弾性表面波フィルタ31とは異なり、IDTの両側
に反射器を有しない複数のSAW共振子を用いて、直列
腕共振子及び並列腕共振子を構成している弾性表面波フ
ィルタが開示されており、反射器を有しないSAW共振
子を用いることにより通過帯域内リップルの低減が図ら
れるとされている。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-291600 discloses that, unlike the surface acoustic wave filter 31, a plurality of SAW resonators having no reflector on both sides of the IDT are used to form a series arm resonator and a parallel arm resonator. A surface acoustic wave filter constituting a resonator is disclosed, and it is stated that ripples in a pass band can be reduced by using a SAW resonator having no reflector.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】近年、移動体通信機器
などにおいては、より広帯域のフィルタが求められてお
り、上述した複数のSAW共振子を用いてラダー型回路
を構成してなる弾性表面波フィルタにおいても、通過帯
域幅の拡大が強く求められている。Recently, there has been a demand for a filter having a wider band in mobile communication equipment and the like, and a surface acoustic wave comprising a ladder-type circuit using a plurality of SAW resonators as described above. Also in filters, it is strongly required to increase the pass bandwidth.
【0014】しかしながら、上述した従来のラダー型回
路構成を有する弾性表面波フィルタでは、圧電基板とし
て水晶やLiTaO3 からなる基板を用いたものが多
く、通過帯域は比較的狭かった。However, most of the above-described conventional surface acoustic wave filters having a ladder-type circuit configuration use a substrate made of quartz or LiTaO 3 as the piezoelectric substrate, and the pass band is relatively narrow.
【0015】また、1ポート型SAW共振子における反
射器は、弾性表面波のエネルギーを共振子内に効率良く
閉じ込める機能を果たすものの、ストップバンドと呼ば
れている、高い反射係数が得られる周波数範囲が有限で
ある。SAW共振子では、ストップバンド内では非常に
Q値の高い共振特性を実現し得るが、ストップバンド外
では大きなQ値を得ることができない。The reflector in the one-port SAW resonator has a function of efficiently confining the energy of the surface acoustic wave in the resonator, but is called a stop band, in which a high reflection coefficient can be obtained. Is finite. With a SAW resonator, resonance characteristics with a very high Q value can be realized inside the stop band, but a large Q value cannot be obtained outside the stop band.
【0016】また、ストップバンドの上限周波数及び下
限周波数において、反射係数が急激に変化するため、ス
トップバンドの上限周波数及び下限周波数において、共
振特性に大きなスプリアスが現れる。Further, since the reflection coefficient changes abruptly at the upper limit frequency and the lower limit frequency of the stop band, a large spurious resonance appears at the upper limit frequency and the lower limit frequency of the stop band.
【0017】従って、弾性表面波フィルタにおいて、1
ポート型SAW共振子の反射器のストップバンドが、フ
ィルタの通過帯域に比べて十分広い場合には、良好なフ
ィルタ特性を得ることができるが、ストップバンドがフ
ィルタの通過帯域に比べて狭い場合にはフィルタ特性が
悪化することになる。これを、図7及び図8を参照して
説明する。Therefore, in the surface acoustic wave filter, 1
When the stop band of the reflector of the port type SAW resonator is sufficiently wider than the pass band of the filter, good filter characteristics can be obtained. However, when the stop band is narrower than the pass band of the filter, Means that the filter characteristics deteriorate. This will be described with reference to FIGS.
【0018】図7は、反射器が設けられた1ポート型S
AW共振子の一例のインピーダンス特性及び反射器の反
射率特性を示す図である。図7から明らかなように、反
射器のストップバンドの上限周波数が反共振周波数近傍
にある場合、インピーダンス特性上においては、反共振
周波数付近で大きなスプリアス(矢印Aで示す)が現れ
ていることがわかる。FIG. 7 shows a one-port type S provided with a reflector.
It is a figure showing the impedance characteristic of an example of an AW resonator, and the reflectance characteristic of a reflector. As is apparent from FIG. 7, when the upper limit frequency of the stop band of the reflector is near the anti-resonance frequency, a large spurious (indicated by an arrow A) appears near the anti-resonance frequency on the impedance characteristic. Recognize.
【0019】従って、このような1ポート型SAW共振
子を並列腕共振子として用い、上述した弾性表面波フィ
ルタを構成した場合、並列腕共振子の反共振周波数を通
過帯域として使用しているので、反共振周波数近傍にお
ける共振特性の劣化により、図8に示すフィルタ特性上
において、矢印Bで示す大きな帯域内リップルが現れ、
かつ挿入損失も増大していた。なお、図8において、実
線Cは、実線Dで示す減衰量周波数特性を、右側のスケ
ールに沿って拡大した特性である。Therefore, when such a one-port SAW resonator is used as a parallel arm resonator and the above-described surface acoustic wave filter is configured, the anti-resonance frequency of the parallel arm resonator is used as a pass band. 8, a large in-band ripple indicated by an arrow B appears on the filter characteristic shown in FIG.
And the insertion loss also increased. In FIG. 8, a solid line C is a characteristic obtained by enlarging the attenuation frequency characteristic shown by the solid line D along the right scale.
【0020】上記のような1ポート型SAW共振子にお
ける反射器のストップバンドの制限による帯域内リップ
ルを抑制する方法として、前述した特開平6−2916
00号公報には、反射器を有しない複数の1ポート型S
AW共振子を用いた弾性表面波フィルタが開示されてい
る。しかしながら、反射器を設けなかった場合には、弾
性表面波がIDTの側方に漏洩し、挿入損失の悪化を避
けることができなかった。As a method of suppressing the in-band ripple due to the limitation of the stop band of the reflector in the one-port SAW resonator as described above, Japanese Patent Laid-Open No. 6-2916 described above is used.
No. 00 discloses a plurality of one-port type S having no reflector.
A surface acoustic wave filter using an AW resonator is disclosed. However, when the reflector was not provided, the surface acoustic wave leaked to the side of the IDT, and the deterioration of the insertion loss could not be avoided.
【0021】他方、上述した反射器のストップバンドは
音響アドミタンス比により決定されるため、音響アドミ
タンス比を大きくすることにより反射器のストップバン
ドの周波数範囲を広げる方法も考えられるが、その場合
には、弾性表面波の伝搬損失が大きくなり、やはりフィ
ルタ特性が劣化する。On the other hand, since the stop band of the reflector described above is determined by the acoustic admittance ratio, a method of widening the frequency range of the stop band of the reflector by increasing the acoustic admittance ratio is also conceivable. In addition, the propagation loss of the surface acoustic wave increases, and the filter characteristics also deteriorate.
【0022】本発明の目的は、通過帯域内挿入損失や通
過帯域内リップルを低減しつつ高帯域化を図ることが可
能な弾性表面波フィルタを提供することにある。An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave filter capable of increasing the band while reducing insertion loss in the pass band and ripple in the pass band.
【0023】[0023]
【課題を解決するための手段】本発明は、入出力間を直
列腕とし、該直列腕と基準電位との間に少なくとも一つ
の並列腕を有するラダー型フィルタを構成するように、
圧電基板上に直列腕共振子及び並列腕共振子を形成して
なり、前記直列腕共振子の共振周波数と、並列腕共振子
の反共振周波数とをほぼ一致させてなる弾性表面波フィ
ルタにおいて、直列腕共振子が、IDTと、IDTの両
側に配置された反射器とを有する反射器付きSAW共振
子で構成されており、前記並列腕共振子が、直列腕共振
子のIDTの電極指の対数よりも電極指の対数が大きな
IDTを有し、該IDTの両側に反射器を有さないよう
に構成されている反射器なしSAW共振子により構成さ
れていることを特徴とする。According to the present invention, there is provided a ladder-type filter having a series arm between an input and an output and having at least one parallel arm between the series arm and a reference potential.
In a surface acoustic wave filter having a series arm resonator and a parallel arm resonator formed on a piezoelectric substrate, and having a resonance frequency of the series arm resonator and an anti-resonance frequency of the parallel arm resonator substantially matched, The series arm resonator is composed of a SAW resonator with a reflector having an IDT and reflectors arranged on both sides of the IDT, and the parallel arm resonator is formed of an electrode finger of the IDT of the series arm resonator. It is characterized by having an IDT in which the logarithm of the electrode finger is larger than the logarithm and having a reflectorless SAW resonator configured to have no reflector on both sides of the IDT.
【0024】すなわち、本発明は、複数のSAW共振子
を直列腕共振子及び並列腕共振子として用いたラダー型
回路構成を有する弾性表面波フィルタにおいて、直列腕
共振子のみに反射器を配置し、並列腕共振子については
反射器を有しない構造としたことを特徴とする。That is, according to the present invention, in a surface acoustic wave filter having a ladder type circuit configuration using a plurality of SAW resonators as a series arm resonator and a parallel arm resonator, a reflector is arranged only on the series arm resonator. The parallel arm resonator has a structure without a reflector.
【0025】前述したように、反射器付きの1ポート型
SAW共振子では、反射器のストップバンドの上限周波
数及び下限周波数において共振特性上にスプリアスが発
生する。従って、このスプリアスが弾性表面波フィルタ
の通過帯域内に入る位置において発生すると、弾性表面
波フィルタにおいて損失及び帯域内リップルが増加し、
特性が悪化することになる。As described above, in the one-port SAW resonator with a reflector, spurious components occur on the resonance characteristics at the upper limit frequency and the lower limit frequency of the stop band of the reflector. Therefore, when this spurious is generated at a position within the pass band of the surface acoustic wave filter, the loss and the in-band ripple in the surface acoustic wave filter increase,
The characteristics will be degraded.
【0026】しかしながら、複数の1ポート型SAW共
振子を直列腕共振子及び並列腕共振子としてラダー型回
路を構成してなる弾性表面波フィルタでは、並列腕共振
子の反共振周波数と、直列腕共振子の共振周波数とを利
用して通過帯域を構成している。すなわち、並列腕共振
子の反共振周波数における共振特性が、弾性表面波フィ
ルタのフィルタ特性に大きく影響する。However, in a surface acoustic wave filter in which a ladder-type circuit is configured by using a plurality of one-port SAW resonators as a series arm resonator and a parallel arm resonator, the anti-resonance frequency of the parallel arm resonator and the serial arm The pass band is configured using the resonance frequency of the resonator. That is, the resonance characteristics of the parallel arm resonator at the anti-resonance frequency greatly affect the filter characteristics of the surface acoustic wave filter.
【0027】本発明では、並列腕共振子においては、反
射器が設けられていないため、並列腕共振子の反共振周
波数においては反射器のストップバンドの上限周波数及
びその近傍のスプリアスに起因する特性の劣化が解消さ
れる。すなわち、反射器を設けていないため、上記のよ
うなスプリアスに起因する挿入損失の増大や帯域内リッ
プルの増大を抑制することができる。In the present invention, since the reflector is not provided in the parallel arm resonator, at the anti-resonance frequency of the parallel arm resonator, the characteristic caused by the upper limit frequency of the stop band of the reflector and the spurious in the vicinity thereof. Degradation is eliminated. That is, since no reflector is provided, it is possible to suppress an increase in insertion loss and an increase in in-band ripple due to the spurious components as described above.
【0028】また、1ポート型SAW共振子では、弾性
表面波を反射させて閉じ込めるために反射器が設けられ
ているが、反射器が設けられずとも、IDTのくし型電
極自体が弾性表面波を反射させるため、並列腕共振子に
おいて反射器を設けずとも表面波は発生する。また、反
射器を設けない場合には、弾性表面波エネルギーの漏洩
が問題となるが、この弾性表面波エネルギーの漏洩によ
る特性の劣化に比べて、反射器を設けた場合のストップ
バンドに起因する特性の劣化の方が大きい。従って、本
発明に従って並列腕共振子において反射器を設けない方
が、より良好なフィルタ特性を得ることができる。加え
て、本発明では、上記並列腕共振子のIDTの電極指の
対数が、直列腕共振子の電極指の対数よりも多く、すな
わち、多対とされているため、弾性表面波エネルギーの
漏洩も抑制される。In the one-port SAW resonator, a reflector is provided for reflecting and confining the surface acoustic wave. However, even if no reflector is provided, the comb-shaped electrode of the IDT itself may have a surface acoustic wave. , Surface waves are generated without providing a reflector in the parallel arm resonator. In addition, when a reflector is not provided, leakage of surface acoustic wave energy becomes a problem, but compared with the deterioration of characteristics due to the leakage of surface acoustic wave energy, it is caused by a stop band when a reflector is provided. The deterioration of the characteristics is greater. Therefore, better filter characteristics can be obtained by not providing a reflector in the parallel arm resonator according to the present invention. In addition, in the present invention, since the number of pairs of electrode fingers of the IDT of the parallel arm resonator is larger than the number of pairs of electrode fingers of the series arm resonator, that is, the number of pairs is large, that is, leakage of surface acoustic wave energy is prevented. Is also suppressed.
【0029】好ましくは、請求項2に記載のように、並
列腕共振子のIDTの電極指の対数を130以上とすれ
ば、電極指の対数の増加により弾性表面波エネルギーの
漏洩をより確実に抑制することができ、例えば、音響ア
ドミタンス1.07程度の基板を用いた場合でも弾性表
面波エネルギーの漏洩を0.1dB以下に抑制すること
ができる。Preferably, if the logarithm of the electrode finger of the IDT of the parallel arm resonator is set to 130 or more, leakage of the surface acoustic wave energy is more surely increased by increasing the logarithm of the electrode finger. For example, even when a substrate having acoustic admittance of about 1.07 is used, leakage of surface acoustic wave energy can be suppressed to 0.1 dB or less.
【0030】他方、本発明にかかる弾性表面波フィルタ
では、直列腕共振子は、IDTの両側に反射器を備えて
いる。直列腕共振子では、共振周波数付近の特性が通過
帯域として用いられているが、共振周波数付近ではイン
ピーダンスは非常に低くなる。従って、直列腕共振子に
おいて共振周波数がストップバンドの下限周波数よりも
低くなったとしても、インピーダンス自体が非常に低い
ため大きなスプリアスは発生しない。また、直列腕共振
子の反共振周波数は、フィルタの通過帯域よりも高域に
位置するため、反射器を設けたことによる反共振周波数
における上記スプリアスはフィルタの帯域特性にほとん
ど影響を与えない。On the other hand, in the surface acoustic wave filter according to the present invention, the series arm resonator has reflectors on both sides of the IDT. In the series arm resonator, the characteristic near the resonance frequency is used as the pass band, but the impedance is very low near the resonance frequency. Therefore, even if the resonance frequency of the series arm resonator becomes lower than the lower limit frequency of the stop band, the impedance itself is very low, so that no large spurious is generated. Further, since the anti-resonance frequency of the series arm resonator is located higher than the pass band of the filter, the spurious at the anti-resonance frequency due to the provision of the reflector hardly affects the band characteristics of the filter.
【0031】従って、フィルタの広帯域化を図り、スト
ップバンドに比べて帯域幅が広い場合であっても、直列
腕共振子においては、上記ストップバンドの上限及び下
限周波数におけるスプリアスがあまり問題とならない。
よって、反射器を有する1ポート型SAW共振子を直列
腕共振子として用いることにより、反射器を有しない1
ポート型SAW共振子を用いた場合に比べてQ値を高く
することができるため、共振抵抗が小さくなり、弾性表
面波フィルタの挿入損失を低減し得る。Therefore, even if the bandwidth of the filter is widened and the bandwidth is wider than that of the stop band, spurious responses at the upper and lower limit frequencies of the stop band do not cause much problem in the series arm resonator.
Therefore, by using a one-port SAW resonator having a reflector as a series arm resonator, a 1-port SAW resonator having no reflector can
Since the Q value can be increased as compared with the case where the port type SAW resonator is used, the resonance resistance is reduced, and the insertion loss of the surface acoustic wave filter can be reduced.
【0032】また、本発明においては、より好ましく
は、上記圧電基板として、電気機械結合係数が大きな6
4°YカットLiNbO3 基板または41°YカットL
iNbO3 基板が用いられ、それによって圧電材料の電
気機械結合係数が高くなるため、より一層広帯域化を図
ることができる。In the present invention, more preferably, the piezoelectric substrate has a large electromechanical coupling coefficient.
4 ° Y-cut LiNbO 3 substrate or 41 ° Y-cut L
Since the iNbO 3 substrate is used, and the electromechanical coupling coefficient of the piezoelectric material is increased, the band can be further widened.
【0033】[0033]
【発明の実施の形態】図1は、本発明にかかる弾性表面
波フィルタの一構造例を説明するための模式的平面図で
ある。FIG. 1 is a schematic plan view for explaining a structural example of a surface acoustic wave filter according to the present invention.
【0034】弾性表面波フィルタ1は、矩形の圧電基板
2を用いて構成されている。圧電基板2を構成する圧電
材料については、特に限定されるものではないが、Li
NbO3 、LiTaO3 または水晶などの圧電単結晶ま
たはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電
セラミックスを用いることができる。好ましくは、圧電
基板2としては、電気機械結合係数が高いため、LiN
bO3 基板、より好ましくは、64°YカットLiNb
O3 基板または41°YカットLiNbO3 基板が用い
られる。The surface acoustic wave filter 1 is constituted by using a rectangular piezoelectric substrate 2. The piezoelectric material forming the piezoelectric substrate 2 is not particularly limited, but may be Li material.
A piezoelectric single crystal such as NbO 3 , LiTaO 3 or quartz, or a piezoelectric ceramic such as a lead zirconate titanate-based ceramic can be used. Preferably, since the piezoelectric substrate 2 has a high electromechanical coupling coefficient, LiN
bO 3 substrate, more preferably 64 ° Y-cut LiNb
An O 3 substrate or a 41 ° Y-cut LiNbO 3 substrate is used.
【0035】圧電基板2上には、アルミニウムなどの導
電性材料を用いて、種々の電極が形成されている。すな
わち、直列腕共振子3,4と、並列腕共振子5,6,7
が形成されている。直列腕共振子3,4及び並列腕共振
子5〜7は、何れも、1ポート型SAW共振子である
が、直列腕共振子3,4は反射器付きのSAW共振子と
して構成されており、並列腕共振子5〜7は反射器を有
しない1ポート型SAW共振子として構成されている。Various electrodes are formed on the piezoelectric substrate 2 using a conductive material such as aluminum. That is, the series arm resonators 3, 4 and the parallel arm resonators 5, 6, 7
Are formed. Each of the series arm resonators 3 and 4 and the parallel arm resonators 5 to 7 is a one-port SAW resonator, but the series arm resonators 3 and 4 are configured as SAW resonators with reflectors. The parallel arm resonators 5 to 7 are configured as 1-port SAW resonators having no reflector.
【0036】直列腕共振子3,4は、入力端子8と出力
端子9との間に構成される直列腕に直列に接続されてい
る。直列腕共振子3は、中央にIDT3aを有し、ID
T3aの表面波伝搬方向両側には反射器3b,3cが配
置されている。直列腕共振子4についても、同様に構成
されており、IDT4aと、両側に配置された反射器4
b,4cとを有する。The series arm resonators 3 and 4 are connected in series to a series arm formed between the input terminal 8 and the output terminal 9. The series arm resonator 3 has an IDT 3a at the center,
Reflectors 3b and 3c are arranged on both sides of T3a in the surface wave propagation direction. The series arm resonator 4 is similarly configured, and includes the IDT 4a and the reflectors 4 arranged on both sides.
b, 4c.
【0037】IDT3a,4aは、図6に示した1ポー
ト型SAW共振子40のIDT41と同様に構成されて
いる。すなわち、1本以上の電極指を有する一対のくし
歯電極を、互いの電極指が間挿し合うように配置されて
いる。The IDTs 3a and 4a have the same configuration as the IDT 41 of the one-port SAW resonator 40 shown in FIG. That is, a pair of comb-shaped electrodes having one or more electrode fingers are arranged so that the electrode fingers interpose each other.
【0038】また、反射器3b,3c,4b,4cは、
表面波伝搬方向に直交する方向に延ばされた複数本の導
体を両端で接続したグレーティング型反射器である。並
列腕共振子5〜7は、上記直列腕と基準電位との間に接
続されており、かつ直列腕共振子3,4と並列腕共振子
5〜7とは、入力端子8と出力端子9との間で交互に配
置されている。従って、直列腕共振子3,4と並列腕共
振子5〜7とによりラダー型フィルタ回路が構成されて
いる。The reflectors 3b, 3c, 4b, 4c are
This is a grating reflector in which a plurality of conductors extending in a direction orthogonal to the surface wave propagation direction are connected at both ends. The parallel arm resonators 5 to 7 are connected between the series arm and the reference potential, and the series arm resonators 3 and 4 and the parallel arm resonators 5 to 7 are connected to the input terminal 8 and the output terminal 9. And are alternately arranged. Therefore, a ladder-type filter circuit is constituted by the series arm resonators 3 and 4 and the parallel arm resonators 5 to 7.
【0039】ラダー型フィルタ1においても、上記直列
腕共振子3,4の共振周波数と、並列腕共振子5〜7の
反共振周波数とをほぼ一致させることにより通過帯域が
構成されている。In the ladder-type filter 1 as well, a pass band is formed by making the resonance frequencies of the series arm resonators 3 and 4 substantially equal to the anti-resonance frequencies of the parallel arm resonators 5 to 7.
【0040】弾性表面波フィルタ1の特徴は、上記直列
腕共振子3,4が反射器付きの1ポート型SAW共振子
で構成されているのに対し、並列腕共振子5〜7が反射
器を有しない多対の1ポート型SAW共振子により構成
されていることにある。The surface acoustic wave filter 1 is characterized in that the series arm resonators 3 and 4 are formed of one-port SAW resonators with reflectors, whereas the parallel arm resonators 5 to 7 are formed of reflectors. Is constituted by a pair of one-port SAW resonators having no.
【0041】多対の1ポート型SAW共振子の電極構造
を、並列腕共振子5を代表して図2に拡大して示す。並
列腕共振子5は、複数本の電極指5a1 を有するくし歯
電極5aと、複数本の電極指5b1 を有するくし歯電極
5bとを、互いの電極指5a 1 ,5b1 が間挿し合うよ
うに配置した構造を有する。なお、図2に示すように、
電極指5a1 のピッチにより弾性表面波の波長λが決定
される。Electrode Structure of Multi-pair 1-port SAW Resonator
2 is enlarged and shown in FIG. 2 on behalf of the parallel arm resonator 5. common
The row arm resonator 5 includes a plurality of electrode fingers 5a.1Comb teeth with
An electrode 5a and a plurality of electrode fingers 5b1Comb electrodes with
5b and each other's electrode fingers 5a. 1, 5b1Interpolate
It has a structure that is arranged as follows. In addition, as shown in FIG.
Electrode finger 5a1Of surface acoustic wave is determined by pitch
Is done.
【0042】並列腕共振子5〜7においては、電極指の
対数が、直列腕共振子3,4のIDT3a,4aの電極
指の対数よりも大きくされており、好ましくは、並列腕
共振子5〜7の電極指の対数は130対以上の多対とさ
れており、それによって弾性表面波の漏洩を電極指の対
数の増大により抑制することが可能とされている。In the parallel arm resonators 5 to 7, the number of pairs of electrode fingers is set to be larger than the number of pairs of IDTs in the IDTs 3a and 4a of the series arm resonators 3 and 4. The number of pairs of electrode fingers of Nos. To 7 is 130 or more, which makes it possible to suppress the leakage of surface acoustic waves by increasing the number of pairs of electrode fingers.
【0043】弾性表面波フィルタ1では、上記のように
直列腕共振子3,4は反射器3b,3c,4b,4cを
有するが、広帯域化を図った場合に反射器3b,3c,
4b,4cのストップバンドの上限周波数及び下限周波
数におけるスプリアスが発生したとしても、このスプリ
アスによる弾性表面波フィルタ1のフィルタ特性への影
響は少ない。すなわち、直列腕共振子3,4の共振周波
数を利用して通過帯域を構成しており、かつ共振周波数
におけるインピーダンスが非常に低いため、ストップバ
ンドの下限周波数における共振特性上に現れるスプリア
スの影響はほとんどない。他方、直列腕共振子3,4の
反共振周波数は通過帯域外にあるため、ストップバンド
の上限周波数において現れるスプリアスによる通過帯域
内への影響も生じない。In the surface acoustic wave filter 1, the series arm resonators 3, 4 have the reflectors 3b, 3c, 4b, 4c as described above, but when the band is widened, the reflectors 3b, 3c,
Even if spurs occur at the upper limit frequency and the lower limit frequency of the stop bands 4b and 4c, the spurious has little effect on the filter characteristics of the surface acoustic wave filter 1. That is, since the pass band is formed using the resonance frequency of the series arm resonators 3 and 4 and the impedance at the resonance frequency is very low, the influence of spurious appearing on the resonance characteristic at the lower limit frequency of the stop band is small. rare. On the other hand, since the anti-resonance frequencies of the series arm resonators 3 and 4 are outside the pass band, spurious appearing at the upper limit frequency of the stop band does not affect the pass band.
【0044】他方、並列腕共振子5,6,7について
は、反射器を有しないため、広帯域化を図ったとしても
反射器のストップバンド及び下限周波数に起因するスプ
リアスの問題は生じない。加えて、上記のように並列腕
共振子5〜7がその電極指の対数が多いため、弾性表面
波の漏洩もほとんど生じない。よって、弾性表面波フィ
ルタ1では、挿入損失やリップルを低減しつつ広帯域化
を図り得ることができる。On the other hand, since the parallel arm resonators 5, 6, and 7 do not have a reflector, even if the band is widened, the problem of spurious due to the stop band and the lower limit frequency of the reflector does not occur. In addition, since the parallel arm resonators 5 to 7 have a large number of pairs of electrode fingers as described above, leakage of surface acoustic waves hardly occurs. Therefore, in the surface acoustic wave filter 1, a wide band can be achieved while reducing insertion loss and ripple.
【0045】なお、弾性表面波フィルタ1は、2個の直
列腕共振子3,4と、3個の並列腕共振子5〜7を入出
力間において交互に配置してラダー型フィルタ回路を構
成していたが、本発明においては、ラダー型フィルタ回
路を構成し得る限り、直列腕共振子及び並列腕共振子の
数については図示の例に限定されないことを指摘してお
く。The surface acoustic wave filter 1 has a ladder type filter circuit in which two series arm resonators 3 and 4 and three parallel arm resonators 5 to 7 are alternately arranged between input and output. However, it should be pointed out that in the present invention, the number of series arm resonators and parallel arm resonators is not limited to the illustrated example as long as a ladder filter circuit can be configured.
【0046】[0046]
【実施例】本発明の実施例として、図1に示した弾性表
面波フィルタ1において、圧電基板を64°YカットL
iNbO3 基板(電気機械結合係数は35%)からなる
ものを用意し、下記の表1に示す電極指の対数、電極指
交叉幅、反射器の電極指の本数となるように直列腕共振
子3,4及び並列腕共振子5〜7を形成した。なお、直
列腕共振子3,4及び並列腕共振子5〜7のIDTにお
ける電極指ピッチは4.80及び4.53とした。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As an embodiment of the present invention, in the surface acoustic wave filter 1 shown in FIG.
An iNbO 3 substrate (electromechanical coupling coefficient is 35%) was prepared, and a series arm resonator was prepared so that the number of electrode fingers, the width of electrode fingers, and the number of electrode fingers of the reflector shown in Table 1 below were obtained. 3, 4 and parallel arm resonators 5 to 7 were formed. The electrode finger pitch in the IDT of the series arm resonators 3 and 4 and the parallel arm resonators 5 to 7 was set to 4.80 and 4.53.
【0047】[0047]
【表1】 [Table 1]
【0048】上記のようにして作製した実施例の弾性表
面波フィルタにおいて、並列腕共振子のインピーダンス
特性を測定したところ、図3に示す結果が得られた。図
3から明らかなように、共振周波数及び反共振周波数の
何れにおいても共振特性上にスプリアスがほとんどみら
れないことがわかる。これは、並列腕共振子5〜7にお
いては、反射器を設けていないため、反射器のストップ
バンドに起因するスプリアスが現れないためである。In the surface acoustic wave filter of the embodiment manufactured as described above, the impedance characteristic of the parallel arm resonator was measured, and the result shown in FIG. 3 was obtained. As is clear from FIG. 3, it is understood that spurious is hardly observed on the resonance characteristics at both the resonance frequency and the antiresonance frequency. This is because the reflectors are not provided in the parallel arm resonators 5 to 7, so that spurious due to the stop band of the reflector does not appear.
【0049】上記のようにして得られた実施例の弾性表
面波フィルタの減衰量周波数特性を図4に示す。なお、
図4において、実線Fは実線Eで示す特性の要部を右側
の拡大したスケールに従って拡大した特性を示す。図4
から明らかなように、通過帯域幅が925〜958MH
zであり、挿入損失が3.5dBであるフィルタ特性の
得られていることがわかる。FIG. 4 shows attenuation frequency characteristics of the surface acoustic wave filter of the embodiment obtained as described above. In addition,
In FIG. 4, a solid line F indicates a characteristic obtained by enlarging a main part of the characteristic indicated by the solid line E according to an enlarged scale on the right side. FIG.
As is apparent from FIG.
z, and it can be seen that a filter characteristic having an insertion loss of 3.5 dB is obtained.
【0050】比較のために、実施例の弾性表面波フィル
タ1と同じ段数の図9に示す弾性表面波フィルタを比較
例として作製した。なお、図9に示す弾性表面波フィル
タ51は、並列腕共振子52が付加されたことを除いて
は、図5に示した弾性表面波フィルタ31と同様にして
構成されている。従って、弾性表面波フィルタ31と同
一部分については、同一の参照番号を付することにより
その説明を省略する。並列腕共振子52は、並列腕共振
子35,36と同様に、中央にIDT52aを、両側に
反射器52b,52cを形成した構造を有する。For comparison, a surface acoustic wave filter having the same number of stages as the surface acoustic wave filter 1 of the embodiment shown in FIG. 9 was manufactured as a comparative example. The surface acoustic wave filter 51 shown in FIG. 9 has the same configuration as the surface acoustic wave filter 31 shown in FIG. 5, except that a parallel arm resonator 52 is added. Therefore, the same portions as those of the surface acoustic wave filter 31 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Like the parallel arm resonators 35 and 36, the parallel arm resonator 52 has a structure in which an IDT 52a is formed in the center and reflectors 52b and 52c are formed on both sides.
【0051】上記比較例として用意した弾性表面波付5
1では、直列腕共振子33,34及び並列腕共振子3
5,36,52の電極指の対数、電極指交叉幅及び反射
器の本数については、下記の表2に示す通りとした。5 with surface acoustic wave prepared as a comparative example
1, the series arm resonators 33 and 34 and the parallel arm resonators 3
The number of pairs of electrode fingers of 5, 36, and 52, the width of intersecting electrode fingers, and the number of reflectors were as shown in Table 2 below.
【0052】また、圧電基板22については、LiNb
O3 64°Y−X基板よりなるものを用いた。The piezoelectric substrate 22 is made of LiNb
An O 3 64 ° YX substrate was used.
【0053】[0053]
【表2】 [Table 2]
【0054】上記のようにして作製された比較例の弾性
表面波フィルタ51の並列腕共振子52のインピーダン
ス特性及び反射器の反射率特性は、前述した図7に示し
た通りであり、従って、反共振周波数近傍においてスト
ップバンドの上限周波数に対応して大きなスプリアスA
が現れていた。また、この比較例の弾性表面波フィルタ
の減衰量周波数特性は前述した図8に示した通りであ
り、上記反射器のスプリアスに起因する帯域内リップル
Bが発生しており、かつ通過帯域における挿入損失は7
dBと実施例の弾性表面波フィルタに比べて大きいこと
がわかる。The impedance characteristics and the reflectivity characteristics of the reflector of the parallel arm resonator 52 of the surface acoustic wave filter 51 of the comparative example manufactured as described above are as shown in FIG. Large spurious A corresponding to the upper limit frequency of the stop band near the anti-resonance frequency
Was appearing. The attenuation-frequency characteristic of the surface acoustic wave filter of this comparative example is as shown in FIG. 8 described above. In-band ripple B occurs due to spurious response of the reflector, and insertion in the pass band. Loss is 7
It can be seen that dB is larger than that of the surface acoustic wave filter of the embodiment.
【0055】[0055]
【発明の効果】本発明によれば、複数の1ポート型SA
W共振子を直列腕共振子及び並列腕共振子として用いた
ラダー型フィルタ回路を構成してなる弾性表面波フィル
タにおいて、直列腕共振子が反射器付きの1ポート型S
AW共振子で構成されており、並列腕共振子が反射器を
有しない1ポート型SAW共振子で構成されており、か
つ並列腕共振子のIDTの電極指の対数が相対的に多く
されている。According to the present invention, a plurality of one-port SAs are provided.
In a surface acoustic wave filter comprising a ladder type filter circuit using a W resonator as a series arm resonator and a parallel arm resonator, the series arm resonator is a one-port type S with a reflector.
The parallel arm resonator is composed of a one-port SAW resonator without a reflector, and the number of pairs of IDT electrode fingers of the parallel arm resonator is relatively large. I have.
【0056】従って、広帯域化を図ったとしても、並列
腕共振子においては、反射器のストップバンドの上限周
波数に起因する大きなスプリアスが共振特性上に現れる
ことがないため、通過帯域内リップルを低減することが
できる。加えて、並列腕共振子の電極指の対数が相対的
に多くされているため、反射器を設けなかったが、弾性
表面波エネルギーの漏洩が抑制されるため、挿入損失の
増大も招かない。Therefore, even if the band is widened, in the parallel arm resonator, large spurious due to the upper limit frequency of the stop band of the reflector does not appear on the resonance characteristic, so that the ripple in the pass band is reduced. can do. In addition, a reflector is not provided because the number of pairs of electrode fingers of the parallel arm resonator is relatively large. However, since leakage of surface acoustic wave energy is suppressed, an increase in insertion loss does not occur.
【0057】他方、直列腕共振子においてはIDTの両
側に反射器が設けられているので、通過帯域内において
Q値が高くなり、従って、弾性表面波フィルタ全体の挿
入損失を低減することができる。また、直列腕共振子に
ついては、共振周波数を利用して弾性表面波フィルタの
通過帯域を形成しているものであり、共振周波数におけ
るインピーダンスが非常に低いため、反射器のストップ
バンドの下限周波数に起因するスプリアスは問題となら
ない。On the other hand, in the series arm resonator, since the reflectors are provided on both sides of the IDT, the Q value increases in the pass band, and therefore, the insertion loss of the entire surface acoustic wave filter can be reduced. . In addition, for the series arm resonator, the pass band of the surface acoustic wave filter is formed using the resonance frequency, and the impedance at the resonance frequency is extremely low. The resulting spurs are not a problem.
【0058】よって、本発明によれば、帯域内挿入損失
及びリップルが小さく、かつ広帯域のフィルタを提供す
ることができるため、例えば、移動体通信機器のバント
パスフィルタなどに最適な帯域フィルタを提供すること
が可能となる。Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a filter having a small insertion loss and a small ripple in the band and a wide band, so that a band filter optimal for, for example, a band-pass filter of a mobile communication device is provided. It is possible to do.
【0059】また、本発明において、並列腕共振子のI
DTの電極指の対数を130以上とした場合には、並列
腕共振子における弾性表面波エネルギーの漏洩を電極指
の対数の増大により効果的に抑制することができるの
で、挿入損失のより一層の低減を図ることが可能とな
る。In the present invention, the parallel arm resonator I
When the logarithm of the DT electrode finger is set to 130 or more, the leakage of the surface acoustic wave energy in the parallel arm resonator can be effectively suppressed by increasing the logarithm of the electrode finger. Reduction can be achieved.
【0060】64°YカットLiNbO3 基板及び41
°YカットLiNbO3 基板は、電機機械結合係数が3
5%及び45%と高く、従って、これらの圧電基板を用
いた場合、弾性表面波フィルタのより一層の広帯域化を
図ることができる。64 ° Y-cut LiNbO 3 substrate and 41
The Y-cut LiNbO 3 substrate has an electromechanical coupling coefficient of 3
Therefore, when these piezoelectric substrates are used, it is possible to further widen the bandwidth of the surface acoustic wave filter.
【0061】なお、これらの圧電基板は、電気機械結合
係数の大きさに比べて、音響アドミタンス比が小さいた
め、反射器のスプリアスが通過帯域内に入ることにな
り、帯域内リップルの原因となる。そこで、従来の弾性
表面波フィルタにこれらの圧電基板を用いたとしても、
反射器を有する並列腕共振子において帯域内リップルを
生じさせないためには、上記音響アドミタンス比を64
°YカットLiNbO3基板では1.15以上、41°
YカットLiNbO3 基板では1.25以上にしなけれ
ばならない。しかしながら、通常の製法では、64°Y
カットLiNbO 3 基板及び41°YカットLiNbO
3 基板を用いた場合、音響アドミタンス比は、それぞ
れ、1.07及び1.13程度しかならない。従って、
電気機械結合係数が大きいため広帯域化に有利である6
4°YカットLiNbO3 基板や41°YカットLiN
bO3 基板では、反射器を設けた場合通過帯域内にスプ
リアスが入り易いが、本発明に従って並列腕共振子を構
成することにより、このようなスプリアスに起因するフ
ィルタ特性の劣化を防止することができるため、本発明
によれば、このような電気機械結合係数の大きな圧電基
板を用いてより広帯域の弾性表面波フィルタを容易に提
供することが可能となる。Note that these piezoelectric substrates are formed by electromechanical coupling.
The sound admittance ratio is small compared to the magnitude of the coefficient.
Reflector spurs fall within the passband.
This causes in-band ripple. Therefore, conventional elasticity
Even if these piezoelectric substrates are used for a surface acoustic wave filter,
In-band ripple in parallel arm resonator with reflector
In order not to cause this, the acoustic admittance ratio should be 64
° Y cut LiNbOThree1.15 or more, 41 ° on substrate
Y-cut LiNbOThreeMust be 1.25 or more on board
Must. However, in a normal manufacturing method, 64 ° Y
Cut LiNbO ThreeSubstrate and 41 ° Y-cut LiNbO
ThreeWhen using a substrate, the acoustic admittance ratio
And only about 1.07 and 1.13. Therefore,
Large electromechanical coupling coefficient is advantageous for broadband 6
4 ° Y-cut LiNbOThreeSubstrate and 41 ° Y-cut LiN
bOThreeOn the substrate, if a reflector is provided,
Rias is likely to occur, but a parallel arm resonator is constructed according to the present invention.
By doing so, the noise caused by such spurs
Since the deterioration of the filter characteristics can be prevented, the present invention
According to the above, such a piezoelectric substrate having a large electromechanical coupling coefficient
Plate to easily provide a wider band surface acoustic wave filter.
Can be provided.
【図1】本発明にかかる弾性表面波フィルタの一構造例
を示す模式的平面図。FIG. 1 is a schematic plan view showing one structural example of a surface acoustic wave filter according to the present invention.
【図2】本発明において並列腕共振子として用いるのに
有利な多対型1ポート型SAW共振子を説明するための
平面図。FIG. 2 is a plan view for explaining a multi-pair, one-port SAW resonator that is advantageous to be used as a parallel arm resonator in the present invention.
【図3】図2に示した弾性表面波フィルタ中の並列腕共
振子のインピーダンス特性を示す図。FIG. 3 is a view showing impedance characteristics of a parallel arm resonator in the surface acoustic wave filter shown in FIG. 2;
【図4】本発明の一実施例にかかる弾性表面波フィルタ
の減衰量周波数特性を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an attenuation frequency characteristic of the surface acoustic wave filter according to one embodiment of the present invention.
【図5】従来の弾性表面波フィルタの一例を説明するた
めの模式的平面図。FIG. 5 is a schematic plan view for explaining an example of a conventional surface acoustic wave filter.
【図6】従来の弾性表面波フィルタで用いられている反
射器付きの1ポート型SAW共振子を示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing a one-port SAW resonator with a reflector used in a conventional surface acoustic wave filter.
【図7】従来の弾性表面波フィルタにおける反射器付き
1ポート型SAW共振子のインピーダンス特性及び反射
器の反射率特性を示す図。FIG. 7 is a diagram showing impedance characteristics of a one-port SAW resonator with a reflector and reflectance characteristics of the reflector in a conventional surface acoustic wave filter.
【図8】従来の弾性表面波フィルタの減衰量周波数特性
を示す図。FIG. 8 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of a conventional surface acoustic wave filter.
【図9】比較のための作製した従来の弾性表面波フィル
タを説明するための平面図。FIG. 9 is a plan view for explaining a conventional surface acoustic wave filter manufactured for comparison.
1…弾性表面波フィルタ 2…圧電基板 3,4…直列腕共振子 5〜7…並列腕共振子 3a,4a…IDT 3b,c,4b,4c…反射器 5a,5b…くし歯電極 5a1 ,5b1 …電極指1 ... the surface acoustic wave filter 2 ... piezoelectric substrate 3, 4 ... series arm resonator 5-7 ... parallel arm resonators 3a, 4a ... IDT 3b, c , 4b, 4c ... reflectors 5a, 5b ... comb electrodes 5a 1 , 5b 1 ... electrode fingers
Claims (4)
電位との間に少なくとも一つの並列腕を有するラダー型
フィルタを構成するように、圧電基板上に直列腕共振子
及び並列腕共振子を形成してなり、前記直列腕共振子の
共振周波数と、並列腕共振子の反共振周波数とをほぼ一
致させてなる弾性表面波フィルタにおいて、 前記直列腕共振子は、インターデジタルトランスデュー
サと、インターデジタルトランスデューサの両側に配置
された反射器とを有する反射器付きSAW共振子で構成
されており、 前記並列腕共振子が、直列腕共振子のインターデジタル
トランスデューサの電極指の対数よりも電極指の対数が
大きなインターデジタルトランスデューサを有し、該イ
ンターデジタルトランスデューサの両側に反射器を有さ
ないように構成されている反射器なしSAW共振子によ
り構成されていることを特徴とする、弾性表面波フィル
タ。1. A series arm resonator and a parallel arm on a piezoelectric substrate so as to constitute a ladder filter having a series arm between an input and an output and at least one parallel arm between the series arm and a reference potential. In a surface acoustic wave filter formed by forming a resonator and making the resonance frequency of the series arm resonator substantially equal to the anti-resonance frequency of the parallel arm resonator, the series arm resonator includes an interdigital transducer and , A SAW resonator with a reflector having reflectors disposed on both sides of the interdigital transducer, wherein the parallel arm resonator has more electrodes than the number of pairs of electrode fingers of the interdigital transducer of the series arm resonator. Configured to have an interdigital transducer with a large logarithm of the finger and no reflectors on either side of the interdigital transducer Characterized in that it is constituted by the reflector without SAW resonator being a surface acoustic wave filter.
ランスデューサの電極指の対数が130以上であること
を特徴とする、請求項1に記載の弾性表面波フィルタ。2. The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the number of pairs of electrode fingers of the interdigital transducer of the parallel arm resonator is 130 or more.
bO3 基板である、請求項1または2に記載の弾性表面
波フィルタ。3. The piezoelectric substrate according to claim 1, wherein said piezoelectric substrate is 64 ° Y-cut LiN.
3. The surface acoustic wave filter according to claim 1, which is a bO 3 substrate.
bO3 基板であることを特徴とする請求項1または2に
記載の弾性表面波フィルタ。4. The method according to claim 1, wherein the piezoelectric substrate is a 41 ° Y-cut LiN.
The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the surface acoustic wave filter is a bO 3 substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8303197A JPH10145183A (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Surface acoustic wave filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8303197A JPH10145183A (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Surface acoustic wave filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10145183A true JPH10145183A (en) | 1998-05-29 |
Family
ID=17918055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8303197A Pending JPH10145183A (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Surface acoustic wave filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10145183A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009212572A (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Elastic wave resonator, and ladder filter |
| WO2016121818A1 (en) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 京セラ株式会社 | Filter, branching filter, and communication apparatus |
| WO2019065861A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | Multiplexer, high-frequency front-end circuit, and communication device |
| KR20220138252A (en) * | 2021-04-05 | 2022-10-12 | (주)와이솔 | Surface acoustic wave filter |
-
1996
- 1996-11-14 JP JP8303197A patent/JPH10145183A/en active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009212572A (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Elastic wave resonator, and ladder filter |
| WO2016121818A1 (en) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 京セラ株式会社 | Filter, branching filter, and communication apparatus |
| JPWO2016121818A1 (en) * | 2015-01-27 | 2017-04-27 | 京セラ株式会社 | Filter, duplexer and communication device |
| CN107210730A (en) * | 2015-01-27 | 2017-09-26 | 京瓷株式会社 | Filters, splitters and communication devices |
| US10367473B2 (en) | 2015-01-27 | 2019-07-30 | Kyocera Corporation | Filter, multiplexer, and communication apparatus |
| WO2019065861A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | Multiplexer, high-frequency front-end circuit, and communication device |
| KR20200036026A (en) * | 2017-09-29 | 2020-04-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Multiplexer, high frequency front end circuit and communication device |
| CN111164888A (en) * | 2017-09-29 | 2020-05-15 | 株式会社村田制作所 | Multiplexer, high-frequency front-end circuit and communication device |
| JPWO2019065861A1 (en) * | 2017-09-29 | 2020-10-22 | 株式会社村田製作所 | Multiplexer, high frequency front end circuit and communication equipment |
| US11245384B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-02-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multiplexer, radio-frequency front end circuit, and communication device |
| CN111164888B (en) * | 2017-09-29 | 2023-09-12 | 株式会社村田制作所 | Multiplexers, high-frequency front-end circuits and communications devices |
| KR20220138252A (en) * | 2021-04-05 | 2022-10-12 | (주)와이솔 | Surface acoustic wave filter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3243976B2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JP3233087B2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JP3139225B2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JP3301399B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| US7915976B2 (en) | Surface acoustic wave resonator and ladder-type filter | |
| JP2020123819A (en) | Elastic wave filter | |
| JPH08265087A (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JP3228223B2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JP3255128B2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| WO2021002321A1 (en) | Elastic wave filter and multiplexer | |
| JP3419339B2 (en) | Surface acoustic wave filters, duplexers, communication equipment | |
| JP2002111442A (en) | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter using the same | |
| JP4544157B2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| KR100352393B1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP4014630B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP2002232264A (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JPH11340774A (en) | Surface acoustic wave filter | |
| US8339221B2 (en) | Elastic wave filter device having narrow-pitch electrode finger portions | |
| WO2022091582A1 (en) | Elastic wave filter | |
| JPH10261935A (en) | Surface acoustic wave element | |
| JP2001230657A (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JP4003511B2 (en) | Longitudinal coupled resonator type surface acoustic wave device | |
| JP3780496B2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JP3298538B2 (en) | Edge reflection vertical coupling type SAW resonator filter | |
| CN120691856A (en) | Multimode filters, filters, and multiplexers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081004 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081004 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091004 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101004 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |