JPH10147068A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH10147068A JPH10147068A JP8324782A JP32478296A JPH10147068A JP H10147068 A JPH10147068 A JP H10147068A JP 8324782 A JP8324782 A JP 8324782A JP 32478296 A JP32478296 A JP 32478296A JP H10147068 A JPH10147068 A JP H10147068A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実効照射スポット径を小さくすることで高密
度で記録再生可能とし、しかも、連続繰り返しスチル再
生の特性も向上させることができる光記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 光透過性の樹脂基板2上に、光記録再生
に用いられるレーザ光の波長に対して、閾値より低い温
度では吸収を有し、閾値以上の温度では吸光度が減少し
て透過率が増加し、更に閾値より低い温度に冷却される
と吸光度が増加して元の状態に戻るサーモクロミック層
3と、反射層4とを少なくとも設けた光記録媒体におい
て、前記サーモクロミック層の光照射前の吸光度を、記
録再生に使用する前記レーザ光の波長に対して1.2a
bsから2.5absの範囲にあるように設定する。こ
れにより、実効照射スポット径を小さくして高密度記録
再生を可能とし、また、スチル再生時の特性の向上も図
る。
度で記録再生可能とし、しかも、連続繰り返しスチル再
生の特性も向上させることができる光記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 光透過性の樹脂基板2上に、光記録再生
に用いられるレーザ光の波長に対して、閾値より低い温
度では吸収を有し、閾値以上の温度では吸光度が減少し
て透過率が増加し、更に閾値より低い温度に冷却される
と吸光度が増加して元の状態に戻るサーモクロミック層
3と、反射層4とを少なくとも設けた光記録媒体におい
て、前記サーモクロミック層の光照射前の吸光度を、記
録再生に使用する前記レーザ光の波長に対して1.2a
bsから2.5absの範囲にあるように設定する。こ
れにより、実効照射スポット径を小さくして高密度記録
再生を可能とし、また、スチル再生時の特性の向上も図
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度に記録可能
な光記録媒体に係り、特に、照射光強度によって透過率
が変化するサーモクロミック物質からなる材料を含む層
を有し、照射スポットの実効スポット径を小さくして高
密度な記録再生を行なうことができる光記録媒体に関す
る。
な光記録媒体に係り、特に、照射光強度によって透過率
が変化するサーモクロミック物質からなる材料を含む層
を有し、照射スポットの実効スポット径を小さくして高
密度な記録再生を行なうことができる光記録媒体に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、光ディスク等の光記録媒体の大容
量化が検討され、種々の提案がなされている。例えば大
容量化のためにトラックピッチを詰めること、記録再生
に使用するレーザ光の波長を短くすること、または対物
レンズの開口数を大きくすることなどが研究されてい
る。ディスクに対して情報の読み書きに使用する短波長
のレーザ光としては近年、非線形光学素子を用いたSH
G(Second Harmonic Generat
or)を用いることが検討されている。例えば800ナ
ノメートルのレーザ光からSHG素子を用いて第2高調
波である400ナノメートルの光を取り出して使用する
ことなどが研究されているが、変換効率、価格、安定性
などの面から実用に供することのできるレベルに至って
いないのが現状である。また、短波長化した400〜5
00ナノメートルの青緑〜青紫光の半導体レーザも盛ん
に研究されているが、最近になって室温発振が可能にな
った段階であり、出力や安定性などの面から実用に供す
ることのできるレベルに至っていないのが現状である。
量化が検討され、種々の提案がなされている。例えば大
容量化のためにトラックピッチを詰めること、記録再生
に使用するレーザ光の波長を短くすること、または対物
レンズの開口数を大きくすることなどが研究されてい
る。ディスクに対して情報の読み書きに使用する短波長
のレーザ光としては近年、非線形光学素子を用いたSH
G(Second Harmonic Generat
or)を用いることが検討されている。例えば800ナ
ノメートルのレーザ光からSHG素子を用いて第2高調
波である400ナノメートルの光を取り出して使用する
ことなどが研究されているが、変換効率、価格、安定性
などの面から実用に供することのできるレベルに至って
いないのが現状である。また、短波長化した400〜5
00ナノメートルの青緑〜青紫光の半導体レーザも盛ん
に研究されているが、最近になって室温発振が可能にな
った段階であり、出力や安定性などの面から実用に供す
ることのできるレベルに至っていないのが現状である。
【0003】現在実用可能なレーザとして広く用いられ
ている半導体レーザ光は、約690〜635ナノメート
ルが限度である。また、高開口数レンズを光ディスク用
に組み込むことは焦点深度の問題や、ディスクの物理的
精度(例えば厚み、反り、面ぶれなど)が厳しくなるな
どの理由から実用可能なレベルはせいぜい開口数NAが
0.6である。このように波長が690〜635ナノメ
ートルのレーザ光を用い、開口数NAが0.6のレンズ
を用いたとしても、記録密度はCD(コンパクトディス
ク)の約4倍程度まで向上できるのが限界である。
ている半導体レーザ光は、約690〜635ナノメート
ルが限度である。また、高開口数レンズを光ディスク用
に組み込むことは焦点深度の問題や、ディスクの物理的
精度(例えば厚み、反り、面ぶれなど)が厳しくなるな
どの理由から実用可能なレベルはせいぜい開口数NAが
0.6である。このように波長が690〜635ナノメ
ートルのレーザ光を用い、開口数NAが0.6のレンズ
を用いたとしても、記録密度はCD(コンパクトディス
ク)の約4倍程度まで向上できるのが限界である。
【0004】そこで、更なる高密度な情報の記録再生技
術に関して、光学的情報記録媒体の実効的照射スポット
径を小さくすることで今までは記録再生することができ
なかった高密度な光情報の記録再生(いわゆるディスク
超解像)についても種々研究開発がなされている。その
一例として、サーモクロミック物質を使用してディスク
超解像を実現する光記録媒体が特開平7−182693
号公報や特開平7−311978号公報等に開示されて
いる。この技術においては、レーザ光が照射されること
によって、サーモクロミック層の照射部分の中央部分の
みが温度上昇によって部分的に光透過性になるのでこの
現象を利用して、実効的照射スポット径を小さくし、こ
れにより今までは記録再生することができなかった高密
度の記録再生を可能としている。
術に関して、光学的情報記録媒体の実効的照射スポット
径を小さくすることで今までは記録再生することができ
なかった高密度な光情報の記録再生(いわゆるディスク
超解像)についても種々研究開発がなされている。その
一例として、サーモクロミック物質を使用してディスク
超解像を実現する光記録媒体が特開平7−182693
号公報や特開平7−311978号公報等に開示されて
いる。この技術においては、レーザ光が照射されること
によって、サーモクロミック層の照射部分の中央部分の
みが温度上昇によって部分的に光透過性になるのでこの
現象を利用して、実効的照射スポット径を小さくし、こ
れにより今までは記録再生することができなかった高密
度の記録再生を可能としている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サーモ
クロミック物質を使用してディスク超解像を実現する光
記録媒体では、ディスクを回転しながら同じ場所(同一
トラック)を繰り返しレーザ光で照射して再生する、い
わゆるスチル再生を行なうと、温度によって透過率が変
化するサーモクロミック物質が、元の透過率(着色状
態)に完全に戻る前に繰り返しレーザ光が照射されるこ
とになる。このため、連続して繰り返しレーザ光を照射
するスチル再生回数が増加すると、元の透過率に戻らな
くなる結果、光透過性部分のサイズが大きくなってしま
い、それに伴って実効的スポット径を小さくするという
効果(マスク効果)が減少するという問題点があった。
本発明は、上記のごとき問題点を解決するためになされ
たものであって、本発明の目的は、光が照射されること
によって、照射部分の中央部分のみが温度上昇によって
部分的に光透過性になることを利用して、実効照射スポ
ット径を小さくし、これにより、今までは記録再生でき
なかった高密度化記録された媒体を記録再生可能とする
ことができるようになり、しかも、連続繰り返しスチル
再生に関しても十分な安定性を有する光記録媒体を提供
することにある。
クロミック物質を使用してディスク超解像を実現する光
記録媒体では、ディスクを回転しながら同じ場所(同一
トラック)を繰り返しレーザ光で照射して再生する、い
わゆるスチル再生を行なうと、温度によって透過率が変
化するサーモクロミック物質が、元の透過率(着色状
態)に完全に戻る前に繰り返しレーザ光が照射されるこ
とになる。このため、連続して繰り返しレーザ光を照射
するスチル再生回数が増加すると、元の透過率に戻らな
くなる結果、光透過性部分のサイズが大きくなってしま
い、それに伴って実効的スポット径を小さくするという
効果(マスク効果)が減少するという問題点があった。
本発明は、上記のごとき問題点を解決するためになされ
たものであって、本発明の目的は、光が照射されること
によって、照射部分の中央部分のみが温度上昇によって
部分的に光透過性になることを利用して、実効照射スポ
ット径を小さくし、これにより、今までは記録再生でき
なかった高密度化記録された媒体を記録再生可能とする
ことができるようになり、しかも、連続繰り返しスチル
再生に関しても十分な安定性を有する光記録媒体を提供
することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、各種のサー
モクロミック層を有する光ディスクを作製し、同一トラ
ックを繰り返し再生するスチル再生特性について鋭意検
討した結果、照射されるレーザ波長におけるサーモクロ
ミック層の吸光度がスチル再生特性(すなわち、同一場
所に繰り返し照射されるレーザ光によってそこに生じる
蓄熱)に大きく関与し、照射されるレーザ波長における
サーモクロミック層の吸光度が1.2abs以上で2.
5abs以下、好ましくは1.5abs以上で2.2a
bs以下の時、連続スチル再生を行なっても実効スポッ
ト径を小さく保ち、且つ十分な安定性を有することを見
い出したことにより、本発明に至ったものである。
モクロミック層を有する光ディスクを作製し、同一トラ
ックを繰り返し再生するスチル再生特性について鋭意検
討した結果、照射されるレーザ波長におけるサーモクロ
ミック層の吸光度がスチル再生特性(すなわち、同一場
所に繰り返し照射されるレーザ光によってそこに生じる
蓄熱)に大きく関与し、照射されるレーザ波長における
サーモクロミック層の吸光度が1.2abs以上で2.
5abs以下、好ましくは1.5abs以上で2.2a
bs以下の時、連続スチル再生を行なっても実効スポッ
ト径を小さく保ち、且つ十分な安定性を有することを見
い出したことにより、本発明に至ったものである。
【0007】本発明は、光透過性基板上に、サーモクロ
ミック層と、反射層とを少なくとも設けた光記録媒体に
おいて、前記サーモクロミック層は、光記録再生に用い
られるレーザ光の波長に対して、閾値より低い温度では
吸収を有し、閾値以上の温度では吸光度が減少して透過
率が増加し、更に閾値より低い温度に冷却されると吸光
度が増加して元の状態に戻る性質を有し、且つ前記レー
ザ光照射前の吸光度は、前記レーザ光の波長に対して
1.2absから2.5absの範囲となるように設定
したものである。これにより、スチル再生を連続的に行
なっても実効的照射スポット径が大きくなることはな
く、マスク効果を高く維持することができ、良好なスチ
ル再生特性を得ることができる。特に、光透過性基板と
サーモクロミック層との間、またはサーモクロミック層
と反射層との間、或いはこれらの両方に透明無機物質か
らなる放熱層を設けることにより、サーモクロミック層
の放熱効率を高めることができる。従って、この場合に
は、スチル特性を更に高く維持することができる。
ミック層と、反射層とを少なくとも設けた光記録媒体に
おいて、前記サーモクロミック層は、光記録再生に用い
られるレーザ光の波長に対して、閾値より低い温度では
吸収を有し、閾値以上の温度では吸光度が減少して透過
率が増加し、更に閾値より低い温度に冷却されると吸光
度が増加して元の状態に戻る性質を有し、且つ前記レー
ザ光照射前の吸光度は、前記レーザ光の波長に対して
1.2absから2.5absの範囲となるように設定
したものである。これにより、スチル再生を連続的に行
なっても実効的照射スポット径が大きくなることはな
く、マスク効果を高く維持することができ、良好なスチ
ル再生特性を得ることができる。特に、光透過性基板と
サーモクロミック層との間、またはサーモクロミック層
と反射層との間、或いはこれらの両方に透明無機物質か
らなる放熱層を設けることにより、サーモクロミック層
の放熱効率を高めることができる。従って、この場合に
は、スチル特性を更に高く維持することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る光記録媒体
の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発
明に係る光記録媒体を示す部分拡大断面図である。本実
施例では、本発明を光記録媒体としての光ディスクに適
用した場合を例にとって説明する。図1においてこの光
記録媒体としての光ディスク1は、表面にピットやグル
ーブの形成された光透過性の樹脂基板2を有し、この上
に、サーモクロミック層3、金属膜よりなる反射層4及
び保護層5を順次積層して構成されている。同図中、矢
印は記録再生に用いられるレーザ光が照射される方向を
示す。
の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発
明に係る光記録媒体を示す部分拡大断面図である。本実
施例では、本発明を光記録媒体としての光ディスクに適
用した場合を例にとって説明する。図1においてこの光
記録媒体としての光ディスク1は、表面にピットやグル
ーブの形成された光透過性の樹脂基板2を有し、この上
に、サーモクロミック層3、金属膜よりなる反射層4及
び保護層5を順次積層して構成されている。同図中、矢
印は記録再生に用いられるレーザ光が照射される方向を
示す。
【0009】本発明による光記録媒体1は、再生専用型
及び記録再生型のいずれにおいても適用可能である。光
透過性の樹脂基板2はポリカーボネイト樹脂、ポリメタ
クリル酸エステル樹脂、エポキシ樹脂など通常に光ディ
スクの基板として用いられるものが使用可能である。樹
脂基板2上には、再生専用型の場合はピットが、記録可
能の場合はグルーブが形成されて記録面を形成してい
る。ピットやグルーブの形成方法に関しては、特に制限
はなく通常の方法で形成される。
及び記録再生型のいずれにおいても適用可能である。光
透過性の樹脂基板2はポリカーボネイト樹脂、ポリメタ
クリル酸エステル樹脂、エポキシ樹脂など通常に光ディ
スクの基板として用いられるものが使用可能である。樹
脂基板2上には、再生専用型の場合はピットが、記録可
能の場合はグルーブが形成されて記録面を形成してい
る。ピットやグルーブの形成方法に関しては、特に制限
はなく通常の方法で形成される。
【0010】光透過性の樹脂基板2の上にはサーモクロ
ミック層3を設ける。このサーモクロミック層3は、サ
ーモクロミック物質よりなり、光記録再生に用いられる
レーザ光の波長に対して、閾値より低い温度では吸収度
が大であるから透過率は低く、閾値以上の温度で吸光度
が減少して透過率が増加し、更に閾値より低い温度に冷
却されると再び吸光度が増加して透過率は低くなり元の
状態に戻るという可逆的な性質を有する。一方、サーモ
クロミック層3に使用レーザの波長に対して吸収がある
と、光照射によってサーモクロミック層3の温度が上昇
することになる。すなわち、温度に対するサーモクロミ
ック層の透過率の変化が図2に示すような特性を持てば
透過率変化点P1以上の温度に加熱された部分のみが透
過率が高くなり、それ以外の部分は吸光度が保持されて
透過率は低いままである。ここで、温度は、光強度に略
比例するものであり、図2においては横軸を光強度とし
て表している。また、透過率変化点P1における光強度
をIsとしている。このことによって、照射される光ス
ポット径を実質的に縮小する効果を発揮することができ
る。
ミック層3を設ける。このサーモクロミック層3は、サ
ーモクロミック物質よりなり、光記録再生に用いられる
レーザ光の波長に対して、閾値より低い温度では吸収度
が大であるから透過率は低く、閾値以上の温度で吸光度
が減少して透過率が増加し、更に閾値より低い温度に冷
却されると再び吸光度が増加して透過率は低くなり元の
状態に戻るという可逆的な性質を有する。一方、サーモ
クロミック層3に使用レーザの波長に対して吸収がある
と、光照射によってサーモクロミック層3の温度が上昇
することになる。すなわち、温度に対するサーモクロミ
ック層の透過率の変化が図2に示すような特性を持てば
透過率変化点P1以上の温度に加熱された部分のみが透
過率が高くなり、それ以外の部分は吸光度が保持されて
透過率は低いままである。ここで、温度は、光強度に略
比例するものであり、図2においては横軸を光強度とし
て表している。また、透過率変化点P1における光強度
をIsとしている。このことによって、照射される光ス
ポット径を実質的に縮小する効果を発揮することができ
る。
【0011】このようなサーモクロミック層3を設けた
場合に、図3のように正規分布状の強度分布をもつレー
ザ光の光スポットを照射したとき、この層を透過した光
は図3中の強度分布曲線に対応させて記載した光スポッ
トのように照射スポット径L1よりも小さな実効スポッ
ト径L2となり、実質的に縮小されたスポットとなる。
従って、高密度情報の記録や再生を可能にすることがで
きる。尚、この時の実効照射スポット径L2は、透過率
変化点P1の光強度Isに依存する。サーモクロミック
物質としては、上記の性質を有したものを種々用いるこ
とができるが、例えば電子供与性呈色化合物と電子受容
性顕色材、有極性化合物の混合系または電子供与性呈色
化合物とフェノール系顕色材の混合物などがあげられ
る。電子供与性呈色化合物としては、フルオラン系化合
物、スピロピラン系化合物、フタリド系化合物、ラクタ
ム系化合物などをあげることができる。
場合に、図3のように正規分布状の強度分布をもつレー
ザ光の光スポットを照射したとき、この層を透過した光
は図3中の強度分布曲線に対応させて記載した光スポッ
トのように照射スポット径L1よりも小さな実効スポッ
ト径L2となり、実質的に縮小されたスポットとなる。
従って、高密度情報の記録や再生を可能にすることがで
きる。尚、この時の実効照射スポット径L2は、透過率
変化点P1の光強度Isに依存する。サーモクロミック
物質としては、上記の性質を有したものを種々用いるこ
とができるが、例えば電子供与性呈色化合物と電子受容
性顕色材、有極性化合物の混合系または電子供与性呈色
化合物とフェノール系顕色材の混合物などがあげられ
る。電子供与性呈色化合物としては、フルオラン系化合
物、スピロピラン系化合物、フタリド系化合物、ラクタ
ム系化合物などをあげることができる。
【0012】反射層4は、一般に光ディスクで用いられ
る金属反射層と同様のものであり、金、アルミニウムな
どの金属や合金の薄膜で形成される。反射層4上には媒
体の保護の目的で必要に応じて保護層5を設けるように
してもよい。この保護層5は、紫外線硬化樹脂をスピン
コート法によって設けることで簡単に形成することがで
きる。ここで、本発明においては、上記サーモクロミッ
ク層3に関しては、照射されるレーザ光の波長における
サーモクロミック層3の吸光度が1.2abs〜2.5
absの範囲内、好ましくは1.5abs〜2.2ab
sの範囲内となるように設定されている。これにより、
連続スチル再生を行なってもマスク効果を低減させるこ
となく実効スポット径を小さく保ち、且つ十分な安定性
を持つことができた。
る金属反射層と同様のものであり、金、アルミニウムな
どの金属や合金の薄膜で形成される。反射層4上には媒
体の保護の目的で必要に応じて保護層5を設けるように
してもよい。この保護層5は、紫外線硬化樹脂をスピン
コート法によって設けることで簡単に形成することがで
きる。ここで、本発明においては、上記サーモクロミッ
ク層3に関しては、照射されるレーザ光の波長における
サーモクロミック層3の吸光度が1.2abs〜2.5
absの範囲内、好ましくは1.5abs〜2.2ab
sの範囲内となるように設定されている。これにより、
連続スチル再生を行なってもマスク効果を低減させるこ
となく実効スポット径を小さく保ち、且つ十分な安定性
を持つことができた。
【0013】すなわち、サーモクロミック層3に使用さ
れるサーモクロミック物質は、温度が低い状態では照射
されるレーザ光の波長領域に吸収を持つ着色状態と、温
度が高い状態ではレーザ光の波長領域に吸収がない透明
状態との間を可逆的に変化する物質である。レーザ光に
照射されて温度が上昇し、着色状態から透明状態に変化
したサーモクロミック物質が、レーザ光の照射が無くな
り温度が下降して元の着色状態に可逆的に戻るには、あ
る一定の時間を要する。光ディスクのスチル再生の場合
には、同一トラックを一周するのに要する時間は数ミリ
秒から数十ミリ秒程度であり、その短い時間内にレーザ
照射によって昇温したサーモクロミック層は元の温度に
戻りきれない。すなわち、スチル再生では熱が蓄積され
た状態でディスクが1回転して次のレーザ光が照射され
ることになるため、スチル再生中に徐々にサーモクロミ
ック層の温度が上昇し、その結果、光透過性部分のサイ
ズが次第に大きくなり、実効照射スポット径L2を小さ
くするという効果(マスク効果)が小さくなってしま
う。このマスク効果は、サーモクロミック層の吸光度が
1.2absより小さくても出現するが、同一トラック
を繰り返し再生するスチル再生では、繰り返し回数が増
加するに連れて周波数特性(f特)が急激に悪くなる。
れるサーモクロミック物質は、温度が低い状態では照射
されるレーザ光の波長領域に吸収を持つ着色状態と、温
度が高い状態ではレーザ光の波長領域に吸収がない透明
状態との間を可逆的に変化する物質である。レーザ光に
照射されて温度が上昇し、着色状態から透明状態に変化
したサーモクロミック物質が、レーザ光の照射が無くな
り温度が下降して元の着色状態に可逆的に戻るには、あ
る一定の時間を要する。光ディスクのスチル再生の場合
には、同一トラックを一周するのに要する時間は数ミリ
秒から数十ミリ秒程度であり、その短い時間内にレーザ
照射によって昇温したサーモクロミック層は元の温度に
戻りきれない。すなわち、スチル再生では熱が蓄積され
た状態でディスクが1回転して次のレーザ光が照射され
ることになるため、スチル再生中に徐々にサーモクロミ
ック層の温度が上昇し、その結果、光透過性部分のサイ
ズが次第に大きくなり、実効照射スポット径L2を小さ
くするという効果(マスク効果)が小さくなってしま
う。このマスク効果は、サーモクロミック層の吸光度が
1.2absより小さくても出現するが、同一トラック
を繰り返し再生するスチル再生では、繰り返し回数が増
加するに連れて周波数特性(f特)が急激に悪くなる。
【0014】これに対して、本発明のようにサーモクロ
ミック層の吸光度が1.2abs以上であると、スチル
回数が増加しても周波数特性(f特)は全く変化しない
か、もしくは周波数特性劣化を著しく小さくすることが
できる。これはサーモクロミック層の吸光度が大きい
と、スチル再生の繰り返しによる実効スポット径L2の
サイズの広がりを抑制する効果があるためと考えられ
る。また、サーモクロミック層3の光吸収が大きすぎる
と、照射されるレーザ光がほとんど吸収されてしまうの
で、反射光を得るためにはかなりのレーザパワーを必要
とし、更にサーモクロミック層3の膜厚も厚くなるため
に光透過性の樹脂基板に形成されたピット、またはグル
ーブの形状を追従し難くなり、ディスク再生時のトラッ
キングなどが不安定になる。そのため、サーモクロミッ
ク層の吸光度は2.5abs以下でなければならない。
ミック層の吸光度が1.2abs以上であると、スチル
回数が増加しても周波数特性(f特)は全く変化しない
か、もしくは周波数特性劣化を著しく小さくすることが
できる。これはサーモクロミック層の吸光度が大きい
と、スチル再生の繰り返しによる実効スポット径L2の
サイズの広がりを抑制する効果があるためと考えられ
る。また、サーモクロミック層3の光吸収が大きすぎる
と、照射されるレーザ光がほとんど吸収されてしまうの
で、反射光を得るためにはかなりのレーザパワーを必要
とし、更にサーモクロミック層3の膜厚も厚くなるため
に光透過性の樹脂基板に形成されたピット、またはグル
ーブの形状を追従し難くなり、ディスク再生時のトラッ
キングなどが不安定になる。そのため、サーモクロミッ
ク層の吸光度は2.5abs以下でなければならない。
【0015】すなわち、種々のディスクを形成して実験
を行なった結果、サーモクロミック層3の吸光度が1.
2absよりも小さいと、スチル再生の繰り返し回数が
増加するにつれて周波数特性が急激に劣化し、また、吸
光度が2.5absよりも大きいと反射光を十分に検出
できなくなってトラッキング等が不安定になってしまっ
た。従って、サーモクロミック層3の吸光度は1.2a
bs〜2.5absの範囲内に設定する。特に、吸光度
を1.5absから2.2absの範囲内に設定するの
が、特性上最も好ましかった。
を行なった結果、サーモクロミック層3の吸光度が1.
2absよりも小さいと、スチル再生の繰り返し回数が
増加するにつれて周波数特性が急激に劣化し、また、吸
光度が2.5absよりも大きいと反射光を十分に検出
できなくなってトラッキング等が不安定になってしまっ
た。従って、サーモクロミック層3の吸光度は1.2a
bs〜2.5absの範囲内に設定する。特に、吸光度
を1.5absから2.2absの範囲内に設定するの
が、特性上最も好ましかった。
【0016】また、図4に示すように光透過性の樹脂基
板2とサーモクロミック層3との間、またはサーモクロ
ミック層3と反射層4の間に透明無機物質からなる放熱
層6、7を設けたり、または前記光透過性基板とサーモ
クロミック層3の間及び前記サーモクロミック層3と前
記反射層4の間の両方に透明無機物質からなる放熱層
6、7を設けることで、サーモクロミック層3に蓄積さ
れた熱を効率的に放熱させることができ、これによりマ
スク効果の低減を防止して更に周波数特性の劣化を抑制
することができる。尚、図示例においては、2つの放熱
層6、7を設けた場合を示している。同図中、矢印は記
録再生に用いられるレーザ光が照射される方向を示す。
透明無機物質からなる上記放熱層6、7は、金属酸化
物、非金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属硫化物のう
ちいずれかによって形成するのがよく、例えば二酸化珪
素、酸化セリウム、フッ化マグネシウム、硫化亜鉛など
をあげることができる。これらの放熱層6、7は、樹脂
基板2の材質よりも熱伝導性の高いものであることが好
ましく、サーモクロミック層3に蓄積された熱をより速
く逃すことができる。
板2とサーモクロミック層3との間、またはサーモクロ
ミック層3と反射層4の間に透明無機物質からなる放熱
層6、7を設けたり、または前記光透過性基板とサーモ
クロミック層3の間及び前記サーモクロミック層3と前
記反射層4の間の両方に透明無機物質からなる放熱層
6、7を設けることで、サーモクロミック層3に蓄積さ
れた熱を効率的に放熱させることができ、これによりマ
スク効果の低減を防止して更に周波数特性の劣化を抑制
することができる。尚、図示例においては、2つの放熱
層6、7を設けた場合を示している。同図中、矢印は記
録再生に用いられるレーザ光が照射される方向を示す。
透明無機物質からなる上記放熱層6、7は、金属酸化
物、非金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属硫化物のう
ちいずれかによって形成するのがよく、例えば二酸化珪
素、酸化セリウム、フッ化マグネシウム、硫化亜鉛など
をあげることができる。これらの放熱層6、7は、樹脂
基板2の材質よりも熱伝導性の高いものであることが好
ましく、サーモクロミック層3に蓄積された熱をより速
く逃すことができる。
【0017】次に、実際に形成された本発明の光ディス
クの実施例と比較例について説明する。 <実施例1>サーモクロミック層に電子供与性呈色化合
物としてGN−169(山本化成製)を用い、顕色材と
してビスフェノールAを用いた本発明の実施例1につい
て説明する。コンパクトディスク(CD)の4倍の密度
で、信号が微小なピットとして設けられているポリカー
ボネイト樹脂基板を射出形成し、この上に、電子供与性
呈色化合物としてGN−169(山本化成製)を、顕色
材としてビスフェノールAを真空共蒸着法によって成膜
し、モニター上で上記材料が約1:2の比率で膜厚が9
00ナノメートルとなるようなサーモクロミック層を形
成した。このサーモクロミック層を紫外可視分光光時計
(島津製作所製UV−PC3101)により波長680
ナノメートルにおける吸光度を測定すると1.87ab
sであった。次に、このサーモクロミック層の上に反射
層としてアルミニウムを真空スパッタリング法にて約7
0ナノメートルの厚さに形成した。更に、保護層として
紫外線硬化樹脂SD−17(大日本インキ製)を約7ミ
クロンメートルの厚さで形成し、光ディスクを作製し
た。
クの実施例と比較例について説明する。 <実施例1>サーモクロミック層に電子供与性呈色化合
物としてGN−169(山本化成製)を用い、顕色材と
してビスフェノールAを用いた本発明の実施例1につい
て説明する。コンパクトディスク(CD)の4倍の密度
で、信号が微小なピットとして設けられているポリカー
ボネイト樹脂基板を射出形成し、この上に、電子供与性
呈色化合物としてGN−169(山本化成製)を、顕色
材としてビスフェノールAを真空共蒸着法によって成膜
し、モニター上で上記材料が約1:2の比率で膜厚が9
00ナノメートルとなるようなサーモクロミック層を形
成した。このサーモクロミック層を紫外可視分光光時計
(島津製作所製UV−PC3101)により波長680
ナノメートルにおける吸光度を測定すると1.87ab
sであった。次に、このサーモクロミック層の上に反射
層としてアルミニウムを真空スパッタリング法にて約7
0ナノメートルの厚さに形成した。更に、保護層として
紫外線硬化樹脂SD−17(大日本インキ製)を約7ミ
クロンメートルの厚さで形成し、光ディスクを作製し
た。
【0018】上記光ディスクを、波長が680ナノメー
トルの半導体レーザを搭載したプレーヤで再生したとこ
ろ、最短ピットの再生振幅と、最長ピットの再生振幅の
比率は、図5に示すように初期において83%であった
ものが5000回スチル再生した後においても70%で
あり、良好な結果を得ることができた。尚、この時の再
生条件は線速度CLVが3m/s、回転数が1000r
pm、再生パワーが約3.0mWであった。
トルの半導体レーザを搭載したプレーヤで再生したとこ
ろ、最短ピットの再生振幅と、最長ピットの再生振幅の
比率は、図5に示すように初期において83%であった
ものが5000回スチル再生した後においても70%で
あり、良好な結果を得ることができた。尚、この時の再
生条件は線速度CLVが3m/s、回転数が1000r
pm、再生パワーが約3.0mWであった。
【0019】<実施例2>次に、光透過性の樹脂基板と
サーモクロミック層との間に透明無機物質からなる放熱
層を設けた実施例2について説明する。コンパクトディ
スクの4倍の密度で、信号が微小なピットとして設けら
れているポリカーボネイト樹脂基板を射出成形し、この
上に無機物質としてフッ化マグネシウムを真空蒸着法に
よって25ナノメートル形成して、放熱層とした。この
上に電子供与性呈色化合物としてGN−169(山本化
成製)を、顕色材としてビスフェノールAを真空共蒸着
法によって成膜し、モニター上で上記材料が約1:2の
比率で膜厚が900ナノメートルとなるようなサーモク
ロミック層を形成した。波長680ナノメートルにおけ
る吸光度を測定すると1.83absであった。以下、
実施例1と同様の方法で反射膜、保護膜を形成し、光デ
ィスクを作製した。上記光ディスクを、波長が680ナ
ノメートルの半導体レーザを搭載したプレーヤで再生し
たところ、最短ピットの再生振幅と、最長ピットの再生
振幅の比率は、図5に示すように初期において81%で
あったものが5000回スチル再生した後においても7
8%であり、実施例1よりも良好な結果を得ることがで
きた。尚、この時の再生条件は線速度CLVが3m/
s,回転数が1000rpm,再生パワーが約3.0m
Wであった。
サーモクロミック層との間に透明無機物質からなる放熱
層を設けた実施例2について説明する。コンパクトディ
スクの4倍の密度で、信号が微小なピットとして設けら
れているポリカーボネイト樹脂基板を射出成形し、この
上に無機物質としてフッ化マグネシウムを真空蒸着法に
よって25ナノメートル形成して、放熱層とした。この
上に電子供与性呈色化合物としてGN−169(山本化
成製)を、顕色材としてビスフェノールAを真空共蒸着
法によって成膜し、モニター上で上記材料が約1:2の
比率で膜厚が900ナノメートルとなるようなサーモク
ロミック層を形成した。波長680ナノメートルにおけ
る吸光度を測定すると1.83absであった。以下、
実施例1と同様の方法で反射膜、保護膜を形成し、光デ
ィスクを作製した。上記光ディスクを、波長が680ナ
ノメートルの半導体レーザを搭載したプレーヤで再生し
たところ、最短ピットの再生振幅と、最長ピットの再生
振幅の比率は、図5に示すように初期において81%で
あったものが5000回スチル再生した後においても7
8%であり、実施例1よりも良好な結果を得ることがで
きた。尚、この時の再生条件は線速度CLVが3m/
s,回転数が1000rpm,再生パワーが約3.0m
Wであった。
【0020】〈比較例1〉次に、比較例1として、実施
例1において使用しコンパクトディスクの4倍の密度
で、信号が微小なピットとして設けられているポリカー
ボネイト樹脂基板を射出成形し、この上にサーモクロミ
ック層を設けずに直接、実施例1と同様な方法で反射
膜、保護層を形成して光ディスクを作製した。上記光デ
ィスクを、波長が680ナノメートルの半導体レーザを
搭載したプレーヤで再生したところ、照射レーザビーム
のスポット径を小さくする効果はなく、図5に示すよう
にスチル再生の初回より最短ピットの再生振幅と、最長
ピットの再生振幅の比率は、40%であり、好ましくな
い特性であった。尚、この時の再生条件は線速度CLV
が3m/s,回転数が1000rpm,再生パワーが約
1.0mWであった。
例1において使用しコンパクトディスクの4倍の密度
で、信号が微小なピットとして設けられているポリカー
ボネイト樹脂基板を射出成形し、この上にサーモクロミ
ック層を設けずに直接、実施例1と同様な方法で反射
膜、保護層を形成して光ディスクを作製した。上記光デ
ィスクを、波長が680ナノメートルの半導体レーザを
搭載したプレーヤで再生したところ、照射レーザビーム
のスポット径を小さくする効果はなく、図5に示すよう
にスチル再生の初回より最短ピットの再生振幅と、最長
ピットの再生振幅の比率は、40%であり、好ましくな
い特性であった。尚、この時の再生条件は線速度CLV
が3m/s,回転数が1000rpm,再生パワーが約
1.0mWであった。
【0021】〈比較例2〉次に、比較例2として、実施
例1において使用したコンパクトディスクの4倍の密度
で、信号が微小なピットとして設けられているポリカー
ボネイト樹脂基板を射出成形し、この上に電子供与性呈
色化合物としてGN−169(山本化成製)を、顕色材
としてビスフェノールAを真空共蒸着法によって成膜
し、モニター上で上記材料が約1:2の比率で膜厚が5
00ナノメートルとなるようなサーモクラック層を形成
した。波長680ナノメートルにおける吸光度を測定す
ると0.89absであった。以下、実施例1と同様の
方法で反射膜、保護膜を形成して光ディスクを作製し
た。
例1において使用したコンパクトディスクの4倍の密度
で、信号が微小なピットとして設けられているポリカー
ボネイト樹脂基板を射出成形し、この上に電子供与性呈
色化合物としてGN−169(山本化成製)を、顕色材
としてビスフェノールAを真空共蒸着法によって成膜
し、モニター上で上記材料が約1:2の比率で膜厚が5
00ナノメートルとなるようなサーモクラック層を形成
した。波長680ナノメートルにおける吸光度を測定す
ると0.89absであった。以下、実施例1と同様の
方法で反射膜、保護膜を形成して光ディスクを作製し
た。
【0022】上記光ディスクを、波長が680ナノメー
トルの半導体レーザを搭載したプレーヤで再生したとこ
ろ、最短ピットの再生振幅と、最長ピットの再生振幅の
比率は、図5に示すように初期において81%であった
ものが5000回スチル再生した後には40%にまで劣
化してしまい、好ましくない特性であった。尚、この時
の再生条件は線速度CLVが3m/s,回転数が100
0rpm,再生パワーが約3.0mWであった。
トルの半導体レーザを搭載したプレーヤで再生したとこ
ろ、最短ピットの再生振幅と、最長ピットの再生振幅の
比率は、図5に示すように初期において81%であった
ものが5000回スチル再生した後には40%にまで劣
化してしまい、好ましくない特性であった。尚、この時
の再生条件は線速度CLVが3m/s,回転数が100
0rpm,再生パワーが約3.0mWであった。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光記録媒体
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。記録再生のレーザ光に対する吸光度が1.2a
bsから2.5absの範囲となるサーモクロミック層
を用いることにより、実質的に記録再生スポット径(実
効照射スポット径)を縮小でき、高密度記録再生が可能
であると共に、スチル再生などの同一トラックの繰り返
し再生を行なっても信号特性の劣化が小さく、安定的に
良好な信号再生を行なうことが可能となる。また、樹脂
基板とサーモクロミック層との間、或いはこれと反射層
との間に透明無機物質からなる放熱層を設けることによ
り、スチル再生時における信号特性の劣化をより抑制す
ることができる。
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。記録再生のレーザ光に対する吸光度が1.2a
bsから2.5absの範囲となるサーモクロミック層
を用いることにより、実質的に記録再生スポット径(実
効照射スポット径)を縮小でき、高密度記録再生が可能
であると共に、スチル再生などの同一トラックの繰り返
し再生を行なっても信号特性の劣化が小さく、安定的に
良好な信号再生を行なうことが可能となる。また、樹脂
基板とサーモクロミック層との間、或いはこれと反射層
との間に透明無機物質からなる放熱層を設けることによ
り、スチル再生時における信号特性の劣化をより抑制す
ることができる。
【図1】本発明に係る光記録媒体を示す部分拡大断面図
である。
である。
【図2】光強度(温度)に対するサーモクロミック層の
透過率の変化を示すグラフである。
透過率の変化を示すグラフである。
【図3】照射レーザ光のスポット径の変化を説明するた
めの説明図である。
めの説明図である。
【図4】本発明の他の実施例を示す部分拡大断面図であ
る。
る。
【図5】本発明の実施例と比較例の評価を示すグラフで
ある。
ある。
1…光ディスク、2…樹脂基板(光透過性基板)、3…
サーモクロミック層、4…反射層、5…保護層、6,7
…放熱層、L1…照射スポット径、L2…実効照射スポ
ット径。
サーモクロミック層、4…反射層、5…保護層、6,7
…放熱層、L1…照射スポット径、L2…実効照射スポ
ット径。
Claims (2)
- 【請求項1】 光透過性基板上に、サーモクロミック層
と、反射層とを少なくとも設けた光記録媒体において、
前記サーモクロミック層は、光記録再生に用いられるレ
ーザ光の波長に対して、閾値より低い温度では吸収を有
し、閾値以上の温度では吸光度が減少して透過率が増加
し、更に閾値より低い温度に冷却されると吸光度が増加
して元の状態に戻る性質を有し、且つ前記レーザ光照射
前の吸光度は、前記レーザ光の波長に対して1.2ab
sから2.5absの範囲にあることを特徴とする光記
録媒体。 - 【請求項2】 前記光透過性基板と前記サーモクロミッ
ク層との間、または/及び前記サーモクロミック層と前
記反射層の間に透明無機物質からなる放熱層を設けたこ
とを特徴とする請求項1記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8324782A JPH10147068A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8324782A JPH10147068A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10147068A true JPH10147068A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=18169621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8324782A Pending JPH10147068A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10147068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002046352A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
-
1996
- 1996-11-20 JP JP8324782A patent/JPH10147068A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002046352A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
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