JPH07311978A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高密度に記録された情報の再生に適したマス
ク層を有する光記録媒体を提供する。 【構成】 マスク層３の光透過率が低い状態（吸光状
態）の時の光ディスク１，１１の光反射率が、光透過率
が最も高い状態（透明状態）の時の２分の１以下になる
ようにマスク層３を形成する。このようにすれば、照射
レーザ光に対してマスク効果が働いて良好な再生信号を
得ることが可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、情報を高密度に記録す
る光記録媒体に係わり、特に、レーザ光の光強度（また
は、光強度に応じた温度）によって光透過率が変化する
物質を含む層を用いることで、照射されるスポット光の
実効スポット径（情報記録部上に照射された実際のスポ
ット径）を小さくさせて高密度な情報の再生または記録
再生を行うものに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ディスク状、テープ状、カード状
等、光学的に情報を記録再生する光記録媒体があり、こ
れら光記録媒体においては、記憶容量の大容量化が検討
され、種々の提案が成されている。特に、光ディスクに
おいては最近ではコンパクトディスク（以下、ＣＤと記
載する）と同じくらいの大きさ（直径１２ｃｍのディス
ク）で片面約２時間の高画質なデジタルビデオ情報を記
録することが要求されている。この要求を満たすために
は、現行ＣＤの５乃至１０倍程度の記録密度が必要とさ
れる。

【０００３】一般に、光記録媒体においは、記録時のレ
ーザ光パワーを制御することによって、光スポット径よ
りも小さな記録マークを形成することが可能であるた
め、記録時の密度向上には原理上限界はない。しかし、
レーザ光をレンズで絞った時の光スポット径はある一定
値以下には絞れない限界値を持っており、光ディスクの
高密度化はいかに再生レーザ光スポットを小さくするか
にかかっている。ここで、再生限界の記録マークの繰り
返し波長（記録波長）は、λ／（２ＮＡ）（λは光の波
長、ＮＡはレンズの開口数）で与えられ、より短い記録
波長の記録マークを識別して再生するためには、波長λ
の短い光で再生するか開口数ＮＡが大きなレンズを用い
れば良いことが分かる。しかしながら再生に用いる半導
体レーザの短波長化は技術的に困難が多く、また開口数
ＮＡの大きなレンズを光ディスク装置に組み込むことも
容易ではない。

【０００４】そこで、図３に示すように、光の照射によ
る温度上昇により、温度が高くなると吸光度が減少、光
透過率が高くなり、また、レーザ光が通過して冷却され
ることで再び吸光度が増加、光透過率が低くなる光透過
率可変物質を光記録媒体内に層状に設けることで、情報
を高密度に記録、又は高密度に記録された情報を再生す
る方法が従来より知られている。情報記録再生に使用さ
れるレーザ光の光強度分布は、通常ガウス分布を示し、
温度分布もほぼこれに近い分布となる。このレーザ光を
光透過率可変物質上に照射すると、図４に示すように照
射スポット内の温度が上昇した中央部分Ａのみが光透過
性となり、光スポット内の他の部分Ｂはマスクする、い
わゆるマスク効果が起こる。この時、上記中央部分Ａを
透過するレーザ光の実効スポット径は図５に示すよう
に、照射レーザ光の照射スポット径に比べて小さくな
る。このようにマスク効果を起こす光透過率可変物質を
光ディスク上に層状に設ける（以下、この光透過率可変
物質層をマスク層と称する）ことで、照射するレーザ光
のスポット内の光透過率の高い部分のみの光を通過さ
せ、照射スポット内の光透過率の低い部分の光をマスク
することになるので、隣接トラック間のクロストーク
や、符号間干渉を無くすことができる。

【０００５】上記光透過率可変物質となる材料として
は、従来より一般に実用化されている多成分系サーモク
ロミック材料がある。この多成分系サーモクロミック材
料は、例えば特開昭５０−７５９９２号公報に開示され
るように電子供与性呈色化合物、電子受容性顕色剤、有
極性化合物の３成分で構成されるのが一般的である。ま
た、特願平５−３０５８８３号公報（平成５年１１月１
１日出願）に開示されるように光透過率可変物質とし
て、電子供与性呈色化合物と、沸点または昇華点を有す
る有機化合物から成る電子受容性顕色剤とを含有する色
素材料を用いたものも提案されている。上記電子受容性
顕色剤としては、ビスフェノール系顕色剤、又はヒドロ
キシナフタレン系顕色剤があり、具体的には、エーテル
系ビスフェノール、チオエーテル系ビスフェノール、ビ
スフェノールＳ、ビスフェノールＳ誘導体、ビスフェノ
ールＡ、ビスフェノールＡ誘導体、ジヒドロキシナフタ
レンがある。更に、特開平５−１２８５９２号公報や特
願平４−３３１０４８に開示されるように、照射される
光の強度に対し非線形的に光透過率が変化するフタロシ
アニンなどの材料を用いたものも提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記マスク
層を用いて高密度な情報の再生（または記録再生）を行
うには、照射スポット光内において良好なマスク効果を
起こすようにマスク層を形成する必要がある。良好なマ
スク効果を起こすためには、レーザ光が照射されること
で光吸収する部分と光透過する部分とをマスク層上に明
確に発生させる必要があるが、本発明者の実験によれ
ば、上述の公報で開示された材料を実際に光記録媒体上
に形成した場合、使用した物質の光学特性により、高密
度記録再生を可能とする効果が大きい場合、小さい場
合、ほとんど無い場合と様々な結果が得られている。マ
スク層を形成する場合、通常は、材料の吸光度（または
発色濃度）が高いものであれば、膜厚を薄く、逆に吸光
度（または発色濃度）が小さいものは膜厚を厚くするの
であるが、マスク層としての最適な形成条件（膜厚等）
を、使用する材料毎に検討する必要がある。しかし、物
質によって吸光度が異なるため、材料毎に形成条件を検
討することは容易ではなく、更に、レーザ光を出力する
光源の光出力や、トラッキングやフォーカシング等、ハ
ード側の条件についても考慮する必要があるため、マス
ク層材料の光学特性のみで決定することは難しい。

【０００７】そこで、本発明は上記の点に着目してなさ
れたものであり、高密度に記録された情報の再生（また
は記録再生）に適したマスク層を有する光記録媒体を提
供することを目的とするものである。その特徴は、マス
ク層を形成する際の条件を明確にしたことにより、マス
ク効果を良好に起こすようにしたことにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者の実験では、上
述の公報により開示されている物質は、光透過率の高い
状態では優れた透明性を有していることが判明してい
る。よって、良好なマスク効果を起こすマスク層を形成
するには、クロストークや符号間干渉を無くすための光
透過率の低い部分が、どの程度光をマスクするかという
問題になる。そこで、本発明者は、マスク層の膜厚に対
する吸光度と、その吸光度に応じて得られる再生信号と
の関係に着目して実験を行った結果、マスク層の光透過
率が低い状態（吸光状態）の時に基板側から照射したレ
ーザ光の照射光量に対する戻り光量の比率が、光透過率
が最も高い状態（透明状態）の時の所定値以下になるよ
うにマスク層を形成すれば、マスク効果が働いて良好な
再生信号が得られることを見出だした。そこで、請求項
１に係る発明は、「光透過性基板と、光または光の熱を
吸収して光透過率が可逆的に変化するマスク層と、光学
的に読み出し可能な情報が記録されているか或いは情報
を記録することが可能な情報記録部とを少なくとも有
し、前記光透過性基板側からレーザ光スポットが照射さ
れた時、このレーザ光スポット内で前記マスク層に光透
過率の高い部分と光透過率の低い部分とができることで
前記レーザ光スポットの実効スポット径を小さくさせる
光記録媒体であって、前記レーザ光スポット内で前記マ
スク層の光透過率が低い部分の前記レーザ光の照射光量
に対する戻り光量の比率が、前記マスク層の光透過率が
最も高い部分の前記比率に対して所定値以下となるよう
に前記マスク層を形成したことを特徴とする光記録媒
体。」を提供しようとするものである。

【０００９】ところで、マスク層上のレーザ光スポット
内の光透過率が低い部分（レーザ光をマスクする部分）
の照射光量に対する戻り光量の比率を測定するには、マ
スク層の光透過率を変化させない程度の光強度のレーザ
光を用いれば容易にできるが、上記マスク層は照射レー
ザ光スポット内で光透過率が一様に変化していないた
め、光透過率が最も高くなっている部分のみの照射光量
に対する戻り光量の比率を測定することは難しい。そこ
で、本発明は、上述のマスク層材料が光透過率の最も高
い状態（透明状態）で優れた透明性を有していることに
着目し、マスク層の光透過率が最も高くなっている部分
の比率としてマスク層を設けていない場合のレーザ光の
照射光量に対する戻り光量の比率を用いれば良いことを
見出だした。そこで、請求項２に係る発明は、「請求項
１記載の光記録媒体において、前記マスク層の光透過率
が最も高い部分のレーザ光の照射光量に対する戻り光量
の比率として、前記マスク層を設けていない場合の前記
レーザ光の照射光量に対する戻り光量の比率を用いて前
記マスク層を形成したことを特徴とする光記録媒体。」
を提供しようとするものである。

【００１０】更に、情報検出として反射光を検出させる
光記録媒体の場合、上記吸光状態における光反射率と、
上記透明状態における光反射率とを比較すれば良く、本
発明者の実験では、吸光状態での光反射率が、透明状態
での光反射率の２分の１以下となるようにマスク層を形
成すれば良好な再生信号が得られている。そこで、請求
項３に係る発明は、「前記光透過性基板側から照射され
た前記レーザ光の反射光により前記情報記録部の情報検
出を行わせる請求項１記載の光記録媒体において、前記
マスク層の光透過率が低い部分の前記光透過性基板側か
らの光反射率が、前記マスク層の光透過率が最も高い部
分の光反射率の２分の１以下となるように前記マスク層
を形成したことを特徴とする光記録媒体。」を提供しよ
うとするものである。また、マスク層の光透過率が最も
高くなった部分の光反射率は、上述の場合と同様にマス
ク層を設けていない場合のレーザ光の光反射率を用いて
も良い。そこで、請求項４に係る発明は、「請求項３記
載の光記録媒体において、前記光透過率が最も高い部分
の光反射率として、前記マスク層を設けていない場合の
前記光透過性基板側からの光反射率を用いて前記マスク
層を形成したことを特徴とする光記録媒体。」を提供し
ようとするものである。

【００１１】

【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明の一実
施例の光ディスクに付いて説明する。図１は、本発明の
一実施例の光ディスクの断面図を示し、同図（Ａ）は、
再生専用型光ディスクのトラック方向の断面図を示し、
同図（Ｂ）は、記録可能型光ディスクの半径方向の断面
図を示す。同図（Ａ）に示す、再生専用型光ディスク１
は、光読みだし可能なピット２Ａが形成された光透過性
基板２と、上記マスク効果によりこの基板２の下側から
照射されるレーザ光の実効スポット径を小さくさせるマ
スク層３と、アルミニウム等からなる反射層４と、ＵＶ
硬化樹脂等から成る保護膜層５とがこの順に積層されて
構成されている。また、同図（Ｂ）において、記録可能
型光ディスク１１は、同心円状又はスパイラル状に案内
溝１２Ａが形成された光透過性基板１２と、上記マスク
層３と、光記録再生可能な物質よりなる記録層１３と、
上記反射層４と、上記保護膜層５とがこの順に積層され
て構成されている。なお、図１に示す光ディスク１，１
１は、いずれも反射型の光ディスクであるが、上記反射
層４を備えない光透過型であっても良く、更に、断熱層
やエンハンス層、或いは誘電体層等が設けられていても
良い。

【００１２】上記基板２，１２として用いられる光透過
性樹脂はポリカーボネート、ポリメタクリル酸エステル
樹脂、エポキシ樹脂基板など通常の光ディスクの基板と
して用いられるものが使用可能である。また、ピット２
Ａや案内溝１２Ａの形成方法に関しては特に制限はなく
周知の方法により形成する。

【００１３】上記マスク層３は、図３に示すような光透
過率特性を有し、光記録再生に用いられる光源の波長に
対し、しきい値より大きい光強度（または光強度に応じ
た温度）では吸収を有し、しきい値以上の光強度で吸光
度が減少して透過率が増加し、さらにしきい値より低い
光強度になると吸光度が増加し元の状態に戻るという性
質を有する。この結果、この光ディスク１，１１上にレ
ーザ光を照射したとき、このマスク層３を透過したレー
ザ光のスポット径が実質的に縮小されることになるた
め、信号特性、特にｆ特や、ジッタ特性が向上し、高密
度情報の記録や再生を可能にすることができる。

【００１４】また、上記マスク層３は、上記特願平５−
３０５８８３号公報に開示されるような２成分系サーモ
クロミック材料を使用しており、下記構造式１〜５に示
すような顕色剤を使用している。

【００１５】

【化１】

【化２】

【化３】

【化４】

【化５】 但し、上記構造式１〜５において、Ｒ１〜Ｒ５、及びＲ
１´〜Ｒ５´（構造式５はＲ１〜Ｒ４、及びＲ１´〜Ｒ
４´）は、少なくとも１つがＯＨであり、それ以外（構
造式３は、Ｒ６，Ｒ６´も含む）はＨ，Ｃ，Ｃ₂ ，
Ｃ₃ ，Ｃ₄ の内いずれかである。

【００１６】上記ビスフェノール系顕色剤やヒドロキシ
ナフタレン系顕色剤は、電子受容性顕色機能と光照射に
よる消色機能とを兼ね備えており、また発色濃度が高
い。このため、膜厚を薄くすることが可能であり、更に
消色時においては非常に優れた透明性を有するので、好
適なマスク層３になる。又、上記電子供与性呈色化合物
としては、フルオラン系化合物、スピロピラン系化合
物、ロイコオーラミン系化合物、アルシオーラミン系化
合物、アリールオーラミン系化合物、ローダミンＢラク
タム系化合物、ジアリールフタルド系化合物、インドリ
ールフタリド系化合物、ポリアリールカルビノール系化
合物、インドリン系化合物、フェノチアジン系化合物等
があげられる。

【００１７】更に、上記マスク層３の膜厚は、高密度に
記録された情報の再生（または記録再生）を可能にする
ために必要な吸光状態（光透過率が低い状態）と透明状
態（光透過率が高い状態）との吸光度の差、及び上記色
素材料の発色濃度に依存している固有の吸光度により決
定される。即ち、以下のようにして形成する。まず、上
記顕色材が消色してマスク層３が透明状態になった時
は、その透明性が優れていることからマスク層３の透明
状態の光反射率を材料に関係なく一定値とし、例えば、
マスク層３を設けない場合の光ディスクの光反射率とす
る。そして、この透明状態の光反射率に対する吸光状態
の光反射率が所定値以下となるように上記マスク層材料
を積層する。このようにすれば、材料に固有の光学特性
に基づいて膜厚を検討する必要がなく、しかも、材料の
発色濃度に応じた最適な膜厚でマスク層３を形成するこ
とが可能になる。なお、後述の実験では、吸光状態での
光反射率が透明状態の光反射率に対して２分の１以下と
なるようにマスク層を形成すれば、良好な再生信号が得
られることが判明している。

【００１８】また、上記反射層５は一般に光ディスクで
用いられる金属反射層と同様であり、金、アルミニウ
ム、などの金属や合金の薄膜で形成される。反射層５上
に設けた保護層６は媒体の保護の目的で必要に応じて設
ける。この保護層６は、紫外線硬化樹脂をスピンコート
によって設けることで簡単に形成可能である。また、記
録可能型光ディスク１１に設けた記録層１３は、従来よ
り周知の光記録材料をスピンコート法や蒸着法を用いて
形成しており、相変化型材料、光磁気材料等種々のもの
を使用可能である。ここで、この記録層１３の情報記録
の方法として、記録層表面での光反射率変化を利用して
いるものは、上記反射層５は設けられなくても良い。

【００１９】次に、高密度を可能にするために必要なマ
スク層３の吸光状態と透明状態との吸光度の差を検討す
るために行った実験例について説明する。まず最初に、
実験に用いた材料が、マスク層材料として適切なもの
か、即ち、レーザ光の実効スポット径を小さくする効果
を有しているかを確認するための実験を行った。電子供
与性呈色化合物としてＧＮ−１６９（フルオラン系化合
物：山本化成製）、電子受容性顕色剤として下記構造式
６の物質（チオエーテル系ビスフェノール）を重量比約
１：３の比率で真空蒸着法（１０-5ｍｂａｒ以下、抵抗
加熱）を用いて、凹凸のないポリカーボネート基板上に
１０ｎｍ〜１０００ｎｍの膜厚で薄膜化して実験試料を
作製した。

【化６】

【００２０】上記試料にレーザ光を照射して照射レーザ
光の光強度と光透過率の関係を調べたところ、図３に示
すように、光強度に対して光透過率が可逆的に変化し
た。そして、光透過率が最大に高くなった状態では、照
射レーザ光に対する透明性が高いことが確認された。更
に、上記試料に中心波長６９０ｎｍのレーザ光を照射し
てマスク層の応答特性を調べたところ、その照射されて
いる光スポットの中心部分では、図２に示すように光透
過率が変化し、その応答特性は良好であった。そして、
その中心部分では、試料上に照射されるスポット径より
も小さなスポット径（実効スポット径）のレーザ光を得
ることができた。また、膜厚の違いにより発色状態（％
Ｔ0 ）と透明状態（％Ｔ1 ）との光透過率の比率は １
＜（％Ｔ1 ／％Ｔ0 ）＜∞ となった。

【００２１】次に、上記実験に用いた材料を使用したマ
スク層を有する実施例の光ディスクを作成した。コンパ
クトディスク（ＣＤ）の４倍密のＥＦＭ信号を微小ピッ
ト列により記録した上記ポリカーボネイト基板２上に、
マスク層３として上記ＧＮ−１６９と上記構造式６の物
質とを真空蒸着法（１０-5ｍｂａｒ、抵抗加熱）で薄膜
形成させ、更にその上にＡｌ反射層４をスパッタリング
法で７０ｎｍ成膜させ、この反射層４の上に上記フォト
ポリマーＥＸ７０４を保護膜層５として成膜させて図１
（Ａ）に示す構造の再生専用型光ディスク１を作成し
た。なお、マスク層３の色素材料の混合比率（重量比
率）は、ＧＮ−１６９：電子受容性顕色剤＝約１：0.5
〜１：50（好ましくは１：１〜１：５）とし、更に、そ
の膜厚を１０〜１０００ｎｍとして吸光度を変えること
により、マスク層３が吸光状態（光透過率が低い状態）
の時の基板２側からの光ディスク１の光反射率Ｒを、５
〜５０％の範囲内で変えて合計１０種類の光ディスクを
用意した。また、比較例として、上記マスク層３を形成
しない光ディスク（図示せず）を作成した。この光ディ
スクの光反射率Ｒ₀ は約８０％であった。

【００２２】以上のように作成した光ディスク１−Ｘ
（Ｘは光ディスクの光反射率に応じた光ディスク番
号）、及び比較例の光ディスクを、発光中心波長６９０
ｎｍのレーザとＮＡ＝０．６のレンズを内蔵した再生装
置で再生し（再生条件は線速度ＣＬＶ３ｍ／ｓ、回転数
１０００ｒｐｍ、再生パワー約１．４ｍｗ）、最短ピッ
トの再生振幅と、最長ピットの再生振幅との比率を測定
した。その結果を表１に示す。また、下記表１をグラフ
化したものを図６に示す。なお、上記実施例の光ディス
ク１−Ｘにおいて、マスク層３が透明状態（光透過率が
最も高い状態）の時はレーザ光に対しての透明性が高い
ことから、この状態の基板側からの光反射率は、上記比
較例の光ディスクの光反射率Ｒ₀ とした。

【表１】

【００２３】上記表１及び図６に示すように、マスク層
３が吸光状態にある時の光反射率Ｒが、透明状態の光反
射率Ｒ₀ の２分の１以下（Ｒ／Ｒ₀ ≦０．５）になるよ
うに設定した光ディスク１−Ｘにおいては、再生信号振
幅比が４０％以上であり、比較例の光ディスクよりも良
い値が得られている。この結果、マスク層３が、形成さ
れたことでレーザ光の実効スポット径が小されているこ
とが分かる。更に、好ましい結果としてはＲ／Ｒ₀ ≦
０．２になるように調整した光ディスク１−１〜１−５
であり、その信号振幅比は、比較例のマスク層３が無い
光ディスクよりも大幅に良くなっており、また、良好な
再生信号波形を得ることができている。

【００２４】また、他の実施例として、上記実験で使用
したものと同じ基板２上に、上記ＧＮ−１６９と下記構
造式７〜１１の物質を真空蒸着法で薄膜形成させた再生
専用型光ディスク１を作成して同様の実験を行った結
果、上記の実験と同様に、吸光状態の光反射率Ｒと透明
状態の光反射率Ｒ₀ との比Ｒ／Ｒ₀ を２分の１以下に設
定した光ディスクに付いて良好な再生信号が得られた。

【００２５】

【化７】

【化８】

【化９】

【化１０】

【化１１】

【００２６】以上の結果から、マスク層３が吸光状態
（光透過率が低い状態）にあるときの光ディスク１，１
１の基板側からの光反射率Ｒが、光照射により光透過率
が上昇して透明状態（光透過率が最も高い状態）の時の
光反射率Ｒ₀ の２分の１以下になるようにマスク層３を
形成することにより、高密度な情報の再生（または記録
再生）に好適なマスク効果を良好に起こすマスク層３と
することができ、しかも容易に形成することができ、高
密度な情報を再生（または記録再生）するに当たり、装
置側に掛ける負担の少ない光ディスクとすることができ
る。また、上記光反射率Ｒと光反射率Ｒ₀ の関係がＲ／
Ｒ₀ ≦０．２となるようにマスク層３を形成すれば、再
生信号劣化が非常に少ない光ディスクとすることができ
る。

【００２７】なお、記録可能型光ディスク（追記型光デ
ィスク、または書き替え可能型光ディスク）１１におい
ては、上述のように記録時のレーザー光パワーを制御す
ることによって、光スポット径よりも小さな記録マーク
を形成することが可能であるため、上記色素材料を用い
てマスク層３を形成すれば、識別マークを高密度に記録
することも可能であるし、更にこの高密度記録した識別
マークを再生することも可能になる。また、本発明は光
ディスクに限らず他の光記録媒体（テープ状、カード状
等）でも適用可能なことは勿論である。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の光記録媒体
によれば、マスク層の光透過率が低い部分の照射光量に
対する戻り光量の比率が、マスク層の光透過率が最も高
くなった部分の所定値以下となるようにマスク層を形成
し、特に、光記録媒体からの反射光を利用して情報検出
を行わせる光記録媒体においては、マスク層の光透過率
が低い部分の光反射率が、マスク層の光透過率が最も高
くなった部分の２分の１以下となるようにマスク層を形
成すれば、良好なマスク効果を起こす高密度な情報の再
生（または記録再生）に好適なマスク層を容易に形成す
ることができ、また、高密度な情報を再生（または記録
再生）するに当たり、装置側に掛ける負担が少ない光記
録媒体とすることができる。

【００２９】また、マスク層を設けていない光記録媒体
で測定した前記レーザ光の照射光量に対する戻り光量の
比率を、光透過率が最も高い部分のレーザ光の照射光量
に対する戻り光量の比率として前記マスク層を形成し、
特に、光記録媒体からの反射光を利用して情報検出を行
わせる光記録媒体においては、マスク層を設けていない
光記録媒体で測定した基板側からのレーザ光の光反射率
を、前記光透過率が最も高い部分の光反射率として前記
マスク層を形成すれば、マスク層の光透過率が低い状態
の時の照射光量に対する戻り光量の比率（光反射率）だ
けを見るだけで上記マスク層を上記条件で容易に形成す
ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の光ディスクの構造を示す図
である。

【図２】図１におけるマスク層の応答特性を示す図であ
る。

【図３】図１におけるマスク層の光透過率特性を示す図
である。

【図４】図１におけるマスク層のマスク効果を示す図で
ある。

【図５】図１におけるマスク層の照射スポット径と実効
スポット径との関係を示す図である。

【図６】実験結果をグラフ化した図である。

【符号の説明】

１，１１ 光ディスク（光記録媒体） ２，１２ 光透過性基板 ２Ａ ピット（情報記録部） ３ マスク層 ４ 反射層 １３ 記録層（情報記録部）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光透過性基板と、光または光の熱を吸収し
   て光透過率が可逆的に変化するマスク層と、光学的に読
   み出し可能な情報が記録されているか或いは情報を記録
   することが可能な情報記録部とを少なくとも有し、前記
   光透過性基板側からレーザ光スポットが照射された時、
   このレーザ光スポット内で前記マスク層に光透過率の高
   い部分と光透過率の低い部分とができることで前記レー
   ザ光スポットの実効スポット径を小さくさせる光記録媒
   体であって、 前記レーザ光スポット内で前記マスク層の光透過率が低
   い部分の前記レーザ光の照射光量に対する戻り光量の比
   率が、前記マスク層の光透過率が最も高い部分の前記比
   率に対して所定値以下となるように前記マスク層を形成
   したことを特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】請求項１記載の光記録媒体において、 前記マスク層の光透過率が最も高い部分のレーザ光の照
   射光量に対する戻り光量の比率として、前記マスク層を
   設けていない場合のレーザ光の照射光量に対する戻り光
   量の比率を用いて前記マスク層を形成したことを特徴と
   する光記録媒体。
3. 【請求項３】前記光透過性基板側から照射された前記レ
   ーザ光の反射光により前記情報記録部の情報検出を行わ
   せる請求項１記載の光記録媒体において、 前記マスク層の光透過率が低い部分の前記光透過性基板
   側からの光反射率が、前記マスク層の光透過率が最も高
   い部分の光反射率の２分の１以下となるように前記マス
   ク層を形成したことを特徴とする光記録媒体。
4. 【請求項４】請求項３記載の光記録媒体において、 前記光透過率が最も高い部分の光反射率として、前記マ
   スク層を設けていない場合の前記光透過性基板側からの
   光反射率を用いて前記マスク層を形成したことを特徴と
   する光記録媒体。
5. 【請求項５】請求項３または請求項４記載の光記録媒体
   において、 前記マスク層の上に少なくとも前記レーザ光を反射する
   光反射層を有することを特徴とする光記録媒体。