JPH10147875A - 加熱処理装置 - Google Patents
加熱処理装置Info
- Publication number
- JPH10147875A JPH10147875A JP30810296A JP30810296A JPH10147875A JP H10147875 A JPH10147875 A JP H10147875A JP 30810296 A JP30810296 A JP 30810296A JP 30810296 A JP30810296 A JP 30810296A JP H10147875 A JPH10147875 A JP H10147875A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- heat treatment
- heated
- stirrer
- treatment apparatus
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】加熱源による被加熱処理材の加熱時における被
加熱処理材面内の均熱性を向上させることが可能な加熱
処理装置を提供する。 【解決手段】抵抗加熱ヒータ１１と、ヒータにより加熱
され、半導体ウエハー１０を搭載してそれに熱を伝達さ
せるためのサセプタ１２とを具備し、サセプタは、ヒー
タによる被加熱時に液体である物質を内部領域１２ｂに
有し、液体部分を攪拌するための攪拌子１２ｃを具備す
る。
加熱処理材面内の均熱性を向上させることが可能な加熱
処理装置を提供する。 【解決手段】抵抗加熱ヒータ１１と、ヒータにより加熱
され、半導体ウエハー１０を搭載してそれに熱を伝達さ
せるためのサセプタ１２とを具備し、サセプタは、ヒー
タによる被加熱時に液体である物質を内部領域１２ｂに
有し、液体部分を攪拌するための攪拌子１２ｃを具備す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加熱処理装置に係
り、特に被加熱処理材を搭載して被加熱処理材に熱を伝
達させるためのサセプタに関するもので、例えば半導体
装置の製造に際して半導体ウエハーを加熱した状態でＣ
ＶＤ膜を堆積するための枚葉式のＣＶＤ装置に使用され
るものである。
り、特に被加熱処理材を搭載して被加熱処理材に熱を伝
達させるためのサセプタに関するもので、例えば半導体
装置の製造に際して半導体ウエハーを加熱した状態でＣ
ＶＤ膜を堆積するための枚葉式のＣＶＤ装置に使用され
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の枚葉式のＣＶＤ装置を示
す。図３において、５０はチャンバーであり、その上部
に反応ガスの導入口５１、その下部に排気口５２が設け
られ、その内部に平面渦巻き状の抵抗加熱ヒータ６１が
配設されている。サセプタ６２は、被加熱処理材である
半導体ウエハー６０を搭載し、チャンバー内部で前記ヒ
ータ６１の上方に配設されてヒータ６１からの熱放射に
より加熱されて前記ウエハー６０に熱を伝達させるため
のものである。図３中、白矢印は熱の流れを示してい
る。
す。図３において、５０はチャンバーであり、その上部
に反応ガスの導入口５１、その下部に排気口５２が設け
られ、その内部に平面渦巻き状の抵抗加熱ヒータ６１が
配設されている。サセプタ６２は、被加熱処理材である
半導体ウエハー６０を搭載し、チャンバー内部で前記ヒ
ータ６１の上方に配設されてヒータ６１からの熱放射に
より加熱されて前記ウエハー６０に熱を伝達させるため
のものである。図３中、白矢印は熱の流れを示してい
る。
【０００３】しかし、上記ヒータ６１によるウエハー６
０の加熱時に、サセプタ６２およびそれに搭載されてい
るウエハー６０は、ヒータ６１の渦巻きパターンに沿っ
た領域で過度の加熱を受け、ウエハー面内に熱分布が発
生する。
０の加熱時に、サセプタ６２およびそれに搭載されてい
るウエハー６０は、ヒータ６１の渦巻きパターンに沿っ
た領域で過度の加熱を受け、ウエハー面内に熱分布が発
生する。
【０００４】このようにウエハー面内の均熱性が悪化す
ることから、ヒータ６１とサセプタ６２とを接触させて
配設させることは不可能であり、両者間の熱伝達は効率
の悪い熱放射になる。
ることから、ヒータ６１とサセプタ６２とを接触させて
配設させることは不可能であり、両者間の熱伝達は効率
の悪い熱放射になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
ＣＶＤ装置に使用されている加熱処理装置は、ヒータに
よるウエハーの加熱時にウエハー面内の均熱性が悪いと
いう問題があった。本発明は上記の問題点を解決すべく
なされたもので、加熱源による被加熱処理材の加熱時に
おける被加熱処理材面内の均熱性を向上させ得る加熱処
理装置を提供することを目的とする。また、本発明の他
の目的は、加熱源からの熱伝導だけにより被加熱処理材
を加熱でき、熱効率を向上させ得る加熱処理装置を提供
することにある。
ＣＶＤ装置に使用されている加熱処理装置は、ヒータに
よるウエハーの加熱時にウエハー面内の均熱性が悪いと
いう問題があった。本発明は上記の問題点を解決すべく
なされたもので、加熱源による被加熱処理材の加熱時に
おける被加熱処理材面内の均熱性を向上させ得る加熱処
理装置を提供することを目的とする。また、本発明の他
の目的は、加熱源からの熱伝導だけにより被加熱処理材
を加熱でき、熱効率を向上させ得る加熱処理装置を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の加熱処理装置
は、加熱源と、前記加熱源により加熱され、被加熱処理
材を搭載して被加熱処理材に熱を伝達させるためのサセ
プタとを具備し、前記サセプタは、前記加熱源による被
加熱時に液体である物質を内部領域に有し、前記液体部
分を攪拌するための攪拌子を備えたことを特徴とする。
また、本発明の加熱処理装置は、前記加熱源が抵抗加熱
ヒータであり、前記サセプタに接触していることを特徴
とする。
は、加熱源と、前記加熱源により加熱され、被加熱処理
材を搭載して被加熱処理材に熱を伝達させるためのサセ
プタとを具備し、前記サセプタは、前記加熱源による被
加熱時に液体である物質を内部領域に有し、前記液体部
分を攪拌するための攪拌子を備えたことを特徴とする。
また、本発明の加熱処理装置は、前記加熱源が抵抗加熱
ヒータであり、前記サセプタに接触していることを特徴
とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態に係る加熱処理装置を使用した枚葉式のＣＶＤ
装置を概略的に示している。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態に係る加熱処理装置を使用した枚葉式のＣＶＤ
装置を概略的に示している。
【０００８】図２は、図１中のサセプタの一例について
内部を上面から透視して概略的に示している。図１およ
び図２において、５０はチャンバーであり、その上部に
反応ガスの導入口５１、その下部に排気口５２が設けら
れており、その内部には加熱源として例えば平面渦巻き
状の抵抗加熱ヒータ１１が配設されている。
内部を上面から透視して概略的に示している。図１およ
び図２において、５０はチャンバーであり、その上部に
反応ガスの導入口５１、その下部に排気口５２が設けら
れており、その内部には加熱源として例えば平面渦巻き
状の抵抗加熱ヒータ１１が配設されている。
【０００９】サセプタ１２は、チャンバー内部で前記ヒ
ータ１１の上方に配設（本例ではヒータ１１に接触して
配設）され、被加熱処理材である半導体ウエハー１０を
搭載し、ヒータ１１により加熱されてウエハー１０に熱
を伝達させるものである。
ータ１１の上方に配設（本例ではヒータ１１に接触して
配設）され、被加熱処理材である半導体ウエハー１０を
搭載し、ヒータ１１により加熱されてウエハー１０に熱
を伝達させるものである。
【００１０】前記サセプタ１２は、ヒータ１１により例
えば８００〜１０００℃に加熱された時に液体である物
質を内部領域に有するものであり、本例では、ヒータ１
１による加熱時に固体である外囲器部分１２ａとヒータ
１１による加熱時に液体である熱伝導性の良好な金属で
ある内部領域１２ｂとの二重構造を有する。この場合、
外囲器部分１２ａは例えばタングステンであり、前記内
部部分１２ｂは例えばアルミニウムである。
えば８００〜１０００℃に加熱された時に液体である物
質を内部領域に有するものであり、本例では、ヒータ１
１による加熱時に固体である外囲器部分１２ａとヒータ
１１による加熱時に液体である熱伝導性の良好な金属で
ある内部領域１２ｂとの二重構造を有する。この場合、
外囲器部分１２ａは例えばタングステンであり、前記内
部部分１２ｂは例えばアルミニウムである。
【００１１】また、前記サセプタ１２は、前記液体部分
を攪拌するための攪拌子１２ｃを備えている。この攪拌
子１２ｃは、サセプタ外部の駆動源３０により例えば非
接触方式で駆動されることが望ましく、本例では、攪拌
子１２ｃはフェライトなどの磁性体からなり、サセプタ
外部の駆動源３０により生成される回転磁界により非接
触方式で回転駆動される。この場合、攪拌子１２ｃの回
転位置はサセプタ外部の駆動源３０の磁力により決定さ
れるので、攪拌子１２ｃを回転軸により保持する必要は
ない。
を攪拌するための攪拌子１２ｃを備えている。この攪拌
子１２ｃは、サセプタ外部の駆動源３０により例えば非
接触方式で駆動されることが望ましく、本例では、攪拌
子１２ｃはフェライトなどの磁性体からなり、サセプタ
外部の駆動源３０により生成される回転磁界により非接
触方式で回転駆動される。この場合、攪拌子１２ｃの回
転位置はサセプタ外部の駆動源３０の磁力により決定さ
れるので、攪拌子１２ｃを回転軸により保持する必要は
ない。
【００１２】上記構成において、サセプタ１２は、ヒー
タ１１により加熱された時にヒータ１１の渦巻きパター
ンに沿って伝達される熱分布が発生する。しかし、サセ
プタ１２は、例えば８００〜１０００℃に加熱された時
に固体である外囲器部分（例えばタングステン）１２ａ
と上記加熱時に液体である熱伝導性の良好な金属（例え
ばアルミニウム）である内部領域１２ｂとの二重構造を
有し、前記液体部分を攪拌するための攪拌子１２ｃを備
えている。そして、本例では、攪拌子１２ｃは、磁性体
からなり、サセプタ外部の駆動源３０により生成される
回転磁界により非接触方式で回転駆動される。
タ１１により加熱された時にヒータ１１の渦巻きパター
ンに沿って伝達される熱分布が発生する。しかし、サセ
プタ１２は、例えば８００〜１０００℃に加熱された時
に固体である外囲器部分（例えばタングステン）１２ａ
と上記加熱時に液体である熱伝導性の良好な金属（例え
ばアルミニウム）である内部領域１２ｂとの二重構造を
有し、前記液体部分を攪拌するための攪拌子１２ｃを備
えている。そして、本例では、攪拌子１２ｃは、磁性体
からなり、サセプタ外部の駆動源３０により生成される
回転磁界により非接触方式で回転駆動される。
【００１３】これにより、サセプタ面内の熱分布が均熱
化され、ウエハー面内の均熱性が向上するので、前記し
たようにサセプタ１２をヒータ１１に接触させて配設す
ることが可能になり、ヒータ１１からの熱伝導だけでウ
エハー１０を加熱でき、熱効率を向上させることが可能
になる。換言すれば、ヒータ１１への供給電力を減少さ
せ、ヒータ１１の寿命を延長させることが可能になる。
化され、ウエハー面内の均熱性が向上するので、前記し
たようにサセプタ１２をヒータ１１に接触させて配設す
ることが可能になり、ヒータ１１からの熱伝導だけでウ
エハー１０を加熱でき、熱効率を向上させることが可能
になる。換言すれば、ヒータ１１への供給電力を減少さ
せ、ヒータ１１の寿命を延長させることが可能になる。
【００１４】なお、前記サセプタ１２の内部領域１２ｂ
の上面は、前記外囲器部分１２ａにおけるウエハー搭載
部分の面積より大きく設定しておくことにより、サセプ
タ面内の熱分布の中央領域がウエハー面に伝達されるの
で、ウエハー面内の均熱性が一層向上する。
の上面は、前記外囲器部分１２ａにおけるウエハー搭載
部分の面積より大きく設定しておくことにより、サセプ
タ面内の熱分布の中央領域がウエハー面に伝達されるの
で、ウエハー面内の均熱性が一層向上する。
【００１５】また、サセプタ外部の駆動源３０により前
記攪拌子１２ｃを回転駆動するので、加熱時に液体であ
るサセプタ内部領域１２ｂに仮に駆動源を内蔵させた場
合における耐熱性の問題や駆動源自体の発熱に起因する
サセプタ内部領域１２ｂの熱分布発生の問題を避けるこ
とが可能になる。
記攪拌子１２ｃを回転駆動するので、加熱時に液体であ
るサセプタ内部領域１２ｂに仮に駆動源を内蔵させた場
合における耐熱性の問題や駆動源自体の発熱に起因する
サセプタ内部領域１２ｂの熱分布発生の問題を避けるこ
とが可能になる。
【００１６】なお、前記加熱源１１として抵抗加熱ヒー
タ以外のものを使用することも可能である。また、前記
攪拌子１２ｂを回転軸（図示せず）により保持し、この
回転軸をサセプタ外部の駆動源により回転駆動すること
も可能である。
タ以外のものを使用することも可能である。また、前記
攪拌子１２ｂを回転軸（図示せず）により保持し、この
回転軸をサセプタ外部の駆動源により回転駆動すること
も可能である。
【００１７】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、加熱源
による被加熱処理材の加熱時における被加熱処理材面内
の均熱性を向上させ得る加熱処理装置を提供することが
できる。
による被加熱処理材の加熱時における被加熱処理材面内
の均熱性を向上させ得る加熱処理装置を提供することが
できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る加熱処理装置
を使用した枚葉式のＣＶＤ装置を概略的に示す構成説明
図。
を使用した枚葉式のＣＶＤ装置を概略的に示す構成説明
図。
【図２】図１中のサセプタの一例の内部を透視して概略
的に示す上面図。
的に示す上面図。
【図３】従来の加熱処理装置を使用した枚葉式のＣＶＤ
装置を概略的に示す構成説明図。
装置を概略的に示す構成説明図。
１０…半導体ウエハー、 １１…抵抗加熱ヒータ、 １２…サセプタ、 １２ａ…外囲器部分、 １２ｂ…内部領域、 １２ｃ…攪拌子、 ３０…駆動源、 ５０…チャンバー、 ５１…反応ガスの導入口、 ５２…排気口。
Claims (9)
- 【請求項１】 加熱源と、前記加熱源により加熱され、
被加熱処理材を搭載して被加熱処理材に熱を伝達させる
ためのサセプタとを具備し、 前記サセプタは、前記加熱源による被加熱時に液体であ
る物質を内部領域に有し、前記液体部分を攪拌するため
の攪拌子を備えたとを具備することを特徴とする加熱処
理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の加熱処理装置において、
前記サセプタは、前記加熱源による被加熱時に固体であ
る外囲器部分と前記加熱源による被加熱時に液体である
熱伝導性の良好な金属である内部領域との二重構造を有
することを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の加熱処理装置において、
前記外囲器部分はタングステンであり、前記内部部分は
アルミニウムであることを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
加熱処理装置において、前記内部領域の上面は、前記外
囲器部分における被加熱処理材の搭載部分の面積より大
きいことを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
加熱処理装置において、前記攪拌子は、サセプタ外部の
駆動源により駆動されることを特徴とする加熱処理装
置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
加熱処理装置において、前記攪拌子は、サセプタ外部の
駆動源により非接触方式で駆動されることを特徴とする
加熱処理装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
加熱処理装置において、前記攪拌子は、磁性体からな
り、サセプタ外部の駆動源により生成される回転磁界に
より非接触方式で回転駆動されることを特徴とする加熱
処理装置。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の
加熱処理装置において、前記加熱源は抵抗加熱ヒータで
あり、前記サセプタに接触していることを特徴とする加
熱処理装置。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の
加熱処理装置は、半導体ウエハーを加熱した状態でＣＶ
Ｄ膜を堆積する枚葉式のＣＶＤ装置に使用されることを
特徴とする加熱処理装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30810296A JPH10147875A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30810296A JPH10147875A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 加熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10147875A true JPH10147875A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17976898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30810296A Pending JPH10147875A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10147875A (ja) |
-
1996
- 1996-11-19 JP JP30810296A patent/JPH10147875A/ja active Pending
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