JPH10149911A - 磁気センサー素子、その製造方法および磁気センサー素子を備えた盗難防止システム - Google Patents
磁気センサー素子、その製造方法および磁気センサー素子を備えた盗難防止システムInfo
- Publication number
- JPH10149911A JPH10149911A JP8304790A JP30479096A JPH10149911A JP H10149911 A JPH10149911 A JP H10149911A JP 8304790 A JP8304790 A JP 8304790A JP 30479096 A JP30479096 A JP 30479096A JP H10149911 A JPH10149911 A JP H10149911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor element
- magnetic field
- magnetic
- magnetic sensor
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 29
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Burglar Alarm Systems (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 独特な電気信号を交流磁場で発生することが
できるように軟磁性物質の磁気センサー素子、その製造
方法およびそのセンサー素子を利用した盗難防止システ
ムを得ること。 【解決手段】 零磁歪組成のコバルト系非晶質磁性合金
のリボンまたはワイヤを無磁場で熱処理することによっ
て、外部交流磁場が一周期ほど変わる間に、２つの主ピ
ークｇ、ｎと２つの副ピークｃ、ｉを示すセンサーを得
た。そして、かかる独特な電気信号を感知して所定の空
間内にセンサーが存在するか否かを判定することのでき
る電子回路の概念を提供する。
できるように軟磁性物質の磁気センサー素子、その製造
方法およびそのセンサー素子を利用した盗難防止システ
ムを得ること。 【解決手段】 零磁歪組成のコバルト系非晶質磁性合金
のリボンまたはワイヤを無磁場で熱処理することによっ
て、外部交流磁場が一周期ほど変わる間に、２つの主ピ
ークｇ、ｎと２つの副ピークｃ、ｉを示すセンサーを得
た。そして、かかる独特な電気信号を感知して所定の空
間内にセンサーが存在するか否かを判定することのでき
る電子回路の概念を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、独特な電気信号を
交流磁場で発生することができるように軟磁性物質を熱
処理する方法と、かかる物質を利用した盗難防止システ
ムのアルゴリズムに関するものである。更に詳しく説明
すれば、本発明は零磁歪組成のコバルト系非晶質磁性合
金リボンまたはワイヤを無磁場熱処理することによっ
て、外部交流磁場が一周期ほど変わる間に、２つの主ピ
ークと２つの副ピークを示すセンサーを提供するもので
あり、かかる独特な電気信号を感知して所定の空間内に
センサーが存在するか否かを判定することのできる電子
回路の概念を提供するものである。
交流磁場で発生することができるように軟磁性物質を熱
処理する方法と、かかる物質を利用した盗難防止システ
ムのアルゴリズムに関するものである。更に詳しく説明
すれば、本発明は零磁歪組成のコバルト系非晶質磁性合
金リボンまたはワイヤを無磁場熱処理することによっ
て、外部交流磁場が一周期ほど変わる間に、２つの主ピ
ークと２つの副ピークを示すセンサーを提供するもので
あり、かかる独特な電気信号を感知して所定の空間内に
センサーが存在するか否かを判定することのできる電子
回路の概念を提供するものである。
【０００２】本発明による磁気センサーは盗難防止シス
テム用ターゲット（貼札）の製造に使用され得るもので
ある。盗難防止システムは、図書館、書店、デパート、
スーーパーマーケット等制限された保護区域から本、衣
類、コンパクトディスク等の物品が盗難されることを防
止するために設けられるものである。大体の盗難防止シ
ステムは各物品に独特な信号を提供することのできるタ
ーゲットを付着させて保護区域の出口でこのターゲット
が監視できるようにすることによってその目的を果たす
ものである。本発明による磁気センサーが使用され得る
磁気方式盗難防止システムを概略的に図１に示したが交
流磁場を発生させるトランスミッターアンテナ（１
０）、物品（１２）に付着させたターゲット（１４）が
交流磁場に露出される時発生する高周波パルス信号を感
知するレシーバーアンテナ（１６）、そして高周波電気
信号処理装置等で構成されている。
テム用ターゲット（貼札）の製造に使用され得るもので
ある。盗難防止システムは、図書館、書店、デパート、
スーーパーマーケット等制限された保護区域から本、衣
類、コンパクトディスク等の物品が盗難されることを防
止するために設けられるものである。大体の盗難防止シ
ステムは各物品に独特な信号を提供することのできるタ
ーゲットを付着させて保護区域の出口でこのターゲット
が監視できるようにすることによってその目的を果たす
ものである。本発明による磁気センサーが使用され得る
磁気方式盗難防止システムを概略的に図１に示したが交
流磁場を発生させるトランスミッターアンテナ（１
０）、物品（１２）に付着させたターゲット（１４）が
交流磁場に露出される時発生する高周波パルス信号を感
知するレシーバーアンテナ（１６）、そして高周波電気
信号処理装置等で構成されている。
【０００３】
【従来の技術】図２は、ターゲット（１４）を物品（１
２）に付着した形状を例示したものであり、図３は図２
のターゲット部位を拡大して示す断面図である。図２と
図３に示されているようにターゲット（１４）は磁気セ
ンサー素子（１８）と両面接着性を有するテープ基体
（２０）で構成されている。磁気センサー素子（１８）
は、外部磁場の大きさが小さくとも磁気的に飽和し易い
ように透磁率が大きい軟磁性物質からなると共に反磁場
の大きさが小さい形状にすべきである。反磁場の大きさ
を一定の大きさより小さくするためには、一定の比率よ
り長い形状にすべきである。例えば、飽和磁化値が６５
０emu/cm3 である非晶質リボンの場合に幅が１mm、厚さ
が０．０２５mmである場合、反磁場の大きさが０．５Oe
より小さくするためにはリボンの長さを約４cmより長く
しなければならない。したがって、従来の軟磁性センサ
ー素子が大きな透磁率を有して長さが短い形状では、外
部磁場により飽和され難く、外部磁場の変化による磁速
密度の変化が遅くて小さいので、センサーの感知に必要
な大きさの信号を発生させることができなかった。
２）に付着した形状を例示したものであり、図３は図２
のターゲット部位を拡大して示す断面図である。図２と
図３に示されているようにターゲット（１４）は磁気セ
ンサー素子（１８）と両面接着性を有するテープ基体
（２０）で構成されている。磁気センサー素子（１８）
は、外部磁場の大きさが小さくとも磁気的に飽和し易い
ように透磁率が大きい軟磁性物質からなると共に反磁場
の大きさが小さい形状にすべきである。反磁場の大きさ
を一定の大きさより小さくするためには、一定の比率よ
り長い形状にすべきである。例えば、飽和磁化値が６５
０emu/cm3 である非晶質リボンの場合に幅が１mm、厚さ
が０．０２５mmである場合、反磁場の大きさが０．５Oe
より小さくするためにはリボンの長さを約４cmより長く
しなければならない。したがって、従来の軟磁性センサ
ー素子が大きな透磁率を有して長さが短い形状では、外
部磁場により飽和され難く、外部磁場の変化による磁速
密度の変化が遅くて小さいので、センサーの感知に必要
な大きさの信号を発生させることができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は臨界磁場の大きさで磁化値が急激に変化すること
によって、従来のセンサー素子に比べて著しく短い長さ
の形態でも感知に必要な大きさの信号を発生させること
のできる磁気センサー素子を提供することである。一
方、反磁場の大きさが臨界値（例えば０．５Oe）より小
さければ、センサーの形状に根本的に無関係に一定値以
上の感度を維持することができるため、本発明による磁
気センサー素子はリボン、ワイヤ等の形状を有すること
ができる。
目的は臨界磁場の大きさで磁化値が急激に変化すること
によって、従来のセンサー素子に比べて著しく短い長さ
の形態でも感知に必要な大きさの信号を発生させること
のできる磁気センサー素子を提供することである。一
方、反磁場の大きさが臨界値（例えば０．５Oe）より小
さければ、センサーの形状に根本的に無関係に一定値以
上の感度を維持することができるため、本発明による磁
気センサー素子はリボン、ワイヤ等の形状を有すること
ができる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】〔Ｃｏx Ｆｅ1-x 〕1-n
〔Ｂy Ｓｉ1-y 〕n の原子組成比を有する非晶質磁性合
金を用意する段階、前記組成の非晶質磁性合金を２００
℃〜４６０℃の温度区間において大気中で１分間以上熱
処理する段階を含むことを特徴とする磁気センサー製造
方法および磁気センサー素子が提供される。
〔Ｂy Ｓｉ1-y 〕n の原子組成比を有する非晶質磁性合
金を用意する段階、前記組成の非晶質磁性合金を２００
℃〜４６０℃の温度区間において大気中で１分間以上熱
処理する段階を含むことを特徴とする磁気センサー製造
方法および磁気センサー素子が提供される。
【０００６】本発明による盗難防止システムは、周波数
発振手段、特定周波数の正弦波を生成する手段、前記正
弦波を電流増幅して磁気場を発生させる手段、前記磁気
場の周囲にあり、この磁気場が与えられる磁気センサー
素子、上記磁気センサー素子に隣接しており、前記磁気
センサー素子を感知した信号を受信する受信機手段、前
記受信機手段に接続され、前記受信機手段から出たセン
サー信号の波形を基準として矩形波を生成する手段、前
記周波数発振手段に結合されて前記周波数発振手段から
出た信号により制御信号を発生する制御信号発生手段、
前記制御信号発生手段と前記矩形波生成手段の間に結合
され、前記制御信号の周波数と前記矩形波生成手段から
出た信号の周波数とパルスの個数を比較する比較手段、
および前記比較手段に結合され、前記比較手段から出た
センサー有無の判定信号を受けて警報を発する警報手段
を含む。
発振手段、特定周波数の正弦波を生成する手段、前記正
弦波を電流増幅して磁気場を発生させる手段、前記磁気
場の周囲にあり、この磁気場が与えられる磁気センサー
素子、上記磁気センサー素子に隣接しており、前記磁気
センサー素子を感知した信号を受信する受信機手段、前
記受信機手段に接続され、前記受信機手段から出たセン
サー信号の波形を基準として矩形波を生成する手段、前
記周波数発振手段に結合されて前記周波数発振手段から
出た信号により制御信号を発生する制御信号発生手段、
前記制御信号発生手段と前記矩形波生成手段の間に結合
され、前記制御信号の周波数と前記矩形波生成手段から
出た信号の周波数とパルスの個数を比較する比較手段、
および前記比較手段に結合され、前記比較手段から出た
センサー有無の判定信号を受けて警報を発する警報手段
を含む。
【０００７】
【実施例】以下、添付された図面を参照して本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【０００８】図２と図３に示された本発明による磁気セ
ンサー素子（１８）は１kHz 内外の交流磁場内で小さい
保磁力（例えば０．１Oe）を有する磁性物質を特殊な方
法で処理して独特な特性を有するようにしたものであ
る。本発明で採択した磁気センサー素子は、 〔Ｃｏx Ｆｅ1-x 〕1-n 〔Ｂy Ｓｉ1-y 〕n ただし、ｘ＝０〜１、ｙ＝０．２〜１、およびｎ＝０．
１〜０．３であるの原子組成比を有する非晶質磁性合金
であり、５原子％までのＣｒ、Ｎｉ、Ｍｎなどの第３ま
たは第４の金属元素を含有することができる。
ンサー素子（１８）は１kHz 内外の交流磁場内で小さい
保磁力（例えば０．１Oe）を有する磁性物質を特殊な方
法で処理して独特な特性を有するようにしたものであ
る。本発明で採択した磁気センサー素子は、 〔Ｃｏx Ｆｅ1-x 〕1-n 〔Ｂy Ｓｉ1-y 〕n ただし、ｘ＝０〜１、ｙ＝０．２〜１、およびｎ＝０．
１〜０．３であるの原子組成比を有する非晶質磁性合金
であり、５原子％までのＣｒ、Ｎｉ、Ｍｎなどの第３ま
たは第４の金属元素を含有することができる。
【０００９】しかし、本発明の活用に最も適した組成
は、飽和磁歪が零（ゼロ）である組成として、例えばＣ
ｏ70.5Ｆｅ4.5 Ｂ25がそれである。なぜならば飽和磁歪
が零である組成の非晶質磁性合金は、交流磁場で保磁力
が小さいのみならず、ターゲットを作る工程中あるいは
物品に付着させる時、不可避に外部応力が与えられて
も、これによる本来の特性の劣化が最も少ないためであ
る。
は、飽和磁歪が零（ゼロ）である組成として、例えばＣ
ｏ70.5Ｆｅ4.5 Ｂ25がそれである。なぜならば飽和磁歪
が零である組成の非晶質磁性合金は、交流磁場で保磁力
が小さいのみならず、ターゲットを作る工程中あるいは
物品に付着させる時、不可避に外部応力が与えられて
も、これによる本来の特性の劣化が最も少ないためであ
る。
【００１０】図３の酸化膜層（２２）は、本発明による
特性を得るために必ずしも必要なものではないが、セン
サー素子の内部層（２４）との間に準強磁性体を形成し
て特性を安定化する過程でできるものである。
特性を得るために必ずしも必要なものではないが、セン
サー素子の内部層（２４）との間に準強磁性体を形成し
て特性を安定化する過程でできるものである。
【００１１】図４は盗難防止システムに使用されてきた
パマロイストリップや非晶質磁性合金リボンまたはワイ
ヤ等従来の磁気センサー素子の磁気履歴曲線を示すもの
である。図４のＸ軸は磁気センサー素子の長さ方向に与
えられる外部磁場の大きさ（単位：Oe）と方向（正また
は負）を示し、Ｙ軸は外部磁場の強さにより変化するセ
ンサー素子内部の磁化値（単位：Gauss)を示すものであ
る。外部磁場Ｈが負の方向に強く与えられると（Ａ
点）、磁化値Ｍも負の方向に飽和となる。センサー素子
はＡ点で磁気的に飽和となって負の方向に外部磁場Ｈを
増加させても磁化値はこれ以上増加しない。一方、点Ａ
から正の方向に外部磁場を増加させても当分は負の方向
に飽和された磁化値は変化しないこととなるが、外部磁
場が相当正の方向に与えられたＢ点を過ぎてから初めて
磁化値が外部磁場の方向と同じ正の方向に飽和される点
がＣ点であり、Ｃ点よりも正の方向により強く外部磁場
を与えても更に磁化値の変化はない。ここでＣ点から負
の方向に外部磁場を与えてみれば、負の方向の外部磁場
に位置したＤ点まで正に飽和された磁化値が変化しない
こととなるが、Ｄ点より負の方向に外部磁場が与えられ
ると磁化値が負の方向に減少され、結局負の方向に飽和
される（Ａ点）。
パマロイストリップや非晶質磁性合金リボンまたはワイ
ヤ等従来の磁気センサー素子の磁気履歴曲線を示すもの
である。図４のＸ軸は磁気センサー素子の長さ方向に与
えられる外部磁場の大きさ（単位：Oe）と方向（正また
は負）を示し、Ｙ軸は外部磁場の強さにより変化するセ
ンサー素子内部の磁化値（単位：Gauss)を示すものであ
る。外部磁場Ｈが負の方向に強く与えられると（Ａ
点）、磁化値Ｍも負の方向に飽和となる。センサー素子
はＡ点で磁気的に飽和となって負の方向に外部磁場Ｈを
増加させても磁化値はこれ以上増加しない。一方、点Ａ
から正の方向に外部磁場を増加させても当分は負の方向
に飽和された磁化値は変化しないこととなるが、外部磁
場が相当正の方向に与えられたＢ点を過ぎてから初めて
磁化値が外部磁場の方向と同じ正の方向に飽和される点
がＣ点であり、Ｃ点よりも正の方向により強く外部磁場
を与えても更に磁化値の変化はない。ここでＣ点から負
の方向に外部磁場を与えてみれば、負の方向の外部磁場
に位置したＤ点まで正に飽和された磁化値が変化しない
こととなるが、Ｄ点より負の方向に外部磁場が与えられ
ると磁化値が負の方向に減少され、結局負の方向に飽和
される（Ａ点）。
【００１２】即ち、外部磁場が十分に大きい強さを持っ
て正の方向と負の方向に順次に変化する時、つまり、十
分に強い交流磁場を与える時、センサー素子はＡ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ、Ａ……の経路に沿って磁気的に反応する。
て正の方向と負の方向に順次に変化する時、つまり、十
分に強い交流磁場を与える時、センサー素子はＡ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ、Ａ……の経路に沿って磁気的に反応する。
【００１３】図４で示すように、磁化値Ｍの大きい変化
は外部磁場の変化する幅のうち非常に制限された範囲、
即ち、点Ｂと点Ｃとの間にのみ存在する。この区間での
変化によりセンサー素子が外部磁場の乱れを発生させ、
感知されるほど大きい効果が得られる。厳密に言えば外
部磁場が変化する時、磁化値が急激に変化して磁気履歴
曲線での傾きdM/dH が大きいほど、大きい値の高周波成
分を得ることができ、より容易に感知できることにな
る。
は外部磁場の変化する幅のうち非常に制限された範囲、
即ち、点Ｂと点Ｃとの間にのみ存在する。この区間での
変化によりセンサー素子が外部磁場の乱れを発生させ、
感知されるほど大きい効果が得られる。厳密に言えば外
部磁場が変化する時、磁化値が急激に変化して磁気履歴
曲線での傾きdM/dH が大きいほど、大きい値の高周波成
分を得ることができ、より容易に感知できることにな
る。
【００１４】図５は図４で示された磁気履歴曲線での傾
きdM/dH の値をＸ軸を時間として示したものである。図
５で示されたように、外部磁場が１サイクルほど（Ａ点
から次のＡ点に）変化する間に、２つのパルスを得るこ
とになる。外部磁場を乱す程度はこのパルスの高周波成
分が以下に大きいのかによるものであり、高周波成分の
大きさはこのパルスがいかに狭くて高いのかによるもの
である。
きdM/dH の値をＸ軸を時間として示したものである。図
５で示されたように、外部磁場が１サイクルほど（Ａ点
から次のＡ点に）変化する間に、２つのパルスを得るこ
とになる。外部磁場を乱す程度はこのパルスの高周波成
分が以下に大きいのかによるものであり、高周波成分の
大きさはこのパルスがいかに狭くて高いのかによるもの
である。
【００１５】図６は本発明による磁気センサー素子の磁
気履歴曲線を示すものである。図６のＸ軸は磁気センサ
ー素子の長さ方向に与えられる外部磁場の大きさ（単
位：Oe）と方向（正または負）を示し、Ｙ軸は外部磁場
の強さにより変化するセンサー素子内部の磁化値（単
位：Gauss)を示すものである。外部磁場Ｈが負の方向に
強く与えられると〔（ａ点）〕、磁化値Ｍも負の方向に
飽和され、負の方向に外部磁場Ｈを増加させても磁化値
はこれ以上増加しない。一方（ａ）点から正の方向に外
部磁場を増加させても、当分は負の方向に飽和された磁
化値は別段変化がないことになるが、外部磁場が正の方
向に更に与えられた（ｂ）点を過ぎてから磁化値が正の
方向に増加し始める。外部磁場を正の方向に更に増加さ
せて磁化値が“０”の近傍に達すると〔（ｄ）点〕正の
方向に外部磁場を増加させても更に磁化値の変化はな
い。正の方向に更に強く外部磁場を増加させて（ｅ）点
に達すると磁化値が急激に変化して〔（ｆ）過程〕磁化
値が正の方向にほとんど飽和される（ｈ）点に達するこ
とになって、正の方向に外部磁場Ｈを増加させても磁化
値は更に増加しないものである。
気履歴曲線を示すものである。図６のＸ軸は磁気センサ
ー素子の長さ方向に与えられる外部磁場の大きさ（単
位：Oe）と方向（正または負）を示し、Ｙ軸は外部磁場
の強さにより変化するセンサー素子内部の磁化値（単
位：Gauss)を示すものである。外部磁場Ｈが負の方向に
強く与えられると〔（ａ点）〕、磁化値Ｍも負の方向に
飽和され、負の方向に外部磁場Ｈを増加させても磁化値
はこれ以上増加しない。一方（ａ）点から正の方向に外
部磁場を増加させても、当分は負の方向に飽和された磁
化値は別段変化がないことになるが、外部磁場が正の方
向に更に与えられた（ｂ）点を過ぎてから磁化値が正の
方向に増加し始める。外部磁場を正の方向に更に増加さ
せて磁化値が“０”の近傍に達すると〔（ｄ）点〕正の
方向に外部磁場を増加させても更に磁化値の変化はな
い。正の方向に更に強く外部磁場を増加させて（ｅ）点
に達すると磁化値が急激に変化して〔（ｆ）過程〕磁化
値が正の方向にほとんど飽和される（ｈ）点に達するこ
とになって、正の方向に外部磁場Ｈを増加させても磁化
値は更に増加しないものである。
【００１６】ここで、負の方向に外部磁場を与えてみれ
ば、負の方向の外部磁場に位置した（ｉ）点まで正に飽
和された磁化値はほとんど変化しないものであり、
（ｉ）点よりも負の方向に外部磁場が与えられると磁化
値が負の方向に減少し、磁化値が“０”の近傍に達する
と〔（ｋ）点〕負の方向に更に強く外部磁場を与えても
当分は更に磁化値の変化がない。負の方向に更に強く外
部磁場を増加させて（ｌ）点に達すると磁化値が急激に
変化して〔（ｍ）過程〕負の方向にほとんど飽和される
（ａ）点に達することになり、負の方向に外部磁場を増
加させても磁化値はこれ以上減少しないものである。
ば、負の方向の外部磁場に位置した（ｉ）点まで正に飽
和された磁化値はほとんど変化しないものであり、
（ｉ）点よりも負の方向に外部磁場が与えられると磁化
値が負の方向に減少し、磁化値が“０”の近傍に達する
と〔（ｋ）点〕負の方向に更に強く外部磁場を与えても
当分は更に磁化値の変化がない。負の方向に更に強く外
部磁場を増加させて（ｌ）点に達すると磁化値が急激に
変化して〔（ｍ）過程〕負の方向にほとんど飽和される
（ａ）点に達することになり、負の方向に外部磁場を増
加させても磁化値はこれ以上減少しないものである。
【００１７】即ち、外部磁場が十分に大きい強さを持っ
て正の方向と負の方向に順次に変化する時、即ち十分に
強い交流磁場を与えた時、センサー素子は（ａ）、
（ｂ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｈ）、（ｉ）、
（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）、（ａ）……の経路に沿って磁
気的に反応する。
て正の方向と負の方向に順次に変化する時、即ち十分に
強い交流磁場を与えた時、センサー素子は（ａ）、
（ｂ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｈ）、（ｉ）、
（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）、（ａ）……の経路に沿って磁
気的に反応する。
【００１８】図７は図６で示された磁気履歴曲線での傾
きdM/dH の値をＸ軸を時間として示したものである。図
７で示されたように外部磁場が１サイクルほど〔（ａ）
点から次の（ａ）点に〕変化する間に、４つのパルスを
得ることになる。ところで、従来の磁気センサー素子は
外部磁場が１サイクルほど変化する間に、２つのパルス
を示すのに比して本発明による磁気センサー素子は外部
磁場が１サイクルほど変化する間に、４つのパルスを示
すので、本発明による磁気センサー素子は１サイクル当
りのパルスの個数を数えることにより容易でかつ誤作動
されることなく感知できる。一方、前述したように外部
磁場の乱れの程度はこのパルスの高周波成分がいかに大
きいのかによるものであり、高周波成分の大きさはこの
パルスがいかに狭くて高いのかによるものであるため、
図７の主ピーク（ｇ）、（ｎ）の高周波成分の大きさは
非常に大きいものである。したがって、本発明による磁
気センサー素子は高周波成分の大きさでセンサーの有無
を判定する既存の盗難防止システムにもよく適用され得
るものである。
きdM/dH の値をＸ軸を時間として示したものである。図
７で示されたように外部磁場が１サイクルほど〔（ａ）
点から次の（ａ）点に〕変化する間に、４つのパルスを
得ることになる。ところで、従来の磁気センサー素子は
外部磁場が１サイクルほど変化する間に、２つのパルス
を示すのに比して本発明による磁気センサー素子は外部
磁場が１サイクルほど変化する間に、４つのパルスを示
すので、本発明による磁気センサー素子は１サイクル当
りのパルスの個数を数えることにより容易でかつ誤作動
されることなく感知できる。一方、前述したように外部
磁場の乱れの程度はこのパルスの高周波成分がいかに大
きいのかによるものであり、高周波成分の大きさはこの
パルスがいかに狭くて高いのかによるものであるため、
図７の主ピーク（ｇ）、（ｎ）の高周波成分の大きさは
非常に大きいものである。したがって、本発明による磁
気センサー素子は高周波成分の大きさでセンサーの有無
を判定する既存の盗難防止システムにもよく適用され得
るものである。
【００１９】図６の独特な磁気履歴曲線と図７の独特な
パルスを有する本発明による磁気センサー素子は前述し
た範囲の原子組成比を有する非晶質磁性合金、特にＣｏ
70.5Ｆｅ4.5 Ｂ25の如く飽和磁歪が０（ゼロ）である組
成の非晶質磁性合金を特殊な方法で熱処理して製造した
ものである。ここで特殊な熱処理というのは、２００℃
〜４６０℃の温度区間、大気中またはその他の雰囲気
中、１分間以上等の条件で熱処理し、熱処理時の外部磁
場をゼロ（０）に近づかせたことをいう。
パルスを有する本発明による磁気センサー素子は前述し
た範囲の原子組成比を有する非晶質磁性合金、特にＣｏ
70.5Ｆｅ4.5 Ｂ25の如く飽和磁歪が０（ゼロ）である組
成の非晶質磁性合金を特殊な方法で熱処理して製造した
ものである。ここで特殊な熱処理というのは、２００℃
〜４６０℃の温度区間、大気中またはその他の雰囲気
中、１分間以上等の条件で熱処理し、熱処理時の外部磁
場をゼロ（０）に近づかせたことをいう。
【００２０】図８は本発明による磁気センサー素子の独
特な特性を利用できるように考案された盗難防止システ
ムの１つの実施例のブロックダイヤグラムである。周波
数発振器（８１）と磁気場発生回路（８２）により特定
周波数の正弦波（図９ａ．）を発生させ、これを電流増
幅回路（８４）で電流増幅させ送信機（９０）とトラン
スミッターアンテナ（１０）を介して磁気場を発生させ
る。この磁気場は受信機（８５）で受けられ、増幅およ
び信号処理回路（８６）に送られる。センサー素子（１
８）が感知された時、増幅および信号処理回路（８６）
により図９ｃ．に示された波形が形成され、Eref-hとEr
ef-lの電圧を基準として図９ｄ．に図示された矩形波が
発生する。比較回路（８７）は制御信号（図９ｂ．）の
周波数と増幅および信号処理回路（８６）で発生した信
号の周波数とパルスの個数を比較してセンサー素子（１
８）の有無を判定した後、警報装置（８８）に送られて
警報を発することにより盗難防止の目的を果たす。図５
と図７を比較すると、図９ａ．の正弦波の１サイクル当
り、図５では２つのピークが存在することに対して、図
７では（ｎ）、（ｃ）、（ｉ）および（ｇ）の４個のピ
ークがある。即ち、本発明での磁気センサー素子の特徴
は発振された波形のピーク数の２倍、即ち１サイクル当
り４個のピークを示すというものである。
特な特性を利用できるように考案された盗難防止システ
ムの１つの実施例のブロックダイヤグラムである。周波
数発振器（８１）と磁気場発生回路（８２）により特定
周波数の正弦波（図９ａ．）を発生させ、これを電流増
幅回路（８４）で電流増幅させ送信機（９０）とトラン
スミッターアンテナ（１０）を介して磁気場を発生させ
る。この磁気場は受信機（８５）で受けられ、増幅およ
び信号処理回路（８６）に送られる。センサー素子（１
８）が感知された時、増幅および信号処理回路（８６）
により図９ｃ．に示された波形が形成され、Eref-hとEr
ef-lの電圧を基準として図９ｄ．に図示された矩形波が
発生する。比較回路（８７）は制御信号（図９ｂ．）の
周波数と増幅および信号処理回路（８６）で発生した信
号の周波数とパルスの個数を比較してセンサー素子（１
８）の有無を判定した後、警報装置（８８）に送られて
警報を発することにより盗難防止の目的を果たす。図５
と図７を比較すると、図９ａ．の正弦波の１サイクル当
り、図５では２つのピークが存在することに対して、図
７では（ｎ）、（ｃ）、（ｉ）および（ｇ）の４個のピ
ークがある。即ち、本発明での磁気センサー素子の特徴
は発振された波形のピーク数の２倍、即ち１サイクル当
り４個のピークを示すというものである。
【００２１】以上では本発明の例示的な実施例を参照し
て説明したが、かかる説明は制限的な意味で解釈されて
はいけないものである。本発明が関連された技術分野で
通常の知識を有している者ならば、本発明の詳細な説明
を参考にして例示的な実施例を多様に変更または組合さ
せ実施することもできるのは明らかである。したがっ
て、前述した特許請求の範囲はかかる変更と実施例を全
部含むものと理解すべきである。
て説明したが、かかる説明は制限的な意味で解釈されて
はいけないものである。本発明が関連された技術分野で
通常の知識を有している者ならば、本発明の詳細な説明
を参考にして例示的な実施例を多様に変更または組合さ
せ実施することもできるのは明らかである。したがっ
て、前述した特許請求の範囲はかかる変更と実施例を全
部含むものと理解すべきである。
【図１】本発明による磁気センサー素子からなるターゲ
ットを付着させた物品とそのターゲットを感知する盗難
防止システムとを併せて示す概略図。
ットを付着させた物品とそのターゲットを感知する盗難
防止システムとを併せて示す概略図。
【図２】図１の本発明による磁気センサー素子からなる
ターゲットが付着された物品を示す概略図。
ターゲットが付着された物品を示す概略図。
【図３】図２のターゲットが付着された物品を拡大して
示す断面図。
示す断面図。
【図４】従来の磁気センサー素子の磁気履歴曲線。
【図５】十分な大きさの磁気場が交流的に変化する時、
従来の磁気センサー素子により交流磁場が乱れることに
よって発生されるパルス信号。
従来の磁気センサー素子により交流磁場が乱れることに
よって発生されるパルス信号。
【図６】図１ないし図３のターゲットに用いられた、本
発明による独特な特性を有する磁気センサーの磁気履歴
曲線。
発明による独特な特性を有する磁気センサーの磁気履歴
曲線。
【図７】十分な大きさの磁気場が交流的に変化する時、
図１ないし図３のターゲットに用いられた、本発明によ
る独特な特性を有する磁気センサー素子により交流磁場
が乱れることによって発生されるパルス信号。
図１ないし図３のターゲットに用いられた、本発明によ
る独特な特性を有する磁気センサー素子により交流磁場
が乱れることによって発生されるパルス信号。
【図８】図６のような磁気特性と図７のような電気特性
を有する磁気センサー素子の独特な特性を利用した盗難
防止システムのブロックダイヤグラム。
を有する磁気センサー素子の独特な特性を利用した盗難
防止システムのブロックダイヤグラム。
【図９】図８のような盗難防止システムの作動原理を説
明するためのダイミングチャート。
明するためのダイミングチャート。
１０：トランスミッターアンテナ １２：物品 １４：ターゲット １６：レシーバーアンテナ ２２：酸化膜層 ２４：内部層 １８：磁気センサー素子 ８１：発振機 ８２：磁気場発生回路 ８３：制御信号発生回路 ８４：増幅回路 ８５：受信機 ８６：増幅および信号処理回路 ８７：比較回路 ８８：警報装置 ９０：送信機
Claims (8)
- 【請求項１】 〔Ｃｏx Ｆｅ1-x 〕1-n 〔Ｂy Ｓｉ
1-y 〕n （ただし、ｘ＝０〜１、ｙ＝０．２〜１および
ｎ＝０．１〜０．３である）の原子組成比を有する非晶
質磁性合金の層を含んでなる磁気センサー素子。 - 【請求項２】 前記非晶質磁性合金は５原子％までのＣ
ｒ、Ｎｉ、Ｍｎ等の第３または第４の金属元素を含有す
ることを特徴とする請求項１記載の磁気センサー素子。 - 【請求項３】 前記磁気センサー素子は外部交流磁場が
一周期ほど変わる間に２つの主ピークと２つの副ピーク
を示すことを特徴とする請求項１または２記載の磁気セ
ンサー素子。 - 【請求項４】 〔Ｃｏx Ｆｅ1-x 〕1-n 〔Ｂy Ｓｉ
1-y 〕n （ただし、ｘ＝０〜１、ｙ＝０．２〜１および
ｎ＝０．１〜０．３である）の原子組成比を有する非晶
質磁性合金を準備する段階と、 前記組成の非晶質磁性合金を２００℃〜４６０℃の温度
区間で大気中において１分間以上熱処理する段階とを含
むことを特徴とする磁気センサー製造方法。 - 【請求項５】 前記熱処理段階は外部磁場をゼロ値に近
づかせることを特徴とする請求項４記載の磁気センサー
製造方法。 - 【請求項６】 前記非晶質磁性合金は５原子％までのＣ
ｒ、Ｎｉ、Ｍｎ等の第３または第４の金属元素を含有す
ることを特徴とする請求項４または５記載の磁気センサ
ー製造方法。 - 【請求項７】 周波数発振手段（８１）、 特定周波数の正弦波を生成する手段（８２）、 前記正弦波を電流増幅して磁気場を発生させる手段（８
４）、 前記磁気場の周囲にあって、この磁気場が与えられる請
求項４による特性を有する磁気センサー素子（１８）、 前記磁気センサー素子に隣接しており、前記磁気センサ
ー素子を感知した信号を受信する受信機手段（８５）、 前記受信機手段に接続され、前記受信機手段から出たセ
ンサー信号の波形を基準として矩形波を生成する手段
（８６）、 前記周波数発振手段に結合され、前記周波数発振手段か
ら出た信号により制御信号を発生する制御信号発生手段
（８３）、 前記制御信号発生手段と前記矩形波生成手段の間に結合
され、前記制御信号の周波数と前記矩形波生成手段から
出た信号の周波数とパルスの個数を比較する比較手段
（８７）、および前記比較手段に結合され、前記比較手
段から出たセンサー有無の判定信号を受けて警報を発す
る警報手段（８８）、を含むことを特徴とする盗難防止
システム。 - 【請求項８】 前記センサー有無の判定は外部交流磁場
が一周期ほど変わる間に、２つの主ピークと２つの副ピ
ークを示す信号を感知してなされることを特徴とする請
求項６記載の盗難防止システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304790A JP2892995B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 磁気センサー素子、その製造方法および磁気センサー素子を備えた盗難防止システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304790A JP2892995B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 磁気センサー素子、その製造方法および磁気センサー素子を備えた盗難防止システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149911A true JPH10149911A (ja) | 1998-06-02 |
| JP2892995B2 JP2892995B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=17937275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8304790A Expired - Fee Related JP2892995B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 磁気センサー素子、その製造方法および磁気センサー素子を備えた盗難防止システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892995B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2374084A (en) * | 2001-04-03 | 2002-10-09 | Fourwinds Group Inc | Alloys having bistable magnetic behaviour |
| JP2017043836A (ja) * | 2015-07-15 | 2017-03-02 | インディアン オイル コーポレーション リミテッド | オーステナイト系ステンレス鋼における炭化を検出するための改良された巨大磁気−インピーダンス（ｇｍｉ）ベースの感知デバイス |
| WO2020090333A1 (ja) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 愛知製鋼株式会社 | 磁気センサ用感磁ワイヤおよびその製造方法 |
| US11579212B2 (en) | 2017-09-11 | 2023-02-14 | Aichi Steel Corporation | Magneto-sensitive wire for magnetic sensor and production method therefor |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP8304790A patent/JP2892995B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2374084A (en) * | 2001-04-03 | 2002-10-09 | Fourwinds Group Inc | Alloys having bistable magnetic behaviour |
| JP2017043836A (ja) * | 2015-07-15 | 2017-03-02 | インディアン オイル コーポレーション リミテッド | オーステナイト系ステンレス鋼における炭化を検出するための改良された巨大磁気−インピーダンス（ｇｍｉ）ベースの感知デバイス |
| US11579212B2 (en) | 2017-09-11 | 2023-02-14 | Aichi Steel Corporation | Magneto-sensitive wire for magnetic sensor and production method therefor |
| WO2020090333A1 (ja) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 愛知製鋼株式会社 | 磁気センサ用感磁ワイヤおよびその製造方法 |
| US12013447B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-06-18 | Aichi Steel Corporation | Magneto-sensitive wire for magnetic sensors and production method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2892995B2 (ja) | 1999-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0451812B1 (en) | Electromagnetic sensor element and method for making same | |
| US5729201A (en) | Identification tags using amorphous wire | |
| KR910000821B1 (ko) | 비결정성 도난방지 표시기 및 자기도난탐지시스템 | |
| US5729200A (en) | Magnetomechanical electronic article surveilliance marker with bias element having abrupt deactivation/magnetization characteristic | |
| JP3955624B2 (ja) | 機械的共振マーカー監視システム用金属ガラス合金 | |
| SE502894C2 (sv) | Elekronisk varuövervakningsanordning och märkanordning | |
| US6018296A (en) | Amorphous magnetostrictive alloy with low cobalt content and method for annealing same | |
| EP0446910A1 (en) | Theft detection apparatus and flattened wire target and method of making same | |
| KR980010915A (ko) | 전자 회로를 인에이블 및 디스에이블하는 방법 및 시스템 | |
| JPS61153799A (ja) | 電子監視装置のマ−カ及びこのマ−カで動作する電子物品監視装置 | |
| US6181245B1 (en) | Magnetomechanical electronic article surveillance marker with bias element having abrupt deactivation/magnetization characteristic | |
| EP1066612B1 (en) | Redistributing magnetic charge in bias element for magnetomechanical eas marker | |
| US20050242956A1 (en) | Magnetic marker for use in product authentication, and detector for reading the marker | |
| JP2892995B2 (ja) | 磁気センサー素子、その製造方法および磁気センサー素子を備えた盗難防止システム | |
| AU657811B2 (en) | A method of making or detecting a responder | |
| JP2002505374A (ja) | 機械的共振マーカ監視システム用の金属ガラス合金 | |
| KR0163822B1 (ko) | 도난 방지기용 자기 센서 및 시스템 | |
| JPH09134817A (ja) | 磁気マーカ | |
| EP0907939A4 (en) | GLOWING MAGNETIC ELEMENTS FOR STABLE MAGNETIC PROPERTIES | |
| JPS63167997A (ja) | 防犯センサシステム | |
| JPH11329817A (ja) | データキャリア装置およびその検出方法並びに検出装置 | |
| HK1022366A (en) | Magnetomechanical electronic article surveillance marker with low-coercivity bias element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080226 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090226 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |