JPH10150130A - 半導体装置用ソケット - Google Patents
半導体装置用ソケットInfo
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- JPH10150130A JPH10150130A JP8308482A JP30848296A JPH10150130A JP H10150130 A JPH10150130 A JP H10150130A JP 8308482 A JP8308482 A JP 8308482A JP 30848296 A JP30848296 A JP 30848296A JP H10150130 A JPH10150130 A JP H10150130A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Connecting Device With Holders (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電気テストの際にオープン不良等のコンタクト
不良やファンクション不良の発生がなく、バーインテス
ト後にスルーホールから金属層が剥れることのない半導
体装置用ソケットを提供する。 【解決手段】半導体装置４ａが位置する領域に複数の金
属突起５ａがフィルム両面に格子状に各々スルーホール
を介して形成されている第１のフィルム６ａと、半導体
装置４ａの外部接続用端子３ａと対応する位置に金属ボ
ール径よりも十分広いパッド７ａとこのパッド７ａから
スルーホールを介して外部接続用コンタクト１１ａまで
配線パターン８ａが形成されている第２のフィルム９ａ
を有している。
不良やファンクション不良の発生がなく、バーインテス
ト後にスルーホールから金属層が剥れることのない半導
体装置用ソケットを提供する。 【解決手段】半導体装置４ａが位置する領域に複数の金
属突起５ａがフィルム両面に格子状に各々スルーホール
を介して形成されている第１のフィルム６ａと、半導体
装置４ａの外部接続用端子３ａと対応する位置に金属ボ
ール径よりも十分広いパッド７ａとこのパッド７ａから
スルーホールを介して外部接続用コンタクト１１ａまで
配線パターン８ａが形成されている第２のフィルム９ａ
を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置用ソケッ
トに関する。
トに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置用ソケットについて、
図５，図６を用いて説明する。
図５，図６を用いて説明する。
【０００３】図５は従来の半導体装置用ソケットに半導
体装置を装着した状態を示す断面図であり、図６は半導
体装置と第１のフィルムとの接触部分を拡大した断面図
である。従来の半導体装置用ソケットは、耐熱性樹脂か
らなるベース１ｃと上蓋２ｃ、半導体装置４ｃの一定の
間隔をおいて縦横に多数配列された金属ボールからなる
外部接続用端子３ｃの位置に対応し、外部接続用端子３
ｃの径より広いスルーホール部１７ｃの途中まで金属層
１８ｃを埋め込んだ第１のフィルム６ｃと、半導体装置
４ｃの外部接続用端子３ｃに対応した位置に金属バンプ
１９ｃが形成され、そこからスルーホールを介し裏面に
引き出し用配線パターン８ｃが形成されている第２のフ
ィルム９ｃと、第２のフィルム９ｃの下に配置された弾
性体１０ｃ、第２のフィルム９ｃの引き出し配線パター
ン８ｃと接続する外部接続用コンタクト１１ｃ、半導体
装置を挿入する挿入枠１２ｃ、半導体装置４ｃを加圧す
る可動押さえ板１３ｃを備えている。ポリイミドからな
る第１のフィルム６ｃに形成された複数の金属層１８ｃ
は外径が０．３０ｍｍで格子状に配置されている。金属
層１８ｃの材質は例えばＣｕ等であり、Ａｕ又はＲｈ等
のメッキが施されている。同じくポリイミドからなる第
２のフィルム９ｃの下に配置された弾性体１０ｃはシリ
コンゴムからなっており、半導体装置４ｃの外部接続用
端子３ｃの高さばらつきを吸収する役目を果たしてい
る。
体装置を装着した状態を示す断面図であり、図６は半導
体装置と第１のフィルムとの接触部分を拡大した断面図
である。従来の半導体装置用ソケットは、耐熱性樹脂か
らなるベース１ｃと上蓋２ｃ、半導体装置４ｃの一定の
間隔をおいて縦横に多数配列された金属ボールからなる
外部接続用端子３ｃの位置に対応し、外部接続用端子３
ｃの径より広いスルーホール部１７ｃの途中まで金属層
１８ｃを埋め込んだ第１のフィルム６ｃと、半導体装置
４ｃの外部接続用端子３ｃに対応した位置に金属バンプ
１９ｃが形成され、そこからスルーホールを介し裏面に
引き出し用配線パターン８ｃが形成されている第２のフ
ィルム９ｃと、第２のフィルム９ｃの下に配置された弾
性体１０ｃ、第２のフィルム９ｃの引き出し配線パター
ン８ｃと接続する外部接続用コンタクト１１ｃ、半導体
装置を挿入する挿入枠１２ｃ、半導体装置４ｃを加圧す
る可動押さえ板１３ｃを備えている。ポリイミドからな
る第１のフィルム６ｃに形成された複数の金属層１８ｃ
は外径が０．３０ｍｍで格子状に配置されている。金属
層１８ｃの材質は例えばＣｕ等であり、Ａｕ又はＲｈ等
のメッキが施されている。同じくポリイミドからなる第
２のフィルム９ｃの下に配置された弾性体１０ｃはシリ
コンゴムからなっており、半導体装置４ｃの外部接続用
端子３ｃの高さばらつきを吸収する役目を果たしてい
る。
【０００４】組立完了した半導体装置４ｃは、電気テス
ト用のテストボード上のソケットあるいはバーインテス
ト用のソケットに搭載され試験が行われる。半導体装置
を測定用ソケットの挿入枠１２ｃから挿入し、ソケット
の上蓋２ｃを閉じ可動押さえ板１３ｃで半導体装置４ｃ
の裏面を第１のフィルム６ｃと共に加圧することによ
り、半導体装置４ｃの外部接続用端子３ｃから第１、第
２のフィルムを経由してソケットの外部接続用コンタク
ト１１ｃまでを電気的に接続し、半導体装置４ｃを保持
・固定する。そして、電気テスト・バーインテストで良
品となった半導体装置は、プリント配線基板に実装され
る。特に近年、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）での
実装技術が注目されており、検査手法・技術の確率が必
要となる。このＣＳＰでのテスト技術で課題とされてい
る項目の一つとして、半導体装置の外部端子と測定治具
のコンタクトとの確実な電気的接続がある。０．５ｍｍ
ピッチ、またはそれ以下の外部端子ピッチを持つ半導体
装置を測定する場合には必須である。
ト用のテストボード上のソケットあるいはバーインテス
ト用のソケットに搭載され試験が行われる。半導体装置
を測定用ソケットの挿入枠１２ｃから挿入し、ソケット
の上蓋２ｃを閉じ可動押さえ板１３ｃで半導体装置４ｃ
の裏面を第１のフィルム６ｃと共に加圧することによ
り、半導体装置４ｃの外部接続用端子３ｃから第１、第
２のフィルムを経由してソケットの外部接続用コンタク
ト１１ｃまでを電気的に接続し、半導体装置４ｃを保持
・固定する。そして、電気テスト・バーインテストで良
品となった半導体装置は、プリント配線基板に実装され
る。特に近年、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）での
実装技術が注目されており、検査手法・技術の確率が必
要となる。このＣＳＰでのテスト技術で課題とされてい
る項目の一つとして、半導体装置の外部端子と測定治具
のコンタクトとの確実な電気的接続がある。０．５ｍｍ
ピッチ、またはそれ以下の外部端子ピッチを持つ半導体
装置を測定する場合には必須である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置用ソ
ケットは、第１のフィルムの金属層の表面が平坦である
為、半導体装置の金属ボール表面と金属層表面のコンタ
クトは面同志でなされてしまう。その為、例えば金属ボ
ールが半田から構成されている場合は、コンタクト時に
金属層表面が半田ボール表面の酸化膜を破れず、接触抵
抗が安定していなかった。また、金属表面のコンタクト
性も劣化が早く、耐久性が悪かった。また、外部接続用
端子と接触する第１のフィルムの金属層は、スルーホー
ル部の途中まで金属を埋め込んで製造する工程上、０．
３ｍｍが金属層の最大径であり、またフィルムのスルー
ホールと金属層との間に０．０５ｍｍ程度の段差がある
ため、外部接続用端子と金属層との位置ずれが０．１５
ｍｍを超えた場合、電気的導通がとれないという問題が
あった。以上の問題のため、電気テストの際にオープン
不良等のコンタクト不良やファンクションテスト不良が
発生していた。さらに、外部接続用端子と接触する第１
のフィルムの金属層は、０．３ｍｍ径のスルーホール部
の途中まで金属を埋め込んである構造上、バーインテス
ト後にスルーホールから金属層が剥がれるという問題が
あった。
ケットは、第１のフィルムの金属層の表面が平坦である
為、半導体装置の金属ボール表面と金属層表面のコンタ
クトは面同志でなされてしまう。その為、例えば金属ボ
ールが半田から構成されている場合は、コンタクト時に
金属層表面が半田ボール表面の酸化膜を破れず、接触抵
抗が安定していなかった。また、金属表面のコンタクト
性も劣化が早く、耐久性が悪かった。また、外部接続用
端子と接触する第１のフィルムの金属層は、スルーホー
ル部の途中まで金属を埋め込んで製造する工程上、０．
３ｍｍが金属層の最大径であり、またフィルムのスルー
ホールと金属層との間に０．０５ｍｍ程度の段差がある
ため、外部接続用端子と金属層との位置ずれが０．１５
ｍｍを超えた場合、電気的導通がとれないという問題が
あった。以上の問題のため、電気テストの際にオープン
不良等のコンタクト不良やファンクションテスト不良が
発生していた。さらに、外部接続用端子と接触する第１
のフィルムの金属層は、０．３ｍｍ径のスルーホール部
の途中まで金属を埋め込んである構造上、バーインテス
ト後にスルーホールから金属層が剥がれるという問題が
あった。
【０００６】本発明の目的は、電気テストの際にオープ
ン不良等のコンタクト不良やファンクションテスト不良
の発生がなく、バーインテスト後にスルーホールから金
属層が剥れることない半導体装置用ソケットを提供する
ことにある。
ン不良等のコンタクト不良やファンクションテスト不良
の発生がなく、バーインテスト後にスルーホールから金
属層が剥れることない半導体装置用ソケットを提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用ソ
ケットは、耐熱性樹脂よりなるベースと、該ベースの上
部に配置された上蓋と、前記ベースに設けられた外部接
続用コンタクトと、前記ベースと前記上蓋との中間に配
置され半導体装置を挿入する挿入枠と、前記半導体装置
を加圧する可動押さえ板とを備え、一定の間隔をおいて
縦横に多数配列された金属ボールからなる外部接続用端
子を有する半導体装置を測定する半導体装置用ソケット
において、前記半導体装置が位置する領域に複数の金属
突起がフィルム両面に格子状に前記外部端子よりも小
径，狭ピッチで各々スルーホールを介して前記外部接続
用端子に接続するように形成されている第１のフィルム
と、前記外部接続用端子と対応する位置に前記金属突起
の径よりも十分広い幅のパッドと、このパッドからスル
ーホールを介して前記外部接続用コンタクトまで配線が
形成されている第２のフィルムを有し、前記半導体装置
を前記挿入枠に挿入しこの半導体装置と前記第１のフィ
ルムとを共に加圧することにより、前記第２のフィルム
との電気接触とを得ることを特徴とする。
ケットは、耐熱性樹脂よりなるベースと、該ベースの上
部に配置された上蓋と、前記ベースに設けられた外部接
続用コンタクトと、前記ベースと前記上蓋との中間に配
置され半導体装置を挿入する挿入枠と、前記半導体装置
を加圧する可動押さえ板とを備え、一定の間隔をおいて
縦横に多数配列された金属ボールからなる外部接続用端
子を有する半導体装置を測定する半導体装置用ソケット
において、前記半導体装置が位置する領域に複数の金属
突起がフィルム両面に格子状に前記外部端子よりも小
径，狭ピッチで各々スルーホールを介して前記外部接続
用端子に接続するように形成されている第１のフィルム
と、前記外部接続用端子と対応する位置に前記金属突起
の径よりも十分広い幅のパッドと、このパッドからスル
ーホールを介して前記外部接続用コンタクトまで配線が
形成されている第２のフィルムを有し、前記半導体装置
を前記挿入枠に挿入しこの半導体装置と前記第１のフィ
ルムとを共に加圧することにより、前記第２のフィルム
との電気接触とを得ることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置用ソケットの
製造方法の一実施の形態を、図面を参照して説明する。
製造方法の一実施の形態を、図面を参照して説明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施の形態の半導体
装置を装着した状態を示す断面図であり、図２は図１の
半導体装置と第１のフィルムとの接触部分を拡大した断
面図である。本発明の第１の実施の形態の半導体装置用
ソケットは、耐熱性樹脂からなるベース１ａと上蓋２
ａ、一定の間隔をおいて縦横に多数配列された金属ボー
ルからなる外部接続用端子３ａを有する半導体装置４ａ
が位置する領域に複数の金属突起５ａが両面に格子状に
各々スルーホールを介して形成されている第１のフィル
ム６ａ、該半導体装置４ａの外部接続用端子３ａに対応
する位置に金属ボール径より十分広いパッド７ａとそこ
からスルーホールを介し裏面に引き出し配線パターン８
ａを有する第２のフィルム９ａ、該第２のフィルム９ａ
の下に配置された弾性体１０ａ、該第２のフィルム９ａ
の引き出し配線パターン８ａと接続する外部接続用コン
タクト１１ａ、該半導体装置４ａを挿入する挿入枠１２
ａ、該半導体装置４ａを加圧する可動押さえ板１３ａを
備えている。ポリイミドからなる第１のフィルム６ａに
形成された複数の金属突起５ａは外径が０．０２５ｍｍ
で、フィルム両面に０．０５ｍｍピッチで格子状に配置
されている。金属突起５ａの材質は例えばＣｕ等であ
り、Ａｕ又はＲｈ等のメッキが施されている。また、同
じくポリイミドからなる第２のフィルム９ａに形成され
たパッドサイズは約０．４０ｍｍである。第２のフィル
ム９ａの下に配置された弾性体１０ａはシリコンゴムか
らなっており、半導体装置４ａの外部接続用端子３ａの
高さばらつきを吸収する役目を果たしている。
装置を装着した状態を示す断面図であり、図２は図１の
半導体装置と第１のフィルムとの接触部分を拡大した断
面図である。本発明の第１の実施の形態の半導体装置用
ソケットは、耐熱性樹脂からなるベース１ａと上蓋２
ａ、一定の間隔をおいて縦横に多数配列された金属ボー
ルからなる外部接続用端子３ａを有する半導体装置４ａ
が位置する領域に複数の金属突起５ａが両面に格子状に
各々スルーホールを介して形成されている第１のフィル
ム６ａ、該半導体装置４ａの外部接続用端子３ａに対応
する位置に金属ボール径より十分広いパッド７ａとそこ
からスルーホールを介し裏面に引き出し配線パターン８
ａを有する第２のフィルム９ａ、該第２のフィルム９ａ
の下に配置された弾性体１０ａ、該第２のフィルム９ａ
の引き出し配線パターン８ａと接続する外部接続用コン
タクト１１ａ、該半導体装置４ａを挿入する挿入枠１２
ａ、該半導体装置４ａを加圧する可動押さえ板１３ａを
備えている。ポリイミドからなる第１のフィルム６ａに
形成された複数の金属突起５ａは外径が０．０２５ｍｍ
で、フィルム両面に０．０５ｍｍピッチで格子状に配置
されている。金属突起５ａの材質は例えばＣｕ等であ
り、Ａｕ又はＲｈ等のメッキが施されている。また、同
じくポリイミドからなる第２のフィルム９ａに形成され
たパッドサイズは約０．４０ｍｍである。第２のフィル
ム９ａの下に配置された弾性体１０ａはシリコンゴムか
らなっており、半導体装置４ａの外部接続用端子３ａの
高さばらつきを吸収する役目を果たしている。
【００１０】組立完了した半導体装置４ａは、電気テス
ト用のテストボード上のソケットあるいはバーインテス
ト用のソケットに搭載され試験が行われる。半導体装置
４ａを半導体装置用ソケットの挿入枠１２ａから挿入
し、ソケットの上蓋２ａを閉じ可動押さえ板１３ａで半
導体装置４ａの裏面を第１のフィルム６ａと共に加圧す
ることにより、半導体装置の外部接続用端子３ａから第
１、第２のフィルムを経由しソケットの外部接続用コン
タクト１１ａまでを電気的に接続し、半導体装置４ａを
保持・固定する。そして、電気テスト・バーインテスト
で良品となった半導体装置４ａは、プリント配線基板に
実装される。
ト用のテストボード上のソケットあるいはバーインテス
ト用のソケットに搭載され試験が行われる。半導体装置
４ａを半導体装置用ソケットの挿入枠１２ａから挿入
し、ソケットの上蓋２ａを閉じ可動押さえ板１３ａで半
導体装置４ａの裏面を第１のフィルム６ａと共に加圧す
ることにより、半導体装置の外部接続用端子３ａから第
１、第２のフィルムを経由しソケットの外部接続用コン
タクト１１ａまでを電気的に接続し、半導体装置４ａを
保持・固定する。そして、電気テスト・バーインテスト
で良品となった半導体装置４ａは、プリント配線基板に
実装される。
【００１１】本発明の第１の実施の形態では、第１のフ
ィルムの金属突起５ａは外径が０．０２５ｍｍ、０．０
５ｍｍピッチで格子状に配置されている為、半導体装置
４ａの外部接続用端子３ａと金属突起５ａとの接触が多
点で行える。外径０．２２ｍｍの外部接続用端子の場合
には、約９点での接触が可能となる。また金属突起５ａ
が半導体装置４ａの外部接続用端子３ａにくい込む形で
接触する。従来の半導体装置用ソケットでは、半導体装
置の外部接続用端子表面と金属突起表面のコンタクトは
面同志でなされていた為、例えば金属ボールが半田から
構成されている場合は、コンタクト時に金属層表面が半
田ボール表面の酸化膜を破れず接触抵抗が安定していな
かったが、本発明の第１の実施の形態により金属突起と
外部接続用端子との確実な電気的導通が可能となり、接
触抵抗が安定する。
ィルムの金属突起５ａは外径が０．０２５ｍｍ、０．０
５ｍｍピッチで格子状に配置されている為、半導体装置
４ａの外部接続用端子３ａと金属突起５ａとの接触が多
点で行える。外径０．２２ｍｍの外部接続用端子の場合
には、約９点での接触が可能となる。また金属突起５ａ
が半導体装置４ａの外部接続用端子３ａにくい込む形で
接触する。従来の半導体装置用ソケットでは、半導体装
置の外部接続用端子表面と金属突起表面のコンタクトは
面同志でなされていた為、例えば金属ボールが半田から
構成されている場合は、コンタクト時に金属層表面が半
田ボール表面の酸化膜を破れず接触抵抗が安定していな
かったが、本発明の第１の実施の形態により金属突起と
外部接続用端子との確実な電気的導通が可能となり、接
触抵抗が安定する。
【００１２】また、半導体装置用ソケットの第２のフィ
ルム９ａに形成されたパッドサイズは約０．４０ｍｍで
ある。従来の半導体装置用ソケットでは、外部接続用端
子と接触する第１のフィルムの金属層は、スルーホール
部の途中まで金属を埋め込んで製造する工程上、０．３
ｍｍ金属層の最大径であり、またフィルムのスルーホー
ルと金属層との間に０．０５ｍｍ程度の段差があるた
め、外部接続用端子と金属層との位置ずれが０．１５ｍ
ｍを超えた場合、電気的導通がとれないという問題があ
ったが、０．２ｍｍの位置ずれに対しても確実な接触が
可能となる。その結果、電気テストの際にオープン不良
等のコンタクト不良やファンクションテスト不良の発生
を防止でき歩留まり向上がはかれる。さらに、従来の半
導体装置用ソケットでは、外部接続端子と接触する第１
のフィルムの金属層は、０．３ｍｍ径のスルーホール部
の途中まで金属を埋め込んである構造上、バーインテス
ト後にスルーホールから金属層が剥がれるという問題が
あったが、第１のフィルムの金属突起形成用スルーホー
ルは各々外径０．０２０と小さいため、金属突起が抜け
るという問題は全く無くなる。
ルム９ａに形成されたパッドサイズは約０．４０ｍｍで
ある。従来の半導体装置用ソケットでは、外部接続用端
子と接触する第１のフィルムの金属層は、スルーホール
部の途中まで金属を埋め込んで製造する工程上、０．３
ｍｍ金属層の最大径であり、またフィルムのスルーホー
ルと金属層との間に０．０５ｍｍ程度の段差があるた
め、外部接続用端子と金属層との位置ずれが０．１５ｍ
ｍを超えた場合、電気的導通がとれないという問題があ
ったが、０．２ｍｍの位置ずれに対しても確実な接触が
可能となる。その結果、電気テストの際にオープン不良
等のコンタクト不良やファンクションテスト不良の発生
を防止でき歩留まり向上がはかれる。さらに、従来の半
導体装置用ソケットでは、外部接続端子と接触する第１
のフィルムの金属層は、０．３ｍｍ径のスルーホール部
の途中まで金属を埋め込んである構造上、バーインテス
ト後にスルーホールから金属層が剥がれるという問題が
あったが、第１のフィルムの金属突起形成用スルーホー
ルは各々外径０．０２０と小さいため、金属突起が抜け
るという問題は全く無くなる。
【００１３】次に、本発明の第２の実施の形態について
図３，図４を用いて説明する。
図３，図４を用いて説明する。
【００１４】図３は本発明の第２の実施の形態の半導体
装置用ソケットに半導体装置を装着した状態を示す断面
図であり、図４は半導体装置と第１のフィルムとの接触
部分を拡大した断面図である。本発明の実施の形態で
は、半導体装置４ｂの外部接続用端子３ｂに対応する位
置に金属ボール径より十分広いパッド７ｂとそこから外
部接続用コンタクト１１ｂまで配線パターン８ｂを有す
る第２のフィルム９ｂが多層構造となっている。電源配
線１４ｂ、グランド配線１５ｂは内層でつながってお
り、信号配線１６ｂはスルーホールを介しそれぞれ外部
接続用コンタクトまでパターン配線されている。
装置用ソケットに半導体装置を装着した状態を示す断面
図であり、図４は半導体装置と第１のフィルムとの接触
部分を拡大した断面図である。本発明の実施の形態で
は、半導体装置４ｂの外部接続用端子３ｂに対応する位
置に金属ボール径より十分広いパッド７ｂとそこから外
部接続用コンタクト１１ｂまで配線パターン８ｂを有す
る第２のフィルム９ｂが多層構造となっている。電源配
線１４ｂ、グランド配線１５ｂは内層でつながってお
り、信号配線１６ｂはスルーホールを介しそれぞれ外部
接続用コンタクトまでパターン配線されている。
【００１５】この実施の形態では、第１の実施の形態と
同様な効果を持つ。更に、第２のフィルム内層で電源ピ
ン、グランドピンが電気的に接続されていることにより
配線抵抗を小さくでき、電源、グランドを強化する事が
可能になる。
同様な効果を持つ。更に、第２のフィルム内層で電源ピ
ン、グランドピンが電気的に接続されていることにより
配線抵抗を小さくでき、電源、グランドを強化する事が
可能になる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、第１の
フィルムの金属突起が０．０５ｍｍ程度の狭ピッチで格
子状に配置されている為、半導体装置の外部接続用端子
と金属突起との接触が多点で行え、また金属突起が半導
体装置の外部接続用端子にくい込む形で接触する。これ
により、金属突起と外部接続用端子との確実な電気的導
通が可能となり、接触抵抗が安定する。また、半導体装
置用ソケットの第２のフィルムに形成されたパッドサイ
ズは約０．４０ｍｍである為、０．２ｍｍの位置ずれに
対しても確実な接触が可能となる。その結果、電気テス
トの際にオープン不良等のコンタクト不良やファンクシ
ョンテスト不良の発生を防止でき歩留まり向上がはかれ
る。また、第１のフィルムの金属突起形成用スルーホー
ルは各々外径が０．０２０ｍｍと小さいため、金属突起
が抜けるという問題は全く無くなる。更に、第２のフィ
ルムを多層にし、内層で電源ピン、グランドピンが電気
的に接続することにより、配線抵抗を小さくでき電源や
グランドを強化する事が可能になるという効果を持つ。
フィルムの金属突起が０．０５ｍｍ程度の狭ピッチで格
子状に配置されている為、半導体装置の外部接続用端子
と金属突起との接触が多点で行え、また金属突起が半導
体装置の外部接続用端子にくい込む形で接触する。これ
により、金属突起と外部接続用端子との確実な電気的導
通が可能となり、接触抵抗が安定する。また、半導体装
置用ソケットの第２のフィルムに形成されたパッドサイ
ズは約０．４０ｍｍである為、０．２ｍｍの位置ずれに
対しても確実な接触が可能となる。その結果、電気テス
トの際にオープン不良等のコンタクト不良やファンクシ
ョンテスト不良の発生を防止でき歩留まり向上がはかれ
る。また、第１のフィルムの金属突起形成用スルーホー
ルは各々外径が０．０２０ｍｍと小さいため、金属突起
が抜けるという問題は全く無くなる。更に、第２のフィ
ルムを多層にし、内層で電源ピン、グランドピンが電気
的に接続することにより、配線抵抗を小さくでき電源や
グランドを強化する事が可能になるという効果を持つ。
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体装置用ソケ
ットに半導体装置を装着した状態を示す断面図である。
ットに半導体装置を装着した状態を示す断面図である。
【図２】図１の半導体装置と第１のフィルムとの接触部
分を拡大した断面図である。
分を拡大した断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の半導体装置用ソケ
ットに半導体装置を装着した状態を示す断面図である。
ットに半導体装置を装着した状態を示す断面図である。
【図４】図３の半導体装置と第１のフィルムとの接触部
分を拡大した断面図である。
分を拡大した断面図である。
【図５】従来の半導体装置用ソケットに半導体装置を装
置した状態を示す断面図である。
置した状態を示す断面図である。
【図６】図５の半導体装置と第１フィルムとの接触部分
を拡大した断面図である。
を拡大した断面図である。
１ａ，１ｂ，１ｃ ベース ２ａ，２ｂ，２ｃ 上蓋 ３ａ，３ｂ，３ｃ 外部接続用端子 ４ａ，４ｂ，４ｃ 半導体装置 ５ａ，５ｂ 金属突起 ６ａ，６ｂ，６ｃ 第１のフィルム ７ａ，７ｂ パッド ８ａ，８ｂ，８ｃ 配線パターン ９ａ，９ｂ，９ｃ 第２のフィルム １０ａ，１０ｂ，１０ｃ 弾性体 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ 外部接続用コンタクト １２ａ，１２ｂ，１２ｃ 挿入枠 １３ａ，１３ｂ，１３ｃ 可動押さえ板 １４ｂ 電源配線 １５ｂ グランド配線 １６ｂ 信号配線 １７ｃ スルーホール部 １８ｃ 金属層 １９ｃ 金属バンプ
Claims (3)
- 【請求項１】 耐熱性樹脂よりなるベースと、該ベース
の上部に配置された上蓋と、前記ベースに設けられた外
部接続用コンタクトと、前記ベースと前記上蓋との中間
に配置され半導体装置を挿入する挿入枠と、前記半導体
装置を加圧する可動押さえ板とを備え、一定の間隔をお
いて縦横に多数配列された金属ボールからなる外部接続
用端子を有する半導体装置を測定する半導体装置用ソケ
ットにおいて、前記半導体装置が位置する領域に複数の
金属突起がフィルム両面に格子状に前記外部端子よりも
小径，狭ピッチで各々スルーホールを介して前記外部接
続用端子に接続するように形成されている第１のフィル
ムと、前記外部接続用端子と対応する位置に前記金属突
起の径よりも十分広い幅のパッドと、このパッドからス
ルーホールを介して前記外部接続用コンタクトまで配線
が形成されている第２のフィルムを有していることを特
徴とする半導体装置用ソケット。 - 【請求項２】 半導体装置を挿入枠に挿入しこの半導体
装置を前記第１のフィルムとを共に加圧することによ
り、前記第２のフィルムとの電気接触とを得ることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置用ソケット。 - 【請求項３】 前記第２のフィルムが多層配線構造とな
っていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用
ソケット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308482A JP2842416B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 半導体装置用ソケット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308482A JP2842416B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 半導体装置用ソケット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10150130A true JPH10150130A (ja) | 1998-06-02 |
| JP2842416B2 JP2842416B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=17981556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8308482A Expired - Fee Related JP2842416B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 半導体装置用ソケット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2842416B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000187057A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Noozeru Engineering Kk | 半導体デバイス検査装置 |
| US6710610B1 (en) | 1998-09-29 | 2004-03-23 | Hitachi, Ltd. | Socket for testing of semiconductor device, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101899389B1 (ko) * | 2016-10-19 | 2018-09-17 | 주식회사 오킨스전자 | 마이크로 범프 인터포저, 및 이를 포함하는 테스트 소켓 |
| KR101889384B1 (ko) | 2016-10-19 | 2018-09-20 | 주식회사 오킨스전자 | 피치프리 범프 인터포저 |
-
1996
- 1996-11-19 JP JP8308482A patent/JP2842416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6710610B1 (en) | 1998-09-29 | 2004-03-23 | Hitachi, Ltd. | Socket for testing of semiconductor device, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device |
| JP2000187057A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Noozeru Engineering Kk | 半導体デバイス検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2842416B2 (ja) | 1999-01-06 |
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