JPH10150227A - Chip type light emitting device - Google Patents
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- JPH10150227A JPH10150227A JP8304811A JP30481196A JPH10150227A JP H10150227 A JPH10150227 A JP H10150227A JP 8304811 A JP8304811 A JP 8304811A JP 30481196 A JP30481196 A JP 30481196A JP H10150227 A JPH10150227 A JP H10150227A
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 非常に小形化されたチップ型発光素子におい
てもそのパッケージが剥離しない構造のチップ型発光素
子を提供する。
【解決手段】 絶縁基板1と、該絶縁基板の両端部に設
けられる端子電極2、3と、該両端部の端子電極にそれ
ぞれ接続される2つの電極を有する発光素子チップ(L
EDチップ)4と、該発光素子チップの周囲を被覆する
樹脂からなるパッケージ5とからなり、前記基板の側部
に該基板の裏面まで延びる切欠部1aが形成され、前記
樹脂が該切欠部を介して前記基板の裏面まで回り込んで
前記パッケージが形成されている。
(57) [Problem] To provide a chip-type light-emitting element having a structure in which a package is not peeled off even in a very small chip-type light-emitting element. SOLUTION: A light emitting element chip (L) having an insulating substrate 1, terminal electrodes 2 and 3 provided at both ends of the insulating substrate, and two electrodes respectively connected to the terminal electrodes at both ends.
An ED chip) 4 and a package 5 made of a resin that covers the periphery of the light emitting element chip. A notch 1a is formed on the side of the substrate and extends to the back surface of the substrate. The package extends to the back surface of the substrate via the substrate.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話機やPHS
などの携帯用電子機器の照明や表示用などの光源に用い
られるのに適した小形のチップ型発光素子に関する。さ
らに詳しくは、絶縁基板上に発光素子チップがマウント
され、その表面がモールド樹脂により被覆されてパッケ
ージが形成される構造のチップ型発光素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to portable telephones and PHSs.
The present invention relates to a small chip-type light emitting element suitable for being used as a light source for illumination or display of portable electronic devices such as. More specifically, the present invention relates to a chip-type light-emitting element having a structure in which a light-emitting element chip is mounted on an insulating substrate, and a surface thereof is covered with a mold resin to form a package.
【0002】[0002]
【従来の技術】携帯電話機やPHSなどの携帯機器の小
形化に伴い、それらに用いられる発光素子なども軽薄短
小化が要求されている。2. Description of the Related Art As portable devices such as portable telephones and PHSs are downsized, light-emitting elements and the like used for them are also required to be light and thin.
【0003】この種のチップ型発光素子は図7に示され
るように、基板1の両端部に端子電極2、3が形成さ
れ、一方の端子電極2の一部となる電極上に発光ダイオ
ード(以下、LEDという)チップ4がボンディングさ
れてその下部電極が端子電極2と直接接続され、その上
部電極が金線7により他方の端子電極3とワイヤボンデ
ィングされることにより、電気的に接続されている。こ
の基板1は、ガラスクロスなどに耐熱性のBT樹脂を含
浸させたBTレジンなどからなっており、その表面側に
は、透明または乳白色のエポキシ樹脂などからなる樹脂
によりモールドされて、LEDチップ4や金線7などを
被覆して保護するパッケージ5が形成されている。この
BTレジンなどからなる基板1とエポキシ樹脂などから
なるパッケージ5とは密着性がよく、基板1の表面に被
覆されるだけで固着されている。As shown in FIG. 7, in this type of chip type light emitting element, terminal electrodes 2 and 3 are formed at both ends of a substrate 1, and a light emitting diode (LED) is formed on an electrode which is a part of one terminal electrode 2. A chip 4 (hereinafter referred to as an LED) is bonded and its lower electrode is directly connected to the terminal electrode 2, and its upper electrode is electrically connected to the other terminal electrode 3 by wire bonding with a gold wire 7. I have. The substrate 1 is made of a BT resin or the like in which a heat-resistant BT resin is impregnated in a glass cloth or the like, and the surface of the substrate 1 is molded with a resin made of a transparent or milky-colored epoxy resin to form an LED chip 4. A package 5 for covering and protecting the metal wire 7 and the like is formed. The substrate 1 made of BT resin or the like and the package 5 made of epoxy resin or the like have good adhesion and are fixed only by being coated on the surface of the substrate 1.
【0004】前述のように、この種の発光素子は小形化
が要求され、その横(D)×縦(E)×高さ(F)が従
来の2mm×1.25mm×0.8mm程度から1.6m
m×0.8mm×0.8mm程度と小さくなっており、さ
らに1mm×0.5mm×0.5mm程度の小形化が要求
されている。As described above, this type of light emitting element is required to be downsized, and its width (D) × length (E) × height (F) is reduced from the conventional size of about 2 mm × 1.25 mm × 0.8 mm. 1.6m
It is as small as about mx 0.8 mm x 0.8 mm, and further downsizing of about 1 mm x 0.5 mm x 0.5 mm is required.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】前述のように、チップ
型発光素子の小形化が要求される場合、その発光輝度な
どの特性を低下させることができず、LEDチップを小
さくすることは殆どできない。そのため、基板のLED
チップなどがない部分が削減されることにより小形化さ
れる。パッケージのエポキシ樹脂は、前述のように、基
板とは馴染みがよく強い接着強度が得られるが、端子電
極の表面やLEDチップの表面の電極などの金属とは馴
染みが悪く、接着強度が弱い。そのため、前述のよう
に、素子の小形化に伴い他の部品が装着されない基板部
分が削減されると、パッケージの樹脂と基板との接触部
分が殆どなくなり、接着強度が弱くなる。As described above, when miniaturization of a chip type light emitting element is required, characteristics such as the light emission luminance cannot be reduced, and the LED chip can hardly be reduced in size. . Therefore, the LED on the board
The size is reduced by reducing the portion without chips or the like. As described above, the epoxy resin of the package is well-adapted to the substrate and has high adhesive strength, but is poorly-adapted to metals such as electrodes on the surface of the terminal electrode and the surface of the LED chip, and has low adhesive strength. For this reason, as described above, when the size of the element is reduced and the number of substrate parts on which other components are not mounted is reduced, there is almost no contact between the package resin and the substrate, and the adhesive strength is reduced.
【0006】このようなチップ型発光素子がたとえば携
帯電話機のスイッチ部に用いられる場合、図8に示され
るように、カット部12が設けられた連結基板11のカ
ット部12の近傍に並んで設けられ、ユーザ側で使用時
にカット部12で切り離してその基板ごと携帯電話機な
どに組み込まれるが、このカット部12で連結基板11
を切り離す際にチップ型発光素子10のパッケージに力
が加わり、パッケージが剥離することがある。また、こ
のように基板に予め取り付けられていない場合でも、部
品同志の衝突により、または組立て時のハンドリングに
よりパッケージが剥離するという問題がある。When such a chip type light emitting element is used in, for example, a switch section of a cellular phone, as shown in FIG. 8, it is provided side by side near the cut section 12 of the connection board 11 provided with the cut section 12. At the time of use on the user side, the board is cut off by the cut section 12 and incorporated into a mobile phone or the like together with the board.
When cutting off the package, force is applied to the package of the chip-type light emitting element 10, and the package may be peeled off. Further, even when the package is not attached to the substrate in advance, there is a problem that the package is peeled off due to collision between components or handling during assembly.
【0007】一方、リードフレーム上に半導体素子のチ
ップがボンディングされ、モールド樹脂によりパッケー
ジが形成される半導体装置で、パッケージの剥離やリー
ドのパッケージからの抜けを防止するため、リードフレ
ームにロッキングホールを設けておき、モールド樹脂を
貫通させることにより剥離やリード抜けを防止すること
は行われている。しかし、チップ型発光素子のように、
基板がパッケージの樹脂と馴染みがよく、しかも小形化
が要求され、チップ部品の裏面に電極端子を有して直接
プリント基板などに面実装を要求される部品では、基板
がリードフレームとは異なること、ロッキングホールを
設けるスペースの確保が難かしいこと、基板裏面側の厚
さを増加できないこと、および面実装のための裏面電極
端子の形成が必要であることなどの点から通常のロッキ
ングホールの考えを適用できない。On the other hand, in a semiconductor device in which a chip of a semiconductor element is bonded on a lead frame and a package is formed by a mold resin, a locking hole is formed in the lead frame to prevent peeling of the package and removal of the lead from the package. It has been practiced to provide a mold resin and prevent peeling and lead omission by penetrating the mold resin. However, like a chip type light emitting element,
The board is different from the lead frame if the board is familiar with the resin of the package, and it is required to be miniaturized.Parts that have electrode terminals on the back of the chip component and require surface mounting directly on a printed board etc. The idea of a normal locking hole is that it is difficult to secure the space for the locking hole, the thickness of the back side of the board cannot be increased, and the formation of the back electrode terminal for surface mounting is necessary. Cannot be applied.
【0008】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、非常に小形化されたチップ型発光素
子においてもそのパッケージが剥離しない構造のチップ
型発光素子を提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a chip type light emitting device having a structure in which a package is not peeled off even in a very small chip type light emitting device. And
【0009】本発明の他の目的は、パッケージの剥離を
防止しながらさらに小形で薄型のチップ型発光素子を提
供することにある。Another object of the present invention is to provide a smaller and thinner chip-type light emitting device while preventing peeling of a package.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明によるチップ型発
光素子は、基板と、該基板の両端部に設けられる端子電
極と、該両端部の端子電極にそれぞれ接続される2つの
電極を有する発光素子チップと、該発光素子チップの周
囲を被覆する樹脂からなるパッケージとからなり、前記
基板の側部に該基板の裏面まで延びる切欠部が形成さ
れ、前記パッケージの樹脂が該切欠部を介して前記基板
の裏面まで回り込んで前記パッケージが形成されてい
る。According to the present invention, there is provided a chip-type light emitting device comprising a substrate, terminal electrodes provided at both ends of the substrate, and two electrodes respectively connected to the terminal electrodes at both ends. An element chip and a package made of a resin covering the periphery of the light emitting element chip, a cutout extending to the back surface of the substrate is formed on a side portion of the substrate, and the resin of the package passes through the cutout. The package extends around the back surface of the substrate.
【0011】この構造にすることにより、基板には貫通
孔ではなく、切欠部が形成されるだけでよく、基板の面
積を大きくする必要がない。しかもパッケージの樹脂が
基板の表面側から裏面に回り込んでいるため、パッケー
ジが剥離することがない。According to this structure, not only a through-hole but a notch is formed in the substrate, and there is no need to increase the area of the substrate. Moreover, since the resin of the package extends from the front side of the substrate to the back side, the package does not peel off.
【0012】前記端子電極が前記基板の裏面まで回り込
んで形成される構造で、前記基板の裏面まで回り込んで
形成される樹脂は前記基板の裏面の端子電極のない部分
で、前記端子電極の厚さだけ設けられることにより、裏
面側への寸法も大きくならないで、薄型のままでパッケ
ージをしっかりと固着することができる。In a structure in which the terminal electrode is formed so as to extend to the back surface of the substrate, a resin formed to extend to the back surface of the substrate is a portion of the back surface of the substrate where no terminal electrode is provided, and By providing only the thickness, it is possible to firmly fix the package while keeping its thickness without increasing the size on the back surface side.
【0013】前記発光素子チップは、該発光素子チップ
の発光層の外形が長方形状になるような直方体に形成さ
れ、前記長方形状の長辺側の面が前記基板表面と平行に
なるように前記基板に設けられていることにより、厚さ
方向も薄く形成され、一層薄型のチップ型発光素子が得
られながら、パッケージをしっかりと固着することがで
きる。The light emitting element chip is formed in a rectangular parallelepiped shape such that the outer shape of a light emitting layer of the light emitting element chip is rectangular, and the long side surface of the rectangular shape is parallel to the substrate surface. By being provided on the substrate, the package can be firmly fixed while a thinner chip-type light-emitting element is obtained in a thinner thickness direction.
【0014】ここに発光層とは、p型層とn型層とが直
接接するpn接合面の近傍やp型層とn型層とにより挟
持される活性層などの電子と正孔の再結合により光を発
生させる領域を意味する。Here, the light-emitting layer means the recombination of electrons and holes in the vicinity of the pn junction where the p-type layer and the n-type layer are in direct contact, or in the active layer sandwiched between the p-type layer and the n-type layer. Means an area in which light is generated.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明のチップ型発光素子について説明をする。Next, a chip type light emitting device of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0016】本発明のチップ型発光素子は、図1(a)
〜(b)に斜視図および(a)のI−I線断面図がそれ
ぞれ示されるような構造になっている。すなわち、基板
1の両端部に端子電極2、3が基板1の裏面側に亘って
設けられており、LEDチップ4の下部電極が端子電極
2の一部にボンディングされ、上部電極は金線7により
他方の端子電極3とワイヤボンディングされて、それぞ
れ電気的に接続されている。その周囲がエポキシ樹脂な
どからなるパッケージ5により被覆されることにより形
成されている。このパッケージ5は、基板1の側部に設
けられた切欠部1aを介して基板1の裏面にまで回り込
んで設けられている。FIG. 1A shows a chip type light emitting device of the present invention.
(B) is a structure as shown in a perspective view and (a) is a sectional view taken along the line II. That is, terminal electrodes 2 and 3 are provided at both ends of the substrate 1 over the back surface of the substrate 1, the lower electrode of the LED chip 4 is bonded to a part of the terminal electrode 2, and the upper electrode is a gold wire 7. Is wire-bonded to the other terminal electrode 3 to be electrically connected to each other. The periphery thereof is formed by being covered with a package 5 made of an epoxy resin or the like. The package 5 is provided so as to extend to the rear surface of the substrate 1 via a cutout 1 a provided on a side portion of the substrate 1.
【0017】基板1は、たとえばガラスクロスに耐熱性
のBT樹脂を含浸させたBTレジンなどの絶縁性の基板
からなっており、小形化が要求されるこの種のチップ型
発光素子では、その大きさが0.8mm×1.6mm程度
で、その厚さが0.1〜0.2mm程度である。この基板
は、製造段階では10cm×5cm程度の大きな基板に
多数の素子がマトリクス状に形成され、最終的に各チッ
プ素子に切断されることにより形成される。したがっ
て、前述の切欠部1aは大きな基板の状態では、図2に
端子電極2、3が形成された状態の1列分の部分図が示
されているように、隣接するチップ間に跨って設けられ
た貫通孔になっており、モールドされた後にダイシング
カット線Gで切断されることにより、図1に示されるよ
うな切欠部1aにモールドの樹脂が充填された構造とな
る。なお、端子電極2、3側の隣接するチップとの間に
はスリットが形成されており、その端面が露出してい
る。The substrate 1 is made of an insulating substrate such as a BT resin in which a glass cloth is impregnated with a heat-resistant BT resin. It has a thickness of about 0.8 mm × 1.6 mm and a thickness of about 0.1 to 0.2 mm. This substrate is formed by forming a large number of elements in a matrix on a large substrate of about 10 cm × 5 cm at the manufacturing stage, and finally cutting the chips into chip elements. Therefore, in the state of the large substrate, the notch 1a is provided across the adjacent chips as shown in FIG. 2 showing a partial view of one row in which the terminal electrodes 2 and 3 are formed. After being molded, and cut by a dicing cut line G after molding, a cutout 1a as shown in FIG. 1 is filled with the resin of the mold. In addition, a slit is formed between the adjacent chip on the side of the terminal electrodes 2 and 3, and the end face is exposed.
【0018】端子電極2、3は大きな基板の状態でその
表面と裏面にスクリーン印刷などにより銀ペーストが塗
布され、乾燥させることにより、その端面(側面)にも
銀ペーストが流れて、図1(a)に示されるように、基
板1の表面から裏面に亘って設けられている。The terminal electrodes 2 and 3 are coated with silver paste on the front and back surfaces thereof by screen printing or the like in the state of a large substrate, and by drying, the silver paste also flows on the end surfaces (side surfaces). As shown in a), the substrate 1 is provided from the front surface to the back surface.
【0019】LEDチップ4は、たとえば図3にその斜
視図が示されるように、GaAsやGaPなどの化合物
半導体からなるn型半導体層41とp型半導体層42と
からなり、その境界面に発光層となるpn接合面43が
形成され、それぞれの半導体層に電極44、45が設け
られる通常の構造のものを使用することができる。しか
し、活性層をn型半導体層とp型半導体層とにより挟持
する構造のものでもよい。The LED chip 4 comprises an n-type semiconductor layer 41 and a p-type semiconductor layer 42 made of a compound semiconductor such as GaAs or GaP, for example, as shown in a perspective view of FIG. A pn junction surface 43 serving as a layer is formed, and a semiconductor having a normal structure in which electrodes 44 and 45 are provided on respective semiconductor layers can be used. However, a structure in which the active layer is sandwiched between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer may be used.
【0020】パッケージ5は、LEDチップ4からの光
を透過する透明または乳白色のエポキシ樹脂などをモー
ルド成形することにより形成される。このモールド成形
は、下金型にLEDチップ4がマウントされた基板1を
載置し、パッケージ5用のキャビティが形成された上金
型を被せてモールド用の樹脂を注入することにより行わ
れる。本発明では、基板1の裏面にも端子電極2、3の
裏面電極が設けられて裏面電極のない部分では下金型と
基板1の裏面との間に間隙が形成されており、しかも基
板1のチップの隣接部分に切欠部(製造段階においては
貫通孔)1aが設けられているため、注入された樹脂は
切欠部(貫通孔)1aを介して基板1の裏面側にも流れ
込む。そのため、基板1の表面に形成されるパッケージ
5は基板1の裏面側にも回り込んで形成される。このよ
うに、基板1の裏面側に設けられるパッケージ5は、も
ともと基板1の裏面の端子電極の間の空隙部に充填され
ているもので、その厚さも端子電極の裏面の厚さと同じ
であるため、外形寸法としては全然大きくなっていな
い。また、基板1に切欠部1aが設けられているだけで
モールド時の製造工程には何等の変更もなく、従来と比
較して工数増も生じない。The package 5 is formed by molding a transparent or milky epoxy resin or the like that transmits light from the LED chip 4. This molding is performed by placing the substrate 1 on which the LED chip 4 is mounted on a lower mold, covering the upper mold having a cavity for the package 5 formed thereon, and injecting a molding resin. In the present invention, the back electrodes of the terminal electrodes 2 and 3 are also provided on the back surface of the substrate 1, and a gap is formed between the lower mold and the back surface of the substrate 1 in a portion having no back electrode. Since a notch (a through hole in a manufacturing stage) 1a is provided in a portion adjacent to the chip, the injected resin also flows into the back surface of the substrate 1 through the notch (a through hole) 1a. Therefore, the package 5 formed on the front surface of the substrate 1 is also formed so as to extend to the back surface side of the substrate 1. As described above, the package 5 provided on the back surface side of the substrate 1 is originally filled in the gap between the terminal electrodes on the back surface of the substrate 1 and has the same thickness as the thickness of the back surface of the terminal electrode. Therefore, the external dimensions are not large at all. Further, only the notch 1a is provided in the substrate 1, there is no change in the manufacturing process at the time of molding, and the number of steps is not increased as compared with the related art.
【0021】本発明のチップ型発光素子によれば、基板
側部に設けられた切欠部と基板裏面の端子電極との間に
形成される空隙部とを利用してパッケージ用の樹脂を基
板の裏面側に回り込ませているため、ロッキングホール
のためのスペースを確保する必要がなく、また端子電極
の裏面電極と同じ厚さだけ設けられているため、素子の
外形は全然大きくならない。しかも、パッケージ用の樹
脂の一部を基板の裏面側に回り込ませているため、パッ
ケージの剥離を確実に防止することができ、基板とパッ
ケージとの密着性を考慮する必要がなく、一層の小形化
を達成することができる。According to the chip-type light emitting device of the present invention, the resin for the package is formed on the substrate by utilizing the notch provided on the side of the substrate and the gap formed between the terminal electrodes on the back of the substrate. Since it is wrapped around the back surface side, there is no need to secure a space for a locking hole, and since it is provided with the same thickness as the back electrode of the terminal electrode, the outer shape of the element does not increase at all. In addition, since a part of the package resin is wrapped around the back surface of the substrate, it is possible to reliably prevent the package from peeling off, and it is not necessary to consider the adhesion between the substrate and the package. Can be achieved.
【0022】なお、基板裏面の端子電極の間の空隙部の
全体にパッケージ用の樹脂を回り込ませないで、図4に
側面図が示されるように、一部には空隙部5aが残るよ
うに下金型に突起部を設けておくことにより、空隙部5
aによるハンダブリッジを防止することもできる。な
お、図4において、図1と同じ部分には同じ符号を付し
てその説明を省略する。It is to be noted that, as shown in a side view in FIG. 4, a gap 5a is left partially in the gap between the terminal electrodes on the back surface of the substrate without allowing the resin for the package to flow around the gap. By providing a projection on the lower mold, the gap 5
The solder bridge due to a can be prevented. In FIG. 4, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【0023】つぎに、図1のチップ型発光素子の製法に
ついて説明をする。なお、製造段階では、前述のように
大きな基板にマトリクス状に複数個形成され、最後の工
程で各チップに切断分離される。Next, a method of manufacturing the chip type light emitting device of FIG. 1 will be described. In the manufacturing stage, a plurality of chips are formed in a matrix on a large substrate as described above, and cut and separated into chips in the last step.
【0024】まず、図5にLEDチップがボンディング
された状態の平面図が1個の素子分で示されるように、
基板1の素子が並んで形成される素子の端子電極2、3
側と異なる境界部に貫通孔により切欠部1aを設け、表
面および裏面に銀ペーストなどをスクリーン印刷して乾
燥させることにより、端子電極2、3側の境界部のスリ
ットにより露出した端面(側面)にも電極が形成され、
基板1の表面から裏面に亘る端子電極2、3が形成され
る。つぎに、図3に示されるようなLEDチップ4を図
示しない吸着コレットなどにより搭載し、導電性接着剤
により端子電極2とLEDチップ4の下部電極44とを
電気的に接続すると共に固着する。その後、金線7を電
極45と端子電極3との間にワイヤボンディングする。
なお、LEDチップ4は通常の発光素子のウェハ工程お
よびダイシングにより製造される。First, as shown in FIG. 5, a plan view of the state where the LED chip is bonded is shown for one element.
Terminal electrodes 2 and 3 of elements formed by arranging elements of substrate 1 side by side
A notch 1a is formed in a boundary portion different from the side by a through hole, and a silver paste or the like is screen-printed on the front surface and the back surface and dried, so that the end surface (side surface) exposed by the slit at the boundary portion on the terminal electrode 2, 3 side. Electrodes are also formed
Terminal electrodes 2 and 3 are formed from the front surface to the rear surface of the substrate 1. Next, the LED chip 4 as shown in FIG. 3 is mounted by a suction collet (not shown) or the like, and the terminal electrode 2 and the lower electrode 44 of the LED chip 4 are electrically connected and fixed by a conductive adhesive. Thereafter, the gold wire 7 is wire-bonded between the electrode 45 and the terminal electrode 3.
The LED chip 4 is manufactured by a normal light emitting element wafer process and dicing.
【0025】その後、複数個のLEDチップ4がマトリ
クス状に設けられた大きな基板1をモールド金型の下金
型にセッティングし、表面側のパッケージ用キャビティ
が設けられた上金型を被せて透明または乳白色のエポキ
シ樹脂などのモールド用の樹脂を注入することにより、
パッケージ5を形成する。この際、基板1の裏面には端
子電極の裏面電極が設けられているため、下金型に基板
1をセッティングするとき、裏面電極のない部分は下金
型と基板1の裏面との間には裏面電極の厚さ分だけ隙間
ができる。また、基板1の素子隣接部には、切欠部1a
が設けられているため、モールド用の樹脂を注入する際
に、その樹脂は切欠部1aを経て基板1と下金型の間の
隙間にも流れ込む。そのため、基板1に切欠部1aが設
けられるだけで、特別の工程の追加や製造工程の変更を
必要とすることなく、基板1の裏面に回り込んだパッケ
ージ5が形成される。Thereafter, the large substrate 1 on which a plurality of LED chips 4 are provided in a matrix is set in a lower mold of a mold, and the upper mold having a package cavity on the front side is covered with a transparent material. Or by injecting molding resin such as milky white epoxy resin,
The package 5 is formed. At this time, since the back surface electrode of the terminal electrode is provided on the back surface of the substrate 1, when the substrate 1 is set in the lower mold, the portion without the back electrode is located between the lower mold and the back surface of the substrate 1. A gap is formed by the thickness of the back electrode. A notch 1 a
Is provided, when the resin for molding is injected, the resin also flows into the gap between the substrate 1 and the lower mold via the notch 1a. Therefore, the package 5 is formed around the rear surface of the substrate 1 only by providing the notch 1a in the substrate 1 and without requiring a special process or a change in the manufacturing process.
【0026】その後、基板1を図2に示されるダイシン
グカット線Gで切断することにより、図1に示されるチ
ップ型発光素子が得られる。Thereafter, the substrate 1 is cut along the dicing cut line G shown in FIG. 2 to obtain the chip-type light emitting device shown in FIG.
【0027】図6は、さらに薄型化したチップ型発光素
子の例を示す図で、(a)は側断面図、(b)は基板1
上にLEDチップ4をボンディングした状態の斜視説明
図、(c)は、LEDチップの斜視説明図である。FIGS. 6A and 6B are views showing an example of a chip-type light emitting element which is further thinned, wherein FIG. 6A is a side sectional view, and FIG.
FIG. 3C is a perspective view illustrating a state in which the LED chip 4 is bonded thereon, and FIG. 3C is a perspective view illustrating the LED chip.
【0028】この例は、図6(c)に示されるように、
LEDチップ4がn型半導体層41およびp型半導体層
42により形成されるpn接合面43からなる発光層の
外形が長方形の直方体形状に形成されている。このLE
Dチップ4が、図6(b)に示されるように、横倒しに
されて、その幅の広い面が基板1の表面に面するように
載置され、両面の電極44、45が直接基板1の端子電
極2、3とハンダ付けまたは銀ペーストなどの導電性接
着剤6により固着されている。その他の基板1に切欠部
1aが形成され、図6(a)に示されるように、モール
ド用樹脂が基板1の裏面側にも回り込んで、基板1の裏
面にもパッケージ5の一部が形成されることは、図1の
例と同じである。その結果、LEDチップ4の高さが低
く、薄型でありながらパッケージが剥離しにくいチップ
型発光素子が得られる。In this example, as shown in FIG.
The outer shape of the light emitting layer in which the LED chip 4 is formed by the pn junction surface 43 formed by the n-type semiconductor layer 41 and the p-type semiconductor layer 42 is formed in a rectangular parallelepiped shape. This LE
As shown in FIG. 6B, the D chip 4 is placed on its side so that its wide surface faces the surface of the substrate 1, and the electrodes 44 and 45 on both surfaces are directly connected to the substrate 1. Are fixed to the terminal electrodes 2 and 3 by soldering or a conductive adhesive 6 such as silver paste. A cutout portion 1a is formed in the other substrate 1, and as shown in FIG. 6A, the molding resin goes around the back surface side of the substrate 1 and a part of the package 5 is also formed on the back surface of the substrate 1. What is formed is the same as in the example of FIG. As a result, it is possible to obtain a chip-type light-emitting element in which the height of the LED chip 4 is low, the package is thin, and the package is not easily peeled.
【0029】このLEDチップ4を横倒しにしてボンデ
ィングする場合、LEDチップ4の両電極44、45お
よび端子電極2、3のボンディング部にはハンダペース
トまたは銀ペーストなどを塗布したり、ハンダバンプを
形成しておくと、その接続が容易になるため好ましい。
なお、LEDチップ4の基板1への搭載は、たとえば切
断分離されたLEDチップ4をパーツフィーダにより振
動させながらLEDチップ4の幅狭面より大きく幅広面
より小さい吸込口を有する吸着コレットを用いて吸引す
ることによりLEDチップの向きが正しくないものは吸
着されず、常に幅広面が上下に向いたチップのみが吸着
され、正しく搭載される。When bonding the LED chip 4 by laying the LED chip 4 on its side, a solder paste or a silver paste is applied to the bonding portions of the two electrodes 44 and 45 and the terminal electrodes 2 and 3 or solder bumps are formed. It is preferable to make the connection easier.
The mounting of the LED chip 4 on the substrate 1 is performed, for example, by using a suction collet having a suction port larger than the narrow surface and smaller than the wide surface of the LED chip 4 while vibrating the cut and separated LED chip 4 with a parts feeder. When the LED chip is sucked, the LED chip whose direction is not correct is not sucked, and only the chip whose wide surface faces up and down is sucked and mounted correctly.
【0030】この直方体形状のLEDチップ4は、ウェ
ハからのダイシングの際に、縦と横とでその間隔を変え
て切断することにより形成され、その狭い幅の寸法H
(図6(c)参照)は0.17〜0.2mm程度、広い幅
の寸法Wは0.4〜0.55mm程度に形成され、その厚
さTは従来と同様に0.2〜0.3mm程度に形成され
る。The rectangular parallelepiped LED chip 4 is formed by dicing from a wafer by changing the distance between the vertical and horizontal directions, and has a narrow width dimension H.
(See FIG. 6C), the width W is formed to be about 0.47 to 0.55 mm, the width W is formed to be about 0.4 to 0.55 mm, and the thickness T is set to 0.2 to 0.5 as in the conventional case. It is formed to about 0.3 mm.
【0031】この例によれば、基板1の表面からの高さ
を非常に低くしながら、スペースに余裕のある基板の幅
方向の長さを長くすることにより、その発光層の面積を
十分に確保することができる。すなわち、発光層の外形
である長方形状の一辺を小さくしても他の辺を大きくす
ることにより、pn接合面43の面積を一定にすること
ができ、前述の立方体形状の場合と同程度にすることが
できる。そのため、チップ型発光素子の高さを低くして
薄型の発光素子としながら、入力電流の量を多くしない
で十分な発光量が得られ、信頼性が高く薄型のチップ型
発光素子が得られる。さらに、LEDチップ4の電極と
基板1の端子電極2、3との接続が直接導電性接着剤に
より接続されているため、電極の接続のためのワイヤボ
ンディングの必要がなく、一層の薄型化が可能となる。
なお、この場合もLEDチップ4の構造は、前述のpn
接合構造のものに限定されるものではなく、活性層がp
型層とn型層とにより挟持される構造のものでもよい。According to this example, while the height from the surface of the substrate 1 is extremely low, the length of the substrate having a sufficient space in the width direction is increased, so that the area of the light emitting layer can be sufficiently increased. Can be secured. That is, even if one side of the rectangular shape, which is the outer shape of the light emitting layer, is made smaller, the area of the pn junction surface 43 can be made constant by making the other side larger. can do. Therefore, a sufficient light emission amount can be obtained without increasing the amount of input current, and a highly reliable and thin chip-type light-emitting element can be obtained while reducing the height of the chip-type light-emitting element to make it a thin light-emitting element. Furthermore, since the connection between the electrode of the LED chip 4 and the terminal electrodes 2 and 3 of the substrate 1 is directly connected by a conductive adhesive, there is no need for wire bonding for connection of the electrodes, and further thinning is achieved. It becomes possible.
Also in this case, the structure of the LED chip 4 is the same as that of the pn
The active layer is not limited to the one having the junction structure.
A structure sandwiched between a mold layer and an n-type layer may be used.
【0032】[0032]
【発明の効果】本発明によれば、発光素子チップなどを
保護するパッケージが基板の表面側だけでなく、基板の
裏面側にも回り込んで設けられているため、少々の外力
がパッケージに加わってもパッケージが剥離することが
ない。そのため、たとえば連結基板の分離部付近にチッ
プ型発光素子が取り付けられた連結基板をカットしてセ
ットに組み込む場合でも、パッケージを誤って剥すこと
がなく、取扱が容易になると共に、不良品の発生がな
く、高歩留りとなる。しかも、素子としては、基板の側
部に切欠部が形成されるだけであるため、小形で安価な
チップ型発光素子が得られる。According to the present invention, since a package for protecting a light emitting element chip or the like is provided not only on the front side of the substrate but also on the rear side of the substrate, a small external force is applied to the package. However, the package does not peel off. Therefore, for example, even when a connecting substrate having a chip-type light emitting element attached near a separation portion of the connecting substrate is cut and incorporated into a set, the package is not accidentally peeled off, handling is facilitated, and defective products are generated. And yield is high. Moreover, as the element, only a notch is formed on the side of the substrate, so that a small and inexpensive chip type light emitting element can be obtained.
【0033】また、発光素子チップが直方体形状に形成
され、横倒しにされてその幅広面が基板表面と平行にな
るように取り付けられることにより、一層の薄型化を達
成することができると共に、基板とパッケージとの接触
面積が少なくなるが、裏面側に回り込んだ樹脂によりパ
ッケージは充分に固着される。この際、発光素子チップ
が基板の両端子電極に直接ハンダ付けまたは銀ペースト
により接続されることにより、ワイヤボンディングをす
るスペースも不要となり、パッケージがしっかりと固着
されたチップ型発光素子の厚さを0.5mm程度以下の
薄型にすることができる。Further, the light-emitting element chip is formed in a rectangular parallelepiped shape, turned down, and mounted so that the wide surface thereof is parallel to the substrate surface, so that a further reduction in thickness can be achieved, and Although the contact area with the package is reduced, the package is sufficiently fixed by the resin that has wrapped around the back side. At this time, since the light emitting element chip is directly connected to both terminal electrodes of the substrate by soldering or silver paste, a space for wire bonding becomes unnecessary, and the thickness of the chip type light emitting element to which the package is firmly fixed is reduced. It can be made as thin as about 0.5 mm or less.
【0034】その結果、携帯電話機やPHSなどの携帯
機器のスイッチボタンなどに用いられる光源を非常に薄
くすることができ、携帯機器などのさらなる軽薄短小化
に寄与することができる。As a result, the light source used for a switch button of a portable device such as a portable telephone or a PHS can be made extremely thin, which can contribute to further reduction in the size and size of the portable device.
【図1】本発明のチップ型発光素子の一実施形態の説明
図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of one embodiment of a chip-type light emitting device of the present invention.
【図2】図1のチップ型発光素子の製造段階での基板上
に端子電極が形成された状態の説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of a state in which terminal electrodes are formed on a substrate at a stage of manufacturing the chip-type light emitting device of FIG. 1;
【図3】図1のLEDチップの拡大説明図である。FIG. 3 is an enlarged explanatory view of the LED chip of FIG. 1;
【図4】本発明のチップ型発光素子の他の例を示す側面
図である。FIG. 4 is a side view showing another example of the chip-type light emitting device of the present invention.
【図5】図1のチップ型発光素子の製造段階の一工程の
平面説明図である。FIG. 5 is an explanatory plan view of one step in the manufacturing stage of the chip-type light-emitting device of FIG. 1;
【図6】本発明のチップ型発光素子のさらに他の例を示
す説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing still another example of the chip-type light emitting device of the present invention.
【図7】従来のチップ型発光素子の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a conventional chip type light emitting element.
【図8】従来のチップ型発光素子の使用例を示す図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing an example of use of a conventional chip-type light emitting device.
1 基板 1a 切欠部 2、3 端子電極 4 LEDチップ 5 パッケージ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 1a Notch 2, 3 Terminal electrode 4 LED chip 5 Package
Claims (3)
子電極と、該両端部の端子電極にそれぞれ接続される2
つの電極を有する発光素子チップと、該発光素子チップ
の周囲を被覆する樹脂からなるパッケージとからなり、
前記基板の側部に表面から裏面に至る切欠部が形成さ
れ、前記樹脂が該切欠部を介して前記基板の裏面まで回
り込んで前記パッケージが形成されてなるチップ型発光
素子。1. A substrate, terminal electrodes provided at both ends of the substrate, and terminal electrodes connected to the terminal electrodes at both ends.
A light emitting element chip having two electrodes, and a package made of a resin covering the periphery of the light emitting element chip,
A chip-type light emitting device, wherein a cutout from the front surface to the back surface is formed in a side portion of the substrate, and the resin is wrapped around the back surface of the substrate through the cutout portion to form the package.
込んで形成され、前記基板の裏面に形成されるパッケー
ジは前記基板の裏面の端子電極のない部分で、該端子電
極の厚さだけ設けられてなる請求項1記載のチップ型発
光素子。2. The package according to claim 1, wherein the terminal electrode is formed so as to extend to the back surface of the substrate, and a package formed on the back surface of the substrate is provided on a portion of the back surface of the substrate where no terminal electrode is provided, the same thickness as the terminal electrode. The chip-type light-emitting device according to claim 1, which is formed.
プの発光層の外形が長方形状になるような直方体に形成
され、前記長方形状の長辺側の面が前記基板表面と平行
になるように前記基板に設けられてなる請求項1または
2記載のチップ型発光素子。3. The light emitting element chip is formed in a rectangular parallelepiped such that a light emitting layer of the light emitting element chip has a rectangular outer shape, and a surface on a long side of the rectangular shape is parallel to the substrate surface. 3. The chip type light emitting device according to claim 1, wherein said chip type light emitting device is provided on said substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304811A JPH10150227A (en) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | Chip type light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304811A JPH10150227A (en) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | Chip type light emitting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10150227A true JPH10150227A (en) | 1998-06-02 |
Family
ID=17937542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8304811A Pending JPH10150227A (en) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | Chip type light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10150227A (en) |
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-
1996
- 1996-11-15 JP JP8304811A patent/JPH10150227A/en active Pending
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