JPH10152600A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH10152600A JPH10152600A JP8310792A JP31079296A JPH10152600A JP H10152600 A JPH10152600 A JP H10152600A JP 8310792 A JP8310792 A JP 8310792A JP 31079296 A JP31079296 A JP 31079296A JP H10152600 A JPH10152600 A JP H10152600A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- resin
- weight
- semiconductor
- crown ether
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温保管特性に優れた半導体封止用樹脂組成
物を提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、及
び（Ｅ）クラウンエーテルからなる樹脂組成物におい
て、全樹脂組成物中にクラウンエーテルを０．５〜３．
０重量％含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組
成物。
物を提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、及
び（Ｅ）クラウンエーテルからなる樹脂組成物におい
て、全樹脂組成物中にクラウンエーテルを０．５〜３．
０重量％含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組
成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高温保管特性に優
れた高信頼性半導体封止用樹脂組成物に関するものであ
る。
れた高信頼性半導体封止用樹脂組成物に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体
素子の封止法としては、エポキシ樹脂組成物（以下、樹
脂組成物という）でトランスファー成形する方法が、低
コスト、大量生産に適しているため採用されており、信
頼性の点でも、エポキシ樹脂の日進月歩の改良により十
分使用に耐えるレベルにある。しかし、半導体製品の適
用範囲の拡大に伴って、自動車等の過酷な環境下でも使
用されることになり、信頼性の点で大きな問題が生じて
いる。即ち、１５０℃以上の高温に長時間曝されること
により、半導体パッケージ内部の金線がチップ上の回路
から剥離するという現象が発生し、導通不良が起こって
しまう問題がある。
素子の封止法としては、エポキシ樹脂組成物（以下、樹
脂組成物という）でトランスファー成形する方法が、低
コスト、大量生産に適しているため採用されており、信
頼性の点でも、エポキシ樹脂の日進月歩の改良により十
分使用に耐えるレベルにある。しかし、半導体製品の適
用範囲の拡大に伴って、自動車等の過酷な環境下でも使
用されることになり、信頼性の点で大きな問題が生じて
いる。即ち、１５０℃以上の高温に長時間曝されること
により、半導体パッケージ内部の金線がチップ上の回路
から剥離するという現象が発生し、導通不良が起こって
しまう問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この問題に
対して、高温保管特性に優れた半導体封止用樹脂組成物
を提供するものである。
対して、高温保管特性に優れた半導体封止用樹脂組成物
を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、（Ａ）
エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬
化促進剤、（Ｄ）無機充填材、及び（Ｅ）クラウンエー
テルからなる樹脂組成物において、全樹脂組成物中にク
ラウンエーテルを０．５〜３．０重量％含有することを
特徴とする半導体封止用樹脂組成物である。
エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬
化促進剤、（Ｄ）無機充填材、及び（Ｅ）クラウンエー
テルからなる樹脂組成物において、全樹脂組成物中にク
ラウンエーテルを０．５〜３．０重量％含有することを
特徴とする半導体封止用樹脂組成物である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明で用いられるエポキシ樹脂
としては、例えば、ビフェニル型エポキシ化合物、ビス
フェノール型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹
脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。これらのエポ
キシ樹脂は、単独でも混合して用いても良い。
としては、例えば、ビフェニル型エポキシ化合物、ビス
フェノール型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹
脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。これらのエポ
キシ樹脂は、単独でも混合して用いても良い。
【０００６】本発明で用いられるフェノール樹脂硬化剤
としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾ
ールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノ
ール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペン変性フ
ェノール樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。これらのフェノール樹脂は、単独でも混合
して用いても良い。
としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾ
ールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノ
ール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペン変性フ
ェノール樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。これらのフェノール樹脂は、単独でも混合
して用いても良い。
【０００７】本発明で用いられる硬化促進剤としては、
エポキシ基とフェノール性水酸基との反応を促進するも
のであればよく、一般に半導体封止用樹脂組成物に使用
されているものを広く使用することができ、例えば、ベ
ンジルジメチルアミン等の第３級アミン類、２−メチル
イミダゾール等のイミダゾール類、１，８−ジアザビシ
クロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホス
フィン等の有機リン化合物等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。これらの硬化促進剤は、単独
でも混合して用いても良い。
エポキシ基とフェノール性水酸基との反応を促進するも
のであればよく、一般に半導体封止用樹脂組成物に使用
されているものを広く使用することができ、例えば、ベ
ンジルジメチルアミン等の第３級アミン類、２−メチル
イミダゾール等のイミダゾール類、１，８−ジアザビシ
クロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホス
フィン等の有機リン化合物等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。これらの硬化促進剤は、単独
でも混合して用いても良い。
【０００８】本発明で用いられる無機充填材としては、
例えば、結晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、窒化アル
ミ、炭酸カルシウム、タルク、マイカ、ガラス繊維等が
挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
例えば、結晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、窒化アル
ミ、炭酸カルシウム、タルク、マイカ、ガラス繊維等が
挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
【０００９】本発明で用いられるクラウンエーテルに
は、高温保管時の半導体の劣化を抑制する作用がある。
この作用は、クラウンエーテルが有する分子ホールが、
金属カチオン、特にアンチモンイオン及びアルカリ金属
イオンを捕捉するので、金線とアルミパッド部での化学
変化を起こりにくくするためと考えられる。クラウンエ
ーテルとしては、例えば、下記の構造のものが挙げられ
る。
は、高温保管時の半導体の劣化を抑制する作用がある。
この作用は、クラウンエーテルが有する分子ホールが、
金属カチオン、特にアンチモンイオン及びアルカリ金属
イオンを捕捉するので、金線とアルミパッド部での化学
変化を起こりにくくするためと考えられる。クラウンエ
ーテルとしては、例えば、下記の構造のものが挙げられ
る。
【化１】 クラウンエーテルの含有量としては、全樹脂組成物中に
０．５〜３．０重量％が好ましい。０．５重量％未満だ
と、高温保管特性の向上が見られない。３．０重量％を
越えると、吸水率が増加し、耐半田クラック性が悪化す
るので好ましくない。
０．５〜３．０重量％が好ましい。０．５重量％未満だ
と、高温保管特性の向上が見られない。３．０重量％を
越えると、吸水率が増加し、耐半田クラック性が悪化す
るので好ましくない。
【００１０】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成
分の他、必要に応じて、ワックス類等の離型剤、ヘキサ
ブロモベンゼン、デカブロムビフェニルエーテル、三酸
化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ
等の着色剤、シランカップリング剤、熱可塑性樹脂等を
適宜添加配合することができる。本発明の樹脂組成物を
製造するには、一般的な方法としては所定の配合比の原
料をミキサー等を用いて十分に混合した後、更にロール
やニーダー等で溶融混練処理し、ついで冷却固化させて
適当な大きさに粉砕することで容易に製造することがで
きる。
分の他、必要に応じて、ワックス類等の離型剤、ヘキサ
ブロモベンゼン、デカブロムビフェニルエーテル、三酸
化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ
等の着色剤、シランカップリング剤、熱可塑性樹脂等を
適宜添加配合することができる。本発明の樹脂組成物を
製造するには、一般的な方法としては所定の配合比の原
料をミキサー等を用いて十分に混合した後、更にロール
やニーダー等で溶融混練処理し、ついで冷却固化させて
適当な大きさに粉砕することで容易に製造することがで
きる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
ただし、本発明は、これらの実施例に限定されるもので
はない。 実施例１ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００、軟化点７０℃） ９０重量部 フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０４、軟化点１１０℃） ５０重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ２重量部 溶融シリカ（龍森（株）・製、ＲＤ−８） ４９０重量部 クラウンエーテル １０重量部
ただし、本発明は、これらの実施例に限定されるもので
はない。 実施例１ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００、軟化点７０℃） ９０重量部 フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０４、軟化点１１０℃） ５０重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ２重量部 溶融シリカ（龍森（株）・製、ＲＤ−８） ４９０重量部 クラウンエーテル １０重量部
【化２】 カルナバワックス ３重量部 臭素化エポキシ樹脂（エポキシ当量２７０、軟化点７０℃） １０重量部 三酸化アンチモン １０重量部 カーボンブラック ２重量部 γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン ２重量部 γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン １重量部 を常温で十分に混合し、次に８０〜１００℃で二軸熱ロ
ールを用いて混練し、冷却後粉砕してタブレット化し、
樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を以下に示す方法で
評価した。結果を表１に示す。
ールを用いて混練し、冷却後粉砕してタブレット化し、
樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を以下に示す方法で
評価した。結果を表１に示す。
【００１２】評価方法 吸水率：直径５ｃｍ、厚さ３ｍｍの円盤を、１７５℃、
７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒で成形し、１７５℃で４時
間オーブン硬化させた後、重量を測定し、次に、煮沸水
に２４時間浸漬後、再度重量を測定し、重量変化率を算
出した。 高温保管性：テスト用素子（１６ｐＤＩＰ）を２００℃
オーブン内に置き、経時的にリード間抵抗を測定し、抵
抗値が初期値の２倍になるまでの時間を測定した。
７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒で成形し、１７５℃で４時
間オーブン硬化させた後、重量を測定し、次に、煮沸水
に２４時間浸漬後、再度重量を測定し、重量変化率を算
出した。 高温保管性：テスト用素子（１６ｐＤＩＰ）を２００℃
オーブン内に置き、経時的にリード間抵抗を測定し、抵
抗値が初期値の２倍になるまでの時間を測定した。
【００１３】比較例１〜３ 表１に示す処方に従って配合し、実施例１と同様にして
樹脂組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結果
を表１に示す。
樹脂組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結果
を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【発明の効果】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、高
温保管特性に優れており、高信頼性の半導体パッケージ
を得ることができる。
温保管特性に優れており、高信頼性の半導体パッケージ
を得ることができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、及
び（Ｅ）クラウンエーテルからなる樹脂組成物におい
て、全樹脂組成物中にクラウンエーテルを０．５〜３．
０重量％含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8310792A JPH10152600A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8310792A JPH10152600A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10152600A true JPH10152600A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18009516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8310792A Withdrawn JPH10152600A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10152600A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017108139A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | インフィニオン テクノロジーズ オーストリア アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｕｓｔｒｉａ ＡＧ | 半導体デバイス及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-21 JP JP8310792A patent/JPH10152600A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017108139A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | インフィニオン テクノロジーズ オーストリア アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｕｓｔｒｉａ ＡＧ | 半導体デバイス及びその製造方法 |
| US10910284B2 (en) | 2015-12-08 | 2021-02-02 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050114 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050121 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050214 |