JPH10152674A - リンス用組成物 - Google Patents
リンス用組成物Info
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- JPH10152674A JPH10152674A JP8314707A JP31470796A JPH10152674A JP H10152674 A JPH10152674 A JP H10152674A JP 8314707 A JP8314707 A JP 8314707A JP 31470796 A JP31470796 A JP 31470796A JP H10152674 A JPH10152674 A JP H10152674A
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メモリーハードディスクのサブストレート作
成時に発生する微小突起の除去が可能であり、微小突起
以外の表面欠陥がない優れたサブストレート表面を得る
ことを可能にするリンス用組成物の提供。 【解決手段】 オキソ酸塩および（または）塩化物、な
らびに水を含むことを特徴とする、メモリーハードディ
スクのリンス用組成物、ならびにオキソ酸および水を含
むことを特徴とする、メモリーハードディスクのリンス
用組成物。
成時に発生する微小突起の除去が可能であり、微小突起
以外の表面欠陥がない優れたサブストレート表面を得る
ことを可能にするリンス用組成物の提供。 【解決手段】 オキソ酸塩および（または）塩化物、な
らびに水を含むことを特徴とする、メモリーハードディ
スクのリンス用組成物、ならびにオキソ酸および水を含
むことを特徴とする、メモリーハードディスクのリンス
用組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピューターな
どに用いられる記憶装置に使用されるメモリーハードデ
ィスク（磁気ディスク用基盤）の製造において、その表
面を研磨した後にの表面仕上げに適当なリンス用組成物
に関するものである。
どに用いられる記憶装置に使用されるメモリーハードデ
ィスク（磁気ディスク用基盤）の製造において、その表
面を研磨した後にの表面仕上げに適当なリンス用組成物
に関するものである。
【０００２】さらに詳しくは、本発明は、Ｎｉ−Ｐディ
スク、Ｎｉ−Ｆｅディスク、アルミニウムディスク、ボ
ロンカーバイドディスク、およびカーボンディスク等に
代表されるメモリーハードディスクについて、研磨やテ
クスチャー加工後の表面仕上げにおいて、優れた加工表
面を形成させることができると同時に、高容量、高記録
密度の磁気ディスク装置に使用されるメモリーハードデ
ィスクの製造技術に適用可能なリンス用組成物に関する
ものである。
スク、Ｎｉ−Ｆｅディスク、アルミニウムディスク、ボ
ロンカーバイドディスク、およびカーボンディスク等に
代表されるメモリーハードディスクについて、研磨やテ
クスチャー加工後の表面仕上げにおいて、優れた加工表
面を形成させることができると同時に、高容量、高記録
密度の磁気ディスク装置に使用されるメモリーハードデ
ィスクの製造技術に適用可能なリンス用組成物に関する
ものである。
【０００３】
【従来の技術】コンピューターなどの記憶媒体のひとつ
である磁気ディスク装置に使用されるメモリーハードデ
ィスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどってお
り、磁性媒体は従来の塗布型からスパッタリング法やメ
ッキ法およびその他の方法による薄膜媒体へと移行しつ
つある。
である磁気ディスク装置に使用されるメモリーハードデ
ィスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどってお
り、磁性媒体は従来の塗布型からスパッタリング法やメ
ッキ法およびその他の方法による薄膜媒体へと移行しつ
つある。
【０００４】現在、最も広く普及しているディスク基盤
（以下、「サブストレート」という）は、アルミニウム
基盤に無電解Ｎｉ−Ｐメッキを成膜したものである。こ
のサブストレートは前記のメッキ成膜後、一般に、酸化
アルミニウムおよびその他の各種研磨材、水ならびに各
種研磨促進剤を含む研磨用組成物（以下、その性状か
ら、「スラリー」という）を用いて研磨される。スラリ
ーの種類により程度は異なるが、多くの場合、研磨され
たサブストレート表面には、研磨により切削されたＮｉ
−Ｐメッキの切り粉が再付着したり、研磨材がＮｉ−Ｐ
表面を引っかいた際にできたバリが発生したり、あるい
はスラリー組成物中の砥粒がサブストレート表面に付着
したりすることなどによる、一般には５０μｍ以下の大
きさの微小な突起（以下、「微小突起」という）が生じ
ることがある。
（以下、「サブストレート」という）は、アルミニウム
基盤に無電解Ｎｉ−Ｐメッキを成膜したものである。こ
のサブストレートは前記のメッキ成膜後、一般に、酸化
アルミニウムおよびその他の各種研磨材、水ならびに各
種研磨促進剤を含む研磨用組成物（以下、その性状か
ら、「スラリー」という）を用いて研磨される。スラリ
ーの種類により程度は異なるが、多くの場合、研磨され
たサブストレート表面には、研磨により切削されたＮｉ
−Ｐメッキの切り粉が再付着したり、研磨材がＮｉ−Ｐ
表面を引っかいた際にできたバリが発生したり、あるい
はスラリー組成物中の砥粒がサブストレート表面に付着
したりすることなどによる、一般には５０μｍ以下の大
きさの微小な突起（以下、「微小突起」という）が生じ
ることがある。
【０００５】また、情報の読み書きを行う磁気ヘッドが
メモリーハードディスクへ吸着することを防止する目的
で、研磨後のサブストレートに筋目をつける、いわゆる
テクスチャー加工が行われることがある。このテクスチ
ャー加工においても、切削されたＮｉ−Ｐメッキの切り
粉の再付着や、テクスチャー用組成物（研磨用組成物同
様に、以下「スラリー」という）中の砥粒が引っかいた
際に発生するバリなどによる微小突起が発生することが
ある。
メモリーハードディスクへ吸着することを防止する目的
で、研磨後のサブストレートに筋目をつける、いわゆる
テクスチャー加工が行われることがある。このテクスチ
ャー加工においても、切削されたＮｉ−Ｐメッキの切り
粉の再付着や、テクスチャー用組成物（研磨用組成物同
様に、以下「スラリー」という）中の砥粒が引っかいた
際に発生するバリなどによる微小突起が発生することが
ある。
【０００６】一方、メモリーハードディスクの高容量化
にともない、面記録密度は年に数十％の割合で向上して
おり、このために最近の磁気ディスク装置では、磁気ヘ
ッドとメモリーハードディスクの隙間であるヘッド浮上
高を小さくする必要に迫られている。現在では、そのヘ
ッド浮上高は０．１５μｍ以下にまで及んでいる。
にともない、面記録密度は年に数十％の割合で向上して
おり、このために最近の磁気ディスク装置では、磁気ヘ
ッドとメモリーハードディスクの隙間であるヘッド浮上
高を小さくする必要に迫られている。現在では、そのヘ
ッド浮上高は０．１５μｍ以下にまで及んでいる。
【０００７】また、最近では、ヘッド浮上高をさらに低
くする目的で、サブストレート上に施す筋目をより薄く
したライトテクスチャー加工が行われたり、さらにはテ
クスチャー加工を行わずに筋目をつけないノンテクスチ
ャーのサブストレートも用いられるようになっており、
いわゆる磁気ヘッドの低浮上化が進んできている。
くする目的で、サブストレート上に施す筋目をより薄く
したライトテクスチャー加工が行われたり、さらにはテ
クスチャー加工を行わずに筋目をつけないノンテクスチ
ャーのサブストレートも用いられるようになっており、
いわゆる磁気ヘッドの低浮上化が進んできている。
【０００８】このように、ヘッドの浮上高がこれを極め
て低くする必要があるため、メモリーハードディスクの
表面に数μｍ程度の微小突起があった場合、ヘッドがサ
ブストレート表面の微小突起とぶつかってしまう、いわ
ゆる「ヘッドクラッシュ」が発生し、メモリーハードデ
ィスクの表面の磁性媒体や磁気ヘッドを損傷させてしま
うことがあり、磁気ディスク装置の故障の原因となる。
また、ヘッドクラッシュに至らないような、さらに微小
な突起物でも、突起部の磁気特性の乱れにより情報の読
み書きの際のエラーの原因となることがある。従って、
磁気媒体を形成させる前工程、すなわち、研磨およびテ
クスチャー加工において微小突起の発生を防ぐことが重
要であると同時に、発生した微小突起は完全に除去する
必要がある。
て低くする必要があるため、メモリーハードディスクの
表面に数μｍ程度の微小突起があった場合、ヘッドがサ
ブストレート表面の微小突起とぶつかってしまう、いわ
ゆる「ヘッドクラッシュ」が発生し、メモリーハードデ
ィスクの表面の磁性媒体や磁気ヘッドを損傷させてしま
うことがあり、磁気ディスク装置の故障の原因となる。
また、ヘッドクラッシュに至らないような、さらに微小
な突起物でも、突起部の磁気特性の乱れにより情報の読
み書きの際のエラーの原因となることがある。従って、
磁気媒体を形成させる前工程、すなわち、研磨およびテ
クスチャー加工において微小突起の発生を防ぐことが重
要であると同時に、発生した微小突起は完全に除去する
必要がある。
【０００９】このような微小突起の除去のために、サブ
ストレートの製造工程においては研磨後のサブストレー
トをリンス処理するのが普通である。このリンス処理
は、研磨後のサブストレート表面に残った切り粉や砥粒
を洗浄することが主な目的とするものである。
ストレートの製造工程においては研磨後のサブストレー
トをリンス処理するのが普通である。このリンス処理
は、研磨後のサブストレート表面に残った切り粉や砥粒
を洗浄することが主な目的とするものである。
【００１０】一方、サブストレートの研磨およびテクス
チャー加工後、使用済みスラリー（以下「廃液」とい
う）がサブストレート表面に付着したままで乾燥してし
まうと、後の洗浄工程でスラリーが除去されきらずに、
かえって微小突起の原因となってしまう。また、研磨お
よびテクスチャー加工後のスラリーにより汚れたままの
サブストレートを直接洗浄設備に入れると、洗浄設備に
負担がかかってしまう。さらに、サブストレート上に残
った廃液が、作業者の身体や衣服に付着したり、作業現
場を汚染したりするなどの作業環境汚染が起こる。これ
らの問題を防ぐことも、研磨およびテクスチャー加工後
のサブストレートをリンス処理することの目的である。
チャー加工後、使用済みスラリー（以下「廃液」とい
う）がサブストレート表面に付着したままで乾燥してし
まうと、後の洗浄工程でスラリーが除去されきらずに、
かえって微小突起の原因となってしまう。また、研磨お
よびテクスチャー加工後のスラリーにより汚れたままの
サブストレートを直接洗浄設備に入れると、洗浄設備に
負担がかかってしまう。さらに、サブストレート上に残
った廃液が、作業者の身体や衣服に付着したり、作業現
場を汚染したりするなどの作業環境汚染が起こる。これ
らの問題を防ぐことも、研磨およびテクスチャー加工後
のサブストレートをリンス処理することの目的である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前記の目的のために、
従来は研磨およびテクスチャー加工後、スラリーを純水
や界面活性剤を含有したリンス用組成物に切り換え、そ
の加工装置中で、ごく短時間、低荷重でサブストレート
をリンス処理することが行われてきた。しかし、これら
の純水やリンス用組成物を使用したリンスでは、かえっ
て微小突起が発生する、安定した微小突起の発生防止が
できない、使用した界面活性剤が後の洗浄で除去しきれ
ずにサブストレート上に残ってしまう、さらに微小突起
以外の表面欠陥、例えばスクラッチまたはピットなど、
が発生する、などの問題が起きることがあった。
従来は研磨およびテクスチャー加工後、スラリーを純水
や界面活性剤を含有したリンス用組成物に切り換え、そ
の加工装置中で、ごく短時間、低荷重でサブストレート
をリンス処理することが行われてきた。しかし、これら
の純水やリンス用組成物を使用したリンスでは、かえっ
て微小突起が発生する、安定した微小突起の発生防止が
できない、使用した界面活性剤が後の洗浄で除去しきれ
ずにサブストレート上に残ってしまう、さらに微小突起
以外の表面欠陥、例えばスクラッチまたはピットなど、
が発生する、などの問題が起きることがあった。
【００１２】本発明は、前記の問題点を解決するための
ものであり、サブストレートのリンスに用いるリンス用
組成物に従来より求められていた、微小突起の除去が可
能であり、微小突起以外の表面欠陥、例えばスクラッチ
やピット、がない優れたサブストレート表面を得ること
を可能にするとともに、スラリー中の砥粒の付着防止、
洗浄設備への負担軽減、さらに作業環境の改善をもでき
るリンス用組成物を提供することを目的とするものであ
る。
ものであり、サブストレートのリンスに用いるリンス用
組成物に従来より求められていた、微小突起の除去が可
能であり、微小突起以外の表面欠陥、例えばスクラッチ
やピット、がない優れたサブストレート表面を得ること
を可能にするとともに、スラリー中の砥粒の付着防止、
洗浄設備への負担軽減、さらに作業環境の改善をもでき
るリンス用組成物を提供することを目的とするものであ
る。
【００１３】
［発明の概要］ ＜要旨＞本発明のメモリーハードディスクのリンス用組
成物は、オキソ酸塩および（または）塩化物、ならびに
水を含むこと、を特徴とするものである。また、本発明
のもうひとつのメモリーハードディスクのリンス用組成
物は、オキソ酸および水を含むこと、を特徴とするもの
である。
成物は、オキソ酸塩および（または）塩化物、ならびに
水を含むこと、を特徴とするものである。また、本発明
のもうひとつのメモリーハードディスクのリンス用組成
物は、オキソ酸および水を含むこと、を特徴とするもの
である。
【００１４】＜効果＞本発明のリンス用組成物は、メモ
リーハードディスクのサブストレート作成時に発生する
微小突起の除去が可能であり、微小突起以外の表面欠
陥、例えばスクラッチ（傷）やピット（微小な凹み
部）、がない優れたサブストレート表面を得ることを可
能にするものである。また、スラリー中の砥粒の付着防
止、洗浄設備への負担軽減、さらに作業環境の改善にも
効果がある。
リーハードディスクのサブストレート作成時に発生する
微小突起の除去が可能であり、微小突起以外の表面欠
陥、例えばスクラッチ（傷）やピット（微小な凹み
部）、がない優れたサブストレート表面を得ることを可
能にするものである。また、スラリー中の砥粒の付着防
止、洗浄設備への負担軽減、さらに作業環境の改善にも
効果がある。
【００１５】［発明の具体的説明］ ＜添加剤＞本発明のリンス用組成物に用いられるオキソ
酸塩または塩化物の種類は、本発明の効果を損なわない
ものであれば特に限定されないが、オキソ酸塩は、硝酸
塩、モリブデン酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、次亜塩素酸
塩、過硫酸塩および亜硫酸塩からなる群より選ばれるの
が好ましい。
酸塩または塩化物の種類は、本発明の効果を損なわない
ものであれば特に限定されないが、オキソ酸塩は、硝酸
塩、モリブデン酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、次亜塩素酸
塩、過硫酸塩および亜硫酸塩からなる群より選ばれるの
が好ましい。
【００１６】これらのオキソ酸塩または塩化物について
は、それぞれ下記の化合物から選ばれることが好まし
い。 （１）硝酸塩 硝酸アルミニウム、硝酸ニッケル、硝酸アンモニウム、
硝酸カリウム、硝酸カルシウム、硝酸コバルト、硝酸セ
シウム、硝酸ナトリウム、および硝酸リチウム （２）モリブデン酸塩 モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸カルシウムお
よびモリブデン酸ナトリウム （３）硫酸塩 硫酸アルミニウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、
硫酸ナトリウム、硫酸ニッケル、および硫酸マグネシウ
ム （４）過塩素酸塩 過塩素酸ナトリウム、および過塩素酸カリウム （５）次亜塩素酸塩 次亜塩素酸ナトリウム、および次亜塩素酸カリウム （６）過硫酸塩 過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、および過硫酸アン
モニウム （７）亜硫酸塩 亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、および亜硫酸アン
モニウム （８）塩化物 塩化アルミニウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム、
塩化カルシウム、塩化ニッケル、塩化ナトリウム、およ
び塩化リチウムこれらの化合物は単一の塩として表示し
たが、これらの塩の高次化合物、例えば複塩、であって
もよい。また、これらの塩は結晶水を含むものでも、無
水物であってもよい。
は、それぞれ下記の化合物から選ばれることが好まし
い。 （１）硝酸塩 硝酸アルミニウム、硝酸ニッケル、硝酸アンモニウム、
硝酸カリウム、硝酸カルシウム、硝酸コバルト、硝酸セ
シウム、硝酸ナトリウム、および硝酸リチウム （２）モリブデン酸塩 モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸カルシウムお
よびモリブデン酸ナトリウム （３）硫酸塩 硫酸アルミニウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、
硫酸ナトリウム、硫酸ニッケル、および硫酸マグネシウ
ム （４）過塩素酸塩 過塩素酸ナトリウム、および過塩素酸カリウム （５）次亜塩素酸塩 次亜塩素酸ナトリウム、および次亜塩素酸カリウム （６）過硫酸塩 過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、および過硫酸アン
モニウム （７）亜硫酸塩 亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、および亜硫酸アン
モニウム （８）塩化物 塩化アルミニウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム、
塩化カルシウム、塩化ニッケル、塩化ナトリウム、およ
び塩化リチウムこれらの化合物は単一の塩として表示し
たが、これらの塩の高次化合物、例えば複塩、であって
もよい。また、これらの塩は結晶水を含むものでも、無
水物であってもよい。
【００１７】また、本発明のリンス用組成物に用いるオ
キソ酸は、本発明の効果を損なわないものであれば、特
に限定されないが、過塩素酸、次亜塩素酸、過硫酸、お
よび亜硫酸からなる群より選ばれることが好ましい。こ
れらのオキソ酸塩、塩化物およびオキソ酸（以下、「添
加剤」という）は、それぞれ、オキソ酸塩や塩化物どう
し、またはオキソ酸どうし、を併用してもよく、あるい
は、塩とオキソ酸を併用してもよい。
キソ酸は、本発明の効果を損なわないものであれば、特
に限定されないが、過塩素酸、次亜塩素酸、過硫酸、お
よび亜硫酸からなる群より選ばれることが好ましい。こ
れらのオキソ酸塩、塩化物およびオキソ酸（以下、「添
加剤」という）は、それぞれ、オキソ酸塩や塩化物どう
し、またはオキソ酸どうし、を併用してもよく、あるい
は、塩とオキソ酸を併用してもよい。
【００１８】これらの添加剤のリンス用組成物中におけ
る含有量は、添加剤の作用の強さにより異なるが、リン
ス用組成物の全量を基準にして、好ましくは０．００１
〜５０重量％、さらに好ましくは０．０１〜３０重量
％、である。一般に、添加剤の量を増やすことにより本
発明の効果がより強くあらわれるが、過度に多いと、添
加効果の向上よりも経済的な不利のほうが大きくなる。
る含有量は、添加剤の作用の強さにより異なるが、リン
ス用組成物の全量を基準にして、好ましくは０．００１
〜５０重量％、さらに好ましくは０．０１〜３０重量
％、である。一般に、添加剤の量を増やすことにより本
発明の効果がより強くあらわれるが、過度に多いと、添
加効果の向上よりも経済的な不利のほうが大きくなる。
【００１９】また、本発明のリンス用組成物のｐＨは７
以上であるのが好ましい。通常、前記の添加剤を用いた
リンス用組成物のｐＨは、ｐＨ７以下になるのが普通で
あるが、各種の補助添加剤などによりｐＨが変動し、ｐ
Ｈが７を超える場合には、ｐＨを７以下に調整するのが
好ましい。この場合、調整には前記のオキソ酸を用いる
ことが好ましい。
以上であるのが好ましい。通常、前記の添加剤を用いた
リンス用組成物のｐＨは、ｐＨ７以下になるのが普通で
あるが、各種の補助添加剤などによりｐＨが変動し、ｐ
Ｈが７を超える場合には、ｐＨを７以下に調整するのが
好ましい。この場合、調整には前記のオキソ酸を用いる
ことが好ましい。
【００２０】本発明のリンス用組成物をサブストレート
のリンスに用いることにより、微小突起を除去できるこ
とについての機構的な詳細は不明であるが、Ｎｉ−Ｐメ
ッキしたサブストレートを例に挙げると以下のように推
定される。本発明の添加剤は、Ｎｉ−Ｐメッキされた表
面を化学的に変化させる。このために、研磨によりサブ
ストレート表面に付着したＮｉ−Ｐの切り粉や、研磨お
よびテクスチャー加工時に研磨材の引っかきにより発生
したバリがもろくなり、リンス用組成物を含んだ研磨パ
ッドで擦られることにより、除去されるものと考えられ
る。また、Ｎｉ−Ｐメッキの表面の化学的性質が変化
し、Ｎｉ−Ｐの切り粉やスラリー中の砥粒が再付着しに
くくなるものと考えられる。
のリンスに用いることにより、微小突起を除去できるこ
とについての機構的な詳細は不明であるが、Ｎｉ−Ｐメ
ッキしたサブストレートを例に挙げると以下のように推
定される。本発明の添加剤は、Ｎｉ−Ｐメッキされた表
面を化学的に変化させる。このために、研磨によりサブ
ストレート表面に付着したＮｉ−Ｐの切り粉や、研磨お
よびテクスチャー加工時に研磨材の引っかきにより発生
したバリがもろくなり、リンス用組成物を含んだ研磨パ
ッドで擦られることにより、除去されるものと考えられ
る。また、Ｎｉ−Ｐメッキの表面の化学的性質が変化
し、Ｎｉ−Ｐの切り粉やスラリー中の砥粒が再付着しに
くくなるものと考えられる。
【００２１】＜リンス用組成物＞本発明のリンス用組成
物は、一般に前記の添加剤を所定量計量後、水に混合
し、溶解させることにより調製する。これらの添加剤を
水中に溶解させる方法は任意であり、例えば、翼式撹拌
機で撹拌する方法、超音波分散により溶解させる方法、
およびその他がある。
物は、一般に前記の添加剤を所定量計量後、水に混合
し、溶解させることにより調製する。これらの添加剤を
水中に溶解させる方法は任意であり、例えば、翼式撹拌
機で撹拌する方法、超音波分散により溶解させる方法、
およびその他がある。
【００２２】また、本発明のリンス用組成物の調製に際
して、リンス用組成物の品質保持や安定化を図る目的の
ために、あるいは被加工物の種類、加工条件、リンス条
件およびその他の工程上の必要に応じて、各種の公知補
助添加剤を用いることができる。
して、リンス用組成物の品質保持や安定化を図る目的の
ために、あるいは被加工物の種類、加工条件、リンス条
件およびその他の工程上の必要に応じて、各種の公知補
助添加剤を用いることができる。
【００２３】このような補助添加剤の適当な例として
は、（イ）セルロース類、例えばセルロース、カルボキ
シメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、お
よびその他、（ロ）水溶性アルコール類、例えばエタノ
ール、プロパノール、エチレングリコール、およびその
他、（ハ）界面活性剤、例えばアルキルベンゼンスルホ
ン酸ソーダおよびナフタリンスルホン酸のホルマリン縮
合物、およびその他、（ニ）有機ポリアニオン系物質、
例えばリグニンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、およ
びその他、（ホ）水溶性高分子（乳化剤）類、例えばポ
リビニルアルコール、およびその他、（ヘ）二酸化ケイ
素類、例えばコロイダルシリカ、フュームドシリカ、お
よびその他、（ト）酸化チタン類、例えば、チタニア、
フュームドチタニア、およびその他、（チ）酸化ジルコ
ニウム類、例えばフュームドジルコニア、およびその
他、（リ）酸化アルミニウム類、例えばアルミナゾル、
フュームドアルミナ、およびその他、（ヌ）殺菌剤、例
えばアルギン酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、および
その他、が挙げられる。
は、（イ）セルロース類、例えばセルロース、カルボキ
シメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、お
よびその他、（ロ）水溶性アルコール類、例えばエタノ
ール、プロパノール、エチレングリコール、およびその
他、（ハ）界面活性剤、例えばアルキルベンゼンスルホ
ン酸ソーダおよびナフタリンスルホン酸のホルマリン縮
合物、およびその他、（ニ）有機ポリアニオン系物質、
例えばリグニンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、およ
びその他、（ホ）水溶性高分子（乳化剤）類、例えばポ
リビニルアルコール、およびその他、（ヘ）二酸化ケイ
素類、例えばコロイダルシリカ、フュームドシリカ、お
よびその他、（ト）酸化チタン類、例えば、チタニア、
フュームドチタニア、およびその他、（チ）酸化ジルコ
ニウム類、例えばフュームドジルコニア、およびその
他、（リ）酸化アルミニウム類、例えばアルミナゾル、
フュームドアルミナ、およびその他、（ヌ）殺菌剤、例
えばアルギン酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、および
その他、が挙げられる。
【００２４】なお、本発明のリンス用組成物を調製する
にあたり、添加剤の混合方法および混合順序は、本発明
の効果を損なわない限り、特に限定されない。また、本
発明のリンス用組成物は、比較的高濃度の原液として調
製して貯蔵または輸送などに供し、実際のリンス時に希
釈して使用することもできる。前述の好ましい濃度範囲
は、実際のリンス時のものとして記述したものであり、
このような原液として調製した場合には、貯蔵または輸
送などに供される状態においては、より高濃度の液状で
あることはいうまでもない。
にあたり、添加剤の混合方法および混合順序は、本発明
の効果を損なわない限り、特に限定されない。また、本
発明のリンス用組成物は、比較的高濃度の原液として調
製して貯蔵または輸送などに供し、実際のリンス時に希
釈して使用することもできる。前述の好ましい濃度範囲
は、実際のリンス時のものとして記述したものであり、
このような原液として調製した場合には、貯蔵または輸
送などに供される状態においては、より高濃度の液状で
あることはいうまでもない。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリンス用組成物を
例を用いて具体的に説明する。なお、本発明は、その要
旨を超えない限り、以下に説明する諸例の構成に限定さ
れるものではない。
例を用いて具体的に説明する。なお、本発明は、その要
旨を超えない限り、以下に説明する諸例の構成に限定さ
れるものではない。
【００２６】
【実施例】 ＜リンス用組成物の調製＞表１に記載した添加剤を純水
１リットルに対してそれそれ１０ｇ添加し、撹拌機を用
いて所定量の水に分散させて、実施例１〜８に用いるリ
ンス用組成物を調製した。
１リットルに対してそれそれ１０ｇ添加し、撹拌機を用
いて所定量の水に分散させて、実施例１〜８に用いるリ
ンス用組成物を調製した。
【００２７】＜サブストレートの研磨＞下記の条件に従
い、研磨済サブストレートを作成した。研磨に用いる組
成物は、酸化アルミニウム２０重量％、およびリンゴ酸
１重量％（スラリーの重量を基準）からなるスラリーを
純水で３倍に希釈したものを用いた。研磨条件 被加工物 ３．５”Ｎｉ−Ｐサブストレート 加工枚数 １０枚 研磨機 両面研磨機９Ｂタイプ 加工圧力 ８０ｇ／ｃｍ3 定盤回転数 ６０ｒｐｍ スラリー供給量 １００ｃｃ／分 研磨時間 ５分
い、研磨済サブストレートを作成した。研磨に用いる組
成物は、酸化アルミニウム２０重量％、およびリンゴ酸
１重量％（スラリーの重量を基準）からなるスラリーを
純水で３倍に希釈したものを用いた。研磨条件 被加工物 ３．５”Ｎｉ−Ｐサブストレート 加工枚数 １０枚 研磨機 両面研磨機９Ｂタイプ 加工圧力 ８０ｇ／ｃｍ3 定盤回転数 ６０ｒｐｍ スラリー供給量 １００ｃｃ／分 研磨時間 ５分
【００２８】＜リンス試験＞前記の研磨加工終了後、直
ちに以下の条件に切り換えて、実施例１〜８のリンス試
験を行った。なお、比較例１はリンス処理を行わず、比
較例２はリンス用組成物として純水を用いて行った。リンス条件 加工圧力 ４０ｇ／ｃｍ3 定盤回転数 ３０ｒｐｍ リンス用組成物供給量 ３００ｃｃ／分 リンス時間 ３０秒
ちに以下の条件に切り換えて、実施例１〜８のリンス試
験を行った。なお、比較例１はリンス処理を行わず、比
較例２はリンス用組成物として純水を用いて行った。リンス条件 加工圧力 ４０ｇ／ｃｍ3 定盤回転数 ３０ｒｐｍ リンス用組成物供給量 ３００ｃｃ／分 リンス時間 ３０秒
【００２９】リンス処理終了後、サブストレートを常法
により順次洗浄、乾燥した後、微分干渉顕微鏡（４００
倍）にて、サブストレート表面にある、顕微鏡１視野あ
たりの微小突起を数えた。それぞれ１０視野について観
察し、その平均を求めて微小突起［個／視野］とした。
得られた結果は表１に示すとおりである。
により順次洗浄、乾燥した後、微分干渉顕微鏡（４００
倍）にて、サブストレート表面にある、顕微鏡１視野あ
たりの微小突起を数えた。それぞれ１０視野について観
察し、その平均を求めて微小突起［個／視野］とした。
得られた結果は表１に示すとおりである。
【００３０】表１ 添加剤 微小突起 スクラッチ ピット ［個／視野］ 実施例１ 硝酸アルミニウム・９水塩 ２ ○ ○ ２ 硝酸アンモニウム ０ ○ ○ ３ モリブデン酸アンモニウム・４水塩 ０ ○ ○ ４ 亜硫酸ナトリウム ５ ○ ○ ５ 硫酸アルミニウム ７ ○ ○ ６ 塩化アルミニウム １０ ○ ○ ７ 次亜塩素酸ナトリウム ０ ○ ○ ８ 過塩素酸 ２ ○ ○ 比較例１ （リンス無し・研磨のみ） １００ ○ × ２ （純水のみによるリンス） ７５ × ○
【００３１】表１の結果から、本発明のリンス用組成物
は、研磨により発生したサブストレート表面の微小突起
が除去することが可能であることがわかる。また、本発
明のリンス用組成物を使用した場合、スクラッチおよび
ピットが発生していないことがわかる。
は、研磨により発生したサブストレート表面の微小突起
が除去することが可能であることがわかる。また、本発
明のリンス用組成物を使用した場合、スクラッチおよび
ピットが発生していないことがわかる。
【発明の効果】本発明のリンス用組成物は、メモリーハ
ードディスクのサブストレート作成時に発生する微小突
起の除去が可能であり、微小突起以外の表面欠陥がない
優れたサブストレート表面を得ることを可能にするもの
であり、また、スラリー中の砥粒の付着防止、洗浄設備
への負担軽減、さらに作業環境の改善にも効果があるこ
とは、［発明の概要］の項に前記したとおりである。こ
れにより、近年のメモリーハードディスクの高容量化、
高記録密度化に必要とされる加工品質を実現することが
できる。
ードディスクのサブストレート作成時に発生する微小突
起の除去が可能であり、微小突起以外の表面欠陥がない
優れたサブストレート表面を得ることを可能にするもの
であり、また、スラリー中の砥粒の付着防止、洗浄設備
への負担軽減、さらに作業環境の改善にも効果があるこ
とは、［発明の概要］の項に前記したとおりである。こ
れにより、近年のメモリーハードディスクの高容量化、
高記録密度化に必要とされる加工品質を実現することが
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｇ１１Ｂ 5/84 Ａ
Claims (15)
- 【請求項１】オキソ酸塩および（または）塩化物、なら
びに水を含むことを特徴とする、メモリーハードディス
クのリンス用組成物。 - 【請求項２】オキソ酸塩が、硝酸塩、モリブデン酸塩、
硫酸塩、過塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過硫酸塩、および
亜硫酸塩塩化物からなる群より選ばれる、請求項１に記
載のリンス用組成物。 - 【請求項３】硝酸塩が、硝酸アルミニウム、硝酸ニッケ
ル、硝酸アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸カルシウ
ム、硝酸コバルト、硝酸セシウム、硝酸ナトリウム、お
よび硝酸リチウムからなる群より選ばれる、請求項２に
記載のリンス用組成物。 - 【請求項４】モリブデン酸塩が、モリブデン酸アンモニ
ウム、モリブデン酸カルシウムおよびモリブデン酸ナト
リウムからなる群より選ばれる、請求項２に記載のリン
ス用組成物。 - 【請求項５】硫酸塩が、硫酸アルミニウム、硫酸アンモ
ニウム、硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、硫酸ニッケ
ル、および硫酸マグネシウムからなる群より選ばれる、
請求項２に記載のリンス用組成物。 - 【請求項６】過塩素酸塩が、過塩素酸ナトリウム、およ
び過塩素酸カリウムからなる群より選ばれる、請求項２
に記載のリンス用組成物。 - 【請求項７】次亜塩素酸塩が、次亜塩素酸ナトリウム、
および次亜塩素酸カリウムからなる群より選ばれる、請
求項２に記載のリンス用組成物。 - 【請求項８】過硫酸塩が、過硫酸ナトリウム、過硫酸カ
リウム、および過硫酸アンモニウムからなる群より選ば
れる、請求項に記載のリンス用組成物。 - 【請求項９】亜硫酸塩が、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カ
リウム、および亜硫酸アンモニウムからなる群より選ば
れる、請求項２に記載のリンス用組成物。 - 【請求項１０】塩化物が、塩化アルミニウム、塩化アン
モニウム、塩化カリウム、塩化カルシウム、塩化ニッケ
ル、塩化ナトリウム、および塩化リチウムからなる群よ
り選ばれる、請求項１に記載のリンス用組成物。 - 【請求項１１】オキソ酸塩および（または）塩化物の含
有量が、リンス用組成物の全量を基準にして０．００１
〜５０重量％である、請求項１〜１０に記載のリンス用
組成物。 - 【請求項１２】オキソ酸および水を含むことを特徴とす
る、メモリーハードディスクのリンス用組成物。 - 【請求項１３】オキソ酸が、過塩素酸、次亜塩素酸、過
硫酸、亜硫酸、硫酸、硝酸およびモリブデン酸からなる
群より選ばれる、請求項１２に記載のリンス用組成物。 - 【請求項１４】オキソ酸の含有量が、リンス用組成物の
重量を基準にして、０．００１〜５０重量％である、請
求項１２に記載のリンス用組成物。 - 【請求項１５】無機酸塩、オキソ酸および水を含むこと
を特徴とする、メモリーハードディスクのリンス用組成
物。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31470796A JP4141514B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | リンス用組成物 |
| MYPI97005489A MY115703A (en) | 1996-11-26 | 1997-11-15 | Rinsing method and composition |
| US08/972,142 US6022837A (en) | 1996-11-26 | 1997-11-17 | Method for rinsing a polished memory hard disk |
| TW086117148A TW442559B (en) | 1996-11-26 | 1997-11-17 | Rinsing composition |
| KR1019970063227A KR19980042793A (ko) | 1996-11-26 | 1997-11-26 | 린싱 조성물 |
| GB9725012A GB2319529B (en) | 1996-11-26 | 1997-11-26 | Rinsing method and composition |
| IE19970831A IE970831A1 (en) | 1996-11-26 | 1997-11-26 | Rinsing composition |
| CN97123014A CN1113956C (zh) | 1996-11-26 | 1997-11-26 | 清洗组合物 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31470796A JP4141514B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | リンス用組成物 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10152674A true JPH10152674A (ja) | 1998-06-09 |
| JP4141514B2 JP4141514B2 (ja) | 2008-08-27 |
Family
ID=18056595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31470796A Expired - Lifetime JP4141514B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | リンス用組成物 |
Country Status (8)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP4141514B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980042793A (ja) |
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| GB (1) | GB2319529B (ja) |
| IE (1) | IE970831A1 (ja) |
| MY (1) | MY115703A (ja) |
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| JP2010155902A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用リンス剤組成物 |
| WO2013129619A1 (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
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| JP5795843B2 (ja) | 2010-07-26 | 2015-10-14 | 東洋鋼鈑株式会社 | ハードディスク基板の製造方法 |
| CN102418137B (zh) * | 2011-12-16 | 2014-06-18 | 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 | 一种合金电化学标印液 |
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| JPS5332343B2 (ja) * | 1972-09-19 | 1978-09-07 | ||
| NL175835B (nl) * | 1973-04-17 | 1984-08-01 | Shell Int Research | Werkwijze ter bereiding van een waterstofrijk gas uit een koolmonoxyde-bevattend gas met behulp van een nikkel en/of kobalt en molybdeen bevattende katalysator. |
| JPS5242552B2 (ja) * | 1974-08-01 | 1977-10-25 | ||
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-
1996
- 1996-11-26 JP JP31470796A patent/JP4141514B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-11-15 MY MYPI97005489A patent/MY115703A/en unknown
- 1997-11-17 TW TW086117148A patent/TW442559B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-11-17 US US08/972,142 patent/US6022837A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-26 CN CN97123014A patent/CN1113956C/zh not_active Expired - Lifetime
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- 1997-11-26 KR KR1019970063227A patent/KR19980042793A/ko not_active Withdrawn
- 1997-11-26 GB GB9725012A patent/GB2319529B/en not_active Expired - Fee Related
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