JPH10152736A - 銅合金材及びその製造方法 - Google Patents
銅合金材及びその製造方法Info
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- JPH10152736A JPH10152736A JP31327696A JP31327696A JPH10152736A JP H10152736 A JPH10152736 A JP H10152736A JP 31327696 A JP31327696 A JP 31327696A JP 31327696 A JP31327696 A JP 31327696A JP H10152736 A JPH10152736 A JP H10152736A
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- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001192 hot extrusion Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 description 3
- 229910017876 Cu—Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 102220253765 rs141230910 Human genes 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N dexamethasone Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(F)[C@@H]1[C@@H]1C[C@@H](C)[C@@](C(=O)CO)(O)[C@@]1(C)C[C@@H]2O UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い強度及び高い導電率を備えた銅合金が得
られるようにする。 【解決手段】 Ｎｉ（２．５ｗｔ％）、Ｓｉ（０．５ｗ
ｔ％）、Ｚｎ（０．５ｗｔ％）及びＰ（０．３ｗｔ％）
がＣｕに添加され、かつ重量比Ｎｉ／Ｓｉが４．５〜
５．５になるようにした銅合金を用いる。まず、８５０
℃に加熱して熱間押出加工した後に冷間圧延する（ステ
ップ１０２）。ついで、８００℃に加熱後、急冷して溶
体化処理し（ステップ１０３）た後、２０〜８０％の加
工率で冷間圧延する（ステップ１０４）。更に、４５０
℃で１時間の第１次時効処理を施し（ステップ１０
５）、１０〜７０％の加工率の冷間圧延（ステップ１０
６）を経て４２０℃で１時間の第２次時効処理を施す。
これにより、高強度と高導電率を備えた銅合金が得られ
る。
られるようにする。 【解決手段】 Ｎｉ（２．５ｗｔ％）、Ｓｉ（０．５ｗ
ｔ％）、Ｚｎ（０．５ｗｔ％）及びＰ（０．３ｗｔ％）
がＣｕに添加され、かつ重量比Ｎｉ／Ｓｉが４．５〜
５．５になるようにした銅合金を用いる。まず、８５０
℃に加熱して熱間押出加工した後に冷間圧延する（ステ
ップ１０２）。ついで、８００℃に加熱後、急冷して溶
体化処理し（ステップ１０３）た後、２０〜８０％の加
工率で冷間圧延する（ステップ１０４）。更に、４５０
℃で１時間の第１次時効処理を施し（ステップ１０
５）、１０〜７０％の加工率の冷間圧延（ステップ１０
６）を経て４２０℃で１時間の第２次時効処理を施す。
これにより、高強度と高導電率を備えた銅合金が得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器に用いら
れる銅合金、特に高強度及び高熱伝導性を備えた銅合金
材及びその製造方法に関するものである。
れる銅合金、特に高強度及び高熱伝導性を備えた銅合金
材及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器用の金属材料は、製造工程中に
変形や破損の生じない強度、耐熱性、打ち抜きや加工に
対する加工性、発生する熱を外部に放出できる熱伝導
性、めっき性、はんだ付け性、耐蝕性等の特性のほか、
低価格であることが要求される。例えば、半導体装置に
用いられるリードフレームにおいては、素子の小型化・
高集積化に対応した特性、つまり、材料の薄板化に対応
して、より強度が高く、かつ熱の発生量が増加すること
から、十分な放熱性を確保しうる熱伝導性及び導電性を
備えた材料の開発が望まれている。
変形や破損の生じない強度、耐熱性、打ち抜きや加工に
対する加工性、発生する熱を外部に放出できる熱伝導
性、めっき性、はんだ付け性、耐蝕性等の特性のほか、
低価格であることが要求される。例えば、半導体装置に
用いられるリードフレームにおいては、素子の小型化・
高集積化に対応した特性、つまり、材料の薄板化に対応
して、より強度が高く、かつ熱の発生量が増加すること
から、十分な放熱性を確保しうる熱伝導性及び導電性を
備えた材料の開発が望まれている。
【０００３】このような要求に応えられる材料として、
高純度銅合金材が注目されており、種々の材料が開発さ
れている。その中でＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金（コルソン合
金）を基本とする合金は、引張強度が７００ＭＰａとい
う高い値を期待できることから、有望視されている。こ
のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金は析出硬化型の合金である。通
常、８００℃程度の高温から急冷する液体化処理と、３
００〜５００℃程度に加熱保持する時効処理によって合
金元素をＮｉ2 Ｓｉの化合物の形でＣｕ母相中に析出さ
せ、転位の運動に対する障害物にすることで強度が向上
する。また、合金元素を積極的に析出させるため、固溶
状態にある合金に比較して熱伝導性及び導電性を良好に
保ちやすい。
高純度銅合金材が注目されており、種々の材料が開発さ
れている。その中でＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金（コルソン合
金）を基本とする合金は、引張強度が７００ＭＰａとい
う高い値を期待できることから、有望視されている。こ
のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金は析出硬化型の合金である。通
常、８００℃程度の高温から急冷する液体化処理と、３
００〜５００℃程度に加熱保持する時効処理によって合
金元素をＮｉ2 Ｓｉの化合物の形でＣｕ母相中に析出さ
せ、転位の運動に対する障害物にすることで強度が向上
する。また、合金元素を積極的に析出させるため、固溶
状態にある合金に比較して熱伝導性及び導電性を良好に
保ちやすい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｃｕ−Ｎｉ−
Ｓｉ合金によると、その製造に通常の単純な溶体化処理
及び時効化処理による製造工程をとった場合、強度面で
は７００ＭＰａという高い引張強度が得られるものの、
導電率が３０〜４０％ＩＡＣＳのレベルに止まってい
る。この導電率は、ＱＦＰ(Quad Fiat Package）による
半導体装置のリードフレームに用いるには不満が残る。
このように導電率が高くならない理由は、析出しきれず
に固溶状態で残留する合金元素の量が多いためである。
そこで、十分な析出を生じさせるために、時効処理温度
を上昇させたり、処理時間を長くした場合、導電率は向
上するが、逆に析出物が粗大になり、強度が低下すると
いう問題がある。
Ｓｉ合金によると、その製造に通常の単純な溶体化処理
及び時効化処理による製造工程をとった場合、強度面で
は７００ＭＰａという高い引張強度が得られるものの、
導電率が３０〜４０％ＩＡＣＳのレベルに止まってい
る。この導電率は、ＱＦＰ(Quad Fiat Package）による
半導体装置のリードフレームに用いるには不満が残る。
このように導電率が高くならない理由は、析出しきれず
に固溶状態で残留する合金元素の量が多いためである。
そこで、十分な析出を生じさせるために、時効処理温度
を上昇させたり、処理時間を長くした場合、導電率は向
上するが、逆に析出物が粗大になり、強度が低下すると
いう問題がある。
【０００５】そこで本発明は、高強度及び高導電率を併
せもった銅合金材及びその製造方法を提供することを目
的としている。
せもった銅合金材及びその製造方法を提供することを目
的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、重量比Ｎｉ／Ｓｉを４．５〜５．５にし
た１．０〜５．０ｗｔ％のＮｉ、及び０．２〜１．０ｗ
ｔ％のＳｉと、０．３〜５．０ｗｔ％のＺｎ、及び０．
００３〜０．３ｗｔ％のＰを含み、所定の溶体化処理
し、冷間圧延、及び時効処理によって５０％ＩＡＣＳ以
上の導電率と、７００ＭＰａ以上の引張強度を有するよ
うに構成されたことを特徴とする銅合金材を提供する。
め、本発明は、重量比Ｎｉ／Ｓｉを４．５〜５．５にし
た１．０〜５．０ｗｔ％のＮｉ、及び０．２〜１．０ｗ
ｔ％のＳｉと、０．３〜５．０ｗｔ％のＺｎ、及び０．
００３〜０．３ｗｔ％のＰを含み、所定の溶体化処理
し、冷間圧延、及び時効処理によって５０％ＩＡＣＳ以
上の導電率と、７００ＭＰａ以上の引張強度を有するよ
うに構成されたことを特徴とする銅合金材を提供する。
【０００７】上記の目的を達成するために、本発明は、
重量比Ｎｉ／Ｓｉを４．５〜５．５にした１．０〜５．
０ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜１．０ｗｔ％のＳｉのほ
か、０．３〜５．０ｗｔ％のＺｎ、０．００３〜０．３
ｗｔ％のＰがＣｕに添加された銅合金を７００〜１００
０℃に加熱して溶体化処理し、２０〜８０％の加工率で
冷間圧延し、４００〜５００℃及び０．５〜３時間の時
効処理を施し、１０〜７０％の加工率で冷間圧延し、３
５０〜４５０℃及び０．５〜３時間の時効処理を施す銅
合金材の製造方法を提供する。
重量比Ｎｉ／Ｓｉを４．５〜５．５にした１．０〜５．
０ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜１．０ｗｔ％のＳｉのほ
か、０．３〜５．０ｗｔ％のＺｎ、０．００３〜０．３
ｗｔ％のＰがＣｕに添加された銅合金を７００〜１００
０℃に加熱して溶体化処理し、２０〜８０％の加工率で
冷間圧延し、４００〜５００℃及び０．５〜３時間の時
効処理を施し、１０〜７０％の加工率で冷間圧延し、３
５０〜４５０℃及び０．５〜３時間の時効処理を施す銅
合金材の製造方法を提供する。
【０００８】この方法によれば、ＮｉとＳｉは析出物の
析出を容易にし、固溶状態で残る元素量を低減させるの
で、強度及び導電率が向上する。また、Ｚｎ及びＰは導
電率を確保しながら、Ｚｎでは、はんだ付け時の界面剥
離を改善してめっき性を向上させるように作用し、Ｐは
脱酸剤として機能し、合金鋳造時のＳｉの酸化による悪
影響を防止するように作用する。更に、２０〜８０％の
加工率による冷間圧延は、時効処理における析出物の発
生を十分にしながら粗大化を防止する。この冷間圧延に
続く時効処理は、４００〜５００℃で十分な析出が得ら
れ、必要な強度及び導電率を得ることができる。この時
効処理に続く１０〜７０％の加工率による冷間圧延は、
次の時効処理（第２次時効処理）における析出物の発生
を容易にし、十分な強度が得られるように作用する。３
５０〜４５０℃で０．５〜３時間の時効処理は、析出物
の粗大化を抑制しながら十分な析出が可能になり、必要
な強度及び導電率を得ることができる。
析出を容易にし、固溶状態で残る元素量を低減させるの
で、強度及び導電率が向上する。また、Ｚｎ及びＰは導
電率を確保しながら、Ｚｎでは、はんだ付け時の界面剥
離を改善してめっき性を向上させるように作用し、Ｐは
脱酸剤として機能し、合金鋳造時のＳｉの酸化による悪
影響を防止するように作用する。更に、２０〜８０％の
加工率による冷間圧延は、時効処理における析出物の発
生を十分にしながら粗大化を防止する。この冷間圧延に
続く時効処理は、４００〜５００℃で十分な析出が得ら
れ、必要な強度及び導電率を得ることができる。この時
効処理に続く１０〜７０％の加工率による冷間圧延は、
次の時効処理（第２次時効処理）における析出物の発生
を容易にし、十分な強度が得られるように作用する。３
５０〜４５０℃で０．５〜３時間の時効処理は、析出物
の粗大化を抑制しながら十分な析出が可能になり、必要
な強度及び導電率を得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、高強度及び高導電率を
併せもたせるため、粗大析出物が生じない条件のもと
で、Ｎｉ2 Ｓｉの化合物ができるだけ多量に析出するよ
うにしている。Ｎｉ及びＳｉの量は、添加量が多くなる
と析出しきれない固溶元素量が増大し、少ないと析出硬
化による高強度化が図れない。以下に実施例を示して具
体的に説明する。
併せもたせるため、粗大析出物が生じない条件のもと
で、Ｎｉ2 Ｓｉの化合物ができるだけ多量に析出するよ
うにしている。Ｎｉ及びＳｉの量は、添加量が多くなる
と析出しきれない固溶元素量が増大し、少ないと析出硬
化による高強度化が図れない。以下に実施例を示して具
体的に説明する。
【００１０】
【実施例】図１は本発明による銅合金材の製造方法の工
程を示すフローチャートである。図１を参照して本発明
を説明する。本発明者らは、表１の組成により試料を作
成した。本発明による組成がＡ及びＢであり、比較用組
成（従来例）としてＣ，Ｄ，Ｅの３種を作成した。
程を示すフローチャートである。図１を参照して本発明
を説明する。本発明者らは、表１の組成により試料を作
成した。本発明による組成がＡ及びＢであり、比較用組
成（従来例）としてＣ，Ｄ，Ｅの３種を作成した。
【００１１】
【表１】
【００１２】Ｎｉ２．５ｗｔ％、Ｓｉ０．５ｗｔ％、Ｚ
ｎ０．５ｗｔ％、Ｐ０．０３ｗｔ％の組成を持つ銅合金
を無酸素銅を母材にして高周波溶解炉で溶製し、直径３
０ｍｍ、長さ２５０ｍｍのインゴットに鋳造した（ステ
ップ１０１）。このインゴットを８５０℃に加熱して熱
間押し出し加工し、幅２０ｍｍ、厚さ８ｍｍの板状にし
た。この後、中間焼鈍をはさみながら厚さ０．５８ｍｍ
まで冷間圧延した（ステップ１０２）。ついで、８００
℃に加熱後、水中に入れて急冷し、溶体化した（ステッ
プ１０３）。溶体化後の材料を厚さ０．３８ｍｍに冷間
圧延し（ステップ１０４）、４５０℃で１時間時効処理
（第１次時効処理）した（ステップ１０５）。
ｎ０．５ｗｔ％、Ｐ０．０３ｗｔ％の組成を持つ銅合金
を無酸素銅を母材にして高周波溶解炉で溶製し、直径３
０ｍｍ、長さ２５０ｍｍのインゴットに鋳造した（ステ
ップ１０１）。このインゴットを８５０℃に加熱して熱
間押し出し加工し、幅２０ｍｍ、厚さ８ｍｍの板状にし
た。この後、中間焼鈍をはさみながら厚さ０．５８ｍｍ
まで冷間圧延した（ステップ１０２）。ついで、８００
℃に加熱後、水中に入れて急冷し、溶体化した（ステッ
プ１０３）。溶体化後の材料を厚さ０．３８ｍｍに冷間
圧延し（ステップ１０４）、４５０℃で１時間時効処理
（第１次時効処理）した（ステップ１０５）。
【００１３】溶体化処理と時効処理の間で冷間圧延を行
うことにより、溶体化材の結晶格子内に適度な格子欠陥
が導入される。この格子欠陥は析出物形成の核として機
能し、析出物を微細な形状でより均一かつ多量に発生さ
せることができる。冷間圧延の加工率を高くすると、よ
り多量の格子欠陥が導入されるため、多量の析出物が形
成されやすくなるが、析出の進行が速くなるため、粗大
化も急速に進行する。したがって、冷間圧延の加工率は
２０〜８０％にするのが好ましい。
うことにより、溶体化材の結晶格子内に適度な格子欠陥
が導入される。この格子欠陥は析出物形成の核として機
能し、析出物を微細な形状でより均一かつ多量に発生さ
せることができる。冷間圧延の加工率を高くすると、よ
り多量の格子欠陥が導入されるため、多量の析出物が形
成されやすくなるが、析出の進行が速くなるため、粗大
化も急速に進行する。したがって、冷間圧延の加工率は
２０〜８０％にするのが好ましい。
【００１４】１時間時効処理においては、微細な形状の
析出物をできるだけ多く発生させることが重要である。
このためには温度及び保持時間が重要で、ここでは温度
を４００〜５００℃、保持時間を３０分〜３時間にして
いる。これより低温及び短時間では十分な量の析出が生
ぜず、逆に、高温及び長時間になると粗大な形状の析出
物が発生する。
析出物をできるだけ多く発生させることが重要である。
このためには温度及び保持時間が重要で、ここでは温度
を４００〜５００℃、保持時間を３０分〜３時間にして
いる。これより低温及び短時間では十分な量の析出が生
ぜず、逆に、高温及び長時間になると粗大な形状の析出
物が発生する。
【００１５】この１時間時効処理の後、厚みが０．２５
ｍｍになるまで冷間圧延（ステップ１０６）する。この
冷間圧延は、加工率を１０〜７０％で行うのが望まし
い。１０％未満では、この後に行われる第２次時効処理
における析出物の発生が不十分になり、７０％を越える
と析出の進行が速くなる。この冷間圧延の後、４２０℃
で１時間時効処理した（ステップ１０７）。この２回目
の時効処理（第２次時効処理）は、ステップ１０５の第
１次時効処理で析出されずに残った固溶状態の元素をで
きるだけ多く析出させることが重要である。そこで、第
２次時効処理の温度を３５０〜４５０℃、保持時間を３
０分〜３時間にしている。以上のようにして製作した試
料をＮｏ．１とする。
ｍｍになるまで冷間圧延（ステップ１０６）する。この
冷間圧延は、加工率を１０〜７０％で行うのが望まし
い。１０％未満では、この後に行われる第２次時効処理
における析出物の発生が不十分になり、７０％を越える
と析出の進行が速くなる。この冷間圧延の後、４２０℃
で１時間時効処理した（ステップ１０７）。この２回目
の時効処理（第２次時効処理）は、ステップ１０５の第
１次時効処理で析出されずに残った固溶状態の元素をで
きるだけ多く析出させることが重要である。そこで、第
２次時効処理の温度を３５０〜４５０℃、保持時間を３
０分〜３時間にしている。以上のようにして製作した試
料をＮｏ．１とする。
【００１６】表１に示した各組成にし、また加工条件
（冷間加工率及び時効処理条件）を代えて上記した製造
工程にしたがって本発明品の試料（Ｎｏ．２，３及びＮ
ｏ．８）及び比較品（Ｎｏ．４，５，６，７及びＮｏ．
９，１０，１１）を製作した。これらの全てについて、
引張強さと導電率を測定したところ、表２に示す結果を
得た。
（冷間加工率及び時効処理条件）を代えて上記した製造
工程にしたがって本発明品の試料（Ｎｏ．２，３及びＮ
ｏ．８）及び比較品（Ｎｏ．４，５，６，７及びＮｏ．
９，１０，１１）を製作した。これらの全てについて、
引張強さと導電率を測定したところ、表２に示す結果を
得た。
【００１７】
【表２】
【００１８】表２から明らかなように、試料Ｎｏ．１〜
３及びＮｏ．８は、７２０ＭＰａ以上の強度が得られ、
導電率は５２％ＩＡＣＳ以上が得られた。この結果、Ｑ
ＦＰによる半導体装置のリードフレームに用いることが
可能になった。これに対し、試料Ｎｏ．４〜７及びＮ
ｏ．９〜１１の比較例は、引張強度及び導電率が低く、
半導体装置のリードフレームに用いることができない。
３及びＮｏ．８は、７２０ＭＰａ以上の強度が得られ、
導電率は５２％ＩＡＣＳ以上が得られた。この結果、Ｑ
ＦＰによる半導体装置のリードフレームに用いることが
可能になった。これに対し、試料Ｎｏ．４〜７及びＮ
ｏ．９〜１１の比較例は、引張強度及び導電率が低く、
半導体装置のリードフレームに用いることができない。
【００１９】本発明による銅合金は、高い強度と高い導
電率が得られるため、リードフレームに用いた場合、よ
り小型化、多ピン化、高速化を目的とした半導体装置へ
の対応が可能になり、特に、ＱＦＰ等の多ピンリードフ
レームに用いるのに適している。ここで、表１に示した
各元素の組成比について説明する。
電率が得られるため、リードフレームに用いた場合、よ
り小型化、多ピン化、高速化を目的とした半導体装置へ
の対応が可能になり、特に、ＱＦＰ等の多ピンリードフ
レームに用いるのに適している。ここで、表１に示した
各元素の組成比について説明する。
【００２０】Ｎｉ及びＳｉの添加量が低いと、析出硬化
による高強度化が不十分になる。逆に、Ｎｉ及びＳｉの
添加量が多くなると、析出しきれない固溶元素量が増加
する。また、Ｎｉ／Ｓｉの重量比を規定する理由は、Ｎ
ｉ2 Ｓｉの析出が十分におきたとき、余剰分として存在
するＮｉもしくはＳｉの量を少なくする為である。更
に、Ｚｎは、はんだ付け時の界面剥離を改善する効果が
ある。Ｐは脱酸剤としての効果があり、合金鋳造時のＳ
ｉの酸化による悪影響を防止することができる。Ｚｎ及
びＰの量が所定量より多くなると、導電率が低下する。
による高強度化が不十分になる。逆に、Ｎｉ及びＳｉの
添加量が多くなると、析出しきれない固溶元素量が増加
する。また、Ｎｉ／Ｓｉの重量比を規定する理由は、Ｎ
ｉ2 Ｓｉの析出が十分におきたとき、余剰分として存在
するＮｉもしくはＳｉの量を少なくする為である。更
に、Ｚｎは、はんだ付け時の界面剥離を改善する効果が
ある。Ｐは脱酸剤としての効果があり、合金鋳造時のＳ
ｉの酸化による悪影響を防止することができる。Ｚｎ及
びＰの量が所定量より多くなると、導電率が低下する。
【００２１】なお、表１の組成においては、表中の値に
固定されるものではなく、次の範囲で選択可能である。
Ｎｉ１．０〜５．０ｗｔ％、Ｓｉ０．２〜１．０ｗｔ
％、Ｚｎ０．３〜５．０ｗｔ％、Ｐ０．００３〜０．３
ｗｔ％、及びＮｉ／Ｓｉ＝４．５〜５．５。また、ステ
ップ１０２における熱間押出加工では８００℃に加熱す
るものとしたが、この温度は７００〜１０００℃の範囲
に設定することができる。更に、第ステップ１０５の１
次時効処理は４５０℃で行ったが、４００〜５００℃の
範囲で行うことができる。
固定されるものではなく、次の範囲で選択可能である。
Ｎｉ１．０〜５．０ｗｔ％、Ｓｉ０．２〜１．０ｗｔ
％、Ｚｎ０．３〜５．０ｗｔ％、Ｐ０．００３〜０．３
ｗｔ％、及びＮｉ／Ｓｉ＝４．５〜５．５。また、ステ
ップ１０２における熱間押出加工では８００℃に加熱す
るものとしたが、この温度は７００〜１０００℃の範囲
に設定することができる。更に、第ステップ１０５の１
次時効処理は４５０℃で行ったが、４００〜５００℃の
範囲で行うことができる。
【００２２】
【発明の効果】以上より明らかな如く、本発明によれ
ば、所定の比率にしたＮｉ、Ｓｉのほか、Ｚｎ及びＰを
所定の組成でＣｕに添加した銅合金を７００〜１０００
℃で溶体化処理し、ついで２０〜８０％の加工率で冷間
圧延し、更に４００〜５００℃及び０．５〜３時間で時
効処理を施した後、１０〜７０％の加工率で再度冷間圧
延し、ついで３５０〜４５０℃及び０．５〜３時間で再
度時効処理を施すようにしたので、高強度及び高導電率
を備えた銅合金を得ることができる。したがって、リー
ドフレームに用いると、小型化、多ピン化及び高速化に
対応したＱＦＰ等の半導体装置を得ることができる。
ば、所定の比率にしたＮｉ、Ｓｉのほか、Ｚｎ及びＰを
所定の組成でＣｕに添加した銅合金を７００〜１０００
℃で溶体化処理し、ついで２０〜８０％の加工率で冷間
圧延し、更に４００〜５００℃及び０．５〜３時間で時
効処理を施した後、１０〜７０％の加工率で再度冷間圧
延し、ついで３５０〜４５０℃及び０．５〜３時間で再
度時効処理を施すようにしたので、高強度及び高導電率
を備えた銅合金を得ることができる。したがって、リー
ドフレームに用いると、小型化、多ピン化及び高速化に
対応したＱＦＰ等の半導体装置を得ることができる。
【図１】本発明の銅合金材の製造方法の製造工程を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６５０ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６５０Ｆ ６６１ ６６１Ａ ６８２ ６８２ ６８５ ６８５Ｚ ６８６ ６８６Ｚ ６９１ ６９１Ｂ ６９１Ｃ ６９４ ６９４Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 重量比Ｎｉ／Ｓｉを４．５〜５．５にし
た１．０〜５．０ｗｔ％のＮｉ、及び０．２〜１．０ｗ
ｔ％のＳｉと、０．３〜５．０ｗｔ％のＺｎ、及び０．
００３〜０．３ｗｔ％のＰを含み、 所定の溶体化処理し、冷間圧延、及び時効処理によって
５０％ＩＡＣＳ以上の導電率と、７００ＭＰａ以上の引
張強度を有するように構成されたことを特徴とする銅合
金材。 - 【請求項２】 重量比Ｎｉ／Ｓｉを４．５〜５．５にし
た１．０〜５．０ｗｔ％のＮｉ、及び０．２〜１．０ｗ
ｔ％のＳｉと、０．３〜５．０ｗｔ％のＺｎ、及び０．
００３〜０．３ｗｔ％のＰがＣｕに添加された銅合金を
７００〜１０００℃に加熱して溶体化処理し、 ２０〜８０％の加工率で冷間圧延し、 ４００〜５００℃及び０．５〜３時間の時効処理を施
し、 １０〜７０％の加工率で冷間圧延し、 ３５０〜４５０℃及び０．５〜３時間の時効処理を施す
ことを特徴とする銅合金材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31327696A JPH10152736A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 銅合金材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31327696A JPH10152736A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 銅合金材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10152736A true JPH10152736A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18039268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31327696A Pending JPH10152736A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 銅合金材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10152736A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003025078A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-28 | Dowa Mining Co Ltd | 銅、銅基合金およびその製造方法 |
| JP2004007020A (ja) * | 2003-09-30 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US7413619B2 (en) | 2005-03-11 | 2008-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Copper alloy |
| CN115044846A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-09-13 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | CuCrSn合金及其变形热处理方法 |
| CN115354251A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-18 | 西安交通大学 | 一种提高析出程度且抑制析出相粗化的热处理方法 |
-
1996
- 1996-11-25 JP JP31327696A patent/JPH10152736A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003025078A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-28 | Dowa Mining Co Ltd | 銅、銅基合金およびその製造方法 |
| JP2004007020A (ja) * | 2003-09-30 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US7413619B2 (en) | 2005-03-11 | 2008-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Copper alloy |
| US7727345B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-06-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Copper alloy and method of manufacturing the same |
| DE102006010760B4 (de) * | 2005-03-11 | 2014-03-27 | Mitsubishi Denki K.K. | Kupferlegierung und Verfahren zur Herstellung derselben |
| CN115044846A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-09-13 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | CuCrSn合金及其变形热处理方法 |
| CN115354251A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-18 | 西安交通大学 | 一种提高析出程度且抑制析出相粗化的热处理方法 |
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