JPH10153796A - 液晶表示装置及びその作製方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその作製方法Info
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- JPH10153796A JPH10153796A JP8327980A JP32798096A JPH10153796A JP H10153796 A JPH10153796 A JP H10153796A JP 8327980 A JP8327980 A JP 8327980A JP 32798096 A JP32798096 A JP 32798096A JP H10153796 A JPH10153796 A JP H10153796A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多
く、開口率が低いので、実用化できない。また、液晶層
に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、
画素表示部における個々の液晶にかかる電界が不均一で
あった。 【解決手段】 本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコ
モン線１０３、１０４を最初に同時に形成し、層間膜形
成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ
ース線１０６、１０７を同時に形成する。こうすること
によって、電極パターンを単純化でき、工程を簡略化し
た。 また、液晶層に最も近接している層に存在する配
線及び電極を画素電極とコモン電極とソース線とし、そ
の形状を単純なものにした。
く、開口率が低いので、実用化できない。また、液晶層
に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、
画素表示部における個々の液晶にかかる電界が不均一で
あった。 【解決手段】 本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコ
モン線１０３、１０４を最初に同時に形成し、層間膜形
成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ
ース線１０６、１０７を同時に形成する。こうすること
によって、電極パターンを単純化でき、工程を簡略化し
た。 また、液晶層に最も近接している層に存在する配
線及び電極を画素電極とコモン電極とソース線とし、そ
の形状を単純なものにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
ガラスや石英等の絶縁基板に設けられた結晶性珪素膜を
用いた絶縁ゲイト構造を有する半導体装置、例えば、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオ─ド（ＴＦ
Ｄ）、またはそれらを応用した薄膜集積回路、特にパッ
シブマトリクス型液晶表示装置用薄膜集積回路やアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置用薄膜集積回路、及びそ
の作製方法に関するものである。
ガラスや石英等の絶縁基板に設けられた結晶性珪素膜を
用いた絶縁ゲイト構造を有する半導体装置、例えば、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオ─ド（ＴＦ
Ｄ）、またはそれらを応用した薄膜集積回路、特にパッ
シブマトリクス型液晶表示装置用薄膜集積回路やアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置用薄膜集積回路、及びそ
の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ガラスや石英等の絶縁基板に薄膜
トランジスタをマトリクス状に形成し、このＴＦＴをス
イッチング素子として用いるアクティブマトリクス型の
液晶表示装置の研究が盛んにされている。
トランジスタをマトリクス状に形成し、このＴＦＴをス
イッチング素子として用いるアクティブマトリクス型の
液晶表示装置の研究が盛んにされている。
【０００３】また、アクティブマトリクス回路（画素回
路や画素マトリクス回路とも呼ばれる）と周辺駆動回路
（ドライバ─回路とも呼ばれる）とを同一絶縁基板上に
集積化したアクティブマトリクス型の液晶表示装置が注
目されている。この構成は、周辺駆動回路一体型と呼ば
れている。
路や画素マトリクス回路とも呼ばれる）と周辺駆動回路
（ドライバ─回路とも呼ばれる）とを同一絶縁基板上に
集積化したアクティブマトリクス型の液晶表示装置が注
目されている。この構成は、周辺駆動回路一体型と呼ば
れている。
【０００４】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置では、２枚の基板上に液晶層を駆動する電極等を形成
し対向させた透明電極を用いていた。この２枚の基板間
に液晶を封入し、液晶に印加する電界の方向を基板面に
ほぼ垂直な方向とする。そして、さらにその電界強度を
変化させることで、一般的に棒状の形状を有する液晶分
子の配向方向を、基板と平行、あるいは基板に垂直と変
化させることで実現していた。一般的にこの場合、液晶
材料の示す特徴の一つである光学異方性を利用して光を
変調させるため、前記装置には偏向板を配置し、入射光
を直線偏光となるようにしていた。
置では、２枚の基板上に液晶層を駆動する電極等を形成
し対向させた透明電極を用いていた。この２枚の基板間
に液晶を封入し、液晶に印加する電界の方向を基板面に
ほぼ垂直な方向とする。そして、さらにその電界強度を
変化させることで、一般的に棒状の形状を有する液晶分
子の配向方向を、基板と平行、あるいは基板に垂直と変
化させることで実現していた。一般的にこの場合、液晶
材料の示す特徴の一つである光学異方性を利用して光を
変調させるため、前記装置には偏向板を配置し、入射光
を直線偏光となるようにしていた。
【０００５】しかし、このような動作方法をとる液晶電
気光学装置は、表示面に対して垂直な方向から見たとき
は正常な表示状態でも、斜めから見ると表示が暗く、不
鮮明になり、さらにカラ─表示であれば変色してしまう
現象が見られた。
気光学装置は、表示面に対して垂直な方向から見たとき
は正常な表示状態でも、斜めから見ると表示が暗く、不
鮮明になり、さらにカラ─表示であれば変色してしまう
現象が見られた。
【０００６】このような問題を解決するため、液晶層に
印加する電界の方向を基板面に平行な方向とする方法
（ＩＰＳモ─ド）がある。このような電気光学装置で
は、液晶分子長軸を基板に平行な状態を維持したままス
イッチングするため、視野角による液晶の光学特性の変
化が少ない。このため、視野角による光漏れ、コントラ
ストの低下等が、従来のＴＮ、ＳＴＮ方式に比べ小さ
い。
印加する電界の方向を基板面に平行な方向とする方法
（ＩＰＳモ─ド）がある。このような電気光学装置で
は、液晶分子長軸を基板に平行な状態を維持したままス
イッチングするため、視野角による液晶の光学特性の変
化が少ない。このため、視野角による光漏れ、コントラ
ストの低下等が、従来のＴＮ、ＳＴＮ方式に比べ小さ
い。
【０００７】このＩＰＳモ─ドの電極構成として、図１
７に示した様な一枚の基板上に櫛歯状電極を形成した方
法が知られている。しかし、前記櫛歯状電極を用いた場
合、画素素子において、配線パタ─ンが微細化かつ複雑
化し、生産性が悪いという問題点があった。また、電極
形状が複雑なので、液晶層にかかる電界も複雑なものと
なっていた。さらに、櫛歯状電極とすることによって光
が遮られ、光が透過できる有効面積（開口率）が著しく
低下し、暗いディスプレイしか実現できず、実用化は不
可能であった。
７に示した様な一枚の基板上に櫛歯状電極を形成した方
法が知られている。しかし、前記櫛歯状電極を用いた場
合、画素素子において、配線パタ─ンが微細化かつ複雑
化し、生産性が悪いという問題点があった。また、電極
形状が複雑なので、液晶層にかかる電界も複雑なものと
なっていた。さらに、櫛歯状電極とすることによって光
が遮られ、光が透過できる有効面積（開口率）が著しく
低下し、暗いディスプレイしか実現できず、実用化は不
可能であった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題を解
決するものであって、その目的とするところは、透明電
極がなくとも高コンラストで、工程が簡易で量産可能
な、且つ、開口率が大きく明るい周辺駆動回路一体型の
液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
決するものであって、その目的とするところは、透明電
極がなくとも高コンラストで、工程が簡易で量産可能
な、且つ、開口率が大きく明るい周辺駆動回路一体型の
液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決し、上記
目的を達成するために本発明では以下のような手段を用
いる。
目的を達成するために本発明では以下のような手段を用
いる。
【００１０】本発明の第１は図１にその具体的な構成の
一例を示すように少なくとも一方が透明な一対の基板
と、前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、一方の基
板上には、複数の画素がマトリクス状に配置され、画素
電極１０８とコモン電極１１０、１１１は同じ層内に存
在し、前記コモン電極とコモン線１０３、１０４は、絶
縁層をはさみ、互いに違う層に存在し、コンタクトによ
り接続され、前記画素電極と前記コモン電極との間に、
基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子の配向状態
を制御して、光を変調し得る構造を備えていることを特
徴とする液晶表示装置である。
一例を示すように少なくとも一方が透明な一対の基板
と、前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、一方の基
板上には、複数の画素がマトリクス状に配置され、画素
電極１０８とコモン電極１１０、１１１は同じ層内に存
在し、前記コモン電極とコモン線１０３、１０４は、絶
縁層をはさみ、互いに違う層に存在し、コンタクトによ
り接続され、前記画素電極と前記コモン電極との間に、
基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子の配向状態
を制御して、光を変調し得る構造を備えていることを特
徴とする液晶表示装置である。
【００１１】上記構成において、各々の画素に薄膜トラ
ンジスタを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置
であって、前記薄膜トランジスタは、画素電極１０８
と、走査線に接続されたゲイト線１０２、１０５と、信
号線に接続されたソ─ス線１０６、１０７を有すること
を特徴とする液晶表示装置である。
ンジスタを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置
であって、前記薄膜トランジスタは、画素電極１０８
と、走査線に接続されたゲイト線１０２、１０５と、信
号線に接続されたソ─ス線１０６、１０７を有すること
を特徴とする液晶表示装置である。
【００１２】上記構成において、パッシブ駆動するパッ
シブマトリクス型液晶表示装置である。
シブマトリクス型液晶表示装置である。
【００１３】上記構成におけるコモン電極１１０、１１
１と画素電極１０８は、平行であり、図２に示すように
同じ層内にあり、且つ同一材料、同一工程で作られるこ
とを特徴とする液晶表示装置である。
１と画素電極１０８は、平行であり、図２に示すように
同じ層内にあり、且つ同一材料、同一工程で作られるこ
とを特徴とする液晶表示装置である。
【００１４】上記のコモン電極と画素電極は、アルミニ
ウムまたはアルミニウムを主成分とする金属、または、
Ｓｉもしくは、Ｔｉとアルミニウムとの積層から成るこ
とを特徴とする液晶表示装置である。
ウムまたはアルミニウムを主成分とする金属、または、
Ｓｉもしくは、Ｔｉとアルミニウムとの積層から成るこ
とを特徴とする液晶表示装置である。
【００１５】また、上記のコモン線１０３、１０４とゲ
イト線１０２、１０５は、図２に示すように同じ層内
で、且つ同一材料、同一工程で作られることを特徴とす
る液晶表示装置である。
イト線１０２、１０５は、図２に示すように同じ層内
で、且つ同一材料、同一工程で作られることを特徴とす
る液晶表示装置である。
【００１６】本願発明の第２は、図３にその具体的な構
成の一例を示すように、少なくとも一方が透明な一対の
基板と、前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、一方
の基板上には、複数の画素がマトリクス状に配置され、
前記画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１は同じ
層内に存在し、前記コモン電極とコモン線は、絶縁層を
はさみ、互いに違う層に存在し、コンタクトにより接続
され、その上に、平坦化膜２３０を有し、前記画素電極
と前記コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を
印加し、液晶分子の配向状態を制御して、光を変調し得
る構造を備えていることを特徴とする液晶表示装置であ
る。
成の一例を示すように、少なくとも一方が透明な一対の
基板と、前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、一方
の基板上には、複数の画素がマトリクス状に配置され、
前記画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１は同じ
層内に存在し、前記コモン電極とコモン線は、絶縁層を
はさみ、互いに違う層に存在し、コンタクトにより接続
され、その上に、平坦化膜２３０を有し、前記画素電極
と前記コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を
印加し、液晶分子の配向状態を制御して、光を変調し得
る構造を備えていることを特徴とする液晶表示装置であ
る。
【００１７】上記構成におけるコモン電極及び画素電極
上の平坦化膜２３０は、ポリイミド等からなる有機物、
窒化珪素または酸化珪素等からなる無機物を用いた膜、
もしくはそれらの積層膜を用いる液晶表示装置である。
上の平坦化膜２３０は、ポリイミド等からなる有機物、
窒化珪素または酸化珪素等からなる無機物を用いた膜、
もしくはそれらの積層膜を用いる液晶表示装置である。
【００１８】また、本発明において図１に具体的な構成
を示すように、少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、一方の基板上
には、複数の画素がマトリクス状に形成され、一画素内
で、１つの前記画素電極１０８が、一対のコモン電極１
１０、１１１に挟まれて形成され、前記画素電極と前記
コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を印加
し、液晶分子の配向状態を制御して、光を変調し得る構
造を備えていることを特徴とする液晶表示装置である。
を示すように、少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、一方の基板上
には、複数の画素がマトリクス状に形成され、一画素内
で、１つの前記画素電極１０８が、一対のコモン電極１
１０、１１１に挟まれて形成され、前記画素電極と前記
コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を印加
し、液晶分子の配向状態を制御して、光を変調し得る構
造を備えていることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１９】本発明の第３は、図４〜８にその具体的な
構成の一例を示すように、絶縁表面２０１を有する基板
上に結晶性半導体層１０１を形成する工程と、前記結晶
性半導体層上にゲイト絶縁膜２０５を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜２１０を形成する工
程と、前記第１の導電膜をゲイト線１０２、１０５と、
コモン線１０３、１０４に形成する工程と、前記結晶性
半導体層にド─ピングを行う工程と、全面に第１の層間
膜２０６を形成する工程と、コンタクトホ─ルを形成す
る工程と、前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成す
る工程と、前記第２の導電膜を画素電極１０８と、コモ
ン電極１１０、１１１と、ソ─ス線１０６、１０７に形
成する工程と、を有する液晶表示装置の作製を特徴とし
ている。
構成の一例を示すように、絶縁表面２０１を有する基板
上に結晶性半導体層１０１を形成する工程と、前記結晶
性半導体層上にゲイト絶縁膜２０５を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜２１０を形成する工
程と、前記第１の導電膜をゲイト線１０２、１０５と、
コモン線１０３、１０４に形成する工程と、前記結晶性
半導体層にド─ピングを行う工程と、全面に第１の層間
膜２０６を形成する工程と、コンタクトホ─ルを形成す
る工程と、前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成す
る工程と、前記第２の導電膜を画素電極１０８と、コモ
ン電極１１０、１１１と、ソ─ス線１０６、１０７に形
成する工程と、を有する液晶表示装置の作製を特徴とし
ている。
【００２０】ここでいう結晶性半導体層とは、単結晶シ
リコン膜や、アモルファスと結晶が混在している多結晶
シリコン膜や、結晶構造と認められるものが、わずかに
含まれたアモルファス主体の多結晶シリコン膜等のよう
な少なくとも結晶性を有するシリコン膜を指している。
リコン膜や、アモルファスと結晶が混在している多結晶
シリコン膜や、結晶構造と認められるものが、わずかに
含まれたアモルファス主体の多結晶シリコン膜等のよう
な少なくとも結晶性を有するシリコン膜を指している。
【００２１】図３で示した構成を得るために、絶縁表面
２０１を有する基板上に結晶性半導体層１０１を形成す
る工程と、前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜２０５
を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜
２１０を形成する工程と、前記第１の導電膜をゲイト線
１０５と、コモン線１０３、１０４に形成する工程と、
前記結晶性半導体層にド─ピングを行う工程と、全面に
第１の層間膜２０６を形成する工程と、コンタクトホ─
ルを形成する工程と、前記第１の層間膜上に第２の導電
膜を形成する工程と、前記第２の導電膜を画素電極１０
８と、コモン電極１１０、１１１と、ソ─ス線１０６、
１０７に形成する工程と、前記画素電極と前記コモン電
極と前記ソ─ス線及び基板全面上に、平坦化膜２３０を
形成する工程と、を有する液晶表示装置の作製を特徴と
している。
２０１を有する基板上に結晶性半導体層１０１を形成す
る工程と、前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜２０５
を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜
２１０を形成する工程と、前記第１の導電膜をゲイト線
１０５と、コモン線１０３、１０４に形成する工程と、
前記結晶性半導体層にド─ピングを行う工程と、全面に
第１の層間膜２０６を形成する工程と、コンタクトホ─
ルを形成する工程と、前記第１の層間膜上に第２の導電
膜を形成する工程と、前記第２の導電膜を画素電極１０
８と、コモン電極１１０、１１１と、ソ─ス線１０６、
１０７に形成する工程と、前記画素電極と前記コモン電
極と前記ソ─ス線及び基板全面上に、平坦化膜２３０を
形成する工程と、を有する液晶表示装置の作製を特徴と
している。
【００２２】絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体層
を形成する工程と、前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁
膜を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電
膜を形成する工程と、前記第１の導電膜をゲイト線と、
コモン線に形成する工程と、前記結晶性半導体層にド─
ピングを行う工程と、全面に第１の層間膜を形成する工
程と、コンタクトホ─ルを形成する工程と、前記第１の
層間膜上に第２の導電膜を形成する工程と、前記第２の
導電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス線に形成す
る工程と、を有し、且つ、５枚以下のマスクにより作製
される液晶表示装置の作製を特徴としている。
を形成する工程と、前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁
膜を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電
膜を形成する工程と、前記第１の導電膜をゲイト線と、
コモン線に形成する工程と、前記結晶性半導体層にド─
ピングを行う工程と、全面に第１の層間膜を形成する工
程と、コンタクトホ─ルを形成する工程と、前記第１の
層間膜上に第２の導電膜を形成する工程と、前記第２の
導電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス線に形成す
る工程と、を有し、且つ、５枚以下のマスクにより作製
される液晶表示装置の作製を特徴としている。
【００２３】上記構成におけるコモン電極上の平坦化膜
２３０は、ポリイミド等からなる有機物、または窒化珪
素からなる無機物を用いた膜、もしくはそれらの積層膜
を用いる液晶表示装置の作製を特徴としている。
２３０は、ポリイミド等からなる有機物、または窒化珪
素からなる無機物を用いた膜、もしくはそれらの積層膜
を用いる液晶表示装置の作製を特徴としている。
【００２４】絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体層
を形成する工程と、前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁
膜を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電
膜を形成する工程と、前記第１の導電膜をゲイト線と、
コモン線に形成する工程と、前記第１の導電膜を酸化さ
せる工程と、前記結晶性半導体層に第１次不純物ド─ピ
ングを行う工程と、導電酸化膜を除去する工程と、前記
導電酸化膜を除去する工程の後に、第１次不純物ド─ピ
ングよりも低濃度の第２次不純物ド─ピングを行う工程
と、全面に第１の層間膜を形成する工程と、コンタクト
ホ─ルを形成する工程と、前記第１の層間膜上に第２の
導電膜を形成する工程と、前記第２の導電膜を画素電極
と、コモン電極と、ソ─ス線に形成する工程と、を有
し、且つ、５枚以下のマスクにより作製される液晶表示
装置の作製を特徴としている。
を形成する工程と、前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁
膜を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電
膜を形成する工程と、前記第１の導電膜をゲイト線と、
コモン線に形成する工程と、前記第１の導電膜を酸化さ
せる工程と、前記結晶性半導体層に第１次不純物ド─ピ
ングを行う工程と、導電酸化膜を除去する工程と、前記
導電酸化膜を除去する工程の後に、第１次不純物ド─ピ
ングよりも低濃度の第２次不純物ド─ピングを行う工程
と、全面に第１の層間膜を形成する工程と、コンタクト
ホ─ルを形成する工程と、前記第１の層間膜上に第２の
導電膜を形成する工程と、前記第２の導電膜を画素電極
と、コモン電極と、ソ─ス線に形成する工程と、を有
し、且つ、５枚以下のマスクにより作製される液晶表示
装置の作製を特徴としている。
【００２５】上記構成において、第２の導電膜を画素電
極と、コモン電極と、ソ─ス線を形成する工程後、基板
全面に平坦化膜を形成する工程と、を有し、且つ、全工
程を５枚以下のマスクで作製する液晶表示装置の作製を
特徴としている。
極と、コモン電極と、ソ─ス線を形成する工程後、基板
全面に平坦化膜を形成する工程と、を有し、且つ、全工
程を５枚以下のマスクで作製する液晶表示装置の作製を
特徴としている。
【００２６】本発明の第４は、図９にその具体的な構成
の一例を示すように、外部装置との配線接続端子９００
は、少なくとも２つ以上の配線の積み重ねで形成された
配線の積層からなることを特徴とする液晶表示装置であ
る。
の一例を示すように、外部装置との配線接続端子９００
は、少なくとも２つ以上の配線の積み重ねで形成された
配線の積層からなることを特徴とする液晶表示装置であ
る。
【００２７】図１０（ｂ）に示したように、外部装置と
の配線接続端子９００は、絶縁基板上に形成された珪素
膜１０１の上に、少なくとも２つ以上の配線の積み重ね
で形成された配線の積層からなることを特徴とする液晶
表示装置である。
の配線接続端子９００は、絶縁基板上に形成された珪素
膜１０１の上に、少なくとも２つ以上の配線の積み重ね
で形成された配線の積層からなることを特徴とする液晶
表示装置である。
【００２８】上記構成における配線の積層は、同一材料
により形成し、同一工程によって形成することを特徴と
する液晶表示装置である。
により形成し、同一工程によって形成することを特徴と
する液晶表示装置である。
【００２９】上記構成における配線接続端子９００は、
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属、
または、導電性を有する無機化合物、または、Ｓｉもし
くは、Ｔｉとアルミニウムとの積層から成ることを特徴
とする液晶表示装置である。
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属、
または、導電性を有する無機化合物、または、Ｓｉもし
くは、Ｔｉとアルミニウムとの積層から成ることを特徴
とする液晶表示装置である。
【００３０】図１０（ｂ）に示したように、絶縁表面を
有する基板２０１上に第１の導電膜２１０を形成する工
程と、前記第１の導電膜を第１配線端子２１１の形状に
する工程と、前記第１の導電膜上に第２の導電膜２２０
を形成する工程と、前記第２の導電膜を第２配線端子２
２１の形状にする工程と、基板全面に層間絶縁膜２３０
を形成する工程と、基板表面の前記層間絶縁膜を削り、
前記第２配線端子の上部表面を露出させ、外部装置との
配線接続端子９００を形成する工程と、を有する液晶表
示装置の作製を特徴としている。
有する基板２０１上に第１の導電膜２１０を形成する工
程と、前記第１の導電膜を第１配線端子２１１の形状に
する工程と、前記第１の導電膜上に第２の導電膜２２０
を形成する工程と、前記第２の導電膜を第２配線端子２
２１の形状にする工程と、基板全面に層間絶縁膜２３０
を形成する工程と、基板表面の前記層間絶縁膜を削り、
前記第２配線端子の上部表面を露出させ、外部装置との
配線接続端子９００を形成する工程と、を有する液晶表
示装置の作製を特徴としている。
【００３１】絶縁表面を有する基板２０１上に半導体層
１０１を形成する工程と、前記半導体層上に第１の導電
膜２１０を形成する工程と、前記第１の導電膜を第１配
線端子２１１の形状にする工程と、前記第１の導電膜上
に第２の導電膜を形成する工程と、前記第２の導電膜を
第２配線端子２２１の形状にする工程と、基板全面に層
間絶縁膜２３０を形成する工程と、基板表面の前記層間
絶縁膜を削り、前記第２配線端子の上部表面を露出さ
せ、外部装置との配線接続端子９００を形成する工程
と、を有する液晶表示装置の作製方法。
１０１を形成する工程と、前記半導体層上に第１の導電
膜２１０を形成する工程と、前記第１の導電膜を第１配
線端子２１１の形状にする工程と、前記第１の導電膜上
に第２の導電膜を形成する工程と、前記第２の導電膜を
第２配線端子２２１の形状にする工程と、基板全面に層
間絶縁膜２３０を形成する工程と、基板表面の前記層間
絶縁膜を削り、前記第２配線端子の上部表面を露出さ
せ、外部装置との配線接続端子９００を形成する工程
と、を有する液晶表示装置の作製方法。
【００３２】本発明の第５は、図１２にその具体的な構
成の一例を示すように、少なくとも一方が透明な一対の
基板と、前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、第１
配線と第２配線は、絶縁層をはさみ、互いに違う層に存
在し、並列して隣合う前記第１配線の間に存在する領域
を遮光する前記第２配線と、並列して隣合う前記第２配
線の間に存在する領域を遮光する前記第１配線と、前記
第１配線と前記第２配線によって囲まれた画素表示領域
は、光を変調し得ることを特徴とする液晶表示装置であ
る。
成の一例を示すように、少なくとも一方が透明な一対の
基板と、前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、第１
配線と第２配線は、絶縁層をはさみ、互いに違う層に存
在し、並列して隣合う前記第１配線の間に存在する領域
を遮光する前記第２配線と、並列して隣合う前記第２配
線の間に存在する領域を遮光する前記第１配線と、前記
第１配線と前記第２配線によって囲まれた画素表示領域
は、光を変調し得ることを特徴とする液晶表示装置であ
る。
【００３３】少なくとも一方が透明な一対の基板と、前
記一対の基板間に、液晶層が挟持され、一画素内で、１
つの前記画素電極１２０８が、一対のコモン電極１２１
０、１２１１に挟まれて形成され、ソ─ス線１２０６、
１２０７と隣合う前記コモン電極との間に存在する領域
を遮光するコモン線１２０３と、ゲイト線１２０５と隣
合う前記コモン線１２０３との間に存在する領域を遮光
する画素電極１２０８と、を有することを特徴とする液
晶表示装置である。
記一対の基板間に、液晶層が挟持され、一画素内で、１
つの前記画素電極１２０８が、一対のコモン電極１２１
０、１２１１に挟まれて形成され、ソ─ス線１２０６、
１２０７と隣合う前記コモン電極との間に存在する領域
を遮光するコモン線１２０３と、ゲイト線１２０５と隣
合う前記コモン線１２０３との間に存在する領域を遮光
する画素電極１２０８と、を有することを特徴とする液
晶表示装置である。
【００３４】上記構成において第一配線であるコモン線
１２０３とゲ─ト線１２０５の両方と第二配線である画
素電極間で保持容量を形成することを特徴とする液晶表
示装置である。
１２０３とゲ─ト線１２０５の両方と第二配線である画
素電極間で保持容量を形成することを特徴とする液晶表
示装置である。
【００３５】図１６に示すように、対向基板は、一対の
基板を重ね合わせた時に生じる配線の隙間を十分に埋め
る、コモン電極１２１０よりも小さなブラックマトリッ
クス１６００を複数有することを特徴とする液晶表示装
置である。
基板を重ね合わせた時に生じる配線の隙間を十分に埋め
る、コモン電極１２１０よりも小さなブラックマトリッ
クス１６００を複数有することを特徴とする液晶表示装
置である。
【００３６】図４〜８を用いて本発明の作製工程を示
す。絶縁表面を有する基板上に、非晶質珪素薄膜１０１
を形成し〔図４（ａ）〕、それを所望の大きさにフォト
リソグラフィ─法を用いてアイランドに、パタ─ニン
グを行い〔図４（ｂ）〕、その上にゲイト絶縁膜２０５
を成膜する。〔図４（ｃ）〕 この状態での上面図を図５に示す。
す。絶縁表面を有する基板上に、非晶質珪素薄膜１０１
を形成し〔図４（ａ）〕、それを所望の大きさにフォト
リソグラフィ─法を用いてアイランドに、パタ─ニン
グを行い〔図４（ｂ）〕、その上にゲイト絶縁膜２０５
を成膜する。〔図４（ｃ）〕 この状態での上面図を図５に示す。
【００３７】前記ゲイト絶縁膜の上に、第１の導電膜２
１０を形成する。〔図６（ｄ）〕この第１の導電膜の材
料としてはＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉを使用することが可
能である。また、それらの膜を組み合わせた多層膜を形
成してもよい。
１０を形成する。〔図６（ｄ）〕この第１の導電膜の材
料としてはＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉを使用することが可
能である。また、それらの膜を組み合わせた多層膜を形
成してもよい。
【００３８】次に、フォトリソグラフィ─法を用いて、
パタ─ニングを行い、走査線と、走査線に接続された
ゲイト線１０２、１０５と、コモン線１０３、１０４を
形成する。〔図６（ｅ）〕 この状態での上面図を図７に示す。
パタ─ニングを行い、走査線と、走査線に接続された
ゲイト線１０２、１０５と、コモン線１０３、１０４を
形成する。〔図６（ｅ）〕 この状態での上面図を図７に示す。
【００３９】そして、ゲイト電極をマスクとして、ゲイ
ト絶縁膜２０５をエッチングする。
ト絶縁膜２０５をエッチングする。
【００４０】その後、Ｐイオンを公知のイオンド─プ法
によって、半導体層に注入する。引き続き、Ｎチャネル
型ＴＦＴをレジストマスクで覆い、Ｂイオンの注入を
行った後、レ─ザ─アニ─ルを行う。〔図６（ｆ）〕 この時、公知のイオンド─プ法によって、ＬＤＤ構造を
形成してもよい。かくすると、トランジスタの特性をよ
り安定なものとすることができる。
によって、半導体層に注入する。引き続き、Ｎチャネル
型ＴＦＴをレジストマスクで覆い、Ｂイオンの注入を
行った後、レ─ザ─アニ─ルを行う。〔図６（ｆ）〕 この時、公知のイオンド─プ法によって、ＬＤＤ構造を
形成してもよい。かくすると、トランジスタの特性をよ
り安定なものとすることができる。
【００４１】次に、第１の層間絶縁膜２０６を形成す
る。〔図８（ｇ）〕この層間絶縁膜は、コモン線とコモ
ン電極とを分離し、コンタクトのみで接続させる。こう
することで、櫛歯電極で生じていた電界の乱れを防ぐ。
図１７で示した従来の櫛歯電極では、液晶層に電界をか
けた時、直接関係のない余計な配線（例えば櫛歯の歯で
ない箇所のコモン線やソ─ス線）による電界の乱れが生
じていた。さらに、その上にポリイミド膜等の平坦化膜
を形成すると、後の工程で形成される画素電極の端部と
コモン電極の端部を基板から同じ距離位置にすることが
できる。
る。〔図８（ｇ）〕この層間絶縁膜は、コモン線とコモ
ン電極とを分離し、コンタクトのみで接続させる。こう
することで、櫛歯電極で生じていた電界の乱れを防ぐ。
図１７で示した従来の櫛歯電極では、液晶層に電界をか
けた時、直接関係のない余計な配線（例えば櫛歯の歯で
ない箇所のコモン線やソ─ス線）による電界の乱れが生
じていた。さらに、その上にポリイミド膜等の平坦化膜
を形成すると、後の工程で形成される画素電極の端部と
コモン電極の端部を基板から同じ距離位置にすることが
できる。
【００４２】また、各層間絶縁膜としては、ポリイミド
等からなる有機物、または窒化珪素からなる無機物を用
いた膜、もしくはそれらの積層膜を用いることが可能で
ある。
等からなる有機物、または窒化珪素からなる無機物を用
いた膜、もしくはそれらの積層膜を用いることが可能で
ある。
【００４３】その後、フォトリソグラフィ─法を用い
て、パタ─ニングを行い〔図８（ｈ）〕、その上に公
知のスパッタ法により第２の導電膜２２０を形成する。
そして再びフォトリソグラフィ─法を用いて、パタ─
ニングを行い、画素電極１０８、コモン電極、ソ─ス線
１０６を形成して、図８（ｉ）の状態になる。この状態
での上面図が図１である。図１は、配線が重なって見え
ない箇所が、分かるよう故意に示した図であり、また、
同一材料、同一工程で形成される箇所は、同じ斜線模様
で塗りつぶして示した図である。
て、パタ─ニングを行い〔図８（ｈ）〕、その上に公
知のスパッタ法により第２の導電膜２２０を形成する。
そして再びフォトリソグラフィ─法を用いて、パタ─
ニングを行い、画素電極１０８、コモン電極、ソ─ス線
１０６を形成して、図８（ｉ）の状態になる。この状態
での上面図が図１である。図１は、配線が重なって見え
ない箇所が、分かるよう故意に示した図であり、また、
同一材料、同一工程で形成される箇所は、同じ斜線模様
で塗りつぶして示した図である。
【００４４】こうして、ＣＭＯＳ構造を、、、
、、の５枚のマスクによって作製できた。このよう
に、層間絶縁膜または、平坦化膜との積層膜を形成し、
コモン電極の端部と画素電極の端部の基板からの距離的
位置を概略同一にすることで、コモン電極の真横に絶縁
膜を挟んで画素電極を形成する。かくすると、液晶層に
電界を真横にかけることができ、表示特性が向上する。
、、の５枚のマスクによって作製できた。このよう
に、層間絶縁膜または、平坦化膜との積層膜を形成し、
コモン電極の端部と画素電極の端部の基板からの距離的
位置を概略同一にすることで、コモン電極の真横に絶縁
膜を挟んで画素電極を形成する。かくすると、液晶層に
電界を真横にかけることができ、表示特性が向上する。
【００４５】上記作製工程と同時進行的に、図９（ａ）
で示した外部装置の配線接続端子９００を、、、
、、での５枚のマスクによって作製する。この配線
接続端子の断面図を図９（ｂ）で示す。従来、配線接続
端子を作製するためには、マスクを使用する工程を追加
しなければならなかった。
で示した外部装置の配線接続端子９００を、、、
、、での５枚のマスクによって作製する。この配線
接続端子の断面図を図９（ｂ）で示す。従来、配線接続
端子を作製するためには、マスクを使用する工程を追加
しなければならなかった。
【００４６】まず、上記作製工程と同様に、絶縁表面を
有する基板上に、結晶性半導体薄膜を形成し、それを所
望の大きさにフォトリソグラフィ─法を用いて配線接続
端子の形状をしたアイランドに、パタ─ニングを行
う。しかし、この工程は、高さを調整するだけであるの
で、配線接続端子を作製する上では、なくてもよい。
有する基板上に、結晶性半導体薄膜を形成し、それを所
望の大きさにフォトリソグラフィ─法を用いて配線接続
端子の形状をしたアイランドに、パタ─ニングを行
う。しかし、この工程は、高さを調整するだけであるの
で、配線接続端子を作製する上では、なくてもよい。
【００４７】次に、その上にゲイト絶縁膜２０５を成膜
する。
する。
【００４８】前記ゲイト絶縁膜の上に、第１の導電膜２
１０を形成する。この第１の導電膜の材料としてはＣ
ｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉを使用することが可能である。ま
た、それらの膜を組み合わせた多層膜を形成してもよ
い。
１０を形成する。この第１の導電膜の材料としてはＣ
ｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉを使用することが可能である。ま
た、それらの膜を組み合わせた多層膜を形成してもよ
い。
【００４９】次に、フォトリソグラフィ─法を用いて、
パタ─ニングを行い、第１配線端子２１１を形成す
る。
パタ─ニングを行い、第１配線端子２１１を形成す
る。
【００５０】そして、ゲイト絶縁膜２０５をエッチング
し、、第１の層間絶縁膜２０６を形成する。
し、、第１の層間絶縁膜２０６を形成する。
【００５１】その後、フォトリソグラフィ─法を用い
て、パタ─ニングを行い、第１配線端子２１１上の第
１の層間絶縁膜を除去し、その上に公知のスパッタ法に
より第２の導電膜２２０を形成する。そして再びフォト
リソグラフィ─法を用いて、パタ─ニングを行い、第
２配線端子２２１を形成する。
て、パタ─ニングを行い、第１配線端子２１１上の第
１の層間絶縁膜を除去し、その上に公知のスパッタ法に
より第２の導電膜２２０を形成する。そして再びフォト
リソグラフィ─法を用いて、パタ─ニングを行い、第
２配線端子２２１を形成する。
【００５２】その後、第２層間絶縁膜２３０を形成する
場合には、第２配線端子２２１の表面が覆われてしま
う。〔図１０（ａ）〕そこで、Ｏ2 アッシングを行い、
表面を削り取り、第２配線端子の表面及び第２配線の表
面をむき出しにする。〔図１０（ｂ）〕こうして、外部
装置の配線接続端子９００も（）、、、、、
の４〜５枚のマスクによって作製できる。
場合には、第２配線端子２２１の表面が覆われてしま
う。〔図１０（ａ）〕そこで、Ｏ2 アッシングを行い、
表面を削り取り、第２配線端子の表面及び第２配線の表
面をむき出しにする。〔図１０（ｂ）〕こうして、外部
装置の配線接続端子９００も（）、、、、、
の４〜５枚のマスクによって作製できる。
【００５３】上記作製工程により、外部装置の配線接続
端子備えた、周辺駆動回路一体型の液晶表示装置を５枚
以下のマスクで作製することが可能となった。
端子備えた、周辺駆動回路一体型の液晶表示装置を５枚
以下のマスクで作製することが可能となった。
【００５４】また、以下で示すような電極構成としても
よい。
よい。
【００５５】例えば、画素電極とコモン電極の配置は、
図１１のように、一つの画素中に複数設けられた一対の
コモン電極の間に画素電極を設けた構成としても良い。
かくすれば、より開口率が向上する。
図１１のように、一つの画素中に複数設けられた一対の
コモン電極の間に画素電極を設けた構成としても良い。
かくすれば、より開口率が向上する。
【００５６】また、図１２のような画素電極１２０８の
形状にして、コモン線１２０３とゲイト線１２０５の両
方と保持容量を形成するような構成にしてもよい。さら
に、図１４のように、コモン線１２０３を設計すると、
さらなる保持容量が形成される。図１２の電極構成での
画素部の等価回路を図１５に示す。
形状にして、コモン線１２０３とゲイト線１２０５の両
方と保持容量を形成するような構成にしてもよい。さら
に、図１４のように、コモン線１２０３を設計すると、
さらなる保持容量が形成される。図１２の電極構成での
画素部の等価回路を図１５に示す。
【００５７】そして、同時に、画素電極や、コモン線の
形状を上記のように変えることは、液晶表示装置を駆動
させて画像表示を行う際、可視光が配線と配線との隙間
を透過する光漏れを防ぐ効果を合わせもつ。
形状を上記のように変えることは、液晶表示装置を駆動
させて画像表示を行う際、可視光が配線と配線との隙間
を透過する光漏れを防ぐ効果を合わせもつ。
【００５８】このように形成されたＣＭＯＳ構造の上
に、ポリイミドよりなる配向膜を形成した。配向膜とし
てはポリイミドを公知のスピンコート法もしくはＤＩＰ
法などにより形成した。
に、ポリイミドよりなる配向膜を形成した。配向膜とし
てはポリイミドを公知のスピンコート法もしくはＤＩＰ
法などにより形成した。
【００５９】次に配向膜表面をラビングした。ラビング
方向については使用する液晶材料により異なる。誘電率
異方性が正の材料の場合、電界方向に非平行であって、
電界方向に４５゜またはそれより電界方向に近い角度を
なす方向とする。さらにまた、誘電率異方性が負の材料
の場合、電界に非垂直であって、電界に垂直な方向に４
５°またはそれより電界に垂直な方向に近い角度をなす
方向とする。また第二の基板側のラビング処理は、第一
の基板のラビング方向に平行、もしくは反平行をなすよ
うになされる。
方向については使用する液晶材料により異なる。誘電率
異方性が正の材料の場合、電界方向に非平行であって、
電界方向に４５゜またはそれより電界方向に近い角度を
なす方向とする。さらにまた、誘電率異方性が負の材料
の場合、電界に非垂直であって、電界に垂直な方向に４
５°またはそれより電界に垂直な方向に近い角度をなす
方向とする。また第二の基板側のラビング処理は、第一
の基板のラビング方向に平行、もしくは反平行をなすよ
うになされる。
【００６０】このようにして形成された基板と対向の基
板を重ね合わせて液晶パネルを形成した。前記一対の基
板は、基板間に球状スペーサーを挟むことでパネル面内
全体で均一な基板間隔となるようにした。また、前記一
対の基板を接着固定するためにエポキシ系の接着剤でシ
ールした。シールのパターンは画素領域、周辺駆動回路
領域を囲むようにした。この後所定の形状に前記一対の
基板を切断した後、基板間に液晶材料を注入した。
板を重ね合わせて液晶パネルを形成した。前記一対の基
板は、基板間に球状スペーサーを挟むことでパネル面内
全体で均一な基板間隔となるようにした。また、前記一
対の基板を接着固定するためにエポキシ系の接着剤でシ
ールした。シールのパターンは画素領域、周辺駆動回路
領域を囲むようにした。この後所定の形状に前記一対の
基板を切断した後、基板間に液晶材料を注入した。
【００６１】次に偏光板を基板の外側に二枚貼り合わせ
た。偏光板の配置ついて、一対の偏光板をその光軸が直
交するように配置し、いずれか一方の偏光板の光軸、例
えば偏光板の光軸を、ラビング方向に平行にした。
た。偏光板の配置ついて、一対の偏光板をその光軸が直
交するように配置し、いずれか一方の偏光板の光軸、例
えば偏光板の光軸を、ラビング方向に平行にした。
【００６２】このように基板を重ね合わせた時に、液晶
表示装置を駆動させて画像表示を行うに際して、可視光
を透過する必要のない配線と配線との隙間上方やトラン
ジスタ上方には遮光性を有するブラックマトリクス（Ｂ
Ｍ）を配置するのが一般的である。
表示装置を駆動させて画像表示を行うに際して、可視光
を透過する必要のない配線と配線との隙間上方やトラン
ジスタ上方には遮光性を有するブラックマトリクス（Ｂ
Ｍ）を配置するのが一般的である。
【００６３】ブラックマトリクスとしては、チタン膜、
クロム膜など遮光性を有する金属薄膜や、黒色顔料を分
散させた樹脂材料を用いることができる。
クロム膜など遮光性を有する金属薄膜や、黒色顔料を分
散させた樹脂材料を用いることができる。
【００６４】従来、ブラックマトリクス（ＢＭ）を形成
する時には、大きめの位置合わせマ─ジンをとってブラ
ックマトリクスを形成していたが、そうすることで画素
領域の開口率を下げていた。
する時には、大きめの位置合わせマ─ジンをとってブラ
ックマトリクスを形成していたが、そうすることで画素
領域の開口率を下げていた。
【００６５】しかし、本発明では、図１２のように、画
素電極や、コモン線の形状を変え、ＢＭ化して、ブラッ
クマトリックスをなるべく画素表示領域に形成しないこ
とで、開口率の向上を図った。そして、配線の形状を変
えるだけでは遮光できない領域である半導体層領域は、
遮光性を有し、ＢＭとして機能する材料で形成するか、
もしくは、この部分のみ対向基板にＢＭを形成する。こ
のブラックマトリックスは、コモン電極よりも小さいも
のでよく、画素表示領域には形成しない。また、前記遮
光できない領域は、配線に囲まれており、このブラック
マトリックスを形成しても、開口率の低下には全く関係
がない。こうすることで、大きめの位置あわせマ─ジン
をとる必要がなく、開口率の向上が図れると同時に、半
導体領域を光の劣化から保護する。
素電極や、コモン線の形状を変え、ＢＭ化して、ブラッ
クマトリックスをなるべく画素表示領域に形成しないこ
とで、開口率の向上を図った。そして、配線の形状を変
えるだけでは遮光できない領域である半導体層領域は、
遮光性を有し、ＢＭとして機能する材料で形成するか、
もしくは、この部分のみ対向基板にＢＭを形成する。こ
のブラックマトリックスは、コモン電極よりも小さいも
のでよく、画素表示領域には形成しない。また、前記遮
光できない領域は、配線に囲まれており、このブラック
マトリックスを形成しても、開口率の低下には全く関係
がない。こうすることで、大きめの位置あわせマ─ジン
をとる必要がなく、開口率の向上が図れると同時に、半
導体領域を光の劣化から保護する。
【００６６】かくすることにより、５枚のマスク工程
で、透明電極を設けなくても液晶配向制御し、光を変調
し得る液晶表示装置を得ることができた。また、ＩＰＳ
モ─ドの構造を取り入れることで、上下基板のアライメ
ントずれがなくなり、共通電極と液晶駆動電極の間の距
離精度を向上することができ、開口率が向上した。
で、透明電極を設けなくても液晶配向制御し、光を変調
し得る液晶表示装置を得ることができた。また、ＩＰＳ
モ─ドの構造を取り入れることで、上下基板のアライメ
ントずれがなくなり、共通電極と液晶駆動電極の間の距
離精度を向上することができ、開口率が向上した。
【００６７】以下に実施例を用いて、より詳細に本発明
を説明する。
を説明する。
【００６８】
〔実施例１〕図４〜８に本実施例の液晶表示装置の６０
０℃以下での作製工程を示す。
０℃以下での作製工程を示す。
【００６９】まず、絶縁表面を有する基板２０１として
コーニング社製＃１７３７を用いてその上に下地膜（図
示せず）として酸化珪素を２０００Åの厚さにスパッタ
法によって成膜する。石英基板などを用いる場合は、下
地膜を成膜しなくともよい。
コーニング社製＃１７３７を用いてその上に下地膜（図
示せず）として酸化珪素を２０００Åの厚さにスパッタ
法によって成膜する。石英基板などを用いる場合は、下
地膜を成膜しなくともよい。
【００７０】その後、酸化珪素の下地膜上に厚さ３００
Å〜１０００Å、本実施例では厚さ５００Åの非晶質珪
素膜１０１をシランのグロー放電を利用した平行平板式
のプラズマＣＶＤ法により、成膜する。減圧ＣＶＤ法を
用いる場合は、ジシランを利用して４５０℃〜６５０
℃、典型的には５４０℃にて非晶質珪素を成膜する。
〔図４（ａ）〕
Å〜１０００Å、本実施例では厚さ５００Åの非晶質珪
素膜１０１をシランのグロー放電を利用した平行平板式
のプラズマＣＶＤ法により、成膜する。減圧ＣＶＤ法を
用いる場合は、ジシランを利用して４５０℃〜６５０
℃、典型的には５４０℃にて非晶質珪素を成膜する。
〔図４（ａ）〕
【００７１】非晶質珪素膜を形成したら、レ─ザ─光の
照射または加熱処理、またはレ─ザ─光の照射と加熱処
理を組み合わせた方法により、非晶質珪素膜に結晶性を
持たせる。
照射または加熱処理、またはレ─ザ─光の照射と加熱処
理を組み合わせた方法により、非晶質珪素膜に結晶性を
持たせる。
【００７２】得られた結晶性珪素膜をフォトリソグラフ
ィ─法によって、パタ─ニングし、島状領域を形成し
た。〔図４（ｂ）〕
ィ─法によって、パタ─ニングし、島状領域を形成し
た。〔図４（ｂ）〕
【００７３】さらに、結晶性珪素膜の上に、酸化珪素
膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜及びそれらの積層膜を
プラズマＣＶＤ法によって、厚さ５００Å〜２０００
Å、本実施例では１０００Åの酸化珪素膜をゲイト絶縁
膜２０５として、全面に堆積した。プラズマＣＶＤ法と
しては、シランと酸素の混合気体をグロー放電させて成
膜している。〔図４（ｃ）〕 この状態の上面図を図５に示す。本実施例では、図５で
示したように、半導体層の形状は、折れ曲がった形をし
ている。
膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜及びそれらの積層膜を
プラズマＣＶＤ法によって、厚さ５００Å〜２０００
Å、本実施例では１０００Åの酸化珪素膜をゲイト絶縁
膜２０５として、全面に堆積した。プラズマＣＶＤ法と
しては、シランと酸素の混合気体をグロー放電させて成
膜している。〔図４（ｃ）〕 この状態の上面図を図５に示す。本実施例では、図５で
示したように、半導体層の形状は、折れ曲がった形をし
ている。
【００７４】その後、ゲイト絶縁膜上に、スパッタ法に
よって、厚さ３０００Å〜１００００Å、本実施例で
は、厚さ４０００Åのアルミニウム膜を第１の導電膜２
１０として全面に堆積した。〔図６（ｄ）〕
よって、厚さ３０００Å〜１００００Å、本実施例で
は、厚さ４０００Åのアルミニウム膜を第１の導電膜２
１０として全面に堆積した。〔図６（ｄ）〕
【００７５】このアルミニウム成膜には、シリコンやス
カンジウムなどの物質を０．１〜５重量％含有したアル
ミニウム合金ターゲットを使用する。本実施例ではスカ
ンジウムを０．２重量％含有したターゲットを用いて成
膜している。
カンジウムなどの物質を０．１〜５重量％含有したアル
ミニウム合金ターゲットを使用する。本実施例ではスカ
ンジウムを０．２重量％含有したターゲットを用いて成
膜している。
【００７６】スカンジウムを含有させるのは、後の１０
０℃以上の熱工程において、アルミニウムの異常成長に
より、ヒロックやウィスカ─と呼ばれる突起物が形成さ
れることを抑制するためである。
０℃以上の熱工程において、アルミニウムの異常成長に
より、ヒロックやウィスカ─と呼ばれる突起物が形成さ
れることを抑制するためである。
【００７７】アルミニウム以外の材料としては、Ｃｒ、
Ｔａ、Ｔｉ等の導電性を有する金属を使用することがで
きる。
Ｔａ、Ｔｉ等の導電性を有する金属を使用することがで
きる。
【００７８】次に、第１の導電膜の上に形成したレジス
トマスクを用いて、アルミニウム膜とゲイト絶縁膜を
パタ─ニングし、レジストマスクを除去することによ
り、導電膜をチャネル領域を覆う領域でゲイト線１０２
に形成する。また同時に、コモン線を形成する。〔図６
（ｅ）〕 この状態の上面図を図７に示す。
トマスクを用いて、アルミニウム膜とゲイト絶縁膜を
パタ─ニングし、レジストマスクを除去することによ
り、導電膜をチャネル領域を覆う領域でゲイト線１０２
に形成する。また同時に、コモン線を形成する。〔図６
（ｅ）〕 この状態の上面図を図７に示す。
【００７９】そして、ゲイト線１０２をマスクとして、
ゲイト絶縁膜２０５を除去する。
ゲイト絶縁膜２０５を除去する。
【００８０】その後、Ｎ型を付与する不純物としてＰ
（リン）イオンを公知のイオンド─ピングにより、全面
にド─ピングする。
（リン）イオンを公知のイオンド─ピングにより、全面
にド─ピングする。
【００８１】次に、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを
覆うレジストマスクを配置する。
覆うレジストマスクを配置する。
【００８２】その後、Ｂ（ボロン）イオンの注入を行
う。ここで、Ｂイオンを注入する前においては、Ｐイオ
ンが低濃度に注入された低濃度不純物領域である。従っ
て、Ｂイオンの注入によって容易にその導電型が反転す
る。
う。ここで、Ｂイオンを注入する前においては、Ｐイオ
ンが低濃度に注入された低濃度不純物領域である。従っ
て、Ｂイオンの注入によって容易にその導電型が反転す
る。
【００８３】そして、レジストマスクを取り除き、注入
された不純物の活性化と不純物イオンが注入された領域
のアニ─ルを行うためにレ─ザ─光の照射を行う。
された不純物の活性化と不純物イオンが注入された領域
のアニ─ルを行うためにレ─ザ─光の照射を行う。
【００８４】次に、第１の層間絶縁膜として厚さ３００
０Å〜８０００Å、本実施例ではプラズマＣＶＤ法によ
って、厚さ５０００Åの窒化珪素膜２０６を形成する。
〔図８（ｇ）〕これは、酸化珪素膜あるいは酸化珪素膜
と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。また、ポリイミ
ド等からなる有機物を用いた膜を使用してもよい。ポリ
イミド膜を用いる場合、層間膜は公知のスピンコ─ティ
ング法により、平坦化膜を形成する。このように、平坦
化することで、後の工程で形成される各々の第２金属配
線を、基板に対してより概略同じ距離的位置にすること
ができる。また、例えば、厚さ２５００Åの窒化珪素膜
形成後に、厚さ２５００Åの平坦化したポリイミド膜を
形成する多層膜としてもよい。
０Å〜８０００Å、本実施例ではプラズマＣＶＤ法によ
って、厚さ５０００Åの窒化珪素膜２０６を形成する。
〔図８（ｇ）〕これは、酸化珪素膜あるいは酸化珪素膜
と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。また、ポリイミ
ド等からなる有機物を用いた膜を使用してもよい。ポリ
イミド膜を用いる場合、層間膜は公知のスピンコ─ティ
ング法により、平坦化膜を形成する。このように、平坦
化することで、後の工程で形成される各々の第２金属配
線を、基板に対してより概略同じ距離的位置にすること
ができる。また、例えば、厚さ２５００Åの窒化珪素膜
形成後に、厚さ２５００Åの平坦化したポリイミド膜を
形成する多層膜としてもよい。
【００８５】その後、レジストマスクを層間絶縁膜上に
形成する。そして、ソ─ス領域２０２に対するコンタク
トホ─ル、ドレイン領域２０３に対するコンタクトホ─
ルの形成をエッチングにより行う。〔図８（ｈ）〕
形成する。そして、ソ─ス領域２０２に対するコンタク
トホ─ル、ドレイン領域２０３に対するコンタクトホ─
ルの形成をエッチングにより行う。〔図８（ｈ）〕
【００８６】そして、スパッタ法によって、厚さ３００
０Å〜１００００Å、本実施例では、厚さ４０００Åの
アルミニウム膜を第２の導電膜として全面に堆積した。
０Å〜１００００Å、本実施例では、厚さ４０００Åの
アルミニウム膜を第２の導電膜として全面に堆積した。
【００８７】このアルミニウム成膜は、第１の導電膜と
同様にスカンジウムを０．２重量％含有したターゲット
を用いて成膜している。
同様にスカンジウムを０．２重量％含有したターゲット
を用いて成膜している。
【００８８】アルミニウム以外の材料としては、Ｃｒ、
Ｔａ、Ｔｉ等の導電性を有する金属を使用することがで
きる。
Ｔａ、Ｔｉ等の導電性を有する金属を使用することがで
きる。
【００８９】次に、導電膜の上に形成したレジストマス
クを用いて、アルミニウム膜をパタ─ニングし、レジ
ストマスクを除去することにより、画素電極１０８、コ
モン電極、ソ─ス線１０６を形成する。〔図８（ｉ）〕 この状態の上面図を図１に示す。この時、基板から画素
電極の端部までの距離と、基板からコモン電極の端部ま
での距離は、概略一致している。この後、第２層間膜と
して、ポリイミド等からなる平坦化膜を形成してもよ
い。またこの平坦化膜は保護膜の役目も果たす。
クを用いて、アルミニウム膜をパタ─ニングし、レジ
ストマスクを除去することにより、画素電極１０８、コ
モン電極、ソ─ス線１０６を形成する。〔図８（ｉ）〕 この状態の上面図を図１に示す。この時、基板から画素
電極の端部までの距離と、基板からコモン電極の端部ま
での距離は、概略一致している。この後、第２層間膜と
して、ポリイミド等からなる平坦化膜を形成してもよ
い。またこの平坦化膜は保護膜の役目も果たす。
【００９０】次に、ポリイミドよりなる配向膜を形成し
た。配向膜としてはポリイミドを公知のスピンコート法
もしくはＤＩＰ法などにより形成した。
た。配向膜としてはポリイミドを公知のスピンコート法
もしくはＤＩＰ法などにより形成した。
【００９１】次に配向膜表面をラビングした。ラビング
方向については使用する液晶材料により異なる。誘電率
異方性が正の材料の場合、電界方向に非平行であって、
電界方向に４５゜またはそれより電界方向に近い角度を
なす方向とする。さらにまた、誘電率異方性が負の材料
の場合、電界に非垂直であって、電界に垂直な方向に４
５°またはそれより電界に垂直な方向に近い角度をなす
方向とする。
方向については使用する液晶材料により異なる。誘電率
異方性が正の材料の場合、電界方向に非平行であって、
電界方向に４５゜またはそれより電界方向に近い角度を
なす方向とする。さらにまた、誘電率異方性が負の材料
の場合、電界に非垂直であって、電界に垂直な方向に４
５°またはそれより電界に垂直な方向に近い角度をなす
方向とする。
【００９２】次に、対向基板の作製過程についての詳細
を説明する。まず、対向基板上にブラックマトリクスを
１０００〜２０００Åの厚さに形成する。
を説明する。まず、対向基板上にブラックマトリクスを
１０００〜２０００Åの厚さに形成する。
【００９３】このブラックマトリクスは、後にセル組み
した際に、画素表示部以外の金属配線の隙間にのみ配置
する。ブラックマトリクスとしては、金属薄膜や黒色顔
料を含有した樹脂材料を用いる。次に、画像をカラ─表
示する必要がある場合は、カラ─フィルタ─を公知の構
成で形成する。
した際に、画素表示部以外の金属配線の隙間にのみ配置
する。ブラックマトリクスとしては、金属薄膜や黒色顔
料を含有した樹脂材料を用いる。次に、画像をカラ─表
示する必要がある場合は、カラ─フィルタ─を公知の構
成で形成する。
【００９４】次に、ブラックマトリクス及びカラ─フィ
ルタ─を覆って透光性樹脂材料でなる平坦化膜を成膜す
る。
ルタ─を覆って透光性樹脂材料でなる平坦化膜を成膜す
る。
【００９５】この対向の基板側のラビング処理は、第１
の基板のラビング方向に平行、もしくは反平行をなすよ
うになされる。
の基板のラビング方向に平行、もしくは反平行をなすよ
うになされる。
【００９６】このようにして形成された基板と対向の基
板を重ね合わせて液晶パネルを形成した。前記一対の基
板は、基板間に球状スペーサーを挟むことでパネル面内
全体で均一な基板間隔となるようにした。また、前記一
対の基板を接着固定するためにエポキシ系の接着剤でシ
ールした。シールのパターンは画素領域、周辺駆動回路
領域を囲むようにした。この後所定の形状に前記一対の
基板を切断した後、基板間に液晶材料を注入した。
板を重ね合わせて液晶パネルを形成した。前記一対の基
板は、基板間に球状スペーサーを挟むことでパネル面内
全体で均一な基板間隔となるようにした。また、前記一
対の基板を接着固定するためにエポキシ系の接着剤でシ
ールした。シールのパターンは画素領域、周辺駆動回路
領域を囲むようにした。この後所定の形状に前記一対の
基板を切断した後、基板間に液晶材料を注入した。
【００９７】最後に偏光板を基板の外側に二枚貼り合わ
せて、液晶表示装置を完成する。
せて、液晶表示装置を完成する。
【００９８】〔実施例２〕本実施例に示す構成において
は、実施例１と比較して、電極パタ─ンが異なる。
は、実施例１と比較して、電極パタ─ンが異なる。
【００９９】まず、絶縁表面を有する基板上に下地膜
（図示せず）と非晶質珪素膜を実施例１と同様な方法に
より、成膜する。
（図示せず）と非晶質珪素膜を実施例１と同様な方法に
より、成膜する。
【０１００】非晶質珪素膜を形成したら、実施例１と同
様に、非晶質珪素膜に結晶性を持たせる。
様に、非晶質珪素膜に結晶性を持たせる。
【０１０１】得られた結晶性珪素膜を実施例１と同様な
方法で、島状領域を形成する。この結晶性珪素膜１１０
１の形状は、図１１で示した通りである。
方法で、島状領域を形成する。この結晶性珪素膜１１０
１の形状は、図１１で示した通りである。
【０１０２】さらに、結晶性珪素膜の上に、ゲ─ト絶縁
膜を実施例と同様な方法で、全面に堆積する。
膜を実施例と同様な方法で、全面に堆積する。
【０１０３】その後、ゲイト絶縁膜上に、アルミニウム
膜を実施例１と同様な方法で、第１の導電膜として全面
に堆積する。
膜を実施例１と同様な方法で、第１の導電膜として全面
に堆積する。
【０１０４】次に、第１の導電膜の上に形成したレジス
トマスクを用いて、アルミニウム膜とゲイト絶縁膜をパ
タ─ニングし、レジストマスクを除去することにより、
導電膜をチャネル領域を覆う領域でゲイト線に形成す
る。また同時に、コモン線と線幅６μｍのソ─ス線を形
成する。
トマスクを用いて、アルミニウム膜とゲイト絶縁膜をパ
タ─ニングし、レジストマスクを除去することにより、
導電膜をチャネル領域を覆う領域でゲイト線に形成す
る。また同時に、コモン線と線幅６μｍのソ─ス線を形
成する。
【０１０５】そして、ゲイト絶縁膜を除去する。
【０１０６】その後、実施例１と同様な方法で、Ｎ型を
付与する不純物としてＰ（リン）イオンを公知のイオン
ド─ピングにより、全面にド─ピングする。
付与する不純物としてＰ（リン）イオンを公知のイオン
ド─ピングにより、全面にド─ピングする。
【０１０７】次に、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを
覆うレジストマスクを配置する。
覆うレジストマスクを配置する。
【０１０８】その後、実施例１と同様な方法で、Ｂ（ボ
ロン）イオンの注入を行う。そして、レ─ザ─アニ─ル
を行う。
ロン）イオンの注入を行う。そして、レ─ザ─アニ─ル
を行う。
【０１０９】次に、実施例１と同様な方法で、層間絶縁
膜を形成する。また、この層間膜上には公知のスピンコ
─ティング法による平坦化膜を積層してもよい。
膜を形成する。また、この層間膜上には公知のスピンコ
─ティング法による平坦化膜を積層してもよい。
【０１１０】その後、レジストマスクをポリイミド膜上
に形成する。そして、ソ─ス領域に対するコンタクトホ
─ル、ドレイン領域に対するコンタクトホ─ルの形成を
エッチングにより行う。
に形成する。そして、ソ─ス領域に対するコンタクトホ
─ル、ドレイン領域に対するコンタクトホ─ルの形成を
エッチングにより行う。
【０１１１】そして、実施例１と同様な方法で、アルミ
ニウム膜を第２の導電膜として全面に堆積する。
ニウム膜を第２の導電膜として全面に堆積する。
【０１１２】次に、導電膜の上に形成したレジストマス
クを用いて、アルミニウム膜をパタ─ニングし、レジス
トマスクを除去することにより、画素電極及びコモン電
極を形成する。本実施例では、１画素中に、コモン電極
１１１０、１１１１、１１１２を３つ形成し、その隣合
うコモン電極の間に幅２μｍの画素電極１１０８、１１
０９を形成する。
クを用いて、アルミニウム膜をパタ─ニングし、レジス
トマスクを除去することにより、画素電極及びコモン電
極を形成する。本実施例では、１画素中に、コモン電極
１１１０、１１１１、１１１２を３つ形成し、その隣合
うコモン電極の間に幅２μｍの画素電極１１０８、１１
０９を形成する。
【０１１３】このように、形成された画素部を図１１に
示す。
示す。
【０１１４】以下、実施例と同様な方法で、液晶セルを
作製した。さらにこの後、実施例１と同様に一対の基板
上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
作製した。さらにこの後、実施例１と同様に一対の基板
上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
【０１１５】〔実施例３〕本実施例に示す構成において
は、図１２、図１３に示したように、実施例１と比較し
て、画素電極パタ─ンと、コモン電極パタ─ンと、ブラ
ックマトリクスを有する対向基板である点が異なる。
は、図１２、図１３に示したように、実施例１と比較し
て、画素電極パタ─ンと、コモン電極パタ─ンと、ブラ
ックマトリクスを有する対向基板である点が異なる。
【０１１６】まず、絶縁表面を有する基板上に下地膜
（図示せず）と非晶質珪素膜を実施例１と同様な方法に
より、成膜する。
（図示せず）と非晶質珪素膜を実施例１と同様な方法に
より、成膜する。
【０１１７】非晶質珪素膜を形成したら、実施例１と同
様に、非晶質珪素膜に結晶性を持たせる。
様に、非晶質珪素膜に結晶性を持たせる。
【０１１８】得られた結晶性珪素膜を実施例１と同様な
方法で、島状領域１２０１を形成する。
方法で、島状領域１２０１を形成する。
【０１１９】さらに、この結晶性珪素膜１２０１の上
に、ゲ─ト絶縁膜１３０５を実施例と同様な方法で、全
面に堆積する。
に、ゲ─ト絶縁膜１３０５を実施例と同様な方法で、全
面に堆積する。
【０１２０】その後、ゲイト絶縁膜上に、アルミニウム
膜を実施例１と同様な方法で、第１の導電膜として全面
に堆積する。
膜を実施例１と同様な方法で、第１の導電膜として全面
に堆積する。
【０１２１】次に、第１の導電膜の上に形成したレジス
トマスクを用いて、アルミニウム膜とゲイト絶縁膜をパ
タ─ニングし、レジストマスクを除去することにより、
導電膜をチャネル領域を覆う領域でゲイト線１２０２、
１２０５に形成する。また同時に、コモン線１２０３、
１２０４を形成する。この状態での上面図を図１４に示
す。図１４に示したように、コモン線１２０３の形状を
変え、ＢＭの役割も兼ねるような形にする。
トマスクを用いて、アルミニウム膜とゲイト絶縁膜をパ
タ─ニングし、レジストマスクを除去することにより、
導電膜をチャネル領域を覆う領域でゲイト線１２０２、
１２０５に形成する。また同時に、コモン線１２０３、
１２０４を形成する。この状態での上面図を図１４に示
す。図１４に示したように、コモン線１２０３の形状を
変え、ＢＭの役割も兼ねるような形にする。
【０１２２】そして、ゲイト絶縁膜を除去する。
【０１２３】その後、実施例１と同様な方法で、Ｎ型を
付与する不純物としてＰ（リン）イオンを公知のイオン
ド─ピングにより、全面にド─ピングする。
付与する不純物としてＰ（リン）イオンを公知のイオン
ド─ピングにより、全面にド─ピングする。
【０１２４】次に、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを
覆うレジストマスクを配置する。
覆うレジストマスクを配置する。
【０１２５】その後、実施例１と同様な方法で、Ｂ（ボ
ロン）イオンの注入を行う。そして、レ─ザ─アニ─ル
を行う。
ロン）イオンの注入を行う。そして、レ─ザ─アニ─ル
を行う。
【０１２６】次に、実施例１と同様な方法で、層間絶縁
膜を形成する。この層間膜上に公知のスピンコ─ティン
グ法による平坦化膜を積層してもよい。
膜を形成する。この層間膜上に公知のスピンコ─ティン
グ法による平坦化膜を積層してもよい。
【０１２７】その後、レジストマスクをポリイミド膜上
に形成する。そして、ソ─ス領域１３０２に対するコン
タクトホ─ル、ドレイン領域１３０３に対するコンタク
トホ─ルの形成をエッチングにより行う。
に形成する。そして、ソ─ス領域１３０２に対するコン
タクトホ─ル、ドレイン領域１３０３に対するコンタク
トホ─ルの形成をエッチングにより行う。
【０１２８】そして、実施例１と同様な方法で、アルミ
ニウム膜を第２の導電膜として全面に堆積する。
ニウム膜を第２の導電膜として全面に堆積する。
【０１２９】次に、導電膜の上に形成したレジストマス
クを用いて、アルミニウム膜をパタ─ニングし、レジス
トマスクを除去することにより、画素電極１２０８と、
コモン電極１２１０、１２１１と、ソ─ス線１２０６、
１２０７を形成する。
クを用いて、アルミニウム膜をパタ─ニングし、レジス
トマスクを除去することにより、画素電極１２０８と、
コモン電極１２１０、１２１１と、ソ─ス線１２０６、
１２０７を形成する。
【０１３０】この状態の上面図を図１２、断面図を図１
３に示す。この時の画素電極のパタ─ンは、図１２で示
したようにＴ字型をしており、コモン線とゲイト線の両
方と重なっており、その重なっている所で、保持容量を
形成している。本実施例の画素部の等価回路図を図１５
に示す。
３に示す。この時の画素電極のパタ─ンは、図１２で示
したようにＴ字型をしており、コモン線とゲイト線の両
方と重なっており、その重なっている所で、保持容量を
形成している。本実施例の画素部の等価回路図を図１５
に示す。
【０１３１】次に、本実施例の対向基板の作製過程につ
いての詳細を説明する。まず、対向基板上にブラックマ
トリクスを１０００〜２０００Åの厚さに形成する。ブ
ラックマトリクスに用いる材料としては、金属薄膜や黒
色顔料を含有した樹脂材料を用いる。
いての詳細を説明する。まず、対向基板上にブラックマ
トリクスを１０００〜２０００Åの厚さに形成する。ブ
ラックマトリクスに用いる材料としては、金属薄膜や黒
色顔料を含有した樹脂材料を用いる。
【０１３２】本実施例のように、配線の形状を変えても
遮光できない領域である半導体層領域だけを対向基板の
ＢＭで遮光する。（図１６） 従って、このブラックマトリックス１６００は、コモン
電極１２０８よりも小さいものでよく、画素表示領域に
は形成しない。この小さなブラックマトリックスを形成
しても、開口率の低下には全く関係がない。また、配線
の形状を変えるだけでは遮光できない領域である半導体
層領域を、遮光性を有し、ＢＭとして機能する材料で形
成してもよい。こうすることで、大きめの位置あわせマ
─ジンをとる必要がなく、開口率の向上が図れると同時
に、半導体領域を光の劣化から保護する。
遮光できない領域である半導体層領域だけを対向基板の
ＢＭで遮光する。（図１６） 従って、このブラックマトリックス１６００は、コモン
電極１２０８よりも小さいものでよく、画素表示領域に
は形成しない。この小さなブラックマトリックスを形成
しても、開口率の低下には全く関係がない。また、配線
の形状を変えるだけでは遮光できない領域である半導体
層領域を、遮光性を有し、ＢＭとして機能する材料で形
成してもよい。こうすることで、大きめの位置あわせマ
─ジンをとる必要がなく、開口率の向上が図れると同時
に、半導体領域を光の劣化から保護する。
【０１３３】以下、実施例と同様な方法で、液晶セルを
作製した。さらにこの後、実施例１と同様に一対の基板
上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
作製した。さらにこの後、実施例１と同様に一対の基板
上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
【０１３４】〔実施例４〕本実施例に示す構成において
は、図３に示したように、実施例１と比較して、画素電
極と、コモン電極を形成した後に第２層間絶縁膜を形成
する点が異なる。よって、上面図は図１と同じである。
は、図３に示したように、実施例１と比較して、画素電
極と、コモン電極を形成した後に第２層間絶縁膜を形成
する点が異なる。よって、上面図は図１と同じである。
【０１３５】また、実施例１とは、画素電極１０８と、
コモン電極１１０、１１１と、ソ─ス線１０６、１０７
を形成する工程まで全く同じである。
コモン電極１１０、１１１と、ソ─ス線１０６、１０７
を形成する工程まで全く同じである。
【０１３６】画素電極と、コモン電極と、ソ─ス線を形
成した後、第２層間絶縁膜として厚さ３０００Å〜８０
００Å、本実施例ではプラズマＣＶＤ法によって、厚さ
５０００Åの窒化珪素膜２３０を形成する。この膜は、
酸化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜で
あってもよい。また、ポリイミド等からなる有機物を用
いた膜を使用してもよい。ポリイミド膜を用いる場合、
層間膜は公知のスピンコ─ティング法により、平坦化で
きる。このように、平坦化することで、後の工程で形成
される各々の第２金属配線を、基板に対してより概略同
じ距離的位置にすることができる。また、厚さ２５００
Åの窒化珪素膜形成後に、厚さ２５００Åの平坦化した
ポリイミド膜を形成する多層膜としてもよい。この第２
層間絶縁膜はＴＦＴを保護する役目を果たす。また、こ
の膜の厚さを変えることによって、液晶層にかかる電界
の強度を調節できる。
成した後、第２層間絶縁膜として厚さ３０００Å〜８０
００Å、本実施例ではプラズマＣＶＤ法によって、厚さ
５０００Åの窒化珪素膜２３０を形成する。この膜は、
酸化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜で
あってもよい。また、ポリイミド等からなる有機物を用
いた膜を使用してもよい。ポリイミド膜を用いる場合、
層間膜は公知のスピンコ─ティング法により、平坦化で
きる。このように、平坦化することで、後の工程で形成
される各々の第２金属配線を、基板に対してより概略同
じ距離的位置にすることができる。また、厚さ２５００
Åの窒化珪素膜形成後に、厚さ２５００Åの平坦化した
ポリイミド膜を形成する多層膜としてもよい。この第２
層間絶縁膜はＴＦＴを保護する役目を果たす。また、こ
の膜の厚さを変えることによって、液晶層にかかる電界
の強度を調節できる。
【０１３７】以下、実施例１と同様な方法で、液晶セル
を作製した。さらにこの後、実施例１と同様に一対の基
板上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
を作製した。さらにこの後、実施例１と同様に一対の基
板上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
【０１３８】〔実施例４〕本実施例に示す構成において
は、実施例１と同時進行的に、図９（ａ）で示した外部
装置の配線接続端子９００を、、、、、での
５枚のマスクによって作製する。この配線接続端子の断
面図を図９（ｂ）で示す。
は、実施例１と同時進行的に、図９（ａ）で示した外部
装置の配線接続端子９００を、、、、、での
５枚のマスクによって作製する。この配線接続端子の断
面図を図９（ｂ）で示す。
【０１３９】まず、実施例１と同様に、絶縁表面を有す
る基板上に、非晶質珪素膜を形成し、それを所望の大き
さにフォトリソグラフィ─法を用いて配線接続端子の形
状をしたアイランドに、パタ─ニングを行う。しか
し、この工程は、高さを調整するだけであるので、配線
接続端子を作製する上では、なくてもよい。
る基板上に、非晶質珪素膜を形成し、それを所望の大き
さにフォトリソグラフィ─法を用いて配線接続端子の形
状をしたアイランドに、パタ─ニングを行う。しか
し、この工程は、高さを調整するだけであるので、配線
接続端子を作製する上では、なくてもよい。
【０１４０】次に、実施例１と同様に、その上にゲイト
絶縁膜２０５を成膜する。
絶縁膜２０５を成膜する。
【０１４１】前記ゲイト絶縁膜の上に、実施例１と同様
に、第１の導電膜２１０を形成する。この第１の導電膜
の材料としてはＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉを使用すること
が可能である。また、それらの膜を組み合わせた多層膜
を形成してもよい。
に、第１の導電膜２１０を形成する。この第１の導電膜
の材料としてはＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉを使用すること
が可能である。また、それらの膜を組み合わせた多層膜
を形成してもよい。
【０１４２】次に、実施例１と同様に、フォトリソグラ
フィ─法を用いて、パタ─ニングを行い、第１配線端
子２１１を形成する。
フィ─法を用いて、パタ─ニングを行い、第１配線端
子２１１を形成する。
【０１４３】そして、実施例１と同様に、ゲイト絶縁膜
２０５をエッチングし、、第１の層間絶縁膜２０６を形
成する。
２０５をエッチングし、、第１の層間絶縁膜２０６を形
成する。
【０１４４】その後、実施例１と同様に、フォトリソグ
ラフィ─法を用いて、パタ─ニングを行い、第１配線
端子２１１上の第１の層間絶縁膜を除去し、その上に公
知のスパッタ法により第２の導電膜２２０を形成する。
そして再びフォトリソグラフィ─法を用いて、パタ─
ニングを行い、第２配線端子２２１を形成する。
ラフィ─法を用いて、パタ─ニングを行い、第１配線
端子２１１上の第１の層間絶縁膜を除去し、その上に公
知のスパッタ法により第２の導電膜２２０を形成する。
そして再びフォトリソグラフィ─法を用いて、パタ─
ニングを行い、第２配線端子２２１を形成する。
【０１４５】その後、実施例４のように第２層間絶縁膜
２３０を形成する場合には、第２配線端子２２１の表面
が覆われてしまう。〔図１０（ａ）〕そこで、Ｏ2 アッ
シングを行い、表面を削り取り、第２配線端子の表面及
び第２配線の表面をむき出しにする。〔図１０（ｂ）〕
こうして、外部装置の配線接続端子９００も（）、
、、、、の４〜５枚のマスクによって作製でき
る。
２３０を形成する場合には、第２配線端子２２１の表面
が覆われてしまう。〔図１０（ａ）〕そこで、Ｏ2 アッ
シングを行い、表面を削り取り、第２配線端子の表面及
び第２配線の表面をむき出しにする。〔図１０（ｂ）〕
こうして、外部装置の配線接続端子９００も（）、
、、、、の４〜５枚のマスクによって作製でき
る。
【０１４６】上記作製工程により、外部装置の配線接続
端子を備えた、周辺駆動回路一体型の液晶表示装置を５
枚以下のマスクで作製する。。
端子を備えた、周辺駆動回路一体型の液晶表示装置を５
枚以下のマスクで作製する。。
【０１４７】〔実施例５〕本実施例の構成は下記の用件
を除けば、実施例１と同一である。
を除けば、実施例１と同一である。
【０１４８】まず、絶縁基板として、石英基板を用い
る。なお、加熱処理温度に耐える基板であれば、石英に
限定されるものではない。この石英基板上に、下地膜と
して、酸化珪素膜を３０００Åの厚さに成膜する。
る。なお、加熱処理温度に耐える基板であれば、石英に
限定されるものではない。この石英基板上に、下地膜と
して、酸化珪素膜を３０００Åの厚さに成膜する。
【０１４９】次に、非晶質珪素膜を減圧ＣＶＤ法で６０
０Åの厚さに成膜する。この非晶質珪素膜の厚さは、２
０００Å以下とすることが好ましい。
０Åの厚さに成膜する。この非晶質珪素膜の厚さは、２
０００Å以下とすることが好ましい。
【０１５０】その後、非晶質珪素膜の一部に珪素の結晶
化を助長する金属元素を選択的に導入させ、６４０℃
で、４時間の加熱処理を行い、結晶化させる。
化を助長する金属元素を選択的に導入させ、６４０℃
で、４時間の加熱処理を行い、結晶化させる。
【０１５１】結晶性珪素膜を得たら、ＨＣｌを３％含有
させた酸素雰囲気中において９５０℃の加熱処理を行う
ことにより、熱酸化膜を２００Åの厚さに成膜する。
させた酸素雰囲気中において９５０℃の加熱処理を行う
ことにより、熱酸化膜を２００Åの厚さに成膜する。
【０１５２】次に、熱酸化膜を除去する。そして、パ
タ─ニングを施し、島状領域を得た。
タ─ニングを施し、島状領域を得た。
【０１５３】以下、実施例１と同様な方法で、液晶セル
を作製した。さらにこの後、実施例１と同様に一対の基
板上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
を作製した。さらにこの後、実施例１と同様に一対の基
板上に、偏光板を貼り付け、液晶電気光学装置とした。
【０１５４】
【発明の効果】かくすることにより、５枚のマスク工程
で透明電極を設けなくても液晶配向制御し、光を変調し
得る液晶表示装置を得ることができた。また、ＩＰＳモ
─ドの構造を取り入れることで、上下基板のアライメン
トずれがなくなり、共通電極と液晶駆動電極の間の距離
精度を向上することができた。
で透明電極を設けなくても液晶配向制御し、光を変調し
得る液晶表示装置を得ることができた。また、ＩＰＳモ
─ドの構造を取り入れることで、上下基板のアライメン
トずれがなくなり、共通電極と液晶駆動電極の間の距離
精度を向上することができた。
【０１５５】従来の櫛歯電極を用いた電極配線では、液
晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多
く、且つ、複雑な形状をしており、画素表示部に接して
いる液晶層に、複雑な電界が生じ、複雑な電気力線が存
在していた。そのため、開口率が低く、複雑な電極形状
により、画素表示部における個々の液晶にかかる電界が
不均一なものとなり、表示特性が悪化していた。
晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多
く、且つ、複雑な形状をしており、画素表示部に接して
いる液晶層に、複雑な電界が生じ、複雑な電気力線が存
在していた。そのため、開口率が低く、複雑な電極形状
により、画素表示部における個々の液晶にかかる電界が
不均一なものとなり、表示特性が悪化していた。
【０１５６】しかし、本発明のようにコモン線とコモン
電極を絶縁層を挟み、互いに違う層に分離し、コンタク
トで接続させると、液晶層に最も近接している層に存在
する配線及び電極が、コモン電極と画素電極とソ─ス線
だけとなる。このコモン電極と画素電極とソ─ス線は、
単純な形状であり、同じ層内で平行に配置されている。
そのため、画素表示部に接している液晶材料に、より均
一な横電界をかけることができ、表示特性が向上した。
電極を絶縁層を挟み、互いに違う層に分離し、コンタク
トで接続させると、液晶層に最も近接している層に存在
する配線及び電極が、コモン電極と画素電極とソ─ス線
だけとなる。このコモン電極と画素電極とソ─ス線は、
単純な形状であり、同じ層内で平行に配置されている。
そのため、画素表示部に接している液晶材料に、より均
一な横電界をかけることができ、表示特性が向上した。
【０１５７】上記のように、本発明では、ゲイト線とコ
モン線を先に形成し、第１層間膜を形成してから、画素
電極とコモン電極を形成する。この第１層間膜は、画素
電極端部とコモン電極端部の各々の基板からの距離的位
置を概略一致させている。つまり、層間絶縁層上に、コ
モン電極端部の真横に画素電極端部を配置するための層
間膜である。さらに、この第１層間膜は、液晶層に電界
をかける時に余計な配線（コモン線及びソ─ス線）を分
離して、電界の乱れを防ぎ、後の工程で形成される画素
電極とコモン電極を、より基板から同じ距離位置にする
という効果がある。
モン線を先に形成し、第１層間膜を形成してから、画素
電極とコモン電極を形成する。この第１層間膜は、画素
電極端部とコモン電極端部の各々の基板からの距離的位
置を概略一致させている。つまり、層間絶縁層上に、コ
モン電極端部の真横に画素電極端部を配置するための層
間膜である。さらに、この第１層間膜は、液晶層に電界
をかける時に余計な配線（コモン線及びソ─ス線）を分
離して、電界の乱れを防ぎ、後の工程で形成される画素
電極とコモン電極を、より基板から同じ距離位置にする
という効果がある。
【０１５８】本発明では、第一層間膜を平坦化膜とし、
画素電極とコモン電極とソ─ス線を形成してもよい。こ
うすることで、後の工程で形成される画素電極とコモン
電極を、より基板から同じ距離位置にする効果を持つ。
画素電極とコモン電極とソ─ス線を形成してもよい。こ
うすることで、後の工程で形成される画素電極とコモン
電極を、より基板から同じ距離位置にする効果を持つ。
【０１５９】さらに、コモン電極と画素電極とソ─ス線
を形成後、平坦化された第２層間膜を形成してもよい。
この平坦化された第２層間膜は、保護膜を兼ねている。
を形成後、平坦化された第２層間膜を形成してもよい。
この平坦化された第２層間膜は、保護膜を兼ねている。
【０１６０】本発明は、コモン電極と画素電極とソ─ス
線は、同じ層内で平行に配置されており、且つ同一材
料、同一工程で作られる。こうすることで、電極層数が
低減され、低コスト化できる。さらに、従来の櫛歯電極
より単純な電極配線にしたため、開口率が向上した。
線は、同じ層内で平行に配置されており、且つ同一材
料、同一工程で作られる。こうすることで、電極層数が
低減され、低コスト化できる。さらに、従来の櫛歯電極
より単純な電極配線にしたため、開口率が向上した。
【０１６１】６５０℃以下で成膜する場合の本発明の電
極及び配線材料として、アルミニウムを用いれば、導電
性が高く、放熱性に優れ、発生する熱からＴＦＴ等を保
護することができる。また、低抵抗のため、ロスが少な
く、さらに各配線が互いに干渉しあうことを防ぐ。
極及び配線材料として、アルミニウムを用いれば、導電
性が高く、放熱性に優れ、発生する熱からＴＦＴ等を保
護することができる。また、低抵抗のため、ロスが少な
く、さらに各配線が互いに干渉しあうことを防ぐ。
【０１６２】また、従来、配線接続端子を作製するため
には、マスクを使用する工程を追加しなければならなか
った。しかし、上記作製工程と同時進行的に、、、
、、、のマスク工程によって作製でき、外部装置
の配線接続端子を備えた、周辺駆動回路一体型の液晶表
示装置を５枚以下のマスクで作製することができる。
には、マスクを使用する工程を追加しなければならなか
った。しかし、上記作製工程と同時進行的に、、、
、、、のマスク工程によって作製でき、外部装置
の配線接続端子を備えた、周辺駆動回路一体型の液晶表
示装置を５枚以下のマスクで作製することができる。
【０１６３】そして、従来のように対向基板に大きめの
位置合わせマ─ジンをとってブラックマトリクスを形成
すると、画素領域の開口率が下がるという問題点があっ
た。しかし、本発明では、図１２のように、画素電極
や、コモン線の形状を変え、ＢＭ化することもできる。
そして、配線の形状を変えるだけでは遮光できない半導
体層領域を半ＢＭとして使用するか、もしくは、図１６
のように、この部分のみ対向基板にコモン電極より小さ
なＢＭを形成する。こうすることで、大きめの位置あわ
せマ─ジンをとる必要がなく、開口率の向上が図れ、さ
らに、半導体領域を光による劣化から保護できる。
位置合わせマ─ジンをとってブラックマトリクスを形成
すると、画素領域の開口率が下がるという問題点があっ
た。しかし、本発明では、図１２のように、画素電極
や、コモン線の形状を変え、ＢＭ化することもできる。
そして、配線の形状を変えるだけでは遮光できない半導
体層領域を半ＢＭとして使用するか、もしくは、図１６
のように、この部分のみ対向基板にコモン電極より小さ
なＢＭを形成する。こうすることで、大きめの位置あわ
せマ─ジンをとる必要がなく、開口率の向上が図れ、さ
らに、半導体領域を光による劣化から保護できる。
【０１６４】このように本発明は、工業的価値は大きな
発明であるが、特に大面積基板上に薄膜トランジスタを
形成し、これをアクティブマトリクスやドライバ─回
路、ＣＰＵ、メモリ─に利用して、オンボ─ドの超薄型
パソコン、携帯端末とした場合には、その利用分野は限
りなく拡大し、新たな産業を形成するに十分たる資質を
有する。
発明であるが、特に大面積基板上に薄膜トランジスタを
形成し、これをアクティブマトリクスやドライバ─回
路、ＣＰＵ、メモリ─に利用して、オンボ─ドの超薄型
パソコン、携帯端末とした場合には、その利用分野は限
りなく拡大し、新たな産業を形成するに十分たる資質を
有する。
【図１】 本発明の実施例１の液晶装置における画素
部の構成を示す上面図
部の構成を示す上面図
【図２】 本発明の実施例１の画素部の構成のＡ−
Ａ’線における断面図と、Ｂ−Ｂ’線における断面図
と、Ｃ−Ｃ’線における断面図
Ａ’線における断面図と、Ｂ−Ｂ’線における断面図
と、Ｃ−Ｃ’線における断面図
【図３】 本発明の実施例４の画素部の構成のＡ−
Ａ’線における断面図と、Ｂ−Ｂ’線における断面図
と、Ｃ−Ｃ’線における断面図
Ａ’線における断面図と、Ｂ−Ｂ’線における断面図
と、Ｃ−Ｃ’線における断面図
【図４】 本発明の実施例１の作製工程の断面図
【図５】 図４（ｃ）の作製工程の上面図
【図６】 本発明の実施例１の作製工程の断面図
【図７】 図６（ｅ）の作製工程の上面図
【図８】 本発明の実施例１の作製工程の断面図
【図９】 本発明の配線接続端子の上面図とＡ−Ａ’
線における断面図
線における断面図
【図１０】 本発明の配線接続端子の作製工程の断面図
【図１１】 本発明の実施例２の液晶装置における画素
部の構成を示す上面図
部の構成を示す上面図
【図１２】 本発明の実施例３の液晶装置における画素
部の構成を示す上面図
部の構成を示す上面図
【図１３】 本発明の実施例３の画素部の構成のＡ−
Ａ’線における断面図と、Ｂ−Ｂ’線における断面図
と、Ｃ−Ｃ’線における断面図
Ａ’線における断面図と、Ｂ−Ｂ’線における断面図
と、Ｃ−Ｃ’線における断面図
【図１４】 本発明の実施例３の作製工程の上面図
【図１５】 本発明の実施例３の画素部等価回路図
【図１６】 本発明の実施例３で対向基板を貼り合わせ
た時の上面図
た時の上面図
【図１７】 従来の櫛歯型電極で構成された画素部を示
す上面図
す上面図
１０１ 非晶質半導体層 １０２ ゲイト線ｎ １０３ コモン線ｎ １０４ コモン線ｎ−１ １０５ ゲイト線ｎ＋１ １０６ ソ─ス線ｎ １０７ ソ─ス線ｎ＋１ １０８ 画素電極 １１０、１１１ コモン電極 ２０１ 絶縁基板 ２０２ ソ─ス領域 ２０３ ドレイン領域 ２０４ チャネル領域 ２０５ ゲイト絶縁膜 ２０６ 第１の層間膜 ２１０ 第１の導電膜 ２１１ 第１導電配線 ２２０ 第２の導電膜 ２２１ 第２導電配線 ２３０ 第２層間絶縁膜 ３０１ 非晶質半導体層 ３０２ ゲイト線ｎ ３０３ コモン線ｎ ３０４ コモン線ｎ−１ ３０５ ゲイト線ｎ＋１ ３０６ ソ─ス線ｎ ３０７ ソ─ス線ｎ＋１ ９００ 配線接続端子 １１０１ 非晶質半導体層 １１０２ ゲイト線ｎ １１０３ コモン線ｎ １１０４ コモン線ｎ−１ １１０５ ゲイト線ｎ＋１ １１０６ ソ─ス線ｎ １１０７ ソ─ス線ｎ＋１ １１０８ 画素電極 １１１０、１１１１、１１１２ コモン電極 １２０１ 非晶質半導体層 １２０２ ゲイト線ｎ １２０３ コモン線ｎ １２０４ コモン線ｎ−１ １２０５ ゲイト線ｎ＋１ １２０６ ソ─ス線ｎ １２０７ ソ─ス線ｎ＋１ １２０８ 画素電極 １２１０、１２１１ コモン電極 １３０１ 絶縁基板 １３０２ ソ─ス領域 １３０３ ドレイン領域 １３０４ チャネル領域 １３０５ ゲイト絶縁膜 １３０６ 第１の層間膜 １６００ ブラックマトリクス １７０１ 非晶質半導体層 １７０３ コモン線 １７０４ ゲイト線 １７０５ ゲイト線ｎ＋１ １７０６ ソ─ス線ｎ １７０７ ソ─ス線ｎ＋１ １７０８ 画素電極
フロントページの続き (72)発明者 山崎 舜平 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 桑原 秀明 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内
Claims (25)
- 【請求項１】少なくとも一方が透明な一対の基板と、 前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、 一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に配置さ
れ、 画素電極とコモン電極は同じ層内に存在し、 前記コモン電極とコモン線は、絶縁層をはさみ、互いに
違う層に存在し、コンタクトにより接続され、 前記画素電極と前記コモン電極との間に、基板面に概略
平行に電界を印加し、液晶分子の配向状態を制御して、
光を変調し得る構造を備えていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項２】請求項１において、各々の画素に薄膜トラ
ンジスタを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置
であって、前記薄膜トランジスタは、画素電極と、走査
線に接続されたゲイト線と、信号線に接続されたソ─ス
線を有する。 - 【請求項３】請求項１において、パッシブ駆動するパッ
シブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】請求項１におけるコモン電極と画素電極
は、同じ層内で平行であり、且つ同一材料、同一工程で
作られることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】請求項４におけるコモン電極と画素電極
は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金
属、または、Ｓｉもしくは、Ｔｉとアルミニウムとの積
層から成ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】請求項１におけるコモン線とゲイト線は、
同じ層内で、且つ同一材料、同一工程で作られることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】少なくとも一方が透明な一対の基板と、 前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、 一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に配置さ
れ、 前記画素電極とコモン電極は同じ層内に存在し、 前記コモン電極とコモン線は、絶縁層をはさみ、互いに
違う層に存在し、コンタクトにより接続され、 その上に、平坦化膜を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に、基板面に概略
平行に電界を印加し、液晶分子の配向状態を制御して、
光を変調し得る構造を備えていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項８】請求項７におけるコモン電極及び画素電極
上の平坦化膜は、ポリイミド等からなる有機物、窒化珪
素または酸化珪素等からなる無機物を用いた膜、もしく
はそれらの積層膜を用いる液晶表示装置。 - 【請求項９】少なくとも一方が透明な一対の基板と、 前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、 一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に形成さ
れ、 一画素内で、１つの前記画素電極が、一対のコモン電極
に挟まれて形成され、前記画素電極と前記コモン電極と
の間に、基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子の
配向状態を制御して、光を変調し得る構造を備えている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１０】絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体
層を形成する工程と、 前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜を形成する工程
と、 前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜を形成する工程と、 前記第１の導電膜をゲイト線と、コモン線に形成する工
程と、 前記結晶性半導体層にド─ピングを行う工程と、 全面に第１の層間膜を形成する工程と、 コンタクトホ─ルを形成する工程と、 前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成する工程と、 前記第２の導電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス
線に形成する工程と、を有する液晶表示装置の作製方
法。 - 【請求項１１】絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体
層を形成する工程と、 前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜を形成する工程
と、 前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜を形成する工程と、 前記第１の導電膜をゲイト線と、コモン線に形成する工
程と、 前記結晶性半導体層にド─ピングを行う工程と、 全面に第１の層間膜を形成する工程と、 コンタクトホ─ルを形成する工程と、 前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成する工程と、 前記第２の導電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス
線に形成する工程と、 前記画素電極と前記コモン電極と前記ソ─ス線及び基板
全面上に、平坦化膜を形成する工程と、を有する液晶表
示装置の作製方法。 - 【請求項１２】絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体
層を形成する工程と、 前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜を形成する工程
と、 前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜を形成する工程と、 前記第１の導電膜をゲイト線と、コモン線に形成する工
程と、 前記結晶性半導体層にド─ピングを行う工程と、 全面に第１の層間膜を形成する工程と、 コンタクトホ─ルを形成する工程と、 前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成する工程と、 前記第２の導電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス
線に形成する工程と、を有し、且つ、５枚以下のマスク
により作製される液晶表示装置の作製方法。 - 【請求項１３】請求項１１におけるコモン電極上の平坦
化膜は、ポリイミド等からなる有機物、または窒化珪素
からなる無機物を用いた膜、もしくはそれらの積層膜を
用いる液晶表示装置の作製方法。 - 【請求項１４】絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体
層を形成する工程と、 前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜を形成する工程
と、 前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜を形成する工程と、 前記第１の導電膜をゲイト線と、コモン線に形成する工
程と、 前記第１の導電膜を酸化させる工程と、 前記結晶性半導体層に第１次不純物ド─ピングを行う工
程と、 導電酸化膜を除去する工程と、 前記導電酸化膜を除去する工程の後に、第１次不純物ド
─ピングよりも低濃度の第２次不純物ド─ピングを行う
工程と、 全面に第１の層間膜を形成する工程と、 コンタクトホ─ルを形成する工程と、 前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成する工程と、 前記第２の導電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス
線に形成する工程と、を有し、且つ、５枚以下のマスク
により作製される液晶表示装置の作製方法。 - 【請求項１５】請求項１２及び１４において、第２の導
電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス線を形成する
工程後、基板全面上に平坦化膜を形成する工程と、を有
し、且つ、全工程を５枚以下のマスクで作製する液晶表
示装置の作製方法。 - 【請求項１６】外部装置との配線接続端子は、少なくと
も２つ以上の配線の積み重ねで形成された配線の積層か
らなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１７】外部装置との配線接続端子は、絶縁基板
上に形成された珪素膜の上に、少なくとも２つ以上の配
線の積み重ねで形成された配線の積層からなることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１８】請求項１６及び１７における配線の積層
は、同一材料により形成し、同一工程によって形成する
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１９】請求項１６及び１７における配線接続端
子は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする
金属、または、導電性を有する無機化合物、または、Ｓ
ｉもしくは、Ｔｉとアルミニウムとの積層から成ること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２０】絶縁表面を有する基板上に第１の導電膜
を形成する工程と、 前記第１の導電膜を第１配線端子の形状にする工程と、 前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成する工程と、 前記第２の導電膜を第２配線端子の形状にする工程と、 基板全面に層間絶縁膜を形成する工程と、 基板表面の前記層間絶縁膜を削り、前記第２配線端子の
上部表面を露出させ、外部装置との配線接続端子を形成
する工程と、を有する液晶表示装置の作製方法。 - 【請求項２１】絶縁表面を有する基板上に半導体層を形
成する工程と、 前記半導体層上に第１の導電膜を形成する工程と、 前記第１の導電膜を第１配線端子の形状にする工程と、 前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成する工程と、 前記第２の導電膜を第２配線端子の形状にする工程と、 基板全面に層間絶縁膜を形成する工程と、 基板表面の前記層間絶縁膜を削り、前記第２配線端子の
上部表面を露出させ、外部装置との配線接続端子を形成
する工程と、を有する液晶表示装置の作製方法。 - 【請求項２２】少なくとも一方が透明な一対の基板と、 前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、 第１配線と第２配線は、絶縁層をはさみ、互いに違う層
に存在し、 並列して隣合う前記第１配線の間に存在する領域を遮光
する前記第２配線と、 並列して隣合う前記第２配線の間に存在する領域を遮光
する前記第１配線と、 前記第１配線と前記第２配線によって囲まれた画素表示
領域は、光を変調し得ることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２３】少なくとも一方が透明な一対の基板と、 前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、 一画素内で、１つの前記画素電極が、一対のコモン電極
に挟まれて形成され、 ソ─ス線と隣合う前記コモン電極との間に存在する領域
を遮光するコモン線と、 ゲイト線と隣合う前記コモン線との間に存在する領域を
遮光する画素電極と、を有することを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２４】請求項２２及び請求項２３において、第
一配線であるコモン線とゲ─ト線の両方と第二配線であ
る画素電極間で保持容量を形成することを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２５】対向基板は、一対の基板を重ね合わせた
時に生じる配線の隙間を十分に埋める、コモン電極より
も小さなブラックマトリックスを複数有することを特徴
とする液晶表示装置。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP32798096A JP3788649B2 (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 液晶表示装置 |
| US08/975,402 US6762813B1 (en) | 1996-11-22 | 1997-11-20 | Electro-optical device and method of manufacturing the same |
| US10/746,502 US7333169B2 (en) | 1996-11-22 | 2003-12-29 | Electro-optical device and method of manufacturing the same |
| US11/958,774 US7868984B2 (en) | 1996-11-22 | 2007-12-18 | Electro-optical device and method of manufacturing the same |
| US12/986,281 US20110100688A1 (en) | 1996-11-22 | 2011-01-07 | Electro-Optical Device and Method of Manufacturing the Same |
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|---|---|---|---|
| JP32798096A JP3788649B2 (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 液晶表示装置 |
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| JPH10153796A5 JPH10153796A5 (ja) | 2004-11-18 |
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