JPH10154864A - ２層フレキシブル配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 下地金属層の形成に乾式めっき法を採用した
２層フレキシブル配線板の製造において、乾式めっき法
による下地金属層に生ずるピンホールに起因する配線部
欠陥がない２層フレキシブル配線板の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 絶縁体フィルムの片面または両面に下地
金属層として乾式めっき法による銅層を被着させた基板
を無機アルカリ溶液、または有機アルカリ溶液、または
両者の混合溶液で処理した後、該基板上に無電解銅めっ
き被膜を形成し、しかる後、該無電解めっき被膜上に電
気銅めっき被膜による導体層を形成させるようにして２
層フレキシブル配線板の製造を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は２層フレキシブル配
線板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】フレキシブル配線板には、絶縁体フィル
ム上に接着剤を用いて銅箔を貼り合わせ、サブトラクテ
ィブ法によって所望の配線パターンを形成した３層フレ
キシブル配線板と、該絶縁体フィルム上に接着剤を用い
ることなしに直接下地金属層を設けた基板を用いてサブ
トラクティブ法またはアディティブ法によって所望の配
線パターンを形成した２層フレキシブル配線板とに大別
される。

【０００３】そして、一般には製造方法が簡単で、低コ
ストで製造することができる３層フレキシブル配線板が
主流を占めている。しかしながら、近年の電子機器の高
密度化にともなって配線板における配線幅も狭ピッチの
ものが求められるようになってきている。しかし、３層
フレキシブル配線板の場合にはエッチングにより配線部
の形成を行うに際して、配線部の側面が過剰にエッチン
グされるいわゆるサイドエッチングを生ずるために配線
部の断面形状が裾広がりの台形になりやすい。従って配
線部間の電気的絶縁性を確保するまでエッチングを行う
と配線ピッチ幅が広くなるために配線の狭ピッチ化を行
うには限界があった。

【０００４】そして、このサイドエッチングによる配線
部の裾広がりは銅箔の厚さが厚いほど大きくなるので、
広がりを小さくして狭ピッチ化をするためには、従来一
般的に使用される３５μｍ厚さの銅箔に代えて１８μｍ
以下の薄い銅箔を使用する必要があった。しかし、この
ような薄肉の銅箔は剛性が小さいためにハンドリング性
が悪く、そのためアルミニウムキャリアなどの補強材を
貼り合わせて剛性を高くしなければならないという問題
があった。またこのようにするときは膜厚のばらつきや
ピンホールや亀裂の発生などの被膜欠陥が増加するなど
の問題もあった。

【０００５】従って、配線部のピッチを狭くするために
銅箔の厚さを薄くすればするほど配線板の製造は困難に
なり、製造コストが高くなるので３層フレキシブル配線
板の長所であるコストメリットが低くなってしまう。殊
に最近においては厚さ１０数μｍ以下、数μｍの銅箔を
使用しなくては製造できないような狭ピッチの配線部を
有する配線板への要求が強まるに至って、益々３層フレ
キシブル配線板の製造コスト高が問題になりつつある。

【０００６】そこで、接着剤を施すことなく直接絶縁体
フィルム上に銅被覆を形成することができる２層フレキ
シブル配線板が注目されるに至った。該２層フレキシブ
ル配線板は接着剤なしで直接絶縁体フィルムに乾式めっ
きまたは湿式めっきなどによって下地金属層を形成した
上に銅導体層を電気めっき法などによって形成するもの
であるから、基板自体の厚さを薄くすることができる上
に、被着させる銅導体被膜の厚さも任意の厚さに調整す
ることができる利点を有する。

【０００７】現在この種の２層フレキシブル配線板を得
るために一般的に行われている下地金属の形成法は乾式
めっき法であり、絶縁体フィルム上に銅以外の金属を下
地金属層として５０〜２００オングストローム程度の厚
さに被着させた後、更に乾式めっきによる銅被膜を形成
させることで銅被膜と絶縁体フィルム間の密着性を高め
るようにしている。しかし、通常乾式めっき法で得られ
る被膜には数十μｍ〜数百μｍの大きさのピンホールが
多数存在し、そして形成される最終的な銅被膜の厚さが
０．２〜０．５μｍ程度であるために、２層フレキシブ
ル配線板には往々にしてピンホールによる露出部分を生
ずることになる。

【０００８】従来一般に、この種の配線板においては配
線に必要な銅による導電性被膜の厚さは１５〜３５μｍ
が適当であるとされており、乾式めっき法で設けた銅層
の上に、このようなかなりの厚さの銅被膜を電気銅めっ
き法によって得ようとする場合には、電気銅めっきによ
る銅被膜は基板に対して垂直方向のみならず水平方向に
も成長するので、上記したピンホールに基づく欠陥は電
気めっき被膜中に埋まり、ピンホールの存在による配線
部の欠陥を生ずることはなかった。

【０００９】しかしながら、本発明において指向するよ
うな狭ピッチの配線部を得ようとする場合には、前述し
たように配線部形成のための銅被膜の厚さは、理想的に
は１０μｍ以下の薄い厚さとしなければならないので、
電気銅めっき法によって銅被膜を得ようとすると被膜の
水平方向への成長が不足し、上記したピンホールによる
欠陥を埋めることができず、配線部に欠陥を生ずる恐れ
が多々あった。

【００１０】これが問題となる理由を具体的に示すと、
例えばサブトラクティブ法によって配線部の形成を行う
場合には、次の工程によって行われる。 （１）下地金属層を形成した絶縁体基板上に所望の厚さ
の銅導体層を形成する、（２）該銅導体層上に、配線部
のみがマスキングされ非配線部の銅被覆が露出するよう
な所望の配線パターンを有するレジスト層を設ける、
（３）露出している銅導体層をエッチング処理により除
去する、（４）最後にレジスト層を除去する。従って、
銅導体層を極めて薄く形成する合には、もしピンホール
が配線部分にかかっているときは、配線部はピンホール
の位置で欠落して配線欠陥となるか、そうでなくても配
線部の密着不良を招く原因となる。

【００１１】上記した問題を解決する方法として、絶縁
体フィルム上に乾式めっき法でニッケルなどの下地金属
層を形成し次いで薄い銅被膜を形成した基板に、さらに
無電解めっきによる銅被覆を施してピンホールをなくす
る方法が提案されたが、この方法ではある程度ピンホー
ルをなくすことはできても、乾式めっきを２回繰り返し
て行う必要があるのでコスト的に問題があった。また、
絶縁体フィルム上に乾式めっきによってニッケル層、ク
ロム層またはクロム酸化物層を形成した後、薄い銅被膜
を形成させることなく直ちに無電解銅めっきを行う方法
も提案されているが、乾式めっきによって形成されるニ
ッケル、クロムまたはクロム酸化物は、その表面に形成
される酸化膜の存在によってその後に行われる無電解銅
めっきに必要な触媒の吸着性が弱く、基板の使用条件に
よっては下地金属層と無電解めっき被膜との密着性が低
下するという問題があり十分な解決策にはならなかっ
た。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、乾式めっき
法と無電解めっき法を併用したフレキシブル配線板の製
造における上記した問題点を解決し、絶縁体フィルム上
に乾式めっき処理によって下地金属層を形成するに際し
て生ずるピンホールに起因する配線部欠陥がなく、かつ
乾式法めっき層と無電解めっき層との密着性の優れたフ
レキシブル配線板の製造方法を提供することを目的とす
るものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、絶縁体フィルムの片面または両面に下地金
属層を形成した基板を用い、該基板上に銅の導体層を形
成した後、サブトラクティブ法またはアディティブ法に
よる配線部の形成を行うようにしたフレキシブル配線板
の製造法において、下地金属層として乾式めっき法によ
る薄膜の銅層を被着させた基板を用い、該基板面を無機
アルカリ溶液、または有機アルカリ溶液または両者の混
合溶液によって処理した後、該基板面上０．０１〜１．
０μｍの厚さの無電解銅めっき被膜を施し、しかる後該
無電解銅めっき被膜上に銅の導体層を形成させる２層フ
フレキシブル配線板の製造方法を特徴とするものであ
る。

【００１４】本発明において、絶縁体フィルムの片面ま
たは両面に下地金属層として乾式めっき法により形成す
る銅層は、０．０５〜０．５μｍであることが好まし
く、乾式めっき法としては真空蒸着法を用いることが好
ましい。また、銅による下地金属層を形成した基板を処
理するために無機アルカリ溶液を用いる場合は、０．０
５〜３．０モル／リットルの水酸化カリウム，または水
酸化ナトリウム、または両者の混合溶液であることが好
ましく、有機アルカリ溶液を用いる場合には、０．５〜
４．０モル／リットルのヒドラジン溶液および０．５〜
２モル／リットルのエチレンジアミン溶液の混合溶液で
あることが好ましく、無機アルカリと有機アルカリの混
合溶液を用いる場合には、上記と同濃度で無機アルカリ
を上記と同濃度でヒドラジンを含む混合溶液を用いるこ
とが好ましい。また、銅による下地金属層を形成した基
板に施される無電解めっき被膜の厚さは、０．０１〜
１．０μｍとすることが好ましく、さらに無電解銅めっ
き被膜上に形成する銅の導体層の厚さは３〜１８μｍで
あり、無電解の電気銅めっきによって形成することが好
ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明は、上記したように絶縁体
フィルム上に下地金属層として乾式めっき法による銅層
を形成した基板を用い、その基板上に更に無電解銅めっ
きを被着させるときは、基板の絶縁体フィルムが露出し
ているピンホールを著しく減少させることができるこ
と、かつ適切な前処理さえ可能であれば、無電解銅めっ
き処理を容易に行い得るとともに下地金属層と無電解銅
めっき被膜との密着性も良好にできることを見出してな
されたものである。

【００１６】本発明の方法を更に具体的に説明すると以
下の如くである。ポリイミドフィルム等の絶縁体フィル
ム上の片面または両面に真空蒸着法などの乾式めっき法
により下地金属層として０．０５〜０．５μｍ程度厚さ
の銅被膜を被着させたもの基板として使用する。該基板
上において乾式めっきによって生じたピンホールによる
絶縁体フィルムの露出部分を、例えば水酸化カリウム等
の無機アルカリ溶液、ヒドラジン等の有機アルカリ溶
液、またはこれらの混合溶液等によって親水化し、次い
で基板全体に無電解めっき処理のための触媒付与処理を
行って親水化された絶縁体フィルム表面と下地金属層表
面に触媒を付与する。

【００１７】しかる後無電解銅めっき法によって基板面
に無電解銅めっき被膜を形成させることで基板面全体を
良導体化させ、これによってピンホールの影響を受ける
ことなく次工程での電気銅めっき処理にて基板全面に亘
って銅を析出させることが可能となり、容易に３〜１８
μｍ程度の比較的薄肉の健全な電気銅めっき被膜を形成
させることができる。

【００１８】その後は常法に従って、該銅導体層上にフ
ォトレジスト技法等を駆使して所望の配線パターンを有
するレジスト層を形成し、これによって露出した銅導体
層から下地金属層までをエッチング処理して除去し、最
後に残留レジスト層を化学的に剥離除去することによっ
て配線部の部分的な欠落による配線欠陥がなく、また配
線間の絶縁性の確保された狭ピッチの配線部を形成した
フレキシブル配線板を得ることができる。

【００１９】本発明において、絶縁体フィルムの親水化
のために行われるアルカリ溶液処理において、無機アル
カリ溶液を用いる場合は水酸化カリウムまたは水酸化ナ
トリウムまたは両者の混合溶液であることが好ましく、
その濃度は０．０５〜３．０モル／リットルの範囲が好
ましい。また、有機アリカリ溶液を用いる場合は、ヒド
ラジンとエチレンジアミンの混合溶液が好ましく、その
濃度はヒドラジン０．５〜４モル／リットル、エチレン
ジアミン０．５〜２モル／リットルであることが好まし
い。また更に無機アルカリ溶液と有機アルカリ溶液の混
合溶液を用いる場合は、上記した濃度の水酸化カリウム
および／または水酸化ナトリウムを含み上記した濃度の
ヒドラジンを含む混合溶液を用いるのが好ましい。

【００２０】本発明において触媒として用いる金属種
は、無電解めっき液に含まれる錯体化された金属イオン
種よりも電位的に貴なものであればよく、例えば金、白
金、銀、パラジウム等が使用できる。しかし、簡便さを
考慮すれば、触媒付与剤として広く市販されているパラ
ジウム系の触媒付与剤、例えば、パラジウム−錫の酸性
溶液や、アルカリ性のパラジウム錯体溶液、あるいは錫
を含まない酸性パラジウム溶液などが適当である。触媒
の付与方法は特に限定されず、通常行われるセンシタイ
ジング・アクチベーション法やキャタリスト・アクセレ
ーター法など状況に応じて適宜選択すればよい。

【００２１】また、触媒付与処理に際しての前処理は、
特に限定はないが下地金属層と無電解めっき被膜の密着
性を高めるために脱脂等の清浄化処理を施しておくこと
が望ましい。しかしながら、この前処理によって下地金
属層が溶解するような条件で処理することは厳に避けな
ければならない。なお、本発明において基板の親水化処
理を行うための適切なアルカリ濃度や処理温度は使用ア
ルカリ溶液の種類によって変化するので、使用アルカリ
溶液の種類に応じてあらかじめ実験的に定めておく必要
がある。

【００２２】また、本発明において使用する無電解めっ
き液は、含まれる金属イオンが自己触媒性を有し、かつ
ヒドラジン、ホスフィン酸ナトリウム、ホルマリン等の
還元剤によって還元されて金属析出する還元析出型のも
のであればいずれでもよいが、本発明の趣旨からいっ
て、下地金属層において生成するピンホールにより露出
している絶縁体フィルムの導電性の不備を改修すること
が主る目的であるから、導電性が良好で比較的作業性の
よい無電解銅めっき液が最適である。この無電解銅めっ
き法で得る被膜の厚さは、基板面におけるピンホールに
よる欠陥修復が可能でかつ電気銅めっき処理を施す際
に、電気銅めっき液によって溶解されない程度の厚さで
あり、また、電気銅めっきが十分行える厚みであれば厚
い分には構わないが、無電解めっき法ではめっき速度が
遅く、生産性に欠けるので１μｍ以下、好ましくは０．
５μｍ以下とする。

【００２３】

【実施例】以下に本発明の実施例を比較例とともに掲げ
る。実施例１〜６および比較例１〜５は基板の親水化処
理に無機アルカリ溶液を使用した場合の例を、実施例７
〜９および比較例６〜１２は有機アルカリ溶液を使用し
た場合の例を、さらに実施例１０〜１６および比較例１
３〜１６は両者の混合溶液を使用した例を示す。

【００２４】実施例１ 厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社
製、製品名「カプトン２００Ｖ」）を１２ｃｍｘ１２ｃ
ｍの大きさに切り出し、その片面に真空蒸着法によって
銅薄膜を０．２５μｍの厚さに被着させて基板を作製し
た。

【００２５】次に、該基板を弱アルカリ性の脱脂剤に１
分間浸漬し、引き続き２分間水洗して表面洗浄処理を行
った。次いで２．０モル／リットルの水酸化カリウム溶
液に浸漬してピンホールによって露出しているポリイミ
ドフィルムを含む基板面を親水化し、水洗後希塩酸溶液
に浸漬して基板面を中和し、次いでキャタライジング
液、アクセレーティング液（共に奥野製薬社製）に浸漬
して基板表面に触媒を付与した。引き続き基板を表１に
示す組成の無電解銅めっき液に浸漬して表面に０．５μ
ｍの厚さに無電解銅めっき被膜を成膜した。このときの
めっき液の条件は、６０℃、ｐＨ＝１２．５であり、空
気撹拌機で液を撹拌する処理を行った。

【００２６】

【表１】 硫酸銅 ：１０ｇ／リットル ＥＤＴＡ ：３０ｇ／リットル ＨＣＨＯ（３６％溶液）：５ミリリットル／リットル ＰＥＧ１０００ ：０．５ｇ／リットル ジピリジル ：１０ｍｇ／リットル

【００２７】無電解めっき処理後、引き続いて表２に示
す組成の電気銅めっき液を用いて基板に電気めっき処理
を行い、厚さ５μｍの銅被膜を形成した。このときのめ
っき条件は、めっき液の温度は室温とし、マグネティッ
クスターラーよる撹拌を行い、通電時の電流密度を３Ａ
／ｄｍ^２とし、めっき時間を９分間とした。

【００２８】

【表２】 硫酸銅 ：８０ｇ／リットル 硫酸 ：２００ｇ／リットル 光沢剤 ：適量 塩素イオン ：５０ｍｇ／リットル

【００２９】得られた基板に対し、銅被膜側から光を当
ててピンホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２
ｃｍの領域内で光の透過は認められず、ピンホールが存
在しないことが分かった。この基板を用いて配線幅４０
μｍ、配線ピッチ８０μｍのフレキシブル配線板を常法
によるサブトラクティブ法に基づいて作製したところ、
配線部分にピンホールに起因する断線等の欠陥のない製
品が得られた。

【００３０】なお、本実施例においては、サブトラクテ
ィブ法によってポリイミドフィルムの片面に配線パター
ンを有する片面フレキシブル配線板についての作製例を
示したが、絶縁体フィルムの両面に配線部を有する両面
フレキシブル配線板、あるいはセミアディティブ法によ
り作製された片面または両面フレキシブル配線板につい
ても同様の優れた結果が得られることが確認されてい
る。

【００３１】実施例２ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために０．０５モル／リットルの濃度の
水酸化カリウム溶液を用いた以外は実施例１と同様の手
順で片面フレキシブル配線板を作製したところ、下地金
属層作製時に生じたピンホールに基づく配線部の欠陥の
ない製品が得られた。

【００３２】実施例３ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために３．０モル／リットルの濃度の水
酸化カリウム溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順
で片面フレキシブル配線板を作製したところ、下地金属
層作製時に生じたピンホールに基づく配線部の欠陥のな
い製品が得られた。

【００３３】実施例４ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために０．１モル／リットルの濃度の水
酸化ナトリウム溶液を用いた以外は実施例１と同様の手
順で片面フレキシブル配線板を作製したところ、下地金
属層作製時に生じたピンホールに基づく配線部の欠陥の
ない製品が得られた。

【００３４】実施例５ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために１．０モル／リットルの濃度の水
酸化ナトリウム溶液を用いた以外は実施例１と同様の手
順で片面フレキシブル配線板を作製したところ、真空蒸
着による下地金属層作製時に生じたピンホールに基づく
配線部の欠陥のない製品が得られた。

【００３５】実施例６ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために１．０モル／リットルの濃度の水
酸化ナトリウム溶液と水酸化カリウム溶液との混合溶液
を用いた以外は実施例１と同様の手順で片面フレキシブ
ル配線板を作製したところ、真空蒸着による下地金属層
作製時に生じたピンホールに基づく配線部の欠陥のない
製品が得られた。

【００３６】比較例１ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために０．０１モル／リットルの濃度の
水酸化カリウム溶液を用いた以外は実施例１と同様の手
順で片面に５μｍの電気銅めっき被膜を有する基板を作
製した。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピン
ホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領
域内全域で光の透過が認められ、ピンホールの存在が確
認された。そしてピンホールの大きさは数十μｍから数
百μｍでその数は真空蒸着による下地金属作製時に生じ
たピンホールの数とほぼ同等であった。この基板を用い
て実施例１と同様の手順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ
８０μｍの片面フレキシブル配線板を常法によるサブト
ラクティブ法に基づいて作製したところ、配線部分にピ
ンホールに起因する欠落や断線等の欠陥が多数確認さ
れ、得られた製品は不良品であることが分かった。

【００３７】比較例２ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために４．０モル／リットルの濃度の水
酸化カリウム溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順
で片面に５μｍ電気銅めっき被膜を有する基板を作製し
た。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピンホー
ルの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領域内
全域で光の透過が認められ、数十μｍから数百μｍの大
きさのピンホールの存在が確認された。その上、筋状の
裂け目の存在も確認され、しかもピンホールの数は真空
蒸着による下地金属作製時に生じたピンホールの数より
も多かった。更にこの基板を用いて実施例１と同様の手
順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍの片面フレキ
シブル配線板を常法によるサブトラクティブ法に基づい
て作製したところ、配線部分にピンホールに起因する欠
落や断線等の欠陥が多数確認され、得られた製品は不良
品であることが分かった。

【００３８】比較例３ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために４．０モル／リットルの濃度の水
酸化ナトリウム溶液を用いた以外は実施例１と同様の手
順で片面に５μｍ電気銅めっき被膜を有する基板を作製
した。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピンホ
ールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領域
内全域で光の透過が認められ、数十μｍから数百μｍの
大きさのピンホールの存在が確認された。しかもピンホ
ールの数は真空蒸着による下地金属作製時に生じたピン
ホールの数よりも多かった。この基板を用いて実施例１
と同様の手順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍの
フレキシブル配線板を常法によるサブトラクティブ法に
基づいて作製したところ、配線部分にピンホールに起因
する欠落や断線等の欠陥が多数確認され、得られた製品
は不良品であることが分かった。

【００３９】比較例４ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために１．０モル／リットルの濃度の水
酸化カリウム溶液を用いたことおよび以後の無電解銅め
っき被膜形成工程を省略したこと以外は実施例１と同様
の手順で片面に５μｍ電気銅めっき被膜を有する基板を
作製した。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピ
ンホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの
領域内全域で光の透過が認められ、数十μｍから数百μ
ｍの大きさのピンホールの存在が確認され、ピンホール
の数は真空蒸着による下地金属作製時に生じたピンホー
ルの数とほぼ同等であった。この基板を用いて実施例１
と同様の手順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍの
フレキシブル配線板を常法によるサブトラクティブ法に
基づいて作製したところ、配線部分にピンホールに起因
する欠落や断線等の欠陥が多数確認され、得られた製品
は不良品であることが分かった。

【００４０】比較例５ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために３．０モル／リットルの濃度の水
酸化カリウム溶液を用いたことおよび以後の無電解銅め
っき被膜形成工程を省略したこと以外は実施例１と同様
の手順で片面に５μｍ電気銅めっき被膜を有する基板を
作製した。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピ
ンホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの
領域内全域で光の透過が認められ、数十μｍから数百μ
ｍの大きさのピンホールの存在が確認され、ピンホール
の数は真空蒸着による下地金属作製時に生じたピンホー
ルの数とほぼ同等であった。この基板を用いて実施例１
と同様の手順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍの
フレキシブル配線板を常法によるサブトラクティブ法に
基づいて作製したところ、配線部分にピンホールに起因
する欠落や断線等の欠陥が多数確認され、得られた製品
は不良品であることが分かった。

【００４１】実施例７ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために２．５モル／リットルの濃度のヒ
ドラジンと１．０モル／リットルのエチレンジアミンと
の混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順で片面
に５μｍの電気銅めっき被膜を有する基板を作製した。
この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピンホールの
有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領域内では
光の透過は認められず、ピンホールが存在しないことが
分かった。この基板を用いて配線幅４０μｍ、配線ピッ
チ８０μｍのフレキシブル配線板を常法によるサブトラ
クティブ法に基づいて作製したところ、配線部分にはピ
ンホールに起因する断線等の欠陥のない製品が得られ
た。

【００４２】実施例８ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために４モル／リットルの濃度のヒドラ
ジンと２モル／リットルの濃度のエチレンジアミンとの
混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順で片面フ
レキシブル配線板を作製したところ、下地金属層作製時
に生じたピンホールに基づく配線部の欠陥のない製品が
得られた。

【００４３】実施例９ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために０．５モル／リットルの濃度のヒ
ドラジンと０．５モル／リットルの濃度のエチレンジア
ミンとの混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順
で片面フレキシブル配線板を作製したところ、下地金属
層作製時に生じたピンホールに基づく配線部の欠陥のな
い製品が得られた。

【００４４】比較例６ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために０．０１モル／リットルの濃度の
ヒドラジンと０．０１モル／リットルのエチレンジアミ
ンとの混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順で
片面に５μｍの電気銅めっき被膜を有する基板を作製し
た。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピンホー
ルの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領域内
全域で光の透過が認められ、ピンホールの存在が確認さ
れた。そしてピンホールの大きさは数十μｍから数百μ
ｍでその数は真空蒸着による下地金属作製時に生じたピ
ンホールの数とほぼ同等であった。この基板を用いて実
施例１と同様の手順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０
μｍの片面フレキシブル配線板を常法によるサブトラク
ティブ法に基づいて作製したところ、配線部分にピンホ
ールに起因する欠落や断線等の欠陥が多数確認され、得
られた製品は不良品であることが分かった。

【００４５】比較例７ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために５．０モル／リットルの濃度のヒ
ドラジンと３モル／リットルの濃度のエチレンジアミン
との混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順で片
面に５μｍ電気銅めっき被膜を有する基板を作製した。
この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピンホールの
有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領域内全域
で光の透過が認められ、数十μｍから数百μｍの大きさ
のピンホールの存在が確認された。その上、筋状の裂け
目の存在も確認され、しかもピンホールの数は真空蒸着
による下地金属作製時に生じたピンホールの数よりも多
かった。更にこの基板を用いて実施例１と同様の手順で
配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍの片面フレキシブ
ル配線板を常法によるサブトラクティブ法に基づいて作
製したところ、配線部分にピンホールに起因する欠落や
断線等の欠陥が多数確認され、得られた製品は不良品で
あることが分かった。

【００４６】比較例８ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために０．３モル／リットルの濃度のヒ
ドラジンと０．３モル／リットルの濃度のエチレンジア
ミンとの混合溶液を用いたことおよび以後の無電解銅め
っき被膜形成工程を省略したこと以外は実施例１と同様
の手順で片面に５μｍ電気銅めっき被膜を有する基板を
作製した。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピ
ンホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの
領域内全域で光の透過が認められ、数十μｍから数百μ
ｍの大きさのピンホールの存在が確認され、ピンホール
の数は真空蒸着による下地金属作製時に生じたピンホー
ルの数とほぼ同等であった。この基板を用いて実施例１
と同様の手順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍの
フレキシブル配線板を常法によるサブトラクティブ法に
基づいて作製したところ、配線部分にピンホールに起因
する欠落や断線等の欠陥が多数確認され、得られた製品
は不良品であることが分かった。

【００４７】比較例９ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために４．５モル／リットルの濃度のヒ
ドラジンと２．０モル／リットルの濃度のエチレンジア
ミンとの混合溶液を用いたことおよび以後の無電解銅め
っき被膜形成工程を省略したこと以外は実施例１と同様
の手順で片面に５μｍ電気銅めっき被膜を有する基板を
作製した。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピ
ンホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの
領域内全域で光の透過が認められ、数十μｍから数百μ
ｍの大きさのピンホールの存在が確認され、ピンホール
の数は真空蒸着による下地金属作製時に生じたピンホー
ルの数とほぼ同等であった。この基板を用いて実施例１
と同様の手順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍの
フレキシブル配線板を常法によるサブトラクティブ法に
基づいて作製したところ、配線部分にピンホールに起因
する欠落や断線等の欠陥が多数確認され、得られた製品
は不良品であることが分かった。

【００４８】比較例１０ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために４．０モル／リットルの濃度のヒ
ドラジンと２．５モル／リットルの濃度のエチレンジア
ミンとの混合溶液を用いたことおよび以後の無電解銅め
っき被膜形成工程を省略したこと以外は実施例１と同様
の手順で片面に５μｍ電気銅めっき被膜を有する基板を
作製した。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピ
ンホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの
領域内全域で光の透過が認められ、数十μｍから数百μ
ｍの大きさのピンホールの存在が確認され、ピンホール
の数は真空蒸着による下地金属作製時に生じたピンホー
ルの数とほぼ同等であった。この基板を用いて実施例１
と同様の手順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍの
フレキシブル配線板を常法によるサブトラクティブ法に
基づいて作製したところ、配線部分にピンホールに起因
する欠落や断線等の欠陥が多数確認され、得られた製品
は不良品であることが分かった。

【００４９】実施例１０ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために２．０モル／リットルの濃度の水
酸化カリウムと２．０モル／リットルの濃度のヒドラジ
ンとの混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順で
片面に５μｍの電気銅めっき被膜を有する基板を作製し
た。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピンホー
ルの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領域内
では光の透過は認められず、ピンホールが存在しないこ
とが分かった。この基板を用いて配線幅４０μｍ、配線
ピッチ８０μｍのフレキシブル配線板を常法によるサブ
トラクティブ法に基づいて作製したところ、配線部分に
はピンホールに起因する断線等の欠陥のない製品が得ら
れた。

【００５０】実施例１１ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のためにに０．０５モル／リットルの濃度
の水酸化カリウムと０．５モル／リットルの濃度のヒド
ラジンとの混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手
順で片面フレキシブル配線板を作製したところ、真空蒸
着による下地金属層作製時に生じたピンホールに基づく
配線部の欠陥のない製品が得られた。

【００５１】実施例１２ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために３．０モル／リットルの濃度の水
酸化カリウムと４．０モル／リットルのとの濃度のヒド
ラジン混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順で
片面フレキシブル配線板を作製したところ、真空蒸着に
よる下地金属層作製時に生じたピンホールに基づく配線
部の欠陥のない製品が得られた。

【００５２】実施例１３ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために０．０５モル／リットルの濃度の
水酸化ナトリウムと０．５モル／リットルの濃度のヒド
ラジンとの混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手
順で片面フレキシブル配線板を作製したところ、下地金
属層作製時に生じたピンホールに基づく配線部の欠陥の
ない製品が得られた。

【００５３】実施例１４ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために３．０モル／リットルの濃度の水
酸化ナトリウムと４．０モル／リットルの濃度のヒドラ
ジンとの混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順
で片面フレキシブル配線板を作製したところ、真空蒸着
による下地金属層作製時に生じたピンホールに基づく配
線部の欠陥のない製品が得られた。

【００５４】実施例１５ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために０．０５モル／リットルの濃度の
水酸化ナトリウムと０．０５モル／リットルの水酸化カ
リウム溶液と１．０モル／リットルの濃度のヒドラジン
との混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順で片
面フレキシブル配線板を作製したところ、真空蒸着によ
る下地金属層作製時に生じたピンホールに基づく配線部
の欠陥のない製品が得られた。

【００５５】実施例１６ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために２．０モル／リットルの濃度の水
酸化ナトリウムと１．０モル／リットルの濃度のヒドラ
ジンとの混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順
で片面フレキシブル配線板を作製したところ、真空蒸着
による下地金属層作製時に生じたピンホールに基づく配
線部の欠陥のない製品が得られた。

【００５６】比較例１１ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために０．０１モル／リットルの濃度の
水酸化カリウムと０．１モル／リットルの濃度のヒドラ
ジンとの混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順
で片面に５μｍの電気銅めっき被膜を有する基板を作製
した。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピンホ
ールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領域
内全域で光の透過が認められ、ピンホールの存在が確認
された。そしてピンホールの大きさは数十μｍから数百
μｍでその数は真空蒸着による下地金属作製時に生じた
ピンホールの数とほぼ同等であった。この基板を用いて
実施例１と同様の手順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８
０μｍの片面フレキシブル配線板を常法によるサブトラ
クティブ法に基づいて作製したところ、配線部分にピン
ホールに起因する欠落や断線等の欠陥が多数確認され、
得られた製品は不良品であることが分かった。

【００５７】比較例１２ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために５．０モル／リットルの濃度の水
酸化カリウムと６．０モル／リットルの濃度のヒドラジ
ンとの混合溶液を用いた以外は実施例１と同様の手順で
片面に５μｍ電気銅めっき被膜を有する基板を作製し
た。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピンホー
ルの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領域内
全域で光の透過が認められ、数十μｍから数百μｍの大
きさのピンホールの存在が確認された。その上、筋状の
裂け目の存在も確認され、しかもピンホールの数は真空
蒸着による下地金属作製時に生じたピンホールの数より
も多かった。更にこの基板を用いて実施例１と同様の手
順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍの片面フレキ
シブル配線板を常法によるサブトラクティブ法に基づい
て作製したところ、配線部分にピンホールに起因する欠
落や断線等の欠陥が多数確認され、得られた製品は不良
品であることが分かった。

【００５８】比較例１３ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために１．０モル／リットルの濃度の水
酸化カリウムと２．０モル／リットルの濃度のヒドラジ
ンとの混合溶液を用いたことおよび以後の無電解銅めっ
き被膜形成工程を省略したこと以外は実施例１と同様の
手順で片面に５μｍ電気銅めっき被膜を有する基板を作
製した。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピン
ホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領
域内全域で光の透過が認められ、数十μｍから数百μｍ
の大きさのピンホールの存在が確認され、ピンホールの
数は真空蒸着による下地金属作製時に生じたピンホール
の数とほぼ同等であった。この基板を用いて実施例１と
同様の手順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍのフ
レキシブル配線板を常法によるサブトラクティブ法に基
づいて作製したところ、配線部分にピンホールに起因す
る欠落や断線等の欠陥が多数確認され、得られた製品は
不良品であることが分かった。

【００５９】比較例１４ 脱脂処理後の基板におけるポリイミドフィルム露出部分
の親水化処理のために３．０モル／リットルの濃度の水
酸化カリウムと４．０モル／リットルの濃度のヒドラジ
ンとの混合溶液を用いたことおよび以後の無電解銅めっ
き被膜形成工程を省略したこと以外は実施例１と同様の
手順で片面に５μｍ電気銅めっき被膜を有する基板を作
製した。この基板に対し、銅被膜側から光を当ててピン
ホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領
域内全域で光の透過が認められ、数十μｍから数百μｍ
の大きさのピンホールの存在が確認され、ピンホールの
数は真空蒸着による下地金属作製時に生じたピンホール
の数とほぼ同等であった。この基板を用いて実施例１と
同様の手順で配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍのフ
レキシブル配線板を常法によるサブトラクティブ法に基
づいて作製したところ、配線部分にピンホールに起因す
る欠落や断線等の欠陥が多数確認され、得られた製品は
不良品であることが分かった。

【００６０】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の２層フレキ
シブル配線板の製造方法によるときは、絶縁体フィルム
上に乾式めっき法によって下地金属層を形成させた場合
に生ずるピンホールに基づく絶縁体露出部分を含む基板
上に無電解めっきによる銅被膜を該露出部分を完全に覆
うように形成することができるので、基板表面は全体に
亘って完全に良導体化され、この結果、電気銅めっき法
によって３〜１８μｍというような極めて薄い銅の導体
層を形成した場合にもピンホールによる影響を受けるこ
とのない健全な基板を得ることができる。従って、この
基板を使用することによって配線部に欠陥のない信頼性
の高い２層フレキシブル配線板を効率よく得ることがで
きる。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁体フィルムの少なくとも片面に下地
   金属層を形成した基板を用い、該基板上に銅の導体層を
   形成した後、サブトラクティブ法またはアディティブ法
   による配線部の形成を行うようにした２層フレキシブル
   配線板の製造法において、下地金属層として乾式めっき
   法による薄膜の銅層を被着させた基板を用い、該基板面
   を無機アルカリ溶液または有機アルカリ溶液のうち少な
   くとも一方によって処理した後、該基板面上に０．０１
   〜１．０μｍの厚さの無電解銅めっき被膜を施し、しか
   る後該無電解銅めっき被膜上に銅の導体層を形成させる
   ことを特徴とする２層フレキシブル配線板の製造方法。
2. 【請求項２】 絶縁体フィルムの片面または両面に下地
   金属層として乾式めっき法により形成する銅層の厚さ
   は、０．０５〜０．５μｍであることを特徴とする請求
   項１記載の２層フレキシブル配線板の製造方法。
3. 【請求項３】 乾式めっき法が真空蒸着法であることを
   特徴とする請求項１記載の２層フレキシブル配線板の製
   造方法。
4. 【請求項４】 銅による下地金属層を形成した基板を処
   理するための無機アルカリ溶液は０．０５〜３．０モル
   ／リットルの水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムの
   うち少なくとも一方であることを特徴とする請求項１記
   載の２層フレキシブル配線板の製造方法。
5. 【請求項５】 銅による下地金属層を形成した基板を処
   理するための有機アルカリ溶液は０．５〜４．０モル／
   リットルのヒドラジン溶液および０．５〜２モル／リッ
   トルのエチレンジアミン溶液の混合溶液であることを特
   徴とする請求項１記載の２層フレキシブル配線板の製造
   方法。
6. 【請求項６】 銅による下地金属層を形成した基板を処
   理するための無機アルカリ溶液と有機アルカリ溶液の混
   合溶液は０．０５〜３．０モル／リットルの水酸化カリ
   ウムおよび／または水酸化ナトリウム溶液と０．５〜
   ４．０モル／リットルのヒドラジン溶液との混合溶液で
   あることを特徴とする請求項１記載の２層フレキシブル
   配線板の製造方法。
7. 【請求項７】 銅による下地金属層を形成した基板に施
   される無電解めっき被膜の厚さは、０．０１〜１．０μ
   ｍであることを特徴とする請求項１記載の２層フレキシ
   ブル配線板の製造方法。
8. 【請求項８】 無電解銅めっき被膜上に形成する銅の導
   体層の厚さが３〜１８μｍであることを特徴とする請求
   項１記載の２層フレキシブル配線板の製造方法。
9. 【請求項９】 銅の導体層の形成は電気銅めっき法によ
   って行うことを特徴とする請求項１記載の２層フレキシ
   ブル配線板の製造方法。