JPH10195668A - ２層フレキシブル基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に乾式めっき法および無電解めっき法並
びに電気銅めっき法を使用した２層フレキシブル配線板
製造において、ピンホールによる配線部欠陥がなく、下
地金属層と無電解めっき被膜との密着性の優れた健全な
２層フレキシブル基板を提供する。 【課題の解決手段】 絶縁体フィルムの片面または両面
に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地
金属層上に所望の厚さの銅導体層を形成する２層フレキ
シブル基板の製造方法において、下地金属層をニッケ
ル、銅−ニッケル合金、クロムおよびクロム酸化物から
なる群から選ばれた少なくとも１種を用いて乾式めっき
法により形成された被膜層と該被膜層上にさらに形成さ
れた乾式めっき法による銅被膜層によって形成し、次に
該下地金属層上に一次電気銅めっき被膜層を形成した
後、さらに該一次電気銅めっき被膜層上に中間金属層と
して無電解銅めっき被膜層を形成し、最後に該中間金属
層上に二次電気銅めっき被膜層を形成することにより最
終的に絶縁体フィルム上に５〜１８μｍ銅導体層を形成
することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は２層フレキシブル基
板の製造方法に関し、より具体的には、絶縁体フィルム
上に乾式めっき法、無電解銅めっき法および電気銅めっ
き法を採用して銅導体層を形成するに際し、より健全で
密着性の高い導体層を容易に形成し得るような２層フレ
キシブル基板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】フレキシブル配線板を作製するために用
いられる基板は、絶縁体フィルム上に接着剤を用いて導
体層となる銅箔を貼り合わせた３層フレキシブル基板
と、該絶縁体フィルム上に接着剤を用いることなしに乾
式めっき法または湿式めっき法により直接銅導体層を形
成した２層フレキシブル基板とに大別される。

【０００３】そして、３層フレキシブル基板を用いる場
合には、サブトラクティブ法によって基盤上に所望の配
線パターンを形成することにより３層フレキシブル配線
板を製造することができ、２層フレキシブル基板を用い
る場合には、サブトラクティブ法またはアディティブ法
によって基板上に所望の配線パターンを形成することに
より２層フレキシブル配線板を製造することができる
が、一般には製造方法が簡単で、低コストで製造するこ
とができる３層フレキシブル基板の使用が主流を占めて
いた。

【０００４】ところで、近年の電子機器の高密度化に伴
なって配線板における配線幅も狭ピッチのものが求めら
れるようになってきている。しかし、３層フレキシブル
配線板の場合には基板の絶縁体フィルム上に形成した銅
導体層をエッチングして配線部の形成を行うに際して、
配線部の側面がエッチングされる、いわゆるサイドエッ
チングを生ずるために配線部の断面形状が裾広がりの台
形になりやすく、従って配線部間の電気的絶縁性を確保
するまでエッチングを行うと配線ピッチ幅が広くなり過
ぎてしまうために、従来一般的に使用されている３５μ
ｍ厚さの銅箔を貼り合わせた基板を用いる限り配線板に
おける配線部の狭ピッチ化を行うには限界があった。

【０００５】このため、従来の３５μｍ厚銅箔張り合わ
せ基板に代えて１８μｍ厚さ以下の薄い銅箔張り合わせ
基板を使用し、サイドエッチングによる裾広がりの幅を
小さくして配線板における配線部の狭ピッチ化を図る試
みがなされた。しかし、このような薄肉の銅箔は剛性が
小さいためにハンドリング性が悪く、そのため銅箔にア
ルミニウムキャリアなどの補強材を貼り合わせて剛性を
高くした後、該銅箔と絶縁体フィルムの貼り合わせを行
い、しかる後再びアルミニウムキャリアを除去しなけれ
らないので作業性が悪いという問題があった。

【０００６】またこのような薄い銅箔では、膜厚のばら
つきやピンホールや亀裂の発生などによる被膜欠陥が増
加するなどの製造技術上の問題もあるし、さらに、銅箔
が薄くなればなるほどその製造が困難となり、製造価格
が高くなって３層フレキシブル配線板のコストメリット
が失われてしまう結果となった。殊に最近においては、
厚さ１０数μｍ以下、数μｍ程度の銅箔を使用しなくて
は製造できないような狭幅で、狭ピッチの配線部を有す
る配線板への要求が強まるに至り、３層フレキシブル基
板を用いる配線板は、上記したように技術的な問題もさ
ることながら、製造コスト上からも問題があった。

【０００７】そこで、接着剤を施すことなく直接絶縁体
フィルム上に銅被覆を形成することができる２層フレキ
シブル基板を用いた２層フレキシブル配線板が注目され
るに至った。該２層フレキシブル基板は接着剤なしで直
接絶縁体フィルム上に銅導体層を形成するものであり、
従って基板自体の厚さを薄くすることができる上に、被
着させる銅導体被膜の厚さも任意の厚さに調整すること
ができるという利点を有する。そして、このような２層
フレキシブル基板を製造する場合には、絶縁体フィルム
上に廉価に均一な厚さの銅導体層を形成するための手段
として通常は電気銅めっき法が採用されるが、そのため
には、電気銅めっき被膜を施す絶縁体フィルムの上に薄
膜の下地金属層を形成して表面全面に導電性を付与し、
その上に電気銅めっき処理を行なうのが一般的である。

【０００８】ところで、絶縁体フィルム上に薄膜の下地
金属層を得るためには、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法などの乾式めっき法を使用するのが一般的である
が、このような乾式めっき法で得られる被膜層には、通
常数十μｍ〜数百μｍの大きさのピンホールが多数発生
するので、下地金属層には往々にしてピンホールによる
絶縁体フィルム露出部分を生ずることになる。

【０００９】従来、一般にこの種のフレキシブル配線板
においては、配線に必要な銅の導電性被膜の厚さは２０
〜３５μｍが適当であるとされていたが、このようなか
なりの厚さの銅被膜を従来一般に行われているような電
気銅めっき法によって得ようとする場合には、電気銅め
っき法による銅被膜は基板に対して垂直方向のみならず
水平方向にも成長するので、上記した絶縁体フィルム面
におけるピンホールの露出にに基づく欠陥はめっき被膜
中に埋没し、ピンホールの存在による配線部の欠陥を生
ずることは少なかった。

【００１０】しかしながら、本発明において指向するよ
うな狭ピッチの配線部を持ったフレキシブル配線板を得
ようとする場合には、前述したように配線部形成のため
の銅被膜の厚さは１８μｍ以下、理想的には５μｍ程度
の極めて薄い厚さとしなければならないので、電気銅め
っき法によってこのような薄い銅被膜を得ようとすると
被膜の水平方向への成長量が不足し、上記したピンホー
ルによる欠陥を埋めることができず、配線部に欠陥を生
ずる恐れが多々あった。

【００１１】この状況を、下地金属層を形成した絶縁体
フィルム上に所望の厚さの銅導体層を形成した２層フレ
キシブル基板を用いて、例えばサブトラクティブ法によ
って２層フレキシブル配線板の製造を行う場合を例にと
って説明すると、配線部パターンの形成は次の工程で行
われる。 （１）該銅導体層上に、配線部のみがマスキングされ非
配線部の銅導体層が露出するような所望の配線部パター
ンを有するレジスト層を設ける、（２）露出している銅
導体層を化学エッチング処理により除去する、（３）最
後にレジスト層を剥離除去する。従って、銅導体層の厚
さを例えば５μｍというように極めて薄く形成した基板
を使用して、例えば配線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μ
ｍというような狭配線幅、狭配線ピッチの配線板を製造
する場合には、乾式めっき処理によって基板の下地金属
層に生じているピンホールのうち、粗大なものは大きさ
が数十μｍ乃至数百μｍのオーダーに達するために、５
μｍ程度の厚さの電気銅めっき被膜を形成したのでは、
ピンホールによる絶縁体フィルム露出部分を殆ど埋める
ことができないので、この露出部分、つまり導体層の欠
落部分が配線部にかかり、配線部は該ピンホールの位置
で欠落して配線欠陥となるか、そうでなくても配線部の
密着不良を招く原因となるのである。

【００１２】上記した問題を解決する方法として、絶縁
体フィルム上に乾式めっき法で下地金属層として形成し
た上に、さらに中間金属層として無電解めっきによる銅
被覆層を施してピンホールによる絶縁体フィルムの露出
部分を被覆する方法が提案されている。しかし、この方
法によるときは。確かにある程度ピンホールによる絶縁
体フィルムの露出部分をなくすることはできるが、一方
において、無電解銅めっき処理に用いられるめっき液や
これを行うために行われるアルカリ性の前処理液など
が、既に形成されている大小さまざまなピンホール部分
から絶縁体フィルムと下地金属層との間に浸透し、これ
が下地金属層の密着性、ひいてはその後に形成される電
気銅めっきによる導体層の密着性を阻害する原因となる
ので十分な解決策にはならなかった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、乾式めっき
法および無電解めっき法並びに電気銅めっき法を使用し
たフレキシブル配線板の製造における上記した問題点を
解決し、絶縁体フィルム上に乾式めっき処理によって下
地金属層を形成するに際して生ずるピンホールに起因す
る銅導体部の欠落がなく、かつ下地金属層と無電解めっ
き層との密着性の優れたフレキシブル配線板の製造方法
を提供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、絶縁体フィルムの片面または両面に、接着
剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層上
に所望の厚さの銅導体層を形成する２層フレキシブル基
板の製造方法において、絶縁体フィルム上に下地金属層
をニッケル、銅−ニッケル合金、クロム、クロム酸化物
からなる群から選ばれた少なくとも１種を用い乾式めっ
き法により形成された被膜層と該被膜層上にさらに形成
された乾式めっき法による銅被膜層の２層により形成
し、次に該下地金属層上に一次電気銅めっき被膜層を形
成し、次に該一次電気銅めっき被膜層上に中間金属層と
して無電解銅めっき被膜を形成し、最後に該中間金属層
上に二次電気銅めっき被膜層を形成することにより最終
的に絶縁体フィルム上に５〜１８μｍ銅導体層を形成す
る２層フレキシブル基板の製造方法を特徴とするもので
ある。

【００１５】本発明において下地金属層上に施される一
次電気銅めっき被膜層の厚さは０．３〜１０μｍ、特に
０．５〜２μｍの範囲のであることが好ましい。また、
無電解銅めっき被膜層の厚さは、０．０１〜１．０μ
ｍ、特に０．０５〜０．５μｍの範囲であることが好ま
しく、無電解銅めっき被膜層を形成するに際し、前処理
として触媒付与処理を施すことが好ましい。

【００１６】また、本発明において、絶縁体フィルム上
に乾式めっき被膜法によって直接形成される２層の下地
金属層のうち、ニッケル、銅−ニッケル合金、クロム、
クロム酸化物のうちから選ばれた少なくとも１種を乾式
めっき処理して得られた被膜層の厚さは５０〜２，００
０オングストロームであることが好ましく、その上に形
成される銅の乾式めっき被膜層の厚さは２００〜５，０
００オングストロームであることが好ましい。また該下
地金属層を形成するための乾式めっき法は、真空蒸着
法、スパッタリング法、またはイオンプレ−ティング法
のうちのいずれかを採用することが好ましい。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明は、上記したように絶縁体
フィルム上に、乾式めっき法によりニッケル、銅−ニッ
ケル合金、クロム、クロム酸化物からなる群から選ばれ
た少なくとも１種を用いて形成した被膜層と、該被膜層
上にさらに乾式めっき法により形成した銅被膜層との２
層からなる下地金属層上に、先ず所定の厚さの一次電気
銅めっき被膜層を形成した後、その上にさらに無電解銅
めっき被膜層を被着させ、最後に二次電気銅めっき被膜
層を形成することによって所望の厚さの銅導体層を形成
する２層フレキシブル基板の製造方法であり、乾式めっ
き法と無電解めっき法を併用したフレキシブル配線板の
製造を行うに際して、上記した製造方法を採用すること
により乾式めっき被膜層の形成に際して発生するピンホ
ールに基づく導体部欠陥が少なく、かつ導体層と絶縁体
フィルム間の密着性の高い２層フレキシブル基板を得る
ことに成功したものである。

【００１８】本発明において、基板上に電気銅めっき被
膜層を一次、二次に分けて形成させる理由について説明
すると次のごとくである。即ち、通常乾式めっき法によ
って絶縁体フィルム上に形成されるめっき被膜層には、
大小無数のピンホールが存在するが、そのうちの殆どは
光学顕微鏡では観察困難な１μｍ以下の微小なピンホー
ルであり、残部が数μｍ乃至数百μｍの粗大なピンホー
ルである。そして、前者の微小ピンホールは配線板を作
製する際の配線部の欠陥発生に殆ど影響しないが、後者
の粗大ピンホールは絶縁体フィルム上に顕著な大きさの
露出部を形成するために、無電解銅めっき処理によって
この露出部を被覆しなければ、その後の電気銅めっき処
理工程において形成される導体層に部分的欠落部を生
じ、配線板作製に際して配線欠陥を生ずる原因となる。

【００１９】なお、本発明者らの行った実験によれば、
配線板における配線部の欠落の許容限界の目安は、配線
幅の１／４から１／３程度であるので、例えば配線幅４
０μｍの配線板においては、基板に形成した導体層に１
０μｍの大きさを超えるピンホールよる部分欠落部が多
数存在すると、該基板により作製される配線板は不良品
となり易いことが実証されている。

【００２０】そしてまた、上記したピンホールのうち微
小ピンホールの存在も、その後に行われる無電解銅めっ
き処理に際し、無電解めっき液やその前処理液などがこ
の微小ピンホールの穴から下地金属層と絶縁体フィルム
の間に浸透し、下地金属層の密着性を阻害する原因とな
り、ひいては作製される配線板における配線部の密着強
度が通常この種の配線板において実用的基準とされる１
ｋｇｆ／ｃｍの値を下回るようになるので好ましくない
ことが分かった。そこで本発明においては、下地金属層
上に一次電解銅めっき処理を施すことによって、形成さ
れた銅めっき被膜層によって下地金属層の微小ピンホー
ルの穴を埋めてやり、次工程の無電解銅めっき工程での
無電解めっき液や前処理液の微小ピンホールから絶縁体
フィルムへの浸透を抑制し、これによって下地金属層の
絶縁体フィルムに対する密着性を確保するようにしたも
のである。

【００２１】この場合において、一次電気銅めっき被膜
層の厚みを０．３〜１０μｍの範囲に限定した理由は次
のごとくである。粗大ピンホール部分は絶縁体フィルム
面が大きく露出しているために電気銅めっき処理を行っ
ても通電性のない絶縁体フィルム上には銅めっき被膜は
形成されない。その結果一次電気銅めっき被膜が形成さ
れた部分の厚さは下地金属層の厚さに一次電気銅めっき
被膜層の厚さが加わり、粗大ピンホールによる絶縁体フ
ィルムの露出部分と一次電気銅めっき被膜層の形成部分
とに段差が生ずることになる。この段差は最終工程の二
次電気銅めっき被膜形成後も変わることがないので、一
次電気銅めっき被膜層を１０μｍを超える厚さにする
と、得られた２層フレキシブル基板の表面における段差
が著しく多きくなりすぎてその後の配線部形成工程にお
ける配線部の加工に支障をきたすようになる。また、一
次電気銅めっき被膜層の厚さが０．３μｍ未満となると
微小ピンホールの穴を十分に埋めきれないので、無電解
銅めっき処理に際してのめっき液等の浸透が起こり易く
なり、下地金属層の密着性の低下を招く恐れが生ずるの
で、いずれの場合も好ましくない。

【００２２】なお、この一次電気銅めっき被膜層の厚さ
は、もとより微小ピンホールの穴を埋めてめっき液の浸
透を防止できる程度の厚さにすればよいのであるが、こ
の厚さは二次電気銅めっき処理を施すことによって得ら
れる最終的な導体層の厚さおよび配線板に形成される配
線部の配線幅および配線ピッチの大きさを考慮して定め
られる。例えば、基板に最終的に形成される導体層の厚
さが５μｍ程度で、これにより作製される配線板におけ
る配線幅が４０μｍ、配線ピッチが８０μｍ程度である
ときに、基板における下地金属層の密着性をほぼ確保し
つつ実質的段差の解消を図るためには、一次電気銅めっ
き被膜層の厚さは０．５〜２μｍの範囲に定めるのが理
想的である。

【００２３】次に、無電解銅めっき処理を行うが、これ
は基板全面に無電解銅めっき被膜層を形成させることに
よって、粗大ピンホールによる絶縁体フィルムの露出面
を覆って基板面全面を良導体化し、これによってピンホ
ールの影響を受けることなく次工程での二次電気銅めっ
き処理を基板全面に亘って行わせることを可能とするた
めに行われるものである。該無電解銅めっき処理を施す
に当たっては、公知の触媒付与剤を使用して事前に基板
上に触媒付与処理を施すことが好ましい。以後、二次電
気銅めっき処理を施すことによって、容易に厚さ５〜１
８μｍ程度の導体層を有する薄肉の健全な２層フレキシ
ブル基板を得ることができる。

【００２４】本発明において無電解銅めっき処理に際し
て行われる触媒付与処理に用いる触媒金属種は、無電解
めっき液に含まれる錯体化された金属イオン種よりも電
位的に貴なものであればよく、例えば金、白金、銀、パ
ラジウム等が使用できる。しかし、簡便さを考慮すれ
ば、触媒付与剤として広く市販されているパラジウム系
の触媒付与剤、例えば、パラジウム−錫の酸性溶液や、
アルカリ性のパラジウム錯体溶液、あるいは錫を含まな
い酸性パラジウム溶液などが適当である。触媒の付与方
法は特に限定されず、通常この種の触媒付与に際して一
般的に行われているセンシタイジング・アクチベーショ
ン法やキャタリスト・アクセレーター法などを状況に応
じて適宜選択すればよい。

【００２５】また、触媒付与処理に際しての前処理は、
特に限定されないが下地金属層と絶縁体フィルムおよび
下地金属層と無電解めっき被膜の密着性を高めるため
に、脱脂等の清浄化処理を施しておくことが望ましい。
しかしながら、この前処理によって下地金属層の第２層
に形成する銅被膜層や一次電気めっき処理によって形成
された銅被覆層が溶解するような条件で処理することは
厳に避けなければならない。

【００２６】また、本発明において使用する無電解めっ
き液は、含まれる金属イオンが自己触媒性を有し、かつ
ヒドラジン、ホスフィン酸ナトリウム、ホルマリン等の
還元剤によって還元されて金属析出する還元析出型のも
のであればいずれでもよいが、本発明の趣旨からいっ
て、下地金属層に生じているピンホールにより露出した
絶縁体フィルム露出部分の良導体化を図ることが主たる
目的であるから、導電性が良好で比較的作業性のよい無
電解銅めっき液が最適である。

【００２７】なお、この無電解銅めっき液によるめっき
被膜の厚さは、基板面におけるピンホールによる欠陥修
復が可能でかつ電気銅めっき処理を施す際に、電気銅め
っき液によって溶解されない程度の厚さであればよく、
０．０１〜１．０μｍの範囲であることが好ましい。

【００２８】このようにして無電解銅めっき被膜を形成
させた基板は、最終的に所望の厚さの導体層が形成され
るように二次電気銅めっき処理を施すことにより、下地
金属形成時に発生した大小様々なピンホールによる影響
を受けない健全で導体層の密着度の高い２層フレキシブ
ル基板を得ることができる。なお、本発明において行わ
れる電気銅めっき処理は、一次、二次ともに常法による
電気銅めっき法における諸条件を採用すればよい。

【００２９】本発明において、絶縁体フィルム上に直接
形成される下地金属層は、ニッケル、銅−ニッケル合
金、クロムおよびクロム酸化物からなる群から選ばれた
少なくとも１種から得られたを乾式めっき被膜層を第１
層とし、その上にさらに第２層として銅の乾式めっき被
膜層を形成することにより２層としたものである。この
ように下地金属層を２層に形成したのは、乾式めっき処
理によるピンホールの発生箇所をずらすことにより、ピ
ンホールに基づく前記したような弊害を可及的に抑制す
ることと、下地金属層の第１層に絶縁体フィルムの構成
材料である合成樹脂と比較的密着性の良好なニッケル、
クロムおよびこれらの化合物等による乾式めっき被膜層
を配し、第２層の表面層に導電性の高い銅被覆層を配す
ることで下地金属層の密着性と通電性の双方を高め、次
に行われる一次銅電解処理がより容易に行われるように
するためである。

【００３０】下地金属層として形成させるそれぞれの乾
式めっき被膜層厚さは、第１層のニッケル、銅−ニッケ
ル合金、クロム、クロム酸化物等の乾式めっき被膜層で
は、５０〜２，０００オングストロームであることが好
ましく、第２層の銅乾式めきっき被膜層では２００〜
５，０００オングストロームであることが好ましい。第
１層の乾式めっき被膜層の厚さが５０オングストローム
未満であるときは、その後の各処理工程を経ても下地金
属層の長期的な密着性に問題を生じ、また２，０００オ
ングストロームを超えると、配線部の加工に際してニッ
ケル、クロム等の除去が困難になるからである。また第
２層の銅乾式めっき被膜層の厚さが２００オングストロ
ーム未満であるときは、ピンホールによる欠陥の軽減効
果が少なく満足な一次電気銅めっき処理を行うことが困
難であり、また５，０００オングストロームを超える
と、被膜層に応力によるクラックやそり等を生じ、かえ
って密着強度が低下をきたすようになるのでいずれも好
ましくない。

【００３１】また、本発明におけるこれら２層の下地金
属層の形成のための乾式めっき法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、またはイオンプレ−ティング法
のいずれかを適宜採用すればよい。

【００３２】

【実施例】以下に本発明の実施例を比較例とともに掲げ
る。 実施例１：厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（東レ・
デュポン社製、製品名「カプトン２００Ｖ」）を１２ｃ
ｍ×１２ｃｍの大きさに切り出し、その片面に下地金属
層の第１層として真空蒸着法によりニッケル被膜層を１
００オングストロームの厚さに形成し、さらにその上に
第２層として真空蒸着法により銅被覆層を１０００オン
グストロームの厚さに形成した。

【００３３】次に、これを弱アルカリ性の脱脂剤に１分
間浸漬し、引き続き２分間水洗して表面洗浄処理を行っ
た。次に、表１に示す組成の電気銅めっき液を用いて厚
さ１μｍの一次電気銅めっき被膜層を形成した。このと
きのめっき条件は、めっき液温度は室温とし、空気撹拌
を行い、電流密度を０．５Ａ／ｄｍ^２とした。

【００３４】

【表１】 硫酸銅５水塩 ：８０ｇ／リットル 硫酸 ：２００ｇ／リットル 光沢剤 ：適宜 塩素イオン ：５０ｍｇ／リットル

【００３５】一次電気銅めっき被膜形成後、水洗し、キ
ャタライジング液、アクセレーティング液（共に奥野製
薬社製）に浸漬して基板表面に触媒を付与した。引き続
き基板を表２に示す組成の無電解銅めっき液に３分間浸
漬して表面に０．１μｍの厚さの無電解銅めっき被膜を
成膜した。このときのめっき条件は、めっき液の温度は
６０℃、ｐＨは１２．５であり、空気撹拌を行った。

【００３６】

【表２】 硫酸銅 ：１０ｇ／リットル ＥＤＴＡ ：３０ｇ／リットル ＨＣＨＯ（３６％溶液） ：５ミリリットル／リットル ＰＥＧ１０００ ：０．５ｇ／リットル ジピリジル ：１０ｍｇ／リットル

【００３７】無電解めっき処理後、引き続いて表１に示
す組成の電気銅めっき液を用いて銅導体層の厚さが最終
的に５μｍになるように二次電気銅めっき被膜を形成し
た。このときのめっき条件は、めっき液の温度は室温と
し、空気撹拌を行い、通電時の電流密度を３Ａ／ｄｍ^２
とした。

【００３８】得られた基板に対し、銅被膜側から光を当
ててピンホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２
ｃｍの領域内では光の透過は認められず、ピンホールが
存在しないことが分かった。この基板を用いて配線幅４
０μｍ、配線ピッチ８０μｍのフレキシブル配線板を常
法によるサブトラクティブ法に基づいて作製したとこ
ろ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない２層フ
レキシブル配線板が得られた。

【００３９】また、該２層フレキシブル配線板の配線部
を垂直に引き剥がして配線部の密着強度を測定したとこ
ろ、その強度は１ｋｇｆ／ｃｍ以上であり、ポリイミド
フィルムに下地金属層を真空蒸着した後、一次電気銅め
っき被膜層を施さずに直ちに無電解めっき処理を施し次
いで電気銅めっき被膜層を形成した基板によるものに比
べて高い密着強度を有し、十分に実用に供することがで
きる密着強度を有するものであることが分かった。

【００４０】なお、本実施例においては、サブトラクテ
ィブ法によってポリイミドフィルムの片面に配線パター
ンを有する基板から得られた片面フレキシブル配線板に
ついての作製例を示したが、絶縁体フィルムの両面に配
線部を有する両面フレキシブル配線板、あるいはセミア
ディティブ法により作製された片面または両面フレキシ
ブル配線板についても同様の優れた結果が得られること
が確認されている。

【００４１】実施例２：下地金属層におけるの第１層の
ニッケル被膜層を真空蒸着法により５００オングストロ
ームの厚さに形成した以外は実施例１と同様の手順で２
層フレキシブル基板を作製し、この基板を使用して実施
例１と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作製した
ところ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない２
層フレキシブル配線板が得られた。また、得られた２層
フレキシブル配線板の配線部を垂直に引き剥がして配線
部の密着強度を測定したところ、その強度は１ｋｇｆ／
ｃｍ以上であり、十分に実用に供することができる密着
強度を有するものであることが分かった。

【００４２】実施例３：下地金属層における第１層のニ
ッケル被膜層を真空蒸着法により１，０００オングスト
ロームの厚さに形成し、第２層の銅被膜層を真空蒸着法
により５００オングストロームの厚さに形成したた以外
は実施例１と同様の手順で２層フレキシブル基板を作製
し、この基板を使用して実施例１と同様の手順で２層フ
レキシブル配線板を作製したところ、配線部分にピンホ
ールに起因する欠陥のない２層フレキシブル配線板が得
られた。また、得られた２層フレキシブル配線板の配線
部を垂直に引き剥がして配線部の密着強度を測定したと
ころ、その強度は１ｋｇｆ／ｃｍ以上であり、十分に実
用に供することができる密着強度を有するものであるこ
とが分かった。

【００４３】実施例４：下地金属層における第１層のニ
ッケルに代えてクロムを真空蒸着法により１００オング
ストロームの厚さに形成した以外は実施例１と同様の手
順で２層フレキシブル基板を作製し、この基板を使用し
て実施例１と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作
製したところ、配線部分にピンホールに起因する欠陥の
ない２層フレキシブル配線板が得られた。また、得られ
た２層フレキシブル配線板の配線部を垂直に引き剥がし
て配線部の密着強度を測定したところ、その強度は１ｋ
ｇｆ／ｃｍ以上であり、十分に実用に供することができ
る密着強度を有するものであることが分かった。

【００４４】実施例５：下地金属層における第１層の形
成にニッケルに代えてクロム酸化物を真空蒸着法により
１００オングストロームの厚さに形成した以外は実施例
１と同様の手順で２層フレキシブル基板を作製し、この
基板を使用して実施例１と同様の手順で２層フレキシブ
ル配線板を作製したところ、配線部分にピンホールに起
因する欠陥のない２層フレキシブル配線板が得られた。
また、得られた２層フレキシブル配線板の配線部を垂直
に引き剥がして配線部の密着強度を測定したところ、そ
の強度は１ｋｇｆ／ｃｍ以上であり、十分に実用に供す
ることができる密着強度を有するものであることが分か
った。

【００４５】実施例６：下地金属層における第１層のク
ロム酸化物被膜層を真空蒸着法により５０オングストロ
ームの厚さに形成し、第２層の銅被膜層を真空蒸着法に
より１，５００オングストロームの厚さに形成した以外
は実施例１と同様の手順で２層フレキシブル基板を作製
し、この基板を使用して実施例１と同様の手順で２層フ
レキシブル配線板を作製したところ、配線部分にピンホ
ールに起因する欠陥のない２層フレキシブル配線板が得
られた。また、得られた２層フレキシブル配線板の配線
部を垂直に引き剥がして配線部の密着強度を測定したと
ころ、その強度は１ｋｇｆ／ｃｍ以上であり、十分に実
用に供することができる密着強度を有するものであるこ
とが分かった。

【００４６】実施例７：下地金属層における第１層の形
成にニッケルに代えてニッケル含有量４０重量％の銅−
ニッケル合金を真空蒸着法により１００オングストロー
ムの厚さに形成した以外は実施例１と同様の手順で２層
フレキシブル基板を作製し、この基板を使用して実施例
１と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作製したと
ころ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない２層
フレキシブル配線板が得られた。また、得られた２層フ
レキシブル配線板の配線部を垂直に引き剥がして配線部
の密着強度を測定したところ、その強度は１ｋｇｆ／ｃ
ｍ以上であり、十分に実用に供することができる密着強
度を有するものであることが分かった。

【００４７】実施例８：一次電気銅めっき被膜層を５μ
ｍの厚さに形成した以外は実施例１と同様の手順で２層
フレキシブル基板を作製し、この基板を使用して実施例
１と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作製したと
ころ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない２層
フレキシブル配線板が得られた。また、得られた２層フ
レキシブル配線板の配線部を垂直に引き剥がして配線部
の密着強度を測定したところ、その強度は１ｋｇｆ／ｃ
ｍ以上であり、十分に実用に供することができる密着強
度を有するものであることが分かった。

【００４８】実施例９：一次電気銅めっき被膜層を５μ
ｍの厚さに形成した以外は実施例５と同様の手順で２層
フレキシブル基板を作製し、この基板を使用して実施例
１と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作製したと
ころ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない２層
フレキシブル配線板が得られた。また、得られた２層フ
レキシブル配線板の配線部を垂直に引き剥がして配線部
の密着強度を測定したところ、その強度は１ｋｇｆ／ｃ
ｍ以上であり、十分に実用に供することができる密着強
度を有するものであることが分かった。

【００４９】比較例１：下地金属層の第１層のニッケル
被膜層の厚さを５０オングストロームとし、第２層の銅
被膜層の厚さを５０オングストロームとした以外は実施
例１と同様の手順で一次電気銅めっき処理を施したとこ
ろ、電解電圧が１０ｖ以上となって電流が流れなくな
り、電気銅めっき処理を継続することができなかった。

【００５０】比較例２：下地金属層の上に一次銅めっき
処理を施さなかった以外は実施例１と同様の手順で２層
フレキシブル基板を作製し、この基板を使用して実施例
１と同様の手順で２層フレキシブル配線板を作製したと
ころ、配線部分にピンホールに起因する欠陥のない２層
フレキシブル配線板が得られた。しかし、得られた２層
フレキシブル配線板の配線部を垂直に引き剥がして、そ
の密着強度を測定したところ、その強度は１ｋｇｆ／ｃ
ｍ以下であり、実用に供することができる密着強度とは
ならなかった。

【００５１】比較例３：下地金属層の上に施す一次銅め
っき被膜層の厚さを０．１μｍとした以外は実施例１と
同様の手順で２層フレキシブル基板を作製し、この基板
を使用して実施例１と同様の手順で２層フレキシブル配
線板を作製したところ、配線部分にピンホールに起因す
る欠陥のない２層フレキシブル配線板が得られた。しか
し、得られた２層フレキシブル配線板の配線部を垂直に
引き剥がして、その密着強度を測定したところ、その強
度は１ｋｇｆ／ｃｍ以下であり、実用に供することがで
きる密着強度とはならなかった。

【００５２】比較例４：一次電気銅めっき処理と無電解
銅めっき処理を省略し、下地金属層の上に直接電気銅め
っき処理を施した以外は実施例１と同様の手順で２層フ
レキシブル基板を作製した。得られた基板に対し、銅被
膜側から光を当ててピンホールの有無を確認したところ
１２ｃｍ×１２ｃｍの領域内で部分的に光の透過が認め
られ、ピンホールが存在することが分かった。また、こ
の基板を使用して実施例１と同様の手順で２層フレキシ
ブル配線板を作製したところ、配線部にピンホールに起
因すると思われる欠落部による不良箇所があることが確
認され、この基板は狭ピッチ幅の配線部を有する２層フ
レキシブル配線板の作製には適さないことが分かった。

【００５３】比較例５：一次電解銅めっき被膜層を１２
μｍの厚さで形成し、二次電気銅めっき被膜処理を施し
て得られる最終的な導体層の厚さを１５μｍとした以外
は実施例１と同様の手順で２層フレキシブル基板を作製
し、この基板を使用して実施例１と同様の手順で２層フ
レキシブル配線板を作製したところ、配線部分にピンホ
ールに起因する欠陥のない２層フレキシブル配線板が得
られた。しかし、得られた２層フレキシブル配線板は、
下地金属層形成に際しての粗大ピンホールに基づいくポ
リイミドフィルムの露出部分と思われる箇所の銅導体層
の厚さが薄く、他の部分との段差が１２μｍもあること
からフレキシブル配線板には適さないことが分かった。

【００５４】比較例６：下地金属層の上に施す一次銅め
っき被膜層の厚さを０．１μｍとした以外は実施例４と
同様の手順で２層フレキシブル基板を作製し、この基板
を使用して実施例１と同様の手順で２層フレキシブル配
線板を作製したところ、配線部分にピンホールに起因す
る欠陥のない２層フレキシブル配線板が得られた。しか
し、得られた２層フレキシブル配線板の配線部を垂直に
引き剥がして、その密着強度を測定したところ、その強
度は１ｋｇｆ／ｃｍ以下であり、実用に供することがで
きる密着強度とはならなかった。

【００５５】比較例７：下地金属層の上に施す一次銅め
っき被膜層の厚さを０．１μｍとした以外は実施例５と
同様の手順で２層フレキシブル基板を作製し、この基板
を使用して実施例１と同様の手順で２層フレキシブル配
線板を作製したところ、配線部分にピンホールに起因す
る欠陥のない２層フレキシブル配線板が得られた。しか
し、得られた２層フレキシブル配線板の配線部を垂直に
引き剥がして、その密着強度を測定したところ、その強
度は１ｋｇｆ／ｃｍ以下であり、実用に供することがで
きる密着強度とはならなかった。

【００５６】比較例８：下地金属層の上に施す一次銅め
っき被膜層の厚さを０．１μｍとした以外は実施例７と
同様の手順で２層フレキシブル基板を作製し、この基板
を使用して実施例１と同様の手順で２層フレキシブル配
線板を作製したところ、配線部分にピンホールに起因す
る欠陥のない２層フレキシブル配線板が得られた。しか
し、得られた２層フレキシブル配線板の配線部を垂直に
引き剥がして、その密着強度を測定したところ、その強
度は１ｋｇｆ／ｃｍ以下であり、実用に供することがで
きる密着強度とはならなかった。

【００５７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の２層フレキ
シブル基板の製造方法によるときは、絶縁体フィルム上
に施す乾式めっき法により生ずる下地金属層のピンホー
ルを下地金属層を２層に形成することにより軽減した上
で、該ピンホールのうちの微小ピンホールに基づく下地
金属層の密着性の低下を一次電気銅めっき処理を行うこ
とによって抑制し、粗大ピンホールによる絶縁体フィル
ムの露出部分を無電解銅めっき被膜層によって覆うこと
によって粗大ピンホールに基づく導体部欠落の発生を抑
制するようにしたので、その結果３〜１８μｍというよ
うな極めて薄い銅導体層を有する２層フレキシブル基板
を健全かつ容易に得ることができる。従って、この基板
を使用することによって密着性が高く、欠陥のない配線
部を有する信頼性の高い２層フレキシブル配線板を効率
よく得ることができるのでその効果は大きい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｃ // Ｃ２３Ｃ 14/06 Ｃ２３Ｃ 14/06 Ｎ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁体フィルムの片面または両面に、接
   着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層
   上に所望の厚さの銅導体層を形成する２層フレキシブル
   基板の製造方法において、絶縁体フィルム上に下地金属
   層をニッケル、銅−ニッケル合金、クロム、クロム酸化
   物からなる群から選ばれた少なくとも１種を用い乾式め
   っき法により形成された被膜層と該被膜層上にさらに形
   成された乾式めっき法による銅被膜層によって形成し、
   次に該下地金属層上に一次電気銅めっき被膜層を形成し
   た後、該一次電気銅めっき被膜層上に中間金属層として
   無電解銅めっき被膜層を形成し、最後に該中間金属層上
   に二次電気銅めっき被膜層を形成することにより最終的
   に絶縁体フィルム上に５〜１８μｍの厚さの銅導体層を
   形成することを特徴とする２層フレキシブル基板の製造
   方法。
2. 【請求項２】 下地金属層の第１層として形成するニッ
   ケル、銅−ニッケル合金、クロム、クロム酸化物からな
   る群から選ばれた少なくとも１種を用いた乾式めっき被
   膜層の厚さは５０〜２，０００オングストロームである
   ことを特徴とする請求項１記載の２層フレキシブル基板
   の製造方法。
3. 【請求項３】下地金属層の第２層とし形成する乾式めっ
   き法による銅被膜層の厚さは２００〜５，０００オング
   ストロームであることを特徴とする請求項１記載の２層
   フレキシブル基板の製造方法。
4. 【請求項４】 下地金属層を形成するための乾式めっき
   法は、真空蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプ
   レーティング法のいずれかであることを特徴とする請求
   項１記載の２層フレキシブル基板の製造方法。
5. 【請求項５】 一次電気銅めっき被膜層の厚さは０．３
   〜１０μｍの範囲のであることを特徴とする請求項１記
   載の２層フレキシブル基板の製造方法。
6. 【請求項６】 無電解銅めっき被膜層の厚さは、０．０
   １〜１．０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１
   記載の２層フレキシブル基板の製造方法。
7. 【請求項７】 無電解銅めっき被膜層を形成するに際
   し、前処理として触媒付与処理を施すことを特徴とする
   請求項１記載の２層フレキシブル基板の製造方法。