JPH10154941A - 誤り訂正回路 - Google Patents
誤り訂正回路Info
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- JPH10154941A JPH10154941A JP8327637A JP32763796A JPH10154941A JP H10154941 A JPH10154941 A JP H10154941A JP 8327637 A JP8327637 A JP 8327637A JP 32763796 A JP32763796 A JP 32763796A JP H10154941 A JPH10154941 A JP H10154941A
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- 208000011580 syndromic disease Diseases 0.000 claims abstract description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 claims 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Detection And Correction Of Errors (AREA)
- Error Detection And Correction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】符号長の長い誤り訂正符号を処理する誤り訂正
回路の回路規模を縮小する再生装置の提供する。 【解決手段】訂正前後の誤り訂正符号を格納するメモリ
回路と、訂正前データのシンドロームを計算するシンド
ローム計算部と、該シンドロームより誤り値および誤り
位置を計算する誤り値/誤り位置計算部と、訂正前のデ
ータをメモリから再読み出しし、誤り値/位置計算部の
出力との排他的論理ORをとるXORゲートと、訂正し
たデータをメモリ回路に書き戻すために出力イネーブル
信号により訂正後データを出力する出力制御部と、を備
える。
回路の回路規模を縮小する再生装置の提供する。 【解決手段】訂正前後の誤り訂正符号を格納するメモリ
回路と、訂正前データのシンドロームを計算するシンド
ローム計算部と、該シンドロームより誤り値および誤り
位置を計算する誤り値/誤り位置計算部と、訂正前のデ
ータをメモリから再読み出しし、誤り値/位置計算部の
出力との排他的論理ORをとるXORゲートと、訂正し
たデータをメモリ回路に書き戻すために出力イネーブル
信号により訂正後データを出力する出力制御部と、を備
える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの記録
再生装置あるいは再生装置の再生信号処理回路に関し、
特に、再生信号の誤りを訂正する誤り訂正回路に関す
る。
再生装置あるいは再生装置の再生信号処理回路に関し、
特に、再生信号の誤りを訂正する誤り訂正回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、コンパクトディスク(CD)やレ
ーザーディスク(LD)など様々な種類の光ディスクが
商品化され、またデジタルビデオディスク(DVD)の
ような大容量の新たな規格の光ディスクが登場してい
る。
ーザーディスク(LD)など様々な種類の光ディスクが
商品化され、またデジタルビデオディスク(DVD)の
ような大容量の新たな規格の光ディスクが登場してい
る。
【0003】DVDなどの大容量ディスクは、従来のC
Dなどと比べて、情報が高密度に記録されているため、
再生信号に誤りが生じ易くなる。例えばトラックピッチ
を狭くすることで、トラック間のクロストークが大きく
なり、またピット長を短く(線密度を高く)すること
で、符号間干渉が大きくなり、信号を誤って再生する確
率が高くなる。
Dなどと比べて、情報が高密度に記録されているため、
再生信号に誤りが生じ易くなる。例えばトラックピッチ
を狭くすることで、トラック間のクロストークが大きく
なり、またピット長を短く(線密度を高く)すること
で、符号間干渉が大きくなり、信号を誤って再生する確
率が高くなる。
【0004】このため、高密度光ディスクでは、従来の
CDなどで使われている誤り訂正符号よりも高性能な訂
正能力の大きい誤り訂正符号を採用している。
CDなどで使われている誤り訂正符号よりも高性能な訂
正能力の大きい誤り訂正符号を採用している。
【0005】DVDにおいては、図8に示すように、1
6データセクタ(1セクタは2Kバイト)、すなわち1
72バイト×192行の配列に対して16行のPOパリ
ティと10列のPIパリティを生成付加し、182バイ
ト×208列のリードソロモン積符号を構成する。この
図8に示す誤り訂正方式をRSPC(Reed-SolomonProd
uct Code)といい、その詳細は、文献(平山康一、
“DVDの物理フォーマットと変調方式”、“O plus
E”,1996-6,No.199、p93-97)等の記載が参照される。
6データセクタ(1セクタは2Kバイト)、すなわち1
72バイト×192行の配列に対して16行のPOパリ
ティと10列のPIパリティを生成付加し、182バイ
ト×208列のリードソロモン積符号を構成する。この
図8に示す誤り訂正方式をRSPC(Reed-SolomonProd
uct Code)といい、その詳細は、文献(平山康一、
“DVDの物理フォーマットと変調方式”、“O plus
E”,1996-6,No.199、p93-97)等の記載が参照される。
【0006】このように、誤り訂正符号として、積符号
を使う場合、入力されるデータを一旦メモリに蓄える必
要がある。再生信号データは、図8において、アドレス
0番地から、1、2、3、…、N番と順にメモリに納め
られる。行方向(図8の横方向)の誤り訂正(PI訂
正)は、データが、図8における右端の番地(182×
(n−1)番地:n=1〜208)まで入力されれば実
行することができるが、列方向(図8の縦方向)は、メ
モリが最後の行まで入力が終わらないと実行できない。
を使う場合、入力されるデータを一旦メモリに蓄える必
要がある。再生信号データは、図8において、アドレス
0番地から、1、2、3、…、N番と順にメモリに納め
られる。行方向(図8の横方向)の誤り訂正(PI訂
正)は、データが、図8における右端の番地(182×
(n−1)番地:n=1〜208)まで入力されれば実
行することができるが、列方向(図8の縦方向)は、メ
モリが最後の行まで入力が終わらないと実行できない。
【0007】したがって、RSPC方式では、最低で
も、182×208バイト以上の入力データを記録する
メモリが必要になる。
も、182×208バイト以上の入力データを記録する
メモリが必要になる。
【0008】また連続してデータが入力される場合に
は、例えば182×208×2ページ分のメモリを用意
し、一方のページにデータが入力されている間に、他方
のページに格納されているデータの誤り訂正処理を行う
ようにする。
は、例えば182×208×2ページ分のメモリを用意
し、一方のページにデータが入力されている間に、他方
のページに格納されているデータの誤り訂正処理を行う
ようにする。
【0009】図5に、従来の誤り訂正回路の構成をブロ
ック図にて示す。図5を参照して、訂正前データ101
は、シンドローム計算部1に入力され、シンドロームが
計算される。ここで、シンドムーロが零であれば誤りが
なく、入力された訂正前データ101の誤りの有無が判
定できる。
ック図にて示す。図5を参照して、訂正前データ101
は、シンドローム計算部1に入力され、シンドロームが
計算される。ここで、シンドムーロが零であれば誤りが
なく、入力された訂正前データ101の誤りの有無が判
定できる。
【0010】またシンドロームが非零で誤りがある場合
には、次の誤り値/誤り位置計算部2で誤りの値と位置
が計算され、訂正前データ101を誤り訂正処理に要す
る時間分だけ入力データ遅延部11(例えばシフトレジ
スタで構成される)で遅延させた訂正前遅延データ10
2と、XOR(Exclusive OR;排他的論理和)回路
3で排他的論理和をとって、訂正後データ103を出力
する。
には、次の誤り値/誤り位置計算部2で誤りの値と位置
が計算され、訂正前データ101を誤り訂正処理に要す
る時間分だけ入力データ遅延部11(例えばシフトレジ
スタで構成される)で遅延させた訂正前遅延データ10
2と、XOR(Exclusive OR;排他的論理和)回路
3で排他的論理和をとって、訂正後データ103を出力
する。
【0011】訂正後データ103は、出力制御部5から
出力イネーブル信号105がアクティブな期間に、メモ
リデータバス106へ出力される。
出力イネーブル信号105がアクティブな期間に、メモ
リデータバス106へ出力される。
【0012】図5に示した従来の誤り訂正回路の詳細に
ついては、例えば刊行物1(「符号理論」、今井秀樹
著、電子情報通信学会、1990年)、あるいは刊行物
2(「符号理論入門」、岩垂好裕著、昭晃堂、1992
年)などの記載が参照される。
ついては、例えば刊行物1(「符号理論」、今井秀樹
著、電子情報通信学会、1990年)、あるいは刊行物
2(「符号理論入門」、岩垂好裕著、昭晃堂、1992
年)などの記載が参照される。
【0013】またRSPC方式などの積符号を用いるD
VDにおいては、外部メモリに入力データを一時記憶し
て、これを順番に誤り訂正回路に送ることにより、誤り
訂正を行う。
VDにおいては、外部メモリに入力データを一時記憶し
て、これを順番に誤り訂正回路に送ることにより、誤り
訂正を行う。
【0014】このような場合の、従来の誤り訂正回路の
メモリ制御回路の構成をブロック図にて図6に示す。メ
モリ制御回路は、誤り訂正を行うデータを読み出し、訂
正後のデータを書き込むためにメモリのアドレスを生成
する回路である。
メモリ制御回路の構成をブロック図にて図6に示す。メ
モリ制御回路は、誤り訂正を行うデータを読み出し、訂
正後のデータを書き込むためにメモリのアドレスを生成
する回路である。
【0015】図6を参照して、メモリ制御部6は、メモ
リへの書き込みアドレスを生成する書き込みアドレスポ
インタ7へ書き込みポインタ更新信号109を、読み込
みアドレスポインタ8へ読み込みポインタ更新信号11
0を出力する。
リへの書き込みアドレスを生成する書き込みアドレスポ
インタ7へ書き込みポインタ更新信号109を、読み込
みアドレスポインタ8へ読み込みポインタ更新信号11
0を出力する。
【0016】そして、書き込みアドレスポインタ7は書
き込みアドレス111を、読み込みアドレスポインタ8
は読み込みアドレス112をそれぞれ生成し、書き込み
アドレス111及び読み込みアドレス112を入力とす
るアドレス選択部9にて、メモリリードサイクルの時に
は、読み込みアドレス112を、メモリライトサイクル
の時には、書き込みアドレス111を選択し、メモリア
ドレス113をアドレスバス114へ出力する。
き込みアドレス111を、読み込みアドレスポインタ8
は読み込みアドレス112をそれぞれ生成し、書き込み
アドレス111及び読み込みアドレス112を入力とす
るアドレス選択部9にて、メモリリードサイクルの時に
は、読み込みアドレス112を、メモリライトサイクル
の時には、書き込みアドレス111を選択し、メモリア
ドレス113をアドレスバス114へ出力する。
【0017】またメモリ制御部6は、R(リード)/W
(ライト)コントロール信号108を、R/W信号コン
トロール部10へ送る。ここで、アドレスバス114に
出力されるメモリアドレス113と同期して、R/W信
号コントロール部10は、メモリリード信号106、メ
モリライト信号107、出力イネーブル信号105を出
力する。
(ライト)コントロール信号108を、R/W信号コン
トロール部10へ送る。ここで、アドレスバス114に
出力されるメモリアドレス113と同期して、R/W信
号コントロール部10は、メモリリード信号106、メ
モリライト信号107、出力イネーブル信号105を出
力する。
【0018】メモリリード信号106、メモリライト信
号107は、それぞれ入力データを記憶するメモリ(図
示せず)のR/W入力端子にそれぞれ接続し、出力イネ
ーブル信号105は、図5に示した誤り訂正回路の出力
制御部5に接続する。これらの動作をタイミングチャー
トで示すと、図7に示すようなものとなる。すなわち、
訂正後データ103(図5参照)が確定した時点で出力
イネーブル信号105がアクティブ(Lowレベル)と
なり、メモリライト信号107がアクティブ(Lowレ
ベル)とされてメモリに書き込まれる。
号107は、それぞれ入力データを記憶するメモリ(図
示せず)のR/W入力端子にそれぞれ接続し、出力イネ
ーブル信号105は、図5に示した誤り訂正回路の出力
制御部5に接続する。これらの動作をタイミングチャー
トで示すと、図7に示すようなものとなる。すなわち、
訂正後データ103(図5参照)が確定した時点で出力
イネーブル信号105がアクティブ(Lowレベル)と
なり、メモリライト信号107がアクティブ(Lowレ
ベル)とされてメモリに書き込まれる。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
DVDの誤り訂正方式(RSPC方式)では、2つのリ
ードソロモン符号(PIとPO)を用いている。PI訂
正ではRS(182、172)、PO訂正ではRS(2
08、192)であり、それぞれ10、16バイトのパ
リティを持つ。
DVDの誤り訂正方式(RSPC方式)では、2つのリ
ードソロモン符号(PIとPO)を用いている。PI訂
正ではRS(182、172)、PO訂正ではRS(2
08、192)であり、それぞれ10、16バイトのパ
リティを持つ。
【0020】そして、このように長い符号長の誤り訂正
符号を扱う訂正回路は、一般に回路規模が大きくなる、
という問題点がある。
符号を扱う訂正回路は、一般に回路規模が大きくなる、
という問題点がある。
【0021】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、符号長の長い誤
り訂正符号を処理する場合に回路規模を縮小して誤り訂
正を行う回路を備えた再生装置の提供することにある。
てなされたものであって、その目的は、符号長の長い誤
り訂正符号を処理する場合に回路規模を縮小して誤り訂
正を行う回路を備えた再生装置の提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、光ディスク等のデジタルデータを再生も
しくは記録再生する装置において、光ディスク等からの
再生信号を復調した後の訂正前データを一旦記憶する記
憶手段と、前記記憶手段に記憶されたデータ列を予め定
められた順番に読み出して誤り訂正部に送出し、前記誤
り訂正部において、誤り値/誤り位置の出力が確定した
際に、前記出力に対応する訂正前のデータを再び元の記
憶位置から読み出し、訂正箇所を訂正した後に、前記記
憶手段に、訂正後データを再書き込み、するように制御
する手段と、を備えたことを特徴とする。
め、本発明は、光ディスク等のデジタルデータを再生も
しくは記録再生する装置において、光ディスク等からの
再生信号を復調した後の訂正前データを一旦記憶する記
憶手段と、前記記憶手段に記憶されたデータ列を予め定
められた順番に読み出して誤り訂正部に送出し、前記誤
り訂正部において、誤り値/誤り位置の出力が確定した
際に、前記出力に対応する訂正前のデータを再び元の記
憶位置から読み出し、訂正箇所を訂正した後に、前記記
憶手段に、訂正後データを再書き込み、するように制御
する手段と、を備えたことを特徴とする。
【0023】また本発明においては、誤り訂正回路は、
入力符号のシンドロームを計算するシンドローム計算部
と、該シンドロームより誤り値および誤り位置を計算す
る誤り値/誤り位置計算部、メモリデータバスよりラッ
チした訂正前データとの排他的論理和をとるXOR部、
訂正したデータをメモリに書き戻すために出力イネーブ
ル信号により訂正後データを出力する出力制御部と、を
備えて構成される。
入力符号のシンドロームを計算するシンドローム計算部
と、該シンドロームより誤り値および誤り位置を計算す
る誤り値/誤り位置計算部、メモリデータバスよりラッ
チした訂正前データとの排他的論理和をとるXOR部、
訂正したデータをメモリに書き戻すために出力イネーブ
ル信号により訂正後データを出力する出力制御部と、を
備えて構成される。
【0024】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して以下に説明する。
して以下に説明する。
【0025】図4に、本発明に係る誤り訂正回路の実施
の形態の全体構成をブロック図にて示す。図4を参照す
ると、RSPC方式などの積符号を訂正する回路は、入
力データを記憶するメモリ回路14と、メモリ回路14
のアドレスを生成するメモリ制御回路12と、実際の誤
り訂正処理を行う誤り訂正回路13(この誤り訂正回路
13は請求項1、2の「誤り訂正部」に対応する)と、
を備えて構成される。
の形態の全体構成をブロック図にて示す。図4を参照す
ると、RSPC方式などの積符号を訂正する回路は、入
力データを記憶するメモリ回路14と、メモリ回路14
のアドレスを生成するメモリ制御回路12と、実際の誤
り訂正処理を行う誤り訂正回路13(この誤り訂正回路
13は請求項1、2の「誤り訂正部」に対応する)と、
を備えて構成される。
【0026】メモリ制御回路12は、誤り訂正回路13
へ訂正前データを送るための読み込みアドレス112を
生成し、メモリ回路14へメモリリード信号106とと
もに送り、メモリ回路14に記憶されたデータをメモリ
データバス115へ出力させ、その後、誤り訂正回路1
3へラッチ信号104を送り、データを保持させる。
へ訂正前データを送るための読み込みアドレス112を
生成し、メモリ回路14へメモリリード信号106とと
もに送り、メモリ回路14に記憶されたデータをメモリ
データバス115へ出力させ、その後、誤り訂正回路1
3へラッチ信号104を送り、データを保持させる。
【0027】誤り訂正回路13で訂正されたデータは、
メモリデータバス115へ出力され、同時に、メモリ制
御回路12からアドレスバス114に書き込みアドレス
111とメモリライト信号107が出力され、メモリ回
路14に再記録される。
メモリデータバス115へ出力され、同時に、メモリ制
御回路12からアドレスバス114に書き込みアドレス
111とメモリライト信号107が出力され、メモリ回
路14に再記録される。
【0028】この処理の繰り返しで、図8に示すよう
な、RSPC方式のエラー訂正が行われる。すなわち、
誤り訂正回路13において、誤り値/誤り位置の出力が
確定した際に、メモリ回路14から再読み出しされた訂
正前データの誤り箇所を訂正し、この訂正後データをメ
モリ回路14に書き込む処理を繰り返してエラー訂正が
行われる。
な、RSPC方式のエラー訂正が行われる。すなわち、
誤り訂正回路13において、誤り値/誤り位置の出力が
確定した際に、メモリ回路14から再読み出しされた訂
正前データの誤り箇所を訂正し、この訂正後データをメ
モリ回路14に書き込む処理を繰り返してエラー訂正が
行われる。
【0029】上記した本発明の実施の形態について更に
詳細に説明すべく、本発明の実施例について以下に説明
する。図2は、本発明の一実施例におけるメモリ制御回
路12の構成をブロック図にて示したものである。図2
を参照すると、メモリ制御回路12は、メモリ制御部
6、書き込みアドレスポインタ7、読み込みアドレスポ
インタ8、アドレス選択部9、及びR/W信号コントロ
ール部10を備えて構成されている。
詳細に説明すべく、本発明の実施例について以下に説明
する。図2は、本発明の一実施例におけるメモリ制御回
路12の構成をブロック図にて示したものである。図2
を参照すると、メモリ制御回路12は、メモリ制御部
6、書き込みアドレスポインタ7、読み込みアドレスポ
インタ8、アドレス選択部9、及びR/W信号コントロ
ール部10を備えて構成されている。
【0030】この回路全体の制御はメモリ制御部6が行
う。メモリ制御部6は、メモリへの書き込みアドレス1
11を生成する書き込みアドレスポインタ7に対して、
次のアドレスを生成するように、書き込みポインタ更新
信号109を送ることで行う。また同様に、読み込みア
ドレス112は、読み込みアドレスポインタ8で生成さ
れ、メモリ制御部6からの読み込みポインタ更新信号1
10により更新される。
う。メモリ制御部6は、メモリへの書き込みアドレス1
11を生成する書き込みアドレスポインタ7に対して、
次のアドレスを生成するように、書き込みポインタ更新
信号109を送ることで行う。また同様に、読み込みア
ドレス112は、読み込みアドレスポインタ8で生成さ
れ、メモリ制御部6からの読み込みポインタ更新信号1
10により更新される。
【0031】またメモリ制御部6は、R/W信号コント
ロール回路10へ、R/Wコントロール108を送るこ
とにより、図3にタイミング図として示すタイミングに
従い、各種制御信号を、順番に出力する。
ロール回路10へ、R/Wコントロール108を送るこ
とにより、図3にタイミング図として示すタイミングに
従い、各種制御信号を、順番に出力する。
【0032】アドレス選択部9は、メモリリード信号1
06が出された場合には読み込みアドレス112、メモ
リライト信号107が出された場合には書き込みアドレ
ス111をアドレスバス114に出力する。
06が出された場合には読み込みアドレス112、メモ
リライト信号107が出された場合には書き込みアドレ
ス111をアドレスバス114に出力する。
【0033】図1は、本発明の一実施例における誤り訂
正部の構成をブロック図にて示したものである。図1を
参照すると、誤り訂正部は、訂正前データ(図4の誤り
訂正回路13)のシンドロームを計算するシンドローム
計算部1と、このシンドロームより誤り値および誤り位
置を計算する誤り値/誤り位置計算部2と、メモリデー
タバス115よりラッチ回路4にてラッチした訂正前デ
ータと誤り値/誤り位置計算部2の出力との排他的論理
和をとるXOR部3と、訂正したデータ103をメモリ
回路に書き戻すために出力イネーブル信号により訂正後
データを出力する出力制御部5と、を備えた構成とされ
る。
正部の構成をブロック図にて示したものである。図1を
参照すると、誤り訂正部は、訂正前データ(図4の誤り
訂正回路13)のシンドロームを計算するシンドローム
計算部1と、このシンドロームより誤り値および誤り位
置を計算する誤り値/誤り位置計算部2と、メモリデー
タバス115よりラッチ回路4にてラッチした訂正前デ
ータと誤り値/誤り位置計算部2の出力との排他的論理
和をとるXOR部3と、訂正したデータ103をメモリ
回路に書き戻すために出力イネーブル信号により訂正後
データを出力する出力制御部5と、を備えた構成とされ
る。
【0034】訂正前データ101は、シンドローム計算
部1でシンドロームが計算され、エラーの有無がまず判
定される。シンドロームがゼロの場合には、誤り値/誤
り位置計算部2で、エラーの位置を特定し、当該エラー
位置のビットを“1”にする(エラーのないところは
“0”)。なお、ここまでの処理は、図5に示した従来
技術と同じ処理である。
部1でシンドロームが計算され、エラーの有無がまず判
定される。シンドロームがゼロの場合には、誤り値/誤
り位置計算部2で、エラーの位置を特定し、当該エラー
位置のビットを“1”にする(エラーのないところは
“0”)。なお、ここまでの処理は、図5に示した従来
技術と同じ処理である。
【0035】その後、メモリ回路14(図4参照)から
メモリデータバス115上に読み出された訂正前データ
101は、図5に示した従来技術のように遅延回路(図
5の入力データ遅延部11)からのデータではなく、メ
モリ回路14から再読み出しされてラッチ回路4にて保
持され、オーバーライト位置訂正前データ102とし
て、XOR回路3で誤り位置が反転されて誤り訂正が行
われ、訂正後データ103となり、出力イネーブル信号
105により出力制御部5からメモリデータバス115
へ出力される。
メモリデータバス115上に読み出された訂正前データ
101は、図5に示した従来技術のように遅延回路(図
5の入力データ遅延部11)からのデータではなく、メ
モリ回路14から再読み出しされてラッチ回路4にて保
持され、オーバーライト位置訂正前データ102とし
て、XOR回路3で誤り位置が反転されて誤り訂正が行
われ、訂正後データ103となり、出力イネーブル信号
105により出力制御部5からメモリデータバス115
へ出力される。
【0036】この訂正後データ103は、前述したよう
に、メモリ制御回路12の制御により、メモリ回路14
へ書き戻される。
に、メモリ制御回路12の制御により、メモリ回路14
へ書き戻される。
【0037】この動作の様子をタイミングチャートで表
すと、図3に示すようなものとなる。図3を参照して、
メモリリード信号106がアクティブとされ(Lowレ
ベル)、まずメモリ回路14から訂正前データ101が
読み出され、誤り値/誤り位置計算部2での計算出力が
確定した時点で、ラッチ信号104の立ち上がりエッジ
にて、再び読み出された訂正前データをラッチ回路4が
ラッチしてオーバライト位置訂正前データ102として
出力保持し、このオーバライト位置訂正前データ102
と誤り値/誤り位置計算部2の出力(エラーがある位置
は“1”、エラーがなければ“0”)との排他的論理和
出力が訂正後データとしてXOR部3から出力され、こ
の訂正後データをメモリライト信号107をアクティブ
(Lowレベル)としてメモリ回路14に書き込む。
すと、図3に示すようなものとなる。図3を参照して、
メモリリード信号106がアクティブとされ(Lowレ
ベル)、まずメモリ回路14から訂正前データ101が
読み出され、誤り値/誤り位置計算部2での計算出力が
確定した時点で、ラッチ信号104の立ち上がりエッジ
にて、再び読み出された訂正前データをラッチ回路4が
ラッチしてオーバライト位置訂正前データ102として
出力保持し、このオーバライト位置訂正前データ102
と誤り値/誤り位置計算部2の出力(エラーがある位置
は“1”、エラーがなければ“0”)との排他的論理和
出力が訂正後データとしてXOR部3から出力され、こ
の訂正後データをメモリライト信号107をアクティブ
(Lowレベル)としてメモリ回路14に書き込む。
【0038】本発明の実施例の変形として、入力される
誤り訂正符号の符号長の長い場合には、図1を参照して
説明した誤り訂正回路を用い、一方、符号長の短い場合
には、メモリ回路14からの再読み出しを行わずに、訂
正処理遅延時間分の段数を持つシフトレジスタ(図5の
11)を介して訂正前遅延データ102をXOR部10
3に供給するように構成してもよい。この場合、誤り訂
正回路の符号長が30シンボルよりも短い場合に、メモ
リ回路14からの再読み出しを行わずに誤り訂正部のシ
フトレジスタを用いて訂正前データを遅延させるものと
する。
誤り訂正符号の符号長の長い場合には、図1を参照して
説明した誤り訂正回路を用い、一方、符号長の短い場合
には、メモリ回路14からの再読み出しを行わずに、訂
正処理遅延時間分の段数を持つシフトレジスタ(図5の
11)を介して訂正前遅延データ102をXOR部10
3に供給するように構成してもよい。この場合、誤り訂
正回路の符号長が30シンボルよりも短い場合に、メモ
リ回路14からの再読み出しを行わずに誤り訂正部のシ
フトレジスタを用いて訂正前データを遅延させるものと
する。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の誤り訂正
回路によれば、DVDのような長い符号長のデータを扱
う場合においても、入力信号の遅延のためのシフトレジ
スタを削減することが可能となり、回路のゲート数を少
なくすることができる。このため、本発明によれば、L
SIのコストを抑制でき、光ディスク装置の低コスト化
を達成するという効果を奏する。
回路によれば、DVDのような長い符号長のデータを扱
う場合においても、入力信号の遅延のためのシフトレジ
スタを削減することが可能となり、回路のゲート数を少
なくすることができる。このため、本発明によれば、L
SIのコストを抑制でき、光ディスク装置の低コスト化
を達成するという効果を奏する。
【図1】本発明の一実施例の誤り訂正回路の構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図2】本発明の一実施例における誤り訂正回路のメモ
リ制御回路の構成を示すブロック図である。
リ制御回路の構成を示すブロック図である。
【図3】本発明の一実施例の動作を説明するためのタイ
ミングチャートである。
ミングチャートである。
【図4】本発明の実施の形態の全体構成を示すブロック
図である。
図である。
【図5】従来の誤り訂正回路の構成例を示すブロック図
である。
である。
【図6】従来の誤り訂正回路のメモリ制御回路の構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図7】従来技術の動作を説明するためのタイミングチ
ャートである。
ャートである。
【図8】RSPC誤り訂正方式のフォーマットを説明す
るための図である。
るための図である。
1 シンドローム計算部 2 誤り値/誤り位置計算部 3 XOR部 4 ラッチ 5 出力制御部 6 メモリ制御部 7 書込みアドレスポインタ 8 読込みアドレスポインタ 9 アドレス選択部 10 R/W信号コントロール部 11 入力データ遅延部 12 メモリ制御回路 13 誤り訂正回路 14 メモリ回路 101 訂正前データ 102 オーバーライト位置訂正前データ 103 訂正後データ 104 ラッチ信号 105 出力イネーブル信号 106 メモリデータバス 107 メモリライト信号 108 R/Wコントロール 109 書き込みポインタ更新信号 110 読み込みポインタ更新信号 111 書込みアドレス 112 読込みアドレス 113 メモリアドレス 114 アドレスバス 115 メモリデータバス
Claims (5)
- 【請求項1】光ディスク等のデジタルデータを再生もし
くは記録再生する装置において、 光ディスク等からの再生信号を復調した後の訂正前デー
タを一旦記憶する記憶手段と、 前記記憶手段に記憶されたデータ列を予め定められた順
番に読み出して誤り訂正部に送出し、 前記誤り訂正部において、誤り値/誤り位置の出力が確
定した際に、前記出力に対応する訂正前のデータを再び
元の記憶位置から読み出し、訂正箇所を訂正した後に、
前記記憶手段に、訂正後データを再書き込み、するよう
に制御する手段と、 を備えたことを特徴とする誤り訂正回路。 - 【請求項2】前記誤り訂正部が、入力符号のシンドロー
ムを計算するシンドローム計算部と、 該シンドロームより誤り値および誤り位置を計算する誤
り値/誤り位置計算部と、 前記記憶手段から読み出された訂正前データと前記誤り
値/誤り位置計算部の出力との排他的論理論理和を出力
する手段と、 訂正したデータを前記記憶手段に書き戻すために出力イ
ネーブル信号により訂正後データを出力する出力制御部
と、 を備えたことを特徴とする請求項1記載の誤り訂正回
路。 - 【請求項3】入力される誤り訂正符号の符号長の長い場
合には、請求項1記載の誤り訂正回路を用い、符号長の
短い場合には前記記憶手段からの再読み出しを行わず
に、誤り訂正部に、訂正処理遅延時間分の段数を持つシ
フトレジスタを備えたことを特徴とする誤り訂正回路。 - 【請求項4】誤り訂正回路の符号長が30シンボルより
も短い場合に、前記記憶手段からの再読み出しを行わず
に、誤り訂正部に内蔵されたシフトレジスタを用いるこ
とを特徴とする請求項3記載の誤り訂正回路。 - 【請求項5】光ディスク等のデジタルデータを再生もし
くは記録再生する装置において、 光ディスク等からの再生信号を復調した後の訂正前デー
タを一旦記憶する記憶手段、を備え、 入力符号のシンドロームを計算するシンドローム計算部
と、 該シンドロームより誤り値および誤り位置を計算する誤
り値/誤り位置計算部と、 訂正前データと前記誤り値/誤り位置計算部の出力との
排他的論理論理和をとるゲート手段と、 訂正したデータを前記記憶手段に書き戻すために出力イ
ネーブル信号により訂正後データを出力する出力制御部
と、 を有する誤り訂正部、を備え、 前記記憶手段に記憶されたデータ列を予め定められた順
番に読み出して前記誤り訂正部に送出し、 前記誤り値/誤り位置計算部の出力が確定した際に、前
記記憶手段の元の記憶位置から再び読み出された前記出
力に対応する訂正前データを入力とするラッチ回路にラ
ッチタイミング信号を供給し、 前記ラッチ回路の出力と前記誤り値/誤り位置計算部の
出力との排他的論理論理和を、訂正後データとして、前
記出力制御部から前記記憶手段に再書き込みするように
制御する制御手段を、更に備えたことを特徴とする誤り
訂正回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8327637A JPH10154941A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 誤り訂正回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8327637A JPH10154941A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 誤り訂正回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154941A true JPH10154941A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18201282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8327637A Pending JPH10154941A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 誤り訂正回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154941A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6907559B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-06-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for data reproduction |
| US9298549B2 (en) | 2013-12-11 | 2016-03-29 | International Business Machines Corporation | Read buffer architecture supporting integrated XOR-reconstructed and read-retry for non-volatile random access memory (NVRAM) systems |
-
1996
- 1996-11-22 JP JP8327637A patent/JPH10154941A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6907559B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-06-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for data reproduction |
| US9298549B2 (en) | 2013-12-11 | 2016-03-29 | International Business Machines Corporation | Read buffer architecture supporting integrated XOR-reconstructed and read-retry for non-volatile random access memory (NVRAM) systems |
| US10169145B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Read buffer architecture supporting integrated XOR-reconstructed and read-retry for non-volatile random access memory (NVRAM) systems |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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