JPH10160902A - Antireflection film, method of forming the same, and forming apparatus - Google Patents
Antireflection film, method of forming the same, and forming apparatusInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用するターゲットが単一ですみ、単一のス
パッタ装置で膜形成を行うことのできる反射防止膜及び
その形成方法を提供する。
【解決手段】 スパッタ装置１は、成膜室２と、ターゲ
ット１５にエネルギーを当てる手段と、成膜室内の雰囲
気を制御する手段（ガス供給管２１、ボンベ２９、３５
等）を備える。この装置１において、低屈折率膜と高屈
折率膜とをスパッタ法により積層して反射防止膜を形成
する際に、ターゲット材をＳｉ一種として、スパッタ時
の雰囲気ガスをＯ2 とし、その濃度又は圧力をコントロ
ールすることにより、低屈折率膜としてのＳｉＯ2 膜
（ｎ＝１．６）と高屈折率膜としてのＳｉＯ膜（ｎ＝
１．９）を基板上に積層する。これにより、ターゲット
材は一種類でありながら、低屈折率膜と高屈折率膜の積
層構造のＡＲ膜を得ることができる。
(57) [Problem] To provide an antireflection film capable of forming a film by a single sputtering apparatus using only a single target and a method of forming the same. A sputtering apparatus (1) includes means for applying energy to a film forming chamber (2), a target (15), and means for controlling the atmosphere in the film forming chamber (gas supply pipe (21), cylinders (29, 35)).
Etc.). In this apparatus 1, when a low-refractive-index film and a high-refractive-index film are laminated by sputtering to form an antireflection film, the target material is made of Si, the atmospheric gas during sputtering is O 2 , Alternatively, by controlling the pressure, the SiO 2 film (n = 1.6) as a low refractive index film and the SiO film (n = 1.6) as a high refractive index film are formed.
1.9) is laminated on a substrate. Thus, an AR film having a laminated structure of a low-refractive-index film and a high-refractive-index film can be obtained while using only one type of target material.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板やハー
ドコート付きＰＥＴ基板等の表面に形成する反射防止膜
（ＡＲ膜）及びその形成方法に関する。特には、使用す
るターゲット材料が単一ですみ、単一のスパッタリング
装置で膜形成を行うことのできる反射防止膜及びその形
成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antireflection film (AR film) formed on a surface of a glass substrate or a PET substrate with a hard coat, and a method for forming the same. In particular, the present invention relates to an antireflection film that requires only a single target material and can be formed by a single sputtering apparatus, and a method for forming the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】各種の光機能製品の表面には、有害な光
の反射を防止するための反射防止膜（ＡＲ膜）が施され
ている。図２は、代表的なＡＲ膜の構造を模式的に示す
断面図である。図において、基板５５（ＰＥＴフィル
ム、ガラス基板等）と、同基板上に形成されているＡＲ
膜５０が示されている。2. Description of the Related Art An antireflection film (AR film) for preventing reflection of harmful light is applied to the surface of various optical functional products. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a typical AR film. In the figure, a substrate 55 (PET film, glass substrate, etc.) and an AR formed on the substrate are shown.
The membrane 50 is shown.
【０００３】図２のＡＲ膜５０は、低屈折率膜５１と高
屈折率膜５３とが、交互に層状に成膜された構造を有す
る。低屈折率膜用材料としては、ＳｉＯ2 （屈折率ｎ＝
１．６）、ＭｇＦ2 （ｎ＝１．３８）等が用いられる。
高屈折率膜用材料としては、ＺｒＯ2 （ｎ＝２．０）、
ＴｉＯ2 （ｎ＝２．２）、ＩＴＯ（ｎ＝１．９）、Ｃｅ
Ｏ2 （ｎ＝２．１）、Ｙ2 Ｏ3 （ｎ＝１．８）等が用い
られる。The AR film 50 shown in FIG. 2 has a structure in which a low refractive index film 51 and a high refractive index film 53 are alternately formed in layers. SiO 2 (refractive index n =
1.6), MgF 2 (n = 1.38) and the like are used.
As the material for the high refractive index film, ZrO 2 (n = 2.0),
TiO 2 (n = 2.2), ITO (n = 1.9), Ce
O 2 (n = 2.1), Y 2 O 3 (n = 1.8) and the like are used.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述の低屈折率膜と高
屈折率膜が交互に積層されたＡＲ膜は、スパッタリング
等の蒸着法により成膜されるが、その成膜の際に種々の
ターゲット材料を用いる必要がある。したがって、成膜
工程が、複数のスパッタリング装置（あるいは特殊な装
置）を使用した複数のスパッタリング工程となり、設備
が複雑で高価になるとともに、成膜コストも高くなって
いた。The AR film in which the low-refractive-index film and the high-refractive-index film are alternately laminated is formed by an evaporation method such as sputtering. It is necessary to use a target material. Therefore, the film forming process is a plurality of sputtering processes using a plurality of sputtering devices (or special devices), and the equipment is complicated and expensive, and the film forming cost is also high.
【０００５】本発明は、使用するターゲット（蒸着源材
料）が単一ですみ、単一のスパッタリング装置で膜形成
を行うことのできる反射防止膜及びその形成方法を提供
することを目的とする。An object of the present invention is to provide an antireflection film and a method for forming the same, which require only a single target (evaporation source material) and can be formed by a single sputtering apparatus.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の反射防止膜は、低屈折率膜と高屈折率膜と
がスパッタリング法により積層されて形成された反射防
止膜であって； 両膜を構成する物質が、同一組成のタ
ーゲットからスパッタリングされた元素（ターゲット元
素）とガス成分元素との異なる組成の反応物であること
を特徴とする。In order to solve the above problems, an antireflection film of the present invention is an antireflection film formed by laminating a low refractive index film and a high refractive index film by a sputtering method. A material constituting both films is a reactant having a different composition of an element (target element) sputtered from a target having the same composition and a gas component element.
【０００７】また、本発明の反射防止膜形成方法は、低
屈折率膜と高屈折率膜とをスパッタリング法により積層
して反射防止膜を形成する方法であって； 同一組成の
ターゲットを用い、スパッタ雰囲気ガスの種類及び／又
は条件を変えることにより、ターゲット元素とガス成分
元素との異なる組成の反応物をスパッタリング形成する
ことにより各膜を基体上に形成することを特徴とする。Further, the method of forming an antireflection film of the present invention is a method of forming an antireflection film by laminating a low refractive index film and a high refractive index film by a sputtering method; Each film is formed on a substrate by forming by sputtering a reactant having a different composition of a target element and a gas component element by changing the kind and / or condition of a sputtering atmosphere gas.
【０００８】さらに、本発明の反射防止膜の形成装置
は、 スパッタリング室と、ターゲットに電圧を印加す
る手段と、蒸着室内の雰囲気を制御する手段と、を備え
る反射防止膜形成装置であって； 低屈折率膜と高屈折
率膜とをスパッタリング法により積層して反射防止膜を
形成する際に、 同一組成のターゲットを用い、スパッ
タリング雰囲気ガスの種類及び／又は条件を変えること
により、ターゲット元素とガス成分元素との異なる組成
の反応物を基体上に形成することにより各膜を形成する
ことを特徴とする。Further, an apparatus for forming an antireflection film according to the present invention is an apparatus for forming an antireflection film, comprising: a sputtering chamber; means for applying a voltage to a target; and means for controlling the atmosphere in a deposition chamber; When a low refractive index film and a high refractive index film are laminated by a sputtering method to form an antireflection film, a target having the same composition is used, and by changing the type and / or conditions of a sputtering atmosphere gas, the target element and Each film is formed by forming a reactant having a different composition from a gas component element on a substrate.
【０００９】すなわち、ターゲットは一つであるが、ス
パッタリング時のガス成分元素との反応をコントロール
することにより組成の異なる複数の反応物を基体上に形
成する。例えば、ターゲット材をＳｉ一種として、スパ
ッタリング時の雰囲気ガスをＯ2 とし、その濃度又は圧
力をコントロールすることにより、低屈折率膜としての
ＳｉＯ2 膜（ｎ＝１．６）と高屈折率膜としてのＳｉＯ
膜（ｎ＝１．９）を基板上に積層する。これにより、タ
ーゲット材は一種類でありながら、低屈折率膜と高屈折
率膜の積層構造のＡＲ膜を得ることができる。That is, although there is one target, a plurality of reactants having different compositions are formed on the substrate by controlling the reaction with a gas component element during sputtering. For example, an SiO 2 film (n = 1.6) as a low-refractive-index film and a high-refractive-index film are formed by controlling the concentration or pressure of O 2 as an atmosphere gas at the time of sputtering by using a target material of one kind of Si. SiO as
A film (n = 1.9) is laminated on the substrate. Thus, an AR film having a laminated structure of a low-refractive-index film and a high-refractive-index film can be obtained while using only one type of target material.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】本発明において用いることのでき
るターゲット材料の例としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚ
ｒ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｅ及びＹを挙げることができ
る。また、それらの合金であるＳｉ−Ｔｉ合金、Ｓｉ−
Ｔａ合金、Ｓｉ−Ｚｒ合金、Ｔｉ−Ｔａ合金、Ｚｒ−Ｔ
ｉ合金等を用いることもできる。ガス成分元素の例とし
ては、Ｏ及びＮを挙げることができる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Examples of target materials that can be used in the present invention include Si, Ti, Mg, Z
r, Ta, In, Sn, Ce and Y can be mentioned. In addition, Si-Ti alloy, Si-
Ta alloy, Si-Zr alloy, Ti-Ta alloy, Zr-T
An i-alloy or the like can also be used. Examples of the gas component elements include O and N.
【００１１】低屈折率膜及び高屈折率膜を構成する反応
物質として好適な組合せの例は以下のとおりである。こ
れらを２層、３層、４層、６層等に積層してＡＲ膜を構
成する。 ＳｉＯ2 （ｎ＝１．６）：ＳｉＯ（ｎ＝１．９） ＴｉＯ2 （ｎ＝２．２）：ＴｉＯ（ｎ＝２．７） Ｔａ2 Ｏ5 ：ＴａＯ Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2 ＴｉＮ、ＴｉＮＯ、ＴｉＯ2 Examples of suitable combinations as reactants constituting the low refractive index film and the high refractive index film are as follows. These are laminated in two layers, three layers, four layers, six layers and the like to form an AR film. SiO 2 (n = 1.6): SiO (n = 1.9) TiO 2 (n = 2.2): TiO (n = 2.7) Ta 2 O 5 : TaO Si 3 N 4 , SiON, SiO 2 TiN, TiNO, TiO 2
【００１２】本発明の反射防止膜を成膜するための装置
の一例について説明する。図１は、本発明の反射防止膜
を成膜するための装置の一例であるＰＥＴテープ用スパ
ッタ装置を模式的に示す平面図である。図中には、スパ
ッタ装置１の成膜室２中に、テープ１３を巻いたロール
３及びロール１１が図の左右に示されている。図の中央
部には、テープ１３をその表面に接触させて冷却するた
めのクーリングドラム７が示されている。テープ１３
は、左右のロール３、１１の間を往復する。この際に、
ガイド（ロール）５、９によって、クーリングドラム７
の表面に押し当てられる。成膜室２内は、真空排気管４
１に接続された真空ポンプ４３によって排気されてい
る。An example of an apparatus for forming the antireflection film of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing a PET tape sputtering apparatus which is an example of an apparatus for forming an antireflection film of the present invention. In the figure, a roll 3 and a roll 11 around which a tape 13 is wound are shown in the film forming chamber 2 of the sputtering apparatus 1 on the left and right sides of the figure. In the center of the figure, a cooling drum 7 for cooling the tape 13 in contact with its surface is shown. Tape 13
Reciprocates between the left and right rolls 3 and 11. At this time,
The cooling drum 7 is guided by guides (rolls) 5 and 9.
Pressed against the surface of A vacuum exhaust pipe 4 is provided inside the film forming chamber 2.
The air is evacuated by a vacuum pump 43 connected to the pump 1.
【００１３】クーリングドラム７の表面の近傍には、Ｓ
ｉターゲット１５が、２個横に並んで配置されている。
これらのターゲット１５には、図示せぬ電源を用いて、
ＤＣ又は４０〜５０kHz 程度のＡＣ電圧が印加され、雰
囲気ガスの酸素及び窒素イオンの衝突により、表面から
Ｓｉがスパッタされる。スパッタされたＳｉは、成膜室
内の雰囲気ガスと反応した後にクーリングドラム７表面
のテープ１３上に堆積する。In the vicinity of the surface of the cooling drum 7, S
Two i targets 15 are arranged side by side.
For these targets 15, using a power supply (not shown),
DC or an AC voltage of about 40 to 50 kHz is applied, and Si is sputtered from the surface by collision of oxygen and nitrogen ions of the atmospheric gas. The sputtered Si is deposited on the tape 13 on the surface of the cooling drum 7 after reacting with the atmospheric gas in the film forming chamber.
【００１４】成膜室２には、雰囲気ガスを供給するガス
供給管２１が接続されている。ガス供給管２１の先に
は、Ｏ2 供給管２５及びＮ2 供給管３１を介してＯ2 ボ
ンベ２９及びＮ2 ボンベ３５が接続されている。各供給
管２５及び３１には流量調整弁２７及び３３が設けられ
ており、各供給管２５及び３１に流れるガス流量を調整
できる。また、両ガス合流後のガス供給管２１にも流量
調整弁２３が設けられており、同管２１に流れるガス量
を調整できる。また、スパッタ速度を速めるために、Ａ
ｒガス供給用ボンベを加えて、混合ガスを供給できる形
にしてもよい。たとえばＡｒ量３０〜７０％体積で流し
てもよい。A gas supply pipe 21 for supplying an atmospheric gas is connected to the film forming chamber 2. An O 2 cylinder 29 and an N 2 cylinder 35 are connected to the end of the gas supply pipe 21 via an O 2 supply pipe 25 and an N 2 supply pipe 31. The supply pipes 25 and 31 are provided with flow control valves 27 and 33, respectively, so that the flow rates of the gas flowing through the supply pipes 25 and 31 can be adjusted. Further, a flow control valve 23 is also provided on the gas supply pipe 21 after the two gases have joined, so that the amount of gas flowing through the pipe 21 can be adjusted. In order to increase the sputtering rate, A
An r gas supply cylinder may be added so that a mixed gas can be supplied. For example, the flow may be performed at an Ar amount of 30 to 70% by volume.
【００１５】実施例 ターゲット材をＳｉ、ガス成分元素をＯとし、低屈折率
膜をＳｉＯ2 （ｎ＝１．６）で、高屈折率膜をＳｉＯ
（ｎ＝１．９）で形成した。低屈折率膜と高屈折率膜と
の切り替えは、クーリングドラムにおける走行方向（図
１のＡ、Ｂ）毎に切り替えた。 EXAMPLE The target material was Si, the gas component element was O, the low refractive index film was SiO 2 (n = 1.6), and the high refractive index film was SiO.
(N = 1.9). Switching between the low-refractive-index film and the high-refractive-index film was performed for each running direction (A and B in FIG. 1) in the cooling drum.
【００１６】この成膜の際の諸元（一例）は以下であっ
た。テープ材：ハードコート（ＰＭＭＡアクリル系材
料）付きＰＥＴテープ、クーリングドラム温度１０℃、
テープ走行速度１m/min 、ＳｉＯ2 スパッタＯ2 分圧
０．１Pa、ＳｉＯ蒸着時Ｏ2 分圧０．０５Pa なお、この時用いたガスはＡｒ−３０volume％Ｏ2 混合
ガスを用いた。The specifications (one example) at the time of this film formation were as follows. Tape material: PET tape with hard coat (PMMA acrylic material), cooling drum temperature 10 ° C,
Tape running speed 1 m / min, SiO 2 sputter O 2 partial pressure 0.1 Pa, O 2 partial pressure during SiO vapor deposition 0.05 Pa Note that the gas used was an Ar-30 volume% O 2 mixed gas.
【００１７】上記成膜条件により、ＰＥＴテープ上に、
図２の５１〜５３の部分において、５５に近い側より見
て、第１層目をＳｉＯ：３０nm、第２層目をＳｉＯ2 ：
２０nm、第３層目をＳｉＯ：１２０nm、第４層目をＳｉ
Ｏ2 ：１００nmとして形成した。得られた反射防止膜は
良好な特性を示した。According to the above film forming conditions, on the PET tape,
In the portions 51 to 53 in FIG. 2, when viewed from the side near 55, the first layer is made of SiO: 30 nm, and the second layer is made of SiO 2 :
20 nm, the third layer is SiO: 120 nm, and the fourth layer is Si
O 2 : formed as 100 nm. The obtained anti-reflection film showed good characteristics.
【００１８】その他の実施例 ターゲット材をＴｉ、ガス成分元素をＯとし、低屈折率
膜をＴｉＯ2 （ｎ＝２．２）で、高屈折率膜をＴｉＯ
（ｎ＝２．７）で形成した。低屈折率膜と高屈折率膜と
の切り替えは、クーリングドラムにおける走行方向（図
１のＡ、Ｂ）毎に切り替えた。得られた反射防止膜は良
好な特性を示した。 Other Embodiments The target material is Ti, the gas component element is O, the low refractive index film is TiO 2 (n = 2.2), and the high refractive index film is TiO.
(N = 2.7). Switching between the low-refractive-index film and the high-refractive-index film was performed for each running direction (A and B in FIG. 1) in the cooling drum. The obtained anti-reflection film showed good characteristics.
【００１９】ターゲット材をＳｉ、ガス成分元素をＯ及
びＮとし、低屈折率膜をＳｉ3 Ｎ4で、中間膜をＳｉＯ
Ｎ、高屈折率膜をＳｉＯ2 で形成した。各膜との切り替
えは、クーリングドラムにおける走行方向（図１のＡ、
Ｂ）毎に切り替えた。得られた反射防止膜は良好な特性
を示した。The target material is Si, the gas component elements are O and N, the low refractive index film is Si 3 N 4 , and the intermediate film is SiO.
N, a high refractive index film was formed of SiO 2 . Switching with each film is performed in the running direction (A in FIG. 1,
B) It changed every time. The obtained anti-reflection film showed good characteristics.
【００２０】ターゲット材をＴｉ、ガス成分元素をＯ及
びＮとし、低屈折率膜をＴｉ3 Ｎ4で、中間膜をＴｉＯ
Ｎ、高屈折率膜をＴｉＯで形成した。各膜との切り替え
は、クーリングドラムにおける走行方向（図１のＡ、
Ｂ）毎に切り替えた。得られた反射防止膜は良好な特性
を示した。The target material is Ti, the gas component elements are O and N, the low refractive index film is Ti 3 N 4 , and the intermediate film is TiO.
N, a high refractive index film was formed of TiO. Switching with each film is performed in the running direction (A in FIG. 1,
B) It changed every time. The obtained anti-reflection film showed good characteristics.
【００２１】なお、上の実施例においては、フィルムへ
のスパッタの例を示したが、ガラス基板、偏光板基板等
の曲げることが困難な基板に対して成膜を行う場合にお
いても本発明が有効であるのは言うまでもない。In the above embodiment, an example of sputtering on a film has been described. However, the present invention is applicable to a case where a film is formed on a substrate such as a glass substrate or a polarizing plate substrate which is difficult to bend. Needless to say, it is effective.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は以下の効果を発揮する。 使用するターゲットが一種類となるので、ＡＲ膜作
製装置が簡単、小規模となる。 ターゲット材料が単一なので、成膜時の取り扱いが
簡便となる。 上記との結果、低価格の成膜が可能となる。 ＡＲ膜構成を２層構成又は４層、３層構成に種々変
更しながら、生産を単一の装置で行うことができ、多様
で安価なＡＲ膜を作製できる。As is apparent from the above description, the present invention has the following effects. Since only one type of target is used, the AR film forming apparatus is simple and small. Since a single target material is used, handling during film formation is simplified. As a result, a low-cost film can be formed. While variously changing the AR film configuration to a two-layer structure, a four-layer structure, or a three-layer structure, production can be performed with a single device, and various and inexpensive AR films can be manufactured.
【図１】本発明の反射防止膜を成膜するための装置の一
例であるＰＥＴテープ用スパッタ装置を模式的に示す平
面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing a PET tape sputtering apparatus which is an example of an apparatus for forming an antireflection film of the present invention.
【図２】代表的なＡＲ膜の構造を模式的に示す断面図で
ある。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a typical AR film.
１…スパッタ装置、２…成膜室、３、１１…ロール、
５、９…ガイド、７…クーリングドラム、１３…テー
プ、１５…ターゲット（蒸着源）、２１…ガス供給管、
２３、２７、３３…流量調整弁、２５…Ｏ2 供給管、２
９…Ｏ2 ボンベ、３１…Ｎ2 供給管、３５…Ｎ2 ボン
ベ、４１…真空排気管、４３…真空ポンプ、５０…ＡＲ
膜、５１…低屈折率膜、５３…高屈折率膜、５５…基板DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sputter apparatus, 2 ... Film-forming chamber, 3, 11 ... Roll,
5, 9 guide, 7 cooling drum, 13 tape, 15 target (vapor deposition source), 21 gas supply pipe,
23, 27, 33: flow control valve, 25: O 2 supply pipe, 2
9 ... O 2 gas cylinder, 31 ... N 2 supply pipe, 35 ... N 2 gas cylinder, 41 ... vacuum exhaust pipe, 43 ... vacuum pump, 50 ... AR
Film, 51: Low refractive index film, 53: High refractive index film, 55: Substrate
Claims (13)
ング法により積層されて形成された反射防止膜であっ
て；両膜を構成する物質が、同一組成のターゲットから
スパッタされた元素（ターゲット元素）とガス成分元素
との異なる組成の反応物であることを特徴とする反射防
止膜。An antireflection film formed by laminating a low-refractive-index film and a high-refractive-index film by a sputtering method; a substance constituting both films is an element sputtered from a target having the same composition ( An antireflection film, which is a reactant having a different composition between the target element) and the gas component element.
ｇ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｅ及びＹからなる群か
ら選ばれた１又は２以上であり、 上記ガス成分元素が、Ｏ及びＮからなる群から選ばれた
１又は２であることを特徴とする請求項１記載の反射防
止膜。2. The method according to claim 1, wherein the target element is Si, Ti, M
g, Zr, Ta, In, Sn, Ce and Y are one or more selected from the group consisting of Y, and the gas component element is 1 or 2 selected from the group consisting of O and N The anti-reflection film according to claim 1, wherein:
又は完全酸化状態の物質からなることを特徴とする請求
項１記載の反射防止膜。3. The anti-reflection film according to claim 1, wherein each of the films is made of a substance in a sub-oxidized state or a completely oxidized state of the same metal element.
ガス成分元素がＯであり、上記低屈折率膜がＳｉＯ2 か
らなり、上記高屈折率膜がＳｉＯx （０．１≦ｘ＜２．
０）からなることを特徴とする請求項１記載の反射防止
膜。4. The method according to claim 1, wherein the target element is Si, the gas component element is O, the low refractive index film is made of SiO 2 , and the high refractive index film is SiO x (0.1 ≦ x <2.
2. The anti-reflection film according to claim 1, comprising:
ガス成分元素がＯであり、上記低屈折率膜がＴｉＯ2 か
らなり、上記高屈折率膜がＴｉＯx （０．１≦ｘ＜２）
からなることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。5. The target element is Ti, the gas component element is O, the low refractive index film is made of TiO 2 , and the high refractive index film is TiO x (0.1 ≦ x <2).
The anti-reflection film according to claim 1, comprising:
ング法により積層して反射防止膜を形成する方法であっ
て；同一組成のターゲットを用い、スパッタリング雰囲
気ガスの種類及び／又は条件を変えることにより、ター
ゲット元素とガス成分元素との異なる組成の反応物を基
体上に形成することにより各膜を形成することを特徴と
する反射防止膜形成方法。6. A method for forming an antireflection film by laminating a low refractive index film and a high refractive index film by a sputtering method; using a target having the same composition, and changing the type and / or condition of a sputtering atmosphere gas. A method of forming an anti-reflection film, characterized in that reactants having different compositions of a target element and a gas component element are formed on a substrate by changing them.
ｇ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｅ及びＹからなる群か
ら選ばれた１又は２以上であり、 上記ガス成分元素が、Ｏ及びＮからなる群から選ばれた
１又は２であることを特徴とする請求項６記載の反射防
止膜形成方法。7. The method according to claim 7, wherein the target element is Si, Ti, M
g, Zr, Ta, In, Sn, Ce and Y are one or more selected from the group consisting of Y, and the gas component element is 1 or 2 selected from the group consisting of O and N 7. The method for forming an antireflection film according to claim 6, wherein:
又は完全酸化状態の物質からなることを特徴とする請求
項６記載の反射防止膜形成方法。8. The method according to claim 6, wherein each of the films is made of a substance in a sub-oxidation state or a complete oxidation state of the same metal element.
トを用い、上記雰囲気ガスとしてＯを用いて反応物Ｓｉ
Ｏx （ｘ＝０．１〜１．９）を形成することを特徴とす
る請求項６記載の反射防止膜形成方法。9. A reactant Si using a Si target as the target material and O as the atmospheric gas.
O x (x = 0.1~1.9) antireflection film forming method according to claim 6, wherein the forming a.
ットを用い、上記雰囲気ガスとしてＯを用いて反応物Ｔ
ｉＯx （ｘ＝０．１〜１．９）を形成することを特徴と
する請求項６記載の反射防止膜形成方法。10. A reactant T using a Ti target as the target material and O as the atmospheric gas.
7. The method according to claim 6, wherein iO x (x = 0.1 to 1.9) is formed.
ットを用い、上記雰囲気ガスとしてＯ及びＮを用いて反
応物ＳｉＯx Ｎy （ｘ＝０．１〜１．９、ｙ＝０．１〜
１．９）を形成することを特徴とする請求項６記載の反
射防止膜形成方法。11. A reactant SiO x N y (x = 0.1 to 1.9, y = 0.1 to 0.1) using an Si target as the target material and O and N as the atmospheric gas.
1.9). The method for forming an anti-reflection film according to claim 6, wherein 1.9) is formed.
を特徴とする請求項６〜１０いずれか１項記載の反射防
止膜形成方法。12. The method according to claim 6, wherein the sputtering is performed by vapor deposition.
る手段と、蒸着室内の雰囲気を制御する手段と、を備え
る反射防止膜形成装置であって；低屈折率膜と高屈折率
膜とを蒸着法により積層して反射防止膜を形成する際
に、 同一組成の蒸着源を用い、蒸着雰囲気ガスの種類及び／
又は条件を変えることにより、蒸着源元素とガス成分元
素との異なる組成の反応物を基体上に蒸着することによ
り各膜を形成することを特徴とする反射防止膜形成装
置。13. An anti-reflection film forming apparatus, comprising: a deposition chamber; means for applying energy to a deposition source; and means for controlling an atmosphere in the deposition chamber; When forming an anti-reflection film by laminating by the vapor deposition method, the vapor source having the same composition is used,
Alternatively, an antireflection film forming apparatus characterized in that reactants having different compositions of an evaporation source element and a gas component element are deposited on a substrate by changing conditions to form each film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8316028A JPH10160902A (en) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | Antireflection film, method of forming the same, and forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8316028A JPH10160902A (en) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | Antireflection film, method of forming the same, and forming apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10160902A true JPH10160902A (en) | 1998-06-19 |
Family
ID=18072455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8316028A Pending JPH10160902A (en) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | Antireflection film, method of forming the same, and forming apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10160902A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007308795A (en) * | 2006-04-17 | 2007-11-29 | Shincron:Kk | Colored substrate manufacturing method and colored substrate |
| JP2009532747A (en) * | 2006-04-05 | 2009-09-10 | ボーズ・コーポレーション | Spectral filter formation |
| JP2010528894A (en) * | 2007-06-01 | 2010-08-26 | エルジー・ケム・リミテッド | Composite film and manufacturing method thereof |
| JP2012032690A (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Seiko Epson Corp | Optical article and manufacturing method thereof |
| US8159748B2 (en) | 2007-01-23 | 2012-04-17 | Seiko Epson Corporation | Optical article and manufacturing method thereof |
| CN104120398A (en) * | 2014-08-11 | 2014-10-29 | 中国建材国际工程集团有限公司 | Continuous deposition method of refractive index matching layer in shadow eliminating glass |
| WO2025089064A1 (en) * | 2023-10-23 | 2025-05-01 | 芝浦機械株式会社 | Laminate and method for manufacturing laminate |
-
1996
- 1996-11-27 JP JP8316028A patent/JPH10160902A/en active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009532747A (en) * | 2006-04-05 | 2009-09-10 | ボーズ・コーポレーション | Spectral filter formation |
| US9313482B2 (en) | 2006-04-05 | 2016-04-12 | Bose Corporation | Forming spectral filters |
| US10397558B2 (en) | 2006-04-05 | 2019-08-27 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | Forming spectral filters |
| JP2007308795A (en) * | 2006-04-17 | 2007-11-29 | Shincron:Kk | Colored substrate manufacturing method and colored substrate |
| US8159748B2 (en) | 2007-01-23 | 2012-04-17 | Seiko Epson Corporation | Optical article and manufacturing method thereof |
| JP2010528894A (en) * | 2007-06-01 | 2010-08-26 | エルジー・ケム・リミテッド | Composite film and manufacturing method thereof |
| JP2012032690A (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Seiko Epson Corp | Optical article and manufacturing method thereof |
| US8789944B2 (en) | 2010-08-02 | 2014-07-29 | Hoya Lens Manufacturing Philippines Inc. | Optical article and optical article production method |
| CN104120398A (en) * | 2014-08-11 | 2014-10-29 | 中国建材国际工程集团有限公司 | Continuous deposition method of refractive index matching layer in shadow eliminating glass |
| WO2025089064A1 (en) * | 2023-10-23 | 2025-05-01 | 芝浦機械株式会社 | Laminate and method for manufacturing laminate |
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