JPH10160902A - 反射防止膜及びその形成方法並びに形成装置 - Google Patents
反射防止膜及びその形成方法並びに形成装置Info
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- JPH10160902A JPH10160902A JP8316028A JP31602896A JPH10160902A JP H10160902 A JPH10160902 A JP H10160902A JP 8316028 A JP8316028 A JP 8316028A JP 31602896 A JP31602896 A JP 31602896A JP H10160902 A JPH10160902 A JP H10160902A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用するターゲットが単一ですみ、単一のス
パッタ装置で膜形成を行うことのできる反射防止膜及び
その形成方法を提供する。 【解決手段】 スパッタ装置１は、成膜室２と、ターゲ
ット１５にエネルギーを当てる手段と、成膜室内の雰囲
気を制御する手段（ガス供給管２１、ボンベ２９、３５
等）を備える。この装置１において、低屈折率膜と高屈
折率膜とをスパッタ法により積層して反射防止膜を形成
する際に、ターゲット材をＳｉ一種として、スパッタ時
の雰囲気ガスをＯ2 とし、その濃度又は圧力をコントロ
ールすることにより、低屈折率膜としてのＳｉＯ2 膜
（ｎ＝１．６）と高屈折率膜としてのＳｉＯ膜（ｎ＝
１．９）を基板上に積層する。これにより、ターゲット
材は一種類でありながら、低屈折率膜と高屈折率膜の積
層構造のＡＲ膜を得ることができる。
パッタ装置で膜形成を行うことのできる反射防止膜及び
その形成方法を提供する。 【解決手段】 スパッタ装置１は、成膜室２と、ターゲ
ット１５にエネルギーを当てる手段と、成膜室内の雰囲
気を制御する手段（ガス供給管２１、ボンベ２９、３５
等）を備える。この装置１において、低屈折率膜と高屈
折率膜とをスパッタ法により積層して反射防止膜を形成
する際に、ターゲット材をＳｉ一種として、スパッタ時
の雰囲気ガスをＯ2 とし、その濃度又は圧力をコントロ
ールすることにより、低屈折率膜としてのＳｉＯ2 膜
（ｎ＝１．６）と高屈折率膜としてのＳｉＯ膜（ｎ＝
１．９）を基板上に積層する。これにより、ターゲット
材は一種類でありながら、低屈折率膜と高屈折率膜の積
層構造のＡＲ膜を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板やハー
ドコート付きＰＥＴ基板等の表面に形成する反射防止膜
（ＡＲ膜）及びその形成方法に関する。特には、使用す
るターゲット材料が単一ですみ、単一のスパッタリング
装置で膜形成を行うことのできる反射防止膜及びその形
成方法に関する。
ドコート付きＰＥＴ基板等の表面に形成する反射防止膜
（ＡＲ膜）及びその形成方法に関する。特には、使用す
るターゲット材料が単一ですみ、単一のスパッタリング
装置で膜形成を行うことのできる反射防止膜及びその形
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の光機能製品の表面には、有害な光
の反射を防止するための反射防止膜（ＡＲ膜）が施され
ている。図２は、代表的なＡＲ膜の構造を模式的に示す
断面図である。図において、基板５５（ＰＥＴフィル
ム、ガラス基板等）と、同基板上に形成されているＡＲ
膜５０が示されている。
の反射を防止するための反射防止膜（ＡＲ膜）が施され
ている。図２は、代表的なＡＲ膜の構造を模式的に示す
断面図である。図において、基板５５（ＰＥＴフィル
ム、ガラス基板等）と、同基板上に形成されているＡＲ
膜５０が示されている。
【０００３】図２のＡＲ膜５０は、低屈折率膜５１と高
屈折率膜５３とが、交互に層状に成膜された構造を有す
る。低屈折率膜用材料としては、ＳｉＯ2 （屈折率ｎ＝
１．６）、ＭｇＦ2 （ｎ＝１．３８）等が用いられる。
高屈折率膜用材料としては、ＺｒＯ2 （ｎ＝２．０）、
ＴｉＯ2 （ｎ＝２．２）、ＩＴＯ（ｎ＝１．９）、Ｃｅ
Ｏ2 （ｎ＝２．１）、Ｙ2 Ｏ3 （ｎ＝１．８）等が用い
られる。
屈折率膜５３とが、交互に層状に成膜された構造を有す
る。低屈折率膜用材料としては、ＳｉＯ2 （屈折率ｎ＝
１．６）、ＭｇＦ2 （ｎ＝１．３８）等が用いられる。
高屈折率膜用材料としては、ＺｒＯ2 （ｎ＝２．０）、
ＴｉＯ2 （ｎ＝２．２）、ＩＴＯ（ｎ＝１．９）、Ｃｅ
Ｏ2 （ｎ＝２．１）、Ｙ2 Ｏ3 （ｎ＝１．８）等が用い
られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の低屈折率膜と高
屈折率膜が交互に積層されたＡＲ膜は、スパッタリング
等の蒸着法により成膜されるが、その成膜の際に種々の
ターゲット材料を用いる必要がある。したがって、成膜
工程が、複数のスパッタリング装置（あるいは特殊な装
置）を使用した複数のスパッタリング工程となり、設備
が複雑で高価になるとともに、成膜コストも高くなって
いた。
屈折率膜が交互に積層されたＡＲ膜は、スパッタリング
等の蒸着法により成膜されるが、その成膜の際に種々の
ターゲット材料を用いる必要がある。したがって、成膜
工程が、複数のスパッタリング装置（あるいは特殊な装
置）を使用した複数のスパッタリング工程となり、設備
が複雑で高価になるとともに、成膜コストも高くなって
いた。
【０００５】本発明は、使用するターゲット（蒸着源材
料）が単一ですみ、単一のスパッタリング装置で膜形成
を行うことのできる反射防止膜及びその形成方法を提供
することを目的とする。
料）が単一ですみ、単一のスパッタリング装置で膜形成
を行うことのできる反射防止膜及びその形成方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の反射防止膜は、低屈折率膜と高屈折率膜と
がスパッタリング法により積層されて形成された反射防
止膜であって； 両膜を構成する物質が、同一組成のタ
ーゲットからスパッタリングされた元素（ターゲット元
素）とガス成分元素との異なる組成の反応物であること
を特徴とする。
め、本発明の反射防止膜は、低屈折率膜と高屈折率膜と
がスパッタリング法により積層されて形成された反射防
止膜であって； 両膜を構成する物質が、同一組成のタ
ーゲットからスパッタリングされた元素（ターゲット元
素）とガス成分元素との異なる組成の反応物であること
を特徴とする。
【０００７】また、本発明の反射防止膜形成方法は、低
屈折率膜と高屈折率膜とをスパッタリング法により積層
して反射防止膜を形成する方法であって； 同一組成の
ターゲットを用い、スパッタ雰囲気ガスの種類及び／又
は条件を変えることにより、ターゲット元素とガス成分
元素との異なる組成の反応物をスパッタリング形成する
ことにより各膜を基体上に形成することを特徴とする。
屈折率膜と高屈折率膜とをスパッタリング法により積層
して反射防止膜を形成する方法であって； 同一組成の
ターゲットを用い、スパッタ雰囲気ガスの種類及び／又
は条件を変えることにより、ターゲット元素とガス成分
元素との異なる組成の反応物をスパッタリング形成する
ことにより各膜を基体上に形成することを特徴とする。
【０００８】さらに、本発明の反射防止膜の形成装置
は、 スパッタリング室と、ターゲットに電圧を印加す
る手段と、蒸着室内の雰囲気を制御する手段と、を備え
る反射防止膜形成装置であって； 低屈折率膜と高屈折
率膜とをスパッタリング法により積層して反射防止膜を
形成する際に、 同一組成のターゲットを用い、スパッ
タリング雰囲気ガスの種類及び／又は条件を変えること
により、ターゲット元素とガス成分元素との異なる組成
の反応物を基体上に形成することにより各膜を形成する
ことを特徴とする。
は、 スパッタリング室と、ターゲットに電圧を印加す
る手段と、蒸着室内の雰囲気を制御する手段と、を備え
る反射防止膜形成装置であって； 低屈折率膜と高屈折
率膜とをスパッタリング法により積層して反射防止膜を
形成する際に、 同一組成のターゲットを用い、スパッ
タリング雰囲気ガスの種類及び／又は条件を変えること
により、ターゲット元素とガス成分元素との異なる組成
の反応物を基体上に形成することにより各膜を形成する
ことを特徴とする。
【０００９】すなわち、ターゲットは一つであるが、ス
パッタリング時のガス成分元素との反応をコントロール
することにより組成の異なる複数の反応物を基体上に形
成する。例えば、ターゲット材をＳｉ一種として、スパ
ッタリング時の雰囲気ガスをＯ2 とし、その濃度又は圧
力をコントロールすることにより、低屈折率膜としての
ＳｉＯ2 膜（ｎ＝１．６）と高屈折率膜としてのＳｉＯ
膜（ｎ＝１．９）を基板上に積層する。これにより、タ
ーゲット材は一種類でありながら、低屈折率膜と高屈折
率膜の積層構造のＡＲ膜を得ることができる。
パッタリング時のガス成分元素との反応をコントロール
することにより組成の異なる複数の反応物を基体上に形
成する。例えば、ターゲット材をＳｉ一種として、スパ
ッタリング時の雰囲気ガスをＯ2 とし、その濃度又は圧
力をコントロールすることにより、低屈折率膜としての
ＳｉＯ2 膜（ｎ＝１．６）と高屈折率膜としてのＳｉＯ
膜（ｎ＝１．９）を基板上に積層する。これにより、タ
ーゲット材は一種類でありながら、低屈折率膜と高屈折
率膜の積層構造のＡＲ膜を得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明において用いることのでき
るターゲット材料の例としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚ
ｒ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｅ及びＹを挙げることができ
る。また、それらの合金であるＳｉ−Ｔｉ合金、Ｓｉ−
Ｔａ合金、Ｓｉ−Ｚｒ合金、Ｔｉ−Ｔａ合金、Ｚｒ−Ｔ
ｉ合金等を用いることもできる。ガス成分元素の例とし
ては、Ｏ及びＮを挙げることができる。
るターゲット材料の例としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚ
ｒ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｅ及びＹを挙げることができ
る。また、それらの合金であるＳｉ−Ｔｉ合金、Ｓｉ−
Ｔａ合金、Ｓｉ−Ｚｒ合金、Ｔｉ−Ｔａ合金、Ｚｒ−Ｔ
ｉ合金等を用いることもできる。ガス成分元素の例とし
ては、Ｏ及びＮを挙げることができる。
【００１１】低屈折率膜及び高屈折率膜を構成する反応
物質として好適な組合せの例は以下のとおりである。こ
れらを２層、３層、４層、６層等に積層してＡＲ膜を構
成する。 ＳｉＯ2 （ｎ＝１．６）：ＳｉＯ（ｎ＝１．９） ＴｉＯ2 （ｎ＝２．２）：ＴｉＯ（ｎ＝２．７） Ｔａ2 Ｏ5 ：ＴａＯ Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2 ＴｉＮ、ＴｉＮＯ、ＴｉＯ2
物質として好適な組合せの例は以下のとおりである。こ
れらを２層、３層、４層、６層等に積層してＡＲ膜を構
成する。 ＳｉＯ2 （ｎ＝１．６）：ＳｉＯ（ｎ＝１．９） ＴｉＯ2 （ｎ＝２．２）：ＴｉＯ（ｎ＝２．７） Ｔａ2 Ｏ5 ：ＴａＯ Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2 ＴｉＮ、ＴｉＮＯ、ＴｉＯ2
【００１２】本発明の反射防止膜を成膜するための装置
の一例について説明する。図１は、本発明の反射防止膜
を成膜するための装置の一例であるＰＥＴテープ用スパ
ッタ装置を模式的に示す平面図である。図中には、スパ
ッタ装置１の成膜室２中に、テープ１３を巻いたロール
３及びロール１１が図の左右に示されている。図の中央
部には、テープ１３をその表面に接触させて冷却するた
めのクーリングドラム７が示されている。テープ１３
は、左右のロール３、１１の間を往復する。この際に、
ガイド（ロール）５、９によって、クーリングドラム７
の表面に押し当てられる。成膜室２内は、真空排気管４
１に接続された真空ポンプ４３によって排気されてい
る。
の一例について説明する。図１は、本発明の反射防止膜
を成膜するための装置の一例であるＰＥＴテープ用スパ
ッタ装置を模式的に示す平面図である。図中には、スパ
ッタ装置１の成膜室２中に、テープ１３を巻いたロール
３及びロール１１が図の左右に示されている。図の中央
部には、テープ１３をその表面に接触させて冷却するた
めのクーリングドラム７が示されている。テープ１３
は、左右のロール３、１１の間を往復する。この際に、
ガイド（ロール）５、９によって、クーリングドラム７
の表面に押し当てられる。成膜室２内は、真空排気管４
１に接続された真空ポンプ４３によって排気されてい
る。
【００１３】クーリングドラム７の表面の近傍には、Ｓ
ｉターゲット１５が、２個横に並んで配置されている。
これらのターゲット１５には、図示せぬ電源を用いて、
ＤＣ又は４０〜５０kHz 程度のＡＣ電圧が印加され、雰
囲気ガスの酸素及び窒素イオンの衝突により、表面から
Ｓｉがスパッタされる。スパッタされたＳｉは、成膜室
内の雰囲気ガスと反応した後にクーリングドラム７表面
のテープ１３上に堆積する。
ｉターゲット１５が、２個横に並んで配置されている。
これらのターゲット１５には、図示せぬ電源を用いて、
ＤＣ又は４０〜５０kHz 程度のＡＣ電圧が印加され、雰
囲気ガスの酸素及び窒素イオンの衝突により、表面から
Ｓｉがスパッタされる。スパッタされたＳｉは、成膜室
内の雰囲気ガスと反応した後にクーリングドラム７表面
のテープ１３上に堆積する。
【００１４】成膜室２には、雰囲気ガスを供給するガス
供給管２１が接続されている。ガス供給管２１の先に
は、Ｏ2 供給管２５及びＮ2 供給管３１を介してＯ2 ボ
ンベ２９及びＮ2 ボンベ３５が接続されている。各供給
管２５及び３１には流量調整弁２７及び３３が設けられ
ており、各供給管２５及び３１に流れるガス流量を調整
できる。また、両ガス合流後のガス供給管２１にも流量
調整弁２３が設けられており、同管２１に流れるガス量
を調整できる。また、スパッタ速度を速めるために、Ａ
ｒガス供給用ボンベを加えて、混合ガスを供給できる形
にしてもよい。たとえばＡｒ量３０〜７０％体積で流し
てもよい。
供給管２１が接続されている。ガス供給管２１の先に
は、Ｏ2 供給管２５及びＮ2 供給管３１を介してＯ2 ボ
ンベ２９及びＮ2 ボンベ３５が接続されている。各供給
管２５及び３１には流量調整弁２７及び３３が設けられ
ており、各供給管２５及び３１に流れるガス流量を調整
できる。また、両ガス合流後のガス供給管２１にも流量
調整弁２３が設けられており、同管２１に流れるガス量
を調整できる。また、スパッタ速度を速めるために、Ａ
ｒガス供給用ボンベを加えて、混合ガスを供給できる形
にしてもよい。たとえばＡｒ量３０〜７０％体積で流し
てもよい。
【００１５】実施例 ターゲット材をＳｉ、ガス成分元素をＯとし、低屈折率
膜をＳｉＯ2 （ｎ＝１．６）で、高屈折率膜をＳｉＯ
（ｎ＝１．９）で形成した。低屈折率膜と高屈折率膜と
の切り替えは、クーリングドラムにおける走行方向（図
１のＡ、Ｂ）毎に切り替えた。
膜をＳｉＯ2 （ｎ＝１．６）で、高屈折率膜をＳｉＯ
（ｎ＝１．９）で形成した。低屈折率膜と高屈折率膜と
の切り替えは、クーリングドラムにおける走行方向（図
１のＡ、Ｂ）毎に切り替えた。
【００１６】この成膜の際の諸元（一例）は以下であっ
た。テープ材：ハードコート（ＰＭＭＡアクリル系材
料）付きＰＥＴテープ、クーリングドラム温度１０℃、
テープ走行速度１m/min 、ＳｉＯ2 スパッタＯ2 分圧
０．１Pa、ＳｉＯ蒸着時Ｏ2 分圧０．０５Pa なお、この時用いたガスはＡｒ−３０volume％Ｏ2 混合
ガスを用いた。
た。テープ材：ハードコート（ＰＭＭＡアクリル系材
料）付きＰＥＴテープ、クーリングドラム温度１０℃、
テープ走行速度１m/min 、ＳｉＯ2 スパッタＯ2 分圧
０．１Pa、ＳｉＯ蒸着時Ｏ2 分圧０．０５Pa なお、この時用いたガスはＡｒ−３０volume％Ｏ2 混合
ガスを用いた。
【００１７】上記成膜条件により、ＰＥＴテープ上に、
図２の５１〜５３の部分において、５５に近い側より見
て、第１層目をＳｉＯ：３０nm、第２層目をＳｉＯ2 ：
２０nm、第３層目をＳｉＯ：１２０nm、第４層目をＳｉ
Ｏ2 ：１００nmとして形成した。得られた反射防止膜は
良好な特性を示した。
図２の５１〜５３の部分において、５５に近い側より見
て、第１層目をＳｉＯ：３０nm、第２層目をＳｉＯ2 ：
２０nm、第３層目をＳｉＯ：１２０nm、第４層目をＳｉ
Ｏ2 ：１００nmとして形成した。得られた反射防止膜は
良好な特性を示した。
【００１８】その他の実施例 ターゲット材をＴｉ、ガス成分元素をＯとし、低屈折率
膜をＴｉＯ2 （ｎ＝２．２）で、高屈折率膜をＴｉＯ
（ｎ＝２．７）で形成した。低屈折率膜と高屈折率膜と
の切り替えは、クーリングドラムにおける走行方向（図
１のＡ、Ｂ）毎に切り替えた。得られた反射防止膜は良
好な特性を示した。
膜をＴｉＯ2 （ｎ＝２．２）で、高屈折率膜をＴｉＯ
（ｎ＝２．７）で形成した。低屈折率膜と高屈折率膜と
の切り替えは、クーリングドラムにおける走行方向（図
１のＡ、Ｂ）毎に切り替えた。得られた反射防止膜は良
好な特性を示した。
【００１９】ターゲット材をＳｉ、ガス成分元素をＯ及
びＮとし、低屈折率膜をＳｉ3 Ｎ4で、中間膜をＳｉＯ
Ｎ、高屈折率膜をＳｉＯ2 で形成した。各膜との切り替
えは、クーリングドラムにおける走行方向（図１のＡ、
Ｂ）毎に切り替えた。得られた反射防止膜は良好な特性
を示した。
びＮとし、低屈折率膜をＳｉ3 Ｎ4で、中間膜をＳｉＯ
Ｎ、高屈折率膜をＳｉＯ2 で形成した。各膜との切り替
えは、クーリングドラムにおける走行方向（図１のＡ、
Ｂ）毎に切り替えた。得られた反射防止膜は良好な特性
を示した。
【００２０】ターゲット材をＴｉ、ガス成分元素をＯ及
びＮとし、低屈折率膜をＴｉ3 Ｎ4で、中間膜をＴｉＯ
Ｎ、高屈折率膜をＴｉＯで形成した。各膜との切り替え
は、クーリングドラムにおける走行方向（図１のＡ、
Ｂ）毎に切り替えた。得られた反射防止膜は良好な特性
を示した。
びＮとし、低屈折率膜をＴｉ3 Ｎ4で、中間膜をＴｉＯ
Ｎ、高屈折率膜をＴｉＯで形成した。各膜との切り替え
は、クーリングドラムにおける走行方向（図１のＡ、
Ｂ）毎に切り替えた。得られた反射防止膜は良好な特性
を示した。
【００２１】なお、上の実施例においては、フィルムへ
のスパッタの例を示したが、ガラス基板、偏光板基板等
の曲げることが困難な基板に対して成膜を行う場合にお
いても本発明が有効であるのは言うまでもない。
のスパッタの例を示したが、ガラス基板、偏光板基板等
の曲げることが困難な基板に対して成膜を行う場合にお
いても本発明が有効であるのは言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は以下の効果を発揮する。 使用するターゲットが一種類となるので、ＡＲ膜作
製装置が簡単、小規模となる。 ターゲット材料が単一なので、成膜時の取り扱いが
簡便となる。 上記との結果、低価格の成膜が可能となる。 ＡＲ膜構成を２層構成又は４層、３層構成に種々変
更しながら、生産を単一の装置で行うことができ、多様
で安価なＡＲ膜を作製できる。
は以下の効果を発揮する。 使用するターゲットが一種類となるので、ＡＲ膜作
製装置が簡単、小規模となる。 ターゲット材料が単一なので、成膜時の取り扱いが
簡便となる。 上記との結果、低価格の成膜が可能となる。 ＡＲ膜構成を２層構成又は４層、３層構成に種々変
更しながら、生産を単一の装置で行うことができ、多様
で安価なＡＲ膜を作製できる。
【図１】本発明の反射防止膜を成膜するための装置の一
例であるＰＥＴテープ用スパッタ装置を模式的に示す平
面図である。
例であるＰＥＴテープ用スパッタ装置を模式的に示す平
面図である。
【図２】代表的なＡＲ膜の構造を模式的に示す断面図で
ある。
ある。
１…スパッタ装置、２…成膜室、３、１１…ロール、
５、９…ガイド、７…クーリングドラム、１３…テー
プ、１５…ターゲット（蒸着源）、２１…ガス供給管、
２３、２７、３３…流量調整弁、２５…Ｏ2 供給管、２
９…Ｏ2 ボンベ、３１…Ｎ2 供給管、３５…Ｎ2 ボン
ベ、４１…真空排気管、４３…真空ポンプ、５０…ＡＲ
膜、５１…低屈折率膜、５３…高屈折率膜、５５…基板
５、９…ガイド、７…クーリングドラム、１３…テー
プ、１５…ターゲット（蒸着源）、２１…ガス供給管、
２３、２７、３３…流量調整弁、２５…Ｏ2 供給管、２
９…Ｏ2 ボンベ、３１…Ｎ2 供給管、３５…Ｎ2 ボン
ベ、４１…真空排気管、４３…真空ポンプ、５０…ＡＲ
膜、５１…低屈折率膜、５３…高屈折率膜、５５…基板
Claims (13)
- 【請求項１】 低屈折率膜と高屈折率膜とがスパッタリ
ング法により積層されて形成された反射防止膜であっ
て；両膜を構成する物質が、同一組成のターゲットから
スパッタされた元素（ターゲット元素）とガス成分元素
との異なる組成の反応物であることを特徴とする反射防
止膜。 - 【請求項２】 上記ターゲット元素が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍ
ｇ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｅ及びＹからなる群か
ら選ばれた１又は２以上であり、 上記ガス成分元素が、Ｏ及びＮからなる群から選ばれた
１又は２であることを特徴とする請求項１記載の反射防
止膜。 - 【請求項３】 上記各膜が、同一金属元素の亜酸化状態
又は完全酸化状態の物質からなることを特徴とする請求
項１記載の反射防止膜。 - 【請求項４】 上記ターゲット元素がＳｉであり、上記
ガス成分元素がＯであり、上記低屈折率膜がＳｉＯ2 か
らなり、上記高屈折率膜がＳｉＯx （０．１≦ｘ＜２．
０）からなることを特徴とする請求項１記載の反射防止
膜。 - 【請求項５】 上記ターゲット元素がＴｉであり、上記
ガス成分元素がＯであり、上記低屈折率膜がＴｉＯ2 か
らなり、上記高屈折率膜がＴｉＯx （０．１≦ｘ＜２）
からなることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。 - 【請求項６】 低屈折率膜と高屈折率膜とをスパッタリ
ング法により積層して反射防止膜を形成する方法であっ
て；同一組成のターゲットを用い、スパッタリング雰囲
気ガスの種類及び／又は条件を変えることにより、ター
ゲット元素とガス成分元素との異なる組成の反応物を基
体上に形成することにより各膜を形成することを特徴と
する反射防止膜形成方法。 - 【請求項７】 上記ターゲット元素が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍ
ｇ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｅ及びＹからなる群か
ら選ばれた１又は２以上であり、 上記ガス成分元素が、Ｏ及びＮからなる群から選ばれた
１又は２であることを特徴とする請求項６記載の反射防
止膜形成方法。 - 【請求項８】 上記各膜が、同一金属元素の亜酸化状態
又は完全酸化状態の物質からなることを特徴とする請求
項６記載の反射防止膜形成方法。 - 【請求項９】 上記ターゲット材料としてＳｉターゲッ
トを用い、上記雰囲気ガスとしてＯを用いて反応物Ｓｉ
Ｏx （ｘ＝０．１〜１．９）を形成することを特徴とす
る請求項６記載の反射防止膜形成方法。 - 【請求項１０】 上記ターゲット材料としてＴｉターゲ
ットを用い、上記雰囲気ガスとしてＯを用いて反応物Ｔ
ｉＯx （ｘ＝０．１〜１．９）を形成することを特徴と
する請求項６記載の反射防止膜形成方法。 - 【請求項１１】 上記ターゲット材料としてＳｉターゲ
ットを用い、上記雰囲気ガスとしてＯ及びＮを用いて反
応物ＳｉＯx Ｎy （ｘ＝０．１〜１．９、ｙ＝０．１〜
１．９）を形成することを特徴とする請求項６記載の反
射防止膜形成方法。 - 【請求項１２】 上記スパッタ法を蒸着により行うこと
を特徴とする請求項６〜１０いずれか１項記載の反射防
止膜形成方法。 - 【請求項１３】 蒸着室と、蒸着源にエネルギーを当て
る手段と、蒸着室内の雰囲気を制御する手段と、を備え
る反射防止膜形成装置であって；低屈折率膜と高屈折率
膜とを蒸着法により積層して反射防止膜を形成する際
に、 同一組成の蒸着源を用い、蒸着雰囲気ガスの種類及び／
又は条件を変えることにより、蒸着源元素とガス成分元
素との異なる組成の反応物を基体上に蒸着することによ
り各膜を形成することを特徴とする反射防止膜形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8316028A JPH10160902A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 反射防止膜及びその形成方法並びに形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8316028A JPH10160902A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 反射防止膜及びその形成方法並びに形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10160902A true JPH10160902A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18072455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8316028A Pending JPH10160902A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 反射防止膜及びその形成方法並びに形成装置 |
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| JP (1) | JPH10160902A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-11-27 JP JP8316028A patent/JPH10160902A/ja active Pending
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