JPH10161128A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
透過率かつ高速応答性を有する、横電界型の液晶表示装
置を提供する。 【解決手段】 自発分極を発生する液晶を用いると共
に、その自発分極をさせるための配向手段を用いること
により、その液晶を自発分極させる。その自発分極した
液晶に対して電極にて横電界を付与することにより、基
板表面に平行な液晶分子を回転するように駆動させる。
Description
分子や円錐形(またはくさび形)分子からなる液晶など
の自発分極を発生するネマティック液晶を用い、横電界
を液晶の自発分極に作用させることにより駆動させる新
規な液晶表示装置に関する。
装置として、従来、一対の基板の間に、基板面に対して
水平に配向したn型ネマティック液晶を設け、横電界を
その液晶の誘電率異方性に作用させることによって駆動
するものが知られている(特開平6−160878
号)。
示装置においては、開口率が低いことと、応答速度が遅
いことが問題であった。以下に、従来技術の構成につい
て説明し、次いでこれらの問題点について説明する。
よび(c)に示すように、液晶分子205は上・下基板
203、203間にツイストすることなく、かつ基板2
03の表面に概ね平行に配向させておく。さらに、上・
下基板203、203のいずれかに貼り付けた偏光板2
06の吸収軸209を液晶分子205の分子軸の方向2
08に一致させ、他方の基板203に貼り付ける偏光板
206の吸収軸209を分子軸の方向208と垂直にす
る。従って、下基板に貼り付けた偏光板を透過した直線
偏光の光軸と液晶分子の光軸とが一致するため、液晶層
による複屈折は生じず、液晶パネルの下方からの直線偏
光は楕円偏光となることなく、また、その光軸を変化さ
せることなく、上基板に貼り付けた偏光板に到達し遮断
される。なお、液晶パネルは、偏光板の無い状態のもの
である。
うに、液晶分子205の分子軸の方向208と一定の角
度をなし、かつ基板表面に概ね平行な方向207に電界
Eを印加した場合、液晶分子205の誘電率異方性のた
めに、液晶分子205の短軸が電気力線に垂直になるよ
うに基板表面と平行な面内で回転する。その結果、下基
板に貼り付けた偏光板を通過した直線偏光の光軸と液晶
分子の分子軸の方向とがずれるため、液晶パネルの下方
からの光を透過する。なお、図10中の201、202
は電極、204は配向制御膜である。
において開口率が低いのは、液晶分子の運動が誘電率異
方性に起因しているからである。この液晶表示装置で
は、透過率を最大にするためには、液晶分子を45度回
転させなければならない。そのために必要な電界強度は
液晶分子の誘電率異方性、弾性定数の大きさ等の関数で
あるが、一般的な液晶材料では1V/μm程度である。
これを現状の画素サイズに適用する場合、画素の短辺の
長さが80μm程度であるから80V程度の駆動電圧が
必要となる。しかしながら、通常のマトリックス駆動系
に於いて80V程度の駆動電圧は実用的でなはい。それ
故、従来の液晶表示装置では、前記電極201と202
とで挟まれた画素内に新たな電極(図示せず)を設ける
ことで、電極間隔を狭め、駆動電圧を低減している。同
時に、新たに設けた電極部分が遮光部分となるため開口
率が低下するからである。
いのは、以下の理由である。応答速度は、印加電圧の増
加に伴う応答速度と、印加電圧減少に伴う応答速度に大
別される。従来の液晶表示装置で、とりわけ問題となっ
ているのは印加電圧減少に伴う応答速度の遅さである。
その主な原因の一つは、電界を誘電率異方性に作用させ
ることにある。つまり、印加電圧が増大するときには電
界が液晶の誘電率異方性に作用することで液晶分子の運
動に推進力を与えるのに対して、電界が減少する際には
電界による推進力が得られないことにあるからである。
解決すべくなされたものであり、現状の画素サイズ及び
駆動電圧の範囲で、高透過率かつ高速応答性を有する、
横電界型の液晶表示装置を提供することを目的とする。
は、対向配設された一対の基板の間に自発分極を発生す
るネマティック液晶が設けられ、該一対の基板の少なく
とも一方の基板に基板表面に概ね平行な成分を有する横
電界を発生させるための電極が形成され、かつ、該一対
の基板の各々に、該ネマティック液晶が基板表面に概ね
平行な自発分極を発生するように、該ネマティック液晶
を配向させるための配向手段が施され、そのことにより
上記目的が達成される。
ティック液晶に、バナナ形分子からなる液晶または円錐
形分子からなる液晶を用いることが好ましい。
なくとも1つが液晶性を示す略棒状分子の2つ以上を結
合したものであってもよい。
なくとも1つが液晶性を示す略棒状分子の2つ以上を、
環状化合物の置換基として、少なくとも2つの略棒状分
子の長軸方向が互いに交差するように結合したものであ
ってもよい。
する化合物であるのが好ましい。
なくとも1つが液晶性を示す略棒状分子の2つ以上を、
非直線型化合物の置換基として、少なくとも2つの略棒
状分子の長軸方向が互いに交差するように結合したもの
であってもよい。
を有する化合物であるのが好ましい。
を誘電率異方性に対する横電界の作用によって動作させ
ていたのを、液晶を自発分極させ、自発分極した液晶に
対して基板表面に概ね平行な成分を有する横電界を付与
することによって動作させることとしている。具体的に
は、自発分極を発生する液晶を用いると共に、その自発
分極をさせるための配向手段を用いることにより、その
液晶を自発分極させる。その自発分極した液晶に対して
電極にて横電界を付与することにより、基板表面に平行
な液晶分子を回転するように駆動させる。
圧を低減でき、従来必要とした画素内の電極を排除する
ことが可能となり、その結果として開口率を向上させ得
る。また、上述したように自発分極した液晶に対して横
電界を付与することによって動作させるので、応答速度
の高速化を図ることが可能となる。
としては、例えばバナナ形分子や円錐形分子(またはく
さび形分子)からなる液晶を用いることができる。
(またはくさび形分子)は、例えば、略棒状分子の2つ
以上を結合することにより合成可能であり、少なくとも
1つが液晶性を示す略棒状分子を用いれば、バナナ形液
晶分子または円錐形液晶分子を得ることができる。ま
た、少なくとも1つが液晶性を示す略棒状分子の2つ以
上を、環状化合物や非直線型化合物の置換基として、そ
のうちの少なくとも2つの略棒状分子の長軸方向が互い
に交差するように結合することによっても、バナナ形液
晶分子や円錐形液晶分子を得ることができる。特に、環
状化合物や非直線型化合物として双極子モーメントを有
するものを用いると、得られるバナナ形分子や円錐形分
子の永久双極子モーメントを大きくすることができる。
作原理につき説明する。
加時の概念図の一例を示す。なお、ここでは、液晶分子
の形としては、図1(a)に示すような円錐形(または
くさび形)の分子からなる液晶を例に挙げている。
有する液晶を、図1(b)に示すように、スプレー配向
させるための配向処理が施された配向制御膜を共に有す
る一対の基板104、104の間に挟持させることによ
り液晶がスプレー配向する。この場合、スプレー変形に
よって個々の液晶分子101の配置に一定の規則性が生
じるため、即ち個々の液晶分子101の永久双極子モー
メント102の向きに一定の規則性が生じるため、矢印
103の基板表面に平行な方向に自発分極が発現する。
このときの各液晶分子101の永久双極子モーメント1
02の方向は、各々基板表面に平行な成分を有するもの
となっている。
を作用させるものであり、液晶の誘電率異方性に横電界
を作用させる従来技術とは本質的に異なる。
晶表示装置の動作原理を、詳細に説明する。
所定間隔をあけて横電界発生用の電極201a、201
bを設け、上下基板の各々に貼り付ける偏光板を、液晶
101の屈折率異方性を考慮して、上偏光板の吸収軸を
206aの方向にし、下偏光板の吸収軸を206bの方
向にして上下基板に貼り付けた。自発分極の方向は20
4に示すようになした。
は、下偏光板を透過した直線偏光は、その偏光軸を回転
することなく、かつ直線偏光を維持しつつ液晶層を通過
し、上偏光板によって完全に遮断される。
7にて電極201a、201bに電圧を印加すると、矢
印205のような横電界が生じ、これが自発分極した液
晶101に作用し、液晶101を回転させる。その結
果、液晶層に屈折率異方性が生じ、下偏光板を通過した
直線偏光を楕円偏光にする、またはその偏光軸を回転さ
せるため、その光の一部が上基板に貼り付けた偏光板を
通過することが出来る。したがって、本発明では、液晶
分子の運動の推進力が、自発分極した液晶層に対して基
板表面に概ね平行な成分を有する電界を付与することに
よるものであるので、高速応答性が得られる。この高速
応答性は電圧を増加させるときよりも、電圧を減少させ
るときに顕著に現れる。さらに、用いる種々の材料及び
配向制御手段の配向状態により自発分極を大きくするこ
とで駆動電圧が低減できるため、従来技術では駆動電圧
が高いが故に必要であった画素内の電極が不要となり、
その分開口率が増大する。
の液晶分子の場合を例に挙げているが、本発明はこれに
限らず、ベンド配向によって自発分極を発生するバナナ
形の液晶分子からなる液晶、たとえばMBBAを含め
る、自発分極を発生するすべてのネマティック液晶を使
用する場合にも同様に適用できる。
を使用する場合は、自発分極したときの分子配列が若干
異なるだけで、駆動の際の動作については円錐形の液晶
分子の場合と同様である。
が自発分極するまでの状態を説明する。
液晶材料の個々の液晶分子に注目した模式図である。図
中の403、404はベンド配向するように配向処理を
施した基板であり、402は永久双極子モーメントであ
る。
永久双極子モーメント402に電界が作用して永久双極
子モーメント402の向きが揃い、圧電効果により巨視
的な領域で矢印405の方向に自発分極が発生する。こ
のときの各液晶分子305の方向は、基板表面に平行な
成分を有するものとなっている。
くさび形)の分子は、略棒状分子の2つ以上を結合する
ことにより合成可能であり、そのうちの少なくとも1つ
として下記表1に示すような液晶性を示すものを用いれ
ば、バナナ形や円錐形の液晶分子を得ることができる。
例えば、液晶性を示す略棒状分子として、下記構造式1
に示すようなカルボキシル基を有するシッフ系化合物を
用い、下記構造式2に示すようなアルコール基を有する
化合物とエステル縮合反応させることにより、下記構造
式3に示すようなバナナ形の液晶分子を得ることが可能
である。また、同様にして、下記構造式10に示すよう
な円錐形分子を得ることができる。
くさび形)の分子は、略棒状分子の2つ以上を下記表2
〜4に示すような環状化合物や下記表5に示すような非
直線型化合物の置換基R1、R2として結合させることに
よっても合成可能である。ここで、略棒状分子は、少な
くとも2つの略棒状分子の長軸方向が互いに交差するよ
うな置換位置に結合させる。この場合にも、略棒状分子
のうちの少なくとも1つとして上記表1に示したような
液晶性を示すものを用いれば、バナナ形や円錐形の液晶
分子を得ることができる。例えば、液晶性を示す略棒状
分子として、上記構造式1に示したカルボキシル基を有
するシッフ系化合物を用い、下記構造式5に示すような
アルコール基を有する環状化合物とエステル縮合反応さ
せることにより、下記構造式6に示すようなバナナ形の
液晶分子を得ることが可能であり、また、上記構造式1
に類似の略棒状分子をエチレンの置換基として結合する
ことにより、下記構造式8に示すようなバナナ形の液晶
分子を得ることが可能である。また、同様にして、構造
式11や構造式12に示すような円錐形分子を得ること
ができる。
する環状化合物や、上記表4に示したようなヘテロ環化
合物のように双極子モーメントを有する環状化合物を用
いたり、上記表5のケトンのように双極子モーメントを
有する非直線型化合物を用いると、得られるバナナ形分
子や円錐形分子の永久双極子モーメントを大きくするこ
とができる。例えば下記構造式7や下記構造式9に示す
ようなバナナ形分子や、下記構造式13aや13bに示
すような円錐形分子が挙げられる。
て、液晶性を示す略棒状分子は、その2つまたは3つ以
上が液晶性を示さない略棒状分子や環状化合物または非
直線形化合物と結合されていてもよい。また、略棒状分
子は少なくとも1つが液晶性を示すものであればよく、
他のものは液晶性を示さないものであってもよい。
は、上述したベンド配向するバナナ形の分子からなる液
晶や、スプレー配向する円錐形の分子からなる液晶に限
らず、自発分極を発生する総てのネマティック液晶が該
当し、n型、p型に限定されない。
を発生する液晶を自発分極するように配向させる配向手
段としては、配向制御膜にラビング処理などの配向処理
を行うことが該当する。また、配向制御膜に用いる材料
を選定することにより、チルト角を調整できる。本発明
は、このような配向手段を一対の基板のそれぞれに形成
することにより、自発分極を発生する液晶を所定の配向
状態にすることができるのである。
概略図(平面図)であり、図5はその1画素部分を示す
平面図、図6は図5のA−A′線による断面図である。
502との間にネマティック液晶510が封入されてお
り、液晶510には、この例ではスプレー配向する円錐
形の液晶分子からなる液晶材料が用いられている。
ート電極503aを分岐して有する走査線503が配線
され、その上に絶縁膜511が形成されている。この絶
縁膜511のゲート電極503a上には半導体層512
が形成され、半導体層512の上で分離されてソース電
極514およびドレイン電極515が形成されている。
以上により薄膜トランジスタ素子601が構成されてい
る。
ら分岐した部分である。ドレイン電極515は、一対の
電極603、604のうちの一方の電極603が接続さ
れている。他方の電極604は、前記絶縁膜511の上
に形成され、両電極603と604とが対向する部分
で、前記液晶510に横電界を付与して液晶510を駆
動する画素表示部605が構成されている。他方の電極
604は、絶縁膜511の上に形成されたコモン線50
5に接続されており、また、前記信号線504も、絶縁
膜511の上に形成されている。この状態の基板の上に
は、絶縁膜516が形成され、その絶縁膜516の上に
は配向制御膜517が形成されている。更に、基板50
2の液晶510とは反対側には、偏光板518が設けら
れている。
クス基板とは液晶510を挟んで反対側の基板501に
は、液晶510とは反対側に偏光板521が設けられて
おり、液晶510側には前記画素表示部605と対向し
てカラーフィルター607が形成され、カラーフィルタ
ー607の上には平坦化膜522が形成されている。こ
の平坦化膜522の上には配向制御膜523が形成さ
れ、この配向制御膜523と前記配向制御膜517とは
液晶510の液晶分子をスプレー配向させる配向処理が
施されている。
成する一対の電極603と604の対向部分は突起状態
に形成され、その突起部分603a、604aが基板5
20に設けた配向制御膜523と接触し、固着してい
る。この突起部分はセルギャップを調整するためのスペ
ーサーとしての機能を有する。また、両基板に達するよ
うに電極603、604の突起部分603a、604a
を設けた場合は、それより低い場合や突起部分が無い電
極の場合よりも、駆動できる液晶厚み部分を増大させ得
る。但し、低い場合や突起部分が無い電極を用いてもよ
い。この場合は作製コストの低廉化が図れる。
線504には信号駆動回路507から映像信号が与えら
れ、走査線503には走査駆動回路508から走査信号
が与えられる。また、コモン線505にはコモン電圧発
生回路509からコモン電圧が与えられる。
典型的な作製法により作製してあり、薄膜トランジスタ
素子601によるマトリックス駆動が可能なものであ
る。また、カラーフィルター607を有する画素表示部
605の対角線が12インチで、画素表示部605は6
40×400×3個の画素で構成され、セルギャップは
5μmである。
なる典型的なネマチック液晶材料である5CBを用いた
場合において、液晶表示装置の全ての画素表示部に同一
の電圧を印加して電圧透過率特性を測定した結果を示す
図である。
な横電界の強度は0.07V/μm程度である。従っ
て、短辺の長さが80μmの画素に一対の横電界用電極
のみを設けた場合でも、駆動電圧は5.6Vである。故
に、従来技術で必要としていた画素内への電極の導入が
不用となり、開口率が増加することが明らかになった。
また、透過率5%と95%の間で応答速度を測定したと
ころ電圧増加時と減少時の応答時間の和が12msec
であった。これは概ね従来技術よりも5倍程度高速であ
る。
して下記構造式1に示すカルボキシル基を有するシッフ
系化合物を用い、下記構造式2に示すアルコール基を有
する化合物とエステル縮合反応により結合させた。構造
式2中のn=3の場合には安定構造が下記構造式3に示
すようなバナナ形であり、n=2の場合には安定構造が
下記構造式4に示すような略直線形であった。
例1と同様の液晶表示装置を作製したところ、最大透過
率を与えるための駆動電圧を低減して開口率を高くする
と共に応答速度を高速化することができた。これに対し
て、上記構造式4の略直線形の化合物を用いた場合には
このような効果が得られなかった。
して下記構造式1に示すカルボキシル基を有するシッフ
系化合物を用い、下記構造式5に示すベンゼン環に2つ
のアルコール基を有する化合物であるジヒドロキシベン
ゼンとエステル縮合反応により結合させることにより、
下記構造式6に示すようなバナナ形の分子を得た。
例1と同様の液晶表示装置を作製したところ、最大透過
率を与えるための駆動電圧を低減して開口率を高くする
と共に応答速度を高速化することができた。また、上記
構造式5に示したジヒドロキシベンゼンの代わりに、上
記表2に示したような環状化合物を用いても同様な効果
が得られた。
ロキシベンゼンの代わりにフッ素置換されたベンゼン環
を用いることにより、下記構造式7に示すようなバナナ
形の分子を得た。
式6の分子に比べて大きな永久双極子モーメントを有し
ていた。その理由について、図8および図9を用いて以
下に説明する。
略および各棒状分子の双極子モーメントを示す図であ
り、図8(b)はその双極子モーメントの総和、即ち、
構造式6の液晶分子が有する永久双極子モーメントを示
す図である。また、図9(a)は上記構造式7の分子形
状の概略および各棒状分子の双極子モーメントを示す図
であり、図9(b)は構造式7の液晶分子が有する永久
双極子モーメントを示す図である。
のベンゼン環にフッ素置換基を導入したものであり、図
8と図9との違いはバナナ形分子の中央部にフッ素置換
基に由来する双極子モーメントがあるかないかというも
のである。図8および図9から明らかなように、構造式
6および構造式7の液晶分子が有する双極子モーメント
の総和、すなわち液晶分子の永久双極子モーメントは、
構造式7の方が大きくなる。
子モーメントが大きい上記構造式7のバナナ形分子を用
いて実施例1と同様の液晶表示装置を作製したところ、
上記構造式6のバナナ型分子を用いた場合よりもさらに
最大透過率を与えるための駆動電圧を低減して開口率を
高くすると共に応答速度を高速化することができた。こ
れにより、駆動回路の設計がしやすくなり、消費電力を
小さくすることができた。
に、上記表3に示したような置換基を有する環状化合物
や上記表4に示したような環状化合物を用いても同様に
永久双極子モーメントを増大させる効果が得られ、液晶
表示装置の高開口率化や応答速度の高速化を図ることが
できた。
して上記構造式1と類似の略棒状分子を用い、エチレン
基を介して結合させた。エチレン基に対して2つの棒状
分子がシス構造になるように合成した場合には下記構造
式8に示すようなバナナ形の分子が得られ、エチレン基
に対して2つの棒状分子がトランス構造になるように合
成した場合には略直線形の分子が得られた。
例1と同様の液晶表示装置を作製したところ、最大透過
率を与えるための駆動電圧を低減して開口率を高くする
と共に応答速度を高速化することができたが、略直線形
の化合物を用いた場合にはこのような効果が得られなか
った。
示したようなエーテル基を用いても液晶表示装置の高開
口率や応答速度の高速化を図ることができた。
表5に示したようなケトン基を用いることにより、下記
構造式9に示すようなバナナ形の分子を得た。
式8の分子に比べて大きな永久双極子モーメントを有し
ており、このバナナ形分子を用いて実施例1と同様の液
晶表示装置を作製したところ、上記構造式8のバナナ型
分子を用いた場合よりもさらに最大透過率を与えるため
の駆動電圧を低減して開口率を高くすると共に応答速度
を高速化することができた。
は、現状の画素サイズ及び駆動電圧の範囲で、高透過率
かつ高速応答性を有する、従来の液晶表示装置とは異な
った表示モードで動作する横電界型の液晶表示装置を提
供することが可能となった。
1つが液晶性を示す略棒状分子の2つ以上を結合させ、
または、少なくとも1つが液晶性を示す略棒状分子の2
つ以上を環状化合物や非直線化合物の置換基として結合
させた、充分な永久双極子モーメントを有するバナナ形
液晶分子または円錐形液晶分子(くさび形液晶分子)を
用いることにより、高透過率性および高速応答性等の優
れた特性を充分に向上させることができた。
を自発分極させるための一手段を説明する図である。
明の液晶表示装置の動作原理を説明する図である。
の液晶材料であるバナナ形の液晶分子からなる液晶を自
発分極させる場合の説明図である。
図)である。
である。
存特性を示す図である。
メントを示す図である。
メントを示す図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 対向配設された一対の基板の間に自発分
極を発生するネマティック液晶が設けられ、該一対の基
板の少なくとも一方の基板に基板表面に概ね平行な成分
を有する横電界を発生させるための電極が形成され、か
つ、該一対の基板の各々に、該ネマティック液晶が基板
表面に概ね平行な自発分極を発生するように、該ネマテ
ィック液晶を配向させるための配向手段が施されている
液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記ネマティック液晶に、バナナ形分子
からなる液晶または円錐形分子からなる液晶を用いてい
る請求項1に記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記バナナ形分子または円錐形分子が、
少なくとも1つが液晶性を示す略棒状分子の2つ以上を
結合したものである請求項2に記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記バナナ形分子または円錐形分子が、
少なくとも1つが液晶性を示す略棒状分子の2つ以上
を、環状化合物の置換基として、少なくとも2つの略棒
状分子の長軸方向が互いに交差するように結合したもの
である請求項2に記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記環状化合物が、双極子モーメントを
有する化合物である請求項4に記載の液晶表示装置。 - 【請求項6】 前記バナナ形分子または円錐形分子が、
少なくとも1つが液晶性を示す略棒状分子の2つ以上
を、非直線型化合物の置換基として、少なくとも2つの
略棒状分子の長軸方向が互いに交差するように結合した
ものである請求項2に記載の液晶表示装置。 - 【請求項7】 前記非直線型化合物が、双極子モーメン
トを有する化合物である請求項6に記載の液晶表示装
置。
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- 1997-10-01 US US08/942,355 patent/US6195145B1/en not_active Expired - Lifetime
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