JPH10162441A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH10162441A JPH10162441A JP8329112A JP32911296A JPH10162441A JP H10162441 A JPH10162441 A JP H10162441A JP 8329112 A JP8329112 A JP 8329112A JP 32911296 A JP32911296 A JP 32911296A JP H10162441 A JPH10162441 A JP H10162441A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 再生層及びメモリ層を有するダイレクトオー
バライト用光磁気記録媒体に微小磁区が記録された場合
でも、良好なＣ／Ｎの再生信号を得る。 【解決手段】 光変調ダイレクトオーバライト用光磁気
ディスク３０の再生層１２は、再生層１２よりも高保磁
力の磁性層２０とメモリ層１３に挟まれた構造を有す
る。磁性層２０にはＴｅＦｅＣｏ等の希土類遷移金属が
用いられる。再生層１２の厚みを増した場合でも、磁性
層２０とメモリ層１３とからの交換結合力により再生層
１２の垂直磁気異方性が保持され、優れたＣ／Ｎが得ら
れる。磁性層２０の膜厚は５〜５０オングストロームが
好適である。
バライト用光磁気記録媒体に微小磁区が記録された場合
でも、良好なＣ／Ｎの再生信号を得る。 【解決手段】 光変調ダイレクトオーバライト用光磁気
ディスク３０の再生層１２は、再生層１２よりも高保磁
力の磁性層２０とメモリ層１３に挟まれた構造を有す
る。磁性層２０にはＴｅＦｅＣｏ等の希土類遷移金属が
用いられる。再生層１２の厚みを増した場合でも、磁性
層２０とメモリ層１３とからの交換結合力により再生層
１２の垂直磁気異方性が保持され、優れたＣ／Ｎが得ら
れる。磁性層２０の膜厚は５〜５０オングストロームが
好適である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光磁気記録媒体に関
し、さらに詳細には光変調ダイレクトオーバーライトが
可能な光磁気記録媒体に関する。
し、さらに詳細には光変調ダイレクトオーバーライトが
可能な光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスク等の光磁気記録媒体は情
報の書換えが可能であるとともに大記憶容量を有するた
め、コンピュータの外部メモリーやオーディオ機器等に
広く用いられている。情報が一旦記録された光磁気記録
媒体に新たな情報を上書きするためには、磁気ヘッドと
同様に、記録装置に記録方向と逆方向の磁界を印加する
ための消去用ヘッドを併設して媒体を初期化するか、あ
るいは、前処理として記録装置又は消去装置を用いて記
録済み情報を消去する必要があった。このため、従来、
コンピュータの外部メモリー用として広く普及している
光磁気記録媒体では、記録済みの媒体に消去動作なしに
新たな情報を記録するオーバーライトは不可能であっ
た。
報の書換えが可能であるとともに大記憶容量を有するた
め、コンピュータの外部メモリーやオーディオ機器等に
広く用いられている。情報が一旦記録された光磁気記録
媒体に新たな情報を上書きするためには、磁気ヘッドと
同様に、記録装置に記録方向と逆方向の磁界を印加する
ための消去用ヘッドを併設して媒体を初期化するか、あ
るいは、前処理として記録装置又は消去装置を用いて記
録済み情報を消去する必要があった。このため、従来、
コンピュータの外部メモリー用として広く普及している
光磁気記録媒体では、記録済みの媒体に消去動作なしに
新たな情報を記録するオーバーライトは不可能であっ
た。
【０００３】これに対処するため、特開昭６２−１７５
９４８号は、照射する光ビームの強度を記録すべき２値
化情報に応じて変調する光変調方式を用いてオーバーラ
イトが可能な記録装置を開示している。その後、オーバ
ーライトが可能な光変調記録方式を改良した技術が、特
開昭６４−５０２５７号、特開平４−１２３３３９号、
特開昭６３−６４６５１号等に開示されれいる。
９４８号は、照射する光ビームの強度を記録すべき２値
化情報に応じて変調する光変調方式を用いてオーバーラ
イトが可能な記録装置を開示している。その後、オーバ
ーライトが可能な光変調記録方式を改良した技術が、特
開昭６４−５０２５７号、特開平４−１２３３３９号、
特開昭６３−６４６５１号等に開示されれいる。
【０００４】現在実用化されている光変調オーバーライ
ト光磁気記録媒体４０は、一般に、図３に示すように、
保護膜１１が形成された透明基板１０上に、磁性層とし
て、再生層１２、メモリ層１３、中間層１４、記録層１
５、スイッチ層１６及び初期化層１７の６磁性層を備え
る。オーバーライト媒体として機能させ、記録感度等の
特性を最適にするには、これら６磁性層膜の膜厚、組
成、その他成膜条件等を最適にする必要がある。
ト光磁気記録媒体４０は、一般に、図３に示すように、
保護膜１１が形成された透明基板１０上に、磁性層とし
て、再生層１２、メモリ層１３、中間層１４、記録層１
５、スイッチ層１６及び初期化層１７の６磁性層を備え
る。オーバーライト媒体として機能させ、記録感度等の
特性を最適にするには、これら６磁性層膜の膜厚、組
成、その他成膜条件等を最適にする必要がある。
【０００５】再生層１２は、再生信号のＣ／Ｎを向上す
るために設けられた層である。再生層１２を構成する材
料は、通常、メモリ層を構成する材料に比べて保磁力が
低く、キュリー温度が高い材料が使用され、またカー効
果等の磁気光学効果が大きな材料が使用されていた。例
えば、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ等の希土類金属−遷移金
属合金が用いられている。この再生層１２の成分、組成
及び膜厚を最適化することにより、現行の記録密度にお
いて記録された情報を再生可能なＣ／Ｎ比が達成されて
いる。
るために設けられた層である。再生層１２を構成する材
料は、通常、メモリ層を構成する材料に比べて保磁力が
低く、キュリー温度が高い材料が使用され、またカー効
果等の磁気光学効果が大きな材料が使用されていた。例
えば、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ等の希土類金属−遷移金
属合金が用いられている。この再生層１２の成分、組成
及び膜厚を最適化することにより、現行の記録密度にお
いて記録された情報を再生可能なＣ／Ｎ比が達成されて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光変調オー
バーライト媒体においても、記録密度を増大することに
よって大記憶容量化を図ることが要望されている。記録
密度を増大する方法として、記録用レーザー光を短波長
化してＮＡ（開口数）を増大しそれによって微小磁区を
形成する方法や、磁気超解像等の再生方式を用いて微小
磁区を高分解能で再生する方法が知られている。このよ
うに記録磁区が微小化すると、現行の磁性膜では実行的
なカー回転角が小さくなり、現行以上のＣ／Ｎ比を示す
光磁気記録媒体を得ることが困難となる。カー回転角を
増大させるためには、再生層の膜厚を厚くするか、ある
いは再生層の組成を遷移金属リッチにすること等が考え
られるが、膜厚を厚くしたり遷移金属リッチな膜にする
と再生信号のノイズが増大するため、Ｃ／Ｎ自体を向上
することが困難である。この原因は現時点では明らかで
はないが、再生層の垂直異方性が低下するためであると
考えられる。
バーライト媒体においても、記録密度を増大することに
よって大記憶容量化を図ることが要望されている。記録
密度を増大する方法として、記録用レーザー光を短波長
化してＮＡ（開口数）を増大しそれによって微小磁区を
形成する方法や、磁気超解像等の再生方式を用いて微小
磁区を高分解能で再生する方法が知られている。このよ
うに記録磁区が微小化すると、現行の磁性膜では実行的
なカー回転角が小さくなり、現行以上のＣ／Ｎ比を示す
光磁気記録媒体を得ることが困難となる。カー回転角を
増大させるためには、再生層の膜厚を厚くするか、ある
いは再生層の組成を遷移金属リッチにすること等が考え
られるが、膜厚を厚くしたり遷移金属リッチな膜にする
と再生信号のノイズが増大するため、Ｃ／Ｎ自体を向上
することが困難である。この原因は現時点では明らかで
はないが、再生層の垂直異方性が低下するためであると
考えられる。
【０００７】本発明の目的は、再生層及びメモリ層を有
する光磁気記録媒体に微小磁区が記録された場合でも、
良好なＣ／Ｎの再生信号が得られる光磁気記録媒体、特
にダイレクトオーバライト可能な光変調記録媒体を提供
することにある。
する光磁気記録媒体に微小磁区が記録された場合でも、
良好なＣ／Ｎの再生信号が得られる光磁気記録媒体、特
にダイレクトオーバライト可能な光変調記録媒体を提供
することにある。
【０００８】
【問題を解決するための手段】本発明に従えば、基板上
に再生層及びメモリ層を有する光磁気記録媒体におい
て、上記再生層が、該再生層の保磁力よりも高い保磁力
を有する磁性層と上記メモリ層により挟まれた構造を有
することを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
に再生層及びメモリ層を有する光磁気記録媒体におい
て、上記再生層が、該再生層の保磁力よりも高い保磁力
を有する磁性層と上記メモリ層により挟まれた構造を有
することを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【０００９】本発明の光磁気記録媒体は、再生層の保磁
力よりも高い保磁力を有する磁性層を再生層上であって
メモリ層と対向する側に設けている。かかる構造によ
り、再生層はメモリ層と磁気的に交換結合するととも
に、上記磁性層とも磁気的に交換結合することができ
る。それゆえ、再生層の膜厚を厚くしても、それらの交
換結合力により再生層の垂直磁気異方性が良好に維持さ
れることができると考えられる。
力よりも高い保磁力を有する磁性層を再生層上であって
メモリ層と対向する側に設けている。かかる構造によ
り、再生層はメモリ層と磁気的に交換結合するととも
に、上記磁性層とも磁気的に交換結合することができ
る。それゆえ、再生層の膜厚を厚くしても、それらの交
換結合力により再生層の垂直磁気異方性が良好に維持さ
れることができると考えられる。
【００１０】本発明の光磁気記録媒体において、上記磁
性層の厚みは５〜５０オングストローム（Ａ）であるこ
とが好ましい。磁性層の厚みが５Ａ未満であると磁性膜
の形成が困難となり、５０Ａを超えるとオーバライト機
能が損なわれるからである。上記再生層の厚みは、Ｃ／
Ｎを向上するために１００Ａ以上であることが好まし
い。再生層を構成する材料として、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ等の希土類−遷移金属合金が好ましく、磁性層及び
メモリ層を構成する材料としては、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、
ＴｂＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属合金が好ましい。
性層の厚みは５〜５０オングストローム（Ａ）であるこ
とが好ましい。磁性層の厚みが５Ａ未満であると磁性膜
の形成が困難となり、５０Ａを超えるとオーバライト機
能が損なわれるからである。上記再生層の厚みは、Ｃ／
Ｎを向上するために１００Ａ以上であることが好まし
い。再生層を構成する材料として、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ等の希土類−遷移金属合金が好ましく、磁性層及び
メモリ層を構成する材料としては、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、
ＴｂＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属合金が好ましい。
【００１１】また、上記磁性層の組成は、再生層の組成
に比べて原子％で遷移金属がリッチな膜が望ましく、遷
移金属ターゲットと希土類金属ターゲットの同時スパッ
タリング等で形成することができる。
に比べて原子％で遷移金属がリッチな膜が望ましく、遷
移金属ターゲットと希土類金属ターゲットの同時スパッ
タリング等で形成することができる。
【００１２】本発明は光変調方式で記録される光磁気記
録媒体に適用するのが好適であり、特にオーバライト可
能な光磁気記録媒体に適用するのが望ましい。また、本
発明の光磁気記録媒体の再生層、磁性層及びメモリ層
は、いずれも垂直磁化膜であることが好ましい。
録媒体に適用するのが好適であり、特にオーバライト可
能な光磁気記録媒体に適用するのが望ましい。また、本
発明の光磁気記録媒体の再生層、磁性層及びメモリ層
は、いずれも垂直磁化膜であることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態及び実
施例を図面を参照しながら具体的に説明する。図１に示
したような構造を有する本発明に従う光磁気記録媒体３
０を製造するために２槽のスパッタ槽を有するスパッタ
リング装置を用いる。このスパッタリング装置は、複数
の磁性層を積層するために、公自転するキャリアが第１
スパッタ槽と第２スパッタ槽に交合に送られるようにな
っている。第１及び第２スパッタリング槽には、各々３
個のターゲットが装着できるようになっており、積層す
る材料や組成に応じてこれらのターゲントのうち任意の
ターゲットをスパッタすることができる。
施例を図面を参照しながら具体的に説明する。図１に示
したような構造を有する本発明に従う光磁気記録媒体３
０を製造するために２槽のスパッタ槽を有するスパッタ
リング装置を用いる。このスパッタリング装置は、複数
の磁性層を積層するために、公自転するキャリアが第１
スパッタ槽と第２スパッタ槽に交合に送られるようにな
っている。第１及び第２スパッタリング槽には、各々３
個のターゲットが装着できるようになっており、積層す
る材料や組成に応じてこれらのターゲントのうち任意の
ターゲットをスパッタすることができる。
【００１４】ピッチ０．９μｍ、深さ５００Ａのトラッ
キング用案内溝がスパイラル状に刻まれた直径１３０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板１０をキャ
リアに装着した後、第１のスパッタリング槽内にセット
した。第１のスパッタリング槽にＳｉターゲットを装着
し、第１のスパッタリング槽内を５×１０-5Ｐａ以下の
圧力になるまで排気した。次いで、槽内にＡｒガス及び
Ｎ2 ガスを導入して圧力を０．５Ｐａに保持し、スパッ
タリング速度５００Ａ／分で反応性スパッタリングを行
い、ポリカーボネート基板上に第１保護膜１１である窒
化シリコンを厚さ７００Ａで形成した。
キング用案内溝がスパイラル状に刻まれた直径１３０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板１０をキャ
リアに装着した後、第１のスパッタリング槽内にセット
した。第１のスパッタリング槽にＳｉターゲットを装着
し、第１のスパッタリング槽内を５×１０-5Ｐａ以下の
圧力になるまで排気した。次いで、槽内にＡｒガス及び
Ｎ2 ガスを導入して圧力を０．５Ｐａに保持し、スパッ
タリング速度５００Ａ／分で反応性スパッタリングを行
い、ポリカーボネート基板上に第１保護膜１１である窒
化シリコンを厚さ７００Ａで形成した。
【００１５】こうして窒化シリコンが形成された基板
を、予め５×１０-5Ｐａ以下の圧力になるまで排気した
第２のスパッタリング槽内に送り、Ｔｂターゲット及び
Ｆｅ90Ｃｏ10ターゲットにより、Ａｒ圧０．３Ｐａ、ス
パッタリング速度３００Ａ／分の条件で同時スパッタリ
ングを行い、第１の保護膜１１の上にＴｂ15Ｆｅ76Ｃｏ
9 の高保磁力磁性層２０を形成した。ここで、後述する
光磁気ディスクの高保磁力磁性層２０の厚み対するＣ／
Ｎの関係を評価するために、高保磁力磁性層２０を０〜
２００Ａの範囲の種々の厚みに変更して成膜した。高保
磁力磁性層２０を成膜する際にスパッタリング装置の基
板ホルダ回転数を変化させることによりＴｂ及びＣｏの
繰り返し周期を種々の値に変化させた。
を、予め５×１０-5Ｐａ以下の圧力になるまで排気した
第２のスパッタリング槽内に送り、Ｔｂターゲット及び
Ｆｅ90Ｃｏ10ターゲットにより、Ａｒ圧０．３Ｐａ、ス
パッタリング速度３００Ａ／分の条件で同時スパッタリ
ングを行い、第１の保護膜１１の上にＴｂ15Ｆｅ76Ｃｏ
9 の高保磁力磁性層２０を形成した。ここで、後述する
光磁気ディスクの高保磁力磁性層２０の厚み対するＣ／
Ｎの関係を評価するために、高保磁力磁性層２０を０〜
２００Ａの範囲の種々の厚みに変更して成膜した。高保
磁力磁性層２０を成膜する際にスパッタリング装置の基
板ホルダ回転数を変化させることによりＴｂ及びＣｏの
繰り返し周期を種々の値に変化させた。
【００１６】次に、同じ第２のスパッタリング槽内で、
Ｇｄ22Ｆｅ52Ｃｏ26ターゲットにより、Ａｒ圧０．３Ｐ
ａ、スパッタリング速度３００Ａ／分の条件でスパッタ
リングを行い、高保磁力磁性層２０の上にＧｄ22Ｆｅ52
Ｃｏ26の読出層（再生層）１２を形成した。ここで、読
出層１２の厚みを１００〜５００Ａの範囲の種々の厚み
に変更して成膜した。
Ｇｄ22Ｆｅ52Ｃｏ26ターゲットにより、Ａｒ圧０．３Ｐ
ａ、スパッタリング速度３００Ａ／分の条件でスパッタ
リングを行い、高保磁力磁性層２０の上にＧｄ22Ｆｅ52
Ｃｏ26の読出層（再生層）１２を形成した。ここで、読
出層１２の厚みを１００〜５００Ａの範囲の種々の厚み
に変更して成膜した。
【００１７】次に、同じ第２のスパッタリング槽内で、
Ｔｂターゲット及びＦｅ90Ｃｏ10ターゲットにより、Ａ
ｒ圧０．３Ｐａ、スパッタリング速度３００Ａ／分の条
件で同時スパッタリングを行い、読出層１２の上にＴｂ
24Ｆｅ68Ｃｏ8 のメモリ層１３を厚さ２００Ａになるよ
うに形成した。メモリ層成膜時に、スパッタリング装置
の基板ホルダ回転数を変化させることによりＴｂ及びＣ
ｏの繰り返し周期を種々の周期に変化させた。
Ｔｂターゲット及びＦｅ90Ｃｏ10ターゲットにより、Ａ
ｒ圧０．３Ｐａ、スパッタリング速度３００Ａ／分の条
件で同時スパッタリングを行い、読出層１２の上にＴｂ
24Ｆｅ68Ｃｏ8 のメモリ層１３を厚さ２００Ａになるよ
うに形成した。メモリ層成膜時に、スパッタリング装置
の基板ホルダ回転数を変化させることによりＴｂ及びＣ
ｏの繰り返し周期を種々の周期に変化させた。
【００１８】こうしてメモリ層１３が形成された基板
を、予め５×１０-5Ｐａ以下の圧力になるまで排気した
第１のスパッタリング槽内に再び送った。第１のスパッ
タリング槽には、ターゲットとして、Ｇｄ32Ｆｅ64Ｃｏ
4 ターゲット，Ｄｙターゲット及びＦｅ65Ｃｏ35ターゲ
ットの３種のターゲットを装着した。最初に、Ｇｄ32Ｆ
ｅ64Ｃｏ4 ターゲットにより、Ａｒ圧０．３Ｐａ、スパ
ッタリング速度３００Ａ／分の条件でスパッタリングを
行い、メモリ層１３上にＧｄ32Ｆｅ64Ｃｏ4 の中間層１
４を１００Ａの厚みとなるように形成した。
を、予め５×１０-5Ｐａ以下の圧力になるまで排気した
第１のスパッタリング槽内に再び送った。第１のスパッ
タリング槽には、ターゲットとして、Ｇｄ32Ｆｅ64Ｃｏ
4 ターゲット，Ｄｙターゲット及びＦｅ65Ｃｏ35ターゲ
ットの３種のターゲットを装着した。最初に、Ｇｄ32Ｆ
ｅ64Ｃｏ4 ターゲットにより、Ａｒ圧０．３Ｐａ、スパ
ッタリング速度３００Ａ／分の条件でスパッタリングを
行い、メモリ層１３上にＧｄ32Ｆｅ64Ｃｏ4 の中間層１
４を１００Ａの厚みとなるように形成した。
【００１９】次に、同じ第１のスパッタリング槽内で、
Ｄｙターゲット及びＦｅ65Ｃｏ35ターゲットにより、Ａ
ｒ圧０．２Ｐａ、スパッタリング速度３００Ａ／分の条
件で同時スパッタリングを行い、中間層１４上にＤｙ23
Ｆｅ50Ｃｏ27の記録層１５を厚さ７００Ａになるように
形成した。この記録膜成膜時にスパッタリング装置の基
板ホルダ回転数を４０ｒｐｍとした。
Ｄｙターゲット及びＦｅ65Ｃｏ35ターゲットにより、Ａ
ｒ圧０．２Ｐａ、スパッタリング速度３００Ａ／分の条
件で同時スパッタリングを行い、中間層１４上にＤｙ23
Ｆｅ50Ｃｏ27の記録層１５を厚さ７００Ａになるように
形成した。この記録膜成膜時にスパッタリング装置の基
板ホルダ回転数を４０ｒｐｍとした。
【００２０】こうして中間層１５が形成された基板を、
予め５×１０-5Ｐａ以下の圧力になるまで排気した第２
のスパッタリング槽内に再び送った。第２のスパッタリ
ング槽には、ターゲットとして、Ｔｂ17Ｆｅ77Ｃｏ6 タ
ーゲット，Ｔｂターゲット及びＦｅ80Ｃｏ20ターゲット
の３種のターゲットを装着した。最初に、Ｔｂ17Ｆｅ77
Ｃｏ6 ターゲットにより、Ａｒ圧０．３Ｐａ、スパッタ
リング速度３００Ａ／分の条件でスパッタリングを行
い、記録層上にＴｂ17Ｆｅ77Ｃｏ6 のスイッチング層１
６を１００Ａの厚みとなるように形成した。
予め５×１０-5Ｐａ以下の圧力になるまで排気した第２
のスパッタリング槽内に再び送った。第２のスパッタリ
ング槽には、ターゲットとして、Ｔｂ17Ｆｅ77Ｃｏ6 タ
ーゲット，Ｔｂターゲット及びＦｅ80Ｃｏ20ターゲット
の３種のターゲットを装着した。最初に、Ｔｂ17Ｆｅ77
Ｃｏ6 ターゲットにより、Ａｒ圧０．３Ｐａ、スパッタ
リング速度３００Ａ／分の条件でスパッタリングを行
い、記録層上にＴｂ17Ｆｅ77Ｃｏ6 のスイッチング層１
６を１００Ａの厚みとなるように形成した。
【００２１】次に、同じ第２のスパッタリング槽内で、
Ｔｂターゲット及びＦｅ20Ｃｏ80ターゲットにより、Ａ
ｒ圧０．５Ｐａ、スパッタリング速度３００Ａ／分の条
件で同時スパッタリングを行い、スイッチング層１６上
にＴｂ22Ｆｅ16Ｃｏ62の初期化層１７を厚さ３５０Ａに
なるように形成した。この初期化層成膜時にスパッタリ
ング装置の基板ホルダ回転数を６０ｒｐｍとした。
Ｔｂターゲット及びＦｅ20Ｃｏ80ターゲットにより、Ａ
ｒ圧０．５Ｐａ、スパッタリング速度３００Ａ／分の条
件で同時スパッタリングを行い、スイッチング層１６上
にＴｂ22Ｆｅ16Ｃｏ62の初期化層１７を厚さ３５０Ａに
なるように形成した。この初期化層成膜時にスパッタリ
ング装置の基板ホルダ回転数を６０ｒｐｍとした。
【００２２】こうして初期化層１７が形成された基板
を、予め５×１０-5Ｐａ以下の圧力になるまで排気した
第１のスパッタリング槽内に再び送った。第１のスパッ
タリング槽には、ターゲットとしてＳｉターゲットを装
着し、Ａｒガス及びＮ2 ガスを０．３Ｐａになるように
流した。Ｓｉターゲットにより、スパッタリング速度４
５０Ａ／分の条件で反応性スパッタリングを行い、初期
化層１７上に第２保護層１８である窒化シリコンを厚さ
３００Ａで形成した。
を、予め５×１０-5Ｐａ以下の圧力になるまで排気した
第１のスパッタリング槽内に再び送った。第１のスパッ
タリング槽には、ターゲットとしてＳｉターゲットを装
着し、Ａｒガス及びＮ2 ガスを０．３Ｐａになるように
流した。Ｓｉターゲットにより、スパッタリング速度４
５０Ａ／分の条件で反応性スパッタリングを行い、初期
化層１７上に第２保護層１８である窒化シリコンを厚さ
３００Ａで形成した。
【００２３】最後に、こうして第２保護層１８が形成さ
れた基板を、予め５×１０-5Ｐａ以下の圧力になるまで
排気し且つターゲットとしてＡｌＴｉが装着された第２
のスパッタリング槽内に送った。ＡｌＴｉターゲットに
より、Ａｒ圧０．３Ｐａ、スパッタリング速度５００Ａ
／分の条件でスパッタリングを行い、第２保護層１８上
にＡｌＴｉ反射膜１９を厚さ４００Ａで形成した。
れた基板を、予め５×１０-5Ｐａ以下の圧力になるまで
排気し且つターゲットとしてＡｌＴｉが装着された第２
のスパッタリング槽内に送った。ＡｌＴｉターゲットに
より、Ａｒ圧０．３Ｐａ、スパッタリング速度５００Ａ
／分の条件でスパッタリングを行い、第２保護層１８上
にＡｌＴｉ反射膜１９を厚さ４００Ａで形成した。
【００２４】以上の工程を経て図１に示したような構造
の光変調ダイレクトオーバライト用の光磁気ディスクが
得られた。得られた光磁気記録媒体の再生特性を以下に
示すような方法で評価した。得られた光磁気ディスク
を、４００Ｏｅの記録磁界を発生させる磁気コイルを装
着した光磁気記録再生装置に装着して、９．４ｍ／秒の
一定線速で回転させて、その状態で第１基準情報に従い
高パワーＰＨと低パワーＰＬに強度変調したレーザビー
ムを照射した。第１基準情報は、デューティー比５０
％、周波数２．０ＭＨｚ、ＰＬ＝５．０ｍＷ、ＰＨ＝
９．０ｍＷである。この条件で光磁気ディスクに第１基
準情報を記録した。
の光変調ダイレクトオーバライト用の光磁気ディスクが
得られた。得られた光磁気記録媒体の再生特性を以下に
示すような方法で評価した。得られた光磁気ディスク
を、４００Ｏｅの記録磁界を発生させる磁気コイルを装
着した光磁気記録再生装置に装着して、９．４ｍ／秒の
一定線速で回転させて、その状態で第１基準情報に従い
高パワーＰＨと低パワーＰＬに強度変調したレーザビー
ムを照射した。第１基準情報は、デューティー比５０
％、周波数２．０ＭＨｚ、ＰＬ＝５．０ｍＷ、ＰＨ＝
９．０ｍＷである。この条件で光磁気ディスクに第１基
準情報を記録した。
【００２５】その後、記録磁界、ＰＬ及びＰＬを最適化
して、デューティー比３８％、周波数７．７ＭＨｚの第
２基準情報をオーバライト記録した。第２基準情報は周
波数７．７ＭＨｚで記録したために、記録磁区は約０．
６μｍの微小磁区が形成された。次いで、再生レーザ光
パワー１．５ｍＷで、オーバライト記録した第２基準情
報を再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この測定を上記の製法
で種々の条件（種々の膜厚の読出層と高保磁力磁性層）
で製造した光磁気ディスクについて行った。図２に、第
２基準情報をオーバライトした後、かかる情報を再生し
た場合のＣ／Ｎについて、高保磁力磁性層の膜厚をｔ
（Ａ）として読出層の膜厚とＣ／Ｎとの関係を示す。現
在使用されているオーバライト用光磁気ディスクでは高
保磁力磁性層を持たず（ｔ＝０）、読出層（再生層）の
膜厚が厚くなるに従い、Ｃ／Ｎが減少する傾向が見られ
る。一方、高保磁力磁性層を備え、その膜厚が１０〜３
０Ａの範囲では、読出層が１５０Ａ以下の場合に、現在
使用されている光磁気ディスク（ｔ＝０）よりＣ／Ｎが
劣るものの、高保磁力磁性層の膜厚が１５０Ａを超える
場合に、現在使用されている光磁気ディスク（ｔ＝０）
よりＣ／Ｎが優れる。また、高保磁力磁性層の膜厚が５
０Ａの場合には、読出層の膜厚が２２０Ａを超えると、
現在使用されている光磁気ディスクよりＣ／Ｎが高くな
ることがわかる。なお、スパッタリング成膜時に基板ホ
ルダの回転数を種々の値に変更したが、それらのうち最
も優れたＣ／Ｎの光磁気ディスクの測定結果を図２に示
した。
して、デューティー比３８％、周波数７．７ＭＨｚの第
２基準情報をオーバライト記録した。第２基準情報は周
波数７．７ＭＨｚで記録したために、記録磁区は約０．
６μｍの微小磁区が形成された。次いで、再生レーザ光
パワー１．５ｍＷで、オーバライト記録した第２基準情
報を再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この測定を上記の製法
で種々の条件（種々の膜厚の読出層と高保磁力磁性層）
で製造した光磁気ディスクについて行った。図２に、第
２基準情報をオーバライトした後、かかる情報を再生し
た場合のＣ／Ｎについて、高保磁力磁性層の膜厚をｔ
（Ａ）として読出層の膜厚とＣ／Ｎとの関係を示す。現
在使用されているオーバライト用光磁気ディスクでは高
保磁力磁性層を持たず（ｔ＝０）、読出層（再生層）の
膜厚が厚くなるに従い、Ｃ／Ｎが減少する傾向が見られ
る。一方、高保磁力磁性層を備え、その膜厚が１０〜３
０Ａの範囲では、読出層が１５０Ａ以下の場合に、現在
使用されている光磁気ディスク（ｔ＝０）よりＣ／Ｎが
劣るものの、高保磁力磁性層の膜厚が１５０Ａを超える
場合に、現在使用されている光磁気ディスク（ｔ＝０）
よりＣ／Ｎが優れる。また、高保磁力磁性層の膜厚が５
０Ａの場合には、読出層の膜厚が２２０Ａを超えると、
現在使用されている光磁気ディスクよりＣ／Ｎが高くな
ることがわかる。なお、スパッタリング成膜時に基板ホ
ルダの回転数を種々の値に変更したが、それらのうち最
も優れたＣ／Ｎの光磁気ディスクの測定結果を図２に示
した。
【００２６】以上、実施例では光変調ダイレクトオーバ
ライト方式に適した光磁気記録媒体について説明してき
たが、本発明の光磁気記録媒体はこれに限定されず、磁
界変調方式や光磁界変調方式で記録される光磁気記録媒
体をも含み得る。
ライト方式に適した光磁気記録媒体について説明してき
たが、本発明の光磁気記録媒体はこれに限定されず、磁
界変調方式や光磁界変調方式で記録される光磁気記録媒
体をも含み得る。
【００２７】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は再生層をメモ
リ層と再生層の保磁力よりも高い保磁力を有する磁性層
で挟んだ構造を採用することにより、現行の光磁気記録
媒体よりも高いＣ／Ｎを得ることができる。従って、本
発明は微小磁区が記録される高密度記録媒体に特に有用
である。
リ層と再生層の保磁力よりも高い保磁力を有する磁性層
で挟んだ構造を採用することにより、現行の光磁気記録
媒体よりも高いＣ／Ｎを得ることができる。従って、本
発明は微小磁区が記録される高密度記録媒体に特に有用
である。
【図１】本発明の実施例で製造された光磁気記録媒体の
断面構造を示す図である。
断面構造を示す図である。
【図２】本発明の実施例で製造された光磁気記録媒体の
再生信号のＣ／Ｎを、高保磁力磁性層の膜厚及び読出層
の膜厚に対して表したグラフである。
再生信号のＣ／Ｎを、高保磁力磁性層の膜厚及び読出層
の膜厚に対して表したグラフである。
【図３】従来の光変調オーバライト用の光磁気記録媒体
の断面構造を示す図である。
の断面構造を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細川 哲夫 東京都千代田区丸の内三丁目２番３号 株 式会社ニコン内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に再生層及びメモリ層を有する光
磁気記録媒体において、 上記再生層が、該再生層の保磁力よりも高い保磁力を有
する磁性層と上記メモリ層により挟まれた構造を有する
ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 上記磁性層の厚みが５〜５０オングスト
ロームであることを特徴とする請求項１記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項３】 上記再生層、磁性層及びメモリ層が、い
ずれも垂直磁化膜であることを特徴とする請求項１また
は２記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 光変調ダイレクトオーバーライト用の光
磁気記録媒体であることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか一項に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8329112A JPH10162441A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8329112A JPH10162441A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10162441A true JPH10162441A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18217754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8329112A Withdrawn JPH10162441A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10162441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100546568B1 (ko) * | 1998-09-04 | 2006-04-12 | 엘지전자 주식회사 | 광자기 기록 매체 |
-
1996
- 1996-11-25 JP JP8329112A patent/JPH10162441A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100546568B1 (ko) * | 1998-09-04 | 2006-04-12 | 엘지전자 주식회사 | 광자기 기록 매체 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040203 |