JPH10163258A - バンプ及びバンプ形成方法及びバンプ形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】高く、且つ、高さのばらつきの少ないバンプを
形成すると共に、半田付け時に周辺へ溶融半田が流出し
ないバンプ形状、バンプ形成方法を提供する。 【解決手段】キャピラリ３６の先端部のキャピラリホー
ル内部にキャピラリホールの内径よりも大きい内径を有
する円錐台状又は円柱状の凹部が設けられたキャピラリ
により、キャピラリ３６の先端部から突出した金属ワイ
ヤ１３の一端をキャピラリの先端部と電極９２ａ表面の
間で圧着した後、金属ワイヤ１３の他端を切断して表面
実装型電子部品の電極表面に突設されてなる金属バンプ
３４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型電子部
品の電極を直接回路基板の電極と半田付け又は導電性接
着剤等で接続するために、表面実装型電子部品の電極上
に形成するバンプの構造及びその形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント基板（以下、単に基板と称す
る）への電子部品の高密度実装手段として、集積回路チ
ップ（以下、単にチップと称する）の電極と基板の電極
（ランドと称する）を直接半田付け（又は接着剤により
接着）するフリップチップ方式がある。この方式は、予
めチップの電極にバンプと称する突起を設け、基板のラ
ンドに設けられた半田（又は接着剤）と一致するように
重ねて加熱することにより両者を接続するものである。

【０００３】図９は従来のバンプ形成用キャピラリ、バ
ンプの形状及び形成方法を説明するための図で、（ａ）
はバンプ形成用キャピラリの断面図、（ｂ）はバンプ形
成方法を示す断面図、（ｃ）はバンプの断面図である。
図１０は従来のチップの基板への半田付け方法を説明す
るための図で、（ａ）は基板への半田付け前の位置関係
を示す断面図、（ｂ）は基板への半田付け完了時の位置
関係を示す断面図である。以下、図に従って説明する。

【０００４】９２は基板９１のランド９１ａと半田付け
するためのアルミ等の電極９２ａを有する集積回路チッ
プである。９４はチップ９２の電極９２ａ上に設けられ
た金、アルミ等のバンプである。９１は電子部品等が搭
載される基板で、チップ９２上のバンプ９４と半田付け
するためのランド９１ａを有する。キャピラリ９６には
図９（ａ）のごとくアルミ等のワイヤ９３が通るキャピ
ラリホール９６ａが設けられており、ボールボンディン
グの際にワイヤ９３先端の溶融したボールがキャピラリ
９６の底部９６ｂとチップ９２の電極９２ａ間で図９
（ｂ）のごとく圧着され（超音波ボンディング）、余分
のワイヤ９３が引きちぎられて図９（ｃ）のごときバン
プ９４が完成する。尚、電極９２ａに金、半田等をめっ
きしてバンプ９４を形成する方法もある。

【０００５】次に、基板９１のランド９１ａ上に設けら
れた半田９１ｃとチップ９２側のバンプ９４が一致する
ように重ねて、基板全体を又は局部的に接続部を加熱し
て半田を溶融させ、両者を固着させることによりチップ
９２の基板９１への半田付けが完了する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】チップ９２上にボール
ボンディング法によりバンプ９４を形成すると、ボンデ
ィング後にワイヤ９３を引きちぎる時の切断位置９４ａ
が一定せず、複数のバンプ９４において高さに大きなば
らつきが生ずるという問題がある。また、チップ上にめ
っき法によりバンプを形成すると、バンプ９４の高さは
一定になるが、バンプ９４を厚く形成することが難し
く、底辺に比べて低いバンプ９４では、半田付け時に溶
融した半田９１ｃがバンプ９４に沿って拡がり易く、高
密度の端子においては隣接電極とショートするという問
題が生ずる。

【０００７】本発明は、高く、且つ、高さのばらつきの
少ないバンプを形成すると共に、半田付け時に周辺へ溶
融半田が流出しないバンプ形状、バンプ形成方法及びバ
ンプ形成装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、表面実装型電子部品の電極表面に突設され
てなるバンプにおいて、前記バンプが円錐台状又は円柱
状の凸部に形成されてなることを特徴とするものであ
る。また、表面実装型電子部品の電極表面に突設されて
なるバンプにおいて、前記バンプの外周部に壁が形成さ
れてなることを特徴とするものである。

【０００９】また、表面実装型電子部品の電極表面に突
設されてなるバンプにおいて、前記バンプが前記電極表
面に突設されてなる第１バンプと該第１バンプ上に該第
１バンプよりも断面積の小さい第２バンプとから構成さ
れてなることを特徴とするものである。また、前記バン
プが半田被覆された金属線で構成されてなることを特徴
とするものである。

【００１０】また、前記第１バンプ又は第２バンプがめ
っき法又はボールボンディング法により形成されてなる
ことを特徴とするものである。また、表面実装型電子部
品の電極表面に突設されてなるバンプがウェッジボンデ
ィング法により形成されてなることを特徴とするもので
ある。また、キャピラリホールを有するキャピラリの先
端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピラリ
の先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金属ワ
イヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成するバ
ンプ形成方法において、前記キャピラリの先端部に前記
キャピラリホールと連がっている前記キャピラリホール
の内径よりも大きい内径を有する円錐台状又は円柱状の
凹部が設けられていることを特徴とするものである。

【００１１】また、キャピラリホールを有するキャピラ
リの先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャ
ピラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記
金属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成
するバンプ形成方法において、前記キャピラリホールー
の所定の位置に前記キャピラリホールーの内径よりも小
さい内径のくびれが設けられていることを特徴とするも
のである。

【００１２】また、キャピラリホールを有するキャピラ
リの先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャ
ピラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記
金属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成
するバンプ形成方法において、前記キャピラリの先端部
に前記バンプの外径よりも小さい径の凹部が設けられて
いることを特徴とするものである。

【００１３】また、キャピラリホールを有するキャピラ
リの先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャ
ピラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記
金属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成
するバンプ形成方法において、前記表面実装型電子部品
の電極表面に形成したバンプに、所定の形状の凹部が形
成された整形型を押圧して、前記バンプの上部を所定の
形状の凸部に整形することを特徴とするものである。

【００１４】また、キャピラリホールを有するキャピラ
リの先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャ
ピラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記
金属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成
するバンプ形成装置において、前記キャピラリの先端部
に対応した位置に前記金属ワイヤーの他端を切断するカ
ッタが設けられてなることを特徴とするものである。

【００１５】

【実施例】図１は本発明の第１の実施例のバンプの形状
及び形成方法を説明するための図で、（ａ）はバンプ形
成方法を示す図、（ｂ）はバンプの横断面図、（ｃ）は
バンプの縦断面図である。以下、図に従って説明する。
尚、本例はバンプの底面積を大きくすることなく、高い
バンプを形成することを目的とする。

【００１６】９２は基板９１のランド９１ａと半田付け
するためのアルミ等の電極９２ａを有する集積回路チッ
プである。１４はチップ９２の電極９２ａ上にウェッジ
ボンド法により設けられたアルミ等のバンプである。９
１は電子部品等が搭載される基板で、チップ９２の電極
９２ａ上のバンプ１４と半田付けするためのランド９１
ａを有する。

【００１７】次に、バンプ１４の形成方法及び基板９１
への半田付け方法について述べる。チップ９２の電極９
２ａ上にアルミのワイヤ１３を乗せ、ワイヤ１３の上部
に図１（ａ）のごとくウェッジ１６を当てて超音波ボン
ディングする。ボンディング後に余分なワイヤ１３を引
きちぎりバンプ１４を形成する。このバンプ１４は電極
９２ａの長さ方向に延びており、横断面は図１（ｂ）の
ごとく長いが、隣接電極との位置関係が問題になる縦断
面は図１（ｃ）のごとく底辺の割りには高くできる。基
板９１のランド９１ａ上に設けられた半田９１ｃとチッ
プ９２側のバンプ１４が一致するように重ねて、基板全
体を又は局部的に接続部を加熱して半田を溶融させ、両
者を固着させることによりチップ９２の基板９１への半
田付けが完了する。

【００１８】以上のように本実施例では、バンプの高さ
を概略ワイヤ径に等しくでき、また、ワイヤが隣接電極
に並行してワイヤ間隔が広くできるので、半田付けに際
して溶融半田が隣接電極に流れず短絡障害も発生しな
い。図２は本発明の第２の実施例のバンプの形状及び形
成方法を説明するための図で、（ａ）はめっき法による
第１バンプの形状を示す断面図、（ｂ）はめっき法によ
る完成バンプの形状を示す断面図である。（ｃ）はボー
ルボンディング法による第１バンプの形状を示す断面
図、（ｄ）はボールボンディング法による完成バンプの
形状を示す断面図である。以下、図に従って説明する。
尚、本例はバンプの底面積を大きくすることなく、高い
バンプを形成することを目的とする。

【００１９】２４はチップ９２の電極９２ａ上に２段に
設けられたバンプで、めっきにより設けられた金等の第
１バンプ２４ａと、第１バンプ２４ａの上にめっきによ
り設けられた半田等の第２バンプ２４ｂで構成されてい
る。尚、チップ９２は第１の実施例と名称、機能及び作
用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略する。

【００２０】先ず、チップ９２の電極９２ａ上にめっき
法により第１バンプ２４ａを設け、その上に、さらに半
田をめっきして第２バンプ２４ｂを形成する。このよう
に２段にめっきすることによりバンプ２４の高さを従来
のバンプに比べて高くできる。基板のランド上に設けら
れた半田とチップ９２側のバンプ２４が一致するように
重ねて、基板全体を又は局部的に接続部を加熱して半田
を溶融させ、両者を固着させることによりチップ９２の
基板への半田付けが完了する。尚、図２（ｃ）、（ｄ）
のごとくバンプ２５を、第１バンプ２５ａをめっき法の
代わりにボールボンディング法により形成し、また、第
２バンプ２５ｂもボールボンディング法により形成して
も同様の効果が得られる。

【００２１】以上のように本実施例では、バンプを２段
に形成することによりバンプの高さが高くできるので、
半田付けに際して溶融半田が隣接電極方向に流れず短絡
障害も発生しない。また、バンプが高いために基板とチ
ップの間での機械的な応力を逃がすことも可能になる。
図３は本発明の第３の実施例のバンプ形成用キャピラ
リ、バンプの形状及び形成方法を説明するための図で、
（ａ）は円錐台形バンプ形成用キャピラリの断面図、
（ｂ）はバンプ形成方法を示す断面図、（ｃ）はバンプ
の断面図である。（ｄ）は円筒形バンプ形成用キャピラ
リの断面図、（ｅ）はバンプの断面図である。以下、図
に従って説明する。尚、本例はバンプの底面積を大きく
することなく、高いバンプを形成すると共に、バンプの
形状、高さのばらつきを少なくすることを目的とする。

【００２２】３４はチップ９２の電極９２ａ上にボール
ボンディング法により設けられたアルミ等のバンプであ
る。尚、チップ９２は第１の実施例と名称、機能及び作
用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略する。
先ず、キャピラリ３６の形状について述べる。アルミワ
イヤが通るキャピラリホール３６ａは図３（ａ）のごと
く先端部に円錐台状の窪み３６ｂが設けられている。ボ
ールボンディングの際には、ワイヤ１３の先端で溶融し
たボールが円錐台状の窪み３６ｂとチップ９２の電極９
２ａの間で図３（ｂ）のごとく圧着され、図３（ｃ）の
ごときバンプ３４が完成する。このバンプ３４は従来の
バンプに比べて同一の底辺の大きさでバンプの高さが高
くでき、且つ、キャピラリ３６の窪み３６ｂによりバン
プ３４の形状が一定にできる。基板のランド上に設けら
れた半田とチップ９２側のバンプ３４が一致するように
重ねて、基板全体を又は局部的に接続部を加熱して半田
を溶融させ、両者を固着させることによりチップ９２の
基板への半田付けが完了する。

【００２３】尚、図３（ｄ）のようにキャピラリホール
３７ａの先端部に円筒状の窪み３７ｂを有するキャピラ
リ３７を使用してボールボンディングを行うことにより
図３（ｅ）のごとき円筒状のバンプ３５を形成すること
ができる。このバンプ３５により前述の円錐台状バンプ
３４と同様の効果が得られる。以上のように本実施例で
は、キャピラリのキャピラリホールの内部に所定の形状
の窪みを設けることによりバンプの高さを高くでき、且
つ、ばらつきも少なくできる。その結果、半田付けに際
して溶融半田が隣接電極方向に流れず短絡障害も発生し
ない。また、バンプのが高いために基板とチップの間で
の機械的な応力を逃がすことも可能になる。

【００２４】図４は本発明の第４の実施例のバンプ形成
用キャピラリ、バンプの形状及び形成方法を説明するた
めの図で、（ａ）はバンプ形成用キャピラリの断面図、
（ｂ）はバンプ形成方法を示す断面図、（ｃ）はバンプ
の断面図である。以下、図に従って説明する。尚、本例
はバンプの底面積を大きくすることなく、高いバンプを
形成すると共に、バンプの形状、高さのばらつきを少な
くすることを目的とする。

【００２５】４４はチップ９２の電極９２ａ上にボール
ボンディング法により設けられたアルミ等のバンプであ
る。尚、チップ９２は第１の実施例と名称、機能及び作
用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略する。
先ず、キャピラリ４６の形状について述べる。アルミワ
イヤ１３が通るキャピラリホール４６ａの先端部に図４
（ａ）のごとく同心円状に凹部４６ｂが設けられてい
る。ボールボンディングの際には、ワイヤ１３の先端で
溶融したボールがキャピラリ４６の先端部に凹部４６ｂ
とチップ９２の電極９２ａの間で図４（ｂ）のごとく圧
着され、図４（ｃ）のごとき外周に凸部（突起）４４ｂ
を有するバンプ４４が完成する。基板のランド上に設け
られた半田とチップ９２側のバンプ４４が一致するよう
に重ねて、基板全体を又は局部的に接続部を加熱して半
田を溶融させ、両者を固着させることによりチップ９２
の基板への半田付けが完了する。バンプ４４の外周の突
起（壁）４４ｂが溶融半田の流動を阻止するので高密度
の端子付けに有利になる。

【００２６】以上のように本実施例では、キャピラリの
先端部に窪みを設けることによりバンプの外周に凸部が
形成でき、半田付けの際の溶融半田の流出を阻止でき、
隣接端子との短絡不良をなくすことができる。図５は本
発明の第５の実施例のバンプ形成用キャピラリ、バンプ
の形状及び形成方法を説明するための図で、（ａ）はバ
ンプ形成用キャピラリの断面図、（ｂ）はボールボンデ
ィング工程を示す断面図、（ｃ）はバンプの断面図であ
る。以下、図に従って説明する。尚、本例はバンプの底
面積を大きくすることなく、高いバンプを形成すると共
に、バンプの形状、高さのばらつきを少なくすることを
目的とする。

【００２７】５４はチップ９２の電極９２ａ上にボール
ボンディング法により設けられたアルミ等のバンプであ
る。尚、チップ９２は第１の実施例と名称、機能及び作
用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略する。
先ず、キャピラリ５６の形状について述べる。アルミワ
イヤが通るキャピラリホール５６ａは図５（ａ）のごと
く先端部に円筒状の窪み５６ｂと円筒状の窪み５６ｂの
キャピラリホール５６ａ側の付け根には内径が小さくな
る様な円周状に突起５６ｃが設けられている。ボールボ
ンディングの際には、ワイヤ１３の先端で溶融したボー
ルが円筒状の窪み５６ｂとチップ９２の電極９２ａの間
で図５（ｂ）のごとく圧着される。この時キャピラリ５
６の円周状に突起５６ｃにより完成したバンプ５４の先
端部５４ａが極端に絞られるので、ボールボンディング
後にワイヤ１３を引きちぎると、この絞られた部分でワ
イヤ１３が切れ、図５（ｃ）のごときバンプ５４が完成
する。このバンプ５４は高さは突起５６ｃの位置で決ま
るので、従来のバンプに比べてばらつきを少なくでき
る。

【００２８】以上のように本実施例では、キャピラリの
キャピラリホールの内部に所定の位置に突起を設けるこ
とによりワイヤの切断箇所が一定となりバンプの高さの
ばらつきが減少する。図６は本発明の第６の実施例のバ
ンプ形成装置及びバンプの形状を説明するための図で、
（ａ）はバンプ形成装置を示す断面図、（ｂ）はバンプ
の形状を示す断面図である。以下、図に従って説明す
る。尚、本例はバンプの高さのばらつきを少なくするこ
とを目的とする。

【００２９】６４はチップ９２の電極９２ａ上にボール
ボンディング法により設けられたアルミ等のバンプであ
る。尚、チップ９２は第１の実施例と名称、機能及び作
用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略する。
先ず、キャピラリ６６の形状について述べる。アルミワ
イヤ１３が通るキャピラリホール６６ａの先端部に円筒
状の窪み６６ｂを有する。ボールボンディングの際に
は、ワイヤ１３の先端で溶融したボールが円筒状の窪み
６６ｂとチップ９２の電極９２ａの間で図６（ａ）のご
とく圧着される。その後、キャピラリ６６が引き上げら
れ、カッター６７によりワイヤ１３が切断され、図６
（ｂ）のごときバンプ６４が完成する。このバンプ６４
は従来のバンプに比べて高さのばらつきを少なくでき
る。尚、カッタ６７はキャピラリ６６の引き上げ動作に
連動するリンク機構等によりキャピラリ６６引き上げ時
にワイヤ１３を切断するように動作する。

【００３０】以上のように本実施例では、ボールボンデ
ィング後に所定位置でワイヤをカッターにより切断する
ので、ワイヤの切断箇所が一定となりバンプの高さのば
らつきが減少する。図７は本発明の第７の実施例のバン
プ形成用ワイヤ及びバンプの形状を説明するための図
で、（ａ）はバンプ形成用ワイヤの断面図、（ｂ）はボ
ールボンディング法によるバンプの断面図、（ｃ）はウ
ェッジボンディング法によるバンプの断面図である。以
下、図に従って説明する。尚、本例は基板との半田付け
に際して半田を供給する必要がなく組立工程を簡略にす
ることを目的とする。

【００３１】７３はアルミの芯線７３ａに半田７３ｂが
被覆されたワイヤである。７４はチップ９２の電極９２
ａ上にボールボンディング法により設けられたバンプで
ある。７５はチップ９２の電極９２ａ上にウェッジボン
ディング法により設けられたバンプである。尚、チップ
９２は第１の実施例と名称、機能及び作用が同じである
ため、同一番号を付し説明は省略する。

【００３２】半田被覆アルミワイヤ７３をチップ９２の
電極９２ａにボールボンディングし、所定の位置でワイ
ヤ７３を切断する（図７（ｂ）参照）。また、半田被覆
アルミワイヤ７３を使用してウェッジボンディング法に
よりバンプ７５を形成する。（図７（ｃ）参照）。基板
のランド上に設けられた半田とチップ９２側のバンプ７
４又は７５が一致するように重ねて、基板全体を又は局
部的に接続部を加熱して半田を溶融させ、両者を固着さ
せることによりチップ９２の基板への半田付けが完了す
る。

【００３３】この時、アルミワイヤ７３ａを被覆してい
る半田７３ｂが溶融して基板との半田付けに際して充分
な半田が供給できるので、半田付けの信頼性が向上す
る。以上のように本実施例では、基板との半田付けに際
してワイヤを被覆している半田が溶融して半田の供給量
が増え、半田付けの信頼性が向上する。図８は本発明の
第８の実施例のバンプ整形用治具、レベリング工程及び
バンプ形状を説明するための図で、（ａ）はレベリング
治具の断面図、（ｂ）はレベリング工程を示す断面図、
（ｃ）はバンプの断面図である。以下、図に従って説明
する。尚、本例はバンプの形状及び高さを一定にするこ
とを目的とする。

【００３４】８４はチップ９２の電極９２ａ上にボール
ボンディング法により設けられたアルミ等のバンプであ
る。８５はレベリング治具８７により整形されたバンプ
である。尚、チップ９２は第１の実施例と名称、機能及
び作用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略す
る。先ず、通常のボールボンディング法によりワイヤを
チップ９２の電極９２ａ上にボールボンディングする。
そして図８（ａ）に示すレベリング治具８７を使用して
図８（ｂ）に示すように加圧してバンプ８４を整形す
る。このようにして図３（ｃ）のごとき所定の形状のバ
ンプ８５が完成する。この方法では、レベリング治具８
７の凹部８７ａによりバンプ８５の先端部８５ａの形状
が決まるので、高さが一定となる。

【００３５】以上のように本実施例では、バンプの形状
及び高さが一定となるので、安定した基板への半田付け
ができる。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明ではバンプ
の高さを高くすると共に、半田付け時に周辺へ溶融半田
が拡散しないバンプの形状、形成方法を提供することに
より電子部品の高密度実装が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例のバンプの形状及び形成
方法を説明するための図である。

【図２】本発明の第２の実施例のバンプの形状及び形成
方法を説明するための図である。

【図３】本発明の第３の実施例のバンプ形成用キャピラ
リ、バンプの形状及び形成方法を説明するための図であ
る。

【図４】本発明の第４の実施例のバンプ形成用キャピラ
リ、バンプの形状及び形成方法を説明するための図であ
る。

【図５】本発明の第５の実施例のバンプ形成用キャピラ
リ、バンプの形状及び形成方法を説明するための図であ
る。

【図６】本発明の第６の実施例のバンプ形成装置及びバ
ンプの形状を説明するための図である。

【図７】本発明の第７の実施例のバンプ形成用ワイヤ及
びバンプの形状を説明するための図である。

【図８】本発明の第８の実施例のバンプ整形用治具、レ
ベリング工程及びバンプ形状を説明するための図であ
る。

【図９】従来のバンプ形成用キャピラリ、バンプの形状
及び形成方法を説明するための図である。

【図１０】従来のチップの基板への半田付け方法を説明
するための図である。

【符号の説明】

９１・・・・基板、 １６・・・・ウ
ェッジ、９１ａ・・・ランド、 ６７・
・・・カッター、９１ｂ・・・半田、
３６ｂ、３７ｂ・・・・凹部、９２・・・・チップ、
１３、７３・・・・ワイヤ、９２ａ・
・・電極、 ８７・・・・レベリング
治具、１４、２４、３４、４４、５４、６４、７４、７
５、８５・・・・バンプ、３６、４６、５６、６６・・
・・キャピラリ。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面実装型電子部品の電極表面に突設さ
   れてなるバンプにおいて、 前記バンプが円錐台状又は円柱状に形成されてなること
   を特徴とするバンプ。
2. 【請求項２】 表面実装型電子部品の電極表面に突設さ
   れてなるバンプにおいて、 前記バンプの外周部に壁が形成されてなることを特徴と
   するバンプ。
3. 【請求項３】 表面実装型電子部品の電極表面に突設さ
   れてなるバンプにおいて、 前記バンプが前記電極表面に突設されてなる第１バンプ
   と該第１バンプ上に該第１バンプよりも断面積の小さい
   第２バンプとから構成されてなることを特徴とするバン
   プ。
4. 【請求項４】 前記バンプが半田被覆された金属線で構
   成されてなることを特徴とする請求項１乃至請求項３記
   載のバンプ。
5. 【請求項５】 前記第１バンプ又は第２バンプがめっき
   法又はボールボンディング法により形成されてなること
   を特徴とする請求項３記載のバンプ。
6. 【請求項６】 表面実装型電子部品の電極表面に突設さ
   れてなるバンプがウェッジボンディング法により形成さ
   れてなることを特徴とするバンプ。
7. 【請求項７】 キャピラリホールを有するキャピラリの
   先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピラ
   リの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金属
   ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成する
   バンプ形成方法において、 前記キャピラリの先端部に前記キャピラリホールと連が
   っている前記キャピラリホールの内径よりも大きい内径
   を有する円錐台状又は円柱状の凹部が設けられているこ
   とを特徴とするバンプ形成方法。
8. 【請求項８】 キャピラリホールを有するキャピラリの
   先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピラ
   リの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金属
   ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成する
   バンプ形成方法において、 前記キャピラリホールーの所定の位置に前記キャピラリ
   ホールーの内径よりも小さい内径のくびれが設けられて
   いることを特徴とするバンプ形成方法。
9. 【請求項９】 キャピラリホールを有するキャピラリの
   先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピラ
   リの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金属
   ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凹部を形成する
   バンプ形成方法において、 前記キャピラリの先端部に前記バンプの外径よりも小さ
   い径の凹部が設けられていることを特徴とするバンプ形
   成方法。
10. 【請求項１０】 キャピラリホールを有するキャピラリ
    の先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピ
    ラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金
    属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成す
    るバンプ形成方法において、 前記表面実装型電子部品の電極表面に形成したバンプ
    に、所定の形状の凹部が形成された整形型を押圧して、
    前記バンプの上部を所定の形状の凸部に整形することを
    特徴とするバンプ形成方法。
11. 【請求項１１】 キャピラリホールを有するキャピラリ
    の先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピ
    ラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金
    属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成す
    るバンプ形成装置において、 前記キャピラリの先端部に対応した位置に前記金属ワイ
    ヤーの他端を切断するカッタが設けられてなることを特
    徴とするバンプ形成装置。