JPH10163366A - 放熱性の高い高性能、高容量パッケージ - Google Patents
放熱性の高い高性能、高容量パッケージInfo
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- JPH10163366A JPH10163366A JP8318272A JP31827296A JPH10163366A JP H10163366 A JPH10163366 A JP H10163366A JP 8318272 A JP8318272 A JP 8318272A JP 31827296 A JP31827296 A JP 31827296A JP H10163366 A JPH10163366 A JP H10163366A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱技術との両立を保ちながら、大容量のコ
ンデンサの雑音濾波による利点を与えることのできる集
積回路パッケージを得ること。 【解決手段】 大容量のコンデンサを備えることのでき
る放熱集積回路パッケージ。パッケージ基板は、一方の
表面に集積回路素子が配置される領域から離れている凹
部領域を持っている。この凹部領域の中に、凹部領域の
中の基板の表面よりも下に、コンデンサがその全体が入
るように納められている。最後に、金属板が、このコン
デンサに邪魔されないで、基板の表面に取り付けられ
る。
ンデンサの雑音濾波による利点を与えることのできる集
積回路パッケージを得ること。 【解決手段】 大容量のコンデンサを備えることのでき
る放熱集積回路パッケージ。パッケージ基板は、一方の
表面に集積回路素子が配置される領域から離れている凹
部領域を持っている。この凹部領域の中に、凹部領域の
中の基板の表面よりも下に、コンデンサがその全体が入
るように納められている。最後に、金属板が、このコン
デンサに邪魔されないで、基板の表面に取り付けられ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路パッケー
ジ技術に関し、特に、コンデンサを内蔵した集積回路パ
ッケージに関する。
ジ技術に関し、特に、コンデンサを内蔵した集積回路パ
ッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路は、今日の高度に洗練された電
子機器を動作させるコンピュータ・チップとなる。集積
回路は、製造されると集積回路パッケージの中に入れら
れ、集積回路内の回路は、パッケージを通過してパッケ
ージの外部表面上のリード線に通じている相互接続部に
電気的に結合される。次に、集積回路はパッケージ内に
恒久的にシールされ、パッケージ壁を介してこれらの外
部リード線から操作される。集積回路パッケージは、集
積回路を損傷から保護するための働きをするばかりでな
く、集積回路が最高の性能を発揮できる環境を集積回路
に与えるための働きもする。しかし、現在のパッケージ
技術では、いくつかの更に高度に進歩した集積回路を支
持するには適さないものもある。したがって、次世代の
マイクロプロセッサやコントローラなどの集積回路の潜
在力を十分に引き出すには、更に高度に進歩したパッケ
ージ設計技術を使う必要がある。
子機器を動作させるコンピュータ・チップとなる。集積
回路は、製造されると集積回路パッケージの中に入れら
れ、集積回路内の回路は、パッケージを通過してパッケ
ージの外部表面上のリード線に通じている相互接続部に
電気的に結合される。次に、集積回路はパッケージ内に
恒久的にシールされ、パッケージ壁を介してこれらの外
部リード線から操作される。集積回路パッケージは、集
積回路を損傷から保護するための働きをするばかりでな
く、集積回路が最高の性能を発揮できる環境を集積回路
に与えるための働きもする。しかし、現在のパッケージ
技術では、いくつかの更に高度に進歩した集積回路を支
持するには適さないものもある。したがって、次世代の
マイクロプロセッサやコントローラなどの集積回路の潜
在力を十分に引き出すには、更に高度に進歩したパッケ
ージ設計技術を使う必要がある。
【０００３】集積回路パッケージを設計する場合には、
考慮しなければならない設計上の制約や動作パラメータ
が数多くある。たとえば、いくつかの集積回路は、特に
マイクロプロセッサやその他多量の電力を消費する素子
などは、動作中にかなりの量の熱を発生する。この熱
は、適切に放熱されないと、たとえば、素子の動作速度
を遅くして集積回路の性能を落としてしまうおそれがあ
る。加えて、集積回路が発生した熱は直ちに除去されな
いと、それ自身の回路の溶融を引き起こすことによっ
て、実質的に破壊してしまったり、あるいは好ましくな
い変質を起こすおそれがある。たとえば、接合スパイキ
ングは、熱的な活性化が存在すると、集積回路の相互接
続部を集積回路基板にショートさせ、これによって素子
を破壊してしまう共通の機構である。
考慮しなければならない設計上の制約や動作パラメータ
が数多くある。たとえば、いくつかの集積回路は、特に
マイクロプロセッサやその他多量の電力を消費する素子
などは、動作中にかなりの量の熱を発生する。この熱
は、適切に放熱されないと、たとえば、素子の動作速度
を遅くして集積回路の性能を落としてしまうおそれがあ
る。加えて、集積回路が発生した熱は直ちに除去されな
いと、それ自身の回路の溶融を引き起こすことによっ
て、実質的に破壊してしまったり、あるいは好ましくな
い変質を起こすおそれがある。たとえば、接合スパイキ
ングは、熱的な活性化が存在すると、集積回路の相互接
続部を集積回路基板にショートさせ、これによって素子
を破壊してしまう共通の機構である。
【０００４】集積回路によってパッケージ内に発生した
熱を放散させるための一般的な方法には、集積回路の底
を大きな金属板の上面に熱的に結合させる方法がある。
これは、一般的には、熱伝導性はんだペーストを使って
集積回路を金属板の中央に取り付けるというやりかたで
行われる。そして、金属板の底面は、パッケージの外壁
の一部分となる一方、金属板の上面はパッケージの縁に
取り付けられ、パッケージ内部の集積回路を密封する。
このような構成で集積回路が動作させられると、集積回
路によって発生した熱は、金属板を通ってパッケージの
外部表面まで伝達され、この熱は周囲の環境に放熱され
る。
熱を放散させるための一般的な方法には、集積回路の底
を大きな金属板の上面に熱的に結合させる方法がある。
これは、一般的には、熱伝導性はんだペーストを使って
集積回路を金属板の中央に取り付けるというやりかたで
行われる。そして、金属板の底面は、パッケージの外壁
の一部分となる一方、金属板の上面はパッケージの縁に
取り付けられ、パッケージ内部の集積回路を密封する。
このような構成で集積回路が動作させられると、集積回
路によって発生した熱は、金属板を通ってパッケージの
外部表面まで伝達され、この熱は周囲の環境に放熱され
る。
【０００５】集積回路パッケージ設計者が考慮に入れる
べき別の問題は、個々の集積回路が耐えられる、電力線
や接地線の雑音の量である。電力線上の雑音は、該電力
線の電圧をある程度変動させる効果がある。この程度が
特定の閾値を越えたら、集積回路は、この変化する電圧
を実際の信号と解釈して対応し、内部の回路の状態を変
えてしまう。これは集積回路のデータ・エラーの原因と
なったり、または更に厳しい状況では、電源線の雑音
は、ラッチアップとして知られる現象を引き起こすこと
があり、この現象は集積回路を完全に壊してしまう現象
である。電源電圧が低下し続け、集積回路の周波数が増
加し続けていくにつれ、たとえば、雑音によって引き起
こされる電圧供給レベルの変動は、全供給電圧の割合を
益々大きくするので、電源線の雑音の問題は致命的な問
題となる。
べき別の問題は、個々の集積回路が耐えられる、電力線
や接地線の雑音の量である。電力線上の雑音は、該電力
線の電圧をある程度変動させる効果がある。この程度が
特定の閾値を越えたら、集積回路は、この変化する電圧
を実際の信号と解釈して対応し、内部の回路の状態を変
えてしまう。これは集積回路のデータ・エラーの原因と
なったり、または更に厳しい状況では、電源線の雑音
は、ラッチアップとして知られる現象を引き起こすこと
があり、この現象は集積回路を完全に壊してしまう現象
である。電源電圧が低下し続け、集積回路の周波数が増
加し続けていくにつれ、たとえば、雑音によって引き起
こされる電圧供給レベルの変動は、全供給電圧の割合を
益々大きくするので、電源線の雑音の問題は致命的な問
題となる。
【０００６】残念ながら、電源線の雑音を抑制する方法
は、集積回路が発生する熱を放散させる上述の方法とは
相容れないものである。これは、集積回路の電源線の雑
音がパッケージの表面にある外部リード線へ電源線と接
地線を巡らせ、これらのリード線に大きなコンデンサを
取り付けて集積回路電源線の雑音を抑制するからであ
る。これらの大きなコンデンサは、電源線から高周波雑
音を濾波する働きをし、集積回路が使用する電源の定常
的な直流（ｄｃ）成分を絶縁する。しかし、放熱のため
に使われる大きな金属板は、これらのコンデンサが置か
れることになる領域を占めてしまう。結果として、放熱
のために金属板を内蔵しているパッケージは、高周波雑
音を抑制するパッケージの中に含むことができるかなり
小さい容量のコンデンサに依存しなければならなくな
る。この程度の容量のコンデンサでは、一般に小さすぎ
て、電源線からの雑音を適切に、できるだけ多く抑制す
ることができない。
は、集積回路が発生する熱を放散させる上述の方法とは
相容れないものである。これは、集積回路の電源線の雑
音がパッケージの表面にある外部リード線へ電源線と接
地線を巡らせ、これらのリード線に大きなコンデンサを
取り付けて集積回路電源線の雑音を抑制するからであ
る。これらの大きなコンデンサは、電源線から高周波雑
音を濾波する働きをし、集積回路が使用する電源の定常
的な直流（ｄｃ）成分を絶縁する。しかし、放熱のため
に使われる大きな金属板は、これらのコンデンサが置か
れることになる領域を占めてしまう。結果として、放熱
のために金属板を内蔵しているパッケージは、高周波雑
音を抑制するパッケージの中に含むことができるかなり
小さい容量のコンデンサに依存しなければならなくな
る。この程度の容量のコンデンサでは、一般に小さすぎ
て、電源線からの雑音を適切に、できるだけ多く抑制す
ることができない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】放熱技術との両立を保
ちながら、大容量のコンデンサの雑音濾波による利点を
与えることのできる集積回路パッケージが望まれてい
る。
ちながら、大容量のコンデンサの雑音濾波による利点を
与えることのできる集積回路パッケージが望まれてい
る。
【０００８】大容量のコンデンサを備えることができる
放熱集積回路パッケージについて述べる。パッケージ基
板は、一方の表面に集積回路素子が配置される領域から
離れている凹部領域を持っている。この凹部領域の中
に、この凹部領域内の基板の表面よりも下に、その全体
が納まってしまうような大きさのコンデンサが配置され
ている。最後に、コンデンサに妨げられることなく、基
板の表面に金属板が取り付けられる。
放熱集積回路パッケージについて述べる。パッケージ基
板は、一方の表面に集積回路素子が配置される領域から
離れている凹部領域を持っている。この凹部領域の中
に、この凹部領域内の基板の表面よりも下に、その全体
が納まってしまうような大きさのコンデンサが配置され
ている。最後に、コンデンサに妨げられることなく、基
板の表面に金属板が取り付けられる。
【０００９】低雑音で高放熱の集積回路パッケージにつ
いて述べる。以下の説明で、材料の配合、電気部品の数
値、パッケージの設計などの数値的詳細は、本発明を更
に完全に理解させるために述べられているものである。
しかし、本発明がこれらの特定の詳細な値を使用しなく
ても実現できるということは、当業者には明かであろ
う。他の例において、よく知られたプロセス、技術、お
よび構造については、本発明を不必要に判り難くするの
を避けるため詳細に記述することはしていない。
いて述べる。以下の説明で、材料の配合、電気部品の数
値、パッケージの設計などの数値的詳細は、本発明を更
に完全に理解させるために述べられているものである。
しかし、本発明がこれらの特定の詳細な値を使用しなく
ても実現できるということは、当業者には明かであろ
う。他の例において、よく知られたプロセス、技術、お
よび構造については、本発明を不必要に判り難くするの
を避けるため詳細に記述することはしていない。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明を表わす図が図１−３であ
るが、これらの図は本発明を限定するものではない。こ
こで具体的な構造を述べる意図は、本発明を明確に理解
する助けとするためと、集積回路パッケージを形成する
ために本発明が使われている特定の実施態様を説明する
ためとである。
るが、これらの図は本発明を限定するものではない。こ
こで具体的な構造を述べる意図は、本発明を明確に理解
する助けとするためと、集積回路パッケージを形成する
ために本発明が使われている特定の実施態様を説明する
ためとである。
【００１１】図１は、パッケージが本発明に従って形成
される、パッケージ基板１０の上面の図を示している。
パッケージ基板１０は、集積回路用のピン・グリッド・
アレイ（ＰＧＡ）を形成するように設計されている。パ
ッケージ基板１０の周縁に沿って電導性のピン１２があ
り、これらは、パッケージ内に含まれている集積回路
を、関連のＰＧＡソケットを通して外部の電子システム
に電気的に結合するために使われている。集積回路がパ
ッケージの中に適切に固定されると、各ピン１２はパッ
ケージを通して集積回路上のボンド・パッドにつなが
り、集積回路は外部ピン１２を介して外部の電子システ
ムと連絡できるようになっている。
される、パッケージ基板１０の上面の図を示している。
パッケージ基板１０は、集積回路用のピン・グリッド・
アレイ（ＰＧＡ）を形成するように設計されている。パ
ッケージ基板１０の周縁に沿って電導性のピン１２があ
り、これらは、パッケージ内に含まれている集積回路
を、関連のＰＧＡソケットを通して外部の電子システム
に電気的に結合するために使われている。集積回路がパ
ッケージの中に適切に固定されると、各ピン１２はパッ
ケージを通して集積回路上のボンド・パッドにつなが
り、集積回路は外部ピン１２を介して外部の電子システ
ムと連絡できるようになっている。
【００１２】代わりに、パッケージ基板の周縁に任意の
数のピンを形成して、それらのピンの全部が集積回路に
結合されるわけではないというようにしてもよい。別の
実施態様では、別のタイプの基板が、パッケージ基板の
縁からピンが突出したような別のタイプのパッケージの
形成に使われている。代わりに、たとえば、ボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）パッケージなどのパッケージ
基板の一方全面にパッドあるいははんだボールが形成さ
れたパッケージが使われる。したがって、本発明は、事
実上いかなるタイプの集積回路パッケージ法と組み合わ
せて使ってもよい。
数のピンを形成して、それらのピンの全部が集積回路に
結合されるわけではないというようにしてもよい。別の
実施態様では、別のタイプの基板が、パッケージ基板の
縁からピンが突出したような別のタイプのパッケージの
形成に使われている。代わりに、たとえば、ボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）パッケージなどのパッケージ
基板の一方全面にパッドあるいははんだボールが形成さ
れたパッケージが使われる。したがって、本発明は、事
実上いかなるタイプの集積回路パッケージ法と組み合わ
せて使ってもよい。
【００１３】図１のパッケージ基板１０は、内部に金属
相互接続線が形成されたセラミック外殻を有している。
これら金属相互接続線は、パッケージ基板１０の中の集
積回路パッケージと外部ピン１２との間で電気信号を運
ぶ。さらに、電力平面および接地平面（後で詳述）と呼
ばれ、誘電材料で分離されている金属層がパッケージ基
板１０の中に形成されている。また、パッケージ基板は
主として、プラスチック、ポリイミド、あるいは基板中
に形成された相互接続線を電気的に絶縁することのでき
る他の材料などの別のタイプの電気絶縁材料から成るも
のでもよい。
相互接続線が形成されたセラミック外殻を有している。
これら金属相互接続線は、パッケージ基板１０の中の集
積回路パッケージと外部ピン１２との間で電気信号を運
ぶ。さらに、電力平面および接地平面（後で詳述）と呼
ばれ、誘電材料で分離されている金属層がパッケージ基
板１０の中に形成されている。また、パッケージ基板は
主として、プラスチック、ポリイミド、あるいは基板中
に形成された相互接続線を電気的に絶縁することのでき
る他の材料などの別のタイプの電気絶縁材料から成るも
のでもよい。
【００１４】パッケージ基板１０の中央により近く、貫
通孔１１を囲んでボンディング用の棚部１３、１５があ
る。第１のボンディング用の棚部１５の表面には、パッ
ケージ基板１０の第１の相互接続層に形成されている金
属相互接続線１６の露出部がある。第２のボンディング
用の棚部１３の表面には、パッケージ基板１０の第２相
互接続層に形成されている金属相互接続線１４の露出部
がある。集積回路が貫通孔開口部１１の中に納められた
後、パッケージ内に封止された集積回路のボンド・パッ
ドがワイヤ・ボンディングされるのはこれら金属相互接
続層の露出部に対してである。代わりに、金属相互接続
層の数にあわせて同じ数のボンディング用の棚部をパッ
ケージ基板の中に形成してもよい。
通孔１１を囲んでボンディング用の棚部１３、１５があ
る。第１のボンディング用の棚部１５の表面には、パッ
ケージ基板１０の第１の相互接続層に形成されている金
属相互接続線１６の露出部がある。第２のボンディング
用の棚部１３の表面には、パッケージ基板１０の第２相
互接続層に形成されている金属相互接続線１４の露出部
がある。集積回路が貫通孔開口部１１の中に納められた
後、パッケージ内に封止された集積回路のボンド・パッ
ドがワイヤ・ボンディングされるのはこれら金属相互接
続層の露出部に対してである。代わりに、金属相互接続
層の数にあわせて同じ数のボンディング用の棚部をパッ
ケージ基板の中に形成してもよい。
【００１５】図２は、パッケージ基板１０の底面の図を
示している。本発明に従って、凹部領域１９がパッケー
ジ基板１０に形成されている。凹部領域１９の寸法は、
コンデンサが、パッケージ基板１０の表面より上に突き
出ることなく凹部領域１９の中に全体を収容することが
できる寸法になっている。したがって、凹部領域１９の
深さは、凹部領域１９の中に入れられるコンデンサの深
さ（または厚さ）よりも大きい、または等しくなってい
る。凹部領域１９の深さは、図１に示されているパッケ
ージ基板１０の第１の棚部１５にある相互接続層を妨げ
ないように、この相互接続層までの深さよりも浅くすべ
きである。凹部領域は、焼結前に、グリーン・テープで
ある間に多層パッケージ基板の最下層の形成に使われる
セラミック片に孔を開けて作る。したがって、凹部領域
の深さは、孔が形成されるセラミック片の厚さに等しい
のである。
示している。本発明に従って、凹部領域１９がパッケー
ジ基板１０に形成されている。凹部領域１９の寸法は、
コンデンサが、パッケージ基板１０の表面より上に突き
出ることなく凹部領域１９の中に全体を収容することが
できる寸法になっている。したがって、凹部領域１９の
深さは、凹部領域１９の中に入れられるコンデンサの深
さ（または厚さ）よりも大きい、または等しくなってい
る。凹部領域１９の深さは、図１に示されているパッケ
ージ基板１０の第１の棚部１５にある相互接続層を妨げ
ないように、この相互接続層までの深さよりも浅くすべ
きである。凹部領域は、焼結前に、グリーン・テープで
ある間に多層パッケージ基板の最下層の形成に使われる
セラミック片に孔を開けて作る。したがって、凹部領域
の深さは、孔が形成されるセラミック片の厚さに等しい
のである。
【００１６】図２の四角のシール環１７と１８は、セラ
ミック基板１０の底面に形成されている金属環である。
これらの金属環はパッケージの接地平面に接続されてい
る。これによって、集積回路は集積回路基板を通して接
地電流を流し出すのである。また、これらの環は、次に
パッケージの底面に固着される金属板（後述）を密封す
るのにも役立つ。外側四角環１７は、金属板上のこれと
相補的な外側四角環が取り付けられる表面となり、一
方、内側四角環１８は、金属板上のこれに相補的な内側
四角環に取り付けられる。ある実施の形態においては、
シール環１７と１８はニッケルめっきのタングステンか
ら成り、一方、金属板上のこれらと相補的な環は、同様
なニッケルめっきの表面を有する。外側環１７は、金属
板に接続されたとき、凹部領域１９だけでなく、パッケ
ージ基板１０の底面の集積回路が入れられる貫通孔１１
をも密封する役目を果たすということに注意されたい。
更に、内側環１８は、金属板に接続されると、貫通孔１
１を密封するのに、また、集積回路が入れられる貫通孔
から凹部領域１９を隔離するために設けられている。内
側環１８は、外側環１７よりも集積回路に近いので、集
積回路基板のために一層良好な接地を提供する。
ミック基板１０の底面に形成されている金属環である。
これらの金属環はパッケージの接地平面に接続されてい
る。これによって、集積回路は集積回路基板を通して接
地電流を流し出すのである。また、これらの環は、次に
パッケージの底面に固着される金属板（後述）を密封す
るのにも役立つ。外側四角環１７は、金属板上のこれと
相補的な外側四角環が取り付けられる表面となり、一
方、内側四角環１８は、金属板上のこれに相補的な内側
四角環に取り付けられる。ある実施の形態においては、
シール環１７と１８はニッケルめっきのタングステンか
ら成り、一方、金属板上のこれらと相補的な環は、同様
なニッケルめっきの表面を有する。外側環１７は、金属
板に接続されたとき、凹部領域１９だけでなく、パッケ
ージ基板１０の底面の集積回路が入れられる貫通孔１１
をも密封する役目を果たすということに注意されたい。
更に、内側環１８は、金属板に接続されると、貫通孔１
１を密封するのに、また、集積回路が入れられる貫通孔
から凹部領域１９を隔離するために設けられている。内
側環１８は、外側環１７よりも集積回路に近いので、集
積回路基板のために一層良好な接地を提供する。
【００１７】また、内側環がなく外側環だけでも、集積
回路が配置されている貫通孔と一緒に、コンデンサが配
置されている両凹部を密封するシールを形成することが
できる。シール環を形成するのに使われているニッケル
めっきタングステン膜の代わりに、あるいは、これに加
えて、別の金属、あるいは他のコンパウンドを使用する
こともできるということに注意されたい。たとえば、あ
る実施の形態では、ニッケルめっきタングステンのシー
ル環は金で被覆される。
回路が配置されている貫通孔と一緒に、コンデンサが配
置されている両凹部を密封するシールを形成することが
できる。シール環を形成するのに使われているニッケル
めっきタングステン膜の代わりに、あるいは、これに加
えて、別の金属、あるいは他のコンパウンドを使用する
こともできるということに注意されたい。たとえば、あ
る実施の形態では、ニッケルめっきタングステンのシー
ル環は金で被覆される。
【００１８】図３は、集積回路２０，金属板２１，およ
びコンデンサ２２と２３がパッケージ基板に固着された
後の図１および図２に示したパッケージ基板の断面を示
している。本発明に従って、コンデンサは、図２に示さ
れている４つの凹部領域１９のそれぞれの中に収容され
ている。上記のように、コンデンサは凹部領域の中に完
全に納まり、パッケージ基板１０の底面よりも下にあ
る。このようにして、次に取り付けられる金属板２１
は、コンデンサにに邪魔されずにパッケージ基板の底面
と面一になれるのである。代わりに、２つ、またはそれ
以上のコンデンサを１つの凹部領域に収容してもよく、
任意の数の凹部領域を形成することもできる。
びコンデンサ２２と２３がパッケージ基板に固着された
後の図１および図２に示したパッケージ基板の断面を示
している。本発明に従って、コンデンサは、図２に示さ
れている４つの凹部領域１９のそれぞれの中に収容され
ている。上記のように、コンデンサは凹部領域の中に完
全に納まり、パッケージ基板１０の底面よりも下にあ
る。このようにして、次に取り付けられる金属板２１
は、コンデンサにに邪魔されずにパッケージ基板の底面
と面一になれるのである。代わりに、２つ、またはそれ
以上のコンデンサを１つの凹部領域に収容してもよく、
任意の数の凹部領域を形成することもできる。
【００１９】集積回路の電源線の雑音を抑制すること
は、電源と接地の間の静電容量の増加に関係してくる。
この静電容量を増やすために、パッケージ基板１０の中
に電力平面と接地平面とが連続して絡み合った構造を形
成する。電力平面２５と３６は、集積回路の電源電圧を
運ぶ電力線が電気的に接続している導電材料の層であ
る。接地平面２４と３５は、集積回路の接地を担う接地
線が接続している導電材料の層である。電力平面は、電
気絶縁性の誘電材料の層によって接地平面から分離され
ている。このように、電力平面と接地平面はコンデンサ
の２つの端子として機能し、電源線の高周波雑音を短絡
するとともに、集積回路が使用するための電源線の一定
の直流（ｄｃ）成分を切り離す。
は、電源と接地の間の静電容量の増加に関係してくる。
この静電容量を増やすために、パッケージ基板１０の中
に電力平面と接地平面とが連続して絡み合った構造を形
成する。電力平面２５と３６は、集積回路の電源電圧を
運ぶ電力線が電気的に接続している導電材料の層であ
る。接地平面２４と３５は、集積回路の接地を担う接地
線が接続している導電材料の層である。電力平面は、電
気絶縁性の誘電材料の層によって接地平面から分離され
ている。このように、電力平面と接地平面はコンデンサ
の２つの端子として機能し、電源線の高周波雑音を短絡
するとともに、集積回路が使用するための電源線の一定
の直流（ｄｃ）成分を切り離す。
【００２０】残念ながら、この電力平面と接地平面を与
える方法は、電源線と接地供給線との間に少量の静電容
量しか付加することができない。静電容量は、コンデン
サの濾波機能の遮断周波数に反比例するので、電力平面
と接地平面で形成された少量の静電容量は高周波雑音を
漉き取る。集積回路パッケージにコンデンサを付加によ
り、電力平面と接地平面との間の静電容量が増加し、低
周波成分も濾波される。
える方法は、電源線と接地供給線との間に少量の静電容
量しか付加することができない。静電容量は、コンデン
サの濾波機能の遮断周波数に反比例するので、電力平面
と接地平面で形成された少量の静電容量は高周波雑音を
漉き取る。集積回路パッケージにコンデンサを付加によ
り、電力平面と接地平面との間の静電容量が増加し、低
周波成分も濾波される。
【００２１】本発明に従えば、パッケージ基板の底面に
放熱板を一体的に取り付けることを妨げないように、凹
部領域内のパッケージ基板１０にコンデンサが追加され
る。図３に示すように、コンデンサ２２と２３は、パッ
ケージ基板１０の凹部領域の外へ突出しない。コンデン
サは凹部領域１９の中に納まったまま、電源線と接地線
の間に追加の静電容量をパッケージに与える一方、以下
に記す放熱技術との両立も保っている。コンデンサによ
る追加の静電容量によって、さらに低周波雑音をパッケ
ージへの電源線から濾波することができ、それによっ
て、パッケージの中に内蔵されている集積回路の動作の
信頼性が改善される。また、これらのコンデンサの１つ
またはそれ以上を集積回路の別の動作に寄与させるため
に使ってもよい。
放熱板を一体的に取り付けることを妨げないように、凹
部領域内のパッケージ基板１０にコンデンサが追加され
る。図３に示すように、コンデンサ２２と２３は、パッ
ケージ基板１０の凹部領域の外へ突出しない。コンデン
サは凹部領域１９の中に納まったまま、電源線と接地線
の間に追加の静電容量をパッケージに与える一方、以下
に記す放熱技術との両立も保っている。コンデンサによ
る追加の静電容量によって、さらに低周波雑音をパッケ
ージへの電源線から濾波することができ、それによっ
て、パッケージの中に内蔵されている集積回路の動作の
信頼性が改善される。また、これらのコンデンサの１つ
またはそれ以上を集積回路の別の動作に寄与させるため
に使ってもよい。
【００２２】コンデンサ２２と２３それぞれの２つの端
子は、凹部領域１９の基部の２個のニッケルめっきタン
グステンのそれぞれが対応するパッドに接続され、更に
それらは図示しているようにパッケージ基板１０の中の
導電平面にそれぞれが接続される。コンデンサ２２の正
極端子は、ビア２６を通って電力平面３６と電力平面２
５に接続され、一方、コンデンサ２２の負極端子は、ビ
ア２７を通って接地平面３５と接地平面２４に接続され
ている。同様に、コンデンサ２３の正極端子は、ビア３
０を通って電力平面３６と電力平面２５に接続され、一
方、コンデンサ２３の負極端子は、ビア２８を通って接
地平面３５と接地平面２４に接続されている。代わり
に、コンデンサの端子は、他のどの電力供給線接合部、
あるいは接地線接合部に接続されてもよい、即ち、パッ
ケージ内部に別の電力平面と接地平面を形成すれば、コ
ンデンサは複数の電力平面や接地平面に接続することが
できる。
子は、凹部領域１９の基部の２個のニッケルめっきタン
グステンのそれぞれが対応するパッドに接続され、更に
それらは図示しているようにパッケージ基板１０の中の
導電平面にそれぞれが接続される。コンデンサ２２の正
極端子は、ビア２６を通って電力平面３６と電力平面２
５に接続され、一方、コンデンサ２２の負極端子は、ビ
ア２７を通って接地平面３５と接地平面２４に接続され
ている。同様に、コンデンサ２３の正極端子は、ビア３
０を通って電力平面３６と電力平面２５に接続され、一
方、コンデンサ２３の負極端子は、ビア２８を通って接
地平面３５と接地平面２４に接続されている。代わり
に、コンデンサの端子は、他のどの電力供給線接合部、
あるいは接地線接合部に接続されてもよい、即ち、パッ
ケージ内部に別の電力平面と接地平面を形成すれば、コ
ンデンサは複数の電力平面や接地平面に接続することが
できる。
【００２３】従来の集積回路パッケージの上にコンデン
サを形成する方法に比べて、ビア２６、２７、２８、お
よび３０の長さは著しく短いということに注意された
い。従来の方法では、コンデンサは、凹部領域の中より
むしろパッケージ基板の底面上に形成される。結果とし
て、この従来のタイプのパッケージの内部の電力および
接地平面をコンデンサにその表面で接続することはより
長いビアを必要とする。本発明によって、コンデンサは
パッケージ内の凹部領域に納まるので、コンデンサは、
電力平面と接地平面により近くなる。したがって、これ
らの埋め込まれたコンデンサをパッケージの中で電力お
よび接地平面に接続するにはもっと短いビアでよい。
サを形成する方法に比べて、ビア２６、２７、２８、お
よび３０の長さは著しく短いということに注意された
い。従来の方法では、コンデンサは、凹部領域の中より
むしろパッケージ基板の底面上に形成される。結果とし
て、この従来のタイプのパッケージの内部の電力および
接地平面をコンデンサにその表面で接続することはより
長いビアを必要とする。本発明によって、コンデンサは
パッケージ内の凹部領域に納まるので、コンデンサは、
電力平面と接地平面により近くなる。したがって、これ
らの埋め込まれたコンデンサをパッケージの中で電力お
よび接地平面に接続するにはもっと短いビアでよい。
【００２４】集積回路パッケージ内に形成されたより長
いビアは、短いビアよりも、ビアによって運ばれる電気
信号に対してより有意な量のインダクタンスを与える。
上記のように、パッケージ基板１０内でコンデンサ２２
と２３を電力および接地平面に接続しているビア２６、
２７、２８、および３０は、従来の方法におけるものよ
りも短い。従来の方法では、コンデンサはパッケージ基
板の外部表面に位置するか、そうでなければ、電力およ
び接地平面から延伸して、たとえば、フラックスをコン
デンサの下側から取り払うことができるようになってい
る。したがって、本発明に従えば、パッケージ基板１０
に内蔵されている集積回路２０のための電源上のインダ
クタンスは、かなり減少させられ、集積回路２０への電
力の配電効率が高められ、更に、電源線上の雑音も減少
される。さらに、図３に示す本発明の実施の形態では、
凹部領域１９の中に形成されているコンデンサの端子
が、電力平面および接地平面３６および３５と同じ平面
にそれぞれがあるということに注意されたい。この構成
では、電源線上のインダクタンスに寄与するコンデンサ
・ビアが削除される。
いビアは、短いビアよりも、ビアによって運ばれる電気
信号に対してより有意な量のインダクタンスを与える。
上記のように、パッケージ基板１０内でコンデンサ２２
と２３を電力および接地平面に接続しているビア２６、
２７、２８、および３０は、従来の方法におけるものよ
りも短い。従来の方法では、コンデンサはパッケージ基
板の外部表面に位置するか、そうでなければ、電力およ
び接地平面から延伸して、たとえば、フラックスをコン
デンサの下側から取り払うことができるようになってい
る。したがって、本発明に従えば、パッケージ基板１０
に内蔵されている集積回路２０のための電源上のインダ
クタンスは、かなり減少させられ、集積回路２０への電
力の配電効率が高められ、更に、電源線上の雑音も減少
される。さらに、図３に示す本発明の実施の形態では、
凹部領域１９の中に形成されているコンデンサの端子
が、電力平面および接地平面３６および３５と同じ平面
にそれぞれがあるということに注意されたい。この構成
では、電源線上のインダクタンスに寄与するコンデンサ
・ビアが削除される。
【００２５】コンデンサ２２と２３が凹部領域１９に配
置された後、図示するように金属板２１が基板の底面に
配置され、コンデンサと金属板は単一のステップの熱処
理でパッケージ基板に溶着される。金属板２１は、ニッ
ケルメッキの表面を有する純銅の基板である。金属板２
１は、外側シール環１７と内側シール環１８に、パッケ
ージ基板上で外側シール環および内側シール環と接触す
る金属板２１の領域にスクリーン印刷されたＡｇＢｉＳ
ｎＰｄを有するペーストを使って固着される。前述した
ように、コンデンサは、金属板２１をパッケージ基板１
０の底面に取り付ける妨げにならないように、全体が凹
部領域１９内にある。金属板２１は、シール環１７と１
８にそって気密シールを形成している。したがって、コ
ンデンサ２２と２３は、内側と外側のシール環との間
の、パッケージ基板の凹部領域１９内で気密にシールさ
れる。
置された後、図示するように金属板２１が基板の底面に
配置され、コンデンサと金属板は単一のステップの熱処
理でパッケージ基板に溶着される。金属板２１は、ニッ
ケルメッキの表面を有する純銅の基板である。金属板２
１は、外側シール環１７と内側シール環１８に、パッケ
ージ基板上で外側シール環および内側シール環と接触す
る金属板２１の領域にスクリーン印刷されたＡｇＢｉＳ
ｎＰｄを有するペーストを使って固着される。前述した
ように、コンデンサは、金属板２１をパッケージ基板１
０の底面に取り付ける妨げにならないように、全体が凹
部領域１９内にある。金属板２１は、シール環１７と１
８にそって気密シールを形成している。したがって、コ
ンデンサ２２と２３は、内側と外側のシール環との間
の、パッケージ基板の凹部領域１９内で気密にシールさ
れる。
【００２６】また、金属板２１は、パッケージ基板１０
内に集積回路２０を、少なくともパッケージの底面から
密閉する（後述する、もう一方の金属板が、集積回路を
パッケージ内にパッケージの上面から密閉する）。さら
に、２つの固有の内側および外側シール環を使うので、
これらのシール環の一方が壊れたとしても、他方が集積
回路の気密を行う。別の実施の形態では、金属板または
コンデンサは、ＧｅＡｕ、Ａｇ−Ｉｎ＿Ｓｎ−Ｐｂ、Ａ
ｇ−Ｃｕ−Ｉｎ＿Ｓｎ、またはＰｂ−Ｓｎなどの他の多
くのペーストの内のいずれか一つを使って、パッケージ
基板に取り付けることができる。しかしながら、Ｐｂ−
Ｓｎペーストを使う本発明の実施の形態では、接続する
導電面を金めっきする必要があるということに注意され
たい。
内に集積回路２０を、少なくともパッケージの底面から
密閉する（後述する、もう一方の金属板が、集積回路を
パッケージ内にパッケージの上面から密閉する）。さら
に、２つの固有の内側および外側シール環を使うので、
これらのシール環の一方が壊れたとしても、他方が集積
回路の気密を行う。別の実施の形態では、金属板または
コンデンサは、ＧｅＡｕ、Ａｇ−Ｉｎ＿Ｓｎ−Ｐｂ、Ａ
ｇ−Ｃｕ−Ｉｎ＿Ｓｎ、またはＰｂ−Ｓｎなどの他の多
くのペーストの内のいずれか一つを使って、パッケージ
基板に取り付けることができる。しかしながら、Ｐｂ−
Ｓｎペーストを使う本発明の実施の形態では、接続する
導電面を金めっきする必要があるということに注意され
たい。
【００２７】コンデンサ２２と２３，および金属板２１
がパッケージ基板に取り付けられた後、パッケージ基板
上面の開口から集積回路素子２０が金属板に固着され
る。集積回路素子２０は、集積回路素子と金属板との間
の熱的および電気的接合が確実に行われるように共融法
によって固着される。代わりに、電気および熱伝導性の
あるエポキシを使って集積回路素子を固着することもあ
る。集積回路は、コンデンサが取り付けられた後で取り
付けられるので、より清浄で、より耐久力のある温度の
高い方法を、パッケージ基板１０へのコンデンサ２２と
２３の取り付けに使うことができる。たとえば、クリー
ニングが続けて必要となるはんだ法によるよりもむし
ろ、ろう付けでつけてもよい。したがって、本発明に従
えば、金属板とコンデンサを取り付けるのに使われる方
法は、集積回路を金属板に取り付けるのに使われている
温度よりも高い融点を持つ材料を使う。
がパッケージ基板に取り付けられた後、パッケージ基板
上面の開口から集積回路素子２０が金属板に固着され
る。集積回路素子２０は、集積回路素子と金属板との間
の熱的および電気的接合が確実に行われるように共融法
によって固着される。代わりに、電気および熱伝導性の
あるエポキシを使って集積回路素子を固着することもあ
る。集積回路は、コンデンサが取り付けられた後で取り
付けられるので、より清浄で、より耐久力のある温度の
高い方法を、パッケージ基板１０へのコンデンサ２２と
２３の取り付けに使うことができる。たとえば、クリー
ニングが続けて必要となるはんだ法によるよりもむし
ろ、ろう付けでつけてもよい。したがって、本発明に従
えば、金属板とコンデンサを取り付けるのに使われる方
法は、集積回路を金属板に取り付けるのに使われている
温度よりも高い融点を持つ材料を使う。
【００２８】集積回路２０が金属板２１に固着された
後、集積回路上のそれぞれのボンド・パッドは、図１に
示した、それぞれ棚部１３と１５の上にある相互接続線
１４と１６の露出した部分にワイヤ・ボンディングされ
る。この方法では、ボンディング・ワイヤ３１によっ
て、パッケージ基板１４の中に形成されている相互接続
線に外部ピン１２を結合させる電気的な通路が完成す
る。これらの相互接続線は、ボンディング・ワイヤを通
じて集積回路２０の内部回路に結合している。ワイヤ・
ボンディングの後、最後の板がパッケージ基板１０の上
面に取り付けられ、パッケージ内に集積回路を密封す
る。
後、集積回路上のそれぞれのボンド・パッドは、図１に
示した、それぞれ棚部１３と１５の上にある相互接続線
１４と１６の露出した部分にワイヤ・ボンディングされ
る。この方法では、ボンディング・ワイヤ３１によっ
て、パッケージ基板１４の中に形成されている相互接続
線に外部ピン１２を結合させる電気的な通路が完成す
る。これらの相互接続線は、ボンディング・ワイヤを通
じて集積回路２０の内部回路に結合している。ワイヤ・
ボンディングの後、最後の板がパッケージ基板１０の上
面に取り付けられ、パッケージ内に集積回路を密封す
る。
【００２９】集積回路が動作すると、集積回路によって
発生した熱は、金属板２１に吸収されて金属板の底面に
伝達されるが、該底面はパッケージの外側の雰囲気に露
出している。したがって、金属板２１は、たとえば、空
冷または液冷などの多くの放熱法のいずれかによって冷
却することができる。この方法においては、集積回路２
０はパッケージ内において比較的冷たく保たれ、集積回
路が最高の性能で動作することができる。金属板２１の
目的は、集積回路２０から熱を吸収してその熱をパッケ
ージの外へ放出することである。したがって、本発明の
別の実施の形態では、板は、Ｃｕ−Ｗのような熱伝導性
材料や、または他の金属から成り、集積回路の熱膨張係
数に近い膨張係数を有するものが好ましい。これらの熱
膨張係数をおおよそ合わせることによって、集積回路は
割れにくく、板から剥がれにくくなる。
発生した熱は、金属板２１に吸収されて金属板の底面に
伝達されるが、該底面はパッケージの外側の雰囲気に露
出している。したがって、金属板２１は、たとえば、空
冷または液冷などの多くの放熱法のいずれかによって冷
却することができる。この方法においては、集積回路２
０はパッケージ内において比較的冷たく保たれ、集積回
路が最高の性能で動作することができる。金属板２１の
目的は、集積回路２０から熱を吸収してその熱をパッケ
ージの外へ放出することである。したがって、本発明の
別の実施の形態では、板は、Ｃｕ−Ｗのような熱伝導性
材料や、または他の金属から成り、集積回路の熱膨張係
数に近い膨張係数を有するものが好ましい。これらの熱
膨張係数をおおよそ合わせることによって、集積回路は
割れにくく、板から剥がれにくくなる。
【００３０】さらに、本発明の別の実施の形態では、集
積回路を板に直接取り付ける必要はない。代わりに、集
積回路は、熱伝導性のビアやはんだなどの熱ペーストを
通じて、板に熱的に接合されている別の基板に接合され
る。また、別の実施の形態では、板は熱伝導性でなくて
もよい。代わりに、板は、セラミックやプラスチックな
どの誘電材料から成り、単に、パッケージ基板内のコン
デンサと集積回路を密封するための保護板として機能し
ているだけである。この実施の形態は、集積回路電源線
上の雑音の抑制ほど放熱が重要ではない利用分野で有用
であるかもしれない。
積回路を板に直接取り付ける必要はない。代わりに、集
積回路は、熱伝導性のビアやはんだなどの熱ペーストを
通じて、板に熱的に接合されている別の基板に接合され
る。また、別の実施の形態では、板は熱伝導性でなくて
もよい。代わりに、板は、セラミックやプラスチックな
どの誘電材料から成り、単に、パッケージ基板内のコン
デンサと集積回路を密封するための保護板として機能し
ているだけである。この実施の形態は、集積回路電源線
上の雑音の抑制ほど放熱が重要ではない利用分野で有用
であるかもしれない。
【００３１】以上、放熱技術と両立させながら、大容量
のコンデンサを用いて利点を与えることができる集積回
路パッケージについて述べた。
のコンデンサを用いて利点を与えることができる集積回
路パッケージについて述べた。
【図１】本発明に従って形成されているパッケージ基板
の上面の図である。
の上面の図である。
【図２】図１に示されているパッケージ基板の底面の図
である。
である。
【図３】付け加えた部品を含む図２に示されているパッ
ケージ基板の断面図である。
ケージ基板の断面図である。
１０ 基板 １１ 貫通孔 １２ ピン １３，１５ ボンディング用の棚部 １４，１６ 金属相互接続線 １９ 凹部領域 ２０ 集積回路 ２１ 金属板 ２２，２３ コンデンサ ２４，３５ 接地平面 ２５，３６ 電力平面 ２６，２７，２８，３０ ビア ３１ ボンディング・ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ビデュット ケイ．ブハッタチャリヤ アメリカ合衆国 アリゾナ州 85045 フ ェニックス ダブリュー．ミュアウッド ドライブ 1369 (72)発明者 棚橋 成夫 京都府相楽郡精華町光台３丁目５番地 京 セラ株式会社 中央研究所内
Claims (19)
- 【請求項１】 集積回路を収容するパッケージにおい
て、 表面を有する基板と、 該基板の表面内にある凹部領域と、 該凹部領域内の前記基板表面よりも下に設けられたコン
デンサと、 前記基板の中にあり、前記集積回路を収容するために設
けられている貫通孔と、 前記基板表面に取り付けられ、前記凹部領域の中の前記
コンデンサを密封し、かつ前記貫通孔の一方を密封する
金属板とを有するパッケージ。 - 【請求項２】 前記コンデンサの第１の端子と前記金属
板との両方に電気的に結合されている前記パッケージの
接地平面と、前記コンデンサの第２の端子に電気的に結
合されている前記パッケージの電力平面とをさらに有す
ることを特徴とする、請求項１に記載のパッケージ。 - 【請求項３】 前記金属板は銅を含むことを特徴とす
る、請求項１に記載のパッケージ。 - 【請求項４】 前記集積回路は前記金属板に熱的に結合
されていることを特徴とする、請求項３に記載のパッケ
ージ。 - 【請求項５】 前記パッケージはピン・グリッド・アレ
イ・パッケージであることを特徴とする、請求項１に記
載のパッケージ。 - 【請求項６】 前記パッケージはボール・グリッド・ア
レイ・パッケージであることを特徴とする、請求項１に
記載のパッケージ。 - 【請求項７】 集積回路を収容するセラミック・パッケ
ージにおいて、 接地線に電気的に結合する接地平面と、電力線に電気的
に結合する電力平面とを有し、さらにまた、 前記パッケージの表面内にある凹部領域と、 該凹部領域内の前記パッケージ表面よりも下に設けら
れ、第１の端子が前記接地平面に電気的に結合し、第２
の端子が前記電力平面に電気的に結合しているコンデン
サと、 前記パッケージ表面に取り付けられ、前記凹部領域の中
の前記コンデンサを密封する金属板とを有するセラミッ
ク・パッケージ。 - 【請求項８】 集積回路をさらに有し、該集積回路は、
集積回路を前記パッケージの中に密封し、集積回路で発
生した熱を集積回路から放熱するように前記金属板に取
り付けられていることを特徴とする、請求項７に記載の
パッケージ。 - 【請求項９】 複数の凹部領域の中に、複数のコンデン
サが配置されていることを特徴とする、請求項７に記載
のパッケージ。 - 【請求項１０】 集積回路を収容する方法において、該
方法は、 パッケージ基板の表面に凹部領域を設けること、 該凹部領域にコンデンサを、前記パッケージ基板表面よ
りも下に設けられるように配置すること、 前記パッケージ基板表面上に金属板を、該金属板が前記
凹部領域を覆うように配置すること、および前記コンデ
ンサと前記金属板が前記パッケージ基板に溶着するよう
に、前記パッケージ基板とコンデンサと金属板とを高温
に曝すこととを含む集積回路を収容する方法。 - 【請求項１１】 前記金属板が前記コンデンサを前記凹
部領域に密閉することを特徴とする、請求項１０に記載
の方法。 - 【請求項１２】 接地平面を前記コンデンサの第１の端
子と前記金属板との両方に電気的に結合し、電力平面を
前記コンデンサの第２の端子に結合するステップをさら
に有する、請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記金属板は主として純銅から成るこ
とを特徴とする、請求項１０の方法。 - 【請求項１４】 前記パッケージはボール・グリッド・
アレイパッケージであることを特徴とする、請求項１０
の方法。 - 【請求項１５】 パッケージ内に集積回路を組み立てる
方法において、該方法は、 表面に貫通孔と凹部領域とを持つパッケージ基板を与え
ること、 前記凹部領域にコンデンサを、前記パッケージ基板表面
よりも下に設けられるように配置すること、 前記パッケージ基板表面に、前記凹部領域と、前記貫通
孔の一方を密閉するように金属板を取り付けること、そ
して前記貫通孔内に露出する前記金属板の一部分に前記
集積回路を取り付けることを有する方法。 - 【請求項１６】 前記集積回路を前記パッケージ基板上
の導電パッドにワイヤ・ボンディングするステップをさ
らに有することを特徴とする、請求項１５に記載の方
法。 - 【請求項１７】 前記金属板は銅を含み、前記コンデン
サは前記集積回路の接地と電源との間で電気的に結合さ
れていることを特徴とする、請求項１５に記載の組立方
法。 - 【請求項１８】 集積回路のためのパッケージを製造す
る方法において、該方法は、 まだグリーン・テープの形状の間に一連のセラミック層
に孔を開け、１つの表面に貫通孔と凹部領域とを持つパ
ッケージ基板を作ること、 前記パッケージ基板内の電力平面および接地平面に結合
された電気ビアに、第１の導電性ペーストを使ってコン
デンサを、前記凹部領域内に配置されるように取り付け
ること、そして前記パッケージ基板表面に形成されてい
る前記パッケージ基板内の接地平面に結合され、かつ前
記貫通孔と前記凹部領域との両方を取り囲むシール環に
第２の導電ペーストを使って金属板を取り付けることを
含む方法。 - 【請求項１９】 前記第１および第２の導電ペースト
は、次に前記金属板に前記集積回路を結合するために使
用される温度よりも高い融点を持つことを特徴とする、
請求項１８に記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31827296A JP3545892B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 放熱性の高い高性能、高容量パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31827296A JP3545892B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 放熱性の高い高性能、高容量パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163366A true JPH10163366A (ja) | 1998-06-19 |
| JP3545892B2 JP3545892B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=18097359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31827296A Expired - Fee Related JP3545892B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 放熱性の高い高性能、高容量パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3545892B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6608375B2 (en) | 2001-04-06 | 2003-08-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
| US7309916B2 (en) | 2004-07-14 | 2007-12-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method for its manufacture |
| JP2013051401A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-03-14 | Kyocera Corp | セラミック回路基板およびそれを用いた電子装置 |
| CN112349700A (zh) * | 2020-09-28 | 2021-02-09 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种气密高导热lcp封装基板及多芯片系统级封装结构 |
-
1996
- 1996-11-28 JP JP31827296A patent/JP3545892B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6608375B2 (en) | 2001-04-06 | 2003-08-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
| US6806564B2 (en) | 2001-04-06 | 2004-10-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
| US7173335B2 (en) | 2001-04-06 | 2007-02-06 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
| US7459765B2 (en) | 2001-04-06 | 2008-12-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
| US7714434B2 (en) | 2001-04-06 | 2010-05-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
| US8018055B2 (en) | 2001-04-06 | 2011-09-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
| US7309916B2 (en) | 2004-07-14 | 2007-12-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method for its manufacture |
| JP2013051401A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-03-14 | Kyocera Corp | セラミック回路基板およびそれを用いた電子装置 |
| CN112349700A (zh) * | 2020-09-28 | 2021-02-09 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种气密高导热lcp封装基板及多芯片系统级封装结构 |
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