JPH10163589A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

配線基板及びその製造方法

Info

Publication number
JPH10163589A
JPH10163589A JP8318081A JP31808196A JPH10163589A JP H10163589 A JPH10163589 A JP H10163589A JP 8318081 A JP8318081 A JP 8318081A JP 31808196 A JP31808196 A JP 31808196A JP H10163589 A JPH10163589 A JP H10163589A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
thermosetting resin
inorganic insulating
insulating
wiring board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8318081A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Uchimoto
晃一 内本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP8318081A priority Critical patent/JPH10163589A/ja
Publication of JPH10163589A publication Critical patent/JPH10163589A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の配線基板においては、外力印加によっ
て絶縁基体に割れや欠けが発生し、また大気中の水分が
絶縁基体を通って内部に浸入し、半導体素子の電極やボ
ンディングワイヤ等に腐食を発生させてしまっていた。 【解決手段】 60乃至95重量%の無機絶縁物粉末を5乃
至40重量%の熱硬化性樹脂により結合して成る絶縁基体
1に金属粉末を熱硬化性樹脂により結合した配線導体2
を被着形成して成る配線基板であって、絶縁基体1中の
無機絶縁物粉末の表面がシランカップリング剤で被覆さ
れているものである。絶縁基体1中の無機絶縁物粉末と
熱硬化性樹脂との結合が極めて強いものとなり、大気中
の水分が絶縁基体を通って内部に浸入することがなくな
って半導体素子を長期にわたって安定して機能させるこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
するための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路
基板等に用いられる配線基板及びその製造方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来、配線基板、例えば半導体素子を収
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスより
成り、その上面中央部に半導体素子を収容する凹部を有
する絶縁基体と、絶縁基体の凹部周辺から下面にかけて
導出されたタングステンやモリブデン等の高融点金属メ
タライズから成る配線導体とから構成されており、絶縁
基体の凹部底面に半導体素子をガラスや樹脂・ロウ材等
の接着剤により接着固定するとともにこの半導体素子の
各電極を例えばボンディングワイヤ等の電気的接続手段
を介して配線導体に電気的に接続し、しかる後、金属や
セラミックス等から成る蓋体を絶縁基体の上面に凹部を
塞ぐようにしてガラスや樹脂・ロウ材等の封止材により
接合させて絶縁基体の凹部内に半導体素子を気密に収容
することによって製品としての半導体装置となり、配線
導体の絶縁基体の下面に導出した部位を外部電気回路基
板の配線導体に半田等の電気的接続手段を介して接続す
ることによって、絶縁基体の凹部に収容した半導体素子
の各電極が外部電気回路基板に電気的に接続されること
となる。
【0003】この従来の配線基板は、例えばセラミック
グリーンシート積層法によって製作される。具体的に
は、酸化アルミニウムや酸化珪素・酸化マグネシウム・
酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バ
インダや溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこ
れを従来周知のドクターブレード法を採用してシート状
とすることによって複数のセラミックグリーンシートを
得、しかる後、所定のセラミックグリーンシートに適当
な打ち抜き加工を施すとともに配線導体となる金属ペー
ストを所定パターンで印刷塗布し、最後にこれらセラミ
ックグリーンシートを所定の順に積層して生セラミック
成形体となすとともにこの生セラミック成形体を還元雰
囲気中約1600℃の高温で焼成することによって製作され
る。
【0004】しかしながら、この従来の配線基板は、絶
縁基体を構成する酸化アルミニウム質焼結体等のセラミ
ックスが硬くて脆い性質を有するため、搬送工程や半導
体装置製作の自動ライン等において配線基板同士あるい
は配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激し
く衝突すると絶縁基体に欠けや割れ・クラック等が発生
し、その結果、半導体素子を気密に収容することができ
ず、半導体素子を長期間にわたり正常且つ安定に作動さ
せることができなくなるという欠点を有していた。
【0005】また、前述のような配線基板の製造方法に
よれば、生セラミック成形体を焼成する際に生セラミッ
ク成形体に不均一な焼成収縮が発生し、得られる配線基
板に反り等の変形や寸法のばらつきが発生して、その結
果、半導体素子の各電極と配線導体とを、あるいは配線
導体と外部電気回路基板の配線導体とを正確且つ確実に
電気的に接続することが困難であるという欠点を有して
いた。
【0006】これに対し、配線基板の絶縁基体を従来の
セラミックスに代えて無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で
結合した材料で形成するとともに、配線導体を従来の高
融点金属メタライズに代えて金属粉末を熱硬化性樹脂で
結合した材料で形成した配線基板が提案されている。
【0007】この無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で結合
して成る絶縁基体と金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して
成る配線導体とから成る配線基板は、熱硬化性樹脂前駆
体と無機絶縁物粉末とを混合して成る半硬化状態の前駆
体シートを準備するとともに所定の前駆体シートに適当
な打ち抜き加工を施し、次にこれに熱硬化性樹脂前駆体
と金属粉末とを混合して成る金属ペーストを所定パター
ンに印刷塗布し、最後にこの金属ペーストが印刷塗布さ
れた前駆体シートを必要に応じて積層するとともにこれ
を約100 〜300 ℃の温度で熱硬化させることによって製
作される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この無
機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る絶縁基体と
金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る配線導体とから
成る配線基板は、絶縁基体を構成する無機絶縁物粉末と
熱硬化性樹脂との結合が若干弱く、そのため絶縁基体の
凹部内に半導体素子を気密に収容した後、この結合が若
干弱い無機絶縁物粉末と熱硬化性樹脂との界面を伝って
大気中の水分が絶縁基体の凹部内に浸入し易い場合があ
り、凹部内に水分が浸入すると半導体素子の電極やボン
ディングワイヤ等に腐食が発生して電極やボンディング
ワイヤに断線が発生し、半導体装置としての機能を喪失
させてしまうという問題点があった。
【0009】本発明は上記事情に鑑みて案出されたもの
であり、その目的は、無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で
結合して成る絶縁基体と金属粉末を熱硬化性樹脂で結合
して成る配線導体とから成る配線基板について、絶縁基
体における無機絶縁物粉末と熱硬化性樹脂との結合を強
固なものとして絶縁基体の凹部内への水分の侵入を無く
し、内部に収容した半導体素子を長期にわたって安定し
て機能させることができる配線基板及びその製造方法を
提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、60
乃至95重量%の無機絶縁物粉末を5乃至40重量%の熱硬
化性樹脂により結合して成る絶縁基体に金属粉末を熱硬
化性樹脂により結合した配線導体を被着形成して成る配
線基板であって、前記無機絶縁物粉末の表面がシランカ
ップリング剤で被覆されていることを特徴とするもので
ある。
【0011】また本発明の配線基板は、上記構成におい
て前記シランカップリング剤の無機絶縁物粉末に対する
被覆量が0.1 乃至10重量%であることを特徴とするもの
である。
【0012】また本発明の配線基板の製造方法は、熱硬
化性樹脂前駆体と表面がシランカップリング剤で被覆さ
れた無機絶縁物粉末とを混合して成る、硬化後に絶縁基
体となる前駆体シートを準備する工程と、熱硬性樹脂前
駆体と金属粉末とを混合して成る、硬化後に配線導体と
なる金属ペーストを前記前駆体シートに所定パターンで
印刷塗布する工程と、前記前駆体シート及び金属ペース
トを熱硬化させる工程とを具備することを特徴とするも
のである。
【0013】本発明の配線基板によれば、絶縁基体が無
機絶縁物粉末を靭性に優れる熱硬化性樹脂で結合するこ
とによって形成されていることから、配線基板同士ある
いは配線基板と半導体装置製作ラインの一部とが激しく
衝突したとしても絶縁基体に欠けや割れ・クラック等を
発生することはない。
【0014】また本発明の配線基板によれば、絶縁基体
を構成する無機絶縁物粉末の表面を無機絶縁物粉末及び
熱硬化性樹脂の両方に対して結合性の強いシランカップ
リング剤で被覆したことから、絶縁基体中の無機絶縁物
粉末と熱硬化性樹脂との結合が極めて強いものとなり、
その結果、絶縁基体の凹部内に半導体素子を気密に収容
した後、大気中の水分が絶縁基体の無機絶縁物粉末と熱
硬化性樹脂との界面を伝って凹部内に浸入しようとして
も水分がその界面を伝って浸入することがなくなり、従
って大気中の水分が浸入することにより半導体素子の電
極やボンディングワイヤ等に腐食が発生することもな
く、凹部内に収容した半導体素子を長期にわたって安定
して機能させることができる。
【0015】更に本発明の配線基板は、熱硬化性樹脂前
駆体と表面がシランカップリング剤で処理された無機絶
縁物粉末とを混合してなる硬化後に絶縁基板となる前駆
体シートを準備する工程と、熱硬性樹脂前駆体と金属粉
末とを混合して成る、硬化後に配線導体となる金属ペー
ストを前記前駆体シートに所定パターンで印刷する工程
と、前記前駆体シート及び金属ペーストを熱硬化させる
工程とを具備した工程で製作されることから、前駆体シ
ート及び金属ペーストの熱硬化性樹脂前駆体は熱硬化時
に殆ど収縮しないため、不均一な収縮による変形や寸法
のばらつきが配線基板に発生することもない。
【0016】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面に基づ
き詳細に説明する。図1は、本発明の配線基板を半導体
素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した
場合を示す実施の形態の例を示す断面図であり、同図に
おいて1は絶縁基体、2は配線導体、3は半導体素子で
ある。
【0017】本例における絶縁基体1は、3枚の絶縁基
板1a・1b・1cを積層することによって形成されて
おり、その上面中央部に半導体素子を収容するための凹
部1dを有し、この凹部1d底面には半導体素子3が樹
脂等の接着剤により接着固定される。
【0018】絶縁基体1を構成する絶縁基板1a・1b
・1cは、例えば酸化珪素や酸化アルミニウム・窒化ア
ルミニウム・炭化珪素・チタン酸バリウム・チタン酸ス
トロンチウム・チタン酸カルシウム・酸化チタン・ゼオ
ライト等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂やポリイミド
樹脂・フェノール樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテ
ル樹脂・ポリイミドアミド樹脂・ビスマレイミドトリア
ジン樹脂等の熱硬化性樹脂により結合することによって
形成されており、絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板
1a・1b・1cはその各々が無機絶縁物粉末を靭性に
優れるエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で結合することに
よって形成されていることから、絶縁基体1に外力が印
加されてもこの外力によって絶縁基体1に欠けや割れ・
クラック等が発生することはない。
【0019】なお、無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で結
合して成る絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板1a・
1b・1cは、これに含有させる無機絶縁物粉末の含有
量が60重量%未満であると絶縁基体1の熱膨張係数が半
導体素子3の熱膨張係数に対して大きく相違するため、
半導体素子3が作動時に熱を発してこの熱が半導体素子
3と絶縁基体1の両者に印加されると両者間に両者の熱
膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生し、この
大きな熱応力によって半導体素子3が絶縁基体1から剥
離したり、半導体素子3に割れや欠けが発生してしまう
傾向がある。一方、無機絶縁物粉末の含有量が95重量%
を超えると、無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で強固に結
合して所定の絶縁基体1を形成することが困難となる傾
向にある。従って、絶縁基体1を構成する絶縁基板1a
・1b・1cの各々の内部に含有させる無機絶縁物粉末
の量は60乃至95重量%の範囲に設定することが必要であ
る。
【0020】また、本発明の配線基板においては、絶縁
基板1a・1b・1cに含有させる無機絶縁物粉末の表
面がアミノプロピルトリメトキシシランやグリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン・メタクリロキシプロピル
トリメトキシシラン等のシランカップリング剤により被
覆されていることを特徴とする。
【0021】これらの無機絶縁物粉末の表面を被覆する
シランカップリング剤は、そのシランカップリング剤を
介して無機絶縁物粉末と熱硬化性樹脂とを強固に結合す
る作用を為し、シランカップリング剤に含まれるアルコ
キシ基が加水分解されて生成されるシラノール基と無機
絶縁物粉末とが化学的及び物理的に強固に結合するとと
もにシランカップリング剤に含まれる有機反応基と熱硬
化性樹脂に含まれる有機反応基とが化学結合により強固
に結合することによって、絶縁基体1を構成する絶縁基
板1a・1b・1c中の無機絶縁物粉末と熱硬化性樹脂
とを極めて強固に結合する。
【0022】このように、絶縁基板1a・1b・1cは
これらに含有される無機絶縁物粉末の表面を無機絶縁物
粉末及び熱硬化性樹脂の両方に対して結合性の強いシラ
ンカップリング剤で被覆したことから、絶縁基板1a・
1b・1c中の無機絶縁物粉末と熱硬化性樹脂との結合
が極めて強いものとなり、その結果、絶縁基体1の凹部
1d内に半導体素子3を気密に収容した後、大気中の水
分が無機絶縁物粉末と熱硬化性樹脂との界面を伝って凹
部内に浸入することが困難となり、従って大気中の水分
が浸入することにより半導体素子の電極やボンディング
ワイヤ等に腐食が発生することはない。
【0023】なお、無機絶縁物粉末を被覆するシランカ
ップリング剤は、その被覆量が無機絶縁物粉末に対して
0.1 重量%未満ではこのシランカップリング剤を介して
絶縁基体1中の無機絶縁物粉末と熱硬化性樹脂とを極め
て強固に結合することが困難となる傾向にあり、また10
重量%を超えると、無機絶縁物粉末と熱硬化性樹脂との
結合に供されないシランカップリング剤が絶縁基体1内
に多量に残存し、これにより絶縁基体1の誘電正接が大
きなものとなるとともに絶縁基体1の強度が弱いものと
なる傾向にある。従って、無機絶縁物粉末を被覆するシ
ランカップリング剤は、その被覆量を無機絶縁物粉末に
対して0.1 〜10重量%の範囲とすることが好ましい。
【0024】また絶縁基体1には、その凹部1d周辺か
ら下面にかけて、例えば銅や銀・表面が銀で被覆された
銅・銀−銅合金・金等の金属粉末をエポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂により結合した配線導体2が形成されてい
る。
【0025】配線導体2は半導体素子3の各電極を外部
電気回路に電気的に接続する作用を為し、その絶縁基体
1の凹部1d周辺に位置する部位には半導体素子3の各
電極がボンディングワイヤ4を介して電気的に接続さ
れ、また絶縁基体1の下面に導出する部位は半田等の電
気的接続手段を介して外部電気回路に電気的に接続され
る。
【0026】配線導体2に含有される金属粉末は、配線
導体2に導電性を付与する作用を為し、配線導体2にお
ける含有量が70重量%未満では配線導体2の電気抵抗が
高いものとなり、また95重量%を超えると金属粉末を熱
硬化性樹脂で強固に結合して所定の配線導体2を形成す
ることが困難となる傾向にある。従って、配線導体2の
内部に含有される金属粉末の量は、配線導体2に対して
70乃至95重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0027】また、配線導体2に含有される熱硬化性樹
脂は、配線導体2に含有される金属粉末を結合するとと
もに配線導体2を絶縁基体1に被着させる作用を為し、
配線導体2における含有量が5重量%未満では金属粉末
同士を強固に結合して配線導体2を形成することが困難
となる傾向にあり、また30重量%を超えると配線導体2
の電気抵抗が大きなものとなる傾向にある。従って、配
線導体2に含有される熱硬化性樹脂の含有量は5乃至30
重量%の範囲とすることが好ましい。
【0028】なお、配線導体2の露出する表面には、ニ
ッケルや金等の耐食性に優れ且つ良導電性の金属をメッ
キ法により1乃至20μmの厚みに層着させておくと、配
線導体2の酸化腐食を有効に防止することができるとと
もに配線導体2とボンディングワイヤ4とを強固に電気
的に接続させることができる。従って、配線導体2は、
その露出する表面にニッケルや金等の耐食性に優れ且つ
良導電性の金属をメッキ法により1乃至20μmの厚みに
層着させておくことが好ましい。
【0029】かくして本発明の配線基板によれば、絶縁
基体1の凹部1d底面に半導体素子3を樹脂等の接着剤
により接着固定するとともに半導体素子3の各電極をボ
ンディングワイヤ4を介して配線導体2に電気的に接続
し、その後、絶縁基体1の上面に凹部1dを覆うように
樹脂等から成る封止材により蓋体5を接合させ、絶縁基
体1と蓋体5とから成る容器内部に半導体素子3を気密
に収容することにより製品としての半導体装置が完成す
る。
【0030】次に、前記半導体素子収納用パッケージに
使用される配線基板の製造方法について図2に基づき説
明する。図2(a)〜(c)は、本発明の配線基板の製
造方法の例を示す工程毎の分解断面図である。
【0031】先ず、図2(a)に示すように、表面がシ
ランカップリング剤により被覆された無機絶縁物粉末を
熱硬化性樹脂前駆体で結合して成る、硬化後に絶縁基体
となる3枚の前駆体シート11a・11b・11cを準備す
る。
【0032】これら3枚の前駆体シート11a・11b・11
cは、例えば表面がアミノプロピルトリメトキシシラン
やグリシドキシプロピルトリメトキシシラン・メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリ
ング剤で被覆された酸化珪素や酸化アルミニウム・窒化
アルミニウム・炭化珪素・チタン酸バリウム・チタン酸
ストロンチウム・酸化チタン等の無機絶縁物粉末をエポ
キシ樹脂やポリイミド樹脂・熱硬化性ポリフェニレンエ
ーテル樹脂・ビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化
性樹脂の前駆体で結合することによって形成されてお
り、例えば表面がアミノプロピルトリメトキシシランで
被覆された粒径が0.1 〜100 μm程度の酸化珪素粉末に
ビスフェノールA型エポキシ樹脂やビスフェノールF型
エポキシ樹脂・ノボラック型エポキシ樹脂・グリシジル
エステル型エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂及びアミン系
硬化剤やイミダゾール系硬化剤・酸無水物系硬化剤等の
硬化剤を添加混合して得たペーストをドクターブレード
法等のシート成形法を採用してシート状となすとともに
約25〜100 ℃の温度で半硬化させることによって製作さ
れる。
【0033】なお、無機絶縁物粉末の表面をシランカッ
プリング剤で被覆するには、例えばアミノプロピルトリ
メトキシシランを水等の溶媒中に溶解させた溶液中にシ
リカ等の無機絶縁物粉末を分散させた後、溶液中の溶媒
を蒸発除去する方法等が採用される。
【0034】次に、図2(b)に示すように、3枚の前
駆体シート11a・11b・11cのうち2枚の前駆体シート
11a・11bに凹部1dとなる開口A・A’を、2枚の前
駆体シート11b・11cに配線導体2を引き回すための貫
通孔B・B’を各々形成する。
【0035】これら開口A・A’及び貫通孔B・B’
は、例えば前駆体シート11a・11b・11cに従来周知の
パンチング加工法を施して各々に所定形状の孔を穿孔す
ることによって形成される。
【0036】次に、図2(c)に示すように、半硬化さ
せた前駆体シート11b・11cの上下面及び貫通孔B・
B’内に、硬化後に配線導体2となる金属ペースト12を
従来周知のスクリーン印刷法及び充填法を採用して所定
パターンに印刷塗布するとともに、これを約25〜100 ℃
の温度で約1〜60分間加熱して半硬化させる。
【0037】金属ペースト12としては、例えば粒径が0.
1 〜20μm程度の銅等の粉末にビスフェノールA型エポ
キシ樹脂やビスフェノールF型エポキシ樹脂・ノボラッ
ク型エポキシ樹脂・グリシジルエステル型エポキシ樹脂
等のエポキシ樹脂及びアミン系硬化剤やイミダゾール系
硬化剤・酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合しペー
スト状となしたものが使用される。
【0038】そして、これら3枚の半硬化させた前駆体
シート11a・11b・11cを上下に積層するとともにこれ
を約80〜300 ℃の温度で約10秒〜24時間加熱し、前駆体
シート11a・11b・11c及び前駆体シート11b・11cに
所定パターンで印刷塗布された金属ペースト12を熱硬化
させることによって、図1に示すような絶縁基体1に配
線導体2を被着形成し配線基板が完成する。この場合、
前駆体シート11a・11b・11c及び金属ペースト12は熱
硬化時に収縮することは殆どなく、従って、得られる配
線基板に変形や寸法のばらつきが発生することはほぼ皆
無であるので、半導体素子3と配線導体2とを正確に接
続することが可能となる。
【0039】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施例で
は本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子
収納用パッケージに適用した場合を例に採って説明した
が、例えば混成集積回路等、他の用途に使用される配線
基板に適用してもよい。
【0040】また、上述の実施の形態では3枚の前駆体
シートを積層することによって配線基板を製作したが、
1枚や2枚、あるいは4枚以上の前駆体シートを使用し
て配線基板を製作してもよい。
【0041】更に、上述の実施の形態では絶縁基体は無
機絶縁物粉末と熱硬化性樹脂とから成っていたが、これ
らに更にガラス繊維やカーボン繊維・アラミド繊維・ア
ルミナ繊維・チタン酸カリウムウィスカー・ホウ酸アル
ミニウムウィスカー等の短繊維を配合させてもよい。
【0042】更にまた、上述の実施例では配線導体は金
属粉末を熱硬化性樹脂により結合することにより形成さ
れていたが、この配線導体に更に低融点金属を配合する
とともにその低融点金属により金属粉末同士を結合する
ことによって配線導体を形成してもよい。この場合、配
線導体となる金属ペースト中に低融点金属として例えば
錫−鉛半田等から成る低融点金属粉末を配合し、これを
絶縁基体となる前駆体シートに印刷塗布した後、これを
加熱し、必要に応じて圧力を加えて、低融点金属粉末を
溶融させてその溶融した低融点金属により金属粉末を結
合する方法を採用すると、金属粉末同士の電気的接続が
確実且つ強固なものとなって配線導体の電気抵抗を極め
て小さくできるものとなる。
【0043】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、絶縁基体が
無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合する
ことにより形成されていることから、配線基板同士ある
いは配線基板と半導体装置の一部とが激しく衝突しても
絶縁基体に欠けや割れ・クラック等が発生することはな
い。
【0044】また本発明の配線基板によれば、絶縁基体
を構成する無機絶縁物粉末の表面を無機絶縁物粉末及び
熱硬化性樹脂の両方に対して結合性の強いシランカップ
リング剤で被覆したことから、絶縁基体中の無機絶縁物
粉末と熱硬化性樹脂との結合が極めて強いものとなり、
その結果、絶縁基体の凹部内に半導体素子を気密に収容
した後、大気中の水分が絶縁基体の無機絶縁物粉末と熱
硬化性樹脂との界面を伝って凹部内に浸入することがな
くなって大気中の水分が浸入することにより半導体素子
の電極やボンディングワイヤ等に腐食が発生することが
なくなり、凹部内に収容した半導体素子を長期にわたっ
て安定して機能させることができる。
【0045】更に本発明の配線基板は、熱硬化性樹脂前
駆体と表面がシランカップリング剤で処理された無機絶
縁物粉末とを混合してなる硬化後に絶縁基体となる前駆
体シートを準備する工程と、熱硬性樹脂前駆体と金属粉
末とを混合して成る硬化後に配線導体となる金属ペース
トを前記前駆体シートに所定パターンで印刷塗布する工
程と、前記前駆体シート及び金属ペーストを熱硬化させ
る工程とを具備する工程で製作され、前駆体シート及び
金属ペーストの熱硬化性樹脂前駆体は熱硬化時に殆ど収
縮しないことから、配線基板に不均一な収縮による変形
や寸法のばらつきが発生することもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケー
ジに適用した場合を示す実施の形態の例の断面図であ
る。
【図2】(a)〜(c)は、それぞれ本発明の配線基板
の製造方法の例を説明するための工程毎の分解断面図で
ある。
【符号の説明】
1・・・・・・・・・・絶縁基体 2・・・・・・・・・・配線導体 11a、11b、11c・・・前駆体シート 12・・・・・・・・・・金属ペースト

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 60乃至95重量%の無機絶縁物粉末を
    5乃至40重量%の熱硬化性樹脂により結合して成る絶
    縁基体に金属粉末を熱硬化性樹脂により結合した配線導
    体を被着形成して成る配線基板であって、前記無機絶縁
    物粉末の表面がシランカップリング剤で被覆されている
    ことを特徴とする配線基板。
  2. 【請求項2】 前記シランカップリング剤の無機絶縁物
    粉末に対する被覆量が0.1乃至10重量%であること
    を特徴とする請求項1記載の配線基板。
  3. 【請求項3】 熱硬化性樹脂前駆体と表面がシランカッ
    プリング剤で被覆された無機絶縁物粉末とを混合して成
    る、硬化後に絶縁基体となる前駆体シートを準備する工
    程と、熱硬性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成る、
    硬化後に配線導体となる金属ペーストを前記前駆体シー
    トに所定パターンで印刷塗布する工程と、前記前駆体シ
    ート及び金属ペーストを熱硬化させる工程とを具備する
    ことを特徴とする配線基板の製造方法。
JP8318081A 1996-11-28 1996-11-28 配線基板及びその製造方法 Pending JPH10163589A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8318081A JPH10163589A (ja) 1996-11-28 1996-11-28 配線基板及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8318081A JPH10163589A (ja) 1996-11-28 1996-11-28 配線基板及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10163589A true JPH10163589A (ja) 1998-06-19

Family

ID=18095273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8318081A Pending JPH10163589A (ja) 1996-11-28 1996-11-28 配線基板及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10163589A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1074858A (ja) 配線基板及びその製造方法
JPH1117348A (ja) 配線基板およびその製造方法
JP3292644B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP3301907B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP3398310B2 (ja) 配線基板の製造方法
JPH08125291A (ja) 配線基板及びその製造方法
JP3145621B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP3297573B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP3292646B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP3297576B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JPH10163380A (ja) 配線基板及びその製造方法
JP3297574B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP3393768B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP3297575B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP3398305B2 (ja) 配線基板およびその製造方法
JP3393760B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JPH10335764A (ja) 配線基板
JP3145619B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP3605235B2 (ja) 配線基板の製造方法
JPH08307024A (ja) 配線基板及びその製造方法
JPH10209324A (ja) 配線基板
JP3393747B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JPH08307025A (ja) 配線基板及びその製造方法
JPH08288596A (ja) 配線基板及びその製造方法
JPH1174649A (ja) 配線基板およびその製造方法